分子束外延系统

我是一名研究生，使用分子束外延设备制备薄膜。国内拥有此设备的地方不多，但其发展呈上升趋势。所以，我想创建桓鲂掳妫璏BE（分子束外延）版，不知道怎样才能创办。 创办这个版，目的有以下两点： 1、有关MBE设备、及相关书籍、文章在国内还不是那么多，所以在此创 办一个MBE版，可以使所有使用过MBE或对MBE有兴趣的人拥有一个交 流的平台； 2、在此我们可以互相学习，共同研究，促进MBE在国内的发展。 以下是引用的有关MBE的简单介绍及简要回顾： 分子束外延（Molecular Beam Epitaxy）技术在现代超导薄膜（YBCO、BSCCO等）、半导体物理、器件以及GaAs工业发展中起着十分关键的作用。 回顾分子束外延的发展历史，它始终追求的是应用目标，把原子一个个地排列起来，同时将几种不同组分的材料交替地生长，而每种材料的厚度小于电子的平均自由程（100nm），两种不同材料之间的界面平整度在单个原子水平上，重复周期在100次以上，这需要很高的技术。是什么力量促使人们不断完善这一技术，使它成为当今信息产业发展的一项重要技术呢？这得从诺贝尔物理学奖获得者江崎与美籍华人朱兆祥提出的半导体超晶格理论说起，他们设想，如果将两种晶格匹配得好的半导体材料A和B交替生长，则电子沿生长方向（ Z 方向）的连续能带将分裂成几个微带。 从而改变了材料的电子结构，他们预言在这种人造材料中可能出现若干新的现象与效应，从而出现了人们常说的能带工程（或能带裁剪），1970 年—2006 年期间，超晶格、继而低维及小量子系统的物理器件的长足发展均与分子束外延以及有机金属[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]淀积技术的发展息息相关) 在此期间，分子束外延技术走向成熟，有若干技术上的突破。 希望仪器信息网的论坛能给我这个机会，我会把这个版创办好的。谢谢！

MBE有许多优点：①由于MBE是在超高真空系统中操作，使用纯度极高的元素材料，所以可以得到高纯度、高性能的外延薄膜；②生长速率低，大约为一微米每小时，可以精确地控制外延层厚度，制造超薄层晶格结构及其它器件；③生长温度低，可避免高温生长引起的杂质扩散，能得到突变的界面杂质分布；④可在生长腔内安装仪器，例如配置四极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。通过这些仪器可以对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量；⑤由于基本能够旋转，保证了外延膜的均匀性。分子束外延技术使异质结构、量子阱与超晶格得到迅速发展，使器件物理学家和工程师们设计出新的具有“带结构工程”的器件，为晶格失配外延生长开辟了器件制造的新领域。MBE存在的不足是：表面形态的卵形缺陷，长须状缺陷及多晶生长，难于控制两种以上V族元素，不利于批量生产等。

MBE生长是由发生在衬底的一系列物理化学过程实现的，它是从[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]到凝聚相，再通过一些表面过程的结果。这一复杂过程包括的具体过程包括：(1) 来自[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]的分子和原子撞击到表面而被吸附；被吸附的分子、原子在衬底表面发生迁移和分解。 （2）原子进入衬底晶格形成外延生长。 （3）未进入衬底晶格的分子、原子因热脱附而离开表面。与其它外延生长不同，MBE外延生长可以认为是一种表面非平衡态生长过程。

MBE单单成一个版面不是很合适。还有很多重要的生长设备，可归类放到一起，组成外延生长设备。

分子束外延生长的环境是基础条件，常年维持在10－10托,这与它的生长方式直接相关，因为分子是一层层铺上去的，外来原子将与它争夺晶格位置而造成污染,直接影响晶体质量。在分子束外延设备中采取了生长，预处理及进样三真空室的基本结构来减缓外部气体的引入，并采用全无油真空抽气系统来减少污染环节,样品的转移，快门的切换均采取真空操作。

