高真空离子溅射仪

全自动知识产品没有热损伤，效率更高，颗粒度更细，更适合高分辨电镜镀金仪应用领域1、高分辨扫描电镜样品制备（实际放大倍数≥100K）2、电极制备-可制备各种金属电极、ITO电极高真空磁控离子溅射仪(镀金仪)配置与技术参数名称&型号高真空磁控离子溅射仪GVC-2000T真空系统涡轮分子泵（进口 ）：德国莱宝90i （单磁悬浮分子泵，抽速为90L/s）旋片式真空泵：浙江飞越VRD-4 （抽速为 1 .1L/s）真空测量全量程复合真空规（进口）：1.0E5Pa-1E-4Pa系统极限真空≤5E-3Pa溅射电源磁控溅射电源,最大功率150W可用靶材所有金属靶材，ITO靶材溅射电压300-600V,根据选择靶材、控制参数不同而变化溅射电流0-200mA连续可调,步长5mA溅射时间0-9999s, 连续可调步长1s操作界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏,分辨率800×480操作方式一键操作抽气节拍＜15分钟控制方式只需设定溅射电流和时间即可，全自动控制具备预溅射挡板（预溅射时间可设定),全自动控制保护功能软硬件互锁、防止误操作，具备电流、真空保护等样品台直径φ125mm，可自转，可自动手动控制，转速4-40rpm可调真空室高硅硼玻璃，规格尺寸约φ200×130mm电源供电220V 50Hz 最大功率800W尺寸&重量重量 424（长) ×345（深) ×420mm（高）、 25 kg （净重)冷却方式内部风冷选配样品台选择、膜厚控制、温度监测等镀膜样品示例： 靶材-银 靶材-钨 靶材-铬 靶材-镍 靶材-钒 靶材-锡 靶材-铜 靶材-钽 靶材-贴 靶材-钛 靶材-铅 靶材-钼 靶材-铝 靶材-铂 靶材-金 靶材-锆 靶材-铒 靶材-ITO

2 0 8HR 高分辨离子溅射仪是场发射扫描电子显微镜（FESEM）样品表面导电处理的理想设备。FESEM制样要求导电镀层在保持连续均匀的条件下，镀层粒子的粒径尽量的小，进而不会影响样品表面精细微观结构的观察。为了得到高质量的镀层， 208HR提供了所需的溅射沉积条件。其中，208HR的真空系统配备了前级机械旋片式真空泵或者无油隔膜泵，二级真空为涡轮分子泵作来提高样品室的真空度，从而使溅射镀层的粒度均匀细小，满足FESEM的制样要求。此外，自动智能的控制系统，使得操作更加简单容易，并且有很好的重复性。常用的溅射镀膜材料：Pt/Pd: 多用途的高质量的非导电样品的溅射镀膜材料Cr: 半导体材料和高分辨背散射电子成像的理想材料Ir:高性能、粒径均一的镀膜材料主要特点：1、配合不同的靶材可溅射多种材质的薄膜2、高精度的膜厚控制（选配MTM-20 膜厚监控仪）3、多角度的旋转样品台支架，使得成膜更加均匀4、多孔样品台支架行星式旋转样品台5、高度可变的真空腔，使得成膜速率在1.0nm/sec到0.002nm/sec之间可调。6、0.2 - 0.005 mbar大范围的工作气压7、紧凑、现代、桌式设计节省了空间8、操作简单安全，抽气、溅射、放气智能一体化程序设计 Specifications 溅射磁头Sputter head低电压平面磁控管Low voltage planar magnetron快速方便靶材装卸Quick target change环绕暗场保护Wrap-around dark-space shield遮板调试靶材Shutter for target conditioning靶材Targets标配：Cr, Pt/Pdor IR (Iridium coater)选配： Au, Au/Pd, Cu, Ni, Pd, Pt, Ta, Ti and W 溅射配套系统Sputter supply微程序处理器Microprocessor based安全联锁装置Safety interlock不受真空度影响的恒电流控制系统Constantcurrentcontrol independent of vacuum数显可选电流Digitally selectable current (20, 40, 60 or 80mA) 样品台Sample stage行星式0-90°手动旋转样品台Non-repetitive rotary, planetary motion with manual tilt 0-90°转速可调Variable speed rotation4样品台支架Crystal head 4 sample holders仪表Analog metering真空度：大气压-0.001mbVacuum Atm - .001mb工作电流：0-100mACurrent 0-100mA 控制模式Control method自动抽放气Automatic operation of gas purge and leak functions全自动溅射操作Automatic process sequencing可暂停数显时间设置 Digital timer(0-300 sec) with pause自动放气 Automatic venting真空系统Pumping System涡轮分子泵和旋片式机械真空泵Turbo drag / rotary pump combination抽气速率Pumping speed300 l/min at 0.1mb抽气时间Pumpdown Time1 min to 1 x 10-3mb极限真空Ultimate pressure1 x 10-5mb

EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器：EMS150R S Plus – 喷金仪/离子溅射仪（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus – 喷碳仪/碳蒸镀仪（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus–真空镀膜仪（ 集150R S和150R E功能于一体, 结构紧凑）EMS150T S Plus– 高真空离子溅射仪（分子泵高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等）EMS150T E Plus– 高真空碳蒸镀仪（分子泵高真空适用于TEM/Cs-TEM使用）EMS150T ES Plus–高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑）EMS300R T–大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）150R是一款多功能紧凑型机械泵抽真空镀膜系统，对于SEM样品制备及其它镀膜应用非常理想。直径为165mm/6.5”的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品 – 尤其用于在SEM应用中提高成像质量。150R S Plus机械泵抽真空离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。150R E Plus机械泵抽真空蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。150R ES Plus集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供多用途镀膜。此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。

