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微电子车间净化

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微电子车间净化相关的资讯

  • 华润微电子规划12英寸晶圆生产线项目
    p style="text-indent: 2em "近日,华润微电子有限公司(以下简称“华润微电子”)在投资者互动平台上表示,公司目前正在规划12英寸晶圆生产线项目。/pp style="text-indent: 2em "资料显示,华润微电子是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的高科技企业,曾先后整合华科电子、中国华晶、上华科技等中国半导体先驱,是国内少数覆盖完整产业链业务的半导体企业,拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力,产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。自2004年起,华润微电子连续被工信部评为中国电子信息百强企业。/pp style="text-indent: 2em "今年2月27日,华润微电子正式登陆科创板,成为科创板首家引入“绿鞋机制”的企业,国家大基金参与其本次发行的战略配售,成为华润微电子第二大股东,备受看好。/pp style="text-indent: 2em "在半导体晶圆制造生产线方面,目前,华润微电子在无锡拥有3条6英寸生产线和1条8英寸生产线,其中,8英寸晶圆生产线年产能约为73万片,6英寸晶圆生产线年产能约为247万片。主要为客户提供1.0-0.11μm的工艺制程的特色晶圆制造技术服务,包括硅基和SOI基BCD、混合信号、高压CMOS、射频CMOS、Bipolar、BiCMOS、嵌入式非易失性内存、IGBT、MEMS、硅基GaN、SiC等标准工艺及一系列客制化工艺平台。/pp style="text-indent: 2em "在重庆拥有1条8英寸半导体晶圆制造生产线,年产能约为60万片,目前主要服务于公司自有产品的制造,该产线拥有沟槽型和平面型MOS、沟槽型和平面型SBD、屏蔽栅MOS、超结MOS、IGBT、GaN功率器件等生产制造技术,产品以功率半导体与模拟IC为产业基础,面向消费电子、工业控制、汽车电子等终端市场。/pp style="text-indent: 2em "根据此前的上会稿显示,华润微电子此次科创板上市募集资金将主要用于8英寸高端传感器和功率半导体建设项目、前瞻性技术和产品升级研发项目、产业并购及整合项目、以及补充营运资金。/pp style="text-indent: 2em "除了6英寸和8英寸制造生产线外,近年来,华润微电子也在开始着手投资建设12英寸晶圆厂。/pp style="text-indent: 2em "2018年11月,华润微电子与重庆西永微电园公司签署协议,华润微电子将在重庆西永微电园投资约100亿元建设12英寸功率半导体晶圆生产线,主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。据了解,华润微电子12英寸功率半导体晶圆生产线已经被列入重庆市2020年重大项目名单中。/pp style="text-indent: 2em "此外,华润微电子还在无锡和深圳拥有半导体封装测试生产线,年封装能力约为62亿颗。公司封装测试生产线具有完备的半导体封装生产工艺及模拟、数字、混合信号等多类半导体测试生产工艺。同时,公司在无锡拥有一条掩模生产线,年产能约为2.4万块。/p
  • 华润华晶微电子采购徕卡显微镜等仪器
    无锡华润华晶微电子从上海江文信息技术有限公司采购了德国LEICA DM4000M显微镜,该显微镜安装了徕卡专利的高精度膜厚测量系统,使测量准确度大大提高.  传统的半导体膜厚测量一般用椭偏仪来进行,操作复杂.常规的光谱测量仪光斑在几十个微米,无法满足半导体生产的微区测量要求,准确性不足.LEICA的膜厚测量系统测量速度快,且测量光斑可以达到亚微米,使测量准确性大大提高.  DM4000M显微镜是继INM100后LEICA推出的新一代的产品,而同代的全自动型号DM6000M更是继INM200以后的LEICA最高端显微镜,DM6000M和DM4000M为集成电路,微电子,微加工MEMS等行业的研究,生产检验提供了前所未有的高分辨率,高清晰度,高精度的检测手段.
