高真空磁控溅射仪

VTC-600G高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控溅射仪可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。可制备多种薄膜，应用广泛。体积小，操作简便。整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600G高真空磁控溅射仪产品型号VTC-600G主要参数1、结构：台式前开门结构，后置抽气系统。 2、极限真空：6.0X10-5Pa。 3、漏率：1h≤0.5Pa。 4、抽气时间大气至5.0X10-3约20分钟。 5、真空泵组：机械泵+分子泵。 6、样品台:φ140、室温-500℃、精度±1℃ （可根据实际需要提升温度） 自转5rpm-20rpm内可调。 可根据客户需求选配加装偏压功能， 以实现更高质量的镀膜。7、加气系统：质量流量计2路。 （氩气/氮气各一路） 8、靶头与样品台中轴线夹角为34° 9、靶头数量：3个（互成120°）。10、 靶枪冷却方式：水冷 11、靶材尺寸：φ2″，厚度0.1-5mm （因靶材材质不同厚度有所不同）12、产品规格：尺寸：整机尺寸：700mm×852mm×1529mm；序号名称数量图片链接1样品台挡板（可选）

高真空磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。距离可调整基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。控制系统采用计算机＋PLC两级控制系统安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

SD-650MHG是一款高真空磁控溅射镀膜仪，是我们公司一款定制化的产品。首位用户为美国某位大学一位老师提出来的需求。老师的需求为：因为手套箱里要放很多东西，实在没有多余的空间放置镀膜仪，但传统的镀膜仪多多少少都会占用手套箱内的面积。经过工程师认真思考，研制了首款镀膜仪。该镀膜仪前面的观察窗口几乎和手套箱外壁在同一个平面内，而且还保证了密封问题，。该镀膜仪问世后，深受老师们的喜爱，先后为很多科研机构所选择。

SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备优点：体积小，抽真空时间快，可做靶材种类多。特点：1、高真空磁控溅射仪要求稳定，安全可靠，操作简单便捷。适用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。2、 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转样品台、工作气路、抽气系统、真空测量及电控系统等部分组成。3、★高真空磁控溅射仪长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 可放于桌面，小巧不占空间。抽真空速度快，10分钟可进入工作状态。真空腔体采用直径260mm×高270mm的金属真空腔体，真空腔体上有多个备用标准接口，方便老师想进行其他实验研究接入设备，后期可直接配备射频溅射系统，方便老师后续想镀半导体等材料。4、前级机械泵抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 ，后级抗冲击涡轮分子泵采用抽速为300L/s。真空测量采用复合真空计监测真空，极限真空度: 5×10-5Pa。 5、★直流恒流电源输入电压为220V，输出电压为0-600v，输出电流为0-1.6A ，沉积速率为0-200nm/min。电控带锁系统，防止无关人士误操作。溅射定时保护装置，防止溅射时间过长引起的样品损坏。溅射磁控头直径为50mm。配备一块厚度不小于0.2mm厚的金靶，方便产品到货直接使用。基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。6、 样品台采用旋转式样品台。直径尺寸可选，最大不能超过φ150mm。7、采用自循环冷却水机冷却靶头，保证靶头寿命。8、 真空腔室采用金属腔体，具备良好气密性，防止漏气，确保高真空度。尺寸直径260mm×高270mm（外尺寸 ），容积≥9300ml。适用更多样品。9、 样品台直径200mm，支持水平旋转、20度倾斜球形旋转。可放置≥12个标准SEM样品座。适用更多形状的样品，保证镀膜的均匀性。10、 溅射管头为双靶，配水冷。可支持磁控溅射、离子溅射，可溅射强磁性材料。11、 标配铜靶、铬靶各一块。直径50mm×3mm。其它可溅射靶材包括铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等12、 靶材均匀度直径50mm内，金属类膜厚均匀度可达±1%13、 可配直流恒流电源、射频电源（含匹配一体机）输入电压：220V输出电压：0-600v可调输出电流：0-1.6A可调14、 配置VPI液晶控制面板，可智能控制系统操作。操作简单，人机界面良好。15、 极限真空度5×10-5Pa，真空抽速300L/s。16、 标配自循环冷却水机一台。17、 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。18、可放置于桌面，减少占地空间。19、膜厚仪监控范围0～6000纳米。可监控速率0.001纳米/秒。与触摸屏程序操作相结合，可联动控制，监测膜厚。 原理： 溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备指标品牌：北京博远微纳科技有限公司 型号：SD-650MH 仪器主机尺寸:长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 工作腔室尺寸：金属腔体：直径260mm×高270mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶材尺寸： 直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×0.3mm的铜靶（可溅射弱磁性金属膜） 靶枪冷却方式：水冷 真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s 前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 真空测量：采用复合真空计监测真空 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-4Pa） 电源：直流恒流电源： 输入电压：220V 输出电压：0-600v可调 输出电流（沉积电流）：0-1.6A可调 载样台： 旋转台等 工作气体： Ar等惰性气体） 气路：气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。 沉积速率： 0-200nm 水冷： 自循环冷却水机 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 ： 3KW 保修 ： 贰年 用途特点： 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属等新型薄膜材料的制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