ISC150离子溅射仪升级版本，采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。 本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。 另外附加原位等离子清洗选配模块，针对SEM样品清除碳氢污染（有机物积碳污染），实现样品表面活化和亲水化处理。注：对于医疗器械类产品，请先查证核实企业经营资质和医疗器械产品注册证情况

产品优势： 可制备各种金属、 单质、 无机非金属薄膜 不破真空情况下， 可实现多层复合膜制备 一键操作， 全自动控制， 智能化程度高 一致性、 重复性好 内置多重靶材工作参数， 无需摸索镀膜工艺 体积小， 结构紧凑， 非常节约空间 产品参数：外形尺寸（主机）424(L)×345(D)×420(H)输入电源220V/50Hz 1000W溅射靶头 1直流磁控溅射可用靶材金属靶材溅射靶头 2射频磁控溅射可用靶材无机非金属靶材真空系统涡轮分子泵+旋片式真空泵抽速90L/s + 1.1L/s真空测量复合式真空规量程范围1E-3 ~ 1E5Pa真空室φ 200×130mm 高硼硅玻璃抽气节拍10 分钟（≤5E-3Pa）样品台尺寸φ 90mm样品台切换自动控制溅射靶材尺寸φ 57mm（厚度 0.1-2mm）工作真空0.1-2Pa操作界面7 英寸 TFT 触摸式液晶屏操作语言中文（可选其它语言）冷水机小型台式制冷机冷水机功率180W预溅射挡板标配全自动控制预溅射挡板 膜厚仪（选配）可实时显示镀膜厚度，并通过设定来控制镀膜过程，测量精度 0.01nm，设定精度 0.1nm，单次设定范围 1-999nm温控组件（选配）样品台加热模块 300℃/500℃旋转组件（选配）倾斜旋转、行星旋转等小车（选配）将主机、射频电源、冷水机等组装在一起，整体性好安装环境220V/10A 三孔插座一个、纯度 4N 及以上的高纯氩气（出口压力 0.12MPa）

ISC150离子溅射仪升级版本，采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂,EDS和EBSD喷碳，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。另外附加旋转/偏转选配模块，实现3D结构样品及空隙结构样品均匀镀膜喷金导电。

瑞士Safematic电镜制样设备CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，变换镀膜头非常简单。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。标配FTM膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射仪，可选等离子处理附件✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 标配隔膜泵和涡轮泵；全量程真空测量（皮拉尼，冷阴极真空计）✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜系统，除了用于SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜之外，还涵盖了最高级的SEM，TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。LC-006金属大腔室LC-006是当前玻璃腔室的扩大版，为铝制结构。这个可选的金属腔室可容纳6"晶圆或其它大尺寸样品，而且消除了对内爆防护的需求。在CCU-010上选配LC-006, 无需任何修改就可实现更大样品和晶圆的镀膜。SP-010 & SP-011溅射模块 两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV和CCU-010 HV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM、FIB和各种薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV系列镀膜仪。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。SP-011与CCU-010 HV相结合，可满足诸如DLC，ITO或铁磁溅射材料镀膜等具有挑战性的应用。ET-010等离子刻蚀单元 在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。选用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力；也可在样品镀膜后进行等离子处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空溅射和镀碳仪采用优质组件和智能设计，可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作，所有CCU-010 HV系列高真空版本的镀膜仪，均采用TFT 触摸屏，配方可编程，保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油，含高性能涡轮泵和前级隔膜泵，均位于内部，外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时，该设备可以保持在真空下，这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响，并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本有：CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪；CCU-010 HV高真空离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪。CCU-010 HV系列高真空镀膜的主要亮点在于实现了两大技术性突破：一是独家采用自动碳纤维供给系统，在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行，比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作，既适用于大多数常规镀碳应用，也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁（增加附着力）+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性（比如：亲水化）或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成，大大提高了镀膜质量，拓宽了应用范围。另外，瑞士制造，是“精密”和“高品质”的代名词；瑞士原厂货源，覃思本地服务，客户买得放心、用得省心！

产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业领先的软件控制系统。设备用途：用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。真空室结构:圆筒形上升盖 真空室尺寸:φ550x450mm 极限真空度:≤6.0E-5Pa 沉积源:磁控靶3套，φ2英寸；四工位转靶1套； 样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。最高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3% 特色参数 :溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

