高温快速热退火炉

简介：快速退火炉是利用卤素红外灯做为热源，通过极快的升温速率，将晶圆或者材料在极短的时间内加热到300℃-1200℃，从而消除晶圆或者材料内部的一些缺陷，改善产品性能。快速退火炉采用先进的微电脑控制系统，采用PID闭环控制温度，可以达到极高的控温精度和温度均匀性，并且可配置真空腔体，也可根据用户工艺需求配置多路气体。行业背景：快速退火炉是现代大规模集成电路生产工艺过程中的关键设备。随着集成电路技术飞速发展，开展快速退火炉系统的创新研发对国内开发和研究具有自主知识产权的快速退火炉设备具有十分重大的战略意义和应用价值。目前快速退火炉的供应商主要集中在欧、美和台湾地区，大陆地区还没有可替代产品，市场都由进口设备主导，设备国产化亟待新的创新和突破。随着近两年中美贸易战的影响，国家越来越重视科技的创新发展与内需增长，政府出台了很多相关的产业政策，对于国产快速退火炉设备在相关行业产线上的占比提出了一定要求，给国内的半导体设备厂商带来了巨大机遇，预测未来几年时间国内退火炉设备市场会有快速的内需增长需求。技术特点：快速退火炉（芯片热处理设备）广泛应用在IC晶圆、LED晶圆、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产。和欧姆接触快速合金、离子注入退火、氧化物生长、消除应力和致密化等工艺当中，通过快速热处理以改善晶体结构和光电性能，具有技术指标高、工艺复杂、专用性强的特点。一般参数：名称数值最高温度1200摄氏度升温速率150摄氏度/秒降温速率200摄氏度/分钟（1000摄氏度→300摄氏度）温度精度±0.5摄氏度温控均匀性≤0.5%设定温度加热方式红外卤素灯，顶部加热真空度10mTorr以下工艺应用：快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；高温退火；高温扩散。应用领域：化合物合金（砷化镓、氮化物，碳化硅等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；IC晶圆；功率器件；MEMS；LED晶圆。设备说明：快速退火炉主要由真空腔室、加热室、进气系统、真空系统、温度控制系统、气冷系统、水冷系统等几部分组成。真空腔室：真空腔室是快速退火炉的工作空间，晶圆在这里进行快速热处理。加热室：加热室以多个红外灯管为加热元件，以耐高温合金为框架、高纯石英为主体。进气系统：真空腔室尾部有进气孔，精确控制的进气量用来满足一些特殊工艺的气体需求。真空系统：在真空泵和真空腔室之间装有高真空电磁阀，可以有效确保腔室真空度，同时避免气体倒灌污染腔室内的被处理工件。温度控制系统：温度控制系统由温度传感器、温度控制器、电力调整器、可编程控制器、PC及各种传感器等组成。气冷系统：真空腔室的冷却是通过进气系统向腔室内充入惰性气体，来加速冷却被热处理的工件，满足工艺使用要求。水冷系统：水冷系统主要包括真空腔室、加热室、各部位密封圈的冷却用水。硬件更换：1.加热灯管更换：加热灯管超过使用寿命或无法点亮时需进行更换。加热灯管的使用寿命为3000小时，高温状态下会降低其使用寿命。2.真空泵油更换：在使用过程中，请每季度固定观察1次真空油表，当油表显示油量低于1/3时请添加真空泵润滑油到油表一半以上。3.热电偶更换：当热电偶测温不正常或者损坏时需进行更换。热电偶的正常使用寿命为3个月，随环境因素降低其寿命。4.O型圈的更换：O型圈表面有明显破损或者无法气密时需进行更换，其寿命受外力以及温度因素影响。保养周期：项目检查周期零件或耗材加热灯管周IR灯管托盘表面擦拭周碳化硅材质热电偶固定状态周石英板清理季度O型圈检查更换季度真空泵油季度MR100M导向轴承季度使用润滑油产品推荐：全自动12英寸多腔体快速退火炉RTP设备规格:全自动操作模式，机械手臂自动上片取片；多腔体生产模式，单个腔体适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。半自动12英寸快速退火炉RTP设备规格:适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者最大支持 300mmx300mm 样品；退火温度范围 300℃-1300℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，3-5路制程气体。桌上型4英寸快速退火炉RTP设备规格:桌上型小型快速退火炉；适应于 2英寸-4英寸 晶圆或者最大支持 100mmx100mm 样品；退火温度范围 300℃-1200℃；升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；温度均匀性 ≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。快速退火炉，RTA，RTP，合金炉，RTO，快速退火炉RTP，国产快速退火炉，自主研发，快速退火工艺，半导体设备，芯片退火设备

在半导体制造中，快速热处理(RTP)被认为是半导体制程的一个重要步骤。因为半导体材料在晶体生长和制造过程中，由于各种原因会出现缺陷、杂质、位错等结构性缺陷，导致晶格不完整，施加电场后的电导率较低。需要通过RTP快速退火炉进行退火处理，可以使材料得到修复，结晶体内部重新排列，可以消除硅片中的应力，激活或迁移杂质，使沉积或生长的薄膜更加致密化，并修复硅片加工中的离子注入损伤。RTP快速退火炉通常还用于离子注入退火、ITO镀膜后快速退火、氧化物和氮化物生长等应用。桌面型快速退火炉-RTP-Table-6RTP-Table-6为桌面型6英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管 作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热均匀，且表面温度低。6英寸晶圆快速退火炉采用PID控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。桌面型快速退火炉的功能特点①极快的升温速率：RTP快速退火炉的裸片升温速率是150℃/s，大大缩短了热处理时间。②精确的温度控制：配备高精度的温度传感器和控制系统，确保温度的精确性和稳定性。③多样化的气氛选项：支持多种气体气氛，如氮气、氩气等，满足不同材料的热处理需求。④紧凑的桌面式设计：适合实验室和小型生产环境，节省空间，便于移动和部署。除了以上功能特点，在半导体制造的快速热退火工艺步骤中，测量晶圆的温度是关键。如果测量不准确，可能会出现过热和温度分布不均匀的情况，这两者都会影响工艺的效果。因此，晟鼎桌面型快速退火炉配置测温系统，硅片在升温、恒温及降温过程中精确地获取晶圆表面温度数据，误差范围控制在±1℃以内。桌面型快速退火炉的应用1. 晶体结构优化：在加热阶段，高温有助于晶体结构的再排列。这可以消除晶格缺陷，提高晶体的有序性，从而改善半导体材料的电子传导性能。2. 杂质去除：高温RTP快速退火可以促使杂质从半导体晶体中扩散出去，减少杂质的浓度。这有助于提高半导体器件的电子特性，减少杂质引起的能级或电子散射。3. 衬底去除：在CMOS工艺中，快速退火炉可用于去除衬底材料，如氧化硅或氮化硅，以形成超薄SOI（硅层上绝缘体）器件。4. 应力消除：高温退火还有助于减轻半导体器件中的内部应力，从而降低了晶体缺陷的形成，提高了材料的稳定性和可靠性。

快速退火炉LRTP-1200，采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)等研究工作起到重要作用。 快速退火炉应用案例l 快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化l 离子注入/接触退火l SiAu, SiAl, SiMo合金化l 太阳能电池片键合l 电阻烧结l 低介电材料热处理l 晶体化，致密化l 其他热工艺需求 快速退火炉产品特点l 可测大尺寸样品 可测单晶片样品的最大尺寸为4英寸（100mm）。l 快速控温与高真空 最高升温速率可达100℃/s，真空度最高可达到10Pa。l 程序设定与气路扩展 最多可创建和存储32个程序、8个PID设定，实现不同温度段的精确测试。最多可扩展至4条工艺气路（MFC），应用不同气氛环境（真空、氮气、氩气、氧气、氢氮混合气体等）。l 全自动智能控制 采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、气氛、冷却水等均可实现自动控制。l 超高安全系数 采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障仪器使用安全。 快速退火炉技术参数型号LRTP-1200最高温度1200℃最高升温速率100℃/s最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)控温精度≤0.1℃温场均匀性≤0.5%腔体冷却水冷方式，独立冷却源衬底冷却氮气吹扫工艺气路MFC控制，4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)主机尺寸450×625×535，单位mm创新点：1.产品控温精度极高：可达± 0.5℃；2.采用红外加热技术，最高升温速率达150℃/s；3.全方位自动化，首次将真空及气路控制集成在软件中，一键操作方便快捷；4.打破行业内高精退火炉的进口设备长期垄断的局面；快速退火炉 LRTP

半导体快速退火炉（RTP）是一种特殊的加热设备，能够在短时间内将半导体材料迅速加热到高温，并通过快速冷却的方式使其达到非常高的温度梯度。快速退火炉在半导体材料制造中广泛应用，如CMOS器件后端制程、GaN薄膜制备、SiC材料晶体生长以及抛光后退火等。一、快速退火炉的原理半导体快速退火炉通过高功率的电热元件，如加热电阻来产生高温。在快速退火炉中，通常采用氢气或氮气作为气氛保护，以防止半导体材料表面氧化和污染。半导体材料在高温下快速退火后，会重新结晶和再结晶，从而使晶体缺陷减少，改善半导体的电学性能，提高设备的可靠性和使用寿命。1.1快速退火（RTA）与传统退火相比，快速退火具有更高的加热和冷却速度。通过快速加热和冷却，可以缩短退火时间，提高生产效率。1.2快速热处理（RTP）热处理是半导体制造中的一项关键技术，它可以改变材料的微观结构和性能。在热处理过程中，材料被加热到高温，然后进行保温和冷却。这个过程中，材料内部的原子会发生重新排列，从而改变材料的物理、化学和机械性质。二、半导体退火炉的应用领域1.封装工艺在封装工艺中，快速退火炉主要用于引线的切割和组装。引线经过切割和组装后，可能会产生内应力，影响封装的稳定性和可靠性。通过快速退火处理，可以消除引线内的应力，提高封装的稳定性和可靠性，保证产品的使用寿命。2.CMOS器件后端制程在CMOS器件后端制程中，快速退火炉可用于修复制程中产生的损伤和缺陷，增强器件的电学性能。通过快速退火处理，可以减少CMOS器件中的氧化物陷阱电荷和界面态密度，提高器件的可靠性和寿命。3.GaN薄膜制备GaN是一种重要的宽禁带半导体材料，具有优异的光电性能和稳定性。在GaN薄膜制备过程中，快速退火炉可用于提高薄膜的结晶质量和表面平滑度。通过快速退火处理，可以消除薄膜中的应力，减少缺陷，提高GaN薄膜的光电性能和稳定性。4.SiC材料晶体生长SiC是一种具有高热导率、高击穿电压、高饱和电子速度等优良特性的宽禁带半导体材料。在SiC材料晶体生长过程中，快速退火炉可用于提高晶体生长的质量和尺寸，减少缺陷和氧化。通过快速退火处理，可以消除晶体中的应力，提高SiC材料的晶体品质和性能。5.抛光后退火在半导体材料抛光后，表面会产生损伤和缺陷，影响设备的性能。快速退火炉可用于抛光后的迅速修复损伤和缺陷，使表面更加平滑，提高设备的性能。通过快速退火处理，可以减少表面粗糙度，消除应力，提高材料的电学性能和可靠性。

前言碳化硅（SiC）是制作半导体器件及材料的理想材料之一，但其在工艺过程中，会不可避免的产生晶格缺陷等问题，而快速退火可以实现金属合金、杂质激活、晶格修复等目的。在近些年飞速发展的化合物半导体、光电子、先进集成电路等细分领域，快速退火发挥着无法取代的作用。01快速退火在化合物半导体上的应用碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有硬度高、热导率高、热稳定性好等优点，在半导体领域具有广泛的应用前景。由于碳化硅器件的部分工艺需要在高温下完成，这给器件的制造和封测带来了较大的难度。例如，在掺杂步骤中，传统硅基材料可以用扩散的方式完成掺杂，但由于碳化硅扩散温度远高于硅，所以需要采用高温离子注入的方式。而高能量的离子注入会破坏碳化硅材料原本的晶格结构，因此需要采用快速退火工艺修复离子注入带来的晶格损伤，消除或减轻晶体应力和缺陷，提高结晶质量。*退火工艺处理前后对比（图源：网络）02什么是快速退火炉（RTP SYSTEM）快速退火炉是利用卤素红外灯作为热源，通过极快的升温速率，将材料在极短的时间内从室温加热到300℃-1250℃，从而消除材料内部的一些缺陷，改善产品性能。*图源：网络03快速退火炉产品介绍 全自动双腔快速退火炉 RTP-DTS-8是一款全自动双腔快速退火设备，可兼容6-8英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 全自动双腔设计，有效提升产能✅ 温度可达1250℃，具有超高温场均匀性✅ 具备稳定的温度重现性✅ 能够满足SIC量产化制程需求半自动快速退火炉RTP-SA-12是在保护气氛下的半自动立式快速退火系统，可兼容4-12英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 采用红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理；✅ 标配两组工艺气体，可扩展至6组工艺气体。桌面型快速退火炉RTP-TABLE-6是一款桌面型快速退火设备，标配三组工艺气体，可兼容6英寸晶圆Wafer。产品优势✅ 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷；✅ 采用快速PID温控，可控制温度升温，保证良好的重现性和温度均匀性；✅ 采用平行气路进气方式，气体进出口设置在晶圆表面，避免退火过程中冷点产生，保证良好的温度均匀性；✅ 大气与真空处理方式均可选择，实现进气前气体净化处理。

作为新一代半导体的代表材料，氮化镓（GaN）具有大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率等特性，是制造高功率、高频电子器件中重要的半导体材料。其中，GaN材料与金属电极的欧姆接触对器件性能有着重要的影响，器件利用金属电极与GaN间接触形成的欧姆接触来输入或输出电流。当欧姆接触电阻过高时会产生较多的焦耳热，缩短器件寿命，而良好的欧姆接触可使器件通态电阻低，电流输出大，具有更好的稳定性。退火温度影响欧姆接触质量氮化镓欧姆接触的制备通常需要进行退火处理，退火的目的是通过热处理改变材料的结构和性质，使金属电极与氮化镓之间形成低电阻接触。而金属与GaN之间形成欧姆接触的质量受退火条件的影响，良好的欧姆接触图形边缘应保持平整，电极之间不应存在导致短路的金属粘合，退火完成后不会出现金属的侧流。（a） 退火前欧姆接触形态 （b）退火后欧姆接触形态（图源网络）退火温度作为影响欧姆接触性能的重要参数，温度过高或过低都会导致电阻率的增加和电流的减小。一般来说，退火温度越高，金属电极与氮化镓之间的比接触电阻率则越低。比接触电阻率与退火温度的函数关系（图源：知网）然而，当退火温度过高则可能导致氮化镓材料的损伤或金属电极的熔化，不利于形成好的欧姆接触；当温度过低时会导致金属与半导体之间形成较高的势垒，阻碍载流子的传输。因此在对GaN欧姆接触进行退火处理时，对于退火温度的条件选择尤为重要。快速退火炉（RTP）原理：快速退火炉（RTP）是一种用于半导体器件制造和材料研究的设备，其工作原理是通过快速升温和降温来处理材料，以改变其性质或结构。RTP结构示意图（图源网络）晟鼎快速退火炉（RTP）优势RTP快速退火炉具有温度控制精确、升温速度快等优点，可以满足欧姆接触对温度敏感的材料和结构的需求。晟鼎快速退火炉制程范围覆盖200-1250℃，具有强大的温场管理系统，此外，还能灵活、快速地转换和调节工艺气体，使得其在同一个热处理过程中可以完成多段处理工艺。晟鼎快速退火炉RTP温度控制—1000℃制程半自动快速退火炉RTP-SA-12为半自动立式快速退火炉，工艺时间短，控温精度高，相对于传统扩散炉退火系统和其他RTP系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的 RL900软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性全自动双腔退火炉RTP-DTS-8相对于传统扩散炉退火系统和其他 RTP 系统，其独特的腔体设计、先进的温度控制技术和独有的RL900 软件控制系统，确保了极好的热均匀性。产品优势◎红外卤素灯管加热，冷却采用风冷 ◎灯管功率 PID 控温，可精准控制温度升温，保证良好的重现性与温度均匀性 ◎大气与真空处理方式均可选择，进气前气体净化处理 ◎标配两组工艺气体，最多可扩展至 6 组工艺气体桌面型快速退火炉RTP-Table-6 为桌面式 6 英寸晶圆快速退火炉，使用上下两层红外卤素灯管作为热源加热，内部石英腔体保温隔热，腔体外壳为水冷铝合金，使得制品加热 均匀，且表面温度低。 RTP-Table-6 采用 PID 控制，系统能快速调节红外卤素灯管的输出功率，控温更加精准。产品优势◎双层红外卤素灯管加热，氮气快速降温◎自主研发灯管分组排布，使温度均匀性更好 ◎采用PID 算法控制，实时调节灯管功率输出 ◎软件主界面能实时显示气体、温度、真空度等参数◎自动识别错误信息，出现异常时设备自动保护