产品简介：1英寸高真空磁控溅射头HVMSS-SPC-1-LD可安装直径为1"的靶材。可与直流、脉冲直流和射频电源相匹配，因此可溅射各种靶材（如金属、陶瓷、磁性和非磁性靶材等）。且采用高真空的结构设计，可提高镀膜质量。 产品型号1英寸高真空磁控溅射头HVMSS-SPC-1-LD主要特点1、采用高质量的不锈钢和陶瓷材料制作。2、采用电磁场的有元计算法来设计永磁体，以得到较高的磁场强度和均匀分布。3、磁体表面涂有保护层，以防止冷却水的腐蚀，延长其使用寿命。4、标准的HN型接头，可与DC和RF电源相匹配。5、安装采用标准真空接头，便于操作。6、靶材更换较为简单，无需调整溅射头的高度。7、配有铜靶1块。技术参数1、溅射头直径：?46.3mm2、所用靶材：直径1"±0.02"（25.4mm），最大厚度1/8"（3mm） 3、磁环：NdFeB稀土永磁体4、柄杆直径：外径3/4"5、电路接头：标准HN型接头，可与DC和RF电源相匹配6、所需功率：DC最大250W，RF最大100W7、阴极溅射电流：最大3A8、阴极溅射电压：200V-1000V9、工作压力范围：1mtorr-1torr10、溅射厚度均匀性：采用磁控溅射在氧化非晶硅片上沉积一个20nm的薄膜，直流功率150W，真空环境 10mtorr，1"铜靶，与基片距离75mm 11、水冷却：水管接头为外径0.25"快插头，所需水流量1/2GPM，进水温度20℃ 12、高真空快速接头：为赠送品，数量1个，内径为0.75"，可将溅射头安装在真空腔体上，真空腔体上的安装　　　　　　　　　 孔直径为1"，真空腔体的壁厚不得大于1" 13、倾斜装置：溅射头相对于柄杆最大可倾斜±45?，设有刻度线，可观察到靶头倾斜的角度　 产品规格尺寸：14"（355.6mm）；重量：1.36kg可选配件1、循环水冷机，流量为16L/min，水箱容积为6L。2、100W小型手动匹配型射频电源RF-100-LD，可自行搭建溅射镀膜仪。主要应用在真空腔体中HVMSS-SPC-1-LD磁控溅射头可制作各种薄膜，应用如下：薄膜涂覆、半导体器件、磁记录介质、超导薄膜、量子计算器件、MEMS、生物传感器、纳米技术、超晶格、颗粒膜、记忆合金、组合薄膜沉积、光学薄膜

