光电倍增管探测器

这款BSE探测器,BSE detector 是欧洲进口的全球领先的背散射电子探测器，它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路，以卓越的性能满足背散射电子探测应用。BSE探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统BSE探测器，背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束

青木子的硅光电倍增管（Guava-SiPM）是具有单光子灵敏度的创新型固态硅探测器，采用高灵敏半导体倍增探测器和低噪音时间积分电路探测光子级信号。硅光电倍增管是光电倍增管的有效替代品。该系列探测器的主要优势在于其高增益特性、卓越响应速度和低工作电压。该系列探测器还具有对磁场不敏感和集成度高等特点。典型应用领域包括高能物理、医学影像学、核医学、生物光子学与科学，国土安全及分析仪器等。特性 ? 在420 nm 处 40% 光子检测效率，并将灵敏度扩展至 300 nm，以提高紫外线灵敏度? 30 kHz/mm的超低暗计数率? 均具有 ±250 mV 的出色击穿电压均匀性? 温度稳定性为 21.5 mV/°C? 300 ps 超快上升时间? 偏置电压 30 V? 1 毫米、3 毫米和 6 毫米传感器尺寸? 内外部均可触发优势：? 适用于各种传统 PMT 的应用。 ? 106的高增益导致单光子灵敏度。? 业内最佳的 Vbr均匀度。? 紧凑、坚固的包装。产品指标 供电+5V, 最大120mA通信接口USB串口， 波特率115200数字输出信号分辨率0-10000SAT意味着数据饱和，此时应减小采样周期外触发输入信号每个信号上升沿触发一次信号积分。测量周期由$PE指令设置。外触发信号高电平有效范围为3V-5V。外触发信号周期必须大于积分采样周期的设置值。积分采样完成前输入的外触发信号将被忽略。积分时间由$PE指令设置，测量完成后输出测量结果。外触发信号仅使用在单次测量模式下，在内部定时连续测量模式下外触发信号将会干扰正常工作。感应光谱范围300nm-900nm传感器探测面积3.0mm x 3.0mm使用温度-25°C - +50°C存储温度-35°C - +60°C采样积分时间1 to 60,000毫秒 可调外形尺寸接口连接器通信：Micro USB外部触发：SMB 通讯协议 波特率：115200 8bit数据位，无校验，1停止位所有指令以ASCII字符方式，控制字符串以$（ASCII代码36）开头，以[CR]（ASCII代码13）结束，字母不区分大小写。返回字符串以*（ASCII代码42）开头，以[CR]（ASCII代码13）结束。 指令集回应说明$HP[CR]*[CR]通信测试$VE[CR]*XXX[CR]产品版本信息$RE[CR]系统复位指令$IC[CR]*OK[CR]保存现在的设置，下次产品开机时将调取保存的设置。本指令只在需要时使用。频繁使用会降低flash存储器寿命$PE[CR]$PExxxx[CR]*xxxms[CR]*xxxxms[CR]询问采样积分时间，单位为毫秒设置新的采样积分时间，单位为毫秒$SP[CR]*xxxxx[CR]或*SAT[CR]询问最近一次测量信号值，信号范围0-10000。信号饱和时需要减少采样积分时间$SC[CR]$SC0[CR]$SC1[CR]*0[CR]或*1[CR]*0[CR]*1[CR]询问连续测量模式下结果自动输出设置状态关闭连续测量模式下自动输出设置状态，需要使用$SP指令读取测量信号。使能自动输出设置状态$MS[CR]*xxxx[CR]或*SAT[CR] ? not allowed[CR]在单次测量模式下，开始一次积分测量。返回测量信号值。连续测量模式下不允许本指令。需要使用$CW0指令修改为单次模式。$CW[CR] $CW0[CR]$CW1[CR]*0[CR]或*1[CR] *0[CR]*1[CR]询问连续测量模式是否使能：0-单次测量模式，使用外触发信号或$MS指令进行一次测量。1-连续测量模式，自动进行连续测量设置为单次测量模式设置为连续测量模式$VS[CR]$VSxxxxx[CR]*xxxxx[CR]*OK[CR]传感器灵敏度设置。高灵敏度会提高对光子检测的灵敏度，但同时也提高了传感器偶发噪音水平。灵敏度设置范围为26000-31000。

