光霍尔效应测试仪

HMS-7000 光电霍尔效应测试仪相比于传统的变温霍尔效应测试仪，变温光模霍尔效应测试仪可以通过改变照射在样品上的不同波长范围的光源（红、绿、蓝光源），得出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数等半导体电学重要参数随光源强度变化的曲线。 光学模块 通过HMS-7000主机及霍尔效应测试仪软件控制光源及马达自动完成测试，并绘制出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数随光源强度变化的曲线如下：

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

Ecopia为全球霍尔效应测试仪的领导者。针对半导体材料的霍尔效应测试，Ecopia有多个系列、型号的产品推荐给不同要求的霍尔效应仪客户。 HMS-3300 / HMS-3500高温霍尔效应测试仪使用HMS-3000霍尔主机。HMS-3300 / HMS-3500高温霍尔效应仪的变温磁体包使用5500高斯的永磁体组，高温样品板通过温控仪手动控温，温度范围：常温 ~ 300摄氏度 (或500摄氏度)，磁体换向通过磁体组的手动平移实现。 总的来说，HMS-3300 / HMS-3500是一款手动调温的高性价比成熟霍尔效应测试仪。

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Electromagnet电磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所...

HL9900 霍尔效应测试仪应用程序通过霍尔效应测量，可以确定以下特性:电阻率/电导率流动性散装/单张载体浓度掺杂类型霍尔系数磁阻垂直/水平阻力比特性Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方HL9950 -可变温度单元Van der Pauw, Hall Bar和Bridge测量符合ASTM F-76标准简单的探针系统，方便，快速的样品吞吐量紧凑的工作台设计宽电流范围，包括自动电流装置，以尽量减少样品加热用户自定义电场限制，以避免低温下的冲击电离效应可选的高阻抗缓冲放大器/电流源扩展片电阻率测量到1011 Ω/平方

霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.设备明细：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.5T 电磁体 （0.5T 永磁体 / 1.4T 电磁体 两种磁场可选）3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %3-3测试样品：3-3-1样品测试仓：全封闭、带玻璃窗口3-4温 度：3-4-1温度区域：80K ~730K3-4-2温控精度：0.1K3-4-3温控稳定性：± 0.1 K3-5电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm3-6电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms3-7载流子浓度：102~1022cm-33-8迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec3-9输入电流：3-9-1电流范围：0.1 pA~10mA3-9-2电流精度：2%3-10输入电压：3-10-1电压范围：± 2.5V,最小可测到6× 10-6V3-10-2电压分辨率：3× 10-7V3-10-3电压精度：2%

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：1T 电磁体3-2-2磁场类型：电磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：25 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