150T Plus为紧凑的分子涡轮泵镀膜系统，适合SEM、TEM及许多薄膜应用。150T Plus 集成了溅射和碳蒸镀两种沉积镀膜功能的高分辨镀膜系统 新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手● 新的彩色LED可视状态指示灯● 双核ARM处理器，可快速响应● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析主要特点: ● 金属溅射或碳蒸发一体化设计，节省空间 ● 适合FE-SEM制样的精细镀膜和薄膜应用 ● 涡轮分子泵高真空系统，适合不氧化贵金属和易氧化其它金属靶材 ● 全自动触摸屏控制，快速数据输入，操作简单 ● 可储存多个客户自定义镀膜方案：对多用户实验室十分理想 ● 预编程自动真空控制 ● 使用膜厚监控选件精确控制膜厚 ● 智能系统识别，自动感知用户所插入镀膜头的类型 ● 高真空碳蒸镀，对SEM和TEM镀碳膜应用非常理想 ● 先进的碳棒蒸镀枪设计和电流控制技术，操作简单，重现性好● Drop-in式快速换样品台（标配旋转台） ● 真空闭锁功能，让工作腔室在待机使用时亦处于真空状态 ● 不破坏真空条件下的溅射时间可长达60分钟，适合材料科研应用 ● 人体工程学设计，整体成型机壳，维护、拆装容易 技术参数: ● 工作腔室：165mm外径 x 127mm高 ● 触摸屏全图像用户界面 ● 靶材：标配直径57mm x 厚0.3mm Cr靶● 样品台：标配旋转台，直径60mm，转速8-20 rpm ，可选配旋转倾斜台。● 真空系统： 涡轮分子泵：带有空气冷却的涡轮分子泵 旋转机械泵：双程旋转机械泵 ● 极限真空度：5 x 10-5mbar● 溅射真空度： 5 x 10-3 到 5 x 10-1mbar之间● 溅射电流：0-150mA；可预设膜厚或使用内置定时器（选配） ● 溅射时间：最长60分钟 ● 碳蒸发：稳定的无纹波直流电源控制的脉冲蒸发，确保碳棒可重复蒸碳，电流脉冲1~90A。● 尺寸和重量：仪器机箱585mm宽x 470mm长 x 410mm高 (总高: 650mm)

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备优点：体积小，抽真空时间快，可做靶材种类多。特点：1、高真空磁控溅射仪要求稳定，安全可靠，操作简单便捷。适用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。2、 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转样品台、工作气路、抽气系统、真空测量及电控系统等部分组成。3、★高真空磁控溅射仪长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 可放于桌面，小巧不占空间。抽真空速度快，10分钟可进入工作状态。真空腔体采用直径260mm×高270mm的金属真空腔体，真空腔体上有多个备用标准接口，方便老师想进行其他实验研究接入设备，后期可直接配备射频溅射系统，方便老师后续想镀半导体等材料。4、前级机械泵抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 ，后级抗冲击涡轮分子泵采用抽速为300L/s。真空测量采用复合真空计监测真空，极限真空度: 5×10-5Pa。 5、★直流恒流电源输入电压为220V，输出电压为0-600v，输出电流为0-1.6A ，沉积速率为0-200nm/min。电控带锁系统，防止无关人士误操作。溅射定时保护装置，防止溅射时间过长引起的样品损坏。溅射磁控头直径为50mm。配备一块厚度不小于0.2mm厚的金靶，方便产品到货直接使用。基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。6、 样品台采用旋转式样品台。直径尺寸可选，最大不能超过φ150mm。7、采用自循环冷却水机冷却靶头，保证靶头寿命。8、 真空腔室采用金属腔体，具备良好气密性，防止漏气，确保高真空度。尺寸直径260mm×高270mm（外尺寸 ），容积≥9300ml。适用更多样品。9、 样品台直径200mm，支持水平旋转、20度倾斜球形旋转。可放置≥12个标准SEM样品座。适用更多形状的样品，保证镀膜的均匀性。10、 溅射管头为双靶，配水冷。可支持磁控溅射、离子溅射，可溅射强磁性材料。11、 标配铜靶、铬靶各一块。直径50mm×3mm。其它可溅射靶材包括铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等12、 靶材均匀度直径50mm内，金属类膜厚均匀度可达±1%13、 可配直流恒流电源、射频电源（含匹配一体机）输入电压：220V输出电压：0-600v可调输出电流：0-1.6A可调14、 配置VPI液晶控制面板，可智能控制系统操作。操作简单，人机界面良好。15、 极限真空度5×10-5Pa，真空抽速300L/s。16、 标配自循环冷却水机一台。17、 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。18、可放置于桌面，减少占地空间。19、膜厚仪监控范围0～6000纳米。可监控速率0.001纳米/秒。与触摸屏程序操作相结合，可联动控制，监测膜厚。 原理： 溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备指标品牌：北京博远微纳科技有限公司 型号：SD-650MH 仪器主机尺寸:长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 工作腔室尺寸：金属腔体：直径260mm×高270mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶材尺寸： 直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×0.3mm的铜靶（可溅射弱磁性金属膜） 靶枪冷却方式：水冷 真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s 前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 真空测量：采用复合真空计监测真空 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-4Pa） 电源：直流恒流电源： 输入电压：220V 输出电压：0-600v可调 输出电流（沉积电流）：0-1.6A可调 载样台： 旋转台等 工作气体： Ar等惰性气体） 气路：气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。 沉积速率： 0-200nm 水冷： 自循环冷却水机 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 ： 3KW 保修 ： 贰年 用途特点： 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属等新型薄膜材料的制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

