化学气象沉积设备

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition 简称CVD) 是利用气态或蒸汽态的物质在气相或气固界面上发生反应生成固态沉积物的过程。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：反应气体向基体表面扩散、反应气体吸附于基体表面、在基体表面上发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面。最常见的化学气相沉积反应有:热分解反应、化学合成反应和化学传输反应等。通常沉积TiC或TiN，是向850~1100℃的反应室通入TiCl4，H2，CH4等气体，经化学反应，在基体表面形成覆层。如今，化学气相沉积被大量应用于半导体领域中。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关化学气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国化学气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据化学气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置 (84862021)和制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）（84863021）。 为了解2021年化学气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，化学气相沉积设备（商品编码84862021、84863021）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前化学气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月化学气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月化学气相沉积设备进口数据商品名称进口额/元数量/台均价制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置25,588,916,599181914067574制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）6,182,288,9799664398844总计31,771,205,57819152021年1-11月，中国进口化学气相沉积设备总额约318亿元，总台数达1915台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达1819台，总额达256亿元，占比高达81%。可以看出，目前影响CVD设备进口的主要取决于半导体器件与集成电路制造。从此前统计的【进口数量同比增长68%：2021上半年CVD设备海关进口数据盘点】可以看出，2020年1-12月，我国共进口化学气相沉积设备1150台，进口额约为186亿元，而今年仅前十一个月就已远超去年全年的进口额。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口化学气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口CVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡、中国台湾和韩国。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口CVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。而从台湾进口的CVD主要用于制造平板显示器，从图中可以看出，中国台湾在平板显示器用CVD进口占比高达95%，而在集成电路或半导体器件制造中，仅占2%。用于半导体器件和集成电路制造的CVD中，主要来源为新加坡、韩国、美国和日本。 2021年1-11月化学气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些化学气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，陕西省、上海市、湖北省、江苏省和安徽省进口额最多，分列前五名。这些地区的化学气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明这些地区在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。实际上，我国在1-11月从韩国进口的化学气相沉积设备主要的注册地就是陕西省，这可能和三星等韩国企业在西安的半导体生产线有关。而在平板显示器用CVD的注册地分布中可以看出，重庆市独占鳌头，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。而福建省进口平板显示器用CVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品化学气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有4款，都属于84862021编号。商品1:K465i金属有机物化学气相淀积设备该商品由手套箱系统、反应腔、气体系统、电源及控制系统、真空系统、冷却水和气动系统、安全控制系统等组成。功能是在衬底表面生长一层或多层半导体薄膜。工作原理是通过控制通入反应腔气体的种类、流量和反应腔内的温度、压力，从而在衬底表面生长出不同工艺要求的半导体薄膜。进口后用于LED制造的外延片加工工序。该产品是由Veeco推出的TurboDisc.K465i，是一款用于生产高亮度LED（HB LED）的氮化镓（GaN） 金属有机化学气相沉淀（MOCVD）设备，2016年经过LED产业内的Veeco 用户试用后， K465i很快获得量产认可。商品2：|Oerlikon Solar|KAI MT 化学气相沉积装置该化学气相沉积装置主要用于太阳能电池组件导电层的镀膜。工作原理：该装置内部的传输机械手将玻璃基板传送到薄膜沉积模块中，在一定的温度、压强下，等离子体发生器在反应室内产生射频电压，将工艺气体电离成原子、分子、原子团形式的带电荷粒子混合状态，经过离子碰撞后使之发生化学反应，沉积成一层非晶硅或者微晶硅薄膜在玻璃基板表面。商品3：|CENTROTHERM|E2000-HT 410-4等离子化学气相沉积装置该产品是太阳能电池生产线用|在半导体表层沉积氮化硅膜。商品4：铂阳|无型号|PECVD化学气相沉积设备PECVD化学气相沉积设备：离解化学气体,在玻璃基板上产生化学反应,生长薄膜/ 250MW硅基薄膜太阳能自动化生产线。

CVD(化学气相沉积)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的:两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。淀积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。化学气相沉积法是传统的制备薄膜的技术，其原理是利用气态的先驱反应物，通过原子、分子间化学反应，使得气态前驱体中的某些成分分解，而在基体上形成薄膜。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。不过随着技术的发展，CVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍一些CVD技术。等离子体增强化学气相沉积（PECVD）等离子体增强化学气相沉积是在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。等离子体增强化学气相沉积的主要优点是沉积温度低，对基体的结构和物理性质影响小；膜的厚度及成分均匀性好；膜组织致密、针孔少；膜层的附着力强；应用范围广，可制备各种金属膜、无机膜和有机膜。【市场分析】上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇高密度等离子体化学气相淀积（HDP CVD）HDP-CVD 是一种利用电感耦合等离子体 （ICP） 源的化学气相沉积设备，是一种越来越受欢迎的等离子体沉积设备。HDP-CVD（也称为ICP-CVD）能够在较低的沉积温度下产生比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD 提供几乎独立的离子通量和能量控制，提高了沟槽或孔填充能力。但是，HDP-CVD 配置的另一个显著优势是，它可以转换为用于等离子体刻蚀的 ICP-RIE。 在预算或系统占用空间受限时，优势明显。听起来可能很奇怪。但是这两种类型的工艺确实可以在同一个系统中运行。虽然存在一些内部差异，例如额外的气体入口，但两种设备的核心结构几乎完全相同。在HDP CVD工艺问世之前，大多数芯片厂普遍采用PECVD进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隔具有良好的填孔效果，然而对于小于0.8微米的间隙，PECVD工艺一步填充具有高的深宽比的间隔时会在间隔中部产生夹断和空洞。在探索如何同时满足高深宽比间隙的填充和控制成本的过程中诞生了HDP CVD工艺，它的突破创新之处在于，在同一个反应腔中同步地进行沉积和刻蚀工艺。微波等离子化学气相沉积（MPCVD）微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。该方法利用电磁波能量来激发反应气体。由于是无极放电，等离子体纯净，同时微波的放电区集中而不扩展，能激活产生各种原子基团如原子氢等，产生的离子的最大动能低，不会腐蚀已生成的金刚石。通过对MPCVD沉积反应室结构的结构调整，可以在沉积腔中产生大面积而又稳定的等离子体球，因而有利于大面积、均匀地沉积金刚石膜，这一点又是火焰法所难以达到的，因而微波等离子体法制备金刚石膜的优越性在所有制备法中显得十分的突出。微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积（ECR-MPCVD）在MPCVD中为了进一步提高等离子体密度，又出现了电子回旋共振MPCVD（Electron Cyclotron Resonance CVD，简称ECR-MPCVD）。由于微波CVD在制备金刚石膜中的独有优势，使得研究人员普遍使用该方法制备金刚石膜，通过大量的研究，不仅在MPCVD制备金刚石膜的机理上取得了显著的成果，而且用CVD法制备的金刚石膜也广泛的用于工具、热沉、光学、高温电子等领域的工业研究与应用。超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）超高真空化学气相沉积（UHV/CVD）是制备优质亚微米晶体薄膜、纳米结构材料、研制硅基高速高频器件和纳电子器件的关键的先进薄膜技术。超高真空化学气相沉积技术发展于20世纪80年代末，是指在低于10-6 Pa (10-8 Torr) 的超高真空反应器中进行的化学气相沉积过程，特别适合于在化学活性高的衬底表面沉积单晶薄膜。石墨烯就是可以通过UHV/CVD生产的材料之一。与传统的气相外延不同，UHV/CVD技术采用低压和低温生长，能够有效地减少掺杂源的固态扩散，抑制外延薄膜的三维生长。UHV/CVD系统反应器的超高真空避免了Si衬底表面的氧化,并有效地减少了反应气体所产生的杂质掺入到生长的薄膜中。在超高真空条件下，反应气分子能够直接传输到衬底表面，不存在反应气体的扩散及分子间的复杂相互作用，沉积过程主要取决于气-固界面的反应。传统的气相外延中，气相前驱物通过边界层向衬底表面的扩散决定了外延薄膜的生长速率。超高真空使得气相前驱物分子直接冲击衬底表面，薄膜的生长主要由表面的化学反应控制。因此，在支撑座上的所有基片(衬底)表面的气相前驱物硅烷或锗烷分子流量都是相同的，这使得同时在多基片上实现外延生长成为可能。低压化学气相沉积（LPCVD）低压化学气相沉积法(Low-pressure CVD，LPCVD)的设计就是将反应气体在反应器内进行沉积反应时的操作压力，降低到大约133Pa以下的一种CVD反应。LPCVD压强下降到约133Pa以下，与此相应，分子的自由程与气体扩散系数增大，使气态反应物和副产物的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加，即使平行垂直放置片子片子的片距减小到5~10mm，质量传输限制同片子表面化学反应速率相比仍可不予考虑，这就为直立密排装片创造了条件，大大提高了每批装片量。以LPCVD法来沉积的薄膜，将具备较佳的阶梯覆盖能力，很好的组成成份和结构控制、很高的沉积速率及输出量。再者LPCVD并不需要载子气体，因此大大降低了颗粒污染源，被广泛地应用在高附加价值的半导体产业中，用以作薄膜的沉积。LPCVD广泛用于二氧化硅（LTO TEOS）、氮化硅（低应力）（Si3N4）、多晶硅（LP-POLY）、磷硅玻璃（BSG）、硼磷硅玻璃(BPSG)、掺杂多晶硅、石墨烯、碳纳米管等多种薄膜。热化学气相沉积(TCVD)热化学气相沉积(TCVD)是指利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。广泛应用的TCVD技术如金属有机化学气相沉积、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于热化学气相沉积的范围。热化学气相沉积按其化学反应形式可分成几大类：（1）化学输运法：构成薄膜物质在源区与另一种固体或液体物质反应生成气体.然后输运到一定温度下的生长区，通过相反的热反应生成所需材料，正反应为输运过程的热反应，逆反应为晶体生长过程的热反应。（2）热解法：将含有构成薄膜元素的某种易挥发物质，输运到生长区，通过热分解反应生成所需物质，它的生长温度为1000-1050摄氏度。（3）合成反应法：几种气体物质在生长区内反应生成所生长物质的过程，上述三种方法中，化学输运法一般用于块状晶体生长，分解反应法通常用于薄膜材料生长，合成反应法则两种情况都用。热化学气相沉积应用于半导体材料，如Si，GaAs，InP等各种氧化物和其它材料。高温化学气相沉积（HTCVD）高温化学气相沉积是碳化硅晶体生长的重要方法。HTCVD生长碳化硅晶体是在密闭的反应器中，外部加热使反应室保持所需要的反应温度（2000℃~2300℃）。高温化学气相沉积是在衬底材料表面上产生的组合反应，是一种化学反应。它涉及热力学、气体输送及膜层生长等方面的问题，根据反应气体、排出气体分析和光谱分析，其过程一般分为以下几步：混合反应气体到达衬底材料表面；反应气体在高温分解并在衬底材料表面上产生化学反应生成固态晶体膜；固体生成物在衬底表面脱离移开，不断地通入反应气体，晶体膜层材料不断生长。中温化学气相沉积（MTCVD）MTCVD硬质涂层工艺技术，在20世纪80年代中期就已问世，但在当时并没有引起人们的重视，直到20世纪90年代中期，世界上主要硬质合金工具生产公司，利用HTCVD和MTCVD技术相结合，研究开发出新型的超级硬质合金涂层材料，有效地解决了在高速、高效切削、合金钢重切削、干切削等机械加工领域中，刀具使用寿命低的难高强度题才引起广泛的重视。目前，已在涂层硬质合金刀具行业投入生产应用，效果十分显著。MTCVD技术沉积工艺如下。沉积温度：700~ 900℃；沉积反应压力：2X103~2X104Pa；主要反应气体配比： CH3CN：TiCl4：H2=0.01：0.02：1；沉积时间：1一4h。金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃，用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。MOCVD适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物及合金半导体，非常适合于生长各种异质结构材料，还可以生长超薄外延层，并能获得很陡的界面过渡，生长易于控制，可以生长纯度很高的材料，外延层大面积均匀性良好，可以进行大规模生产。激光诱导化学气相沉积（LCVD）LCVD是利用激光束的光子能量激发和促进化学气相反应的沉积薄膜方法。在光子的作用下，气相中的分子发生分解，原子被激活，在衬底上形成薄膜。这种方法与常规的化学气相沉积(CVD)相比，可以大大降低衬底的温度，防止衬底中杂质分布截面受到破坏，可在不能承受高温的衬底上合成薄膜。与等离子体化学气相沉积方法相比，可以避免高能粒子辐照在薄膜中造成损伤。根据激光在化学气相沉积过程中所起的作用不同可以将LCVD分为光LCVD和热LCVD，它们的反应机理也不尽相同。光LCVD是利用反应气体分子或催化分子对特定波长的激光共振吸收，反应分子气体收到激光加热被诱导发生离解的化学反应，在合适的制备工艺参数如激光功率、反应室压力与气氛的比例、气体流量以及反应区温度等条件下形成薄膜。光LCVD原理与常规CVD主要不同在于激光参与了源分子的化学分解反应，反应区附近极陡的温度梯度可精确控制，能够制备组分可控、粒度可控的超微粒子。热LCVD主要利用基体吸收激光的能量后在表面形成一定的温度场，反应气体流经基体表面发生化学反应，从而在基体表面形成薄膜。热LCVD过程是一种急热急冷的成膜过程，基材发生固态相变时，快速加热会造成大量形核，激光辐照后，成膜区快速冷却，过冷度急剧增大，形核密度增大。同时，快速冷却使晶界的迁移率降低，反应时间缩短，可以形成细小的纳米晶粒。除以上提到的薄膜沉积方法外，还有常压化学气相沉积（APCVD）等分类技术。