扫描电镜探测器配件是全球领先的BSE探测器或背散射电子探测器，为扫描电子显微镜提供最佳的信噪比和超高的分辨率，是SEM探测器中的最新产品。 扫描电镜探测器配件特点适合全球所有的商用扫描电镜，采用独立设计理念，具有标准的安装法兰接口，非常方便用户的安装和使用 采用YAG:Ce单晶闪烁体 采用闪烁晶体和光电倍增管，提供极佳的图像质量 全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比 无限的探测器寿命 HV+LV+ESEM工作模式 电动可回缩高精密导臂 波纹管密封高真空系统 完全用户订制化的SEM连接系统扫描电镜探测器配件性能 YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm ,内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。 独特的技术确保0.5keV的超高灵敏度,高达1pA电子束 外部尺寸406x100x72mm 适合真空环境使用 0.01mm的重复精度 适合所有SEM的法兰接口 部分测量结果案例

这款背散射电子探测器是欧洲进口的全球领先的BSE探测器，它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路，以卓越的性能满足背散射电子探测应用。背散射电子探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管，提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术，灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选，它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束

这款致电离辐射探测器是欧洲进口的致电离粒子探测器，它具有超高灵敏度，广泛用于电离辐射探测，根据不同应用可用作中子探测器,伽马射线探测器或X射线探测器。这种致电离辐射探测器已经在粒子物理，核物理，环境检测，化学等诸多领域成功应用。电离辐射探测器由YAP:Ce, YAG:Ce, BGO or NaI(Tl)闪烁体单晶，光电倍增管，放大器和驱动电路组成，我们根据用户要求灵活设计这些探测器。请联系我们We design, and manucfacture a large variet of scintillation detectors which are used for the detection and spectroscopy of ionizing particles, neutrons, gamma-ray and x-rays.The detection&spectroscopy units are designed specifically to the customers’ requirements.These units find use in geology, medicine, particle physics, environmental applications as well as in many other areas. Typically used scintillation materials include YAP:Ce, YAG:Ce, BGO or NaI(Tl) Fully customized spectroscopy units consist of an appropriate photodetector and the necessary electronics such as preamplifiers, amplifiers, voltage dividers or voltage sources, either integrated within the detection unit or as external units.All scintillation detectors are magnetically shielded and mechanically protected by a metal housing. Housing size and materials are also selected in line with customer requirements.

微型光电倍增管组件产品图像产品型号产品名称 H12400-00-01微型光电倍增管组件

SPEX光电倍增管电缆S7020573配件编号：S7020573产品名称：SPEX光电倍增管电缆 产品规格：S7020573 仪器厂商：SPEXApart/斯派克价格：面议库存：是

光电倍增管 筱晓光子供应光电倍增管，基于KETEK技术，专注于微弱光的检测。该系列光电倍增管具有如下特点：单光子计数、灵敏度高、信噪比高、效应速度快、温度影响小、结构紧凑，广泛应用于：化学分析、医疗诊断、科学研究、工业集成。Chip PackageActive Area(mm2) Pixel Size(μm)PixelnumberTrench TechnologyGeometrical efficiency(%)Dark rate(kHz/mm2)PDE(%)Gain at 20% OVCross talk(%)THD1.2×1.250×50576No70500502 E635THD3.0×3.050×503600No70500502 E635THD3.0×3.050×503600Yes63300402 E620THD6.0×6.060×6010000Yes66500401 E725

