高温快速热退火炉

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

Centrotherm 快速退火炉/快速热工艺设备-c.RAPID 150/RTP 150 Centrotherm 快速退火炉-c.RAPID 150一、产品简介德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm c.RAPID 150是一款高性能、多用途的快速退火设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。 Centrotherm测温系统适用于从室温至高温的广泛区间。Centrotherm优化的多区温控系统结合可以独立控制的加热灯，提供了出色的控温精度和控温重复性。此款设备配置手动装载系统，适用于研发以及小型的量产。成熟的真空操作和气体管理系统为多种应用提供了可控的气体环境。出色的性能和高度的灵活性，结合小的占地面积，低的客户拥有成本，使c.RAPID 150成为一款最佳的手动RTP设备。 二、典型应用退火：一般退火、接触层（Contact）退火、源/漏退火、势垒金属退火硅化氧化掺杂活化三、产品特性可在常压或者真空（控压）下工作高度灵活性：适用于最大6寸的硅片或者可放置基片的6寸托盘升温速率约150 K/s出色的温度均匀性精确的环境控制高的设备可靠性可以并排安装 Centrotherm 快速热工艺设备-RTP 150一、产品简介德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm RTP 150是一款高性能快速热工艺设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。 RTP 150型快速热反应设备，采用紧凑型的真空腔室设计满足多种工艺需要，是一款可用于生产和研发用的单晶圆工艺设备。RTP 150型设备包括一个带集成压力学习控制压力范围在1mbar至50mbar的真空腔室。采用灯管加热系统提供了可调节的加热均匀性控制，采用了CENTROTHERM公司专利技术的温度控制系统。RTP系统可用于6寸晶圆和5寸石墨基板的加热。可在15分钟内更换基板的尺寸和类型。设备用于高性能、小占地面积、低成本高工艺灵活性的工艺场合。 设备特点：压力可控的真空或大气环境下工作高灵活性：最大6寸硅片或其他材料温度范围：20℃~1150℃不限时加热的工艺温度可达 750℃升温速率可达150k/s（即150℃/秒）每个加热灯管独立控制，极高的温度均匀性±0.5℃温度一致性长寿命加热灯管，低维护成本 典型应用：金属接触退火掺杂物活化源极/漏极退火干氧化薄晶圆退火 设备参数：应用： 生产或研发基板材料： 硅片、GaAs、石墨、碳化硅、氮化镓、蓝宝石晶圆尺寸： 最大6寸加热系统： 24组加热灯，PWM控制冷却水： 20 L/分钟排 风： 250 m3/小时 可选件：用于温度曲线调整的温度测量系统用于全自动操作的双机械手臂

3英寸、4英寸、6英寸、8英寸真空快速退火炉系统。应用：RTA（快速热退火）； RTO（快速热氧化）；注入退火；扩散；化合物半导体退火；渗氮；渗硅； 结晶化与致密化； 特点：适用于2英寸~8英寸晶圆，高可靠性和低拥有成本。不锈钢冷壁腔体技术； 高工艺重复性，超清洁无污染环境、 高冷却速率低记忆效果。 可实现高达10-6 mbar的高真空环境。 高温计和热电偶控制，高速数字PID温度控制器，边缘高温计视点保障了化合物半导体和小样品的基座的加强温度控制。 使用特点：温度范围：RT to 1000°C；斜坡速率：最高200°C/s；气体混合功能：使用质量流量控制器控制；真空范围：大气压～10-6 Torr，可配置分子泵；本系统提供全电脑控制，应用控制软件兼容window系统。

AS-One系统有两种型号： AS-One 100 系统或AS-One 150 系统该快速退火炉是专门为满足大学、研究实验室和小规模生产的需求而研制的，高可靠且性价比高。该工艺室采用贝壳式设计，可完全进入底板，方便装载和卸载基板，并允许实际清洁腔体快速数字PID温度控制器在整个温度范围内提供精确和可重复的热控制。特征：基本尺寸：Up to 直径100 mm (4-inch) for AS-One 100 Up to 直径150 mm (6-inch) for AS-One 150 Small substrates using susceptors工艺腔体运用不锈钢冷腔室壁技术温度范围标准配置：最高达到1250°C高温配置：最高达到1450°C温度控制标准配置：热电偶和高温计用来测量温度快速数字PID温度控制器在可获得精确的和可重复的热控制真空和气体最多可达5路带MFC的工艺气体，一路清洁气体电脑控制全PC电脑控制，每个配方最多100步骤全数据记录与处理历史的人机界面设计选项：石墨托盘/碳化硅涂层托盘/粗真空泵和涡轮泵/快速冷却系统/其他套件应用： ● 快速热退火 ● 快速热氧化 ● 扩散/接触时退火 ● 化合物退火 ● 结晶或致密化我公司专业销售Annealsys产品，并提供Annealsys产品的售前售后服务，如您对Annealsys产品感兴趣，欢迎前来咨询！