  • 微电子所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展
    近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。 功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”(NCFET)可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限,有望在极低电源电压下工作,从而降低功耗并保持高性能。同时,原子层厚度的二硫化钼(MoS2)免疫于短沟道效应,具有较高的迁移率、极低的关态电流和CMOS兼容的制造工艺等优势,是面向先进晶体管的可选沟道材料之一。近期的一些实验显示,MoS2 NCFET能实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅。但这些研究仅实现了较长沟道(500 纳米)的器件,没有完全发掘和利用负电容效应在短沟道晶体管中的优势。 针对该问题,刘明院士团队通过对器件参数以及制造工艺的设计与优化,首次把MoS2 NCFET的沟道长度微缩至83 纳米,并实现了超低的亚阈值摆幅(SSmin=17.23 mV/dec 和 SSave=39 mV/dec)、较低回滞和较高的开态电流密度。相比基准器件,平均亚阈值摆幅从220 mV/dec提高至39 mV/dec,沟道电流在VGS=0 V和1.5 V下分别提高了346倍和26倍。这项工作推动了MoS2 NCFET尺寸持续微缩,对此类器件面向低功耗应用有一定意义。 基于上述研究成果的论文“Scaling MoS2 NCFET to 83 nm with Record-low Ratio of SSave/SSRef.=0.177 and Minimum 20 mV Hysteresis”入选2020 IEDM。微电子所杨冠华博士为第一作者。图(a) MoS2 NCFET转移曲线。(b)亚阈值摆幅~沟道电流关系。MoS2 NCFET与MoS2 FET对比数据:(c)转移曲线和(d)输出曲线
  • 徕卡微电子类样品电镜制样方法
    电子类样品检测手段多种多样,其中扫描电子显微镜检测不仅观察样品表观形貌,通过制样设备可实现对内部指定点或区域的观察分析,就目前来说电镜观察手段及观察方法渐趋成熟,但制样手段及手法仍有许多值得探究,在这里简单介绍下简单易操作的制样方法。下图是经常遇到的几个电子类材料的类型,线路板PCB,LED,OLED等,从材料角度来说,基本为复合材料(金属/玻璃/硅/聚合物,填料);大多为软硬结合材料;大多为分层结构;多为局部器件的平整面获取和分析。图1.电子材料部分类型举例一般根据样品形状大小,分析观察需要,可采用三种方式制备样品:样品较薄或待分析结构位于表面10微米左右,可用胶加以保护并采用徕卡精研一体机EM TXP配合其光学显微镜观察,切到目标位置附近,再做简单磨抛处理后,采用徕卡三离子束EM TIC 3X进行离子束的切磨处理;若样品较厚,且观察区域较大,可采用传统方法磨抛,并使高度和直径符合徕卡三离子束EM TIC 3X的旋转抛光要求即可,徕卡三离子束TIC 3X旋转抛光具有旋转和移动功能,可最大程度保证加工面积;若样品微小,则可将其用小型包埋板包埋,再用精研一体机EM TXP切割到目标位置附近后,再做离子束的切磨处理,在此不用担心楔形样品,厚度方向和高度方向的倾斜,采用多功能的样品台来调节即可。图2.微电子类材料处理的简单方法图3.徕卡三离子束EM TIC 3X多功能样品台图示对于样品较薄或待分析结构位于表面10微米左右,其处理方法及所需工具如下,胶水,胶带(或其他平整柔软垫子)载玻片,加热台过程如下:胶带贴于载玻片(若有耐高温软垫子,则不需要此步骤),将胶水混合滴在胶带上,样品有结构的一面扣在胶水上,轻轻按压,加热台加热后,抬起胶带,则胶水与样品固化在一起,此方法的优点在于不会过多使用胶,样品导电性不会因为过多的胶引起荷电效应过重或后续处理过于复杂。图4.较薄样品处理所用耗材及工具简图 对于较柔软样品,如柔性屏,由于其材质的不同,则处理起来与上述不同,其需要准备的耗材如下:剪刀或刀片(视材料的薄厚而定)取小块样品,用铝箔纸将其包覆起来,胶水封口,干燥后刀片切出断面,粘在小片硅片上或小样品托上,接着离子束加工即可。图5.柔性电子材料制样工具及耗材 由于电子类材料多为复合材料,且多为胶类物质填充其中,因此电镜观察除了要复合用背散射电子成像信息更丰富以外,导电性是一个干扰正常观察项,同时,微电子材料的诸如分层结构等多为纳米或亚微米级,因此对镀膜处理要求高,若镀膜颗粒大则分层不清楚甚至不分,较宽范围的金属层结构的晶向结构无法分析,徕卡高真空镀膜仪EM ACE600镀膜颗粒细腻,膜厚可控,非常适合离子束加工后的微电子类材料平整断面处理。图6.徕卡高真空镀膜仪 EM ACE600