薄膜沉积（Thin Film Deposition）是在基材上沉积一层纳米级的薄膜，再配合蚀刻和抛光等工艺的反复进行，就做出了很多堆叠起来的导电或绝缘层，而且每一层都具有设计好的线路图案。这样半导体元件和线路就被集成为具有复杂结构的芯片了。化学气相沉积(CVD)化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。CVD法可以制作的薄膜层材料包括碳化物、氮化物、硼化物、氧化物、硫化物、硒化物、碲化物，以及一些金属化合物、合金等。化学气相沉积是目前很重要的微观制造方法，因为它有如下的这些特点：1. 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。2. CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。3. 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基材的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及耐磨等表面增强膜是很重要的。4. 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。5. 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。6. 设备简单、操作维修方便。7. 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。化学气相沉积过程分为三个重要阶段：1、反应气体向基体表面扩散2、反应气体吸附于基体表面3、在基体表面发生化学反应形成固态沉积物及产生的气相副产物脱离基体表面CVD的主要有下面几种反应过程：i). 多晶硅 PolysiliconSiH4 — Si + 2h2 (600℃)沉积速度 100 - 200 nm /min可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。ii). 二氧化硅 DioxideSiH4 + O2→SiO2 + 2h2 (300 - 500℃)SiO2用作绝缘体或钝化层。通常添加磷是为了获得更好的电子流动性能。当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃。氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此使用蒸汽的生长速度要快得多。氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。iii). 氮化硅 Siicon Nitride3SiH4 + 4NH3 — Si3N4 + 12H2(硅烷) (氨) (氮化物)化学气相沉积CVD 设备CVD反应器有三种基本类型:◈ 大气化学气相沉积(APCVD: Atmospheric pressure CVD)◈ 低压CVD (LPCVD:Low pressure CVD，LPCVD)◈ 超高真空化学气相沉积(UHVCVD: Ultrahigh vacuum CVD)◈ 激光化学气相沉积(LCVD: Laser CVD，)◈ 金属有机物化学气相沉积(MOCVD:Metal-organic CVD)◈ 等离子增强CVD (PECVD)物理气相沉积(PVD)在真空条件下，采用物理方法，将材料源（固体或液体） 表面材料气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积不仅可沉积金属膜、合金膜， 还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。物理气相沉积技术工艺过程无污染，耗材少。成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层 。物理气相沉积也有多种工艺方法：◈ 真空蒸度 Thin Film Vacuum Coating◈ 溅射镀膜 PVD-Sputtering◈ 离子镀膜 Ion-Coating

薄膜沉积是半导体器件和集成电路制造过程中必不可少的环节。薄膜沉积技术可以分为化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）。芯片制造设备四大件，光刻机、刻蚀机、沉积膜设备以及离子注入机，总计占前道工艺7成以上的设备成本。这其中沉积膜设备排名第三，占20%到23%，市场巨大。针对于此，根据中国海关公布的大陆2020年11月-2021年10月各类薄膜沉积设备的进出口数据，仪器信息网近期特对相关品类产品（海关HS编码：84862021、84862022、84862029、84863021、84863032、84863039）的海关数据进行分析，供广大用户参考。不同类薄膜沉积设备进口额变化趋势2020年11月-2021年10月进口额排行（人民币/万元）海关数据根据薄膜沉积设备的原理和用途将其分为六类制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置、制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置、其他制半导体件或集成电路用薄膜沉积设备、制造平板显示器用的化学气相沉积设备（CVD）、制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）和制造平板显示器用的其他薄膜沉积设备。从一年时间的进口额可以看出，用于制造半导体器件或IC的化学气相沉积装置所在份额远大于其它类型的薄膜沉积设备进口额，这表明我国在半导体器件和集成电路用CVD设备领域国产化率低于PVD，大量依赖进口。而从进口额时间变化趋势可以看出，今年上半年的半导体器件和集成电路用CVD进口额增长迅速，但在年中达到顶峰后在第三季度呈明显下降趋势。平板用的PVD和CVD设备整体进口额差距不大，国产化率接近。中国薄膜沉积设备各注册地进口额变化（人民币/万元）2020年11月-2021年10月各注册地进口额分布（人民币/万元）通过海关进口企业注册地数据，可以大致了解到进口半导体制造设备在国内的“落脚地”。整体来看，一年时间各地进口薄膜沉积设备总额高达449亿元人民币。从各省进口额分布可以看出，进口薄膜沉积设备的主要地区是上海市、湖北省、陕西省和江苏省。这些地区都是半导体产业发达的地区，对薄膜沉积设备的需求量大。数据显示，这些地区主要进口的是用于半导体器件和集成电路制造的薄膜沉积设备，其进口额分布一定程度上反应了我国半导体产业的分布情况，可以看出目前我国半导体产业仍集中于东南沿海地区以及部分中部省份。薄膜沉积设备进口贸易伙伴分布贸易伙伴进口额总计（人民币/万元）新加坡1035130中国台湾900707韩国834809美国654993日本562006德国268019英国75641瑞士63254马来西亚21525芬兰18297意大利16924奥地利12127法国9337荷兰8432中国2951加拿大1287捷克660列支敦士登129白俄罗斯92瑞典35比利时29伊朗7那么这些进口设备主要来自于哪里？通过对进口贸易伙伴分析可以看出，薄膜沉积设备主要进口自新加坡、中国台湾、韩国、美国、日本等地。值得注意的是，以进口金额计，我国进口CVD设备的最大贸易伙伴居然是新加坡，总额约104亿元，占比约23%。此外，从新加坡进口的薄膜沉积设备全部是用于制造半导体器件或集成电路的设备。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口设备，可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的半导体器件或集成电路制造设备的进口限制。那么各省进口的薄膜沉积设备来自于哪些地区？对此，笔者对进口额TOP4的注册地的设备来源进行了统计分析。可以看出，湖北省的进口主要来自于新加坡。陕西省的进口设备主要来自于韩国，占比过半，这可能三星在西安的半导体厂的生产线有关。上海市的进口产品以美国为主，这可能是上海建设的产线制程较先进，对美国设备依赖较大。而江苏省的设备韩国、美国、新加坡、日本设备占比差距较小。

物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术， 物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。PVD(物理气相沉积)镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜和分子束外延等。相应的真空镀膜设备包括真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机。2021年是“十四五”开局之年，中国政府也推出了一系列激励政策来鼓励半导体产业发展，明确了半导体产业在产业升级中的重要地位，同时全球自2020年爆发的“芯片荒”在全球范围内愈演愈烈，却迟迟得不到缓解，各行各业都受到了一定的影响，受此影响包括仪器产业、新能源产业等在内的诸多产业都面临产品涨价、缺货的危机。危中有机，全球半导体行业的巨震却是中国半导体产业的发展契机。通过分析海关物理气相沉积设备的进口情况，可以从一个侧面反映出中国物理气相沉积设备市场的一些情况，进而了解到中国半导体产业的一些情况。海关统计中，根据物理气相沉积设备的应用领域将其分为制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置 (84862022)和制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）（84863022）。 为了解2021年物理气相沉积设备的进出口情况，仪器信息网特别对2021年1-11月，物理气相沉积设备（商品编码84862022、84863022）进口数据进行了分析汇总，为大家了解中国目前物理气相沉积设备市场做一个参考。2021年1-11月物理气相沉积设备进口额变化（人民币/万元）2021年1-11月物理气相沉积设备进口数据商品名称进口额（元）数量（台）均价（元/台）制造半导体器件或IC的物理气相沉积装置6,273,882,9507098848918制造平板显示器用的物理气相沉积设备（PVD）4,290,243,27328015322297总计10,564,126,2239892021年1-11月，中国进口物理气相沉积设备总额约106亿元，总台数达989台，其中绝大部分用于制造半导体器件和集成电路，此类设备多达709台，总额约63亿元，占比高达59%。海关数据显示，去年全年的用于半导体器件和IC制造的PVD进口额约35.5亿元。可以看出今年用于集成电路和半导体器件的进口PVD设备总额明显增加。这表明，今年我国晶圆代工厂的建设热度不减，这也和如今的半导体投资热、芯片荒有关。2021年1-11月进口物理气相沉积设备贸易伙伴变化（人民币/万元）从进口PVD设备的贸易伙伴分布可以看出，主要进口的贸易伙伴为新加坡和美国，其中新加坡进口额最多且全部用于半导体器件和IC制造。新加坡处在马六甲海峡，扼太平洋及印度洋之间的航运要道，是全球海运的几大必经路线之一，战略地位十分重要——早在新加坡建国之前，“新加坡港”已发展成为国际著名的转口港。世界各国的将需要出口的货物运输到新加坡港，存放几天或几十天（其中20%的堆存时间仅为1天），然后再转运到进口国。由于新加坡的自由贸易港，通过新加坡的“转口贸易”可变成躲避贸易制裁的有效方式之一。从新加坡进口用于半导体器件和IC制造的PVD可能是为了规避以美国为首的西方集团对我国日益收紧的高端装备进口限制。进一步分析用于平板显示器制造的PVD数据发现，中国台湾、韩国和日本是此类PVD的主要贸易伙伴，且占比接近。而从用于半导体器件和集成电路制造的PVD主要贸易伙伴是新加坡、美国和瑞士。2021年1-11月物理气相沉积设备各注册地进口数据变化（单位/万元）那么这些物理气相沉积设备主要销往何处？通过对进口数据的注册地进行分析发现，上海市的PVD设备进口额最高约22亿元，占比约21%。其次福建和重庆市分列第二、第三。上海市的物理气相沉积主要用于集成电路或半导体器件生产中，这表明上海在新建或改造集成电路生产线上投入较大，对半导体设备的需求也在激增。而重庆市则正好相反，其进口PVD主要用于平板显示器生产中，在平板显示器用PVD注册地中排名首位，这可能和京东方在重庆的生产线有关，京东方是我国面板产业的龙头企业，其对进口额影响较大。近几年，重庆市也出台了一系列政策之前平板显示制造行业发展。而在平板显示器用PVD的注册地分布中可以看出，除了重庆市独占鳌头，福建省进口平板显示器用PVD仅次于重庆，这可能与位于厦门的天马微电子有关。重点商品物理气相沉积有哪些重点商品呢？对此，笔者查阅了海关总署，发现重点商品主要有2款。商品1：PVD磁控溅射镀膜线（商品编码：84862022）PVD磁控溅射镀膜线：形成导电膜,用于将产生的电流收集导出。商品1：镀膜机/制造平板显示器专用（商品编码：84863022）型号：Applied Materials牌/NAR 1400L(4Mo+5 Al)型。原理：本设备将工作腔抽成真空后灌入氩气,高温高压条件下氩气形成离子层,氩离子在电场作用下,高速冲击靶材(氧化铟锡),使靶材分离出的金属离子在电场作用下附在玻璃基板表面形成薄膜,玻璃基板即可导电。

近日，江苏首芯半导体项目生产厂房主体结构封顶仪式举行。中电二公司消息显示，江苏首芯半导体薄膜沉积设备研发及生产项目位于无锡江阴高新区，为集半导体前道制程薄膜沉积高端设备研发、生产、销售为一体的总部基地，总投资5亿元，计划于2024年6月投产。2023年10月12日，江苏首芯半导体薄膜沉积设备项目在江阴高新区举行开工仪式。江苏首芯半导体科技有限公司成立于2023年2月，主营业务为薄膜沉积设备的研发、生产、销售与技术服务，主要产品为化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等薄膜沉积设备。该公司产品将被广泛应用于半导体、平板显示、新能源等领域。

9月28日消息，国产半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的领先供应商——盛美半导体设备（上海）股份有限公司(以下简称“盛美上海”)今日宣布其对300mm Ultra Fn立式炉干法工艺平台进行了功能扩展，研发出新型Ultra Fn A立式炉设备。该设备的热原子层沉积（ALD）功能丰富了盛美上海立式炉系列设备的应用。公司还宣布，首台Ultra Fn A立式炉设备已于本月底运往中国一家先进的逻辑制造商，并计划于2023年底通过验证。盛美上海董事长王晖表示：“随着逻辑节点的不断缩小，越来越多的客户为满足其先进的工艺要求，努力寻找愿意合作的供应商共同开发。ALD是先进节点制造中增长最快的应用之一，是本公司立式炉管系列设备的关键性新性能。得益于对整个半导体制造工艺的深刻理解和创新能力，我们能够迅速开发全新的湿法和干法设备，以满足新兴市场的需求。全新ALD立式炉设备基于公司现有的立式炉设备平台，搭载差异化创新设计，软件算法优化等实现原子层吸附和均匀沉积。”盛美上海新型热ALD设备可沉积氮化硅（SiN）和碳氮化硅（SiCN）薄膜。出厂的首台Ultra Fn A设备将用于28纳米逻辑制造流程，以制造侧壁间隔层。此工艺要求刻蚀速率极低，且台阶覆盖率良好，与其他实现模式相比，Ultra Fn A立式炉设备在模拟中实现了均一性的改善。

