高压浮区法单晶炉

产品简介：DX-100单晶定向仪为单工作台，可满足单晶晶体的定向测量。产品型号DX-100单晶定向仪主要特点1、DX-100单晶定向仪分为上、下机体上机体也叫主机，可以放置在桌面上来使用。主要用于放置被测晶体及进行测量操作。尺寸：695（长）×600（宽）×470（高）mm；下机体也叫电气箱，可放置到距离主机近的地面上。主要用于放置较大的主要电气件。尺寸：650（长）×460（宽）×470（高)mm。2、设备工作台样式晶体要求：适用于尺寸小的样品。样品台描述：带有小托板，及弹簧推进式样品固定装置。晶体要求：适用于稍微大一些的样品。样品台描述：带有小托板，及隔膜气泵吸附功能，可满足晶片及小晶块的吸附测量。并且设备出厂时会待有一个金属垫块，满足稍微大些的晶块测量。※※※因为是单工作台，所以只能任选其中一种。技术参数1、设备综合精度为±30″（以供方提供的标准石英片10ī1面测量）最小读数：10″。2、仪器配置：DX-100型X射线单晶定向仪由机台、管套及各种机械附件组成的机械部分；由稳压器、控制器、高压变压器、放大器、计数器、风冷电机、X射线管及各种指示仪表组成的电气部分构成。（1）X射线发生器部分：X射线管：铜靶，风扇冷却，阳极接地。最大管电压：30KVP，全压合闸。管电流：0—5mA 连续可调，使用2.0mA以上，有可能损坏X光管并加大辐射危害。（2）输入电源：单相交流220V，50Hz，整机总耗电功率不大于0.3 KW 。（3）角度测量范围： 2θ角：－5～+110°θ角:-5～+55°

*产品名称*品牌*产品规格*产品价格M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎9MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎6MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4MMe 1L/瓶1100M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎3Mpe 1L/瓶2200M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1Mpe 1L/瓶2200M型单晶/P型多晶金刚石抛光液德国古莎1/4Mpe 1L/瓶2200Bio DIAMANT系列水基环保抛光液遵循欧洲严格的REACH标准，做到零有机物排放（VOC-Free）和生物友好，非常适合制样实验室使用，无需特殊的排放处理程序。M型单晶金刚石抛光液，精准的粒径分布，高效的抛光能力，轻松的色彩识别配套，可以配合全品类抛光织物使用，是制样实验室最适用的产品品种。M型单晶高效型金刚石磨料悬浮液规格颜色粒度原料：单晶高效型金刚石磨料悬浮液9MMe型红色悬浮液9μm适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛6MMe型黄色悬浮液6μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛3MMe型绿色悬浮液3μm适合需要完美保边和保存夹杂物的制样要求，达成优秀的平整表面的初抛1MMe型蓝色悬浮液1μm适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的最终抛光0.25MMe型灰色悬浮液0.25μm适用于中硬度的最终抛光P型多晶金刚石抛光液，优质的多晶结构配合高密度织物可以快速提高抛光效率，提升制样表面平整度，推荐配合高密度强支撑高平整度抛光布使用。P型单晶高效型金刚石磨料悬浮液原料：多晶快速分散型金刚石磨料适合高硬度和超高硬度样品材质的试样的预抛光和初抛适合硬度高难平整或者有韧性特点的样品材质试样的预抛光和初抛

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为2％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为3％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为8％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为7％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为6％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

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单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为5％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为4％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为9％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为1％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样，5mm x 5mm。可用于检查SEM、LM放大校正图像扭曲度。每10µ m (0.01mm)有一方格。格与格之间分割线大约为1.9µ m宽，由电子束形成。每隔500µ m有一稍宽的分隔线，用于光学显微镜检测。分隔线和方格使用蚀刻法，约2µ m宽200nm深。不同标样均可以安装在单晶硅检测标样上，可对电镜进行内部标定。可根据扫描电镜型号的不同选择标样及所带的样品台。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为1％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为11％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为20％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为20％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

【产品详情】单晶硅校准标样尺寸为5*5mm，厚度为0.5mm。它由10µm尺寸的正方形格子组成，格子线宽约1.9µm，由电子束曝光形成。标样带一条500µm宽度的标记线，这是对光学显微镜观察是非常有用的附加特征。主要用于放大倍率校准和图像校准。待校准样品可以直接粘贴在此标样上，以便在显微镜显示图片中直接进行校准。此单晶硅标样，规格分为带钉型样品台，带JEOL圆柱形样品台，带Hitachi样品台，或未镶嵌在任何样品台上。产品详细价格及资料，请登录电镜耗材在线商城网站查看。