  • 微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
    InP基太赫兹晶体管的a直流与b高频特性  太赫兹波(T-ray,0.1–10 THz)在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景,高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日,中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)刘洪刚研究员带领的研究团队在太赫兹核心器件研究方面取得进展。  将集成电路的工作频率提升到太赫兹频段是国际上太赫兹技术领域研发的热点,而研制太赫兹晶体管则是关键所在。传统的硅基微电子技术通常采用“缩小尺寸”来提高晶体管的特征频率,当晶体管制造技术发展到纳米尺度后,器件性能的提高将受到一系列基本物理问题和工艺技术问题的限制,硅基晶体管的频率性能难以进一步提高。微电子所太赫兹核心器件研究团队采用高迁移率InP基材料体系设计了一种新型异质结双极晶体管,通过巧妙利用“II型”能带结构使电子以弹道输运的方式渡越晶体管,大幅度地提高了晶体管的工作频率,为突破太赫兹晶体管技术探索了一条新途径。  最新结果表明,InP基太赫兹晶体管的截止频率(FT)高于0.6 THz,最大振荡频率(FMAX)突破1 THz,其Johnson Limit(FT ′ BVCEO)比硅基晶体管提高了5倍以上。  该项研究成果将推动集成电路技术在太赫兹信号的发射、接收与运算处理方面的应用,并受到国际同行的高度评价。相关论文已经发表于国际期刊IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 58, No. 2, pp. 576 (2011)。
  • 陆军院士任院长,南京理工微电子学院(集成电路学院)揭牌成立
    创新引领强国志,协力共铸中国“芯”。 9月17日上午,由中国电子科技集团、南京市人民政府和南京理工大学三方共建的微电子学院(集成电路学院)揭牌成立仪式在学校科技会堂举行。中国电子科技集团总监徐少俊,中国工程院院士、中国电子科技集团首席科学家、微电子学院(集成电路学院)院长陆军,中电国基北方集团有限公司、中电国基南方集团有限公司、南京电子工程研究所、中科芯集成电路有限公司相关负责人;秦淮区人民政府副区长金超,党组成员、二级巡视员张仲金,秦淮区相关单位负责人;学校党委书记张骏,校长付梦印院士,全体在宁校领导、校长助理;南京电子设备研究所所长唐莽,南京邮电大学副校长郭宇锋,浙江大学教授、新加坡工程院院士李尔平,浙江大学海洋信息学系主任徐志伟,南京大学微电子学院院长施毅,东南大学教授孙伟锋,南京航空航天大学电子信息工程学院常务副院长潘时龙,杭州电子科技大学电子信息学院副院长罗国清等特邀嘉宾;以及学校各机关部门、电光学院、微电子学院(集成电路学院)主要负责人、师生代表等80余人参加仪式,共同见证了南理工聚焦集成电路行业人才培养的崭新开端。仪式由副校长何勇主持。陆军致欢迎辞,向关心和支持微电子学院(集成电路学院)建设的各位领导与来宾表示衷心的感谢。他指出集成电路是信息技术产业的核心,对支撑国家发展和保障国家安全具有至关重要的战略性和先导性作用。南理工瞄准集成电路人才培养,整合优势资源,正式成立微电子学院(集成电路学院),是主动对接国家重大战略需求、顺应科技发展前沿的有力举措。学院由三方联合共建,办学起点高,体制机制活,综合实力强。陆军表示,他将带领全院师生坚守立德树人初心,牢记科技强国使命,着眼集成电路产业技术发展,立足工程应用实际,努力将学院建设成为一流的微电子学院,为推动学校“双一流”建设,助力我国集成电路事业自主创新贡献更多智慧和力量。付梦印宣读了学校设立微电子学院(集成电路学院)党委,成立微电子学院(集成电路学院)的决定。徐少俊代表共建方中国电子科技集团讲话。他表示中国电子科技集团将全力落实三方签订的合作共建协议,持续在创新平台建设、人才联合培养、重大技术攻关和科技成果转化等方面有效对接、深度合作,期盼学院能取得越来越多令人欣喜的办学成果,早日建成为国家示范性微电子学院。张骏代表南京理工大学讲话,向关心支持学院成立的社会各界表示衷心的感谢。他指出集成电路学科正日益显示出重要的战略地位,当前培养高素质人才已成为促进我国集成电路产业发展的迫切需求。