据莱西经济开发区消息，4月7日，青岛莱西经济开发区管委会与上海衍梓智能科技有限公司（以下简称“衍梓智能科技”）薄膜沉积设备项目签约仪式在莱西市行政办公中心举行。图片来源：莱西经济开发区莱西经济开发区消息显示，该项目总投资5亿元，拥有自主核心技术，落户经济开发区领芯芯片产业园，投产后将成为该行业全国第三家、山东省首家接入芯片头部企业生产线并实现量产的半导体薄膜沉积装备公司。消息介绍称，衍梓智能科技专注于半导体核心工艺——化学薄膜沉积设备制造生产，其核心产品VPE反应炉已实现自主可控。据了解，该项目落户的莱西领芯芯片产业园入选了2022年山东省重大项目，致力打造成为集新材料研发、智能制造、方案集成、电子元器件销售于一体的产业孵化聚合地，将逐步引进国内外领先的集成电路、物联网、AI企业落户。

随着半导体市场,，特别是化合物半导体市场的逐步开放和增长，作为化合物半导体研发中相关材料制备的关键仪器，MBE、MOCVD等薄膜沉积与外延设备的市场也在逐年增长和扩大中，不论是海外品牌还是国产品牌，近几年的市场规模都在逐年扩大。由于高校的管理模式及制度，这些仪器设备大多养在“深闺”，大量科研资源潜能没有得到充分发挥。为解决这个问题并加速释放科技创新的动能，中央及各级政府在近几年来制订颁布了关于科学仪器、科研数据等科技资源的共享与平台建设文件。2021年1月22日，科技部和财政部联合发布《科技部 财政部关于开展2021年度国家科技基础条件资源调查工作的通知（国科发基〔2020〕342号）》，全国众多高校和科研院所将各种科学仪器上传共享。其中，对化合物半导体薄膜沉积与外延设备的统计分析或可一定程度反映科研领域相关仪器的市场信息（注：本文搜集信息来源于重大科研基础设施和大型科研仪器国家网络管理平台，部分仪器品牌信息不全则根据型号等信息补全，不完全统计分析仅供读者参考）。共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布北京市共享化合物半导体薄膜沉积与外延设备分布本次统计，共涉及化合物半导体薄膜沉积与外延设备的总数量为184台，涉及23省（直辖市/自治区），73家单位。其中，北京市共享设备数量最多达64台，占比35%，涉及14所高校院所，北京如此高的占比主要是由于其科研院所较多，产品也主要用于科研领域。共享仪器平台主要来自科研用户上传并服务于科研用户，也因此该类仪器设备主要分布于科研院所众多的北京市。从北京市的分布情况来看，其主要分布于高校集中的海淀区，该地区共有60台共享设备。化合物半导体材料制备设备主要有MBE和MOCVD。从统计中可以看出，MBE在科研领域中的占比较大，高达73%，MOCVD占比为21%。MBE由于其外延生长时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高，目前还无法大规模用于工业化生产中，又由于其可原位观察单晶薄膜的生长过程等优势，主要用于进行生长机制的研究，图中比例仅代表科研领域中的分布情况。虽然MBE成膜质量好，但生产效率低，因此在工业领域中，MOCVD占据主流。不过近年来，众多厂商和科研人员一直在致力于MBE技术的产业化，信息显示，北京意莎普科技发展中心有限公司近年来在推进MBE分子束外延片研发及产业化建设项目。还有知情人士称，深圳地区有人做相关产业化，一次性买入几十台MBE，做2寸的晶圆，做出来多少，就有人收多少。相关仪器设备所属学科领域分布从仪器所属学科领域分布可以看出，这些仪器设备主要用于物理学和材料科学研究，占比分别为36%和32%。需要注意的是，以上统计存在交叉分布的情况，即该仪器同时属于多类学科领域，实际上材料科学和物理学研究具有很大的重合度。化合物半导体薄膜沉积与外延设备TOP5品牌MOCVD设备中Aixtron占比那么这些仪器主要有哪些品牌呢？整体来看，化合物半导体薄膜沉积与外延设备中，沈阳科仪、Aixtron和Omicron占比最高，其中沈阳科仪MBE和MOCVD产品均有涉及，Aixtron则聚焦MOCVD设备，Omicron聚焦MBE产品。MBE产品的品牌占比可参考【这类仪器本土品牌在崛起——全国共享MBE盘点】。进一步统计分析了MOCVD的品牌构成，发现MOCVD主要以德国Aixtron的产品为主，占比高达49%。需要注意的是德国Aixtron集团在英国有子品牌Thomas Swan，本次统计未归入Aixtron中。Aixtron是一家总部位于德国的欧洲技术公司，专门为半导体行业的客户制造金属有机化学气相沉积（MOCVD）设备。2016年10月，中国福建大芯片投资基金LP希望收购Aixtron，但德国经济部撤回了对该收购的批准。Axitron与SemiLEDs在2009年5月就合作开发出6寸蓝光LED芯片，在6x6寸AIX 2800G4 HT MOCVD反应炉的结构上，产量增加约30%(相较于传统42x2-inch的架构)，不但均匀性较好，也减少了边缘效应。不过就现阶段而言，大多数的困难仍然在于6寸的基板价格偏高与外延片切割技术的挑战。AIXTRON公司最先进的独特的行星转盘技术应用在大型G4 2800HT 42*2”以及Thomas Swan(1999年被AIXTRON收购) CCS Crius 30*2” MOCVD系统，使得Aixtron的MOCVD设备被公认为世界上技术和商业价值最完美的结合。设备品牌所属国家分布那么这些仪器主要来自于哪些国家呢？统计结果表明，此类产品以德国品牌居多，占比达32%，其次为国产品牌，可以看出中国产品正在崛起。本次统计主要涉及牛津、Aixtron、Thomas Swan、沈阳科仪、Emcore、中科宏微、Veeco、Omicron、TSST、SPECS、MBE-Komponenten GmbH、DCA、VG、Unisoku、SVTA、国成仪器、RIBER、Neocera、大连齐维科、上海实路、KurJ.Lesker、青岛精诚华旗、湖南顶立、EPGRESS等品牌。

化学气相沉积是使几种气体在高温下发生热化学反应而生成固体的方法，等离子体化学气相沉积是通过能量激励将工作物质激发到等离子体态从而引发化学反应生成固体方法。因为等离子体具有高能量密度、高活性离子浓度、故而可以引发在常规化学反应中不能或难以实现的物理变化和化学变化，且具有沉积温度低、能耗低、无污染等优点，因此等离子体化学气相沉积法得到了广泛的应用。微波等离子体也具有等离子体洁净、杂质浓度低的优点，因而微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）成为制备高质量金刚石的优先方法，也是目前有发展前景的高质量金刚石（单晶及多晶）沉积方法之一。MPCVD设备反应腔示意图金刚石具有优异的力学、电学、光学、热学、声学性能，在众多领域具有广泛的用途。而这些用途的实现在很大程度上依赖于高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜。由于金刚石生长过程中普遍存在缺陷以及难以获取大面积范围内均匀温度场等参数，导致金刚石的取向发生改变，使高取向和单晶金刚石以及大面积透明金刚石膜的获得十分困难。因此，目前金刚石研究面临的大挑战和困难是如何制备优质单晶、多晶金刚石样品。 德国iplas公司基于 CYRANNUS 多天线耦合技术，解决了传统的单天线等离子技术的局限。CYRANNUS技术采用腔外多天线设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，减少杂质来源，提高晶体纯度（制备的金刚石单晶纯度可达VVS别以上）。MPCVD系统可合成饰钻石 同时稳定的微波发生器也易于控制，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，大限度的减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石及薄膜提供了有力保证。 MPCVD系统可合成优质大尺寸金刚石薄膜 MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。相关产品链接 微波等离子化学气相沉积系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C184528.htm

详细信息 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-08-02 招标文件: 附件1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 2022年08月02日 16:09 公告信息： 采购项目名称 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 北京大学 行政区域 北京市 公告时间 2022年08月02日 16:09 获取招标文件时间 2022年08月02日至2022年08月09日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 开标时间 2022年08月23日 14:00 开标地点 北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 预算金额 ￥915.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 项目联系电话 010-63509799-8046、8075 采购单位 北京大学 采购单位地址 北京市海淀区颐和园路5号 采购单位联系方式 吴老师 010-62758587 代理机构名称 华采招标集团有限公司 代理机构地址 010-63509799-8046、8075 代理机构联系方式 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 附件： 附件1 0580招标公告.docx 项目概况 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室）获取招标文件，并于2022年08月23日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：HCZB-2022-ZB0580 项目名称：Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 预算金额：915.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：915.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 设备名称 数量（台/套） 1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 一 详见招标文件第四章采购需求 合同履行期限：合同签订后30日内交货并安装完毕 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：(1)投标人必须为投标文件递交截止之日前未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）信用记录失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单的；(2)不同投标人的法人、单位负责人不是同一人也不存在直接控股、管理关系；(3)投标人必须向采购代理机构购买招标文件并登记备案，未向采购代理机构购买招标文件并登记备案的无资格参加本次投标；(4)本项目接受进口产品； 三、获取招标文件 时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 方式：现场报名，招标文件售后不退 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 地点：北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需要落实的政府采购政策：节约能源、保护环境、扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小微企业发展、支持监狱、戒毒企业发展、促进残疾人就业、支持脱贫等政府采购政策。 2、本项目招标公告在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）上发布。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师 010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：华采招标集团有限公司 地 址：010-63509799-8046、8075 联系方式：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 3.项目联系方式 项目联系人：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 电 话： 010-63509799-8046、8075 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2022-08-23 14:00 预算金额：915.00万元 采购单位：北京大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：华采招标集团有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2022-08-02 招标文件: 附件1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统公开招标公告 2022年08月02日 16:09 公告信息： 采购项目名称 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 品目 货物/专用设备/专用仪器仪表/教学专用仪器 采购单位 北京大学 行政区域 北京市 公告时间 2022年08月02日 16:09 获取招标文件时间 2022年08月02日至2022年08月09日每日上午:9:00 至 12:00 下午:13:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥500 获取招标文件的地点 华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 开标时间 2022年08月23日 14:00 开标地点 北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 预算金额 ￥915.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 项目联系电话 010-63509799-8046、8075 采购单位 北京大学 采购单位地址 北京市海淀区颐和园路5号 采购单位联系方式 吴老师 010-62758587 代理机构名称 华采招标集团有限公司 代理机构地址 010-63509799-8046、8075 代理机构联系方式 崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 附件： 附件1 0580招标公告.docx 项目概况 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 招标项目的潜在投标人应在华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室）获取招标文件，并于2022年08月23日 14点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：HCZB-2022-ZB0580 项目名称：Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 预算金额：915.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：915.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 设备名称 数量（台/套） 1 Micro-LED专用金属有机物化学气相沉积系统 一 详见招标文件第四章采购需求 合同履行期限：合同签订后30日内交货并安装完毕 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：(1)投标人必须为投标文件递交截止之日前未被列入“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）、中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）信用记录失信被执行人、重大税收违法失信主体、政府采购严重违法失信行为记录名单的；(2)不同投标人的法人、单位负责人不是同一人也不存在直接控股、管理关系；(3)投标人必须向采购代理机构购买招标文件并登记备案，未向采购代理机构购买招标文件并登记备案的无资格参加本次投标；(4)本项目接受进口产品； 三、获取招标文件 时间：2022年08月02日 至 2022年08月09日，每天上午9:00至12:00，下午13:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：华采招标集团有限公司（北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼1601室） 方式：现场报名，招标文件售后不退 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 开标时间：2022年08月23日 14点00分（北京时间） 地点：北京市丰台区广安路9号国投财富广场6号楼16层第二会议室 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、本项目需要落实的政府采购政策：节约能源、保护环境、扶持不发达地区和少数民族地区、促进中小微企业发展、支持监狱、戒毒企业发展、促进残疾人就业、支持脱贫等政府采购政策。 2、本项目招标公告在中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）上发布。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学 地址：北京市海淀区颐和园路5号 联系方式：吴老师 010-62758587 2.采购代理机构信息 名 称：华采招标集团有限公司 地 址：010-63509799-8046、8075 联系方式：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 3.项目联系方式 项目联系人：崔丽洁、孙佳睿、白敏娜、史秀华、赵娜、张树岩 电 话： 010-63509799-8046、8075