霍尔效应测试仪主要用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数、导电类型等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试仪是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。ECOPIA公司的HMS系列霍尔效应测量系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、低温(77K)测量系统及磁场强度输入系统组成，拥有研究半导体材料霍尔效应所有的部件和配置，是一套非常成熟的仪器系统。同时HMS系列仪器获得多项霍尔效应测量系统、测量方法的专利，代表了霍尔效应测量的全球品质及合理的产品价格，并为全球客户所认可。该产品2004年7月通过CE认证。产品特点：1、 可靠的精度及重现性恒电流源(1nA~20mA)采用六级电流范围设置，将可以接收的误差降到最低；范德堡法则转换使用非接触装置有效降低仪器噪声；软硬件有针对性的设计，确保每个实验数据均为多次测试的平均值，使仪器拥有非常好的数据重现性。2、 产品小型化及操作简单化小尺寸的磁场强度输入系统使用永磁体和液氮低温测量系统(77K)，确保仪器操作非常简单；两种不同尺寸的传统样品板(20*20mm、6*6mm)及带弹簧夹片的样品板(SPCB)，使得不同尺寸不同材料的薄膜样品更容易测量，区别于传统样品板的弹簧夹片样品板使得霍尔电极制作更方便且对样品损伤更小。3、 I-V曲线及I-R曲线测量采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压及电流-电阻关系，并以此评判样品的欧姆接触好坏、了解样品的基本的电学特性。4、 多样的实验结果实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)、电阻的纵横比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。产品组成：主机(精密恒电流源+范德堡法则终端转换器) / 磁体包(包括样品板) / 软件等。[HMS-3000软件界面一][HMS-3000软件界面二(I-V和I-R曲线测量)]产品规格：1、 主要仪器参数 输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.37T, 0.55T, 1T, 0.25~1T变场磁体；样品测量板：PCB样品板，SPCB弹簧样品板，晶圆样品板等；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm (可选配30mm或2inch大样品板)；测量温度：常温，77K液氮浴；2、 软件操作环境 XP / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率 霍尔系数；电阻率,方块电阻；磁致电阻；电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：360×300×105 mm (W×H×D) 磁体Kit尺寸：200×120×110 mm (W×H×D)；净重：7.7千克；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：HMS-3000霍尔效应仪国内科研用户超过了100台。清华大学、北京大学、复旦大学、上海交大、中国科大、浙江大学、哈工大、电子科大、西北工大、湖南大学、中南大学、上海大学、中科院物理所、半导体所、长春光机所、兰州化物所、上海技物所、苏州纳米所、华南理工、天合光能...

MMR Hall Effect Measurement System controlled continuously variable temperature MMR可控连续变温霍尔效应测试系统1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数2. 测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。3. 磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K5. 电阻率范围：10-6~1013 Ohm*cm6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms7. 载流子浓度：102~1022cm-38. 迁移率: 10-2~109 cm2/volt*sec 仪器优点：1. 采用van der Pauw法测试 2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个 3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出 4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统 5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优 6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试7.允许在一定气体环境下测试8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率

仪器简介：该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 VDP6800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。 目前广泛应有于大学，研究所和半导体厂商。技术参数：磁场强度：0.65T/1T 常温和液氮温度(77K)下测量 输出电流：2nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品夹具： VDP6800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm 仪器重量：6kg主要特点：1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。7、可与四点探针公用系统

韩国Ecopia霍尔效应测量系统HMS3000，HMS5000 韩国Ecopia霍尔效应测量系统主要用于研究半导体材料/光电材料的电学特性，可以测量材料在不同温度、磁场下的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数及载流子类型 主要参数：样品固定方式：弹簧探针或引线治具温度：70~730K；80~580K；70~580K；80~730K；室温~730K（可选）磁场：5000Gauss永磁铁，5000Gauss电磁场， 1.4T电磁场（可选）温度稳定度：=0.05K温度响应：1K/sec致冷片：10X14 mm电阻率：10-6~1013 Ohm*cm载流子迁移率：10-2~109 cm2/volt*sec载流子浓度：102~1022cm-3电流范围：0.1 pA~10mA电压范围：+/-2.5V，最小可测到6X10-6 V电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms常用型号：HMS3000， HMS5000

PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T 永磁体3-2-2磁场类型：永磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜± 1 %10年内磁场变化＜± 0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K(液氮温度)或室温3-4电阻率范围：1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：2.5 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：± 10V3-9-2电压分辨率：1&mu V 4.仪器特点：4-1Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-2Routine and enhanced software常规和增强软件4-3Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-4Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-5Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-6Automatic field calibration自动现场标定4-7Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-8Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-9Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-10Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统) 5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。