产品简介：2英寸高真空磁控溅射头HVMSS-SPC-2可安装直径为2"的靶材，适用靶材种类较广，如金属/绝缘靶或磁性/非磁性靶材。配装有环形NdFeB永磁体在溅射头上，以保证溅射镀膜的效率和均匀性。可与DC或RF电源配合使用。 产品型号2英寸高真空磁控溅射头HVMSS-SPC-2主要特点1、采用高质量的不锈钢和陶瓷材料制作。2、采用电磁场的有元计算法来设计永磁体，以得到较高的磁场强度和均匀分布。3、磁体表面涂有保护层，以防止冷却水的腐蚀，延长其使用寿命。4、标准的HN型接头，可与DC和RF电源相匹配。5、安装采用标准真空接头，便于操作。6、靶材更换较为简单，无需调整溅射头的高度。技术参数1、阳极护罩直径：?3.5"2、所用靶材：直径2"（50.8mm），非磁性靶最大厚度1/4"，磁性靶最大厚度1/16" 3、磁铁：NdFeB稀土永磁体4、靶材利用率：30%5、所需功率：DC最大1000W，RF最大500W6、溅射电流：最大3A7、溅射电压：100V-1000V8、溅射时腔体真空度：5mtorr-100mtorr9、溅射均匀性曲线： 10、水冷却：水管外径0.25"，流速0.8GPM，进水温度20℃ 产品规格 可选配件1、循环水冷机，流量为16L/min，水箱容积为6L。2、同时购买300W射频发射器和2"磁控溅射头时，本司赠送1个高真空快速接头。接头内径为0.75"，可将溅射 　头安装在真空腔体上，真空腔体上的安装孔直径为1"，真空腔体的壁厚不得大于1"。

ETD-2000MH型磁控等离子溅射仪。 磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。 在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。 磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。 配有高位定性的飞跃真空泵 ETD-2000MH magnetron plasma sputtering instrument.The principle of magnetron sputtering is that the electrons collide with the argon atom in the process of flying to the substrate under the action of the electric field E, and make the ionization produce Ar positive ions and new electrons the new electrons fly to the substrate, the Ar ion accelerates to the cathode target under the action of the electric field, and bombards the target surface with high energy to make the target sputtering.In the sputtering particles, the neutral target atoms or molecules are deposited on the substrate to form a film, and the two electrons produced are affected by the electric field and the magnetic field. The direction drift of the E (electric field) * B (magnetic field), referred to as E x B drift, is similar to the magnetron sputtering of a cycloid. If a circular magnetic field is used, the electrons are circumferential on the surface of the target in the form of an approximate cycloid. Their motion path is not only long, but also bound to the plasma area near the target surface, and a large number of Ar are ionized in the region to bombard the target, thus achieving high deposition rate. As the number of collisions increases, the energy of the two electrons is depleted away and gradually away from the target surface, and finally deposited on the substrate under the action of electric field E. Because the energy of the electron is very low, the energy transferred to the substrate is very small, causing the substrate temperature rise to be low.Magnetron sputtering is a collision process between incident particles and targets. The incident particles experience complex scattering process in the target, and collide with the target atoms, and transfer partial momentum to the target atom. The target atom collide with other target atoms and forms a cascade process. In this cascade process, the target atoms near some surfaces get enough momentum to move outward and sputter out of the target.Vacuum pump equipped with high quality 配套泵溅射靶材溅射电流极限真空度样品仓尺寸样品台尺寸工作电压涡轮分子泵（抽速为80L/S），两升飞跃真空泵标配靶材为金靶，厚度为60mm*0.1mm。也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。电流0-500A5*10PA直径 180mm，高200mm样品台尺寸直径80mm220V50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

ISC150T桌面型磁控溅射仪采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂,EDS和EBSD喷碳，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。另外附加旋转/偏转样品台选配件，具有公转+自转+偏转行星式样品台，针对3D结构及多孔隙结构样品多角度均匀喷镀导电层。