近日，中微公司推出自主研发的12英寸低压化学气相沉积(LPCVD)设备Preforma Uniflex™ CW。Preforma Uniflex™ CW可灵活配置多达五个双反应台反应腔（十个反应台），每个反应腔可以同时加工两片晶圆，在保证较低的生产成本和化学品消耗的同时，实现更高的生产效率。该设备配备了完全拥有自主知识产权的优化混气方案及加热台, 具有优秀的薄膜均一性、填充能力和工艺调节灵活性，对于弯曲度较大的晶圆，它也具备良好的工艺处理能力。并可以满足先进逻辑器件、DRAM和3D NAND中接触孔以及金属钨线的填充应用需求。中微公司集团副总裁、LPCVD 产品部和公共平台工程部总经理陶珩表示，自该款LPCVD设备研发立项以来，仅用不到半年时间，公司就完成了产品设计、生产样机开发和实验室评价，目前已顺利导入客户端进行生产线核准。中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。据悉，中微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户先进工艺的众多刻蚀应用，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。

目前的科创板上市公司中，大都是各自领域的“领跑者”，即将正式登陆科创板的拓荆科技股份有限公司（以下简称“拓荆科技”、“公司”）就是典型代表。　　拓荆科技成立于2010年4月，是辽宁省及沈阳市重点培育的上市后备企业和中国半导体设备五强企业，主要从事高端半导体专用薄膜沉积设备的研发、生产以及技术服务，产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。公司产品已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用。同时已展开10nm及以下制程产品验证测试，在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。　　薄膜沉积设备技术门槛高，研发难度大。拓荆科技立足自主创新，先后承担多项国家重大科技专项课题，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，并达到国际先进水平。其中，公司先进的薄膜工艺设备设计技术、反应模块架构布局技术、半导体制造系统高产能平台技术等核心技术，不仅解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，还在保证实现薄膜工艺性能的同时，提升客户产线产能，减少客户产线的生产成本。　　拓荆科技的产品已基本全面实现了我国芯片制造产业在介质薄膜沉积设备领域摆脱对海外厂商的依赖，补强了我国在集成电路产业链关键环节的实力，为我国建立芯片体系贡献力量。　　公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。拓荆科技经过十多年的技术积累，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备产品，可以适配国内最先进的28/14nm逻辑芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128层3D NAND FLASH晶圆制造产线，满足下游集成电路制造客户对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备需求。其中，PECVD设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM存储、FLASH闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，一举打破了薄膜沉积设备长时间被欧美和日本厂商垄断的局面。凭借长期技术研发和工艺积累，拓荆科技已经成为可与国际巨头直接竞争的半导体高端设备制造厂商。　　作为注册制改革的“试验田”和定位于支持“硬科技”产业的融资板块，科创板成立近三年以来，基础制度不断完善，上市条件的包容度和适应性不断提升和增强，吸引了一大批硬科技企业选择到科创板发行融资，其中不乏大量尚未盈利、存在特殊股权结构的硬科技企业。在科创板这块“试验田”支持硬科技发展的示范引领作用下，拓荆科技选择到科创板发行股票上市获得融资支持，持续加大研发投入。　　拓荆科技在科创板发行上市主要是为开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发、开发Thermal ALD和大腔室PE ALD，以及升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备募集社会资金，并借助募集资金开发中国台湾市场。在加强产品技术研发的同时，拓荆科技上市后，还将逐步培育和完善国内相关产业链，通过与国内供应商的深度合作与磨合，推动设备关键部件的开发及验证，提高设备零部件的国产化率以及产品品质。同时，公司还将利用国产设备厂商的综合优势，为客户提供定向的技术开发与服务，以此助力半导体产业链发展，保障产业链的技术先进性。

基本信息 关键内容： 物理气相沉积,原子层沉积 开标时间： 2022-04-28 14:30 采购金额： 135.00万元 采购单位： 北京理工大学重庆微电子中心 采购联系人： 安老师 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 重庆赛迪工程咨询有限公司 代理联系人： 夏老师 代理联系方式： 立即查看 详细信息 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 重庆市-沙坪坝区 状态：公告 更新时间： 2022-04-08 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 发布日期：2022-04-08 项目概况 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 招标项目的潜在投标人应在采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》（http://www.ccgp.gov.cn/）下载获取招标文件，并于2022年04月28日 14点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：SDZB-22-122W 项目名称：北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 预算金额：135.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：135.0000000 万元（人民币） 采购需求： 采购内容 数量 最高限价 （万元） 投标保证金 （万元） 中标人 数量 采贩标的对应的中小企 业划分标准所属行业 化学气相沉积台 1 台 135 2 1 名 工业 备注：以上招标内容的具体需求，见第二篇相关内容。 合同履行期限：中标人应在采购合同生效后6个月内交货并完成安装调试 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 1.具有独立承担民事责任的能力； 2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度； 3.具有履行合同所必需的设备和专业技术能力； 4.有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录； 5.参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录； 6.法律、行政法规规定的其他条件。 3.本项目的特定资格要求：无 三、获取招标文件 时间：2022年04月08日 至 2022年04月15日，每天上午9:00至12:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》（http://www.ccgp.gov.cn/）下载 方式：1、现场购买或2、网上下载 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年04月28日 14点30分（北京时间） 开标时间：2022年04月28日 14点30分（北京时间） 地点：重庆市渝中区双钢路1号8号楼1楼（重庆赛迪工程咨询有限公司会议中心） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、现场购买招标文件 在招标文件发售期内，投标人到采购代理机构（重庆市渝中区双钢路1号6栋404室）递交《招标文件发售登记表》（加盖公章）并以转账方式缴纳资料费购买招标文件。 2、非现场购买招标文件 在招标文件发售期内，投标人将招标文件资料费以微信或支付宝转账方式汇至以下指定账户，转账成功后，需将转账截图和《招标文件发售登记表》（加盖公章）扫描件一起发送至采购代理机构342720479@qq.com邮箱进行确认（注：转账汇款时需按要求备注单位名称、项目名称和资料费等信息）。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京理工大学重庆微电子中心 地址：重庆市沙坪坝区西永微电园3期1号楼2单元 联系方式：安老师：18702386087 2.采购代理机构信息 名 称：重庆赛迪工程咨询有限公司 地 址：重庆市渝中区双钢路1号 联系方式：夏老师：023-68484343 3.项目联系方式 项目联系人：夏老师 电 话： 023-68484343 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：2022-04-28 14:30 预算金额：135.00万元 采购单位：北京理工大学重庆微电子中心 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：重庆赛迪工程咨询有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 重庆市-沙坪坝区 状态：公告 更新时间： 2022-04-08 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 发布日期：2022-04-08 项目概况 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 招标项目的潜在投标人应在采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》（http://www.ccgp.gov.cn/）下载获取招标文件，并于2022年04月28日 14点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：SDZB-22-122W 项目名称：北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 预算金额：135.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：135.0000000 万元（人民币） 采购需求： 采购内容 数量 最高限价 （万元） 投标保证金 （万元） 中标人 数量 采贩标的对应的中小企 业划分标准所属行业 化学气相沉积台 1 台 135 2 1 名 工业 备注：以上招标内容的具体需求，见第二篇相关内容。 合同履行期限：中标人应在采购合同生效后6个月内交货并完成安装调试 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 1.具有独立承担民事责任的能力； 2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度； 3.具有履行合同所必需的设备和专业技术能力； 4.有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录； 5.参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录； 6.法律、行政法规规定的其他条件。 3.本项目的特定资格要求：无 三、获取招标文件 时间：2022年04月08日 至 2022年04月15日，每天上午9:00至12:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》（http://www.ccgp.gov.cn/）下载 方式：1、现场购买或2、网上下载 售价：￥500.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年04月28日 14点30分（北京时间） 开标时间：2022年04月28日 14点30分（北京时间） 地点：重庆市渝中区双钢路1号8号楼1楼（重庆赛迪工程咨询有限公司会议中心） 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、现场购买招标文件 在招标文件发售期内，投标人到采购代理机构（重庆市渝中区双钢路1号6栋404室）递交《招标文件发售登记表》（加盖公章）并以转账方式缴纳资料费购买招标文件。 2、非现场购买招标文件 在招标文件发售期内，投标人将招标文件资料费以微信或支付宝转账方式汇至以下指定账户，转账成功后，需将转账截图和《招标文件发售登记表》（加盖公章）扫描件一起发送至采购代理机构342720479@qq.com邮箱进行确认（注：转账汇款时需按要求备注单位名称、项目名称和资料费等信息）。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京理工大学重庆微电子中心 地址：重庆市沙坪坝区西永微电园3期1号楼2单元 联系方式：安老师：18702386087 2.采购代理机构信息 名 称：重庆赛迪工程咨询有限公司 地 址：重庆市渝中区双钢路1号 联系方式：夏老师：023-68484343 3.项目联系方式 项目联系人：夏老师 电 话： 023-68484343

项目编号：0773-2240SHHW0019项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目预算金额：663.0789000 万元（人民币）最高限价（如有）：663.0789000 万元（人民币）采购需求：项目名称：华东师范大学反应离子束刻蚀系统、感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统项目包件1：反应离子束刻蚀系统；数量及单位：1台；简要技术参数：3、等离子体源3.1、射频发生器：最大功率300瓦，13.56MHz，带自动匹配单元；★3.2、ICP源发生器：最大功率3000瓦，2.0MHz，带自动匹配单元；包件2：感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统；数量及单位：1台；简要技术参数：★1、SiO2的标准沉积速率：≥40 nm/min；高速沉积速率：≥500 nm/min2、SiO2薄膜沉积厚度：≥6um。其余详见本项目招标文件。合同履行期限：自合同签订之日起250天内；本项目( 不接受 )联合体投标。

p　　5月24日，中国科学院条件保障与财务局组织专家对中国科学院宁波材料技术与工程研究所承担的“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”和“微细球状非晶粉末制备装置”两个院科研装备项目进行了技术验收和综合验收。/pp　　两个项目的技术验收会于5月24日上午举行，条件保障与财务局科技条件处高级工程师张红松首先介绍了现场测试的具体要求，并宣布了专家组名单。技术测试专家组由6位专家组成，中科院半导体所谢亮研究员和中科院沈阳金属所张海峰研究员分别担任两个项目技术验收专家组组长。项目的技术测试大纲经专家组审议通过后，专家组分别在设备现场按照测试大纲逐项进行测试，将测试结果与项目任务书比对后，专家组一致认为两套研制设备的技术指标均达到或优于实施方案的要求，同意提交综合验收专家组验收。/pp　　项目的总体验收于 5月24日下午举行，张红松介绍了总体验收要求并宣布了专家组名单。专家组由8位专家组成，包括1位装备研制项目专家、6位技术专家，1位财务专家，组长由中科院微电子所夏洋研究员担任。专家组分别听取了两个项目工作汇报、使用报告、测试报告和财务报告。/pp　　“面向半导体薄膜超高速、低温外延的中压等离子体化学气相沉积系统”项目研制了一套中压等离子体化学气相沉积系统，实现了硅材料的超高速、低温外延生长 并且通过在线发射光谱和激光吸收光谱的实时检测分析系统，实现了对中压等离子体沉积过程的有效控制。利用该系统，项目组研究了气体组分、沉积压力、氢气浓度等工艺参数与沉积薄膜性能之间的影响规律，为碳化硅、石墨烯等薄膜材料的低温、快速生长提供了一个研究开发平台。/pp　　“微细球状非晶粉末制备装置”项目研制出了一套微细球状非晶粉末制备装置，研究了熔体温度、喷嘴直径、回转圆盘转速等工艺条件对粉末粒径、非晶度和氧含量的影响规律，开发了一套新型微细金属粉末制备的新技术，实现了平均粒径在10μm左右的高质量非晶粉末的制备。基于此装备，项目组开展了微细非晶合金粉末的吸波性能研究，为采用新型非晶软磁合金材料、设计和开发具有宽频带、强屏蔽效能的轻薄型磁屏蔽和吸波材料奠定了实验基础。/pp　　专家组现场查看了研制仪器设备的运行情况，审查了相关文件档案和项目经费使用情况，经讨论，专家组一致认为，两个项目均完成了实施方案中规定的研究内容，各项技术指标达到要求，项目文件档案齐全，经费使用基本合理，同意项目通过验收。/pp　　张红松对宁波材料所两个项目顺利通过验收表示祝贺，并在最后的总结中提出希望，希望项目组能够充分发挥研制装备的价值，进一步研究开发及成果转化，发挥好中科院科研装备研制项目的效能。/pcenterimg alt="" src="http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854310154.jpg" height="375" width="500"//centerp style="text-align: center "　　技术验收会现场/pcenterimg alt="" src="http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854432504.jpg" height="375" width="500"//centerp style="text-align: center "　　现场查看研制仪器设备的运行情况/pcenterimg alt="" src="http://www.cnitech.cas.cn/news/news/201805/W020180528330854493166.jpg" height="375" width="500"//centerp style="text-align: center "　　现场查看研制仪器设备的运行情况/p