霍尔效应测试系统 HET 是依据范德堡法测量材料的电运输性能参数:载流子浓度迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括 Si、ZnO、SiGe、Sic，GaAs，InGaAs，InP，GaN(N型&P型均可测量)，广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。产品特点-采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越 -自动控制磁场方向的改变，更加便捷准确 -样品装夹快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片 -产品采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅测量精确而且操作方便 -用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷应用功能-载流子类型鉴定:通过测量霍尔系数，可以确定电流携带者的类型，是正电荷的空穴还是负电荷的电子，从而获得半导体或导体的电子结构和能带特性 -载流子浓度测量:霍尔系数与载流子浓度之间存在关系，因此通过测量霍尔系数，可以估计材料中载流子的浓度 -迁移率评估:霍尔系数还可以用来计算载流子的迁移率，即电荷载流子在材料中移动的能力，从而对材料的电导率和电子迁移性等方面的深入研究 -材料电性能评估:通过了解材料的电子结构、载流子类型、浓度和迁移率等信息，可以更全面地评估材料的电性能，为电子器件和电路设计提供重要参考

全自动变温霍尔效应测试仪HMS-5000.HMS-5300,HMS-5500产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格：1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；

产品介绍测量包括：• 迁移率测试• DC HEMS: 10^6cm2/Vs to 10cm2/Vs• AC HEMS: 10cm2/Vs to 0.1cm2/Vs• 载流子浓度测试• 电阻率测试• 电阻测量• 低电阻范围 1uohm to 1Mohm• 宽电阻范围 1uohm to 100Gohm• 高电阻范围 1ohm to 100Gohm• 范德堡法测试范围• 霍尔巴法测试 磁帽:• 可更换帽• 标准25mm• 在0-130mm间距连续可调• 更大帽直径可选,50mm,75mm 电磁铁:• ±2.5T@100mmgapwith25mmpoleface• ±35V, ±70A电源• 磁场±IT@25mmpolegap• 线圈电阻: 0.5 ? (20°C)• 水冷温度选项:• 低温 3K-300K• 高温300K-1273K 纳米磁学高斯计:• 磁场扫描采用集成高斯计• 磁场校准采用霍尔探头• 高灵敏度的磁场测量• 所有参数可通过软件控制 样品架:• 4,6 or8范德堡或霍尔巴测试设计• 易于样品安装与弹簧连接• 5mmx5mm样品大小(提供更大选件)• 多个样品安装 控制器和软件:• 使用我们软件可逐层的进行迁移率分析• 基于C# 的全自动软件分析• 非常宽的温度测试范围,3-1,300K• 采用高斯计进行磁场的控制• 非常容易的进行范德堡霍尔巴方法样品测试• 提供软件终身升级上海睿忱英国 NanoMagnetics 仪器 HEMS 霍尔效应测量系统, 多样品实验, 非常适合材料研究等应用.