光电探测器雪崩二极管 提供Si, InGaAs类型雪崩二极管（APD）及其模块。 SAE系列雪崩二极管 SAE230VS和SAE500VS是普遍通用的硅类雪崩光电二极管，在400~1000nm范围具有高灵敏度，相当快的响应速度，峰值响应位于650nm，适合可见波段目标探测。各种类型封装形式可选。 特点： 高量子效率 低噪声，高速度 高增益，M100 500um探测靶面 平缓的增益曲线 宽温工作范围 雪崩光电二极管 系列8 – 高速/高增益 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD100-8TO52S1?0.1000.007850.05120-1900.8180典型值：0.453×10-15AD230-8TO52S1?0.2300.0420.31.21801×10-14AD230-8LCC6.1AD500-8TO52S1?0.5000.1960.5-12.23502×10-14AD500-8TO52S2AD500-8LCC6.1AD800-8TO5i?0.8000.502.05.07004×10-14AD1100-8TO5i?1.1301.004.08.010008×10-14AD1900-8TO5i?1.9503.0015.020.014001.5×10-13AD2500-8TO5i?2.5205.0020.028.015003×10-13AD3000-8TO5i?3.0007.0730.045.020004.5×10-13AD5000-8TO8i?5.00019.6360.0120.030009×10-13 系列9 – 近红外增强响应 型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容上升时间温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μAM=100(pF)@M=100(ps)UBR (V/K)(W/Hz1/2)AD230-9TO52S1?0.2300.0420.5180-2400.8500典型值：1.551×10-14AD230-9TO52S3AD500-9TO52S1?0.5000.1960.81.25502×10-14AD500-9TO52S2AD500-9TO52S3AD800-9TO5i?0.8000.502.02.013004×10-14AD1100-9TO5i?1.1301.004.03.013008×10-14AD1900-9TO5i?1.9503.0015.08.014001.5×10-13AD2500-9TO5i?2.5205.0020.012.015003×10-13AD3000-9TO5i?3.0007.0730.018.020004.5×10-13AD5000-9TO8i?5.00019.6360.045.030009×10-13 阵列AA16-9DIL180.648×0.2080.1355.0100…3002.02000典型值：1.552×10-14AA16D-9SOJ22GL1.000×0.4050.405AA8-9SOJ22GL1.000×0.4050.4051.5AA16-0.13-9SOJ22GL0.648×0.2080.135- 系列10 – 1064nm 增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间(ns) Vop温度系数噪声电流芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@Vop@ID = 2μA@Vop 100kHz@1064nm，50ΩVBR Tk(V/K)@Vop (A/Hz1/2)AD500-10TO5i? 0.5000.1965320-5000.85典型值：3.5典型值：1×10-12AD1500-10TO5i? 1.5001.7710300-5001.98注：Vop – 工作电压 系列11 – 蓝光增强型号有效面积暗电流(nA)击穿电压(V)电容(pF)上升时间 (ns)温度系数噪声电流(A/Hz1/2)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@M=100@ID = 2μA@M=100,100kHz@410nm，50ΩVBR Tk(V/K)@M=100AD800-11TO52S1? 0.8000.51.0100-2002.51典型值：0.881×10-14AD1900-11TO5i? 1.9503.05.010.022.5×10-14 系列12 – 红光增强/高速型号有效面积暗电流(nA)击穿电压电容截止频率温度系数噪声等效功率芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)(nA)(V) (pF)(GHz)VBR Tk(V/K)(W/Hz1/2)AD230-12TO52S1? 0.2300.0420.160-1201.53典型值：0.21×10-14AD230-12LCC6.1AD500-12TO52S1? 0.5000.1960.24.5AD500-12LCC6.1 IAG系列雪崩二极管 IAG系列雪崩二极管，是非常经济适用的InGaAs APD，在1000nm~1630nm具有高灵敏度和快速响应时间。峰值响应位于1550nm，特别适合人眼安全的激光测距，自由空间光通讯，OTDR及高分辨OCT。 特点： 80,200或350um探测面可选 带宽可达2.5GHz 1000nm~1600nm量子效率大于70% 低暗电流&噪声 TO-46或陶瓷封装 UPD系列超快光电探测器（参造Alpha） 光电倍增管 光电倍增管（Photomultiplier Tube, PMT）是能够实现光信号与电信号的转化及电信号倍增的一类真空器件，是目前微弱光探测领域不可或缺的光电传感器，广泛应用于分析、医疗、核计测、高能物理、宇宙射线探测等领域。Specifications Spectral Response 185 to 900 nm Photocathode Material Multialkali Effective Area of PMT 8 x 24 mm Supply Voltage 1250 V dc Cathode Sensitivity Quantum Efficiency at 260 nm (Peak) Luminous Radiant 400 nm 25.4 % typ.250 μA/lm typ. 74 mA/W typ. Anode Sensitivity LuminousRadiant at 400 nm 2500 A/lm typ. 7.4 x 105 A/W typ. Gain 1 x 105 typ. Anode Dark Current (After 30minute Storage in the darkness) 3 nA PIN光电二极管 PIN光电二极管覆盖紫外到中红外，响应波长150nm~2.6μm，光敏面包括InGaAs，GaP，Si，Ge，以及四象限和双波段光电二极管。 