薄膜沉积是半导体制造工艺中的一个非常重要的技术，其是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。在一个新晶圆投资建设中，晶圆厂80%的投资用于购买设备。其中，薄膜沉积设备是晶圆制造的核心步骤之一，占据着约25%的比重。薄膜沉积工艺主要分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术指在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积原理可大致分为蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀，具体又包含有MBE等各种镀膜技术。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。随着技术的发展，PVD技术也不断推陈出新，出现了很多针对某几种用途的专门技术，在此特为大家盘点介绍各种PVD技术。真空蒸发镀膜技术真空蒸发(Vacuum Evaporation) 镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质，使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形成固态薄膜，或加热蒸发镀膜材料的真空镀膜方法。其物理过程为：采用几种能源方式转换成热能，加热镀料使之蒸发或升华，成为具有一定能量(0.1~0.3eV) 的气态粒子(原子、分子或原子团)；离开镀料表面，具有相当运动速度的气态粒子以基本上无碰撞的直线飞行输运到基体表面；到达基体表面的气态粒子凝聚形核生长成固相薄膜；组成薄膜的原子重组排列或产生化学键合。电子束蒸镀技术电子束蒸镀（Electron Beam Evaporation）是物理气相沉积的一种。与传统蒸镀方式不同，电子束蒸镀利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内靶材，使之融化进而沉积在基片上。电子束蒸镀常用来制备Al、CO、Ni、Fe的合金或氧化物膜，SiO2、ZrO2膜，抗腐蚀和耐高温氧化膜。电子束蒸镀与利用电阻进行蒸镀最大的优势在于：可以为待蒸发的物质提供更高的热量，因此蒸镀的速率也更快；电子束定位准确，可以避免坩埚材料的蒸发和污染。但是由于蒸镀过程中需要持续水冷，对能量的利用率不高；而且由于高能电子可能带来的二次电子可能使残余的气体分子电离，也有可能带来污染。此外，大多数的化合物薄膜在被高能电子轰击时会发生分解，这影响了薄膜的成分和结构溅射镀膜技术溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。射频溅射技术射频溅射是溅射镀膜技术的一种。用交流电源代替直流电源就构成了交流溅射系统，由于常用的交流电源的频率在射频段，如13.56MHz，所以称为射频溅镀。在直流射频装置中，如果使用绝缘材料靶，轰击靶面的正离子会在靶面上累积，使其带正电，靶电位从而上升，使得电极间的电场逐渐变小，直至辉光放电熄灭和溅射停止。所以直流溅射装置不能用来溅射沉积绝缘介质薄膜。磁控溅射技术磁控溅射技术属于PVD（物理气相沉积）技术的一种，是制备薄膜材料的重要方法之一。它是利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向被溅射的物质制成的靶电极（阴极），并将靶材原子溅射出来使其沿着一定的方向运动到衬底并在衬底上沉积成膜的方法。磁控溅射设备使得镀膜厚度及均匀性可控，且制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高。该技术已经成为制备各种功能薄膜的重要手段。离子镀膜技术离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行，其中包括磁控溅射离子镀、反应离子镀、空心阴极放电离子镀（空心阴极蒸镀法）、多弧离子镀（阴极电弧离子镀）等。离子镀大大提高了膜层粒子能量，可以获得更优异性能的膜层，扩大了“薄膜”的应用领域。是一项发展迅速、受人青睐的新技术。广义来讲，离子镀膜的特点是：镀膜时，工件（基片）带负偏压，工件始终受高能离子的轰击。形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。多弧离子镀(MAIP)多弧离子镀是采用电弧放电的方法，在固体的阴极靶材上直接蒸发金属，蒸发物是从阴极弧光辉点放出的阴极物质的离子，从而在基材表面沉积成为薄膜的方法。多弧离子镀与一般的离子镀有着很大的区别。多弧离子镀采用的是弧光放电，而并不是传统离子镀的辉光放电进行沉积。简单的说，多弧离子镀的原理就是把阴极靶作为蒸发源，通过靶与阳极壳体之间的弧光放电，使靶材蒸发，从而在空间中形成等离子体，对基体进行沉积。分子束外延（MBE）分子束外延（MBE）是新发展起来的外延制膜方法，是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下，由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气，经小孔准直后形成的分子束或原子束，直接喷射到适当温度的单晶基片上，同时控制分子束对衬底扫描，就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是：使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子显微结构材料。分子束外延不仅可用来制备现有的大部分器件，而且也可以制备许多新器件，包括其它方法难以实现的，如借助原子尺度膜厚控制而制备的超晶格结构高电子迁移率晶体管和多量子阱型激光二极管等。我们在公车上看到的车站预告板，在体育场看到的超大显示屏，其发光元件就是由分子束外延制造的。脉冲激光沉积（PLD）脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition，PLD），也被称为脉冲激光烧蚀（pulsed laser ablation，PLA），是一种利用激光对物体进行轰击，然后将轰击出来的物质沉淀在不同的衬底上，得到沉淀或者薄膜的一种手段。由脉冲激光沉积技术的原理、特点可知，它是一种极具发展潜力的薄膜制备技术。随着辅助设备和工艺的进一步优化，将在半导体薄膜、超晶格、超导、生物涂层等功能薄膜的制备方面发挥重要的作用；并能加快薄膜生长机理的研究和提高薄膜的应用水平，加速材料科学和凝聚态物理学的研究进程。同时也为新型薄膜的制备提供了一种行之有效的方法。激光分子束外延（L-MBE）激光分子束外延技术（L-MBE）是近年来发展起来的一项新型薄膜制备技术，是将分子束外延技术与脉冲激光沉积技术的有机结合，在分子束外延条件下激光蒸发镀膜的技术。L- MBE结合了PLD的高瞬时沉积速率（不需要考虑成分挥发时的热平衡问题等等）及MBE的实时检测功能，是一种改良的MBE方法。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进，成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。目前，芯片制造过程中关键的PVD设备主要包括硬掩膜（Hard Mask ）PVD设备、铜互联（CuBS）PVD 以及铝衬垫（Al PAD）PVD，主要使用溅射镀膜技术。目前，主流物理气相沉积厂商包括，北方华创、合肥科晶、中科科仪、SPTS、ULVAC、Applied Materials、Optorun、那诺-马斯特、IHI Corporation、Lam Research、Semicore Equipment、Veeco Instruments、Oerlikon Balzers、Mustang Vacuum Systems、Singulus Technologies、KurtJ.Lesker、博远微纳、汇成真空、佛欣真空、北京丹普、九鼎精密、意力博通、CHA Industries、Angstrom Engineering、Denton Vacuum、Mantis、沈阳科学仪器有限公司等。更多仪器请查看以下专场【物理气相沉积】、【激光脉冲沉积】、【分子束外延】。

据徐州发布消息，6月16日，铜山区、徐州高新区2021年度精准招商重点项目签约活动举行。此次集中签约7个项目，总投资约60亿元，涵盖数字经济、集成电路与ICT、生物医药与大健康等战略性新兴产业领域。签约项目中包括广东先导稀材股份有限公司半导体沉积及镀膜设备生产基地项目。据介绍，2019年，先导集团以4500万欧元全资收购了德国FHR公司（全球领先的薄膜真空设备制造的供应商），拟建设半导体沉积及镀膜设备的国产化生产基地。项目产品包括：化合物半导体薄膜设备、MEMS薄膜设备、MDS薄膜生产线、精密光学薄膜设备、TCO镀膜设备、HIT玻璃镀膜设备、平板显示阵列镀膜设备等。项目全部达产后将形成年约600台（套）设备生产能力，年产值约72亿元。

当前，我国半导体设备依旧高度依赖于海外企业，并且在核心技术和零部件上受到一定的限制。作为半导体产业重要的一环，薄膜沉积设备可以说牵一发而动全身。而中国作为半导体设备的重要市场，随着各地半导体项目的林立，晶圆代工厂的产能扩建热潮以及自主可控进程的推进，薄膜沉积设备厂商也迎来了快速成长和突破的新黄金期。对此，仪器信息网特邀请天津中环电炉股份有限公司介绍了其薄膜沉积设备。不断加大研发投入，为用户提供试用平台据了解，薄膜沉积领域在过去一直处于国外品牌独占市场。在此背景下，天津中环集中力量，借鉴国际先进经验，结合国内特色，开发了独具特色的薄膜沉积设备。其主要薄膜沉积产品包括CVD12IIIH-3-G、双相气流二硫化钼沉积设备、等离子薄膜沉积设备PECVD12IIH-3-G、三源流化床薄膜沉积设备等，凭借优异的性能，多次帮助用户在Science等多种国际级顶级期刊发表高影响力文章及成果，更是几乎进入了目前主流实验领域全部实验和部分高难度实验。天津中环的1200℃预加热双温区PECVD集成系统目前我国总体上看在薄膜沉积设备技术还处于新兴产业，发展时间短，技术积累薄弱，专业人才稀缺。市场处于萌芽阶段，但后续市场规模和技术需要又相当高。对此，天津中环认为，必须加大投入，无论资金、技术、人力等，不加大投入一但被国外产品拉开差距，建立技术壁垒，我国该产业很难发展，以至于薄膜沉积领域科研严重受制。正是在这种不断的研发投入下，天津中环现有产品已基本达到与国际龙头企业参数一致、价格更低、操作更容易、维护更简单。国内市场已经占据较多份额，主要客户群体有中科院所、大专院校、研究所、企业研发部门和检验部门。其中73%为实验领域。目前用户主要关注产品的技术参数和实验效果，为了更好的服务用户，天津中环组织人力、物力积极筹建实验室，为客户提供设备试用平台，目前天津中环实验室已经可以完成大多数实验，并得到理想的实验结果。确保客户采购设备后能够达到使用效果。另辟蹊径，绕开壁垒，突破“卡脖子”技术在贸易战以来，全社会都关注“卡脖子”问题，而在薄膜成绩领域当然也存在一定的“卡脖子”现象。在真空领域、气体控制领域特别明显，如高真空无油泵、特种气体流量控制等方面尤为突出。据透露，天津中环在5年前就发现问题，并积极联合各相关企业进行联合开发，通过特殊的设备结构、独特的设计理念另辟蹊径的达到了与国外类似的实验结果。从根本上绕过了一定的技术壁垒。谈到未来发展趋势时，天津中环认为未来的实验室和工业领域对于薄膜沉积技术更倾向于可视化的沉积与制备，可以更加直观的发现问题和解决问题。目前沉积设备都是盲烧。无法直观的展现沉积过程与沉积状态。这大大延缓了实验进度，阻碍了科学工作者的实验思路。基于对未来发展趋势的判断，天津中环于4年前着手研发可视化烧结、沉积设备。目前已经达到8微米级别的可视化分辨率，产品在陶瓷烧结、金属冶炼熔渗、高温接触角分析等领域获得无数好评，想成了稳定销售。下一步，天津中环还将着重研发纳米级分辨精度产品，为薄膜沉积领域打开一条新路。关于天津中环天津中环电炉是一家成立于1993年的股份制企业，现有产品专利40项，于2017年成功上市，具备研发、生产、实验等能力，产品上专精于实验电炉与薄膜沉积类设备及外延产品。在近年来半导体产业热潮下，天津中环主要业绩同比上一年度提高接近30%，三年平均增长18.7%。连续8年实现销售额增长超过10%。天津中环产品主要应用于材料行业、陶瓷行业、金属冶炼、处理。生物材料以及化学化工行业。