日本ADVANCE RIKO公司从上世纪70年代到现在50多年来，专业从事“热学”相关技术和设备的研究开发，并一直走在相关领域的前端。其开发生产的设备受到钢铁，汽车相关企业与科研单位的广泛关注，新日本制铁，JSW日本制铁所，上海宝钢，北京科技大学等国内外知名企业和高校均是其设备的用户。2017年下旬，Quantum Design中国子公司将日本ADVANCE RIKO公司的新先进热处理技术设备引进中国。连续退火实验与模拟系统 日本ADVANCE RIKO公司提供连续退火实验与模拟系统CAS-AYⅡ。这套系统可以地实现钢铁材料热处理过程的模拟，可以对钢板,不锈钢板,和磁性钢板等进行通用热处理实验以及热处理模拟。CAS-AYⅡ可以实现样品加热和冷却温度控制；钢板表面良好的温度均匀性；使用立的冷却腔实现急速冷却。CAS-AYⅡ可以用于薄钢板连续退火模拟实验；在各种气氛下退火实验，表面处理实验；在钢板时效过程中的热处理。超高温高速退火炉日本ADVANCE RIKO公司提供超高温高速退火炉。这个桌面型超高温高速退火炉的大功率点聚焦加热以及超高的反射效率可以在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃，可以同时搭载水淬系统实现对金属材料的快速加热和热后急冷。红外线灯加热法可实现清洁加热，减少灰尘和气体的生成。可以运用于SiC氧化膜的生成和激活；可以作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；也可以作为局部热处理冲击炉来使用。

日前，江苏省计量院三项计量标准装置获得国家质检总局2013年食品质量安全检(监)测能力提升专项批复，该院将以此为契机开展食品质量安全量值溯源研究，为食品安全把好仪器设备控制关。　　据了解，列入国家质检总局2013年食品质量安全检(监)测能力提升专项的三项计量标准装置，主要包含7套仪器设备，分别是自动热释光读出仪、程序退火炉、全自动气体活塞式压力计((7~70)MPa，0.0035级、(0.1~2.5)MPa，0.005级)、汞三相点(含支架)、低温槽、氩三相点复现装置。其中，自动热释光读出仪和程序退火炉用于用于食品辐射加工的质量控制设备热释光剂量计的检定。全自动气体活塞式压力计用于食品安全领域中高压、高温灭菌检测设备的量值溯源，实现同步校准，确保量值准确。汞三相点(含支架)、低温槽、氩三相点复现装置用于低温段温度检测仪表的温度测量和量值溯源，为食品监控提供解决方案。

7月8日，科晶联盟携全套材料样品制备和分析产品亮相2021年中国材料大会。“中国材料大会”是中国材料研究学会的最重要的系列会议，去年由于疫情取消，今年材料大会的参会人数再攀新高，总人数超过了12000人，可谓是材料界在2020年疫情过后的一场盛会。科晶联盟由深圳科晶、合肥科晶、沈阳科晶三家公司组成。在这场时隔两年的盛会中，科晶联盟全面展示了材料制备和加工设备产品线的多个型号产品，覆盖了混料球磨、压片、烧结、熔炼、切割、磨抛、清洗、镀膜、电池研究设备。双罐高速三维摆震球磨机曲线金刚石线切割机小型5英寸快速退火炉本次展会，科晶也带来了一些新品。最新的小型桌面曲线切割机可以实现各种异形切割。用户可在计算机上画成各种图形，设备即可根据图形加工。振动抛光机可用于消除抛光之后的表面应力，做一些测试。最新的20000转旋涂仪可用于溶胶凝胶法制备薄膜。此外，科晶还展出了最新的CMP（化学机械抛光机）。16工位高通量电动无油压机（左）和8通道管式炉（右）此外，科晶与上海大学材料基因组工程研究院联合研发了全流程高通量合金制备与表征系统。据介绍，这是国际和国内首套全流程块体合金高通量制备和表征设备，包括十余种配料、混料、压制、熔炼、热处理、成分分析、硬度测试等覆盖各工序的材料制备和表征设备，以及高通量线切割、镶嵌和研磨抛光等制样设备，整体实验效率可提高10-20倍以上。该高通量材料制备与表征设备已在上海大学、鞍钢北京研究院等高校和企业投入使用，助力低成本加速材料研发。高温蠕变测试仪除了材料样品制备外，目前科晶也涉足材料分析测试领域。科晶开发了高温蠕变剪切应力测试仪，可针对金属或陶瓷材料在高温下对其进行拉伸蠕变剪切测试，分析材料的力学性能。这款产品具有小型化和高温的特点，可升温到1350℃，升降温速率可设定。目前，科晶已经开发出硬度测试、X射线荧光光谱分析、热重分析等产品。据介绍，科晶不仅是一家立足新材料研发的仪器设备公司，也是一家晶体材料和靶材公司。科晶产品应用到先进关键战略材料如3D打印材料、石墨烯，超导材料、新型能源材料、新一代生物医用材料、电子陶瓷和人工晶体、稀土功能材料、先进半导体材料以及现代航空、高铁、汽车等交通业用的高温合金、轻合金材料，科晶始终重视研发，不断推陈出新，以半导体行业为例，产品包括半导体材料、清洗、退火、晶体生长设备。

中国真空学会2018学术年会，即将于北京时间8月16-19日在东北师范大学（长春）举办。武汉嘉仪通科技有限公司作为会员单位及薄膜物理性能分析领域的领跑者，受邀参加此次盛会。嘉仪通科技将在会议现场，为大家展示红外退火炉、便携式Seebeck系数测试仪PTM-3等多款自主研发的系列产品。届时，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导！大会详情 每两年举办一届的中国真空学会学术年会是中国真空学会重要的学术交流品牌。中国真空学会（Chinese Vacuum Society， CVS）是一个全国性的学术组织，成立于1979年10月。学会是由来自真空科学与技术领域，分布于各大、专院校、研究所和公司企业的科学家、工程师和技术人员组成。学会已发展成拥有12个地方真空学会、约250个团体会员和5000多个个人会员的组织。学会为科学研究者之间的学术交流和企业界之间的技术转让提供了重要的论坛。会议信息会议时间：2018年8月16日-8月19日会议地址：长春东北师范大学主办单位：中国真空学会承办单位：紫外光发射材料与技术教育部重点实验室（东北师范大学）会议日程日期时间内容8月16日全天会议报到8月16日晚上中国真空学会第八届五次理事会8月17日上午开幕式、颁发“成就奖”、“创新奖”、大会特邀报告下午分会场学术报告8月18日上午分会场学术报告下午分会场学术报告8月19日上午 闭幕式、颁发“最佳张贴报告奖”、大会特邀报告 【便携式泽贝克系数测试仪】【便携式泽贝克系数测试仪】：便携式泽贝克系数测试仪PTM 是一款测试热电材料Seebeck系数（常温）的专业仪器。该仪器可用于快速测试薄膜、块体、纤维等不同形态热电材料的Seebeck系数，为热电材料科研及产业化提供更专业便携的测试新选择。【红外退火炉】【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