产品特性： 光谱范围覆盖150nm~2.6μm 高响应度，最高达100ps 大面积光敏面达到?10mm 提供FC/PC接口类型 InGaAs筱晓光子公司生产To-can封装系列光电探测器，采用自主设计生产的PD芯片，并且针对不同应用领域做了优化设计，使器件更加适用客户的应用条件。产品特点响应度高 暗电流小 响应速度快 低背向反射低互调失真稳定性、可靠性好 InGaAs PIN 光电探测器型号：PDS443-C-C特点：◆ 平面半导体设计及介质钝化◆ 3管脚同轴流线型外形设计，透镜管帽封装◆ 优越的噪声特性和光电性能◆ 气密封装、100%电老化◆ 应用于CATV模拟接收、光纤通信系统、光功率检测等。 注意事项：a 请在ESD防护下使用，避免在加电和加光时安装或拆卸器件；b 引线应尽可能短。四象限光电二极管 型号有效面积典型的暗电流击穿电压最大电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V (pF)(μm) @850nm, 10V, 50ΩDP3.22-6TO51.4×2.33.220.3153.150, 氧化物微分30QP1-6TO5? 1.131.000.11.016, 氧化物四象限20QP2-6TO5? 1.602.000.12.020, 氧化物QP5-6TO5? 2.525.000.23.024, 氧化物QP5.8-6TO52.4×2.45.800.42.750, 氧化物QP10-6TO8S? 3.5710.000.55.028, 氧化物QP20-6TO8S? 5.0520.001.010.034, 氧化物30QP50-6TO8S?7.8050.002.025.042, 氧化物40QP100-6LCC10?11.20100.005.050.050, 氧化物50 型号有效面积暗电流击穿电压典型的电容间隙类型上升时间(ns)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@150V（nA）(V)@150V (pF)(μm) @1064nm, 150V, 50ΩQP45-QTO8i6.69×6.694×112020015.070四象限5QP100-QLCC1010×104×2525025.0506QP154-QTO1032i? 14.04×38.5100 位置敏感探测器 采用DUO侧向技术，连续的模拟信号输出，正比于光点偏移中心的位置。可进行一维或二维的位置测量。 特点： 应用： 超线性输出 光束对准 超高精度 位置感应 宽动态范围 角度测量 高重复性 表面轮廓 DUO侧向结构 高度测量 瞄准、导向系统 运动分析 位敏光电二极管 型号有效面积暗电流击穿电压电容维数上升时间(μs)噪声最小分辨率(μm)芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@10V（nA）(V)@10V, 100kHz(pF) @865nm, 10V, 50Ω@632nm, 0.50 μWOD3.5-xSO83.5×13.56.53515单轴0.20.05OD6-7SO166.0×1610.015DL16-7CERsmd4×41630双轴0.50.06DL16-7CERpinDL100-7CERsmd10×101008030754.00.2DL100-7CERpinDL100-7LCC10DL400-7CERsmd20×204008001003500.3DL400-7CERpinDL100-LLCC1010×101005050406.00.5 频敏光电二极管 型号有效面积暗电流节电容(nF)上升时间(μs)并联电阻芯片封装尺寸(mm)面积(mm2)@5V（nA）Diode1, @0V(nF)Diode2, @0V(nF)Diode1, @0V, 1kΩDiode2, @0V, 1kΩDiode2, @10mVDiode2, @10mVWS7.56TO52.75×2.757.5610典型值：1.0典型值：0.11012GΩ100MΩWS7.56TO5i15 单子计数器 该系列单光子计数模块应用广泛，包括：共聚焦显微镜、粒子分析、荧光检测、激光雷达、天文学。特点：量子效率高、暗计数率低、计数稳定、光纤耦合可选、操作简便。 Type Spectral range Dark count rate Efficiency Active dia. Timing resolution Dead time COUNT Series COUNT-500C 400-1100nm 500Counts/s 15% for 405nm70% for 670nm50% for 810nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250C 250Counts/s COUNT-100C 100Counts/s COUNT-50C 50Counts/s COUNT-20C 20Counts/s COUNT-10C 10Counts/s COUNT-blue Series COUNT-500B 350-1000nm 500Counts/s 55% for 405nm70% for 532nm55% for 670nm 100μm 800ps 55ns COUNT-250B 250Counts/s COUNT-100B 100Counts/s COUNT-50B 50Counts/s COUNT-20B 20Counts/s COUNT-10B 10Counts/s Options Fiber FC-style fiber-optic receptable pre-aligned to the optical detector surface. COUNT-PSU Power supply for single photo counting. DSN 102 Two-channel power supply for single photo counting, stand-alone version or OEM.