他强调南理工作为一所有着光荣办学传统与深厚办学实力的高校,成立微电子学院(集成电路学院),应聚焦打造集成电路领域前沿技术体系和原创技术策源地,为提升我国电子科技核心竞争力提供强有力的支撑。他希望学院要紧扣“政产学研”协同,充分发挥中国电科、南京市的资源平台优势,建立深度合作、相互支撑的良好办学生态,力争尽快培养出一批杰出人才,成为支撑相关领域发展的重要力量。张骏、付梦印、陆军、徐少俊、金超等共同为微电子学院揭牌。欣闻我校微电子学院成立,北京航空航天大学、北京理工大学、西北工业大学、南京大学、天津大学、南京航空航天大学、西安电子科技大学、南京邮电大学、杭州电子科技大学等兄弟院校的微电子学院(集成电路学院)发来贺信。成立微电子学院(集成电路学院)是我校主动支撑国家重大战略发展、布局新兴领域学科建设的重要举措。学院将面向国家科教兴国、人才强国、创新驱动、“长三角一体化”发展等重大战略需求,持续聚焦培养集成电路与微电子领域科技英才,为加速解决我国集成电路“卡脖子”关键核心技术难题,有力支撑“中国芯”的研制提供更多科技与人才保障。
  • 北京燕东微电子拟科创板IPO,投建12吋集成电路生产线
    9月6日,中信建投证券股份有限公司公布了《关于北京燕东微电子股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市辅导基本情况表》。信息显示,中信建投证券股份有限公司和北京燕东微电子股份有限公司于2021年8月13日签署了《北京燕东微电子股份有限公司与中信建投证券股份有限公司关于北京燕东微电子股份有限公司首次公开发行股票并上市之辅导协议》。实际上在此前,京东方科技集团股份有限公司布公告称,公司拟通过下属全资子公司天津京东方创新投资有限公司出资10亿元人民币向北京燕东微电子股份有限公司进行增资,布局集成电路关键领域,推动集成电路及半导体行业国产化进程,共建行业生态圈。公告显示,燕东微拟投资建设特色工艺12吋集成电路生产线项目,计划股权融资45亿元,京东方拟通过下属子公司天津京东方创投出资10亿元参与融资。京东方表示,本次增资用于投资建设特色工艺12吋集成电路生产线项目。据了解,燕东微是一家半导体器件的设计、制造、销售的高科技企业,在集成电路设计制造、塑封器件制造、物业经营等方面开展了多方位的产业化经营。产品包含功率半导体、传感器、ASIC(专用集成电路)和高可靠器件四大产品门类数百个品种,广泛应用于移动通讯、家用电器、声音传输、电源管理、航空航天等领域。目前,燕东微拥有一条6吋芯片生产线,一条基于国产核心装备的8吋芯片生产线。其中,8吋线已完成Trench-MOSFET、LD/PL-MOSFET、Trench-TVS、N-JFET、TMBS、IGBT工艺平台建设并量产。随着燕东微新产线的建设,将带来大量相关仪器设备采购需求。
  • 天美和微电子所共建Park Systems原子力显微镜示范试验室
    天美公司和中科院微电子所合作共建Park Systems原子力显微镜示范试验室 Park Systems是一家起源于美国硅谷世界知名技术领先的原子力显微镜制造商。中科院微电子所是中国微电子领域的领袖之一。2012年6月18日,这两位微电子领域的巨人正式开始合作,一起进军新一代的半导体材料“石墨烯”。天美(中国)科学仪器有限公司作为Park Systems在中国的独家代理,以其雄厚的维修和应用支持力量,会为微电子所提供最优良的技术和售后服务。 本次合作的另一大重要意义是将最为成熟的针尖增强拉曼光谱系统应用于最前沿的石墨烯研究。针尖增强拉曼光谱系统是目前研究的应用热点,英文称之为Tip Enhanced Raman Spectroscopy, 简称TERS。该技术利用表面等离子体共振现象,把原子力显微镜和拉曼光谱仪结合起来,将拉曼光谱仪的分辨率提高到了纳米尺度。Park Systems公司和Horiba Jobin Yvon公司的合作开发的TERS系统是目前全世界最为成熟稳定的。 为了纪念这一重大进展,天美公司副总裁赵薇女士、Park Systems的全球销售总监Jessica和微电子所的金智主任共同为示范试验室的建立进行了揭幕,仪式后合影留念。三方一起为今后开展更为深入的技术合作进行了探讨,并取得了非常愉快的共识。 石墨烯材料具有优良的物理特性和易于与硅技术相结合的特点,被学术界和工业界认为是推进微电子技术进一步发展的极具潜力的材料,其开发者获得了2010年的诺贝尔物理学奖。Park Systems生产的XE系列原子力显微镜已被成功应用于石墨烯机械和电子性能的测试,相关测量结果被发表在 Science、Nature materials和Nano Letter上。目前,中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)石墨烯研究小组在金智研究员和刘新宇研究员的带领下,正致力于研制高性能的石墨烯电子器件。随着Park Systems原子力显微镜的安装和投入使用,必将会有更多更有价值的测量结果被发掘出来。 左起: 天美公司副总裁赵薇女士,Park Systems全球销售总监Jessica, 中科院微电子所金智主任