SD-650MHT双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。双靶磁控溅射仪原理:　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。SD-650双靶磁控溅射镀膜机参数：品牌品牌 : 北京博远微纳科技有限公司 型号: SD-650MHT 仪器主机尺寸: 长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高720mm） 工作腔室尺寸： 金属腔体：直径260mm×高500mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶头：双靶 靶材尺寸：直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×3mm的铜靶及直径50mm×3mm的铝靶 靶枪冷却方式： 水冷 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-3Pa） 电源：直流恒流电源：输入电压：220V 输出电压：0-600v 输出电流：0-1.6A 射频电源和匹配器：功率500W。 载样台： 直径200mm 工作气体：Ar等惰性气体（需自备气瓶及减压阀） 气路： 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。 水冷： 自循环冷却水机 膜厚仪 : 实时监测，触摸屏控制 可镀材料： 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 3KW 【SD-650MHT安装 / 使用 环境】选择一个合适的仪器摆放位置：1、放置SD-650MT高真空磁控镀膜仪在一个长130cm,宽60cm的平面桌子上（桌子的承重需要在200KG以上）；2，放置“外置 旋转机械真空泵”及“冷水机”在一个合适的位置（地面 / 靠近镀膜仪主机）；3，系统总重量（镀膜仪、电器柜、选装泵、冷水机）约为208~240KG（选配不同），请确保有4人一起移动 / 搬运仪器；4，仪器的使用 / 运行环境温度为15~25摄氏度，相对湿度不超过75%；5,为仪器提供一个220V，16A的空开。6，确保使用 / 运行环境有足够的通风，并且避免阳光直接照射到仪器。7，氩气和氩气瓶解压阀需自备。

产品优势： 可制备各种金属、 单质、 无机非金属薄膜 不破真空情况下， 可实现多层复合膜制备 一键操作， 全自动控制， 智能化程度高 一致性、 重复性好 内置多重靶材工作参数， 无需摸索镀膜工艺 体积小， 结构紧凑， 非常节约空间 产品参数：外形尺寸（主机）424(L)×345(D)×420(H)输入电源220V/50Hz 1000W溅射靶头 1直流磁控溅射可用靶材金属靶材溅射靶头 2射频磁控溅射可用靶材无机非金属靶材真空系统涡轮分子泵+旋片式真空泵抽速90L/s + 1.1L/s真空测量复合式真空规量程范围1E-3 ~ 1E5Pa真空室φ 200×130mm 高硼硅玻璃抽气节拍10 分钟（≤5E-3Pa）样品台尺寸φ 90mm样品台切换自动控制溅射靶材尺寸φ 57mm（厚度 0.1-2mm）工作真空0.1-2Pa操作界面7 英寸 TFT 触摸式液晶屏操作语言中文（可选其它语言）冷水机小型台式制冷机冷水机功率180W预溅射挡板标配全自动控制预溅射挡板 膜厚仪（选配）可实时显示镀膜厚度，并通过设定来控制镀膜过程，测量精度 0.01nm，设定精度 0.1nm，单次设定范围 1-999nm温控组件（选配）样品台加热模块 300℃/500℃旋转组件（选配）倾斜旋转、行星旋转等小车（选配）将主机、射频电源、冷水机等组装在一起，整体性好安装环境220V/10A 三孔插座一个、纯度 4N 及以上的高纯氩气（出口压力 0.12MPa）