Lake Shore 8400系列霍尔效应测量系统结合了先进的交流和直流磁场霍尔效应测量方法，应用领域十分广泛。交流磁场测量选件非常适合测量传统直流场霍尔方法难以测量的新兴材料（迁移率低于1 cm2/Vs，包括半导体和电子材料，如光伏（太阳能电池）和热电材料、新的显示材料和有机电子材料等。8400系列霍尔效应测量系统提供了一个强大的测试平台，可以根据用户具体需求进行配置，包括变温选件、高电阻和低电阻选件以及光学通道等，极大程度上满足用户的测量需求，并大大简化实验过程。主要特征 ☛ 标准直流磁场测试迁移率范围：1 ~ 106 cm2/Vs☛ 可选交流磁场选件测试迁移率低至0.001 cm2/Vs☛ 可选变温范围15 K ~ 1273 K☛ 磁场最达2.2 T☛ 标准电阻范围：0.5 mΩ~10 mΩ，可选200 GΩ☛ 低阻选件电阻低至~0.5 μΩ可测量参数直接测量参数间接测量参数♢ 直流/交流磁场♢ 霍尔系数♢ 霍尔电压♢ 霍尔迁移率♢ 电阻率♢ 磁阻♢ 欧姆检查♢ 载流子类型♢ 四线法电阻♢ 载流子浓度♢ I-V曲线设备参数84048407DCACDCAC测量参数迁移率1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 ~ 1 × 106 cm2/Vs1 × 10-3 ~ 1 × 106 cm2/Vs载流子浓度8 × 102 ~ 8 × 1023 cm-38 × 102 ~ 8 × 1023 cm-3电阻率1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm1 × 10-5 ~ 1 × 105 Ω cm电学测试参数*标准电阻测试范围读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS读数的±0.5% ± 量程的0.5% :范德堡/Hall Bar方法 0.5 mΩ ~ 10 MΩ 读数的±0.075% ± 量程的0.05% : 最大阻值 5 MΩ 范德堡/Hall Bar方法：0.5 mΩ to 10 MΩ 样品电阻小于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS ；样品电阻大于100 Ω 时，噪声基300 nV RMS高阻选件配置读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS读数的±0.25% :范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ ~50 GΩ 读数的±1.5% :最大阻值100 GΩ 读数的±5% :最大阻值200 GΩ 范德堡/Hall Bar方法：10 kΩ to 8 GΩ 样品电阻大于10 MΩ 时，噪声基＜1250 nV RMS低阻选件配置电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电阻0.1Ω , 低电阻模式的本底电压噪声为5 nV；标准电阻模式的本底电压噪声为150 nV；本底噪声与测量中使用的电流无关NA电流±1 pA ~ ±100 mA±1 pA ~ ±100 mA恒流输出电压100 V100 V环境（磁场和温度）室温下磁场大小**(25 mm [1 in] 极头间隙)1.67 T使用标准50 mm直径极头1.35 T选用100 mm直径极头1.18 T使用标准50 mm直径极头0.95 T选用100 mm直径极头2.08 T 使用标准100 mm直径极头2.23 T 选用 50 mm直径极头1.19 T使用标准100 mm直径极头1.30 T选用 50 mm直径极头变温下磁场大小**(50 mm [2 in] 极头间隙)0.89 T使用标准50 mm直径极头0.88 T选用100 mm直径极头0.63 T使用标准50 mm直径极头0.62 T选用100 mm直径极头1.44 T使用标准100 mm直径极头 0.68 T使用标准100 mm直径极头运行交流磁场频率NA0.05 和 0.1 HzNA0.05 和 0.1 Hz样品尺寸标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm标准 10 mm × 10 mm × 3 mm可选 50 mm直径 × 3 mm系统标配温度 室温室温单点液氮模块温度77 K77 K闭循环恒温器模块温度标准闭循环恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 400 K 光学型闭循环低温恒温器：10 K (直流磁场)/15 K (交流磁场) ~ 350 K高温炉模块温度室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 室温~1,273 K 773 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 MΩ 1,273 K时读数的±1% : 最大测试电阻1 kΩ 磁体极柱直径4 英寸7 英寸极头直径标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)标准：50 mm (2 英寸)可选：100 mm (4 英寸)极头间隙（室温工作时）25 mm (1 英寸)25 mm (1 英寸)极头间隙（变温工作时）50 mm (2 英寸)50 mm (2 英寸)磁场均匀性25 mm 极头间隙, 50 mm 直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm极头间隙, 100 mm直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm325 mm极头间隙, 50 mm直径极头: ±0.35% over 1 cm325 mm 极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.05% over 1 cm350 mm极头间隙, 100 mm 直径极头: ±0.15% over 1 cm3冷却（电磁铁和电源）标准7.6 L/min , 闭循环制冷机选件10.3 L/min标准19 L/min , 闭循环制冷机选件 23 L/min三相双极性电磁铁电源最大输出±35 V ±70 A (2.5 kW)±75 V ±135 A (9.1 kW)其他附件冷却水总功耗标准4.25 kW 加闭循环制冷机时7.45 kW标准13.4 kW 加闭循环制冷机时16.6 kW

v 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升级，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等v 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500Kv 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sqv 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-3v 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cmv 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板最大样品测量直径：25mm