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

超高温高速退火炉 ——在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃ 型号：HT-RTA59HD 产品介绍： 这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。 应用： ● SiC氧化膜的生成和激活；● 半导体开发与研究；● 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理；● 作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；● 陶瓷材料的热冲击测试。 特点：可以在10s内加热到超高温1800℃；可以加热后直接水淬；红外线灯加热提供清洁加热减少灰尘和气体的生成；紧凑的桌面型设计；通过USB与电脑连接，输入温度参数；在加热过程中，在电脑屏幕显示温度。带水淬的型号：CAS-59AQ设备参数： 温度范围室温-1800℃样品尺寸W15mm×L15mm×T1mm样品支架氧化铝或者高纯碳加热氛围多种热电偶JIS B φ0.3 （W-Re可选） 设备结构以及样品支架：

? 产品简介： REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：6英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

? 产品简介： REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：8英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：1300mm*820mm*1300mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

产品应用：该电炉采用红外灯管加热，通过滑动炉体实现快速降温。应用于半导体或太阳能电池基片退火。也可用于快速热退火、快速热氧化、快速热氮化、硅化物合金退火、电极合金化、氧化物生长、离子注入后退火、薄膜沉积等工艺试验 产品特点：可在真空/气氛/空气等不同环境下通过快速移动炉体，加之强风冷设计，可对样品进行快速升降温处理；管内测温设计，温控精度高,*大升温速率50℃/s 紧凑的台式设计，快速连接法兰，减少了炉管因安装造成损坏的可能，方便操作。产品名称RTP-小型快速退火炉产品型号RTP-G11103-K额定功率9KW额定电压220AC 50/60Hz*高温度1000°C 连续工作950°C(1 小时)加热区长度300mm恒温区长度100mm加热元件红外灯管温度控制国产程序控温系统可编程50段程序控温；控制精度±1℃石英管尺寸Φ110*380MM炉管材质石英管滑动距离355mm滑动方式手动滑动建议升温速度室温900℃：30℃/sec900℃~1000℃： 10℃/sec外形尺寸950 X 350 X 530 mm 重量45Kg标准配置气路总成一套（含真空压力表）石英管一支、高温手套一副。76MM的样品石英架一个。

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉1、适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备 SiC high temperature activation & annealing equipment 2、最高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min Max.temp 2000℃, Max.ramp rate100℃/min 3、石墨电阻加热，工艺腔室洁净 Graphite resistance heating, high cleanliness chamber 4、自动装片，Cassette to Cassette Automatic loading, cassette to cassette 5、SEMI S2/S6 认证 SEMI S2/S6 certification技术参数1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容2、适用材料 碳化硅、氮化铝3、适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑4、适用领域 科研、化合物半导体

RTP-1250小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：50 x 50mm，3寸； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

RTP-1200小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：20 x 20mm； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试； 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

RTP-200快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

品牌：Ecopia Corp.型号：RTP-1300，RTP-1600；RTP-1300, RTP-1600为Ecopia进口真空快速退火炉，仪器带有控制软件，为台式设计。RT-1300可以退火100mmX100mm尺寸的样品，RTP-1600可以退火150mmX150mm尺寸的样品。技术规格：- 加热方式：红外卤素钨灯，1.2KW/支；- 卤素红外灯数量：12支，或18支；- 最快升温速率：100℃/秒；- 最快降温速率：60秒(1000℃ → 400℃)；- 最高温度：1200℃；- 温度精度：+/-1℃- 最大样品尺寸：100 X 100mm, 或150mm X 150mm；- 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)；- 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)；- 电压：220 V，单相或三相；- 仪器尺寸：500 X 400 X 500mm (W X D X H)；- 质量：净重60Kg；仪器特点：- 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理；- 温控精度高；- 适合高校或研究所科研使用；- 带有RTP控制软件；- 紧凑的台式设计；- 仪器操作方便，样片装取容易；- 价格合理，高性价比；应用领域：- 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析；- 薄膜沉积；等等…RTP-1300快速退火炉参考用户：北京师范大学、北京理工大学、昆明理工大学、中国科大、东南大学、西安交通大学、陕西师大、渤海大学、中科院苏州纳米所、国电光伏、苏州新磊等...