仪器简介： JS-600小型离子溅射仪采用二极（DC）直流溅射原理设计，操作简单方便，适用于扫描电子显微镜（SEM）样品制备,非导体材料实验电极的制作。 用户可以根据自己的需要自行选择不同的真空条件，溅射电流。大尺寸的真空腔体设计，满足大样品的溅射需求。标配一片金靶，纯度为99.999%，为获得高质量的金膜提供了良好的基础。技术参数：1.靶（上部电极）：材料：金，直径：50mm，厚度：0.1mm　纯度：99.999%2、真空样品室：直径：160mm，高：110mm3.样品台（下部电极）：溅射面积：直径：50mm4．工作真空： 2×10-1—10-1 mbar5.离子电流表：0-50mA6.计时器：根据溅射习惯设定单次溅射时间。7.溅射电压：-1600DVC8.飞越真空泵（VRD-4）：1.1L/S9.工作室工作媒介气体：空气或氩气等多种气体10．针阀： 配有进气口，微量充气调节，可连接φ4*2.5mm软管。主要特点： 1.轻便、溅射面积大 2.靶材可按用户要求加工制作备注：JS-600小型离子溅射仪可适用的靶材：金、铂、银

GVC-2000P磁控离子溅射仪采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配。一.GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）主要特点1、一键操作，具备工作完成提示音；2、镀膜颗粒小，无热损伤；3、靶材更换非常简单；4、特殊密封结构，玻璃不易损坏；5、内置操作向导，无需培训即可熟练操作；二、GVC-2000P磁控离子溅射仪（镀金仪）技术参数外形尺寸420（L）×330（D）×335（H）溅射靶头平面磁控靶可用靶材Au、Pt、Ag、Cu等靶材尺寸φ57×0.12mm真空室高硅硼玻璃 ~φ200×130mm工作介质空气或氩气样品台φ125mm样品台转速4-20rpm可调真空泵旋片泵（可选配干泵）抽速1.1L/s真空测量皮拉尼式真空规管工作真空4-20Pa极限真空≤1Pa工作电流0-100mA连续可调显示屏7英寸 800×480 彩色触摸屏工作时间1-999s连续可调进气自动放气自动金颗粒尺寸（硅片喷金）电池隔膜10万倍（喷铂）三、GVC-2000P磁控离子溅射仪技术方案1、采用平面磁控溅射靶头进行靶材溅射，以确保工作过程样品不会发生热损伤；2、采用ARM作为处理器，全自主知识产权，扩展性好，可选配：（1）膜厚监控组件：可预设期望镀膜厚度，在工作过程中精确控制镀膜厚度；（2）样品台加热组件：可通过加热提高膜层的致密性以及与基地的结合力。3、7英寸触摸式液晶显示屏，分辨率为800×480，全数字显示。3.1）可设定：（1）溅射电流；（2）溅射时间；（3）靶材种类；（4）工作真空度；（5）工作气体；（6）屏幕亮度等参数；3.2）可显示：（1）溅射电流；（2）溅射剩余时间；（3）工作真空度；（4）靶材累计使用时间；（5）设备累计使用时间等参数。4、溅射电流：2-100mA连续可调，最小步长为1mA；5、溅射时长：1-999s连续可调，最小步长为1s 6.溅射真空：4-20Pa连续可调，最小步长为0.1Pa 7、溅射靶材：标配为高纯铂靶（纯度4N9），规格为φ57×0.12mm；也可使用金、银、铜、金钯合金等金属作为溅射靶材；8、真空室：采用高透光性的高硅硼玻璃，尺寸约为φ200×130mm；9、样品台：可自转的不锈钢样品台，直径为φ125mm，转速4-20rpm可调；10、靶材参数：系统提供金、铂、银、铜对于空气和氩气的工作参数，可直接使用。同时提供4种自定义靶材，用户可根据自己需求设定工作参数；11、预溅射：具有全自动控制的预溅射挡板，确保工作过程稳定可靠；12、一键操作：系统可自动完成抽气、充气、参数调整、预溅射、溅射镀膜等工作过程；溅射完成后，关闭真空泵，系统自动充气使真空室内外压力平衡；13、具备溅射电流和真空度双重互锁，安全可靠，任一条件触发，系统即可停止工作，防止因为误操作导致设备损坏；14、系统采用皮拉尼真空规作为真空测量元件；15、极限真空优于1Pa，真空泵抽速为1.1L/s；16、具备实时曲线显示溅射电流和真空度功能非常方便用户了解系统工作状态；17、采用独特的靶材更换结构，无需任何工具，即可实现快速更换靶材；18、仪器供电：AC220±10%V，额定功率500W、

GVC-1000 全自动离子溅射仪主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)主要应用于配套扫描电镜的样品制备工作，同时可以满足不同用户对样品涂层的制备要求。拥有优秀的溅射系统，可以更换不同的金属靶材（金，铂，银，铱，铬，铜等），实现高要求的细粒涂层。GVC系列为您提供优质的样品制备，轻松助您取得更好地材料研究样品， 获得高质量的显微镜观测效果。GVC-1000 全自动离子溅射仪(射频磁控溅射镀膜仪)性能参数1、离子溅射仪工作原理：磁控溅射2、可选靶材：金，铂，金钯合金，铅，银，铜，铬，锑等3、真空室：φ128×100高硅硼玻璃4、全自动操作，简单易用，非常适用钨灯丝、台式扫描电镜等（1）溅射电流自动调整——设定溅射电流后，系统自动调节真空度，从而达到设定的溅射电流，调整时间＜5s，波动范围＜±5%；（2）无需按“实验”键调整溅射电流、无需操作“进气阀”。（3）溅射时间自动记忆——同类样品一次设定即可；（4）参数改变自动调整——溅射过程中可以随时调整溅射电流和溅射时长，系统自动计算叠加，无需终止溅射过程；（5）工作完成自动放气；（6）样品台高度调节1秒完成；（7）溅射过程可以利用曲线显示，清晰直观。（8）极限真空：小于1Pa5、软硬件互锁，防误操作，安全可靠（1）真空度高于100Pa，启动真空保护，无法溅射；（2）溅射电流高于50mA，停止溅射过程；（3）真空泵工作时，系统无法进行放气操作；6、镀层均匀，导电性良好。