韩国Ecopia 全自动变温霍尔效应测试仪 HMS-5300LTHVariable Temperature Hall Effect Measurement System (80K-573K)产品组成:1、主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 AMP55TR 磁体组磁场强度：0.51T软件控制，自动换向3、 变温样品系统温度范围：80k-573k主要组成部分及技术规格：-马达控制的磁体组件及腔体；-数据传输电缆、温控电缆等；-变温样品板及弹簧夹具；-温控系统、热电偶；-0.51 特斯拉永磁体；-金属复合材质的高温样品板；-全自动温度控制范围：80-573k；-温控精度：0.5 摄氏度；-控温步长：1 摄氏度；-升温时间：约 30 分钟(常温至 300 摄氏度)；-样品尺寸：样品边长控制在 5mm - 20mm 长；4、常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板5、变温霍尔效应测量软件HMS-5300 变温霍尔效应测量仪软件主界面产品规格：1、 仪器主要参数2、 软件操作环境Windows10/ 8 / 7 环境下；3、实验结果体载流子浓度、表面载流子浓度；迁移率、霍尔系数；电阻率、电导率；磁致电阻；电阻的纵横比率；载流子浓度、迁移率、电阻率 vs 温度曲线；I-V 曲线，及不同温度下 I-V 曲线的对比图；4、仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；磁体 Kit 尺寸：680×220×110 mm (W×H×D) / 16Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO),AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半导体薄膜(P 型和 N 型)；

产品介绍Hall effect Measurement System 霍尔效应测量系统一、产品简介:Hall Effect Measurement System offers an innovative solution on Van der Pauw and Hall Bar measurements. Its unique design allows users to measure the samples between 80K to 500K with ultimate resolution and accuracy. All magnet moves and temperature changes can be done automatically without changing any components.ezHEMS™ enables data logging and plotting of wide range material properties I-V curves, resistance, resistivity, sheet resistance, magnetoresistance, carrier concentration, Hall mobility, Hall coefficient as a function of temperature.霍尔效应测量系统为van der波夫和hallbar测量提供了一个创新的解决方案。它独特的设计允许用户测量在80k到500k之间的最终分辨率和准确性。所有磁体移动和温度变化可以自动完成，不改变任何组件。ezHEMS支持数据记录和绘制宽范围材料属性；I -v曲线、电阻、电阻率、片电阻、磁阻、载流子浓度、霍尔迁移率、霍尔系数作为温度的函数。二、ezHEMS技术规格. Resistivity Measurement Range:10-5 to 109 -cm (sample dependent)电阻率测量范围：10-5至109Ω-cm（取决于样品）. Mobility: 0.1 to 107 cm2 / Volt-sec (sample and field dependent)迁移率：0.1至107cm2 / Volt-sec（取决于样品和磁场）. Concentration: 107 to 1021 per cm3 (sample dependent)流子浓度：每立方厘米107至1021（取决于样品）. Current Source: ±2 nA to ±20 mA, ±12V compliance电流源：±2 nA至±20mA，符合±12V. Minimum Hall voltage measurable: 0.1 μV最小可测量霍尔电压：0.1μV. Supports Van der Pauw as well as Hall bar shaped samples支持Van der Pauw以及Hall Bar样品. Magnetic Field: φ70mm, minimum 0.6 Tesla (±5%) permanent magnet, 1Tesla (±5%) magnet is optional磁场：φ70mm，最小0.6Tesla（±5％）永磁体，1Tesla（±5％）磁体可选. 77-500K & 300-773K temperature range with ±0.2 K resolution.温度范围为77-500K和300-773K及±0.2 K分辨率. Pt-100 resistance thermometer Pt-100电阻温度计. Heater and PID temperature controller 加热器和PID温度控制器. Entire temperature range in a single system 每个系统中均有全面的温度调节范围. Computer control through USB interface 电脑通过USB接口进行控制. Samples sizes from 5x5 mm to 20 mm x 20 mm & with thickness ≤6 mm样品尺寸从5x5mm到20mm x 20 mm以及厚度≤6mm. Automated movement of magnets controlled by ezHEMS Control Software Fully automated measurement sequences三、软件系统由ezHEMS的控制软件控制的磁体自动运动可以全自动测量序列. The ezHEMS Measurement System Software ezHEMS测量系统软件. Software Capabilities: Enables data logging and plotting of different measured quantities I-V curve, resistance, resistivity, sheet resistance, magneto resistance, carrier conc., Hall mobility, Hall coefficient etc. as a function of sample temperature (Full functionality of the software depends on the purchased options.)软件功能：启用不同测量数据的数据记录和绘图 I-V曲线，电阻，电阻率，薄层电阻，磁阻，载流子浓度，霍尔迁移率，霍尔系数等作为样品温度的函数（软件的全部功能取决于购买的选项）。.Provides the measured data in tabular form 以表格形式提供测量数据. LabVIEW™ drivers LabVIEW™ 驱动程序规格如有更改，不再另行通知。