详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：红外热成像仪,物理气相沉积,镀膜机,原子层沉积 开标时间：2022-12-01 09:00 预算金额：2415.00万元 采购单位：哈工大郑州研究院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：河南省教育招标服务有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 河南省-郑州市 状态：公告 更新时间： 2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 发布时间：2022-11-10 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目公开招标公告 一、项目基本情况 1.采购项目编号：豫教招标采购-2022- 167 2.采购项目名称：哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 3.采购方式：公开招标 4.预算金额：2415万元 最高限价：2415万元 序号 包名称 包预算 （万元） 包最高限价 （万元） 1 哈工大郑州研究院液相外延炉等仪器设备采购项目 2415 2415 5.采购需求 （1）项目概况：根据哈工大郑州研究院需要，需对液相外延炉等仪器设备进行采购，项目已具备采购条件，现对该批次仪器设备进行公开招标。 （2）采购内容包括：DLP金刚石金属复合材料增材制造设备1套、高功率光纤激光焊接系统1套、高功率激光柔性复合加工系统1套、超高精度纳米材料沉积系统1套、液相外延炉1套、化学气相沉积镀膜机1套、示波器及探头1套、PEM电解槽1套、总线运动控制系统1套、无人机1套、红外热成像仪1套、功率与阻抗分析仪1套、立式真空热压烧结炉1套、高速摄像机1套。 （3）资金情况：资金已落实。 （4）包段划分：不分包。 （5）交货期：合同签订后6个月内。 （6）交货地点：采购人指定地点。 （7）质量标准：符合国家或行业规定的合格标准，满足采购人提出的技术标准及要求。 （8）验收标准：满足采购人的验收标准及要求。 （9）质保服务要求：国产设备三年，进口设备一年(自验收合格之日起)。 6.合同履行期限：合同签订至质保期满。 7.本项目是否接受联合体投标：否 8.是否接受进口产品：是 二、申请人资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定： （1）投标人须具有法人或者其他组织的营业执照等证明文件； （2）投标人须具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，企业财务状况良好，没有财务被接管、破产或其他关、停、并、转情况的，须提供2021年度经审计的财务报告或其基本开户银行出具的资信证明； （3）投标人须具有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录，提供本年度任意一个月的企业完税凭证和企业社会保险缴纳证明材料； （4）投标人须具有履行合同所必需的设备和专业技术能力(自拟格式，自行承诺)； （5）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明(自拟格式，自行承诺)； （5）其他要求：对参与投标竞争的单位，需承诺近三年来投标人、法定代表人、项目负责人无行贿犯罪记录（由投标人出具承诺，格式自拟）； （7）根据财政部《关于在政府采购活动中查询及使用信用记录有关问题的通知》（财库〔2016〕125号）和豫财购〔2016〕15号的规定，对列入“失信被执行人”、“重大税收违法失信主体”和“政府采购严重违法失信行为记录名单”的潜在供应商，将拒绝其参加本项目招标采购活动； （8）单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加本项目的投标【提供在“国家企业信用信息公示系统”中查询打印的相关材料并加盖公章（需包含公司基本信息、股东信息及股权变更信息）】 2.落实政府采购政策满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求： 若供应商所投设备为进口设备，须具备进出口经营资格并提供《对外贸易经营者备案登记证书》。 三、获取招标文件： 1.时间：2022年11月11日至2022年11月20日（北京时间）。每天上午00：00至 12：00，下午 12：00至 23：59（北京时间，法定节假日除外。） 2.方式：供应商报名时需要将法人授权委托书、授权人身份证、被授权人身份证、营业执照副本扫描并发送至项目负责人邮箱1830331803@qq.com，对报名合格的供应商在缴费完成后，通过邮箱发送招标文件电子版。 3.售价：300元人民币 开户名称：河南省教育招标服务有限公司 账 号：371903102310201 开户行：招商银行股份有限公司郑州分行农业路支行 联系电话：扶会计18736086547。 四、投标截止时间（投标文件递交截止时间）及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 五、开标时间及地点 1.时间：2022年12月1日9:00（北京时间） 2.地点：河南省教育招标服务有限公司第一开标室 六、发布公告的媒介及公示期限 本公告在河南省教育厅网站、河南省教育招标网、哈工大郑州研究院官网、中国招标投标公共服务平台发布。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策： （1）执行《政府采购促进中小企业发展管理办法》（财库﹝2021﹞46号）； （2）执行《财政部、司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》（财库﹝2014﹞68号）； （3）执行《三部门联合发布关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》（财库﹝2017﹞141号）； （4）执行《财政部、国家发展改革委关于印发〈节能产品政府采购实施意见〉的通知》（财库﹝2004﹞185号）、《财政部环保总局关于环境标志产品政府采购实施的意见》（财库﹝2006﹞90号）；和《财政部、发展改革委、生态环境部、市场监管总局关于调整优化节能产品、环境标志产品政府采购执行机制的通知》（财库〔2019〕9号）。 （5）与招标人存在利害关系可能影响招标公正性的法人、其他组织或个人，不得参加投标。单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得参加同一标段投标或者未划分标段的同一招标项目投标。 八、凡对本次招标提出询问，请按照以下方式联系 1.采购人信息 名称：哈工大郑州研究院 地址：河南省郑州市郑东新区龙源东七街26号 联系人：薛老师 联系方式：18860369839 2.采购代理机构信息 名称：河南省教育招标服务有限公司 地址：郑州市花园路116号河南省农科院院内西南角原农信楼 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516 3.项目联系方式 联系人：金蕾 联系方式：0371-56058516

p　　很多涉及原子层沉积技术(ALD)的人都知道，选择性原子层沉积是当今热议的话题。各类论文、研讨会和博文层出不穷，详尽地解释了各种可以达到选择性生长目的的新方法。从某种意义上说，选择性ALD运用了长期困扰ALD使用者的效应，即由于ALD的化学反应特性，薄膜生长的成核现象取决于基底表面。通常来说，在ALD领域人们已经在研究如何尽可能减小这种影响。例如，等离子体ALD一般会有可忽略不计的延迟，但对于选择性ALD来说，成核延迟现象却被放大了。/pp style="text-align: center"img style="width: 450px height: 234px " src="http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/bcc86ec1-e447-400c-8d88-439d8b625aec.jpg" title="02.jpg" height="234" hspace="0" border="0" vspace="0" width="450"//pp　　有意思的是，虽然等离子体ALD一般没有成核延迟现象，但它仍然可被用于选择性ALD。我在埃因霍温的大学同事已登载了相关发现(http://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.7b04701)。它的要点是在等离子体曝光之后再次重复应用抑制剂，这个过程可用视频中所示的三步ABC ALD方法操作。/pp　　strong以下视频中解释了选择性等离子体ALD技术的全新概念：/strong/pscript src="https://p.bokecc.com/player?vid=65C25DD24223E8749C33DC5901307461&siteid=D9180EE599D5BD46&autoStart=false&width=600&height=490&playerid=2BE2CA2D6C183770&playertype=1" type="text/javascript"/scriptp　　那么问题来了，人们会选择哪种ALD设备来研究选择性ALD呢。strong我相信我们系统中的一些功能会很有用，例如：/strong/pp ◆ 可应用多种化学前驱物。气箱可容纳多路气体并由MFC进行流量控制/pp ◆ 可应用抑制剂分子(如在前驱物注入过程中通入NH3或CO)/pp ◆ 将氢基作为抑制剂：在前驱物注入前使用氢等离子体(或其他等离子体)来抑制特定表面的生长/pp ◆ 氟化物等离子体：将CFX或F作为抑制剂，在前驱物注入前使用此等离子体，或进行选择性ALD生长时，即每隔几个生长周期就在同一个腔体内进行一次刻蚀的步骤(注意O2等离子体可刻蚀Ru，H2等离子体可刻蚀ZnO)。/pp ◆ 用于抑制生长的自组装单分子膜(SAMS)注入/pp ◆ 多腔体集成系统，比如与感应耦合等离子体-化学气相沉积(ICP-CVD)腔室(生长非晶硅)、溅射(sputter)腔室或原子层刻蚀(ALE)腔室结合使用/pp ◆ 用于原表面改性或刻蚀的基底偏压/pp　　strong牛津仪器的设备可实现优异的控制效果，包括：/strong/pp ◆ 通过MFC，快速ALD阀门和快速自动压力控制，可获得精准可调的前驱物/气体注入，以实现一面成核另一面不成核的现象。/pp ◆ 使用预真空室和涡轮增压分子泵保持系统的的高真空度，以使抑制现象长时间不受影响。/pp ◆ 使用等离子体可清洁腔体和恢复腔体氛围。/pp ◆ 带实时诊断功能的生长监控设备：椭圆偏正光谱测量、质谱分析法及发射光谱法/pp　　基于选择性ALD提出的与刻蚀相结合的方法再次让我想到原子尺度工艺处理的问题，我在之前发表的一篇博文中对此进行了讨论。可以想象，通过结合选择性ALD及其他工艺，可以生长出新的超材料(特异材料)和独特结构。例如，通过在选择性曝光的铜中生长石墨烯，或通过周期性刻蚀同一平面的沉积(例如局部选择性ALD)，可有效地仅在结构侧边生长材料。因此不论是在普通等离子刻蚀机或带基底偏压特性的FlexAL，结合带导向的离子曝光法也许会是个优势。总得来说，我很期待能有令人惊喜的新发现，新结构和新材料能在可控的方式下诞生。/p