FPD光电倍增管(PMT)和固定架组件说明 部件号收集极后盖 G1535-80520加热器/传感器组件 G1535-60610传输管线支架 19256-00320固定架/支架 G1535-00010硫滤光片，7890 和较新型号的6890* 1000-1437硫滤光片，蓝色，早期型号6890* 19256-80000磷滤光片 19256-80010滤光片垫片，仅与火焰光度检测器硫滤光片配合使用（部件号1000-1437）19256-20910PMT 腔体组件 19256-60510双FPD 排放管，前 G1535-00030

G1535-800506890 PhotoMultipler tube6890 光电倍增管

FPD 光电倍增管(PMT) 和固定架组件说明部件号收集极后盖G1535-80520加热器/传感器组件G1535-60610传输管线支架19256-00320固定架/支架G1535-00010硫滤光片，7890 和较新型号的 6890*1000-1437硫滤光片，蓝色，早期型号 6890*19256-80000磷滤光片19256-80010滤光片垫片，仅与火焰光度检测器硫滤光片配合使用（部件号 1000-1437）19256-20910PMT 腔体组件19256-60510双 FPD 排放管，前G1535-00030*有关6890 FPD 检测器硫滤光片的正确选择，请联系安捷伦的技术支持人员。

FPD光电倍增管(PMT)和固定架组件说明 部件号收集极后盖 G1535-80520加热器/传感器组件 G1535-60610传输管线支架 19256-00320固定架/支架 G1535-00010硫滤光片，7890 和较新型号的6890* 1000-1437硫滤光片，蓝色，早期型号6890* 19256-80000磷滤光片 19256-80010滤光片垫片，仅与火焰光度检测器硫滤光片配合使用（部件号1000-1437）19256-20910PMT 腔体组件 19256-60510双FPD 排放管，前 G1535-00030

光电倍增管放大器配件产品实例：产品图像产品型号产品名称带宽(-3dB)CV转换因子输入接口输出接口 C11184放大器单元直流到300MHz1.25 mV/uAMCX-R (支持MCX-BNC转接器 )MCX-R (支持MCX-BNC转接器 ) C12419放大器单元直流到1MHz1 V/uABNC-RBNC-R C5594放大器单元50 kHz 到 1.5 GHｚ3.15 mV/uASMA/BNC (可选)SMA/BNC (可选) C6438放大器单元直流到50 MHz0.5 mV/uABNC-RBNC-R C6438-01放大器单元直流到50MHz25 mV/uABNC-RBNC-R C7319放大器单元直流到20 kHz 或 直流到200 kHz (可切换)0.1，1，10 V/uA (可切换)BNC-RBNC-R C9663放大器单元直流到150MHz4 mV/uABNC-RBNC-R C9999放大器单元直流到10MHz50 mV/uABNC-RBNC-R M7279放大器模块直流到10MHz10 mV/uAOn-board typeOn-board type M8879放大器模块直流到150MHz4 mV/uAOn-board typeOn-board type

产品特点：ETP电子倍增器ETP Electron Multipliers用于质谱分析● 专利专用表面材料，可产生非常高的二次电子发射。● 空气稳定。● 两年有效期保证。● 离散倍增电极设计可延长使用寿命。优化的离子和电子光学元件，实现最佳性能。增加表面积，增强灵敏度，延长使用寿命。所有ETP电子倍增器的多倍数法都可以延长使用寿命和更好的敏感性与通道电子倍增器（CEM）或连续倍增极倍增器相比较。ETP制造的电子倍增器使用专有的打拿极材料。 这种材料具有许多特性，使其非常适合用于电子倍增器。 它具有非常高的二次电子发射，可以从每个倍增电极实现卓越的增益。 这种材料在空气中也非常稳定。 事实上，ETP乘数可以在使用前存储多年。 作为ETP乘法器中使用的活性材料的高稳定性的直接结果，它们具有两年的有效期保证（存储在原始的密封包装中）。 许多测试实验室通过保留更换的ETP倍增器来利用这种长有效期，随时可以立即安装。 这可以将仪器停机时间降至最低。 对于典型的GC-MS ETP电子倍增器，总有效倍增极表面积约为1,000 mm2。 这可以与标准连续倍增器进行比较，其总通道表面积仅为约160mm 2（对于直径为1mm且长度为50mm的通道）。 这种增加的表面积扩大了电子倍增过程在更大面积上的工作量，有效地减缓了老化过程并改善了使用寿命并获得了稳定性。*注意：电子倍增器专门用于改造原始制造商的设备。该探测器采用模块化设计，便于更换，并提供旨在提高性能的其他创新。首次安装需要包含机械外壳的安装座。初始安装后，只需要更换电子倍增器。该装置设计用于5975,5973 GC和LC-MSD（不适用于5975C三轴检测器）。订货信息：ETP Electron MultipliersCatalog #InstrumentTypeUnits23073for Agilent 5971, 5972, GC GC-MSElectron Multipliers for Agilent GC-MS and LC-MSea.23074for Agilent 5973 and 5975 GC-MS (includes mount for initial installation)*☆Electron Multipliers for Agilent GC-MS and LC-MSea.23075for Agilent 5973 and 5975 GC-MS and LC-MSD (Replacement Multiplier)*☆Electron Multipliers for Agilent GC-MS and LC-MSea.23840for Shimadzu QP5000 MSElectron Multipliers for Shimadzu GC-MSea.