GVC-2000手套箱专用磁控溅射仪（手套箱专用离子溅射仪）自动化程序控制，一键式操作，让镀膜更加高效。该设备采用触摸控制，外置泵组设计，采用平面磁控溅射靶设计，从而使试样在热效应最小的条件下得到最有效的溅射效果，常用于锂电池电极防氧化研究中。一、手套箱专用离子溅射仪技术参数1、输入电压：AC220V±10%，50Hz2、工作电压：DC2400V3、最大功率（主机与机械泵）：500W4、工作原理：磁控溅射5、工作环境：温度 5～40℃，湿度60%6、存储环境：温度-10~60℃，湿度80%7、真空泵：两级直联旋片式真空泵 1L/s8、整机尺寸（长×宽×高）：424×271×255（mm）9、重量（主机）：11 kg10、真空腔：φ128×130mm11、样品杯：φ90×1 / φ25×4 / φ15×612、工作气体：Air / Ar13、保护功能：过流、真空双保护14、可选靶材：金、铂、银、铜、铝、铅等常用金属二、手套箱专用离子溅射仪主要特点1、可用于纯氩、纯氮环境，使样品免受氧气、水蒸气或其他污染。2、助力新型电池研究3、提供全套解决方案及交钥匙服务。

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

磁控溅射仪 SSG-50M　　为了使电子显微镜中的样品能够成像，它们需要有导电性，通过在样品上形成导电层的镀膜，用来抑制电荷，减少热损伤，并提高在SEM中定位检查所需的二次电子信号。测试原理：　　在封闭腔室中，放置阳极靶材，充入气体，保持一定的真空度，在阳极和阴极之间加载高压，会发生辉光放电现象。电离的气体离子会轰击、侵蚀阳极靶材。靶材原子会因此向四周扩散，在磁力的束缚下在一定范围内沉积，最终在样品表面形成一个均匀的镀层。这个镀层可以抑制荷电，减小热损伤，提高二次电子产率，从而改善扫描电镜观察效果。平时使用时，最常见靶材的是金靶。正是这个原因，离子溅射仪也俗称“喷金仪”。然而，为了获得更细小的晶粒尺寸、更薄的连续镀层，有时候也会使用其他靶材（比如铬、铂金、铜）。产品概览 产品特点样品腔尺寸：圆柱形，直径150mm x高度120mm；样品腔真空度：极限真空度：＜0.1Pa，工作真空度：0-10Pa，恒压控制；样品台：可以装载样品8-15个，高度可调范围为40mm；靶材：Au 靶为标配，Pt，Cu（选件）规格：直径57mm x 0.1mm厚；溅射电流：微处理器控制，安全互锁，可调，最大电流200mA，程序化数字控制；溅射头：低电压平面磁控管，靶材更换快速，环绕暗区护罩；真空计：皮拉尼真空计，测量范围：0.01Pa-常压；真空泵：双级直连式高速真空泵，抽速：66L/min，真空度：10-2Pa；厚度监控：使用高分辨厚度监控仪，精确测定所镀膜的厚度；（选配）操作方式：触摸屏控制，手动和自动模式可选，操作简便；机箱设计：长宽高40*35*50cm，坚固防腐蚀的箱体，带有电源、电压、电流、真空度等显示。

直流磁控溅射仪，本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,配合中小型扫描电子显微镜制样的仪器离子溅射仪的工作原理是在一个较低真空的腔体内，将超过几百伏特的电压加载在负电极和正电极之间，使得辉光放电产生，使得正离子在电场的作用下对靶电极(负极)的轰击加速，造成靶中原子溅射，使得一层簿膜在样品上形成。10电子伏特为溅射原子的平均能量，因此会有非常大的热量产生，为了使样品不被灼伤，需要对被镀材料特性以及是否需要采取特殊的防护方法格外注意。。直流磁控溅射仪技术参数；控制方式7寸人机界面 手动 自动模式切换控制溅射电源直流溅射电源镀膜功能0-999秒5段可变换功率及挡板位和样品速度程序功率≤1000W输出电压电流电压≤1000V 电流≤1A真空机械泵 ≤5Pa（5分钟） 分子泵≤5*10^-3Pa溅射真空≤30Pa挡板类型电控真空腔室石英+不锈钢腔体φ160mm x 170mm样品台可旋转φ62 （可安装φ50基底）样品台转速8转/分钟样品溅射源调节距离40-105mm真空测量皮拉尼真空计（已安装 测量范围10E5Pa 1E-1Pa）预留真空接口KF25抽气口 KF16放气口 6mm卡套进气口