详细信息 常州大学ALD原子层沉积平台采购项目竞争性磋商公告 江苏省-常州市-武进区 状态：公告 更新时间： 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在（常州中宇建设工程管理有限公司）获取采购文件，并于2023年1月31日上午9点00分（北京时间）前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：ZYJS-ZC2023192 2.项目名称：ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式：竞争性磋商 4.项目预算金额：人民币150万元 项目最高限价：人民币150万元；供应商最终报价时总价不得高于最高限价，否则作为无效响应处理。 5.采购需求：本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD，是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体，从而实现厚度可控（纳米尺寸级别）的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备（包括现场踏勘、技术核对等）、产品（包括备品备件、专用工具）、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产（采购）、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限：自合同签订之日起28周以内供货完毕，并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体：□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应：◆是 □否。 二、申请人的资格要求（须同时满足） 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形： 1.1未被“信用中国”网站（WWW.creditchina.gov.cn）或“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单； 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商（包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人，母公司、全资子公司及其控股公司），不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额，提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行：______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求（如有）：____/_______。 3.本项目的特定资格要求： 3.1本项目接受进口产品投标，供应商所投设备为进口产品的，应提供以下之一的证明材料： 1）如供应商为所投设备的授权经销（代理）商，必须提供生产（制造）商或上级经销（代理）商授权供应商的授权书，并提供逐级经销（代理）商的证书复印件； 2）如供应商为本项目的授权供应商，必须提供生产（制造）商或授权经销（代理）商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销（代理）商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应：□是 ◆否； 3.3 其他特定资格要求：无 4.本项目是否属于政府购买服务： ◆否 □是，公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织，不得作为承接主体； 5.其他特定资格要求：无。 三、获取采购文件 时间：2023年1月9日至2023年1月16日（采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日），每天上午8:30至11:30，下午13:30至17:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室 方式：（供应商可采取以下任一种方式获取采购文件） (1)线上获取（推荐使用）：供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记，注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息，并按要求交纳采购文件费用，上述步骤完成后，供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取：将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后，采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名：常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行：中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号：1105052609000510202 财务室电话（查询标书款情况）：0519-85782855 (3)现场获取地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室。 售价：人民币壹佰元/份（从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号），采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料： ①供应商信息表（格式见公告附件1） 四、响应文件提交 截止时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策：_/__。 2.现场勘察及澄清： 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商，均应在2023年1月17日上午11：30前按采购公告中的通讯地址，一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构，否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改，采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商，因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求： 正本份数：1份，副本份数：3份；响应文件应按顺序胶装成册，并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否，响应文件均不退回。 中标（成交）公告发布前，成交供应商须将响应文件电子档（PDF格式，含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件，与正本响应文件完全一致的电子档）发至邮箱：zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求，进场后请保持安全距离，分散等候，不得扎堆聚集，事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距，尽量缩短工作时间，会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资： 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》（常财购〔2021〕13号）等有关文件精神，我市实行政府采购信用融资，将信用作为政策工具引入政府采购领域，金融机构根据政府采购项目中标（成交）通知书或中标（成交）合同，为中标（成交）中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：常州大学 地 址：常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式：诸葛祥群 联系电话：15161156879 2.采购代理机构信息 名 称：常州中宇建设工程管理有限公司 地 址：常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式：0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人：左学文、包婷 电 话：0519-85785155 注：上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件：供应商信息表.docx × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容：物理气相沉积,原子层沉积 开标时间：null 预算金额：150.00万元 采购单位：常州大学 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：常州中宇建设工程管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 常州大学ALD原子层沉积平台采购项目竞争性磋商公告 江苏省-常州市-武进区 状态：公告 更新时间： 2023-01-09 招标文件: 附件1 项目概况 (常州大学ALD原子层沉积平台)采购项目的潜在供应商应在（常州中宇建设工程管理有限公司）获取采购文件，并于2023年1月31日上午9点00分（北京时间）前提交响应文件。 一、项目基本情况 1.项目编号：ZYJS-ZC2023192 2.项目名称：ALD原子层沉积平台采购项目 3.采购方式：竞争性磋商 4.项目预算金额：人民币150万元 项目最高限价：人民币150万元；供应商最终报价时总价不得高于最高限价，否则作为无效响应处理。 5.采购需求：本项目为常州大学ALD原子层沉积平台采购项目。原子层沉积技术简称ALD，是一种精度极高的气相沉积包覆技术。该技术通过交替式的通入前驱体，从而实现厚度可控（纳米尺寸级别）的薄膜沉积。本采购项目包括相应产品供货前的准备（包括现场踏勘、技术核对等）、产品（包括备品备件、专用工具）、设计、制造、加工、检验、包装、发货、保险、技术资料、生产（采购）、进口、运输、外贸代理费、清关、运输、安装调试、技术服务、验收、装卸至现场设备技术上、设备自身调试、培训、售后服务、质保期及维保服务等全部工作。 6.项目履约期限：自合同签订之日起28周以内供货完毕，并安装调试通过采购单位验收。 7.本项目是否接受联合体：□是 ◆否。 8.本项目是否接受进口产品响应：◆是 □否。 二、申请人的资格要求（须同时满足） 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定以及下列情形： 1.1未被“信用中国”网站（WWW.creditchina.gov.cn）或“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）列入失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重失信行为记录名单； 1.2单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商（包含法定代表人为同一个人的两个及两个以上法人，母公司、全资子公司及其控股公司），不得参加同一合同项下的政府采购活动。 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 2.1中小企业政策 ◆本项目不专门面向中小企业预留采购份额。 □本项目专门面向 □中小 □小微企业采购。 □本项目预留部分采购项目预算专门面向中小企业采购。对于预留份额，提供的货物由符合政策要求的中小企业制造、服务由符合政策要求的中小企业承接。预留份额通过以下措施进行：______/_____。 2.2其它落实政府采购政策的资格要求（如有）：____/_______。 3.本项目的特定资格要求： 3.1本项目接受进口产品投标，供应商所投设备为进口产品的，应提供以下之一的证明材料： 1）如供应商为所投设备的授权经销（代理）商，必须提供生产（制造）商或上级经销（代理）商授权供应商的授权书，并提供逐级经销（代理）商的证书复印件； 2）如供应商为本项目的授权供应商，必须提供生产（制造）商或授权经销（代理）商对本次招标的项目或所投产品的授权书,并提供逐级经销（代理）商的证书复印件。 3.2本项目是否接受分支机构参与响应：□是 ◆否； 3.3 其他特定资格要求：无 4.本项目是否属于政府购买服务： ◆否 □是，公益一类事业单位、使用事业编制且由财政拨款保障的群团组织，不得作为承接主体； 5.其他特定资格要求：无。 三、获取采购文件 时间：2023年1月9日至2023年1月16日（采购文件的发售期限自开始之日起不得少于5个工作日），每天上午8:30至11:30，下午13:30至17:00（北京时间，法定节假日除外） 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室 方式：（供应商可采取以下任一种方式获取采购文件） (1)线上获取（推荐使用）：供应商在规定的获取时间内登录常州中宇建设工程管理有限公司网站右上角“供应商注册”进行注册登记，注册成功后可进入相应项目公告填写相关信息，并按要求交纳采购文件费用，上述步骤完成后，供应商可自行下载采购文件。 (2)线下获取：将相关材料扫描发至本公司邮箱“zhongyuzhaobiao111@163.com”并按要求交纳采购文件费用后，采购文件以邮件形式发送至供应商邮箱。 户 名：常州中宇建设工程管理有限公司 开户银行：中国工商银行股份有限公司常州勤德支行 账 号：1105052609000510202 财务室电话（查询标书款情况）：0519-85782855 (3)现场获取地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇财务室。 售价：人民币壹佰元/份（从企业账户缴入代理机构银行账户或现场报名缴纳,缴款时请备注所投项目编号），采购文件售后一概不退。未获取采购文件的磋商供应商不得参与投标。磋商供应商获取采购文件时应提供如下材料： ①供应商信息表（格式见公告附件1） 四、响应文件提交 截止时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 五、开启 时间：2023年1月31日上午9点00分（北京时间）。 地点：常州钟楼区大仓路65号（博济五星智造园）8号楼2楼常州中宇招标中心。 六、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 七、其他补充事宜 1.本项目需要落实的政府采购政策：_/__。 2.现场勘察及澄清： 2.1 ◆采购人不组织现场勘察。 2.2对采购文件需要进行澄清或有疑问的供应商，均应在2023年1月17日上午11：30前按采购公告中的通讯地址，一次性将需要澄清或疑问内容以书面形式并加盖公章送达采购代理机构，否则视为无有效澄清或疑问。 2.3有关本次采购的事项若存在变动或修改，采购代理机构将通过更正公告形式通知所有获取采购文件的潜在供应商，因未能及时了解相关最新信息所引起的投标失误责任由供应商自负。 2.4响应文件制作份数要求： 正本份数：1份，副本份数：3份；响应文件应按顺序胶装成册，并编制响应文件目录索引。不论供应商成交与否，响应文件均不退回。 中标（成交）公告发布前，成交供应商须将响应文件电子档（PDF格式，含加盖鲜红章和签字的全套扫描文件，与正本响应文件完全一致的电子档）发至邮箱：zhongyuzhaobiao111@163.com 2.5关于疫情期间开评标相关事项 ①参与采购、评标活动的当事人应严格按照疫情期间上级部门的管理要求，进场后请保持安全距离，分散等候，不得扎堆聚集，事完即走。自觉服从安保及代理机构工作人员的管理。 ②科学安排座位间距，尽量缩短工作时间，会议室要每隔一段时间通风。 3.关于常州市中小企业政府采购信用融资： 根据《常州市财政局中国人民银行常州市中心支行关于进一步推进政府采购信用融资工作的通知》（常财购〔2021〕13号）等有关文件精神，我市实行政府采购信用融资，将信用作为政策工具引入政府采购领域，金融机构根据政府采购项目中标（成交）通知书或中标（成交）合同，为中标（成交）中小企业供应商提供相应额度贷款的融资模式。申请条件及操作流程等事项详见该文件相关内容或者常州市政府采购网--政采融资平台栏目。 八、对本项目提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：常州大学 地 址：常州市武进区湖塘镇滆湖中路21号 联系方式：诸葛祥群 联系电话：15161156879 2.采购代理机构信息 名 称：常州中宇建设工程管理有限公司 地 址：常州钟楼区大仓路65号8号楼二楼 联系方式：0519-85785155 3.项目联系方式 项目联系人：左学文、包婷 电 话：0519-85785155 注：上述个人信息由于工作需要经机构或本人同意对外公布。 附件：供应商信息表.docx

什么是原子层沉积技术原子层沉积技术（ALD）是一种一层一层原子级生长的薄膜制备技术。理想的 ALD 生长过程，通过选择性交替，把不同的前驱体暴露于基片的表面，在表面化学吸附并反应形成沉积薄膜。 20 世纪 60 年代，前苏联的科学家对多层 ALD 涂层工艺之前的技术（与单原子层或双原子层的气相生长和分析相关）进行了研究。后来，芬兰科学家独立开发出一种多循环涂层技术（1974年，由 Tuomo Suntola 教授申请专利）。在俄罗斯，它过去和现在都被称为分子层沉积，而在芬兰，它被称为原子层外延。后来更名为更通用的术语“原子层沉积”，而术语“原子层外延”现在保留用于（高温）外延 ALD。 Part 01.原子层沉积技术基本原理 一个完整的 ALD 生长循环可以分为四个步骤： 1.脉冲第一种前驱体暴露于基片表面，同时在基片表面对第一种前驱体进行化学吸附2.惰性载气吹走剩余的没有反应的前驱体3.脉冲第二种前驱体在表面进行化学反应，得到需要的薄膜材料4.惰性载气吹走剩余的前驱体与反应副产物 原子层沉积（ ALD ）原理图示 涂层的层数（厚度）可以简单地通过设置连续脉冲的数量来确定。蒸气不会在表面上凝结，因为多余的蒸气在前驱体脉冲之间使用氮气吹扫被排出。这意味着每次脉冲后的涂层会自我限制为一个单层，并且允许其以原子精度涂覆复杂的形状。如果是多孔材料，内部的涂层厚度将与其表面相同！因此，ALD 有着越来越广泛的应用。 Part 02. 原子层沉积技术案例展示 原子层沉积通常涉及 4 个步骤的循环，根据需要重复多次以达到所需的涂层厚度。在生长过程中，表面交替暴露于两种互补的化学前驱体。在这种情况下，将每种前驱体单独送入反应器中。 下文以包覆 Al2O3 为例，使用第一前驱体 Al(CH3)3（三甲基铝，TMA）和第二前驱体 H2O 或氧等离子体进行原子层沉积，详细过程如下：反应过程图示 在每个周期中，执行以下步骤： 01 第一前驱体 TMA 的流动，其吸附在表面上的 OH 基团上并与其反应。通过正确选择前驱体和参数，该反应是自限性的。 Al(CH3)3 + OH = O-Al-(CH3)2 + CH4 02使用 N2 吹扫去除剩余的 Al(CH3)3 和 CH4 03第二前驱体（水或氧气）的流动。H2O（热 ALD）或氧等离子体自由基（等离子体 ALD）的反应会氧化表面并去除表面配体。这种反应也是自限性的。 O-Al-(CH3)2 + H2O = O-Al-OH(2) + (O)2-Al-CH3 + CH4 04使用 N2 吹扫去除剩余的 H2O 和 CH4，继续步骤 1。 由于每个曝光步骤，表面位点饱和为一个单层。一旦表面饱和，由于前驱体化学和工艺条件，就不会发生进一步的反应。 为了防止前驱体在表面以外的任何地方发生反应，从而导致化学气相沉积（CVD），必须通过氮气吹扫将各个步骤分开。 Part 03. 原子层沉积技术的优点 由于原子层沉积技术，与表面形成共价键，有时甚至渗透（聚合物），因此具有出色的附着力，具有低缺陷密度，增强了安全性，易于操作且可扩展，无需超高真空等特点，具有以下优点： 厚度可控且均匀通过控制沉积循环次数，可以实现亚纳米级精度的薄膜厚度控制，具有优异的重复性。大面积厚度均匀，甚至超过米尺寸。 涂层表面光滑完美的 3D 共形性和 100% 阶梯覆盖：在平坦、内部多孔和颗粒周围样品上形成均匀光滑的涂层，涂层的粗糙度非常低，并且完全遵循基材的曲率。该涂层甚至可以生长在基材上的灰尘颗粒下方，从而防止出现针孔。 ALD 涂层的完美台阶覆盖性 适用多类型材料所有类型的物体都可以进行涂层：晶圆、3D 零件、薄膜卷、多孔材料，甚至是从纳米到米尺寸的粉末。且适用于敏感基材的温和沉积工艺，通常不需要等离子体。 可定制材料特性适用于氧化物、氮化物、金属、半导体等的标准且易于复制的配方，可以通过三明治、异质结构、纳米层压材料、混合氧化物、梯度层和掺杂的数字控制来定制材料特性。 宽工艺窗口，且可批量生产对温度或前驱体剂量变化不敏感，易于批量扩展，可以一次性堆叠和涂覆许多基材，并具有完美的涂层厚度均匀性。

采用一定方法,使处于某种状态的一种或几种物质(原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。薄膜制备的方法众多，其中薄膜沉积与外延技术已成为其中的主流，特别是在半导体产业中，占据着重要的地位。薄膜沉积是半导体器件制造过程中的一个重要环节可以在晶圆上生长出 各种导电薄膜层和绝缘薄膜层为后续工艺打下基础。根据工作原理不同，薄膜沉积工艺可分为物理气相沉积 （PVD）、化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）三大类，所需的设备是薄膜沉积设备。根据Maximize Market Research数据，全球薄膜沉积设备整体规模稳定增长，2020年市场 规模为172亿美元，受益于Foundry厂、存储、AMOLED以及太阳能电站等需求的增加，预计到2025年将达到340亿美元。分类型来看，CVD设备应用最广，占比57%；其次是PVD，占比为25%；ALD及其他镀膜设备占比18%。而外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊，而这些因素是与硅片衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。针对于此，仪器信息网拟于2021年9月23日举办“薄膜沉积与外延技术与应用”主题网络研讨会，依托“网络讲堂”栏目，邀请业内专家以及技术人员参与本次网络研讨会，就薄膜沉积与外延技术与应用等话题共同探讨，为广大从事薄膜沉积与外延技术研发等方面的专家学者和技术人员提供一个交流的空间。会议由牛津仪器赞助。牛津仪器是一家世界领先的高科技系统设备供应商。设计制造的设备可以在原子和分子层面，制造、分析和操控物质，并广泛应用于研究和工业领域为客户提供完美的解决方案。会议报名链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/cvd2021/会议日程：