产品简介 SM200是一款专为霍尔效应测试设计的设备，可输出微弱电流，并检测返回的电压信号。SM200也适用于其他的微弱电流源应用功能特点 一体化高精度电压源&电流源可独立使用，也可与Instec温控装置联合使用可同时进行样品温控、光学观察与电测试内置精密电源，1mA~20mA电流源，4½ 数字DMM 五合一测试设备（含IV和IVR测试），方便快捷标准BNC接口可在内部定义电极输入与输出，测试时不用变更接线单通道4x4矩阵电源输入/输出最多6端子电流编程范围，以实现高精度2或4端子电压输出与测量10Hz ~ 470Hz 读取速率（4 ½ digits via GPIB）USB接口或以太网接口可提供LabView样本程序和SCPI通讯协议InstecAPP控制软件，包含样品温控、光学观察与电测试功能典型应用 半导体、骑车、医疗行业的敏感电气测试常规电路板和芯片测试I-V特性曲线击穿电压和漏电流直流电源的参数测试光伏电池输出与效率电阻和介电常数范德堡电阻率和霍尔效应测试电气系统的温度依赖测试调试半导体组件和期间测试气囊操作或缺陷评估保险丝和电路保护装置确保电子医疗设备的安全性测试激光二极管和LED性能

1.设备名称：霍尔效应测试仪2.功能描述：测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3.技术参数：3-1测试范围：Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数3-2磁场：3-2-1磁场强度：0.45T(等同或优于此强度)3-2-2磁场类型：永磁体磁体3-2-3磁场均匀性：磁场不均匀性＜±1 %10年内磁场变化＜±0.2%3-3温 度：3-3-1温度区域：77K和300K3-4电阻率范围：1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm 3-5电阻范围：0.1 m Ohms ~10 G Ohms3-6载流子浓度：107~1021cm-33-7迁移率：10-2~107 cm2/volt*sec3-8输入电流：3-8-1电流范围：1000 pA~10mA3-8-2电流解析度：1 pA (lowest range)3-8-3电流精度：2%3-9输入电压：3-9-1电压范围：±10V3-9-2电压分辨率：1μV4.仪器特点：4-1Automatic or manual current selection自动或手动模式(电流控制磁场模式)4-2Automatic contact check自动接触检查(欧姆接触)4-3Routine and enhanced software常规和增强软件4-4Differential resistivity measurements by I/V-curvesI/V曲线测试电阻率差异4-5Bench top permanent magnet永磁体4-6Misalignment voltage compensation失调电压补偿4-7Correction of slow sample drift voltage, especially for ZnO,修正慢样品漂移电压，特别是氧化锌4-8Automatic field calibration自动现场标定4-9Large concentration and resistivity range大浓度和电阻率范围4-10Flexible, modular hardware灵活的模块化硬件4-11Support of various magnets, for example BioRad HL 5200支持多样磁场4-12Support of various temperature controllers支持各种温度控制器(支持客户自行升级变温系统)4-13Van der Pauw and bar shape (bridge-type) Hall samples支持范德堡和霍尔巴法测试霍尔5硬件5-1The standard system consists of a bench top electronic system, a small magnet and a sample stage for room temperature and LN2 measurements.标准系统包含电子测试系统、磁场和两个温度区域的测试平台（室温和液氮温度）5-2The electronics include the current source, the voltage measurement part, the contact switching module, the magnet power supply and the IEEE or RS232 interface. It is completely micro processor controlled.电子测试系统包括由单片机控制的电流源、电压测试、接触开关模块、磁场电源、IEEE或RS232接口5-3The contact switching module is designed to allow all possible measurement configurations.接触开关模块支持所有用户用于其他的配置(用户可以采用制冷机做变温霍尔测试)5-4The current source has adjustable limits for voltage and/or power. {+++}电流源具有可调电压和/或电源的限制5-5Voltage measurement provides different input amplifiers optimized for either low current or low voltage applications.电压测量提供了不同的输入放大器或低电流或低电压应用的优化。6软件界面