SiLi探测器是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器，不需要液氮制冷，因此可随时便携到现场使用，SiLi探测器非常适合各种X射线荧光分析仪，X射线光谱仪和X射线衍射仪等使用。 SiLi探测器产品特色： 不需要液氮冷却　　　　 高能量分辨率 超薄铍窗　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长期持续工作能力 轻质紧凑设计，方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器参数 能量范围：1-60KeV 探测单元面积：20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积） 能量分辨率：能量为5.9keV时的分辨率： ■ 16μs的成峰时间：138keV ■ 1μs的成峰时间：268keV ■ 记数率为105cps，成峰时间1μs：275keV 峰值/背景比：4000 制冷时间：3小时 工作模式：连续工作 环境温度：-5～38摄氏度 探测单元尺寸重量：80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量：140x160x300mm, 7.5kg 功耗：60W 电源要求：200V AC, 50Hz http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/sili.html

激光甲烷探测器是德国进口的高精度甲烷浓度探测仪器，它采用全球领先的调谐二极管激光吸收光谱技术（TDLAS），能够在60米远的距离高精度探测甲 烷浓度,瓦斯浓度和甲醇浓度，探测灵敏度高达1ppm,探测速度高达0.1秒。激光甲烷探测器特点可探测60米外的甲烷瓦斯甲醇浓度，超级安全，非常适合危险区域作业超级紧凑，超轻设计，装入口袋即可携带操作方便，手持式操作，如同使用大哥大超级易用，一键即可获得结果是最快最安全的高精度瓦斯浓度探测器激光甲烷探测器参数尺寸：70x179x42毫米重量：600克探测气体：甲烷,瓦斯，CH4技术原理：可调谐二极管激光吸收光谱技术TDLAS探测距离：高达60米测量范围：1-50000ppm.m测量精度：+/-10%@100ppm.m测量速度： 约0.1秒报警声响：72-76dB电池：可充电NIMH电池充电时间：4小时电池续航：充满后工作6小时工作环境温度：-17到50摄氏度工作环境湿度：30-90%RH

SiLi探测器配件是专业为X射线分析和探测而设计的一种电子制冷的硅锂探测器，不需要液氮制冷，因此可随时便携到现场使用。 SiLi探测器配件特色不需要液氮冷却　　　　 高能量分辨率 超薄铍窗　非常适合各种X射线荧光分析仪等使用　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启　 长期持续工作能力 轻质紧凑设计，方便携带 硅锂探测器组成 SiLi探测器 气体连线 SiLi探测器配件参数能量范围：1-60KeV 探测单元面积：20mm2 (可根据用户要求提供60mm^2面积的探测单元面积） 能量分辨率：能量为5.9keV时的分辨率： ■ 16μs的成峰时间：138keV ■ 1μs的成峰时间：268keV ■ 记数率为105cps，成峰时间1μs：275keV 峰值/背景比：4000 制冷时间：3小时 工作模式：连续工作 环境温度：-5～38摄氏度 探测单元尺寸重量：80x135x150mm, 1.8kg 压缩器尺寸重量：140x160x300mm, 7.5kg 功耗：60W 电源要求：200V AC, 50Hz

匠心艺术之作70mm2 FAST SDD Amptek最新研发了一款TO-8封装的70mm2 FAST SDD探测器。它的封装和Amptek其他所有探测器封装一样。这样使得70mm2 FAST SDD成为非常方便的替代品。在同样性能下，计数率是25mm2SDD探测器的3倍。特性 l 70mm2有效面积准直到50mm2l 123ev FWHM @5.9keVl 计数率2,000,000cpsl 高峰背比-26000:1l 前置放大器上升时间60nsl 窗口：Be(0.5mil) 12.5um或C2(Si3N4)l 抗辐射l 探头晶体厚度500uml TO-8封装l 制冷ΔT 85Kl 内置多层准直器 应用l 超快台式和手持XRF光谱仪l SEM中EDS系统的样品扫描或测绘样品l 在线过程控制l X射线分拣机l OEM FASTSDD-70规格参数 通用探头类型硅漂移探头（SDD）探头大小70mm2准直到50mm2硅晶体厚度500um5.9keV处55Fe能量分辨率峰化时间4us时，分辨率为123-135eV峰背比20000:1（5.9keV与1keV计数比）探头窗口Be:0.5mil(12.5um)或C2（Si3N4）准直器内部多层准直器电荷灵敏前置放大器CMOS增益稳定性20ppm/℃外壳尺寸XR-100FastSDD-703.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm)重量XR-100FastSDD-704.4盎司（125g）总功率XR-100FastSDD-702W质保期1年使用寿命取决于实际使用情况，一般5-10年仓储和物流长期存放：干燥环境下10年以上仓储和物流：-40℃到+85℃，10%到90%湿度，无凝结工作条件-35℃到+80℃TUV 认证认证编号：CU 72101153 01检测于：UL61010-1:2009 R10.08 CAN/CSA-C22.2 61010-1-04+GI1输入前放电源 XR-100FastSDD-70 OEM 配置±8V@15mA，峰值噪声不超过50mV。 PA210/PA230或X-123：±5V探头电源 XR-100FastSDD-70-100到-180V@25uA，非常稳定，变化0.1%制冷电源电流电压 最大450mA最大3.5V，峰值噪声100mV注： XR-100FastSDD-70包含它自身的温度控制器输出前放灵敏度 极性输出上升时间反馈 典型的3.6mV/keV（不同的探头灵敏度不同）正输出信号（最大1KΩ负载）60ns复位型温度监控灵敏度根据配置不同而变化当使用PX5，DP5，或X-123时，直接通过软件读取开尔文温度 FastSDD-70 探头可用于Amptek所有的配置中