请教各位，你们的MBE中的液氮系统是哪个厂家的，整套液氮系统大约需要多少钱。谢谢！

反射式高能电子衍射仪（Reflection High-Energy Electron Diffraction ）是MBE系统中最重要的原位分析和监控仪器，在表面重构、表面相以及晶体生长细节研究中发挥重要作用，有MBE“眼睛”之称。主要由高能电子衍射枪和荧光屏构成。电子枪和荧光屏分别处在样品的两侧，在样品前方留下很大的空间，实实时监控成为可能。工作时，高能电子枪发射10－20KV的电子束以下于5度的掠射角入射到样品表面发生衍射。高能电子的能量虽高，既有很强的穿透能力，但由于是掠入射，高能电子仅作用于表面2－3个原子层，使得RHEED具有很高的表面灵敏度。另一方面，在这种散射装置中，被散射的电子相对较少，而反射电子信号很强，这样就能够从荧光屏上得到很强的RHEED图案，从而得出样品的表面信息。主要是表面的结构和平整度，如台阶、小岛、凸线、微滴表面脱附、表面生长动力学及有关衬底清洁程度和合适的生长条件等信息；同时RD（Reflectance-difference）与RHEED互为补充给出有关表现再构的信息。分析表面以下5微米深度内的状况（化学组分、杂质污染）及50埃深度以内的重掺杂分布使用俄歇分析仪（AES）。二次离子质谱（SIMS）侧重表面分析（分辨率大于100微米）和纵向分布（分辨率在50埃左右）。另外，进行表面形貌分析的还有扫描反射电子显微仪、二次电子显微仪等。