由于在氢氧化（hydrogen oxidation）和氧还原（oxygen reduction）反应中的高效催化特性，铂基催化剂被广泛地应用于质子交换膜燃料电池当中的关键组成部分，比如阴和阳。然而，当质子交换膜燃料电池在较为严苛的环境下（比如低pH环境(＜1)、高的氧浓度、高湿度等）运行时，商用的铂/碳催化剂会展现出耐用性低的问题。由于Ostwald熟化效应、铂纳米颗粒的脱离、铂纳米颗粒的团聚等问题，铂/碳催化剂的活性会显著下降。因此，开发有效方案来稳固铂基催化剂从而防止其活性在燃料电池运行时的损耗，是非常重要的。 针对上述问题，加拿大西安大略大学的孙学良教授课题组，开创性地利用退火MLD（Molecular Layer Deposition，MLD，分子层沉积）夹层结构来固定铂纳米颗粒，从而实现了铂基催化剂性能的提升，相关结果刊载于Nano Energy（https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2019.03.033）。在孙教授团队的工作中，MLD衍生层是通过三基铝和丙三醇合成在掺氮碳纳米管（nitrogen-doped carbon nanotubes，NCNT）上的，此后通过煅烧获得多孔结构。后，通过ALD工艺，铂纳米颗粒被沉积在MLD-NCNT载体之上。多孔结构有益于稳固铂纳米颗粒、避免团聚以及从载体上脱离。相较于沉积在掺氮碳纳米管（NCNT）上的铂催化剂来说，沉积在MLD-NCNT载体上的Pt催化剂展示出了显著提升的氧化还原反应活性以及耐用性。文中利用X射线吸收光谱等手段，详细揭示了增强的机制。 图1 NCNT-MLD-Pt的制备流程示意图以及出色特性（图片来源：Nano Energy:Rational design of porous structures via molecular layer deposition as an effective stabilizer for enhancing Pt ORR performance） 相较于ALD（Atomic layer deposition，ALD，原子层沉积）来说，MLD技术还比较新。MLD技术可以视为ALD技术的亚类，具有与ALD相似的气相沉积工艺，基于序列及自限制反应，在分子尺度上生长材料，目前比较多涉及的是有机聚合物或者无机-有机杂化材料。由于本质上属于ALD技术的衍生技术，因此MLD技术具备了ALD技术的主要优点：优异的三维共形性、大面积均匀性、良好的工艺重复性、膜厚或组成的控制、分子结构或官能团的裁剪，以及较低的沉积工艺温度。然而，由于MLD工艺中采用有机分子作为前驱体，有机分子前驱体的蒸汽压低、热稳定性差，因而反应活性较低。此外，MLD工艺中的有机分子前驱体存在同质官能团引起的双反应现象，会使得沉积速率变慢，甚至是发生非线性的反应生长速率。所以，利用MLD工艺沉积新材料，对于设备和工艺掌控都提出了较高的要求。 在本文当中，孙教授团队利用MLD沉积铝氧烷所用的设备是美国Arradiance公司生产的型号为Gemstar-8 的台式ALD沉积系统，此套系统直接与手套箱相联，手套箱中为氩气气氛。在本工作之前，孙教授所在课题组已经利用MLD技术合成了铝氧烷，并且将铝氧烷涂层应用于提高碳/硫阴或碱金属阳的电化学特性。制备当中，他们采用三基铝和丙三醇作为前驱体，在150 ℃的条件下将，将前驱体依次通入腔体当中。 另一方面，目前大多数无机-有机杂化物质对于空气中的湿度非常敏感，不稳定。由于Arradiance公司生产的台式ALD系列产品，非常小巧，并且非常友善周到地为用户们预留了可以与各类市场主流手套箱集成的接口，从而使得无机-有机杂化物质在制备完成后可以在惰性环境中转移至其他实验环境或是进行其他实验。 图2 Arradiance台式原子层沉积系统，设计紧凑，功能齐全，堪称“麻雀虽小五脏俱全” 图3 紧凑而友善的设计理念，使得Arradiance ALD系统可以方便地与手套箱集成，满足用户的特殊实验需求

MoS2(二硫化钼)，由于其优异的带隙结构(直接带隙为1.8 eV)，高表面体积比和的场效应晶体管(FET，field effect transistor)性能，已成为具代表性的二维过渡金属硫族化合物（TMDC, transition-metal dichalcogenide）。使用纳米晶（Nano-Crystal，NC）修饰MoS2，即可以保持每个组成部分的立特性，同时又提供了复合材料产生的协同特性，大的扩展了MoS2材料的应用领域。控制纳米晶（NC）在 MoS2基底上的形貌，包括浓度，尺寸大小和表面体积比，对电子器件的整体性能影响是至关重要的。原子层沉积技术（ALD，Atomic layer deposition）是基于自限制的表面化学反应，对缺乏表面活化学反应基团的二维材料可实现选择性表面纳米晶修饰，其中NC大小可以通过循环次数来控制。美国斯坦福大学化学工程学院的Stacey F. Bent教授，通过使用台式三维原子层沉积系统-ALD发现了一种合成ZnO修饰MoS2基杂化纳米结构（纳米片或纳米线）的新方法。ZnO纳米晶的特性，包括浓度、大小和表面体积比，可以通过控制ZnO循环次数以及ALD磺化处理得到的MoS2衬底的性能来进行系统的合成和调控。通过材料化学成分（XPS以及 Raman），显微镜观察(TEM, SEM)和同步加速器X射线技术(GIWAXS) 分析ZnO与ALD沉积次数的相互关系，并结合量子化学计算的结果，作者阐明了ZnO在MoS2衬底上的生长机理及其与MoS2衬底性能的关系。MoS2纳米片的缺陷密度和晶粒尺寸可以由MoO3的硫化温度进行控制，ZnO纳米晶会选择性地在MoS2表面的缺陷位置处成核，且尺寸随着ALD循环次数的增加而增大。ALD循环次数越高，ZnO纳米晶的聚结作用越强，使得ZnO在MoS2衬底表面的覆盖和自身尺寸大幅增长。此外，复合结构的几何形貌可以通过改变MoS2衬底的取向进行调控，即采用MoS2的垂直纳米线（NWs，nanowires）作为ALD ZnO NCs的衬底，可以大幅改善复合结构的表面体积比。该类材料有望用于一些新拓展的领域，尤其是依赖过渡金属卤化物和NCs相互耦合结构的，如基于p−n异质结的传感器或光电器件。该工作发表在2020年的国际知名期刊ACS Nano (2020, 14, 1757−1769)上。图1. （a）ZnO@MoS2复合纳米结构示意图；（b）800°C-MoS2表面的HR-STEM图像；（c）两步合成二硫化钼的工艺，即在三个不同的退火温度下（600,800,和1000°C）下使用H2S硫化ALD 合成的MoO3；（d）600 °C-, 800 °C-, 和1000 °C-MoS2的Raman光谱图,（e）Zn 2p XPS谱图（循环次数为50次）,（f）相对原子比 Zn/(Zn + Mo),（g）TEM图像，（h）表面覆盖度，（i）MoS2表面ZnO颗粒的数密度及（g）GIWAXS（grazing incidence wide-angle X-ray scattering，掠入射小角X射线散射） 图样（不同沉积次数下）；（k）800 °C-MoS2 纳米线的SEM，TEM和HR-TEM图像；（l）DEZ（diethylzinc，二乙基锌）反应的量子化学计算结果,在MoS2的边缘位和基面上进行DFT分析,黄色和绿色原子分别表示S和Mo。 上述工作中作者团队采用的原子层沉积设备来自于美国ARRADIANCE公司的GEMStar系列台式三维原子层沉积系统-ALD(如图2所示)，其在小巧的机身（78 * 56 * 28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计，使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在8英寸基体上膜厚的不均匀性小于99%，而且更适合对超高长径比的孔径3D结构等实现均匀薄膜覆盖，对高达1500：1长径比的微纳深孔内部也可实现均匀沉积。GEMStar系列ALD系统广泛应用于高深宽比结构沉积，半导体微纳结构制备，微纳粉末包覆等，服务于锂离子电池，超电容器，超电容器，LED等研究领域。图2. 美国ARRADIANCE公司生产的GEM-tar系列台式三维原子层沉积系统 参考文献：[1]. Il-Kwon, et al., Synthesis of a Hybrid Nanostructure of ZnO-Decorated MoS2 by Atomic Layer Deposition., ACS nano., 2020,14(2), 1757-1769.

背景介绍高温抗氧化涂层在航空航天领域是至关重要的部分。一种成功的抗氧化涂层首先必须与基体材料有着化学或者物理上的相容性；其次，在材料温度适用范围内，更能提供一层连续、致密的氧阻挡层[1]；再者，涂层要有方便、经济的制备工艺等。MoSi2有着高熔点（2030℃），良好的导电性和导热性，优异的高温抗氧化特性，是一种广泛应用的高温材料。现已发展为用于高温合金和碳/碳复合材料高温抗氧化保护涂层[2]。本实验采用电化学沉积法制备钼基体表面MoSi2涂层，图(a)是在900度氧化10h的表面形貌。图(b)是钼基体表面B改性MoSi2涂层，在900度氧化10h的表面形貌。图1 相同实验条件下不同方式制备涂层表面形貌结果表明：图a涂层经过氧化后在表面形成了一层SiO2氧化膜。该涂层主要用于钼及钼合金表面防护，以提高其在高温环境下的服役时间。图b涂层经过氧化后在表面形成了一层由SiO2和B2O3构成的氧化膜。通过B的改性，可以降低MoSi2涂层在中低温段氧化时的“粉化”倾向，进而提高其抗氧化能力。参考文献[1] Thomas A Kircher,et al.Engineering limitations coatings. Mater Sci Eng. 1992. A155:67[2] 蔡作乾，等编著. 陶瓷材料辞典.北京：化学工业出版社,2002

成果名称沉积物岩芯扫描分析仪的研制单位名称北京大学联系人马靖联系邮箱mj@labpku.com成果成熟度□研发阶段 &radic 原理样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产成果简介：作为岩矿成分测试发展的方向，分析工作从传统单元素化学分析向以大型分析仪器为主的多元素同时分析、从实验室内分析向野外现场分析转变已成趋势。其中X射线荧光分析方法作为典型应用，已列入了十一五国家科技发展规划中。传统思路下的荧光分析仪分析精度、速度已接近理论值，但仍与市场需求还存在差距，这制约了相关仪器分析方法的发展。与此不同，扫描型元素分析仪的应用可以有效地提高元素分析精度，提高样品分析速度，在地球科学基础研究和矿产勘探等领域发展前景广阔，市场空间巨大。2009年，北京大学城环学院周力平教授申请的&ldquo 沉积物岩芯扫描分析仪的研制&rdquo 得到第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的支持。该仪器综合了微区X射线荧光分析技术(X-ray fluorescence)、数字X射线成像技术（digital x-ray micro radiography）和光学成像技术等多种分析手段，沿设定的样品轴向（沉积物岩芯轴向）可同时连续自动完成针对多种元素的高灵敏度检测、数字X射线成像（样品密度分布）以及高清晰光学图像采集等分析任务。该仪器的研制始于2007年，项目组通过与北京北达燕园微购分析测试中心有限公司合作，自筹经费开始试制&ldquo 岩芯沉积物X射线荧光分析扫描仪&rdquo ，已基本解决了线扫描相机、先进的SDD能谱探测器、专用的X射线光源和运动单元等技术问题。在第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的有力支持下，该项目进一步完善了扫描仪的光路设计，通过采用X射线全反射狭缝技术将沿岩芯轴向的荧光理论分辨率提高至0.1mm，并设计了专用的岩芯能谱分析软件，提高仪器的检测水平。该项目目前已经顺利结题，项目研制的&ldquo 沉积物岩芯扫描分析仪&rdquo 样机实现了预定功能与指标，相关工作已进入成果转化阶段。此外，仪器研制中的关键成果也为进一步申请相关应用课题奠定了基础。应用前景：扫描型元素分析仪的应用可以有效地提高元素分析精度，提高样品分析速度，在地球科学基础研究和矿产勘探等领域发展前景广阔，市场空间巨大。

牛津仪器等离子技术最近更新的App包括一个明确和互动的元素周期表、详细的等离子体、离子束和原子层沉积工艺信息。它允许iPhone和iPad用户查阅工艺化学的相关信息，可以通过简单的周期表界面实现任何材料的刻蚀和沉积。　　这个周期表App可以免费下载,将吸引大量的工业和学术界的用户。同时，它也是一个优秀的教学设备,可以展示单个元素属性和电子构型。

研究表明，人类每小时可能会吸入约16.2块微塑料，相当于1周吸入1张信用卡的塑料量。而这些微塑料通常含有有毒污染物和化学物质，吸入后可能会造成严重的健康风险，因此了解它们如何在呼吸系统中传播对于预防和治疗呼吸系统疾病至关重要。据13日发表于《流体物理学》杂志的论文，来自澳大利亚悉尼科技大学、伊朗乌尔米亚大学、孟加拉国科米拉大学等单位的一个国际研究团队开发出一种计算流体动力学模型，分析了微塑料在上呼吸道的传输和沉积特征。团队研究了不同形状（球形、四面体和圆柱形）和大小（直径为1.6、2.56和5.56微米）的微塑料在缓慢和快速呼吸条件下的运动。微塑料往往会聚集在鼻腔、口咽或喉咙后部的热点部位。研究人员解释说，呼吸道的形状复杂且高度不对称，加上鼻腔和口咽部复杂的流动行为，导致微塑料偏离流动路径并沉积在这些区域。流动速度、颗粒的惯性和不对称形状影响微塑料的总体沉积，并增加其在鼻腔和口咽区的沉积浓度。呼吸条件和微塑料大小影响呼吸道内总的微塑料沉积速率。流速越大，沉积越少，最大的（直径5.56微米）微塑料比较小的微塑料更容易沉积在呼吸道中。2022年，科学家首次在人类呼吸道深处发现了微塑料，这引发了人们对严重的呼吸道健康危害的担忧。研究人员强调，人们需要更多地意识到空气中存在微塑料及其对健康的潜在影响。他们希望这一结果能为靶向药物输送系统提供参考，并改善健康风险评估。