产地：韩国Ecopia；型号：HMS-5000，HMS-5300，HMS-5500；主要型号:1/ HMS-5000：温度范围80K-350K；2/ HMS-5300：温度范围80K-573K，或者常温-573K；3/ HMS-5500：温度范围80K-773K，或者常温-773K；产品组成:1、 主机系统恒电流源+范德堡(Van der Pauw)方法终端转换系统2、 0.55特斯拉磁体包(型号：AMP55) - 0.55特斯拉永磁体 - 磷铜样品固定板 - 样品固定板嵌入式加热器 - 液氮槽 - 温度传感器 样品变温、固定部分组成 AMP磁体Kit俯视图 - 圆形液氮槽 - 磁体移动马达控制 - 样品固定板 - 圆形液氮槽 - 温度传感器 - 磁体盖 - 嵌入式加热器 - 电缆 - 磁体盖 - 电缆3、 常温测量弹簧夹具样品板及常温测量磁体盖板 (选配)4、 变温霍尔效应测量软件HMS-5000变温霍尔效应测量仪软件主界面 不同温度I-V/I-R曲线 载流子浓度随温度变化曲线 迁移率随温度变化曲线 电阻率随温度变化曲线 霍尔系数随温度变化曲线 电导率随温度变化曲线产品规格：1、 主要实验参数输入电流：1nA ~ 20mA；电阻率：10exp(-5) ~ 10exp7Ω.cm；载流子浓度：10exp7 ~ 10exp21 cm-3；迁移率：1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec；磁场强度：0.55T；样品测量板：弹簧样品板；样品尺寸：5mmX5mm ~ 20mmX20mm；温度范围：80K-773K；磁体包尺寸：700×220×280 mm (W×H×D) / 15.5Kg；2、 软件操作环境 XP / VISTA / Win7 / Win8 / Win10环境下3、 实验结果 - 体载流子浓度、表面载流子浓度； - 迁移率； - 霍尔系数； - 电阻率、方块电阻； - 磁致电阻； - 电阻的纵横比率；4、 仪器尺寸和重量主机尺寸：440×420×140 mm (W×H×D) / 8.5Kg；5、 测量材料Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)；参考用户：复旦大学、中国科技大学、华中科技大学、河南理工大学、河南大学、厦门大学、香港城市大学、香港科技大学、香港理工大学、电子科技大学、河北工业大学、吉林大学、中科院上海微系统所、中科院化学所、中科院沈阳金属所、国家硅材料检测中心、广州有色金属研究院、驰宏锌锗、深圳莱尔德等；