第十三届中美华人纳米论坛将于2018年6月29日-7月3日在成都环球中心天堂洲际大饭店举行。届时，嘉仪通将携手成都办事处——嘉瑞通科技，以及合作伙伴——颐光科技共同参加此次会议，并现场展示嘉仪通测试薄膜材料Seebeck系数和电阻率的“薄膜热电参数测试系统”以及用于多种材料的快速热处理的“红外退火炉”，我们热诚欢迎各界同仁莅临嘉仪通展位参观指导。 大会详情中美华人纳米论坛自2006年创办以来受到海内外广泛关注，影响力迅速扩大，被誉为“华人纳米年度顶级盛会”。本届论坛由西南交通大学和四川大学联合承办，主题为“纳米科学及前沿技术”。会议内容此次会议将国绕纳米创制与功能、纳米能源与环境纳米生物与医学、纳米材料及表征等议题开展学术交流；同时，安排纳米医疗应用、纳米能源和环境、量子点与钙钛矿等专题讨论和墙报展示。会议信息论坛时间：2018年6月29日-7月3日论坛地址：成都环球中心天堂洲际大饭店主办单位：中美华人纳米论坛组受会承办单位：西南交通大学、四川大学【薄膜热电参数测试系统】和【红外退火炉】【薄膜热电参数测试系统】：l薄膜热电参数测试系统MRS-3 ，专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量，采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,采用四线法测量电阻率，测量更准确便捷。【红外退火炉】：红外退火炉IRLA-1200，采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，24秒内仪器可快速升温至1150℃,升温速率最快可达50℃/s，控温精度可达±0.1℃，可实现样品快速升温和退火，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅、锗以及化合物半导体，如砷化镓等 也可以通过掺杂硼、磷、锢和锑制成其它化合物半导体。其中硅是最常用的一种半导体材料。　　半导体广泛应用于集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域。半导体领域的科技竞争对于世界各国而言都具有重要的战略意义。仪器信息网特对半导体领域国家重点实验室仪器配置情况进行盘点。　　半导体领域国家重点实验室有哪些?半导体领域国家重点实验室半导体国家重点实验室依托单位实验室主任半导体照明联合创新国家重点实验室半导体照明产业技术创新战略联盟李晋闽半导体超晶格国家重点实验室中国科学院半导体研究所王开友高功率半导体激光国家级重点实验室长春理工大学马晓辉电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学李言荣专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学严晓浪集成光电子学国家重点实验室清华大学、吉林大学、中国科学院半导体研究所罗毅硅材料国家重点实验室浙江大学钱国栋　　半导体照明联合创新国家重点实验室　　为培育战略性新兴产业，整合业内技术、人才、信息等资源，实现投入少、回报高、见效快的技术创新模式，提升我国半导体照明产业自主创新能力和速度，在科技部、财政部等六部门联合发布的《关于推动产业技术创新战略联盟构建的指导意见》指导下，根据科技部要求试点联盟积极探索整合资源，构建产业技术创新平台的精神，在基础司和政策法规司的共同推动下，于2012年1月正式批复依托半导体照明产业技术创新战略联盟建设半导体照明联合创新国家重点实验室。　　这是我国第一个依托联盟建立的国家重点实验室，是一个体制机制完全创新的公共研发平台，始终坚持以产业价值为核心价值的理念，以产业技术创新需求为基础，以完善技术创新链为目标，企业以项目资金投入，科研机构、大学和其他社会组织以研发人员和设备的使用权投入，充分利用和整合现有资源，探索形成多种形式的政产学研用协同创新模式，推动建立基础研究、应用研究、成果转化和产业化、先进技术标准研制紧密结合、协调发展机制探索持续性投入机制，逐步形成可持续发展的开放的、国际化的非营利研究实体，成为半导体照明的技术创新中心、人才培养中心、标准研制中心和产业化辐射中心。2013年1月实验室在荷兰设立其海外研发实体机构—“半导体照明联合创新国家重点实验室代尔夫特研究中心”，成为中国首个在海外建立分中心的国家重点实验室。半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置清单半导体照明联合创新国家重点实验室仪器配置五分类血液分析仪制备液相全自动生化分析仪激光共聚焦显微镜液相色谱/三重串联四极杆质谱联用系统分析液相圆二色谱仪LED照明灯具全部光通量在线加速测试设备部分光通量加速寿命在线测试评估系统高温试验箱LFC(LightFluxColor)光度色度测试系统半导体分立器件测试仪微波式打胶机化学清洗工作台感应耦合等离子刻蚀机ICP电子束蒸发台(金属)电子束蒸发台(ITO)电镀台快速合金炉石墨烯生长系统台阶仪激光晶圆划片设备裂片机激光剥离机键合机水平减薄机单面研磨机数控点胶机喷射式点胶机光学镀膜系统超声波金丝球压焊机LED全光功率测试系统LED自动分选机热特性测试设备半导体参数测试仪低温强磁场物性测试系统(EMMS)LED光电综合测试系统LED抗静电测试仪激光纳米粒度及Zeta电位测试仪LED照明产品光电热综合测试高频小信号测试系统紫外LED光谱功率测试系统手动共晶焊贴片机荧光光谱仪(PI)高速自动固晶机自动扩膜机全自动晶圆植球机倒装机高精度快速光谱辐射计近紫外-可见-红外光谱测试系统热电性能分析仪氢化物气相外延荧光光谱仪(PL)X射线衍射仪(XRD)扫描电子显微镜(SEM)手动共晶焊贴片机(UDB-141)激光晶圆划片设备电子束蒸发台(金属)等离子体增强化学气相沉积PECVD光刻机MOCVD数据定时脉冲发生器频谱分析仪光源光色电综合测试系统超声波扫描显微镜漏电流测试仪智能数字式灯头扭矩仪逻辑分析仪　　半导体超晶格国家重点实验室　　半导体超晶格国家重点实验室于1988年3月由国家计委组织专家论证并批准后开始筹建，1990年开始对外开放，1991年11月通过了由国家计委组织的验收委员会验收。现任实验室主任为王开友研究员。实验室学术委员会主任为高鸿钧院士。　　实验室以研究和探索半导体体系中的新现象和新效应为主要目标，通过对固体半导体中的电子、自旋和光子的调控，探索其在电子/自旋量子信息技术、光电子及光子器件中的潜在应用，从最基础的层面上提升我国电子、光电子、光子信息技术的创新能力，提升我国在半导体研究领域的国际竞争力。实验室先后有5位成长为中国科学院院士、12位成长为国家杰出青年基金获得者。为我国半导体科学技术的跨跃式发展做出重要贡献。　　实验室现有人员中包括研究员26人、高级工程师1人和管理人员1人，其中4位中国科学院院士、9位国家杰出青年基金获得者、3位优秀青年科学基金获得者、1位北京杰出青年基金获得者。　　自成立以来，实验室承担了近百个科技部、基金委和科学院的重大和重点项目，取得了可喜的科研成果，获得国家自然科学奖二等奖5项 黄昆先生获得2001年度国家最高科学技术奖。2004年半导体超晶格国家重点实验室被授予国家重点实验室计划先进集体称号。实验室具有良好的科研氛围、科研设备和环境条件，拥有雄厚的科研积累和奋发向上的科研团队，并多次获得国家自然基金委员会的创新研究群体科学基金。　　实验室每年可接收40名硕士、博士研究生和博士后。现有研究生和博士后100余人。　　*半导体超晶格国家重点实验室仪器配置情况未公布　　高功率半导体激光国家级重点实验室　　高功率半导体激光国家重点实验室成立于1997年，由原国防科工委和原兵器工业总公司投资建设，经过二十年的发展建设，实验室已经成为我国光电子领域的重要研究基地和人才培养基地之一。现有科研、办公面积3800平方米，超净实验室面积为1500平方米 生产开发平台面积为600平方米，其中超净实验室面积为200平方米。　　现有博士学位授权一级学科2个、硕士学位授权一级学科2个、国防特色学科1个、博士后科研流动站1个。实验室有研究人员36人，其中双聘院士1人、教授9人、副教授10人，博士生导师10人，科技部重点研发计划总体专家1人，国家奖评审专家1人，国防科学技术奖评审专家1人，吉林省长白山学者1人。实验室现有MBE、MOCVD等先进的半导体材料外延生长设备，SEM、XRD、PL等完善的材料分析检测手段，电子束蒸发、磁控溅射、芯片解理、贴片、激光焊接、平行封焊、综合测试等工艺设备，设备资产1.2亿元，为光电子领域的相关研究提供了一流的条件支撑。　　在半导体激光研究方向上，高功率半导体激光国家重点实验室代表着国家水平，研制的半导体激光器单管输出功率大于10瓦、光纤耦合模块大于100瓦、以及高频调制、脉冲输出等半导体激光器组件，技术处于国内领先水平 在基础研究领域，深入开展了GaSb材料的外延生长理论及技术研究，研究成果达到国际先进水平 在半导体激光应用基础技术研究领域，坚持以满足武器装备应用为目标，研制的驾束制导半导体激光发射器成功用于我军现役主战坦克武器系统，实现了驾束制导领域跨越式发展 研制的激光敏感器组件已经用于空军某型号末敏子弹药中，并将在多个武器平台上推广应用。近年来，实验室在国内外重要学术刊物上发表论文600余篇，出版专著7部，获国家、省部级奖励40余项，申请发明专利50余项，鉴定成果40余项，对我国的国防武器装备发展作出了重要贡献。高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置清单高功率半导体激光国家级重点实验室仪器配置感应耦合等离子体刻蚀扫描电子显微镜光刻机磁控溅射镀膜机等离子体增强化学气相沉积系统X射线双晶衍射仪光刻机快速图谱仪电化学C-V分布测试仪,PN4300,英国伯乐光荧光谱仪特种光纤熔接机丹顿电子束镀膜机SVT超高真空解理机光谱分析仪莱宝电子束镀膜机半导体激光器芯片贴片机金属有机化合物化学气相沉淀（MOCVD）磁控溅射台　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室　　电子薄膜与集成器件国家重点实验室是以教育部新型传感器重点实验室、信息产业部电子信息材料重点实验室和功率半导体技术重点实验室为基础于2006年7月建立的。　　目前，实验室紧密围绕国家IT领域的战略目标，立足于电子信息材料与器件的发展前沿，坚持需求与发展并举、理论与实践并重，致力于新型电子薄膜材料与集成电子器件的研究和开发，促进材料—器件—微电子技术的交叉和集成。　　实验室现有研究人员80人，管理人员6人，技术人员3人 客座研究人员18人。在固定研究人员中已形成以陈星弼院士为带头人的一支以45岁左右为核心、35岁左右为主力的骨干研究队伍。队伍中包括了中国科学院院士1人，中国工程院院士1人，国家自然基金委创新团队2个，国防科技创新团队1人，教育部创新团队2人，博导58人。实验室拥有1个国家重点学科、5个博士点以及5个硕士点，已具备每年250名左右硕士生、40名左右博士生、20名左右博士后的人才培养规模。　　实验室覆盖了微电子学与固体电子学、电子材料与元器件、材料科学与工程、材料物理化学、材料学5个博士点学科，拥有电子科学与技术、材料科学与工程2个博士后流动站，其中微电子学与固体电子学为国家重点学科。实验室面积近4000m2，拥有仪器设备500余套，价值8000余万人民币。已初步建成具有国际水平的“材料与器件制造工艺平台”、“微细加工平台”、“电磁性能测试与微结构表征平台”和“集成电路设计平台”，具备承担国家重大基础研究项目的能力。　　近5年，实验室科研工作硕果累累。目前，实验室共承担包括国家自然基金、973、863等各类项目在内的民口纵向项目和校企合作项目等科技项目共约200余项，总经费达2亿元，其中，2009年的科研经费超过7000万元。科研成果获国家级奖励7项，省部级奖24项，市级奖5项，申请发明专利150余项，获得包括美国发明专利在内的专利授权40余项，发表学术论文1000余篇，出版学术专著和教材7部。取得了包括“新耐压层与全兼容功率器件”等一系列标志性成果。实验室坚持面向社会，服务社会，致力于科研成果的推广和应用，“半导体陶瓷电容器”、“功率铁氧体及宽频双性复合材料”、“集成电路系列产品”等科研成果的成功转化，企业取得4亿多元的直接经济效益及良好的社会效益。　　*电子薄膜与集成器件国家重点实验室仪器配置情况未公布　　专用集成电路与系统国家重点实验室　　专用集成电路与系统国家重点实验室(复旦大学)于1989年经国家计委批准建设，1995年9月正式通过国家验收。实验室依托复旦大学国家重点一级学科“电子科学与技术”，以及“微电子学与固体电子学”与“电路与系统”两个国家重点二级学科。　　实验室面向集成电路国际主流的学术前沿问题和国家集成电路产业发展的重大需求，聚焦高能效系统芯片及其核心IP设计，开展数字、射频与数模混合信号集成电路设计创新研究，同时进行新器件新工艺和纳米尺度集成电路设计方法学的研究。形成国际领先并满足国家战略需求的标志性创新成果，使实验室成为我国在集成电路设计方向上科学研究、技术创新与高层次人才培养具有国际重要影响力的基地，为我国集成电路产业尤其是集成电路设计产业的跨越式发展做出重大贡献。　　瞄准国际集成电路发展前沿，面向国家重大需求，面向国民经济主战场，紧紧围绕主要研究方向，实验室承担了大量国家863计划、973计划、国家科技重大专项、国家自然科学基金、国防预研项目、省部级项目以及各类国际合作项目，在国际重要刊物和国际会议上发表大量高质量学术论文，获得多项授权发明专利，荣获多项国家级二等奖、省部级一等奖、二等奖等奖项。　　实验室现有固定人员68人，其中，教授(研究员)43人，包括中国工程院院士1人，国家千人计划入选者5人，国家青年千人2人，国家杰出基金获得者4人，长江学者特聘教授2人、IEEEFellow1人。在实验室现有固定人员中，有多名国家和部委聘任的科技专家，包括1名国家“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品”科技重大专项专家，2名国家“极大规模集成电路装备和成套工艺”科技重大专项专家，4名科技术“863”计划专家库专家。按照“创新团队+优秀研究小组”的建设思路，打造了实验室年轻化、团队化、国际化的研究队伍。　　实验室拥有器件与工艺子平台环境和集成电路设计环境。器件与工艺子平台现有千级净化面积约600平方米，百级净化面积100平方米，配备了价值近1亿元的设备，具有开展先进纳米CMOS器件和工艺的研发能力。集成电路设计环境已可提供Cadence、MentorGraphics、Synopsys、Altera、Xilinx等著名国际公司软件环境，提供相应的标准化仿真模型，支持教学、科研、产品设计与制造。实验室平台本着“集中、共享、升级、开放”的原则为实验室的科学研究服务。　　实验室积极开展多渠道学术交流，承办ICSICT、ASICON等多个重要国际会议，参加学术会议并做特邀报告，积极开展国际科技合作和交流。依托“重点实验室高级访问学者基金”和设立开放课题，吸引国内外高水平研究人员来实验室开展合作研究，加强了实验室研究的前瞻性和国际化程度。专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置清单专用集成电路与系统国家重点实验室仪器配置热阻蒸发镀膜设备化学气相沉积系统全自动探针台存储器参数测试系统半导体存储器参数测试仪扫描探针显微镜手动探针台电学测试系统台阶分析仪芯片测试系统柔性四件组装加工手套箱大面积柔性三维光刻柔性电子制造设备亚微米级贴片设备无线和微波频段测试系统激光键合设备台式扫描式电子显微镜柔性四件电化学加工测试平台高性能频谱分析仪高性能频谱分析仪等离子刻蚀系统实验室电路板快速系统（激光机）射频探针台原位纳米力学测试系统超低温手动探针台智能型傅立叶红外光谱分析仪显微喇曼/荧光光谱仪数字电视芯片测试系统气相沉积系统薄膜沉积系统化学气相沉积系统超高真空激光分子束系统原子层淀积系统矢量网络分析仪微波退火设备准分子气体激光器高精密电学测试探针台纳米热分析系统信号源分析仪频谱分析仪X射线衍射仪矢量网络分析仪矢量信号源实时示波器椭圆偏振光谱仪硬件加速仿真验证仪频谱分析仪矢量信号发生器矢量信号分析仪铜互连超薄籽晶层集成溅射和测试系统半导体晶片探针台互连铜导线成分分析仪化学气相沉积系统低介电常数介质电容（K值）测试设备微细加工ICP刻蚀机快速热退火系统探针测试台半导体参数分析仪白光干涉仪桌上型化学机械抛光设备纳米压印设备原子层淀积系统高精度探针台探针测试台纳米器件溅射仪存储薄膜溅射仪原子层化学气相沉淀系等离子反应离子刻蚀机物理气相淀积系统等离子体增强介质薄膜化学机械抛光系统铜电镀系统　　集成光电子学国家重点实验室　　集成光电子学国家重点实验室成立于1987年，1991年正式对外开放。现由吉林大学和中国科学院半导体研究所两个实验区联合组成。在1994年、2004年国家重点实验室建立十周年以及二十周年总结表彰大会上，被评为“国家重点实验室先进集体“，并获“金牛奖”。在2002年、2007年、2012年信息领域国家重点实验室评估中，连续三次被评为“优秀实验室”，2017年被评为“良好实验室”。　　研究方向包括有机光电器件、宽禁带半导体材料与器件、超快光电子、纳米光电子、能源光电技术五个研究方向。实验室重点研究基于半导体光电子材料、有机光电子材料、微纳光电子材料的各种新型光电子器件以及光子集成器件和芯片，研究上述器件及芯片在光纤通信系统与网络、信息处理与显示中的应用技术。研究内容为：半导体光电子材料(包括低维量子结构材料)、有机光电子材料、微纳光电子材料 新型光电子器件物理(包括器件结构设计与模拟) 基于上述材料的光电子集成器件的制作工艺及其功能芯片集成技术 光电子器件及芯片在光通信、光互连、光显示、光电传感方面应用技术研究。　　*集成光电子学国家重点实验室仪器配置情况未公布　　浙江大学硅材料国家重点实验室　　1985年，在浙江大学半导体材料研究所的基础上，由原国家计委批准建设硅材料国家重点实验室(原名高纯硅及硅烷国家重点实验室)，88年正式对外开放。是国内最早建立的国家重点实验室之一。以重点实验室为依托的浙江大学材料物理与化学学科(原半导体材料学科)一直是全国重点学科，1978年获批国内首批硕士点(半导体材料)，1985年获批国内第一个半导体材料工学博士点。　　从上世纪50年代开始，浙江大学在硅烷法制备多晶硅提纯技术、掺氮直拉硅单晶生长技术基础研究等取得系列重大成果，在国际上占有独特的地位 同时，实验室一直坚持“产、学、研”紧密结合，培育出浙江金瑞泓科技股份有限公司等国内硅材料的龙头企业，取得显著经济效益。自上世纪90年代以来，实验室研究方向不断拓宽。目前，实验室以硅为核心的半导体材料为重点，包括半导体硅材料、半导体薄膜材料、复合半导体材料以及微纳结构与材料物理等研究方向。　　2013年至2017年期间，实验室共获得国家自然科学二等奖2项，国家技术发明二等奖2项，浙江省科学技术(发明)一等奖5项，技术发明一等奖1项。江西、湖北省科学技术进步(技术发明)一等奖各1项(合作)，教育部自然科学二等奖1项，浙江省科学技术进步二等奖2项。发表SCI检索论文1996篇，获得授权国家发明专利492项，国际专利5项。已成为国家在本领域的科学研究、人才培养和国际交流的主要基地之一。　　浙江大学硅材料国家重点实验室仪器配置清单　　硅材料国家重点实验室仪器配置扫描探针显微镜周期式脉冲电场激活烧结系统振动样品磁强计针尖增强半导体材料光谱测试系统低维硅材料的原位扫描隧道显微分析系统热常数分析仪超高温井式冷壁气密罐式炉系统角分辨X射线光电子能谱仪原子力显微镜热台偏光显微系统近场光学显微镜光度式椭圆偏振光谱仪高真空热压烧结炉等离子体增强化学气相沉积法磁控溅射镀膜系统深能级瞬态谱仪傅里叶红外光谱仪微波光电导衰减寿命测试仪变温高磁场测试系统同步热分析仪铸造炉扫描电子显微镜高分辨透射电子显微镜　　　除了上述国家重点实验室，还有新型功率半导体国家实验室以及光伏技术国家重点实验室等企业国家重点实验室。　　此外，还有中科院半导体材料科学重点实验室、宽带隙半导体技术国家重点学科实验室、光电材料与技术国家重点实验室、发光材料与器件国家重点实验室、发光学及应用国家重点实验室等半导体领域相关的实验室等。中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置清单中国科学院半导体材料科学重点实验室仪器配置1.量子点、量子级联工艺线分子束外延生长系统（MBE）掩膜对准曝光机表面轮廓测量系统双腔室PECVD/电子束蒸发镀膜真空蒸发台等离子体去胶机精密研磨抛光系统快速热处理设备高分辨光学显微镜清洁处理湿法腐蚀金丝球焊机高精度粘片机傅立叶变换远红外光谱仪拉曼光谱仪原子力显微镜数字源表（吉时利2601）电化学CV测试系统2.PIC工艺线仪器设备MOCVDICPPECVD光刻机蒸发台磁控溅射反应离子刻蚀设备台式扫描电子显微镜Maping微区荧光光谱仪X射线双晶衍射高分辨XRD测试系统解理烧结机镀铟管芯测试设备激光加工机PIC测试:探针座+探针变温测试频谱仪矢量网络分析测试自相关仪脉冲宽度测试FROG激光线宽测试Rin测试远场测试PIV测试传输损耗测量光纤光谱仪3.GaN基微电子器件工艺线MOCVD设备变温霍尔测试系统非接触方块电阻测试系统台阶仪表面平整度测试系统光学显微镜高分辨XRD测试系统光电效率测试系统高温恒温箱快速退火炉磁控溅射PECVDICP光刻系统4.材料生长与制备工艺线磁控溅射离子束溅射CVD系统旋涂机、热板、快速退火碳化硅外延设备原子层沉积分子束外延低压液氮灌装石墨烯外延炉分子束外延设备CBE快速热退火炉退火炉MOCVDHVPE快速退火炉真空烘烤MBEMP-CVD阻蒸电子束蒸发联合镀膜机箱式退火炉低维材料生长、器件制备平台分子束外延设备MBE5.材料测试与表征原子力显微镜傅里叶红外光谱量子效率测试电池I-V测试霍尔测试仪探针台四探针测试仪光栅光谱仪变温测试台半导体参数测试仪3000V、500A深能级缺陷测量系统霍尔测试深紫外光致发光光谱阴极荧光光谱近紫外－可见－近红外光致发光光谱变温霍尔半导体发光器件测试紫外可见分光光度计荧光光谱仪太阳能电池I-V测试系统电化学工作站四探针测试台偏振调制光谱测试系统(陈涌海)微区RDS测试系统光电流测试系统红外光栅光谱仪（0.8-5μm）激光参数测试系统傅立叶变换红外光谱仪傅立叶变换中红外光谱仪宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置清单宽带隙半导体技术国家重点学科实验室仪器配置晶片生长系统MOCVD非接触迁移率测量系统霍尔效应测试系统非接触式方块电阻测试仪微波等离子化学气相沉积系统半导体器件分析仪光谱椭偏仪镜像显微镜.金属镀膜系统高分辨X射线衍射仪拉曼光谱仪脉冲激光沉淀系统电子束蒸发台磁控溅射镀膜机高速电子束蒸发台LED显微镜台阶仪快速热退火炉等离子去胶机高温快速退火炉反应离子刻蚀等离子增强原子层沉淀系统等离子增强化学气相淀积感应耦合等离子体刻蚀机研磨抛光机高低温烘胶机光刻机接触式紫外光刻机电子束直写光刻机探针台半导体参数测试仪微波测试探针台DRTS测试仪扫描式电子显微镜微波大功率晶体管老化系统微波功率测试系统分子束外延设备　　综合来看，光刻机、化学气相沉积设备、电镜（尤其是扫描电镜和原子力显微镜）、X射线衍射、磁控溅射仪、半导体参数测试仪、能谱仪、探针测试台、刻蚀设备、光谱测试设备、蒸发镀膜设备、椭偏仪、分子束外延设备等仪器配置频率较高。　　信息统计来源于各国家重点实验室官网，部分实验室罗列仪器设备较全，部分实验室仅罗列了最主要或特色的仪器设备，因此结果仅供参考。另外其中有些仪器类型可能存在并列或包含关系，并未进行详细区分。