300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅厚度1000-4000 纳米基底材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间铌酸锂单晶薄膜二氧化硅硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅掺镁铌酸锂单晶薄膜铌酸锂基底二氧化硅首页 - 产品300-900纳米钽酸锂单晶薄膜300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向 Y-42, Y-46.3, Z切等材料钽酸锂厚度300-900 纳米埋层材料二氧化硅厚度300-4000 纳米基底材料硅厚度400-500 微米钽酸锂单晶薄膜二氧化硅硅基底5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂、石英薄膜5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂及石英薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向X, Z, Y-42, Y-46.3切等材料钽酸锂、铌酸锂、石英等厚度5-50 微米基底材料硅厚度230-500 微米钽酸锂单晶薄膜硅基底铌酸锂单晶薄膜硅基底石英薄膜硅基底自支持超薄晶片、超平晶片自支持超薄、超平晶片尺寸3, 4 英寸切向X, Y, Z, AT切等厚度10-60 微米材料铌酸锂、钽酸锂、石英、硅等表面双抛或单抛铌酸锂单晶薄膜钽酸锂单晶薄膜石英薄膜特殊定制薄膜特殊定制铌酸锂、钽酸锂、石英薄膜顶层/ 详情基底层顶层薄膜层多层结构图形电极&波导结构异质材料 (二氧化硅/硅,硅, 蓝宝石, 石英等)周期性极化反转铌酸锂PPLN特殊尺寸电极 (金, 铂金,铬, 铝等)切向 (与体材料相同 )掺杂 (镁, 铁, 铒, 铥等)100-1000 纳米铌酸锂√√√√√√√√100-1500 纳米 钽酸锂√√√√√√√5-50 微米铌酸锂√√√√5-50 微米钽酸锂√√√√5-50 微米石英√√√300-900纳米铌酸锂单晶薄膜300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, (6) 英寸切向X, Z, Y切等材料铌酸锂厚度300-900 纳米掺杂（可选）掺镁埋层材料二氧化硅厚度1000-4000 纳米基底材料硅、铌酸锂、石英、熔融石英等厚度400-500 微米电极层（可选）材料铂金，金，铬厚度100-400 纳米位置在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间铌酸锂单晶薄膜二氧化硅硅、铌酸锂、石英或熔融石英基底铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅铌酸锂单晶薄膜金电极或铂金电极铌酸锂基底二氧化硅掺镁铌酸锂单晶薄膜铌酸锂基底二氧化硅首页 - 产品300-900纳米钽酸锂单晶薄膜300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向 Y-42, Y-46.3, Z切等材料钽酸锂厚度300-900 纳米埋层材料二氧化硅厚度300-4000 纳米基底材料硅厚度400-500 微米钽酸锂单晶薄膜二氧化硅硅基底5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂、石英薄膜5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂及石英薄膜顶层器件层尺寸3, 4, 6 英寸切向X, Z, Y-42, Y-46.3切等材料钽酸锂、铌酸锂、石英等厚度5-50 微米基底材料硅厚度230-500 微米钽酸锂单晶薄膜硅基底铌酸锂单晶薄膜硅基底石英薄膜硅基底自支持超薄晶片、超平晶片自支持超薄、超平晶片尺寸3, 4 英寸切向X, Y, Z, AT切等厚度10-60 微米材料铌酸锂、钽酸锂、石英、硅等表面双抛或单抛铌酸锂单晶薄膜钽酸锂单晶薄膜石英薄膜特殊定制薄膜特殊定制铌酸锂、钽酸锂、石英薄膜顶层/ 详情基底层顶层薄膜层多层结构图形电极&波导结构异质材料 (二氧化硅/硅,硅, 蓝宝石, 石英等)周期性极化反转铌酸锂PPLN特殊尺寸电极 (金, 铂金,铬, 铝等)切向 (与体材料相同 )掺杂 (镁, 铁, 铒, 铥等)100-1000 纳米铌酸锂√√√√√√√√100-1500 纳米 钽酸锂√√√√√√√5-50 微米铌酸锂√√√√5-50 微米钽酸锂√√√√5-50 微米石英√√√铌酸锂单晶薄膜、钽酸锂单晶薄膜300-900纳米，5-50微米

【产品详情】此单晶取向金标样为负载于金网上的高取向超薄单晶金箔，可通过晶面间距0.204nm（200晶面），0.143nm（220晶面）和0.102nm校正检测TEM的分辨率、成像质量、放大倍率和高倍率下的稳定性，尤其适用于TEM样品阶梯上的高度调整。产品详细价格及资料，请登录电镜耗材在线商城网站查看。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为13％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。

单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm，方格间距10μm，线宽1.9μm，通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线，用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成，深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书，但需支付额外费用。保证的准确度为10％。标样由英国NPL实验室（National Physical Laboratory）用激光干涉测量法测定。