磁控溅射技术GSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。GSC-1000带有10"派热克钟罩腔体，2个2"的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能选配项：Thickness Monitor 膜厚监测应 用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

一、产品应用： JS-600M小型磁控溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，带磁控靶头，有水冷功能。设备操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 磁控溅射为冷溅射，对样品表面的升温较低，适用对温度较敏感的薄膜样品。用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。二、配置及技术指标：1.水冷却磁控靶，靶面直径为50mm；冷却水接口：6*4mm快速插头。2.主机规格：L360mm*W300mm*H380mm3.靶（上部电极）：金：直径：50mm，厚度：0.1mm4.真空样品室：直径：160mm，高：110mm5.溅射面积：Ф50mm 6.工作真空：2×10-1—6×10-2 mbar7.离子电流表：0-100mA8.定时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。9.针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。10.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体11.溅射电压：-1600 DCV12. 飞跃真空泵（VRD-4）：1.1L/S三、 产品特点1. 轻便、溅射面积大2. 可以溅射铂、金及银等金属3. 溅射效率高，可水冷降温 备注：JS-600M小型磁控溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

产品简介：该设备为小型三靶磁控溅射镀膜设备，通过模块式化设计后，系统安装方便灵活易于维护，适合科研与教学实验使用。产品型号三靶高真空磁控镀膜溅射系统主要特点1、组成由单室超高真空双靶磁控溅射室，由溅射真空室与管路组成。2、配有旁抽系统，启动快不停机即可更换样品，重复性好。3、用于镀制各种单层膜、多层膜系，可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等溅射模式。4、同时可以实现反应磁控溅射，制备氮化物，氧化物等，可镀金属及导磁金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。5、作为试验设备来说达到了最佳的性能价格比。技术参数系统由真空腔室、旋转样品架、磁控溅射靶、铠装加热器、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统等各部分组成。极限真空优于：5.0x10-5Pa（经烘烤除气后）真空漏率小于2.0x10-8Pa.l/S系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.0x10-4Pa；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa1、 真空室腔体尺寸Ф300x350mm，手动上开盖辅助液压结构，前有一个观察窗，样品台可旋转内部连接铠装加热器、真空规、放气阀等各种规格的法兰接口，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面采用电解抛光处理。采用金属或氟橡胶圈密封。配备一体机柜标准电箱。2、磁控溅射靶靶材尺寸：Φ50mm（其中一个可以溅射磁性材料）；永磁靶一支、强磁靶一支：射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；配手动挡板。2个靶可共同向下面的样品中心溅射，靶与样品距离90～110mm可调。3、铠装加热样品:加热区域为Φ100mmX100mm(H),基片加热最高温度 室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。配有磁力转轴，电机驱动每分钟低于30转。标准配件1、真空部件进气角阀：2套；RF100观察窗：1套；观察窗法兰：RF100 2个；电阻规： KF16 1个；电极引线： CF25 1个；2、工作真空获得及测量：直联6L/s机械泵： 1台；F600分子泵：1台；电磁KF20阀：1台；5227真空计：1台角阀RF16、管路、接头、充气阀D6等： 1路；KF25电磁压差阀： 1台；CF100闸板阀：1台；3、相关规格的金属密封铜圈，氟橡胶密封圈4、不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等5、安装机台架组件:安装台架：整个设备安放在一个用承载式标准电箱上，箱体均进行喷塑处理。拆卸方便占地小780mmX580mmx1100mm。6、电源控制系统电源布置在标准电箱上，安装于系统机架上。7、自制电源控制电源：1台（为机械泵、电磁阀等提供电源及过程控制带逻辑监测）； 样品加热电源：1台（日本产控温表可实现程序控温）室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。8、配套电源真空计电源：1套直流DC500W电源：2套流量显示、流量控制器：1套9、备品备件：1套