VTC-600G高真空磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备，可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。VTC-600G高真空磁控溅射仪可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点，是一款实验室制备材料薄膜的理想设备，特别适用于实验室研究固态电解质及OLED等。可选配多个靶枪，配套射频电源用于非导电靶材的溅射镀膜，配套直流电源用于导电性材料的溅射镀膜（靶枪可以根据客户需要任意调换）。可制备多种薄膜，应用广泛。体积小，操作简便。整机模块化设计，真空腔室、真空泵组、控制电源分体式设计，可根据用户实际需要调整。可根据用户实际需要选择电源，可以一个电源控制多个靶枪，也可多个电源单一控制靶枪。产品名称VTC-600G高真空磁控溅射仪产品型号VTC-600G主要参数1、结构：台式前开门结构，后置抽气系统。 2、极限真空：6.0X10-5Pa。 3、漏率：1h≤0.5Pa。 4、抽气时间大气至5.0X10-3约20分钟。 5、真空泵组：机械泵+分子泵。 6、样品台:φ140、室温-500℃、精度±1℃ （可根据实际需要提升温度） 自转5rpm-20rpm内可调。 可根据客户需求选配加装偏压功能， 以实现更高质量的镀膜。7、加气系统：质量流量计2路。 （氩气/氮气各一路） 8、靶头与样品台中轴线夹角为34° 9、靶头数量：3个（互成120°）。10、 靶枪冷却方式：水冷 11、靶材尺寸：φ2″，厚度0.1-5mm （因靶材材质不同厚度有所不同）12、产品规格：尺寸：整机尺寸：700mm×852mm×1529mm；序号名称数量图片链接1样品台挡板（可选）

ISC150T桌面型磁控溅射仪采用无油隔膜泵+分子泵获得高真空环境，保证样品喷金处理过程不会产生二次污染。特别适用于追求高分辨率FE-SEM样品的喷金喷铂,EDS和EBSD喷碳，光电薄膜制备，电极材料制备及其他金属镀膜用途。本离子溅射仪主要的特点就是“无油，高真空”，制备薄膜纯度更高，薄膜质量更优；并且能够在超净间内使用。另外附加旋转/偏转样品台选配件，具有公转+自转+偏转行星式样品台，针对3D结构及多孔隙结构样品多角度均匀喷镀导电层。

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

ETD-2000MH型磁控等离子溅射仪。 磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。 在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。 磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。 配有高位定性的飞跃真空泵 ETD-2000MH magnetron plasma sputtering instrument.The principle of magnetron sputtering is that the electrons collide with the argon atom in the process of flying to the substrate under the action of the electric field E, and make the ionization produce Ar positive ions and new electrons the new electrons fly to the substrate, the Ar ion accelerates to the cathode target under the action of the electric field, and bombards the target surface with high energy to make the target sputtering.In the sputtering particles, the neutral target atoms or molecules are deposited on the substrate to form a film, and the two electrons produced are affected by the electric field and the magnetic field. The direction drift of the E (electric field) * B (magnetic field), referred to as E x B drift, is similar to the magnetron sputtering of a cycloid. If a circular magnetic field is used, the electrons are circumferential on the surface of the target in the form of an approximate cycloid. Their motion path is not only long, but also bound to the plasma area near the target surface, and a large number of Ar are ionized in the region to bombard the target, thus achieving high deposition rate. As the number of collisions increases, the energy of the two electrons is depleted away and gradually away from the target surface, and finally deposited on the substrate under the action of electric field E. Because the energy of the electron is very low, the energy transferred to the substrate is very small, causing the substrate temperature rise to be low.Magnetron sputtering is a collision process between incident particles and targets. The incident particles experience complex scattering process in the target, and collide with the target atoms, and transfer partial momentum to the target atom. The target atom collide with other target atoms and forms a cascade process. In this cascade process, the target atoms near some surfaces get enough momentum to move outward and sputter out of the target.Vacuum pump equipped with high quality 配套泵溅射靶材溅射电流极限真空度样品仓尺寸样品台尺寸工作电压涡轮分子泵（抽速为80L/S），两升飞跃真空泵标配靶材为金靶，厚度为60mm*0.1mm。也可根据实际情况配备银靶、铂靶等。电流0-500A5*10PA直径 180mm，高200mm样品台尺寸直径80mm220V50HZ 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