第一章 外延在光电产业角色近十几年来为了开发蓝色高亮度发光二极管，世界各地相关研究的人员无不全力投入。而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管ＬＥＤ及激光二级管ＬＤ的应用无不说明了Ⅲ－Ⅴ族元素所蕴藏的潜能，表１－１为目前商品化ＬＥＤ之材料及其外延技术，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]外延成长法成长磷砷化镓ＧａＡｓＰ材料为主。ＭＯＣＶＤ机台是众多机台中最常被使用来制造ＬＥＤ之机台。而ＬＥＤ或是ＬＤ亮度及特性的好坏主要是在于其发光层品质及材料的好坏，发光层主要的组成不外乎是单层的ＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子井Ｓｉｎｇｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ或是多层的量子井Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ，而尽管制造ＬＥＤ的技术一直在进步但其发光层ＭＱＷ的品质并没有成正比成长，其原是发光层中铟Ｉｎｄｉｕｍ的高挥发性和氨ＮＨ３的热裂解效率低是ＭＯＣＶＤ机台所难于克服的难题，氨气ＮＨ３与铟Ｉｎｄｉｕｍ的裂解须要很高的裂解温度和极佳的方向性才能顺利的沉积在ＩｎＧａＮ的表面。但要如何来设计适当的ＭＯＣＶＤ机台为一首要的问题而解决此问题须要考虑下列因素：１要能克服ＧａＮ 成长所须的高温２要能避免ＭＯ Ｇａｓ金属有机蒸发源与ＮＨ３在预热区就先进行反应３进料流速与薄膜长成厚度均。一般来说ＧａＮ的成长须要很高的温度来打断ＮＨ３之Ｎ－Ｈ的键解，另外一方面由动力学仿真也得知ＮＨ３和ＭＯ Ｇａｓ会进行反应产生没有挥发性的副产物。了解这些问题之后要设计适当的ＭＯＣＶＤ外延机台的最主要前题是要先了解ＧａＮ的成长机构，且又能降低生产成本为一重要发展趋势。第二章 MOCVD之原理ＭＯＣＶＤ反应为一非平衡状态下成长机制，其原理为利用有机金属化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积法ｍｅｔａｌ－ｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ＭＯＣＶＤ是一种利用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]反应物，或是前驱物ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ和Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的ＮＨ３，在基材ｓｕｂｓｔｒａｔｅ表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的制程。ＭＯＣＶＤ 利用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]反应物间之化学反应将所需产物沉积在基材衬底表面的过程，蒸镀层的成长速率和性质成分、晶相会受到温度、压力、反应物种类、反应物浓度、反应时间、基材衬底种类、基材衬底表面性质等巨观因素影响。温度、压力、反应物浓度、反应物种类等重要的制程参数需经由热力学分析计算，再经修正即可得知。反应物扩散至基材衬底表面、表面化学反应、固态生成物沉积与气态产物的扩散脱离等微观的动力学过程对制程亦有不可忽视的影响。ＭＯＣＶＤ 化学反应机构有反应气体在基材衬底表面膜的扩散传输、反应气体与基材衬底的吸附、表面扩散、化学反应、固态生成物之成核与成长、气态生成物的脱附过程等，其中速率最慢者即为反应速率控制步骤，亦是决定沉积膜组织型态与各种性质的关键所在。ＭＯＣＶＤ对镀膜成分、晶相等品质容易控制，可在形状复杂的基材衬底上形成均匀镀膜，结构密致，附着力良好之优点，因此ＭＯＣＶＤ已经成为工业界主要的镀膜技术。ＭＯＣＶＤ制程依用途不同，制程设备也有相异的构造和型态。整套系统可分为1.进料区进料区可控制反应物浓度。气体反应物可用高压气体钢瓶经ＭＦＣ 精密控制流量，而固态或液态原料则需使用蒸发器使进料蒸发或升华，再以Ｈ２、Ａｒ等惰性气体作为ｃａｒｒｉｅｒ而将原反应物带入反应室中。2.反应室反应室控制化学反应的温度与压力。在此反应物吸收系统供给的能量，突破反应活化能的障碍开始进行反应。依照操作压力不同，ＭＯＣＶＤ 制程可分为Ｉ 常压ＭＯＣＶＤ ＡＰＣＶＤｉｉ低压ＭＯＣＶＤ ＬＰＣＷＤｉｉｉ超低压ＭＯＣＶＤ ＳＬＣＶＤ。依能量来源区分为热墙式和冷墙式，如分如下（Ⅰ）热墙式由反应室外围直接加热，以高温为能量来源（ＩＩ）等离子辅助ＭＯＣＶＤ（ＩＩＩ）电子回旋共振是电浆辅助（Ⅳ）高周波ＭＯＣＶＤ（Ⅴ）Ｐｈｏｔｏ－ＭＯＣＶＤ（Ⅵ）ｏｔｈｅｒｓ其中（ＩＩ）至（ＶＩ）皆为冷墙式3.废气处理系统通常以淋洗塔、酸性、碱性、毒性气体收集装置、集尘装置和排气淡化装置组合成为废气处理系统，以吸收制程废气，排放工安要求，对人体无害的气体。一般来说，一组理想的ＭＯＣＶＤ 反应系统必需符合下列条件ａ．提供洁净环境。ｂ反应物于抵达基板衬底之前以充分混合，确保膜成分均匀。ｃ．反应物气流需在基板衬底上方保持稳定流动，以确保膜厚均匀。ｄ．反应物提供系统切换迅速能长出上下层接口分明之多层结构。ＭＯＣＶＤ近来也有触媒制备及改质和其它方面的应用，如制造超细晶体和控制触媒得有效深度等。在可预见的未来里，ＭＯＣＶＤ制程的应用与前景是十分光明的。

一个老师让熟悉设备，但另一个老师又认为我现在不适合进实验室，让多看书，所以只能先在网上找些资料。原理性书籍，技术手册，具体型号的说明书都可以，谢谢各位大贤。

现在很多催化剂的形貌都有纳米颗粒与载体的晶格匹配问题，也就是类似于材料物理的外延生长。那么怎么去判断是否属于外延生长呢？比如基体是MnO2，而负载颗粒是Au，那么需要转正MnO2的带轴，然后看两者之间的接触点，看是否晶格匹配？这个过程中就有一个问题，不同MnO2的带轴都能看到晶格匹配么？