热电材料能够实现热电转换，具有安全、节能、环保等优点，近年来备受关注，许多学者也围绕其开展了大量的研究工作。在本文，仪器信息网为大家盘点了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单。国内研究热电材料的课题组众多，在小编的雷达范围内，整理归纳了其中四个课题组的仪器展示表格：1.中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组；2.中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组；3.同济大学材料科学与工程学院热电课题组；4.哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组。一、中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组（课题组长：史迅研究员；副组长：柏胜强高级工程师；科研队伍：陈立东研究员、姚琴副研究员、瞿三寅副研究员、仇鹏飞副研究员等）该课题组主要从事高性能热电材料的设计、制备与性能优化以及高性能热电器件的设计、制造与集成方面的研究，主要内容包括：1.声子液体电子晶体材料 (类液态材料)；2.类金刚石结构；3.笼状化合物；4.有机热电材料和有机/无机复合热电材料；5.热电薄膜与微型热电薄膜器件；6.高性能热电器件设计与制造技术；7.热电空调/发电系统设计与集成技术；8.热电材料与器件测量技术。课题组仪器设备展示Seebeck系数和电阻测试系统（ZEM-3）布劳恩手套箱RS50/500型管式炉纳博热（ Nabertherm）LH15/13型箱式炉 放电等离子体快速烧结设备激光导热仪 霍尔系数测试设备电导率及塞贝克系数测试设备 X射线广角/小角衍射设备MSP（Modified Small Punch）试验装置二、中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组（课题组长：邰凯平研究员；小组成员：康斯清工程师）该课题组长期从事功能材料设计、制备和性能表征方面的研究工作，以界面性质对材料物理、化学性能调控作用的共性基础科学问题为研究主线，主要研究内容包括：低维热电材料；多物理外场耦合仿真环境原位透射电镜表征；纳米结构抗辐照损伤材料。在原位透射电镜技术领域的成果被Science（350，9886，2015）、Chem Rev（116，11061，2016）、Adv Mater（02519，2016）等期刊评述为近十年来纳米材料原位电镜表征技术领域的关键研究成果，并被编入电子显微学教科书“Transmission Electron Microscopy”（Page 48，Springer，Heidelberg，2016）。课题组仪器设备展示多靶磁控溅射沉积系统-1多靶磁控溅射沉积系统-2热电性能测试设备ALD原子层沉积系统等离子体处理/原位TEM样品杆预抽系统Hall测试系统AFM红外成像显微镜微束/飞秒激光微纳加工系统紫外光刻机电子束/热蒸发镀膜系统3Omega频域法热导率测试系统稳态法热导率测试系统球型焊线机高温管式炉红外快速退火炉自主研制的各种类型原位仿真环境（JEOL/FEI）TEM样品杆三、同济大学材料科学与工程学院热电课题组（课题组长：裴艳中教授；小组成员：李文副教授）该研究小组主要针对当前热电材料转换效率较低这一技术瓶颈，从热电材料所涉及的基本物理及化学问题出发，设计和开发出高转换效率热电材料和器件。立足于前期工作的基础之上，今后具体的研究对象主要集中在半导体材料，研究内容主要包括：1.先进的材料制备方法；2.电、热、光、磁及微观结构的表征方法；3.能源材料性能所隐含的基本物理及化学问题；4.理论指导下的新型能源材料设计和开发；5.其它应用背景的半导体新材料的研究与开发。课题组仪器设备展示自主研制设备霍尔系数/塞贝克系数/电阻率同步测试 2个样品同时测试，300~900K，磁场1.5T塞贝克系数/电阻率同步测试系统 2个样品同时测试，300~1100K室温塞贝克系数测试系统Oxford低温（1.5~400K）与强磁场（12T）综合物理性能（Nernst，Seebeck，Hall系数与电/热导率）测试系统电弧熔炼系统电弧熔炼系统高温热压系统（升温速率＞1000C/min）封装系统材料生长炉商业设备台式扫描电镜&能谱XRDFTIR红外光谱仪声速测定仪激光导热仪惰性气氛手套箱高温熔融炉四、哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组（课题组长张倩教授，学术顾问刘兴军教授）该课题组正式成立于2016年秋。主要研究方向为：热电半导体能源材料的电声输运调控、热电器件的设计与效率提升，柔性可穿戴发电与制冷器件。采用与相图工程和机器学习相结合的手段，优化传统热电材料，开发新型热电材料，促进热电发电与制冷的大规模商业应用进程。课题组仪器设备展示材料制备系统电弧熔炼炉高频悬浮熔炼炉立式真空管式炉微型金属熔炼炉双工位真空手套箱真空封管系统热压烧结系统放电等离子烧结SPS3D打印机多靶磁控溅射镀膜仪电子束蒸发镀膜仪高温箱式炉高能球磨机井式炉金相研磨抛光机金刚石线切割机性能测试系统激光导热仪-LFA 457差示扫描量热仪-DSC 404同步热分析仪-STA 2500热机械分析仪-TMA 457电阻率/温差电动势测试仪-CTAUV-vis-NIR变温霍尔测试系统变温红外光谱仪发电效率特性测定装置接触电阻测试平台焊接平台需要说明的是，以上仪器设备展示仅根据各课题组网站信息整理，并非各课题组实验室仪器的全部配置。因此，小编特整理了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单，供君参考。热电材料研究实验室仪器配置清单热电材料制备常用仪器电子天平马弗炉/电阻炉/管式炉/实验炉鼓风/真空干燥箱材料生长炉磁力搅拌器球磨机超声波清洗机放电等离子烧结SPS离心机悬浮熔炼炉/电弧熔炼炉石墨磨具原子层沉积系统真空/惰性气氛手套箱电子束/热蒸发镀膜设备恒温油浴/水浴锅退火炉游标卡尺3D打印机切割机研磨抛光机热电材料表征常用仪器X射线衍射仪赛贝克系数/电阻率测试系统X射线光电子能谱仪霍尔系数测试设备热重分析仪介电性能测试系统扫描电子显微镜热电转换效率测量系统透射电子显微镜电/热导率测试系统电子探针分析仪声速测定仪热膨胀仪红外光谱仪显微硬度仪热机械分析仪激光热导仪焊接平台差热扫描热量仪综合物理性能测试系统【近期网络会议推荐】3月23日“热电材料表征与检测技术”主题网络研讨会免费报名听会链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/2021RD/

德国Thermconcept马弗炉携手德祥首次亮相BCEIA 由中国分析测试协会主办，中华人民共和国科学技术部批准的第十三届北京分析测试学术报告会暨展览会(BCEIA2009)于2009年11月25日至28日在北京展览馆隆重举行. 德祥科技代理的德国Thermconcept马弗炉产品在2009 BCEIA展会上首次精彩亮相。图一: 德国Thermconcept KL05/11型马弗炉 德国Thermconcept公司总部设在德国不莱梅, 拥有丰富的研发、设计和生产的各种马弗炉和加热炉系统的经验，加热炉的温度范围从50℃到2000℃，体积从3L-130L, 尺寸多样, 产品种类丰富, 能够满足绝大多数用户的应用需求, 德国Thermconcept公司还能根据客户的特殊应用定制解决方案. 全线产品包括: 实验室通用型马弗炉, 管式炉, 高温箱式炉, 高温管式炉, 高温干燥箱, 退火炉, 升降炉, 干燥箱, 真空干燥箱等. 德祥科技作为国内科学仪器行业的领导供应商，专注服务于生命科学、工业、制药、政府、教育、石化、电子以及商业实验室等众多领域。作为德国Thermconcept中国区总代理，德祥科技将一如既往地为广大客户提供*产品和服务。 更多后续报道及产品信息，敬请关注www.tegent.com.cn 客服热线：4008 822 822

研究：暴露于中子和伽马辐射的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。图片来源：RHJPhtotos 通过同时和辐照后热退火研究了集成二氧化硅和蓝宝石的辐射诱导衰减 (RIA)。研究人员发现同时辐照热退火和辐照后热退火在二氧化硅和蓝宝石的光学行为方面存在重大差异。 该研究在选择和放置用于开发光学仪器应用(例如聚变或裂变反应堆)的光学材料方面具有广阔的潜力。它还帮助研究人员了解辐射对此类光学材料的影响。 熔融石英和蓝宝石等光学材料中的辐射引起的衰减通过减少核反应堆仪器检查停机的频率，可以显着提高核反应堆的辐射安全和经济性能，从而可以在线监测关键反应堆部件。 激光诱导击穿光谱 (LIBS) 可以通过在反应堆运行时对反应堆冷却剂的化学成分进行光谱研究来识别核反应堆部件的退化。 在适当的操作设置下了解光纤和透镜等光学材料的辐射效应至关重要，因为基于 LIBS 的仪器需要通过这些光学材料传输等离子体发射和高能激光脉冲。 二氧化硅和蓝宝石等普通光学材料具有光学特性，包括衰减和折射率，当暴露于核反应堆中的离子辐射效应时，这些特性会发生变化。 已经对集成二氧化硅和蓝宝石在受到中子和伽马射线照射然后进行热退火时的辐射诱导衰减 (RIA) 和辐射效应进行了多项研究。然而，由于辐照、检查和热退火之间的时间相当长，没有关于光学材料在同时高温和辐射效应下的原位行为的数据。 当前研究中的研究人员使用高羟基含量的 Heraeus Spectrosil 2000 集成二氧化硅 (S2000)、低羟基含量的 Heraeus Infrasil 302 集成二氧化硅 (I302) 和光学类蓝宝石进行了 220 nm 至 1100 nm 的 RIA 测量。这些光学材料在高达 800 C 的后辐照和同时辐照热退火下暴露于中子和伽马辐照下，以观察它们的辐射效应。 二氧化硅和蓝宝石光学吸收的实验装置第一个测量吸收的实验装置包括一个覆盖 220-1100 nm 光谱范围的 Ocean Insight HR4000 光谱仪和一个 Ocean Insight 卤素/氘光源。 第二个实验装置包括一个安装在60 Co 池干管上方的退火炉，用于光学材料的同步和后热退火。 目前的研究在俄亥俄州立大学核反应堆实验室的核反应堆和60 Co 辐照池中进行了辐照。在包含60 个Co 伽马源的圆柱形夹具的帮助下，一个 I302 样品在宾夕法尼亚州立大学辐射科学与工程中心暴露于 10Mrad 的辐照下。 使用具有二氧化硅-氧化铝绝缘的特制碳化硅线圈炉对样品进行干燥和空气中的退火。 这些熔炉被建造成适合60 Co 池和核反应堆干管内，以同时对样品进行热退火和辐照。 在辐照后退火实验中，在每次辐照剂量后将样品加热到指定的温度。 相反，在同时退火的情况下，样品在辐照过程中被连续加热到指定的温度，直到达到列出的剂量。 光学仪器在裂变和聚变应用中的发展潜力该研究展示了同时辐照和热退火的后果以及对光学渐变蓝宝石、I302 和 S2000 的辐射效应。 该团队观察到这些光学材料在同时和辐照后热退火条件下的行为的关键区别。 在 S2000 的情况下，对 n 剂量 1 和 2 进行辐照后 600 C 的热退火将材料恢复到未辐照的形式。在 800 C 时，具有相同剂量的同时辐照热退火样品保留了紫外线范围内的辐射诱导衰减。 在 n-Dose 1 和 n-Dose 2 的同时辐照热退火下，I302 还显示出 220 nm 至 900 nm 之间的平衡辐射诱导衰减光谱，这与 I302 主要恢复的辐照后热退火情况相反退火至 800 C 后变为未辐照状态。 与等效剂量辐照后热退火情况相比，在加热到 800 C 后样品几乎退火到其未辐照状态，蓝宝石在 n-Dose 1 和 2 的同时辐照热退火中显示出可能的平衡辐射诱导衰减范围退火条件。对于该光谱，在 260 nm 处获得了残余吸收峰，而在 300 nm 处获得了增加的吸收峰。 当前研究的最初目标是在高放射性和热环境中支持基于 LIBS 的仪器，以承受显着的辐射效应。 比较作为样品的光学材料的吸收光谱表明，S2000 是实现基于 LIBS 的仪器的最理想材料，最高退火温度为 800 C，中子注量为 1.7 x 10 17 n。厘米-2。 在 532 nm 和 1064 nm 的相关 LIBS 波长下，S2000 仅显示边缘辐射引起的衰减。在同时辐照热退火下，I3O2 产生了高达 900 nm 的相当大的辐射诱导衰减，这可能会限制 532 nm 的 LIBS 激光器。 与报道的 S2000 中没有明显的辐射诱导衰减相比，蓝宝石在 532 nm 或 1064 nm 处没有表现出同时辐照热退火的辐射诱导衰减。UV 范围内的残余辐射引起的衰减峰可能会干扰 LIBS 等离子体光谱。 参考BW Morgan、MP Van Zile、CM Petrie、P. Sabharwall、M. Burger、I. Jovanovic，暴露于中子和伽马辐射下的熔融石英和蓝宝石的光学吸收以及同时热退火。2022.核材料杂志。

仪器信息网搜索覆盖了用户找仪器、找厂商、找方案、查资料的全场景需求，每月为用户执行数百万次搜索请求。特有的多模态语义算法，将科学仪器行业碎片化的信息分门别类，为用户打造了一款高质量内容的行业搜索。近期国家财政贴息贷款的利好消息推动国内高校、科研院所纷纷启动仪器设备更新改造工作，我国科学仪器行业迎来一波仪器采购大潮。10月仪器热搜词变化较大，质谱、电镜等仪器需求量增长较快！特整理10月用户热搜词表，以飨读者。一、10月仪器热搜词TOP101、化学分析仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离子色谱6液相色谱2气相色谱7XRDnew3ICP-MS8液质联用4 近红外new9紫外分光光度计5 飞行时间质谱new10 红外光谱仪new2、 实验室常用设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离心机6纯水机2氮气发生器7旋转蒸发仪3微波消解仪8磁力搅拌器new4马弗炉9洗瓶机5氮吹仪10氢气发生器3、 生命科学仪器及设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1酶标仪new6生物安全柜2流式细胞仪7荧光定量PCRnew3超低温冰箱new8分子互作分析仪new4蛋白纯化系统new9高内涵细胞成像new5数字PCR仪new10核酸提取仪4、 物性测试热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1高低温试验箱6硬度计2粘度计7DSC3激光粒度仪8密度计4流变仪9熔点仪5热重分析仪10 万能试验机new5、 环境监测仪器用户热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1TOC6烟气分析仪2COD7水质分析仪3 BODnew8VOC4红外测油仪9测油仪new5非甲烷总烃10大气采样器new6、 光学仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1扫描电镜6冷冻电镜new2原子力显微镜7体视显微镜new3透射电镜8红外热像仪new4 共聚焦显微镜new9椭圆偏振仪new5旋光仪10能谱仪new7、 半导体行业专用仪器TOP10TOP热搜词TOP热搜词1光刻机6退火炉new2ALD7 化学气相沉积new3磁控溅射8显影机new4探针台9 芯片分选机new5匀胶机10四探针二、10月消耗品热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1气相色谱柱6保护柱new2液相色谱柱7滤芯new3电缆new8橡胶制品new4阀门new9毛细管柱new5手性柱new10lednew三、10月厂商热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1安捷伦6沃特世2赛默飞7谱育3岛津8 赛多利斯new4珀金埃尔默9 钢研纳克new5布鲁克10莱伯泰科四、10月行业相关热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1锂电池6微塑料2白酒new7农药残留3化妆品8 燃料电池new4 贴息贷款new9土壤三普5 地下水new10中国药典扫码，搜一搜！