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

多功能高磁控溅射喷金仪—nanoEMnanoEM是Moorfield Nanotechnology推出的一款高精度的磁控溅射喷金仪。该系统可配备SEM样品托、TEM网、普通样品等多种专用样品台，满足各种高精度的喷金或电生长需求。除了溅射金属电外，nanoEM还具有大的拓展空间，虽然作为台式设备，nanoEM配备了输出功率可达300W的溅射源，系统还可选择样品台旋转、样品倾斜、自动压强控制等多种功能。丰富的选件和配置可以满足学术研究的多种样品生长需求，可升成为一台多功能的磁控溅射薄膜制备系统。该设备作为灵活的高精度金属溅射仪备受各大实验室的青睐。主要特点：◎ 能够达到学术研究的多功能喷金仪◎ SEM托、TEM网、普通样品多种专用样品台可选◎ 可安装两个2英寸溅射源◎ 通用的溅射靶材◎ 本底真空5×10-7 mbar◎ 流量计控制生长气氛◎ 可调式DC溅射源，输出功率可达300W◎ 全自动，引导式触屏控制◎ 完备的安全性设计◎ 易于维护◎ 兼容超净室◎ 稳定的性能表现系统选件：◎ 腔体视窗◎ 真空泵型号可选◎ 气压全自动控制系统◎ 溅射源挡板◎ 等离子体辉光电◎ 样品台旋转与倾斜◎ 晶振膜厚监测系统

产品介绍磁控溅射系统MS-300具有超高真空、单原子层沉积精度的特点，可以灵活选择阴极向上或向下溅射。磁控溅射系统MS-300标配3个2英寸超高真空阴极。满足实验室中科学研究的需求,维护简单,运行稳定。晶圆尺寸4inch向下兼容镀膜均匀性士2%极限真空5x10-8mbar(金属密封)温控RT-800°C沉积精度0.1nm可选低温泵、自动传输、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单、等离子体分析仪等

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

●该设备用于纳米级单层或多层膜、类金刚石薄膜、金属膜、导电膜、半导体膜和非导电膜等功能薄膜的制备，可实现共溅射，直流、射频兼容，特别适于科研院所和企业进行功能薄膜研发、教学和新产品开发，同时可在微米级粉末或颗粒上沉积薄膜进而达到表面改性的功能。是替代钟罩式磁控溅射的理想选择。●主体结构：全封闭框架结构，机柜和主机为一体式机构。●极限真空度：≤６.６３×10－5Pa，压升率优于国家标准。 ●真空配置：高速直联旋片泵一台，配置尾气处理装置，超高分子泵一台。●真空测量：两路电阻规，一路电离规；电阻规和电离规均采用防爆型金属封结真空规。●工件架系统：行星工件盘与公转工件盘可选，垂直溅射与共溅射兼容，可配置１个加热台，采用PID控制可烘烤加热到700℃。●磁控溅射系统：配置３个Φ50mm可折叠磁控靶（可扩展至4靶机构），向上溅射成膜；靶基距可调；靶内均通入冷却水冷却。●电源：2套直流电源；1套全固态射频电源；一套200W直流偏压电源。●充气系统：配置三路供气，二路分别配置质量流量控制器，线性±0.5 % F.S，重复精度±0.2% F.S，0-5V输出，在触摸屏上设置流量。●电气控制系统：采用功能化模块设计，匹配西门子人机界面+西门子控制单元，溅射时间可以设定并倒计时，能够根据工艺需求自动溅射。●特别说明：根据用户不同的工况和工艺要求，公司愿与客户联合研发，共享知识产权，公司致力于工艺与设备的完美匹配，该设备为公司与电子科技大学联合研发。