大家好： 我是一名研究生，使用分子束外延设备制备薄膜。国内拥有此设备的地方不多，但其发展呈上升趋势。所以，我想创建一个新版－MBE（分子束外延）版。目的有以下两点： 1、有关MBE设备、及相关书籍、文章在国内还不是那么多，所以在此创 办一个MBE版，可以使所有使用过MBE或对MBE有兴趣的人拥有一个交 流的平台； 2、在此我们可以互相学习，共同研究，促进MBE在国内的发展。 创办一个版需要很多人的支持，所以在此请求大家的帮助，希望对MBE（分子束外延）感兴趣或使用此设备的相关人士到“论坛信访办”中“意见和建议”版中，支持“强烈建议创办一个MBE（分子束外延）版”帖子。 请大家相信我，我会将此版创办好，谢谢大家的支持，谢谢！！！

请教各位大侠，SEM能用来标定异质外延膜的厚度么?外延膜大概40nm左右,衬低375微米,SEM能分辨出不同的物质么,象TEM不同的物质颜色不一样,或者还是得打能谱?一般的SEM分辨率能有多少?能谱束斑多大?急切等待各位大侠赐教!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!

大家都用MBE系统生长什么体系的材料？研究哪些方面的物性及应用？

[color=#000000]陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c45ee993-8944-4fb1-a1b4-793fe9fb49f5.jpg[/img][/align][color=#000000]知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c5db2606-b780-4d94-bda7-1f42d7adfd8e.jpg[/img][/align][color=#000000]基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]

本人长期做II-VI族分子束外延，对III-V族不大了解，因此向各位高手请教：1、GaAs脱氧时衬底真实温度是否在600C附近，如何脱氧？曾听说脱氧过程中需要喷As以防止表面As的挥发，避免形成Ga滴，是否如此？2、如何判断100晶向衬底脱氧结束？是否应该等再构出现才基本可以判断，什么再构，2*3还是3*2？如何计算脱氧时间？我曾经在211晶向的GaAs衬底上脱氧，未喷As，也未出现再构，同样可以外延好的样品，以上两点疑问是否属实，望各位分子束外延高手帮忙解答。

很不错的MBE系统，真想拥有一台。[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=53041]Oxford MBE[/url]

本人受托需要购买外延设备,希望哪位仁兄能够提供性能价格比相对好的公司和介绍.如果有可发邮件和我取得联系:a12984025@163.com

凝胶四氢呋喃相，标样的分子量是580以上，但是需要测个300的分子量，是否可以采取标线外延法，柱子的最小分子量是500，如果可以的话，请问如何实现？

请问各位，你们的MBE系统中的高纯材料都是从哪个厂家购买？比如Ga,As,In等等。最好能告诉我，哪家的质量比较好价格比较有优势。不胜感激！！也可通过下面的邮箱，发信给我，很愿意与各位交流并成为朋友。lhm115011@gmail.com

在衍射图片上，如果有外延关系的薄膜，是不是会有斑点重合阿？如何判断重合斑点呢？

[color=#000000]陕西知芯外延半导体有限公司（简称：知芯外延）于2022年在秦创原平台支持下成立，基于西安电子科技大学微电子学院的研发团队，企业研究的硅基四族外延晶圆打破了国外的设备、技术封锁，解决了我国的“卡脖子”技术，带动了我国高端光电探测器、硅光集成产业、超高速通讯器件等各个方向产品的升级。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c45ee993-8944-4fb1-a1b4-793fe9fb49f5.jpg[/img][/align][color=#000000]知芯外延主要研究具有硅基四族外延晶圆，在不同掺杂、厚度、纳米结构等参数下的成熟生长工艺，同时团队还研发出了基于硅锗外延晶圆的红外探测器芯片。目前企业生产的外延晶圆以硅基四族材料为主，包括硅基锗、硅基硅锗，硅基锗锡等，可应用于红外探测器、激光雷达、光通讯、三四族材料硅基衬底等各个领域。[/color][align=center][img]https://img1.17img.cn/17img/images/202402/uepic/c5db2606-b780-4d94-bda7-1f42d7adfd8e.jpg[/img][/align][color=#000000]基于硅锗外延片的硅锗短波红外探测器，作为一种全新的短波探测器技术路径，其高集成度、低成本的优势，将能够成为代替传统材料实现短波红外大规模、各领域应用。在世界各国争相发展短波红外探测技术的当下，陕西知芯外延半导体为我国的技术突破持续发力。公司已入选陕西省光电子产业重点项目，并与多所研究院、军工单位达成合作。项目促进光电子产业创新链发展的同时，也为产业链的发展提供了核心技术支撑，助力西安走上“追光”路。[/color][来源：MEMS][align=right][/align]