仪器信息网搜索覆盖了用户找仪器、找厂商、找方案、查资料的全场景需求，每月为用户执行数百万次搜索请求。搜索采用了信息检索领域最经典的算法模型，结合科学仪器行业特性，推出依存关系+概率偏好模型相结合的动态语义模板，将科学仪器行业碎片化的信息分门别类，根据搜索词词性为用户优先推荐不同类型的内容，为用户打造了一款高质量内容的行业搜索！而用户的搜索行为往往最能反馈用户的真实需求和习惯变化。特整理2023年Q1用户热搜词表，以飨读者。一、2023年Q1仪器热搜词TOP101、化学分析仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离子色谱6液质联用2气相色谱7定氮仪new3液相色谱8 电位滴定仪new4ICP-MS9分光光度计5原子吸收10原子荧光new光谱、色谱、质谱仪为主要的分析仪器产品，可用于环保、生命科学、材料分析、食品科学等领域。据《实验室分析仪器国产化替代战略思考》，全球实验室分析仪器中，光谱、色谱、质谱仪占37%，为分析仪器主要的产品，其中生命科学以及材料科学为最主要的应用领域。日前，生态环境部连续发布《甲基汞和乙基汞的测定 液相色谱-原子荧光法 (HJ1268-2022)》、《土壤和沉积物 甲基汞和乙基汞的测定 吹扫捕集/气相色谱-冷原子荧光光谱法(HJ 1269-2022)》等多项环境领域标准，并将于 2023 年 6 月15 日正式实施。2、实验室常用设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离心机6旋转蒸发仪2氮气发生器7pH计3纯水机8天平4马弗炉9冻干机new5微波消解仪10洗瓶机土壤普查是一项重要的国情国力调查，是保障国家粮食安全、提高农业综合生产能力的重要基础，是加快农业现代化、推进农业绿色转型和高质量发展的重要支撑，是促进生态文明建设、加强生态环境保护的重要举措。按照国家2023—2024年全面铺开、2025年完成成果上报的总体要求，以及第三次全国土壤普查有关工作要求，2023年江苏省、海南省、青岛市等多地已启动第三次全国土壤普查工作。土壤普查所涉及的仪器设备用户搜索量呈持续增长，如土壤酸碱度测定可能用到的酸度计，土壤营养成分测定可能用到的定氮仪，以及土壤中重金属检测中用到的微波消解仪、分光光度计、电感耦合等离子体质谱仪等等。3、生命科学仪器及设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1流式细胞仪6细胞计数仪2摇床7生化培养箱3生物安全柜8分子互作仪new4二氧化碳培养箱9凝胶成像系统5PCR10厌氧培养箱new分子互作分析技术是指利用物理、物理化学或光学等手段检测分子之间的动力学、亲和力和热稳定性等人们肉眼无法捕捉的参数，帮助人们对分子进行定量或定性的分析。在生命科学、临床医学、环境检测和药物筛选等研究中发挥了巨大作用。仪器信息网整理了2022年分子互作分析仪中标信息，共84台仪器，涉及金额超1.6亿元。4、物性测试热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1激光粒度仪6密度计2粘度计7热重分析仪new3DSC8熔点仪4流变仪9测厚仪5恒温恒湿箱10硬度计近年来，随着新能源、新材料等产业的蓬勃发展，激光粒度仪作为一种高精测量和分析技术，以其高精度、宽测量范围、简便易用等特点，在新能源行业中得到广泛应用。为进一步了解激光粒度仪市场情况，仪器信息网对2022年激光粒度仪中标信息进行了不完全统计，包括静态光散射粒度仪和动态光散射激光粒度仪，共涉及458台仪器，中标总金额超1.29亿元。其中，国产激光粒度仪中标数量攀升，占比达50%，首次与进口品牌齐平；但国产激光粒度仪中标金额占比仅为31%，市场份额与进口品牌存在较大差距。5、环境监测仪器用户热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1TOC6甲烷非甲烷new2COD7大气采样器3红外测油仪8VOC4水质分析仪9气体流量计5烟气分析仪10大气颗粒物监测仪new深入打好蓝天保卫战，深入推进重污染天气消除、臭氧污染防治、柴油货车污染治理等标志性战役，协同控制PM2.5和臭氧污染，持续改善空气质量。作为臭氧前体物的VOCs组分监测、颗粒物组分监测、环境空气非甲烷总烃监测等，相关搜索量呈增长趋势。6、光学仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1扫描电镜6荧光显微镜2原子力显微镜7共聚焦显微镜3浊度仪8透射电子显微镜4旋光仪9金相显微镜5红外热成像仪new10色度仪红外热成像仪是采用红外热成像技术，通过测量目标物体的红外辐射，经过光电转换、信号处理等手段，将目标物体的热分布数据转换成视频图像的设备。最为人所熟知的红外热成像仪如红外测温仪。其实红外热成像设备在电力工业、钢铁工业、电子工业、石油化工、建筑、航空航天和医学等领域已被广泛使用。近日，国际标准化组织（ISO）正式发布ISO 18251-2:2023《无损检测 红外热成像 第2部分：系统和设备的综合性能测试方法》。这是继2017年中国首项红外热成像国际标准ISO 18251-1:2017《无损检测 红外热成像 第1部分：系统和设备的特性》发布实施后，由我国主持制定的第2项红外热成像ISO国际标准。这两项红外热成像国际标准的发布标志着中国在红外热成像检测领域国际标准化工作取得了重大突破。7、半导体行业专用仪器TOP10TOP热搜词TOP热搜词1匀胶机6刻蚀机new2原子层沉积系统7离子注入机3退火炉8快速退火炉4探针台9激光直写光刻机5四探针测试仪10划片机云计算、数据中心、无线通信、汽车、工业、消费类产品以及有线通信等几大领域支撑了全球半导体的发展，预计2030年全球半导体产业的市场规模将达到万亿元级别。而2022年10月，中国一部分晶圆制造厂及先进半导体相关企业落入了美国新规的限制范围，将无法再进口美国相关先进设备；2023年3月31日，日本政府宣布将对用于芯片制造的六大类23项先进芯片制造设备追加出口管制。中国本土的半导体设备材料还没有发展壮大，无法支撑本土的制造企业。制造是一个产业的根本，半导体设备、材料更是一个极为纵深的环节，本土企业发展弱小，且有可能在2023年进入一个周期低点（因产业链的传导性）。接下来，大力发展本土设备、材料企业，是加强本土制造能力的关键。二、2023年Q1消耗品热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1标准物质6离心管2气相色谱柱7容量瓶3液相色谱柱8石墨管4层析柱9固相萃取柱5移液管10滴定管new三、2023年Q1厂商热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1安捷伦6梅特勒2赛默飞7沃特世3岛津8耶拿4布鲁克9莱伯泰科5珀金埃尔默10 瑞士万通new四、2023年Q1行业相关热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1生活饮用水6生物制药2新材料new7 实验室建设new3土壤三普8新能源new4微塑料9中药5锂电池10白酒new2023年是中国“双碳”目标提出的第三年，加快发展新能源是实现碳达峰、碳中和目标、构建新发展格局的重要举措。在两会上，“新能源”延续去年的火热，继续成为政策、资本和产业的关注焦点，如“大力支持清洁能源基地建设”、“建设风光基地项目进行混改，出台户用光伏相关规范”、“建议优先保障硅能源产业用电需求，支撑‘双碳’目标落地”等等。新材料是指新出现的具有优异性能或特殊功能的材料，或是传统材料改进后性能明显提高或产生新功能的材料。新材料的应用涉及国民经济和国防军工的众多领域中，近年来，在国家政策的大力扶持和业内企业的不断努力下，新材料产业持续良好发展势头，市场规模持续扩张，经济效益显著。 百万用户找厂商、找仪器、找方案的首选工具——仪器信息网搜索

为优化政府采购营商环境，提升采购绩效，《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定要求各预算单位按采购项目公开采购意向，内容应包括采购项目名称、采购需求概况、预算金额、预计采购时间等。近两年来，各大高校、科研院所等纷纷在相关平台公布本单位政府采购意向。中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构，是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位，是中国科学院大学微电子学院（国家示范性微电子学院）的依托单位，是中国科学院集成电路创新研究院的筹建依托单位。微电子所目前拥有2个基础研究类中国科学院重点实验室（微电子器件与集成技术重点实验室、硅器件技术重点实验室），5个行业服务类研发中心（EDA中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心、中科新芯三维存储器研发中心、光刻总体部），7个行业应用类研发中心（通信与信息工程研发中心、新能源汽车电子研发中心、健康电子研发中心、智能感知研发中心、智能制造电子研发中心、智能电子系统研发中心、电磁信息智能应用研究中心），4个核心产品类研发中心（硅器件与集成研发中心、高频高压器件与集成研发中心、微电子仪器设备研发中心、光电研发中心）。 微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学等高校和武汉新芯、上海华力、华润微电子、北方微电子等企业结为战略合作伙伴，在北京、江苏、湖北、四川、广东、湖南等省市开展科技成果转移转化，在我国微电子领域拥有广泛的影响，为支撑我国微电子产业核心竞争力发挥了不可替代的重要作用。 成果的产出和人才的培养都离不开仪器的支持，微电子所每年都会投入一定的经费采购科学仪器，以建立具有国际先进水平的实验研究和测试平台。为方便仪器信息网用户及时了解仪器采购信息，本文特对微电子所2022年仪器设备类政府采购意向进行了整理汇总。共收集到21个采购项目，预算金额相加约1.5亿元，采购品目涉及示波器、探针台、ALD、键合机、清洗机、退火炉等多种仪器类型。中国科学院微电子所2022年政府采购意向汇总表序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情15.7寸移动作业终端A021199-其他电子和通信测量仪器2003月详情链接2示波器A032199-其他电工、电子专用生产设备1343月详情链接3多通道高精度阻抗谱分析子系统A02100305-电子光学及离子光学仪器285.244月详情链接4直流-6GHz 多频段微弱电信号高性能分析测试平台A02100305-电子光学及离子光学仪器389.84月详情链接512英寸晶圆贴膜揭膜减薄一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备12005月详情链接612英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备49305月详情链接7PA-连续波/脉冲功率测试系统A02100305-电子光学及离子光学仪器4405月详情链接8精密电感耦合等离子刻蚀系统A032199-其他电工、电子专用生产设备3505月详情链接912吋晶圆底填机A032199-其他电工、电子专用生产设备1306月详情链接1012吋晶圆助焊剂清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备6006月详情链接1112英寸超薄晶圆划片机A032199-其他电工、电子专用生产设备1706月详情链接1212英寸晶圆化学机械抛光机A032199-其他电工、电子专用生产设备17006月详情链接1312英寸晶圆键合退火炉A032199-其他电工、电子专用生产设备2006月详情链接1412英寸晶圆清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备3006月详情链接15大功率快脉冲测试仪A032199-其他电工、电子专用生产设备215.236月详情链接16高精度靶点识别与成型设备A032199-其他电工、电子专用生产设备1406月详情链接17三维堆叠键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备7006月详情链接18大功率高温探针台A032199-其他电工、电子专用生产设备250.37月详情链接19清洗设备研发A032199-其他电工、电子专用生产设备1257月详情链接20多场原位电子全息三维高分辨成像系统A02100305-电子光学及离子光学仪器163512月详情链接21多腔室新型高k金属栅ALD生长系统A032199-其他电工、电子专用生产设备85012月详情链接值得而注意的是，微电子所除了采购仪器设备外，还采购了总额超四千万的流片服务。在集成电路设计领域，“流片”指的是“试生产”，就是说设计完电路以后，先生产几片几十片，供测试用。如果测试通过，就照着这个样子开始大规模生产了。流片服务采购意向汇总序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情1砷化镓流片和SOI流片加工C0908-其他专业技术服务8103月详情链接2流片加工C0908-其他专业技术服务1302月详情链接3新型存储器流片加工服务C0908-其他专业技术服务3003月详情链接4测试调试C0908-其他专业技术服务1205月详情链接5芯片流片C0908-其他专业技术服务1205月详情链接6小芯片加工制造C0908-其他专业技术服务1506月详情链接7芯片分析C0908-其他专业技术服务1506月详情链接8MPW投片费C0908-其他专业技术服务1707月详情链接9流片C0908-其他专业技术服务1957月详情链接10流片、制版C0908-其他专业技术服务1907月详情链接11流片、制版C0908-其他专业技术服务2557月详情链接12流片、制版C0908-其他专业技术服务50944743详情链接13封装加工服务C0908-其他专业技术服务25012月详情链接14流片费C0908-其他专业技术服务10012月详情链接15流片加工服务C0908-其他专业技术服务70012月详情链接

2019年5月25-29日，由中国硅酸盐学会发起的第十一届先进陶瓷国际研讨会（CICC-11）于云南省昆明市完美落幕。此次会议邀请到了来自33个国家和地区的1450名代表参会，CICC已然发展成为亚洲最大、国际知名的陶瓷领域学术盛会。本届CICC-11设置了24个专题研讨会，交流范围基本涵盖了整个特种陶瓷领域及相关学科，汇集业内知名专家学者与会做大会报告、主旨报告及邀请报告。 弗尔德仪器作为陶瓷产品的仪器应用翘楚，应邀赞助第十一届先进陶瓷国际研讨会，为CICC-11的成功举办增砖添瓦。陶瓷领域研究离不开样品前处理、热处理以及理化分析等实验操作，弗尔德仪器应陶瓷行业所需，能够为陶瓷样品的研磨粉碎、热处理、氧/氮/氢/碳/硫元素分析提供先进完善的仪器解决方案。弗尔德仪器旗下产品包括德国Retsch（莱驰）粉碎研磨筛分设备、德国Retsch Technology（莱驰科技）粒度粒形分析仪、德国Eltra（埃尔特）元素分析仪、CarboliteGero（卡博莱特盖罗）烘箱、马弗炉。n 陶瓷制品的研磨粉碎处理对烧结陶瓷的半成品进行检验，需要先对半成品进行研磨粉碎处理。针对不同陶瓷原料、陶瓷粉末以及成品，行星式球磨仪PM 400可以实现陶瓷样品的细粉碎。高能水冷球磨仪Emax优于常规球磨仪能够在更短时间内实现陶瓷样品的纳米研磨。n 陶瓷制品的元素分析、热重分析熔点高达2700℃的碳化硅是陶瓷制品的重要原材料。德国Eltra（埃尔特）元素分析仪特别适用于含碳化硅的陶瓷制品的质量控制。ELEMENTRAC CS-i采用高频感应燃烧法能够对陶瓷样品中的碳含量进行精准测量。ELEMENTRAC ONH-p采用惰性保护气氛熔融技术对陶瓷制品中的氧氮氢元素进行精准可靠的测量。热重分析仪TGA Thermostep由可编程炉连内置天平，加热称重在同一台仪器上完成，大大简化了人工操作，能够一次测量出陶瓷样品的水分、灰分、挥发分。n 陶瓷制品的热处理工艺陶瓷粉末注射成型（CIM）是一种新型陶瓷成型技术，在成型形状复杂的零件和精确控制零件尺寸上有着其他工艺无可比拟的优势。陶瓷注射成型的整个过程主要包括原材料的混合，喂料的注射成型，生胚的排胶和烧结。在CIM工艺过程中，排胶过程最重要的使温度缓慢上升，大量的粘结剂才会析出。CarboliteGero（卡博莱特盖罗）热壁炉——GLO系列，能满足此应用。其加热元件位于炉膛外侧，整个炉膛相当于一个容器。加热元件直接加热炉膛外侧，并向内传导热量，整个炉膛壁是热的，所以叫做热壁炉，也可选配带氢气供气系统的全自动控制系统。退火炉GLO 烧结是CIM工件成形前的最后一个工艺，是一个把粉状物料转变为致密体的传统工艺过程。还有一种工艺是排胶和烧结使用同一台炉子，这样的炉子我们称之为“排胶烧结一体炉”。HTK陶瓷纤维炉，是排胶烧结一体炉，能够在空气环境下排胶和烧结，最高温度2200°C。排胶烧结一体炉HTKn 陶瓷粉末的粒度粒形分析陶瓷粉末注射成型（CIM）对粉末特殊的要求，以使喂料在达到高装载量的同时满足一定的流动性。较理想的粉末一般要求散装密度高、无团聚、颗粒形状为球形、平均粒径小、颗粒内全致密无内孔等。Retsch Technology（莱驰科技）干湿两用多功能粒径及形态分析仪CAMSIZER X2能够满足CIM工艺对陶瓷粉末粒度粒形的检测需求。采用所见即所得的双镜头（CCD）专利技术，能够对陶瓷颗粒的粒径、球形度、纵横比、对称性等粒径粒形参数进行测量与分析。干湿两用多功能粒径及形态分析仪CAMSIZER X2

3月5日，北方华创在互动平台表示，公司半导体设备均为100%自主研发，零部件来自全球供应商。作为A股半导体设备龙头，北方华创的主要产品包括集成电路刻蚀机、PVD、CVD、ALD、清洗机、立式炉、外延炉等，上述设备在先进工艺验证方面取得阶段性成果，部分工艺完成验证；成熟工艺设备在新工艺拓展方面继续突破，新工艺应用产品相继进入客户产线验证或量产，不断收获重复采购订单；光伏单晶炉、负压扩散炉、PECVD大尺寸、大产能产品相继研发完成，推向市场，受下游客户需求拉动，光伏设备业务实现快速增长；碳化硅（SiC）长晶炉、刻蚀机、PVD、PECVD等第三代半导体设备均已开始批量供应市场。受益产品线多路并举，北方华创去年也取得了可观的业绩。根据北方华创发布的2020年业绩预告，归属上市公司股东的净利润为4.6亿元-5.8亿元，同比增长48.85%-87.68%。北方华创表示，2020 年度，公司主营业务下游客户需求旺盛，同时公司积极应对新冠肺炎疫情影响及时复工复产，使公司生产运营及订单交付得以正常进行。随着北方华创经营业绩持续向好，其也在不断地扩大竞争优势和产能。据了解，北方华创高端集成电路装备研发及产业化项目在春节期间不停工，该项目预计今年6月初全部竣工，建设完成后，将具备年产刻蚀机、PVD、退火炉、立式炉、清洗机等设备150台以上的能力。