EMS 离子溅射仪EMS 150/300是一款多功能紧凑型镀膜系统, 对于SEM, FESEM,TEM样品制备及其它镀膜应用非常理想, 直径为165mm/300mm的腔室可容纳多种需要镀导电膜的样品, 尤其在配套电镜应用中提高成像质量提供6个版本的仪器EMS150R S Plus 机械泵抽真空喷金仪/离子溅射镀膜仪，适于给样品镀制不氧化金属膜（即贵金属膜），如金、银、铂和钯。（真空喷镀非氧化型金属, Au, Pt, Pd等）EMS150R E Plus 机械泵抽真空喷碳仪/蒸发镀碳仪，使用碳丝或碳绳为SEM样品镀膜。（真空喷镀碳膜, 特别适用于EDS,EBSD）EMS150R ES Plus真空镀膜仪，集150R S Plus 和150R E Plus两者的功能于一体，结构紧凑，节省空间。这个双重用途、结构紧凑、机械泵抽真空的镀膜系统标配有溅射插入头和碳丝蒸发插入头 – 可提供无与伦比的多用途镀膜。 此外，辉光放电选项也是可用的（仅150R S Plus和150R ES Plus版本），它可实现样品表面改性（如疏水表面改为亲水表面）。 EMS150T S Plus高真空离子溅射仪（分子泵超高真空, 多靶材, Cr, W, Cu, Pt等） EMS150T E Plus高真空碳蒸镀仪（分子泵超高真空适用于TEM/Cs-TEM使用） EMS150T ES Plus高真空镀膜仪（ 集150T S和150T E功能于一体, 结构紧凑） EMS300R T超大样品室多溅射头镀膜仪（ 300mm超大样品室，3个溅射头保证大面积均匀镀膜效果）产品特点：快速简便：快速、易更换的镀膜插入头，能在同一个紧凑设计中实现金属溅射、碳蒸镀和辉光放电三者之间的快速转换。 采用全自动触摸屏控制,可快速输入数据。与镀膜处理方法及镀膜材料相适配的镀膜参数方案可通过触摸按键实现预设并储存。自动放气控制功能确保了溅射期间最佳的真空状态，可提供良好的一致性和可重复性。 易使用：智能识别系统可自动探测安装了何种类型的镀膜插入头，以便立即运行相应的镀膜方案。可存储多个用户自定义的镀膜方案 – 这对于需更改镀膜参数实现不同应用的多用户实验室非常理想。多种样品台组件适用于各种尺寸和类型的样品；所有样品台都带有快速、易更换及落入式设计的特点。 功能强大、可重复镀膜及高可靠性：可预编程的镀膜参数及方案能确保一致且可重复的结果。需要沉积厚膜时，本系统提供长达60分钟且无需破真空的溅射时间。设计先进的碳蒸镀插入头操作简单,具有对蒸发电流参数的完全控制，确保了SEM应用中一致的和可重复的碳沉积。可选的膜厚监控附件用于可重复的膜厚控制。 适配性强且用途广：溅射、碳蒸镀、辉光放电插入头及多种可选件，使Q150R对于多用户实验室应用非常理想。可溅射一系列不氧化金属，如金、银、铂和钯。碳丝蒸镀插入头处理样品速度非常快。也可选用碳棒蒸发。还可应用于金属薄膜研究及电极的应用。新款改进● 触摸屏更换成便于操作的电容触摸屏 ● 固件更新，新版操作界面类似安卓系统，便于客户上手 ● 新的彩色LED可视状态指示灯 ● USB接口可以用于固件更新，并可将镀膜方案文件备份/复制到USB存储设备 ● 可以通过USB端口以.csv格式导出过程日志文件，以便统计分析技术参数仪器尺寸585mm W x 470mm D x 410mm H (打开镀膜头时总高 650mm)重量28.4kg包装尺寸725mm W x 660mm D x 680mm H (36.8kg)工作腔硼硅酸盐玻璃，152mm ? (内) x 127mm H安全钟罩PET材质显示145mm 320 x 240 彩色图形TFT (Thin Film Transistor)显示用户界面直观全图形界面，触摸屏控制溅射头标配 57mm ?、0.1mm厚金靶（Q150R S，Q150R ES）样品台50mm ?旋转样品台，带6个15mm、10mm、6.5mm或1/8”钉形样品座孔，旋转速度8-20 rpm真空机械泵Edwards RV3 50L/s双程机械泵真空测量标配Pirani规极限真空2 x 10-2mbar工作真空3 x 10-2 mbar与5 x 10-1mbar之间操作过程溅射0-80mA，最大溅射时间60 min碳蒸镀电流脉冲：碳绳，1-60 A；1.4mm ?碳棒，1-90 A辉光放电0-80mA，DC+及DC-模式其它工作气体Ar气，99.999%，N2为排放气体（选件）电源90-250V ~ 50/60 Hz 1400 VA认证CE