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：• 快速热退火• 植入退火• 欧姆接触退火• 快速热氧化（RTO）• 快速热氮化（RTN）• 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点： 1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

? 产品简介： REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：4英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-200℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

产品详情日本Advance Riko 超高温高速退火炉：。桌面式：HT-RTA59HD。带水淬：CAS-59AQ 产品介绍：HT-RTA59HD 这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。 应用：• SiC氧化膜的生成和激活；• 半导体开发与研究；• 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理；• 作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；• 陶瓷材料的热冲击测试。 特点：。可以在10s内加热到超高温1800℃；。可以加热后直接水淬；。红外线灯加热提供清洁加热减少灰尘和气体的生成；。紧凑的桌面型设计；。通过USB与电脑连接，输入温度参数；。在加热过程中，在电脑屏幕显示温度。 带水淬的型号：CAS-59AQ设备参数：温度范围室温-1800℃样品尺寸W15mm×L15mm×T1mm样品支架氧化铝或者高纯碳加热氛围多种热电偶JIS B φ0.3 （W-Re可选） 设备结构以及样品支架：

快速退火炉(RTP,Rapid ThermalProcessing)系列产品,采用红外辐射加热及冷壁技术，可实现对实验材料的快速升温和降温，同时搭配超高精度的温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理、快速退火、快速热氧化、快速热氮化及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。快速退火炉系列产品主要分为RTP-3-01、RTP-3-04、RTP-3-06、RTP-3-08、RTP-3-12等,分别能处理 1-12 吋样本。应用功能快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)-离子注入/接触退火-SiAu、SiAl、SiMo合金化-太阳能电池片键合-电阻烧结-低介电材料热处理-晶体化、致密化-材料制备提供可控压力环境并实现以上应用提供Vac、lG、02、Gas mixture等气氛环境

法国Annealsys 高温退火炉AS-ONEVersatile Rapid Thermal Processing system for silicon, compound semiconductors, solar cells & MEMS 多用途快速热处理设备，适用于硅，化合物半导体，太阳能电池& MEMSUp to 1450°C (100HT version), up to 200°C/s, high vacuum capability, fast cooling option 最高温度到1450℃（100HT版本）, 升温速率最大200℃/s, 高真空性能，快速冷却选项Applications 应用. Implant annealing 注入退火. Ohmic contact annealing (III-V and SiC) 欧姆接触退火(III-V 和SiC）. Rapid Thermal Oxidation (RTO) 快速热氧化(RTO). Rapid Thermal Nitridation (RTN) 快速热氮化 (RTN). Selenization (CIGS solar cells) 硒化（CIGS太阳能电池） . CVD of graphene 石墨烯CVD. Silicon carbonization 碳化硅. Sol-gel densification and crystallization 溶胶凝胶致密性和结晶化. Diffusion from spin-on dopants 从旋涂掺杂物扩散 .Etc. 等等Substrate types 基片类型&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基片托&bull Etc等等Key Features 主要特性&bull Infrared halogen tubular lamp furnace with silent fan cooling &bull 配有无声风扇冷却的红外卤素管灯退火炉&bull Stainless steel cold wall chamber technology &bull 不锈钢冷壁腔室技术&bull Fast digital PID temperature controller &bull 快速数字PID温度控制器&bull Thermocouple and pyrometer control &bull 热电偶和高温计控制&bull Atmospheric and vacuum process capability &bull 常压和真空下工艺性能&bull Purge gas line with needle valve &bull 配有针阀的吹扫气路&bull Up to 5 process gas lines with digital MFC &bull 最多5路工艺气路配有数字MFC控制器&bull PC control with Ethernet communication for fast data logging &bull 配有以太网通讯的PC控制，用于快速数据记录&bull Optional turbo pump and pressure control &bull 可选分子泵和压力控制Floor standing system for reduced footprint 减少占地空间的立式设备

退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

RTP-1200小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：20 x 20mm； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

详细介绍：设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于2英寸-4英寸晶圆或者最大支持100mmx100mm样品；退火温度范围300℃-1200℃；升温速率≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。工艺应用:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；高温退火；高温扩散。金属合金；热氧化处理；应用领域：化合物半导体（砷化镓、氮化物、碳化硅等）；多晶硅；太阳能电池片；MEMS；功率器件；IC晶圆；LED晶圆。

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

MILA-5000系列桌面型快速退火炉MILA-5000系列加热炉体使用红外金面退火炉，可以进行快速升降温，洁净加热。MILA-5000系列将温控器与石英加热腔集成于一体的经济型退火炉，可以在不同的气氛下进行加热。可通过USB连接电脑并进行监测与加热程序设置。MILA-5000UHV是一款在MILA-5000-P-N（高温型）基础上升级的一款高真空型退火炉，真空度可达10-5Pa。应用：特征：1. 快速加热及冷却能力： 加热速率可达 50℃/s；该设备采用水冷降温，可实现快速的降温；2. 可在任意气氛中使用： 可以在真空、惰性气氛、流动气流及大气的氛围下进行加热和降温；试样被放置在O型环密封的石英管内，这样可以保持试样的洁净；3. 实时观测试样： 加热过程中可以通过顶部的观测窗观测试样；试样在加热过程中的变化可以通过摄像头进行录制；4. 精确的温度控制： 程序执行过程中，内置可编程温度控制器同时显示实际温度和设定的温度；程序编辑可以通过设备的前面板或者通过电脑上的软件完成设置； 四电阻测试系统 实时观测系统型号参数：性能测试：