这种电镜探测器是欧洲设计制造的专业为电子显微镜而配套的闪烁体探测器，可与多种光导器件配合使用，组成电子显微镜探测器。我们已经为电子显微镜设计了许多电镜探测器，包括二次电子探测器（SE detector），背散射电子探测器(BSE detector) ，透射电子显微镜探测器,TEM探测器和ADF探测器.WE develops and produces many types of detectors used in electron microscopy and can optimize detection unit design with the use of various light guide shapes and scintillator types. we designs complete units including the associated electronics and mechanical parts. All products pass strict quality testing. Scintillation Detectorsproduces many types of detectors for use in electron microscopy. These detectors exhibit long operating lives and very good luminescence efficiency. Our product line includes: Standard detectors: SE, BSE, TEM, Dark Field (ADF) Special detectors: In Lens, Segmented, Detection Array, Cathodoluminescent (CL) Custom designed detectors: other special detectors can be developed in cooperation with the customer

X射线探测器是一种位置灵敏性的探测器 （Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射仪探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术，而不是基于传统微光子技术，它不需要维护，不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology，这种技术的探测器噪音较大，而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题，法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器，使用钢合金替代原有材料，使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。 这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。

粒子探测器配件是全球领先的粒子追踪探测器和粒子追迹探测器，它基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像。 粒子探测器配件数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像，非常适合粒子追踪和辐射监测，单光子计数等应用，能够识别3-5keV的辐射粒子或光子。不仅可以识别当个粒子，并且可以区分不同的粒子。 单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。 能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 粒子探测器配件特点 高对比度 高动态范围 无噪音 实时监测 256x256像素单光子计数阵列 传感器面积14.1x14.1mm^2 单个像素55um超大面积 天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱。

这款单光子计数探测器是使用Medipix2技术和Timepix技术的单光子探测器,是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款单光子技术探测器，单光子探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 单光子探测器产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱

X射线探测器是一种位置灵敏性探测器 （Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术，而不是基于传统微光子技术，它不需要维护，不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology，这种技术的探测器噪音较大，而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题，法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器，使用钢合金替代原有材料，使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。 这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末，固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计，具有110度，120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造，代替了传统的机械扫描装置。http://www.f-lab.cn/radiation-detectors/psddector.html

LN2探测器是美国进口的高性能固态能量色散X射线能谱仪探测器。 SiLi探测器可用于所有应用，也可用于特殊的多元件设计。低能量响应LN2探测器提供优异的轻元素X射线响应。 低能x射线在硅中不会渗透很远，因此大多数事件发生得非常接近晶体的前接触，其中电荷的分数容易损失。 这可能导致峰值变宽，拖尾甚至能量转换。 ILN2探测器特殊前接触技术对于最小化这些影响至关重要，从而获得了卓越的光谱性能，直到铍K X射线。最终，在光谱低能量端的X射线检测器的效率取决于入口窗口的选择。 IXRF提供全面的检测器窗口，以适应所有应用。高能量响应诸如X射线荧光（XRF）的应用通常在宽范围的能量下需要良好的光谱响应。 IXRF系统的Si（Li）晶体可根据应用使用不同的有源厚度。 在更高的X射线能量下，更深的晶体更有效。 IXRF的Si（Li）晶体即使在高能量下也保持了优异的背景峰值和低尾部性能。 SiLi探测器的典型规格 有效面积（mm2） 10 30 50 80 分辨率[MnKa]（eV） 127 133 139 148 峰值：背景 20000：1 20000：1 15000：1 10000：1

这款CdZnTe探测器是专业为伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的碲锌镉探测器，不需要液氮制冷。 非常适合各种伽玛射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。CdZnTe探测器产品特色： 不需要液氮冷却　CdZnTe探测器可更换数字脉冲处理高能分辨率高效率USB供电　　　　　更多伽玛线探测器,CdZnTe探测器碲锌镉探测器参数能量范围：20Kev-3MeV能量分辨率： 　　2.5%@662KeV, μSPEC60, μSPEC500 最大测量量：100kcps尺寸：25x25x70mm功耗：80g电源要求：USB供电，5.25V， 100mA