磁控溅射技术NSC-4000（M）磁控溅射系统概述： NANO-MASTER杰出的溅射系统可构建成多腔体和多蒸发源的配置，在介质上溅射金属和介质材料，最大可支持200mm的衬底。系统可以配置DC直流、RF射频和Pulse DC脉冲直流等电源来进行序列溅射或共溅射。 系统使用涡轮分子泵组，工艺腔极限真空可达5 x 10-7Torr。可以通过调节靶基距，实现所需要的均匀度和沉积速率的调节。旋转样品台可提供薄膜最优的均匀性。 自动膜厚监控仪可提供以目标膜厚为工艺终点条件的全自动工艺控制，达到目标膜厚时系统将自动停止工艺。样品台最高可加热到800度，并可提供射频偏压。NSC-4000（M）磁控溅射系统产品特点：电抛光14"立方体或21"x21"x22"不锈钢优化蒸镀腔体680 l/sec 涡轮分子泵，串接机械泵或干泵4x 15CC pocket电子枪电子束源和基片遮板 6KW开关电源，杰出的消弧性能自动Pocket索引以及可编程的扫描控制器膜厚监测，可设置目标膜厚作为工艺终点条件旋转样品台，提供高均匀性带观察视窗的腔门，便于放片/取片PC全自动控制，具有高度的可重复性Labview软件的计算机全自动工艺控制控多级密码保护的授权访问设计EMO保护以及完全的安全联锁NSC-4000（M）磁控溅射系统选配项：基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料倾斜磁控枪射频偏压样品台离子源用于基片预清洗离子辅助溅射增加RF电源和DC电源用于共溅射增加热蒸发源和电子束蒸发源增加MFC用于反应溅射自动上下片其它包含冷泵等的各种真空泵选配NSC-4000（M）磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学涂覆和ITO涂覆保护涂层带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂层微电子图案OLED应用中的TCO透明导电薄膜** 硬涂层

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

磁控溅射技术NSC-1000磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到2个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-1000带有10”派热克钟罩腔体，2个2”的磁控管，DC直流电源用于溅射金属，并带有膜厚监测仪(选配)。由于NSC-1000的空间有限，我们不能在NSC-1000系统上提供更多的电源和磁控管。我们可以提供我们的NSC-1000系统，用于SEM应用，也可以用于溅射金属到最大6”的晶圆片。NSC-1000磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃腔70l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能NSC-1000磁控溅射系统选配项：Thickness Monitor 膜厚监测NSC-1000磁控溅射系统应用：SEM应用溅射金属，最大到6"的晶圆片

产品介绍磁控溅射系统MS-400是一款多功能多靶磁控溅射系统,具有超高真空，单原子层沉积精度,设备维护简单的特点。磁控溅射系统MS-400标配6个2inch共焦超高真空阴极,满足实验室或企业实验室中工艺研究的需求，维护简单,运行稳定。晶圆尺寸4inch向下兼容镀膜均匀性士2%极限真空5x10-9mbar(金属密封)温控RT-1000°C沉积精度0.1nm可选共焦溅射、低温泵、垂直溅射、自动传输、反应溅射、膜厚仪、工艺菜单等

磁控溅射技术NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统概述：带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能，最大到6"旋转平台，最大可支持到3个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。NSC-3000（A）带有14”立方形铝质腔体，3个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，我们提供不锈钢腔体，260 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统产品特点：不锈钢，铝质腔体或钟罩式耐热玻璃70或250l/s的涡轮分子泵，串接机械泵或干泵13.56MHz，300-600W RF射频电源以及1KW DC直流电源晶振夹具具有的1 ?的厚度分辨率带观察视窗的腔门易于上下载片基于LabView软件的PC计算机控制带密码保护功能的多级访问控制完全的安全联锁功能预真空锁以及自动晶圆片上/下载片NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统选配项：不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压（1000V）样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗NSC-3000（A）全自动磁控溅射系统应用：晶圆片、陶瓷片、玻璃白片以及磁头等的金属以及介质涂覆光学以及ITO涂覆带高温样品台和脉冲DC电源的硬涂覆带RF射频等离子放电的反应溅射