GaAs衬底的红光LED外延片的sims测试条件是什么？我指的是raster，resolution，aperture这三个。用的测试仪器是PHI ADEPT-1010，日本的仪器。急求回复.....

首先感谢大家的支持,我在"其他仪器"中开设了新版"分子束外延",欢迎对其感兴趣或使用此设备的老师,同学们到里面讨论,共同学习,共同进步.

[求助]本人近日要用JEOL2010做关于外延材料位错的东西，请教。材料是蓝宝石上外延的GaN薄膜，位错的伯格斯 矢量希望通过汇聚束得到，有以下需要帮助的，或有疑问的，请大哥大姐们不吝赐教：经典的Cherns和Preston的关于会聚束测伯格斯矢量文章无处可得？！如果谁有，请发附件，或是发我邮箱lonelyguy1998@sina.com 。JEOL2010是否适合做会聚束，我们的2010没有特别的附件，平时主要做HR-TEM?是否只是无法做"ＬＡ"CBED?还有，聚得很小的电子束 会不会 损坏GaN样品？

[em61] 1、美国 EPI 公司 的EPI GEN 3 型号的分子束外延设备。2、美国 Harrick Scientific 公司的PDC-002A 型号的 光化学干式腐蚀设备。或者相关设备均可。 TEL:13759906916 或 站内联系

有没有用尼高力傅里叶红外测碳化硅外延片厚度的？求讨论。这个需要用标准样品校准吗？如何做的呢？

1月9日，证监会披露了关于深圳市纳设智能装备股份有限公司(以下简称”纳设智能”)首次公开发行股票并上市辅导备案报告。12月27日，纳设智能与中信证券签署了上市辅导协议。据披露，纳设智能控股股东为深圳市鑫隆昌投资有限公司，现直接持有公司34.5161%股份。资料显示，深圳市纳设智能装备股份有限公司成立于2018年10月，坐落于深圳市光明区留学人员创业园。公司以“成为全球先进材料制造设备引领者”为愿景，以提升中国先进材料制造能力为使命，致力于第三代半导体碳化硅外延设备、石墨烯等先进材料制造装备的研发、生产、销售和应用推广。创始团队由国际化合物半导体设备龙头企业唯一的华人高级科学家、多名剑桥大学博士和资深行业专家组成，团队在CVD（化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积）、MOCVD（金属有机化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积）、ETCH（刻蚀）等先进半导体制造设备领域具有平均超过15年的研发、生产、销售的经验，是少有的既懂设备开发技术，又懂半导体材料生长工艺的研发型团队。公司于2020年被评定为具有高成长性的“国家高新技术企业”，公司自有第三代半导体碳化硅高温化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]沉积外延设备（用于第三代半导体碳化硅芯片生产的核心环节-外延生长）研发荣登“科创中国”先导技术榜单，也荣获深圳市集成电路产业协会的“最佳化合物半导体设备技术开发奖”，是一款工艺指标优异、耗材成本低、维护频率低的的中国首台完全自主创新的碳化硅外延设备。公司坚持以“效率、效果、效益、自省、自律、自强”为企业核心价值观，聚焦行业与客户需求，质量至上，通过“创新、创意、创造”满足客户对先进材料的生产需求。[来源：集微网]