HPGe探测器配件是专业为X射线和伽玛射线探测而设计的一种电子制冷的高纯锗探测器，不需要液氮制冷，非常适合各种伽玛射线和X射线探测使用,是理想的伽玛射线探测器。 HPGe探测器配件特色不需要液氮冷却　　　　　　　　　 任何空间方位都可探测 断电后的自动重启长时间持续工作能力 轻质紧凑设计高纯锗探测器配件： 探测部分：低温恒温器，高纯锗晶体，温度传感器，热交换器 气体压缩器制冷系统 高压气管 能谱仪器件 仿真分析软件 高纯锗探测器配件参数能量范围：40-3000KeV HPGe探测器效率：30% 能量分辨率： 0.9keV@122KeV, 1.9Kev@1.33MeV 探测单元尺寸重量：Dia114x350mm, 2.9kg 压缩器尺寸重量：445x357x281mm, 31.8kg 功耗：570W 电源要求：220V AC, 50Hz

感烟探测器拆装器，感温探测器拆装器，探测器折装工具， 消防专用拆卸工具，感烟探测器功能试验器拆卸工具烟温探测器拆装器专门用来海湾消防烟温感二次拆装，特别适宜先装设备底座及大面积拆装、或探测器下方有障碍物——诸如，楼梯坡道、桌椅、床铺、吊灯上方等及特别高的场所，可规避高空作业安全，节省了登高设施使用费及大量的人工准备工时费。实为不可多得的划时代安装工具。此产品出现可颠覆现有施工安装程序，可在穿线完毕的同时先安装接线固定底座，最后在测量线路无故障后再使用拆装器安装设备，施工效率高，且测试线路绝缘时不用考虑已经安装部分设备而有所顾忌。 高压配电室、配电机柜上方、内燃机组上方、变压器上等特殊无法触及到的场合，以及高架仓库、高空超高位置安装的探测器，出现误报后无法更换，造成整个火灾报警系统运行不稳定。

中子探测器是专业为探测中子源而设计的中子源探测器, 手持便携， 非常适合手持查找中子源。中子源探测器参数探测器类型： He-3警报阈值：1.2x10^4 n/s 或 200g WGPu @0.5m/s 1米远距离静态灵敏度：20cm^2显示剂量：0.1....2000uSv/h连续工作：8小时工作温度：-20～50℃， IP55尺寸重量： 300x150x120mm, 4.2kg

这款混合像元探测器是全球领先的基于Medipix2/Timepix technology技术的像素探测器，它能够实现零背景噪音成像，非常适合粒子追踪和X射线成像等应用。由位于瑞士的欧洲核子研究组织CERN的17个研究所75个科学家联合研究完成。 这款混合像元探测器采用世界领先的无界Medipix2/Timepix芯片传感器 (CERN)，仅仅2平方分米的尺寸，具有一流的读取电路，提出最佳性能。统的CCD或CMOS成像技术以模拟方式积分入射辐射能量的总和进行成像，而这款探测器数字化单光子计数入射光子或粒子，直接转换成可探测的电信号被进一步处理，这种技术不仅实现零噪音成像，而且实现超高亮度和锐度的图像。 致电离辐射探测需要对CCD或CMOS相机探测器配备闪烁材料做成的荧光屏，这种结构的探测器在分辨率，灵敏度和帧频等指标上存在限制。这种革命性的辐射成像探测器就克服了诸多限制，它提供256x256个像素阵列，单个像素可达55x55微米，可当个像素成像，具有如下工作模式：单光子计数模式：当个像素每秒记录高达100000光子数（100000cps）.整个探测器的计数能力高达65亿cps，而且能量阈值可以设定。能量模式（TOT）:每个像素测量单个光子能量，非常适合全谱X射线成像和辐射监测，不仅可以对辐射粒子的轨迹成像，还可以测量粒子能量，非常适合辐射监测，因为粒子轨迹的形状对于不同辐射类型而言是独特的，这种技术也颠覆了现在辐射监测的方法。 到达时间模式（TOA）单个像素计算入射时间，非常适合辐射粒子追踪和时间飞行测量。 产品特点 高对比度高动态范围无噪音实时监测256x256像素单光子计数阵列传感器面积14.1x14.1mm^2单个像素55um超大面积 产品应用天文学，粒子物理，医学成像，光谱成像，粒子追踪，电子显微镜，无损检测，质谱学，X射线成像，X射线衍射，X射线荧光光谱