华中区销售工程师 周钟平电话：邮箱： 霍尔效应测试系统依据范德堡法测量材料的电运输性能参数：载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。霍尔效应测试系统产品特点自主知识产权产品。采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。霍尔效应测试系统测试实例山东大学钛酸锶陶瓷样品测试结果太原理工硅化镁样品测试结果霍尔效应测试系统技术参数型号HET-RTHET-HT磁场强度6800Gs5000Gs磁场稳定性±2％/每年温度范围RT100K~600K（可连续变温）温控精度\±0.5K输出电流100pA-100mA迁移率1-107cm2/Volt-sec阻抗10-6 -107?CM载流子浓度107 -1021cm-3样品测量板样品边长5-20mm，厚度10nm-3mm样品边长5-15mm，厚度10nm-1mm主机尺寸570x545x380，单位mm\重量50kg80kg霍尔效应测试系统技术原理　　采用范德堡法测量材料的霍尔系数和电阻率。范德堡法可测量任意形状、厚度（d）均匀的薄片样品的霍尔系数和电阻率，样品和四个电极联接，相邻的电极通入电流，在另一对电极之间测量电位差，利用电极1、2和2、3通入电流分别做两次测量，测得电阻RA和RB，然后根据范德堡公式推导出样品的电阻率ρ和R构成如下关系：　　在垂直样品的磁场（感应强度B）作用下，电流通过样品的一对不相邻电极，如由电极1到电极3，测得电极2、4之间的电位差V2,4 （VH），可计算出霍尔系数。

M91是一款全新的一体式霍尔分析仪，采用Lake Shore全新的FastHall测量专利技术（专利号：9797965和10073151），从根本上改变了霍尔效应的测量方式，在测量过程中无需翻转磁场，尤其是在使用强磁场超导磁体或测量极低迁移率材料时，可以实现更快、更精确的测量。同时，M91较短的测量窗口减少了样品因热漂移效应带来的误差，单向磁场测试模式消除了由于磁场对准引起的测量偏差，进一步提高了测量结果的准确性。M91 FastHall可以和任何类型的磁体搭配使用，尤其对于强磁场超导磁体研究平台。目前，M91已经推出了与PPMS系统联用的完整解决方案，显著提高了测量的精度、测量速度以及使用便利性，极大的拓宽了材料研究测试范围！M91主要特征 ☛ 全新的FastHall测试技术，测量过程中无需翻转磁场☛ 一体化设计☛ 可适配各种类型磁体☛ 低迁移率材料的测量速度可达传统方法的100倍☛ 通过最小化热漂移提高精度☛ 测试迁移率低至0.001 cm2/(V&bull s)☛ 标准电阻范围从0.5 mΩ~10 MΩ，可选200 GΩM91主要参数 霍尔测量FastHall方法（无需翻转磁场）范德堡法测量样品传统直流磁场测试方法范德堡法/Hall Bar法测量样品测试参数间接测试参数类型霍尔系数，霍尔迁移率，电阻率，载流子浓度迁移率范围0.001 ~ 106 cm2/Vs（FastHall方法）M91标准测试电阻范围10 mΩ ~ 10 MΩ M91+ M9-ADD-HR高阻选件10 mΩ ~ 200 GΩ 解决了传统霍尔测试中的问题 √ 对于低迁移率的材料，尤其是新型半导体材料（如光伏、热电和有机材料），传统的直流霍尔效应测试系统往往难以测量；√ 交流霍尔效应测试系统可以解决上述问题，但测量时间较长，且测试中因热漂移效应产生误差；√ FastHall技术解决了上述两个问题，可以在几秒钟内精确测量流动性极低的材料。更简单，更方便√ 所有测试模块在一个仪表内√ 自动选择最佳激励和测量量程√ 自动执行测量步骤√ 提供完整的霍尔分析√ 易于使用，易与现有实验室系统集成更好、更快的测量√ 使用FastHall测试无需反转磁场√ 低迁移率材料的测量速度可达传统方法的100倍√ 最大限度地减少热漂移，以提高测量精度更低成本√ 新搭建或快速升级现有系统√ 将先进的霍尔测量技术引进实验室√ 可与任意类型磁体一起使用