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

三靶大面积溅射系统之高分辨涡轮泵版本，CPU程序全自动控制，触膜屏用户界面，标配有挡板和靶材预清洁程序，既适合贵金属、也适合易氧化金属等多种靶材镀膜。 Q300T T镀膜仪是为薄膜应用而设计的多功能离子溅射镀膜仪，也是钨灯丝和场发射电镜观察之大样品制备的理想镀膜仪。为了确保精细沉积，Q300系列镀膜仪设有旋转样品台和三只相同的磁控靶组件，这也将提高采用低电压溅射的工作效率。该系统之高分辨涡轮泵版本Q300T T镀膜仪标配有挡板，作用是在保持真空条件下使易氧化金属靶材先进行清洁处理，然后再执行镀膜循环。所以，它既适合使用不氧化的贵金属如金（Au）、铂（Pt）等靶材镀膜，也适合易氧化金属如铬（Cr）、铝（Al）、钛（Ti）、锌（Zn）或氧化铟锡（ITO）、铱（Ir）等多种靶材镀膜。 和极其成功的Q150系列溅射仪、蒸镀仪一样，Q300T T型镀膜仪装在一个符合人机工程学设计的、坚固的整体成型机箱中，并且集成有触摸屏控制，对有经验的熟手和第一次使用的用户都适合的简单操作，从而可提供卓越的镀膜质量。 主要特点： &bull Large format chamber.The Q300T T sputter coaters incorporate a 300mm x 127mm work chamber and the sample stage accepts substrates up to 8&rdquo in diameter. An extended height glass chamber is available as an option to enable coating of larger format samples.大腔室。Q300T T型溅射镀膜仪设有尺寸为300mm x 127mm的工作腔室和适用于最大直径达8&rdquo 样品的样品台。可选配加长高腔室，以便于大且高的样品镀膜。 &bull Triple sputter head 三靶大面积溅射 &bull High resolution turbo pumped system高分辨涡轮泵版本；抽速5 m3/hr的涡卷泵或隔膜泵(隔膜泵仅用于Q300T T)可很好地替代普通的前级旋转机械泵，适合于无油或无尘室环境质量要求高的抽真空场合。 &bull Fully automated touch screen control 全自动触摸屏控制 &bull Coater logging option 镀膜仪日志（选项） &bull Customer defined coating protocols 用户自定义镀膜方案 &bull Film thickness monitor option 膜厚监控（选项），可通过腔室内的晶振片装置测量镀膜厚度，也可预设厚度去控制材料沉积在样品上的膜厚度，达到需要的镀膜厚度时，镀膜仪可自动停止镀膜 &bull Vacuum shutdown 真空闭锁功能 &bull Emergency stop switch 紧急停止开关

产品简介：该设备为小型三靶磁控溅射镀膜设备，通过模块式化设计后，系统安装方便灵活易于维护，适合科研与教学实验使用。产品型号三靶高真空磁控镀膜溅射系统主要特点1、组成由单室超高真空双靶磁控溅射室，由溅射真空室与管路组成。2、配有旁抽系统，启动快不停机即可更换样品，重复性好。3、用于镀制各种单层膜、多层膜系，可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等溅射模式。4、同时可以实现反应磁控溅射，制备氮化物，氧化物等，可镀金属及导磁金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。5、作为试验设备来说达到了最佳的性能价格比。技术参数系统由真空腔室、旋转样品架、磁控溅射靶、铠装加热器、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统等各部分组成。极限真空优于：5.0x10-5Pa（经烘烤除气后）真空漏率小于2.0x10-8Pa.l/S系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.0x10-4Pa；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa1、 真空室腔体尺寸Ф300x350mm，手动上开盖辅助液压结构，前有一个观察窗，样品台可旋转内部连接铠装加热器、真空规、放气阀等各种规格的法兰接口，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面采用电解抛光处理。采用金属或氟橡胶圈密封。配备一体机柜标准电箱。2、磁控溅射靶靶材尺寸：Φ50mm（其中一个可以溅射磁性材料）；永磁靶一支、强磁靶一支：射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；配手动挡板。2个靶可共同向下面的样品中心溅射，靶与样品距离90～110mm可调。3、铠装加热样品:加热区域为Φ100mmX100mm(H),基片加热最高温度 室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。配有磁力转轴，电机驱动每分钟低于30转。标准配件1、真空部件进气角阀：2套；RF100观察窗：1套；观察窗法兰：RF100 2个；电阻规： KF16 1个；电极引线： CF25 1个；2、工作真空获得及测量：直联6L/s机械泵： 1台；F600分子泵：1台；电磁KF20阀：1台；5227真空计：1台角阀RF16、管路、接头、充气阀D6等： 1路；KF25电磁压差阀： 1台；CF100闸板阀：1台；3、相关规格的金属密封铜圈，氟橡胶密封圈4、不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等5、安装机台架组件:安装台架：整个设备安放在一个用承载式标准电箱上，箱体均进行喷塑处理。拆卸方便占地小780mmX580mmx1100mm。6、电源控制系统电源布置在标准电箱上，安装于系统机架上。7、自制电源控制电源：1台（为机械泵、电磁阀等提供电源及过程控制带逻辑监测）； 样品加热电源：1台（日本产控温表可实现程序控温）室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。8、配套电源真空计电源：1套直流DC500W电源：2套流量显示、流量控制器：1套9、备品备件：1套

超高真空系统：1、极限真空：单台分子泵极限真空-6Pa2、可PLC自动控制——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈超高真空系统溅射离子泵与钛升华泵串联

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

高真空磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。距离可调整基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。控制系统采用计算机＋PLC两级控制系统安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。 -Φ2 ～Φ3 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

GSEM专注于高性能真空镀膜产品的小型化研发设计，是专业的离子溅射仪生产厂家。其产品在小型化、易用性和经济性方面具有竞争力。 离子溅射喷金仪产品是为不导电或者导电性差的样品专门设计, 利用离子溅射的方式, 使样品表面形成一层薄膜?扫描电镜（SEM）观察样品表面或者进行样品成分分析时, 非导电性物体容易形成荷电效应, 从而产生图像变形, 不能进行正常 的检测分析。 在扫描电镜检测前, 为便于分析 因为不导电样品在电子束作用下, 样品表面会聚集荷电 , 从而使其图像歪曲变形, 所以要在样品表面镀金产品主要采用黄金或者白金靶材, 在样品表面镀膜, 根据样品的特性调节电压及喷金涂层的厚度? 产品说明● Current:1mA为单位(1 to 10mA)● Times : 以秒为单位 (1 to 600sec)● Library : 最多可以储存10个喷金条件● Selective Plasma : 根据设定好的次数分配溅射时间 (减轻热敏感的样品损伤)通过点Start键机械泵自动开始抽真空工作? (抽真空时间约1分钟)到达设定的真空度, 按照设置的喷金厚度开始工作?喷金完成后5秒左右, 可以打开样品仓上盖, 取出样品?对物体镀金属层可以利用溅射镀层法, 镀层黄金, 白金的金属膜半导体配件, 陶瓷, 金属, 粉末等材料和产品的细微构造分析/破裂面故障分析 G10溅射仪相关参数：