成立于2022年的华鑫微纳集成电路有限公司在安徽蚌埠正如火如荼的建设着8寸MEMS晶圆生产线，项目总投资高达50.6亿元，用于生产厂房、动力厂房、仓库等的建设，MEMS生产制造设备、公用设备等的采购，项目实施后将达到月产3万片晶圆的规模，在行业内颇具竞争力。就在近日，中国仪器进出口集团有限公司就华鑫微纳仪器采购发布相关招标信息。截至目前不完全统计，此次采购仪器设备数量达88台/套，种类达49种，涉及多个工艺段的建设，有显影机、金属刻蚀机等工艺设备，也有如套壳检测仪、膜厚检测仪等检测仪器，具体详情如下：序号采购项目数量招标状态截止时间项目详情0709-244035614017蒸发台3套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/07匀喷一体机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF18/01匀胶机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/06原位掺杂多晶硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02有机去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02氧化清洗湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/03压膜机1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/05线宽测试仪(非金属）3台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/06线宽测试仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/01显影机2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/04外延层厚度检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614005贴膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF18/04套刻检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/04探针台5台招标中2024/6/3 10:00详情0709-244035614024台阶仪2套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF20/01四探针测试仪3台招标中2024/5/27 9:00详情4197-2440HXWN0001/01刷片机3台 招标中2024/5/30 9:00详情0664-2440SUMECF18/03扫描电镜1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/05缺陷检测仪1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF28/07喷胶机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF28/03膜厚检测仪2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02硫酸去胶湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614023离子束刻蚀机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/02快速退火炉1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/06颗粒度检测仪5台招标中2024/6/7 10:00详情0709-244035614019金属溅射机3套招标中2024/5/30 9:30详情07009-244035614006揭膜机2台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614016键合对准机1套招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614020减薄机2套招标中2024/5/29 9:30详情07009-244035614004化学机械抛光系统1台招标中2024/5/31 9:30详情0709-244035614025多靶溅射机1套招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/06低应力氮化硅生长炉1台招标中2024/6/3 10:00详情07009-244035614003大束流离子注入机1台招标中2024/5/31 9:30详情0664-2440SUMECF28/01剥离机1台招标中2024/6/3 10:00详情0664-2440SUMECF20/02标准清洗湿台2台招标中2024/5/27 9:00详情0709-244035614009UV固胶机1套招标中2024/5/30 9:30详情0664-2440SUMECF28/05PECVD2台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF20/02BOE湿台1台招标中2024/5/27 9:00详情0664-2440SUMECF18/02AOI设备4台招标中2024/5/27 9:00详情07009-244035614007氧化硅、氮化硅刻蚀机3套中标/详情07009-244035614015外延生长系统2套中标/详情07009-244035614022立式氧化炉2套中标/详情07009-244035614022立式退火炉2套中标/详情07009-244035614022立式合金炉1套中标/详情07009-244035614008金属刻蚀机1套中标/详情07009-244035614012多晶硅、硅刻蚀机1套中标/详情0709-244035614001电镀系统设备1套中标/详情07009-244035614011等离子去胶机5台中标/详情

仪器信息网搜索覆盖了用户找仪器、找厂商、找方案、查资料的全场景需求，每月为用户执行数百万次搜索请求。特有的多模态语义算法，将科学仪器行业碎片化的信息分门别类，为用户打造了一款高质量内容的行业搜索。用户的搜索行为往往最能反馈用户的真实需求和习惯变化。特整理1-9月用户热搜词表，以飨读者。一、1-9月仪器热搜词TOP101、化学分析仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离子色谱6ICP-OES2气相色谱7拉曼new3液相色谱8气质联用new4ICP-MS9分光光度计new5原子吸收10液质new2、 实验室常用设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离心机6氮吹仪2氮气发生器7天平new3马弗炉8氢气发生器new4纯水机9旋转蒸发仪5微波消解仪10研磨机new大部分热搜仪器与“第三次全国土壤普查”涉及仪器相关。土壤普查的理化性状检测对样品前处理、仪器的分析效率及稳定性有较高要求。ICP-OES、ICP-MS、微波消解仪、分光光度计等相关仪器的需求量将是一个爆炸性的增长，此类仪器的用户搜索量也持续走高。3、 生命科学仪器及设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1生物安全柜6生化培养箱2流式细胞仪7核酸提取仪3PCR仪8细胞计数仪4摇床9电泳仪new5二氧化碳培养箱10凝胶成像系统当下疫情常态化、全员核酸检测的普及化，病毒检测与疫苗接种将继续带动生命科学仪器及其周边相关产业的发展。生物安全柜、PCR仪、核酸提取仪等相关仪器热搜仍居高不下。4、 物性测试热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1激光粒度仪6密度计2粘度计7恒温恒湿箱3DSC8硬度计4热重分析仪9熔点仪5流变仪10高低温试验箱激光粒度仪在锂离子电池行业有着广泛的应用需求，随着电池性能提高对原材料的粒度要求不断提高，激光粒度仪发挥着不可替代的作用，同时对粒度测量仪器的重复性、重现性、分辨能力提出了更高的要求。激光粒度仪搜索量连续多月稳居第一。5、 环境监测仪器用户热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1TOC6CO2分析仪new2非甲烷总烃7水质分析仪3高锰酸盐指数8VOCnew4COD9BOD测定仪5氨氮测定仪10烟气分析仪new当下，“双碳”经济在全球正处于蓬勃发展阶段，全球绿色低碳转型的大趋势不可阻挡，全球正迎来一场以绿色低碳为特征的产业和技术变革。实施双碳目标，对于中国的发展既是机遇，也是挑战，对中国的经济结构、能源结构、生产和消费方式等方面产生广泛与深远的影响。CO2分析仪、烟气分析仪等相关仪器搜索量增长较快。6、 光学仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1扫描电镜6折光仪new2原子力显微镜7金相显微镜3浊度仪8荧光显微镜new4旋光仪9电子显微镜new5透射电镜new10生物显微镜new电子显微镜是人类探知微观世界最有力的工具，广泛应用于科学研究及工业检测，在材料、半导体、医学、生物、冶金等领域有不可替代的作用。近年来，随着全球对生命科学、材料研究的探索和研究持续深入，以及对半导体需求不断扩大等，全球电子显微镜行业市场规模呈现不断增长趋势。7、 半导体行业专用仪器TOP10TOP热搜词TOP热搜词1光刻机6CVD2磁控溅射7ALD3探针台8快速退火炉4匀胶机9激光直写5四探针测试仪10薄膜应力测试仪全球工业智能化、数字化转型发展，拉动处理器中半导体数量的增加和高价值芯片的迭代，持续推动半导体产业发展。半导体相关的热搜词呈现快速增长趋势。仪器信息网8月新增设半导体行业专用仪器分类，供采购用户快速选型，同时欢迎更多优质厂商入驻。二、1-9月消耗品热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1气相色谱柱6六通阀2液相色谱柱7紫外灯new3标准物质8枪头new4固相萃取柱9离心管5吸头new10减压阀new三、1-9月厂商热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1安捷伦6布鲁克2赛默飞7莱伯泰科3岛津8谱育new4沃特世9梅特勒5珀金埃尔默10耶拿new四、1-9月行业相关热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1土壤六价铬6微塑料new2化妆品7双碳new3药典8农药残留4土壤普查new9兽残5锂电池10生活饮用水本次行业热搜词新增的“微塑料”作为一种新型环境污染物，目前相关研究如火如荼，但是对其科学客观评判迫切需要建立标准化的分析测试方法和生态健康风险评估技术。近年来发展的微塑料检测方法主要有傅立叶红外光谱法（FT-IR）、拉曼光谱法、热裂解气质联用法（Pyr-GCMS）以及其他方法等，大大提高了微塑料定量分析的准确性。扫码，搜一搜！

仪器信息网搜索覆盖了用户找仪器、找厂商、找方案、查资料的全场景需求，每月为用户执行数百万次搜索请求。特有的多模态语义算法，将科学仪器行业碎片化的信息分门别类，为用户打造了一款高质量内容的行业搜索。用户的搜索行为往往最能反馈用户的真实需求和习惯变化。特整理2022年用户热搜词表，以飨读者。一、2022年全站搜索数据一览图1：2020-2022年用户总搜索量2020-2022年，仪器信息网用户搜索量持续增长。2022年，搜索不断优化算法、优化交互页面，改善用户体验，用户搜索量同比2021年增长58%，再次刷新搜索记录！图2：移动端用户搜索量变化趋势2017年仪器信息网推出科学仪器行业首款工具型APP，截止2022年底，装机量已达66万，并以1万/月的速度增长。随着用户的移动转型，移动端搜索量将迎来持续性、爆发性增长。二、2022年仪器热搜词TOP101、化学分析仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离子色谱6ICP-OES2气相色谱7拉曼new3液相色谱8紫外分光光度计4ICP-MS9气质联用new5原子吸收10液质2、实验室常用设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离心机6氮吹仪2氮气发生器7旋转蒸发仪3马弗炉8洗瓶机4微波消解仪9天平5纯水机10研磨机自2022年3月国务院发布开展第三次全国土壤普查的通知以来，各省市按照“一年试点、两年铺开、一年收尾”的时间安排进度陆续开展土壤普查试点工作，相关单位也迅速响应建项采购，土壤普查项目迎来采购热潮。本次土壤普查中智能化的前处理设备、等离子体质谱、等离子体光谱、实验室信息管理系统等需求量将有所加大，相关词汇的用户搜索量持续增长！自10月起，财政贴息贷款政策利好消息推动国内高校、科研院所纷纷启动仪器设备更新改造工作，我国科学仪器行业迎来一波仪器采购大潮。仪器信息网观察发现，高校拟采购的分析仪器中质谱仪器广受关注，例如ICPMS、气质联用、液质联用等搜索热度较高，且飞行时间质谱、高分辨质谱的搜索量增长速度较快！另，微塑料作为四大新污染物之一，鉴于微塑料的危害性，越来越多单位已经开始布局研究，相继着手相关仪器及项目服务的采购。据不完全统计，2022 年来已经有数十项微塑料相关的招中标信息，涉及拉曼光谱、气质联用、红外光谱、扫描电镜等多类别的仪器设备。3、生命科学仪器及设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1酶标仪6超低温冰箱2流式细胞仪7生化培养箱3生物安全柜8核酸提取仪4PCR仪9高内涵成像5摇床10电泳仪新型冠状病毒（2019-nCoV）全球范围内大规模爆发，使“核酸检测”进入了公共视野。在全球新冠诊断标准中，基于荧光定量PCR的核酸检测是 “金标准”。伴随PCR一同火出圈的还有另一关键设备--核酸提取仪，它是应用配套的核酸提取试剂来自动完成样本核酸提取工作的仪器。在核酸检测过程中，核酸提取作为前处理，对最终分析结果的准确性起到重要作用。4、物性测试热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1激光粒度仪6密度计2粘度计7硬度计3DSC8恒温恒湿箱4热重分析仪9高低温试验箱5流变仪10熔点仪new激光粒度仪在锂离子电池行业有着广泛的应用需求，随着电池性能提高对原材料的粒度要求不断提高，激光粒度仪发挥着不可替代的作用，同时对粒度测量仪器的重复性、重现性、分辨能力提出了更高的要求。激光粒度仪搜索量连续多月稳居第一。5、环境监测仪器用户热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1TOC6水质分析仪2非甲烷总烃7CO2分析仪new3高锰酸盐指数8烟气分析仪new4COD9大气采样器5VOC10BOD测定仪2022年3月15日，国家市场监督管理总局（国家标准化管理委员会）批准了新版《生活饮用水卫生标准》（GB5749-2022），该标准将于2023年4月1日起正式施行，全部代替现行的GB5749-2006。水质检测指标由106项调整为97项，包括43项常规指标和54项扩展指标，附录中还有55项参考指标。其中，挥发性有机化合物VOCs指标有35个、半发性有机化合物SVOCs指标有42个、臭味物质指标有2个。COD、VOC、水质分析仪、BOD等相关搜索量热度居高不下。另，当下，“双碳”经济在全球正处于蓬勃发展阶段，全球绿色低碳转型的大趋势不可阻挡，全球正迎来一场以绿色低碳为特征的产业和技术变革。实施双碳目标，对于中国的发展既是机遇，也是挑战，对中国的经济结构、能源结构、生产和消费方式等方面产生广泛与深远的影响。CO2分析仪、烟气分析仪等相关仪器搜索量增长较快。6、光学仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1扫描电镜6旋光仪new2原子力显微镜7金相显微镜3电子显微镜8荧光显微镜new4浊度仪9高光谱new5透射电镜new10生物显微镜new电子显微镜是人类探知微观世界最有力的工具，广泛应用于科学研究及工业检测，在材料、半导体、医学、生物、冶金等领域有不可替代的作用。近五年来，在国家政策支持下，中国电镜产业化发展之路上多点开花，电镜、电镜功能附件装置与设备、电镜制样等方面不断有新的产业化技术涌现。其中不仅包含扫描透射电镜、场发射扫描电镜、聚焦离子束显微镜、透射电镜原位研究系统等重要技术的商品化，也不乏场发射枪、高压电源、光阑等电镜关键部件的攻克。7、半导体行业专用仪器TOP10TOP热搜词TOP热搜词1光刻机6ALD2匀胶机7CVD3探针台8退火炉4磁控溅射9激光直写5四探针测试仪10薄膜应力测试仪全球工业智能化、数字化转型发展，拉动处理器中半导体数量的增加和高价值芯片的迭代，持续推动半导体产业发展。半导体相关的热搜词呈现快速增长趋势。仪器信息网8月新增设半导体行业专用仪器分类，供采购用户快速选型，同时欢迎更多优质厂商入驻。三、2022年消耗品热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1固相萃取柱6离子色谱柱2吸头7进样针3六通阀8层析柱4紫外灯9容量瓶5离心管10石墨管四、2022年厂商热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1安捷伦6沃特世2赛默飞7谱育3岛津8梅特勒4珀金埃尔默9耶拿5布鲁克10 莱伯泰科new五、2022年行业相关热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1土壤普查new6微塑料new2化妆品7双碳new3中药8农药残留4药典9生活饮用水5锂电池10 贴息贷款new2022年转瞬即逝，我国陆续出台了一系列利好科学仪器行业发展的重磅政策，例如“十四五”规划、“双碳”战略、土壤普查、贴息贷款等等，对于科学仪器行业厂商来说，既是机遇，又是挑战！为了帮助企业、用户能够快速对接，2022年底，搜索栏目上线了新功能——超级品牌专区，位于PC和移动端搜索结果首屏，以超大黄金位置展示，融合巨幅背景，文字、产品等信息，全方位向用户展示企业品牌、行业方案，将最为精华的品牌信息展现在用户面前，使用户更便捷的了解品牌信息，显著提升企业品牌推广效能，占领用户心智。详情可联系企业的营销顾问，咨询服务与报价。扫码，搜一搜！