SD-650MHT双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。双靶磁控溅射仪原理:　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。SD-650双靶磁控溅射镀膜机参数：品牌品牌 : 北京博远微纳科技有限公司 型号: SD-650MHT 仪器主机尺寸: 长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高720mm） 工作腔室尺寸： 金属腔体：直径260mm×高500mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶头：双靶 靶材尺寸：直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×3mm的铜靶及直径50mm×3mm的铝靶 靶枪冷却方式： 水冷 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-3Pa） 电源：直流恒流电源：输入电压：220V 输出电压：0-600v 输出电流：0-1.6A 射频电源和匹配器：功率500W。 载样台： 直径200mm 工作气体：Ar等惰性气体（需自备气瓶及减压阀） 气路： 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。 水冷： 自循环冷却水机 膜厚仪 : 实时监测，触摸屏控制 可镀材料： 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 3KW 【SD-650MHT安装 / 使用 环境】选择一个合适的仪器摆放位置：1、放置SD-650MT高真空磁控镀膜仪在一个长130cm,宽60cm的平面桌子上（桌子的承重需要在200KG以上）；2，放置“外置 旋转机械真空泵”及“冷水机”在一个合适的位置（地面 / 靠近镀膜仪主机）；3，系统总重量（镀膜仪、电器柜、选装泵、冷水机）约为208~240KG（选配不同），请确保有4人一起移动 / 搬运仪器；4，仪器的使用 / 运行环境温度为15~25摄氏度，相对湿度不超过75%；5,为仪器提供一个220V，16A的空开。6，确保使用 / 运行环境有足够的通风，并且避免阳光直接照射到仪器。7，氩气和氩气瓶解压阀需自备。

仪器简介：典型应用是氩离子溅射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型离子源)溅射清洗 /表面准备，用于表面科学， MBE ，高真空溅射过程离子辅助沉积离子束溅射镀膜反应离子刻蚀高性价比IG2溅射离子枪套件是低成本离子束蚀刻和溅射清洁样品的完美解决方案，用于表面分析、清洁STM尖端、一般真空科学和纳米技术应用。如果您只想清洁样品或 STM 吸头的表面，为什么要支付超出您需要的费用？这种操作简单且可靠的溅射离子枪和控制构成了当今市场上价格最低的封装！IG2 还可以使用惰性气体（如氩气和氧气）运行。操作理论IG2离子源产生高能惰性气体离子束，用于溅射蚀刻固体表面。该源需要使用惰性气体（如氩气）的静压为 5x10-5 torr（有关兼容气体列表，请参见数据表）。离子在离子源的双丝电离室内由电子撞击产生，然后以高达2 kV的能量聚焦在目标上。通过使用离轴灯丝几何形状，离子束的杂质含量最小化。聚焦透镜允许在给定的工作压力和源到样品距离下获得高离子电流密度。双钨丝组件允许在第根灯丝打开时继续运行。在推荐的工作条件下，灯丝组件的预期寿命在正常使用下为数年。灯丝组件在现场很容易更换。32-165 型 2 kV 离子源控制器提供操作 04-165 2 kV IG2型离子源所需的所有必要电压和电流。光束电压可以手动、远程或使用内置定时器激活。此外，阳极（离子）和灯丝电流以及光束和聚焦电压可以在外部进行监控，以确保溅射条件的准确再现。

仪器简介：ETD-2000型离子溅射仪，采用真空自动控制和真空保护电路，使操作和应用更加安全可靠。为扩大应用领域，可同时手动调整溅射仪的电离电流或手动调整其真空微调针阀，改变电离室的压强，获得最佳的喷镀效果。独特的真空橡胶压边密封结构，保证长期使用不会使钟罩边缘出现毛边而影响真空室中的真空度，陶瓷密封高压插头经久耐用。技术参数：技术规格:1.仪器整体尺寸：长：300mm 宽：360mm 高：400mm2.靶（上部电极）：材料：金，直径：50mm，厚度：0.10mm(大约)3.真空室：直径：160mm，高：120mm4.样品台（下部电极）：溅射面积：直径：50mm，可以根据需要上下调节。5.最高真空度：&le 10-2Torr6.最长定时时间：900S7.最高电压：0-1600V（标配）/0-3000V（选配）8.机械泵：2升/每秒，AC220V可选配:冷台小型冷水机三靶溅射头(在进行特殊涂层的应用时，不需要打开真空即可进行三层沉积溅镀)。主要特点：本仪器主要适用于扫描电子显微镜样品镀膜导电膜(金膜),仪器操作简单方便,是配合中小型扫描电子显微镜制样必备的仪器。主要特点轻便、溅射面积大靶材可按用户要求加工制作

产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。设备用途：可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气极速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师真空室结构:圆筒形前开门真空室尺寸:φ450x400mm 极限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%