退火——在冶金学中很常见——将金属或合金加热到设定温度，保持该温度，然后将金属冷却到室温，以改善材料的物理性质，有时还改善材料的化学性质。退火材料倾向于采用同质状态并容易组装成三维 (3D) 或二维 (2D) 晶体。人们可以通过原子力显微镜 (AFM)、X 射线衍射 (XRD) 或电子显微镜 (EM) 轻松地观察到这种规则堆积。退火是否对生物大分子，尤其是蛋白质表现出类似的影响，是一个迷人的科学问题。2022年2月22日，上海科技大学沈庆涛研究员团队等在PNAS发表题为Annealing synchronizes the 70S ribosome into a minimum-energy conformation的研究论文，将退火技术引入冷冻电镜解析蛋白质结构，在模拟退火中引入了一个类似的概念，以预测生物大分子的最小能量构象。通过实验验证，在自由能分析中，以快速冷却速率退火可以将 70 S核糖体同步到具有最小能量的非旋转状态。此结果不仅提供了一种简单而可靠的方法来稳定蛋白质以进行高分辨率结构分析，而且有助于理解蛋白质折叠和温度适应。与金属和有机聚合物不同，蛋白质和蛋白质复合物通常是由化学上不同的亚基以不同的几何形状结合在一起的离散实体。这种显着的结构异质性阻碍了通过 AFM 或 XRD 直接确定结构。相比之下，cryo-EM 分辨率的最新进展为在单分子水平上获得高分辨率蛋白质结构提供了绝佳机会。通过使用冷冻电镜比较退火前后的详细结构，可以获得退火影响蛋白质构象的直接实验证据。退火提高了局部分辨率研究中，选择来自大肠杆菌的载脂蛋白状态 70 S核糖体作为模型，其中 30 S亚基经历热驱动的亚基间旋转并表现出显着的结构灵活性以及明显的自由能。在 0°C 下将纯化的脱基态 70 S核糖体培养 5 分钟，然后立即将核糖体快速冷冻以进行低温 EM 分析，这可能保留了与玻璃化之前相同的构象（描绘为未退火状态）。筛选了收集到的 70 S核糖体颗粒通过 2D 和 3D 分类丢弃明显的垃圾和拆卸的核糖体。根据金标准傅里叶壳相关性，从 200,000 个随机选择的粒子中重建得到最终分辨率为 2.6 Å 的结构。由于缺乏稳定因素，例如信使 (mRNA) 和转移 RNA (tRNA)，对未退火的 70 S核糖体的局部分辨率估计表明，在 2.6 至 7.2 埃范围内的整个密度图上存在可变分辨率（图 1A )。相对于 50 S亚基，30 S亚基——尤其是它的头部结构域——没有得到很好的解析，这在其他脱辅基态核糖体中很常见。图1 退火提高了 70 S核糖体的局部分辨率为了量化不同区域的分辨率变化，通过平均选定区域内的局部分辨率值来计算局部分辨率。分析表明，50 S亚基的平均局部分辨率为 3.1 Å，而 30 S亚基的分辨率要低得多——只有 5.2 Å。此外，30 S头域的分辨率更低——平均分辨率为 6.1 Å（图 1 B ）。50 S和 30 S亚基之间的亚基间棘轮是分辨率差的主要原因；30 S的亚基内漩涡亚基是次要的，这会降低头部域的分辨率。为简单起见，使用 30 S亚基的局部分辨率作为标记来监测退火对 70 S核糖体的影响。未退火的、加热的和退火的核糖体结构变化退火使柔性区域稳定退火诱导的分辨率改善在整个 70 S核糖体中并不均匀。相对于 30 S亚基的 1.5-Å 分辨率提高，良好分辨的 50 S亚基在退火后仅提高了 0.3 Å（即从 3.1 Å 值到 2.8 Å 值）（图 1 B ） . 因此，退火对具有更大结构灵活性的低分辨率区域特别有益。为了进一步验证这一推论，我们对未退火和退火 70 S之间相同子区域的平均局部分辨率进行了综合统计分析核糖体。例如，退火将不同区域的平均局部分辨率提高到 0.1、0.6、0.8、1.2 和 2.0 Å 的水平；未退火核糖体中相应区域的局部分辨率范围为 2.5 至 3.0、3.0 至 3.5、4.0 至 4.5、5.0 至 5.5 和 5.5 至 6.0 Å（图 2 A ） 。指数曲线与数据非常吻合，表明未退火的 70 S核糖体具有更大的灵活性，对应于退火后局部分辨率的更大提高。图 2 退火稳定了 70 S核糖体的柔性区域讨论不限于金属、合金或半导体，我们通过实验证明退火还可以使 70 S核糖体同步到具有窄构象分布的最小能量状态（图 3）。核糖体/核小体的结晶具有类似退火的处理，其中研究人员通常将核糖体/核小体加热到 37 °C 和 55 °C 之间，然后将它们降低到室温 (19 °C)。对 70 S核糖体进行严格退火以进行结晶将有助于探索退火对 70 S核糖体的物理和化学影响，如在冶金学中。除了 70 S核糖体，在其他生物大分子上退火，特别是那些具有动态结构的大分子，将有助于验证该方法的普遍性。图3 模型说明退火可以使核糖体同步到最小能量状态并提高局部分辨率。显示了自由能曲线（实线）和粒子分布概率（浅绿色峰）。结构灵活性虽然对蛋白质功能至关重要，但阻碍了研究人员应用结构研究在分子水平上阐明功能的能力。持续的努力——例如关键残基的突变，引入额外的二硫键，添加抗体/结合蛋白 ，或在溶液中或甘油内交联/葡萄糖梯度——对于优化样品以提高结构稳定性很有用。然而，这样的努力耗时且缺乏明确的方向，最终的结构仅限于固定状态，有时甚至会在额外的操作后发生扭曲。退火——适当加热和冷却的组合——对蛋白质没有破坏性，是一种简便而可靠的高分辨率冷冻电镜方法。有趣的是，与通过戊二醛交联的 70 S核糖体相比，退火提高了 50 S和 30 S亚基的局部分辨率。研究人员还尝试通过在低温 EM 图像处理期间对柔性区域进行局部细化来提高局部分辨率。我们对未退火和退火核糖体的灵活 30 S亚基进行了局部改进。在局部细化后，未退火核糖体的 30 S亚基的平均局部分辨率提高了 ~1 Å，达到 4.2 Å。与通过退火提高分辨率不同，局部细化本身仍然导致 30 S亚基头部域的平均分辨率不足 5.5 Å 。显然，退火和局部细化通过不同的机制提高了局部分辨率。退火可以将生物大分子驱动到最小能量状态，并且无论区域大小如何，都可以全局提高整个地图的分辨率。作为对照，局部细化在算法级别上起作用，并且仅适用于大小合理的区域。当我们对退火核糖体应用局部细化时，30 S亚基的主体和头部结构域分别提高到 2.9 和 3.9 Å。这表明退火与柔性区域的局部细化兼容，并且可以进一步优化局部分辨率以进行详细的结构分析。可以使用退火将蛋白质同步到最低能量状态，这可能有利于许多单分子方法，例如光镊和单分子荧光共振能量转移 。人们还可以使用退火来研究温度适应和蛋白质折叠，并促进分子动力学模拟中的算法开发。因此，研究人员应彻底研究退火机制并进一步优化退火条件以提高分辨率。本研究由国家重点研发计划项目2017YFA0504800（Q.-TS）、2021YFF1200403（Q.-TS）和2018YFC1406700（Q.-TS）和国家自然科学基金项目31870743（Q. .-TS）等支持。论文链接：https://www.pnas.org/content/119/8/e2111231119#sec-6

Argonaute 蛋白的特点是高效的指导 DNA/RNA 定向结合目标核酸。 2022年2月22日，河北科技大学韩春雨团队在预印版bioRxiv 在线发表未经同行评审的题为“Introducing an argonaute-facilitated PCR platform”的研究论文，该研究设计了一个 argonaute 促进的 PCR 平台，利用源自 Mesorhizobium japonicum的 argonaute (MejAgo) ，该平台不携带核酸酶活性并在结合时暴露引导 DNA 的 3' 端。 MejAgo-PCR 平台的每个反应循环都由变性步骤和聚合酶介导的延伸步骤组成，省略了传统 PCR 所需的退火步骤。更重要的是，MejAgo-PCR 可以显著提高 PCR 在模板检测中的灵敏度，这是由于向导 DNA/引物和模板之间的 argonaute 促进配对。因此，argonaute 促进的 PCR 具有发展为具有更高灵敏度和效率的PCR 平台的潜力。另外，2022年1月21日，河北科技大学韩春雨团队在Nucleic Acids Research（IF=17）在线发表题为“A Cas6-based RNA tracking platform functioning in a fluorescence-activation mode ”的研究论文，该研究利用这一特性设计了一个基于 Cas6 的开关平台，用于在体内检测目标 RNA。将split-Venus片段与内切核糖核酸酶突变的大肠杆菌 Cas6 (dEcCas6) 的两端结合，允许配体 (CBS) 激活分split-Venus互补。该研究将此平台命名为基于 Cas6 的荧光互补 (Cas6FC)。在活细胞中，Cas6FC 可以检测几乎没有背景噪声的目标 RNA。此外，只要在感兴趣的 RNA 中标记一个 CBS (29nt) 副本，就能够打开 Cas6FC 荧光，这大大降低了目标 RNA 构象和定位的潜在改变的可能性。因此，该研究开发了一种新的 RNA 跟踪平台，其固有地具有高灵敏度和特异性聚合酶链式反应（PCR）的发明极大推进了现代生物学研究。此外，鉴于测试追踪和隔离策略 (TETRIS/TTI) 是迄今为止控制传染病的最有效方法，PCR 已广泛用于医疗保健服务。一个明显的例子是在当前 COVID-19 大流行中使用 PCR 检测受感染但无症状的个体。尽管出现了许多核酸检测新技术，但世界卫生组织建议，基于定量 PCR (qPCR) 的检测平台仍被认为是 COVID-19 检测的黄金标准。核酸扩增是包括传统PCR在内的所有已开发的核酸检测系统的基础。也不例外，最近开发的SHERLOCK系统利用了重组酶-聚合酶扩增 (RPA)。因此，某个检测系统的灵敏度取决于其依赖扩增策略的灵敏度。从这个意义上说，虽然 SHERLOCK 系统具有混杂 RNAse 活性的“附带效应”，但最初的 RPA 促进的扩增决定了随后的 Cas13a 介导的二级信号放大的可靠性。因此，如果目标模板的滴度低于 RPA 灵敏度的阈值，则 SHERLOCK 声称的优势是不存在的。传统的 PCR 是一种异热反应，使用重复的加热和冷却循环来复制特定区域的 DNA。相比之下，等温扩增发生在稳定的温度下，这显然具有无需设备、省时和便携的许多优点。RPA 促进的 PCR 是一种等温反应，其中 UvsX 重组酶携带引物并促进其与双链 DNA (dsDNA) 模板的配对。RPA 采用重组酶-引物复合物扫描双链 DNA 并促进同源位点的链交换，省去了传统 PCR 所需的高温变性过程，从而可以进行等温扩增。然而，RPA 平台还需要单链 DNA 结合蛋白，该蛋白相互作用并防止移位的模板链通过分支迁移弹出引物。此外，重组酶反应需要 ATP 的存在用于能量输入。此外，重组是一个复杂的过程，其机制尚未完全解决。因此，对于用于 RPA 平台的引物的优化，尚未建立明确的规则。因此，在应用RPA时，不可避免地需要额外的引物筛选过程，这显然是费力的。无论扩增过程是异温还是等温，引物与模板的结合是扩增的第一步，结合的效果决定了后续扩增的灵敏度。传统PCR的引物-模板配对过程完全依赖于引物和模板之间的随机物理相互作用。在这种依赖热力学定律的系统中，增加引物浓度肯定会提高与模板配对的效率。然而，由于引物之间以及引物和模板之间的非特异性错配，必须考虑对准确性的权衡影响。Argonaute 蛋白可以高效地引导 DNA/RNA 定向结合到靶核酸。对argonaute促进靶向机制的研究表明，argonaute蛋白可以加速引导与靶核酸的结合。在这项研究中，证明了源自Mesorhizobium japonicum的 argonaute (MejAgo) 可用于增强引物-模板配对。借助此功能，MejAgo 促进的 PCR 系统可以提高核酸检测的灵敏度。参考消息：https://www.biorxiv.org/content/10.1101/2022.02.22.481407v1

仪器信息网搜索覆盖了用户找仪器、找厂商、找方案、查资料的全场景需求，每月为用户执行数百万次搜索请求。搜索采用了信息检索领域最经典的算法模型，结合科学仪器行业特性，推出依存关系+概率偏好模型相结合的动态语义模板，将科学仪器行业碎片化的信息分门别类，根据搜索词的词性为用户优先推荐不同类型的内容，为用户打造了一款高质量内容的行业搜索！2023上半年，仪器信息网的用户搜索量增长40%，而用户的搜索行为往往最能反馈用户的真实需求和习惯变化。特整理2023半年度用户热搜词表，以飨读者。一、2023年H1仪器热搜词TOP101、化学分析仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离子色谱6ICP-OES2气相色谱7GC-MSnew3液相色谱8红外光谱new4原子吸收9液质联用5ICP-MS10XRFnewGB/T 5750-2023《生活饮用水标准检验方法》系列标准将于2023年10月1日起正式实施。特别值得关注的是，在2023版新标准增加的水质检测方法中，以质谱技术相关的方法居多，涉及质谱技术的检测方法由2006版旧标准的3个增加至本次的28个。其中气相色谱质谱法由原有的2个增至14个，新增1个气相色谱串联质谱法、1个液相色谱质谱法，同时增加了11个液相色谱串联质谱法。2、实验室常用设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1离心机6天平2纯水机7旋转蒸发仪3马弗炉8洗瓶机4微波消解仪9氮吹仪new5氮气发生器10磁力搅拌器new微波消解技术具有省时、省酸、安全、污染⼩以及损失少、空白值低、易实现⾃动监控等独特优点，已经⼴泛应用于⻝品、环境样品、⼈体及动物样品、农产品、中草药样品、纺织品、合金、化妆品以及矿物质样品中的重⾦属元素的分析，尤其是在易挥发元素的分析检测中更具有优势。能够与之配合使⽤的分析仪器也很⼴泛，它可适⽤于原⼦吸收光谱（AAS）、原⼦发射光谱（ICP-AES）、原⼦荧光（AFS）、等离⼦体质谱（ICP-MS）等仪器分析⽅法的样品前处理。3、生命科学仪器及设备热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1酶标仪new6细胞计数仪2流式细胞仪7生化培养箱3生物安全柜8二氧化碳培养箱new4摇床9分子互作仪5PCR10核酸提取仪new在制药企业、医院以及生命科学实验室研发投入持续加大的带动下，中国生物安全柜市场呈现强劲的增长趋势。研究表明，中国生物安全柜市场从2016年的0.66亿美元增长到2021年的1.57亿美元，保持18.7%年均复合增长率，预计在2026年和2030年分别达到3.29亿美元和4.62亿美元，年均复合增长率分别为16.0%和8.8%。从市场规模看，中国是全球最大的市场，也是最大的单一市场国家。从增长速度维度看，中国市场也保持明显的领先优势。4、物性测试热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1粘度计6恒温恒湿箱2激光粒度仪7熔点仪3流变仪8热重分析仪4DSC9 试验机new5密度计10硬度计流变仪是一种测量浆液或液体流动方式的设备，特别是对于无法通过单一粘度测量来描述的流体，流变仪可用于测量流体的流变性。流变仪广泛应用于食品、饮料、油漆、涂料、聚合物、医药、化妆品、石油化工等领域。预计2021-2027年间全球流变仪市场复合年增长率约为4%。中国是世界上最大的工业设备制造商和消费国之一，预计占东亚流变仪销售额的近40%。由于国内工业化加快以及国内对精密工业设备部门的投资，预计2021-2031年间，国内流变仪的市场规模将以12%的复合年增长率增长。5、环境监测仪器用户热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1TOC6非甲烷总烃new2COD7烟气分析仪new3红外测油仪8BODnew4水质分析仪9VOC5高锰酸盐指数new10气体分析仪new总有机碳(TOC)是以碳的含量表示水中有机物的总量，结果以碳(C)的质量浓度(mg/L)表示。碳是一切有机物的共同成分，组成有机物的主要元素，水的TOC值越高，说明水中有机物含量越高。TOC分析技术已广泛应用于水污染检测，为水污染防治提供可靠的数据参考。6、光学仪器热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1扫描电镜6色差仪new2原子力显微镜7折光仪new3浊度仪8透射电镜new4金相显微镜9荧光显微镜5旋光仪10生物显微镜new国家药典委员会发布“关于扫描电子显微镜法通则草案的公示”，表示拟制定扫描电子显微镜法通则，并将拟增订的标准公示征求社会各界意见，扫描电镜将首次写入《中国药典》 通则草案公示7月截止。7、半导体行业专用仪器TOP10TOP热搜词TOP热搜词1匀胶机6划片机2光刻机new7CVDnew3探针台8PVDnew4原子层沉积new9湿法刻蚀设备new5退火炉10涂胶显影设备new半导体产业作为现代信息技术产业的基础，已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业，是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分；伴随着全球科技逐渐进步，全球范围内半导体产业规模基本都保持着持续扩张态势。基于此，仪器信息网联合电子工业出版社于四、五月组织了“半导体主题月”活动，围绕半导体行业用户关注的热点话题组织了系列活动。二、2023年H1消耗品热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1气相色谱柱6离子色谱柱new2标准物质7离心管3液相色谱柱8固相萃取柱4培养基new9减压阀new5六通阀new10容量瓶三、2023年H1厂商热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1赛默飞6梅特勒2安捷伦7沃特世3岛津8耶拿4珀金埃尔默9莱伯泰科5布鲁克10北分瑞利new四、2023年H1行业相关热搜词TOP10TOP热搜词TOP热搜词1生活饮用水6化妆品new2锂电池7药典new3微塑料8中药4土壤三普9实验室安全new5新污染物new10生物制药《生活饮用水卫生标准》、《生活饮用水标准检验方法》两个重量级标准的修订势必会对生活饮用水检测和相关的仪器市场产生积极的影响。标准中新增的检测项目和更高效的检测方法，大多依托于科学仪器，在2023年10月1日，标准正式实施前，仪器市场将必然会迎来一波扩项采购潮，其中，用于新增加的仪器方法尤为突出，如检测氰化物、氨（以N计）等指标的流动注射分析仪、检测不同价态金属和类金属的液相色谱-原子荧光联用仪等，将是热点采购仪器。十四五以来，环境领域相关的规划、政策、标准层出不穷，国家在水、土、气等方面纷纷布局，市场机遇和挑战并存。新污染物是指排放或可能排放到环境的，具有生物毒性、环境持久性、生物累积性等特征，对生态环境或人体健康存在风险，但尚未纳入管理或者现有管理措施不足以有效防控其风险的污染物。目前国内外广泛关注的新污染物主要包括国际公约管控的持久性有机污染物、内分泌干扰物、抗生素和微塑料四大类，其主要来源是有毒有害化学物质的生产和使用。 百万用户找厂商、找仪器、找方案的首选工具——仪器信息网搜索

2020年12月29日，华为数字能源产品线产业暨技术论坛在深圳成功召开，其中在30日的车载电源分论坛 “聚力高压化发展，共擎电动化未来”，吸引了新能源汽车行业上百位技术专家、企业代表、生态伙伴的参与。论坛上来自于行业组织、桩企头部企业、车企等代表就高压快充的发展趋势和未来机遇进行了较为深入的探讨。会议上，华为车载电源产品线总裁王超介绍了中国新能源汽车的超级快充趋势，并表示，预计2024年左右，基于1200V和1700V碳化硅器件的成熟，会帮助产业在7.5分钟快充体验上实现质的飞跃。碳化硅为第三代半导体的主要代表之一，拥有禁带宽度大、器件极限工作温度高、临界击穿电场强度大、热导率等显著的性能优势，在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎，为众多产业发展打开了全新的应用可能性，被行业寄予厚望。那么，碳化硅究竟是何方神圣呢？性质优良的碳化硅材料碳化硅（SiC）又叫金刚砂，密度是3.2g/cm 3 ，天然碳化硅非常罕见，主要通过人工合成。按晶体结构的不同分类，碳化硅可分为两大类：αSiC和βSiC。在热力学方面，碳化硅硬度在20℃时高达莫氏9.2-9.3，是最硬的物质之一，可以用于切割红宝石；导热率超过金属铜，是Si的3倍、GaAs的8-10倍，且其热稳定性高，在常压下不可能被熔化；在电化学方面，碳化硅具有宽禁带、耐击穿的特点，其禁带宽度是Si的3倍，击穿电场为Si的10倍；且其耐腐蚀性极强，在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。随着碳化硅单晶生长和加工技术的进步，碳化硅单晶抛光片产量在快速增长。碳化硅（SiC）作为发展最为成熟的第三代半导体，是半导体界公认的“一种未来的材料”，是发展第三代半导体产业的关键基础材料。预计在今后 5～10 年将会快速发展和有显著成果出现。碳化硅具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射性能的优点，可以突破硅作为基片的半导体器件性能和能力极限，是电力电子及微波射频器件的“CPU”、绿色经济的“核芯”，在新一代移动通信 、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。碳化硅制备产业链宽禁带半导体晶片和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大致可分为以下几个阶段：晶体生长、晶片加工、器件制备（包括有源层制备、欧姆接触、钝化层沉积等工艺段）、器件封装等。具体的碳化硅功率器件生产过程如下，1.碳化硅高纯粉料合成碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料，其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式，主要有固相法、液相法和气相法3种。其中，固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法；液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法；气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。2.单晶衬底制备单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长，也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前，SiC单晶生长方法有物理气相传输法（PVT法）、液相法（LPE法）、高温化学气相沉积法（HTCVD法）等。3.外延片生长碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。目前，碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。4.功率器件制造采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件，具有耐高温、高频、高效的特性。按照器件工作形式，SiC功率器件主要包括功率二极管和功率开关管。SiC功率器件与硅基功率器件一样，均采用微电子工艺加工而成。碳化硅产业链设备半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，环节设备晶体生长碳化硅粉料合成设备碳化硅单晶生长炉晶体加工碳化硅多线切割机碳化硅研磨机碳化硅抛光机器件制备碳化硅外延炉分步投影光刻机涂胶显影机高温退火炉高温离子注入机溅射设备干法刻蚀机PECVDMOCVD高温氧化炉激光退火设备器件封装背面减薄机划片机国内碳化硅产业链企业目前整个碳化硅产业尚未进入成熟期，但国际厂商已实现多个环节规模量产技术瓶颈的突破，并已摩拳擦掌、即将掀起一场大战，而国内碳化硅产业仍处于起步阶段，与国际水平仍存在差距。不过，近年来国内已初步建立起相对完整的碳化硅产业链体系，IDM厂商中车时代电气、世纪金光、泰科天润、扬杰电子等，单晶衬底企业山东天岳、天科合达、同光晶体等，外延片企业天域半导体、瀚天天成等，部分厂商已取得阶段性进展。单晶衬底方面，目前国内可实现4英寸衬底的商业化生产，山东天岳、天科合达、同光晶体均已完成6英寸衬底的研发，中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。外延片方面，国内瀚天天成和天域半导体均可供应4-6英寸外延片，中电科13所、55所亦均有内部供应的外延片生产部门。器件方面，国内600-3300 V SiC SBD已开始批量应用，有企业研发出1200V/50A SiC MOSFET；泰科天润已建成国内第一条碳化硅器件生产线，SBD产品覆盖600V-3300V的电压范围；中车时代电气的6英寸碳化硅生产线也于今年1月首批芯片试制成功。模块方面，国内已开发出1200V/50-400A全SiC功率模块、600-1200V/100-600A混合SiC功率模块；今年9月18日，厦门芯光润泽国内首条碳化硅 IPM产线正式投产。碳化硅功率器件应用领域碳化硅功率器件不仅能够在直流、交流输电，不间断电源，工业电机等传统工业领域广泛应用，而且在新能源汽车、太阳能光伏、风力发电等领域具有广阔的潜在市场。碳化硅功率器件应用领域可以按电压划分：低压应用（600 V至1.2kV）：高端消费领域（如游戏控制台、等离子和液晶电视等）、商业应用领域（如笔记本电脑、固态照明、智能手机、电子镇流器等）以及其他领域（如医疗、电信、国防等）中压应用（1.2kV至1.7kV）：电动汽车/混合电动汽车（EV/HEV）、太阳能光伏逆变器、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动（交流驱动AC Drive）等。高压应用（2.5kV、3.3kV、4.5kV和6.5kV以上）：风力发电、机车牵引、高压/特高压输变电等。由于能源和环境问题日益凸显，节能环保和低碳发展逐渐成为全球共识。降低能耗、提高能源使用效率是当今世界各国节能减排的重大举措。以碳化硅为代表的宽禁带半导体材料及功率器件被公认将成为电子电力应用的一次革命，受到世界各国政府与产业界的广泛关注和高度重视，将成为增长潜力巨大的战略性产业。碳化硅的检测碳化硅功率器件的生产离不开检测，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。检测环节检测项目衬底检测抛光片几何尺寸、平整度、缺陷、位错、粗糙度、电阻率、金属沾污、有机污染物、显微结构观察、透射电镜、SIMS杂质成分分析外延片检测外延层厚度、成分、杂质、表面缺陷、位错、电阻率、金属沾污、SRP工艺等器件工艺Stepper曝光、掩模版制备、高能离子注入、氢离子注入、ICP干法刻蚀、A及Ti金属镀膜、介质膜钝化及刻蚀、激光退火、高温退火、SiC背面减薄、激光打标、晶圆测试电学参数静态、动态、反向、热阻、雪崩参数、 Data Sheet测试可靠性分析高温贮存、高温反偏、高温栅偏、机械振动、冲击、气密性试验、三综合试验箱等相关试验等失效分析样品制备、X-Ray、热点分析、IV- Curve、EMMI＆ OBRICH、FIB、红外热像、SAM等碳化硅相关标准无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范碳化硅半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下碳化硅标准只统计其作为半导体材料的现行相关标准）合计35项标准，其中国标7项，地方标准2项，联盟标准20项和行业标准6项。标准号标准名称T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法——共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 001—2017碳化硅单晶T/IAWBS 002—2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 003—2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法T/IAWBS 004—2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 005—20186 英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 006—2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 007—20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/CASA001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范T/CASA003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片T/CASA004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语T/CASA004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱T/CASA009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/CASA006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范T/CASA007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范SJ/T 11499-2015碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法SJ/T 11504-2015碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015碳化硅单晶抛光片规范SJ/T 11501-2015碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法DB13/T 5118-20194H 碳化硅 N 型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法GB/T 30867-2014碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法GB/T 10195.1-1997电子设备用压敏电阻器 第2部分:空白详细规范 碳化硅浪涌抑制型压敏电阻器 评定水平E值得注意的是，目前新的《碳化硅单晶抛光片》国家标准正在征求意见，以替代GB/T 30656-2014标准，届时将有一批新的标准出台。国内碳化硅研究现状国内碳化硅半导体材料与国外企业的技术水平相差较大，但与前两代半导体技术不同，国内不少专家认为我国有望在以碳化硅为代表的第三代半导体领域实现弯道超车。《中国制造2025》和“十三五规划”也明确将碳化硅行业定位为重点支持行业。国家电网、中国中车、比亚迪、华为等国内企业也在加大针对碳化硅在智能电网、轨道交通、电动汽车、手机通信芯片等领域应用的投资。国内SiC单晶的研究始发于2000年，主要研究单位有中科院物理研究所、山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中电集团46所等。以相关的技术为基础，能批量生产单晶衬底的公司包括北京天科合达、山东天岳、河北同光等。目前，国内已经生产出6英寸SiC单晶，微管密度和国际产品相当，一定程度上可满足国内半导体器件制备的需求，但我国SiC单晶衬底质量与国际先进水平相比还存在巨大差距。SiC外延材料研发工作开始于“九五计划”，材料生长技术及器件研究均取得较大进展。主要研究单位有中科院半导体研究所、中电集团13所和55所、西安电子科技大学等，产业化公司主要是东莞天域和厦门瀚天天成。目前我国已研制成功6英寸SiC外延晶片，且基本实现商业化。可以满足3.3kV及以下电压等级SiC电力电子器件的研制。不过，还不能满足研制10kV及以上电压等级器件和研制双极型器件的需求。国内近年来西安理工大学、西安电子科技大学微电子所、中科院半导体所、上海硅酸盐所等单位一直坚持不懈进行碳化硅材料及其器件的研究，但从市场上市产品来看，多数为SiC肖特基二极管、其参数大致范围为：击穿电压为600V、1200V、1700V等级别。学术论文一定程度上可以反映出各高校的研究方向和研究水平，以中国知网的相关论文为参考，可以间接反映出国内碳化硅的研发情况。分别以主题为【碳化硅AND功率器件】、【碳化硅AND半导体】以及【碳化硅AND半导体】进行检索，结果如下，知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率器件知网检索：主题=碳化硅AND主题=功率半导体知网检索主题=碳化硅AND主题=半导体从结果来看，西安电子科技大学、电子科技大学和浙江大学遥遥领先，在碳化硅研究领域，成果较多。SiC目前存在的问题尽管碳化硅功率器件应用前景广阔，但是目前受限于价格过高等因素，迄今为止，市场规模并不大，应用范围并不广，主要集中于光伏、电源等领域。在碳化硅单晶材料领域，存在大尺寸碳化硅单晶衬底制备技术仍不成熟；缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术；P型衬底技术的研发较为滞后等问题。在碳化硅外延材料领域，还有N型碳化硅外延生长技术有待进一步提高、P型碳化硅外延技术仍不成熟等问题亟待解决。在碳化硅器件应用领域，存在驱动技术尚不成熟；保护技术尚不完善；电路应用开关模型尚不能全面反映碳化硅功率器件的开关特性，尚不能对碳化硅器件的电路拓扑仿真设计提供准确的指导；电磁兼容问题尚未完全解决；电路拓扑尚不够优化等问题。在碳化硅功率模块领域，存在采用多芯片并联的碳化硅功率模块产生较严重的电磁干扰和额外损耗；在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高；碳化硅功率高温封装技术发展滞后等问题。整体而言，碳化硅作为半导体材料的研发和应用尚处于发展状态，还有许多不足之处。SiC的可能替代材料虽然碳化硅受到的关注度越来越高，在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用，但却并不是终点。以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼等为代表的超宽禁带半导体材料（禁带宽度＞4.5 e V）的研究和应用，近年来不断获得技术的突破，未来有望打造具有更优异性能的功率器件，取代目前碳化硅的地位。氧化镓（Ga2O3）是一种新兴的功率半导体材料，其禁带宽度（4.9eV）大于碳化硅（约3.4eV），在高功率应用领域的应用优势愈加明显。尽管Ga2O3半导体材料具有良好的射频性能以及高功率等许多优势，但同时还具有很多需要克服的障碍。Ga2O3的导热率很低，这在高功率密度应用中尤为凸显。Ga2O3存在的另一个缺点就是缺乏p型掺杂机制，从理论上看，这可能会是一个影响其应用的根本问题。金刚石具有高硬度、超宽带隙、出色的载流子迁移率和优异的导热性能，是实现“后摩尔”时代电子、光电子和量子芯片的基础性材料之一，已是业界公认的“终极”半导体材料。具有如此多优良性能的半导体材料目前正成为国际竞争的新热点。近日，哈尔滨工业大学与香港城市大学、麻省理工学院等单位合作，在金刚石单晶领域取得重大科研突破，首次通过纳米力学新方法，通过超大均匀的弹性应变调控，从根本上改变金刚石的能带结构，为实现下一代金刚石基微电子芯片提供了一种全新的方法。

据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（以下简称“激光退火仪”）已研制成功，可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术刀”一样精准剔除量子芯片中的“瑕疵”，增强量子芯片在向多比特扩展时的性能，从而进一步提升量子芯片的良品率。报道显示，该激光退火仪由合肥本源量子计算科技有限责任公司完全自主研发，可达到百纳米级超高定位精度，对量子芯片中单个量子比特进行局域激光退火，从而定向控制修饰量子比特的频率参数，解决多比特扩展中比特频率拥挤的问题，助力量子芯片向多位数扩展。安徽省量子计算工程研究中心副主任贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以在生产过程中灵活调节多比特超导量子芯片中量子比特的关键参数。同时，该设备还可用于半导体集成电路芯片、材料表面局域改性处理等领域，目前已在国内第一条量子芯片生产线上投入使用。

“紫砂门”事件发生后，九阳股份有限公司在退货上表现很“低调”。　　消费者主动上门才退货　　2008年年底，市民方女士在郑州一卖场购买了一款九阳紫砂煲，因感觉煲汤效果不好，一年多使用不到三次。“紫砂门”事件发生后，方女士不知道家中的九阳紫砂煲应该如何处理了。　　5月28日，抱着试一试的心理，方女士拨通了卖场的服务电话。卖场记录了方女士的联系方式、购买产品信息等情况之后，方女士被告知等待回复。　　5月30日，方女士收到了一条短信，称可到北环路与索凌路向北300米的九阳售后服务点办理退货。方女士说，能够退货，主要是自己主动向商家提出了要求，但相信有不少市民不知道产品可退。她认为九阳股份有限公司在退货上表现得太“低调”，不是诚心为消费者服务，而是尽可能地减少公司的损失。　　律师:商家不公开承诺的做法 对消费者不够公平　　方女士提醒消费者，如果家中购买了九阳紫砂煲，并感觉在使用中效果不好，一定别忘了维护自己的权益，可向商家提出退货要求。　　对未公开承诺退货，九阳股份有限公司400电话工作人员说，九阳紫砂煲虽然不是用百分之百的紫砂，但不含对人体有害的物质，因此只会根据客户的意愿退货。　　河南国基律师事务所律师冯涛说，“紫砂门”事件发生后，九阳股份有限公司应该承担起一个厂家的责任，主动为消费者消除影响。其只对提出要求的消费者退货、未进行公开承诺退货的做法，对消费者有失公平，缺乏企业应有的社会责任感。

近日，德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉（HKZ系列）分别在中国科学院固体物理研究所和南昌大学顺利完成了安装调试。光学浮区法单晶生长工艺具有无需坩埚、无污染、生长快速、易于实时观察晶体生长状态等诸多优点，有利于缩短晶体的研究周期并加快难以生长晶体的研究进展，非常适合晶体生长研究，近年来备受关注，现已被广泛应用于各种超导材料、介电和磁性材料以及其它各种氧化物及金属间化合物的单晶生长。 图1：现场安装培训 图2：现场安装培训 目前，高熔点、易挥发性材料的浮区法单晶生长是一大棘手问题，德国SciDre公司推出的HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉成功地克服了这一技术难题。HKZ可提供高达3000℃以上的生长温度，晶体生长腔大压力可达300bar。HKZ的诞生进一步优化了光学浮区法单晶炉的生长工艺条件，使得高熔点、易挥发性材料的单晶生长成为了可能。图3：德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉技术特色：◆ 能够同时实现高压力300bar大气压（选配）和高温度3000℃（选配）；◆ 能够分别立控制不同气体的流速和流量，能够实现样品生长的气体定速定量混合反应；◆ 在保持灯泡输出功率恒定的情况下，采用调节光阑（shutter）的方式对熔区进行控温，从而能够有效延长灯泡使用寿命；◆ 能够针对不同温度需求采用不同功率的灯泡，从而对灯泡进行有效利用，大化灯泡使用效率和寿命；◆ 拥有丰富的功能选件可进行选择和拓展，包括熔区红外测温选件、高1×10-5mbar的高真空选件、实现氧含量达10-12PPM的气体除杂选件、对长成的单晶可提供高压氧环境退火装置选件。图4：德国SciDre公司HKZ系列高温高压光学浮区法单晶炉原理示意图 Quantum Design 团队在中国科学院固体物理研究所和南昌大学进行的德国SciDre高温高压光学浮区法单晶炉（HKZ系列）的安装调试工作受到了客户和制造商的一致好评。我们也祝愿广大Quantum Design用户科研顺利！