  • 微电子所在在有机分子晶体器件的载流子输运研究中获进展
    近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在有机分子晶体器件的载流子输运研究中取得重要进展。相比于传统基于无序半导体材料的场效应晶体管中掺杂引起的缺陷钝化(trap-healing)现象,由有序单晶电荷转移界面制备的场效应晶体管整体电导、迁移率高,并具有跨导不依赖于栅压的电学特性,这表明迁移率的提高取决于trap-healing效应,且存在其他影响电学性能的机制。中科院院士、微电子所研究员刘明团队制备了基于p型和n型有机分子构成的单晶电荷转移界面的晶体管器件,探究了电荷转移界面以及栅氧界面电场的相互作用对晶体管工作时载流子及电导分布特性的影响。相较于界面,单晶体内的缺陷态减少3个数量级以上,这意味着更小的散射概率和更高的器件迁移率。研究通过开尔文探针显微镜对表面电势的栅压依赖性表征和二维数值仿真证实,电荷转移界面的内建电场与栅氧界面电场发生有效耦合,提高了载流子体传输比例,减少了界面无序因素对载流子传输的限制作用,大幅提升了器件的跨导。相关研究成果以Surface Doping Induced Mobility Modulation Effect for Transport Enhancement in Organic Single Crystal Transistors为题,发表在Advanced Material上。研究工作得到国家重点研发计划、微电子所微电子器件与集成技术重点实验室开放课题、国家自然科学基金、中科院战略性先导科技项目的支持。图1.电荷转移晶体管的迁移率调制效应的原理图图2.利用扫描开尔文探针显微镜对电荷转移界面的表面电势的表征分析
  • 中科院微电子所采购激光共聚焦扫描显微镜与近场光学显微镜
    中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目(第四批)招标公告  日 期: 2011年3月15日  招标编号: OITC-G11032057  1、东方国际招标有限责任公司受 中国科学院微电子研究所 (招标人)的委托,就中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目(第四批)(以下简称项目)所需的货物和服务,以公开招标的方式进行采购。现邀请合格的投标人就下列货物及有关服务提交密封投标。包号货物名称数量(台/套)是否接受进口产品1近场光学显微镜1是2激光共聚焦扫描显微镜1是  投标人须以包为单位对包中全部内容进行投标,不得拆分,评标、授标以包为单位。  2、投标人资格条件:  1) 符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条要求   2) 按本投标邀请的规定获取招标文件   3、有兴趣的投标人可从 2011 年 3 月 15 日至 2011 年 4 月 6 日每天上午9:00至下午17:00(北京时间)在东方国际招标有限责任公司1507室查阅或购买招标文件,本招标文件售价为500元/包,如需邮寄另加100元的邮资费用,邮寄过程中产生的任何问题由购买标书人自行负责,售后不退。  4、所有投标文件应于 2011 年 4 月 6 日上午9:30时(北京时间)之前递交至北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所办公楼A座西大厅101会议室,并须附有不低于投标金额1%的投标保证金,以招标机构为承受人。  5、兹定于 2011 年 4 月 6 日上午9:30在北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所办公楼A座西大厅101会议室进行公开开标。届时请投标人派代表出席开标仪式。  招标机构名称:东方国际招标有限责任公司  地  址:北京市海淀区阜成路67号 银都大厦15层 邮  编:100142  电  话:010-68725599-8447 传  真:010-68458922  电子信箱:zcdou@osic.com.cn  联 系 人:窦志超、张明磊  开户名(全称):东方国际招标有限责任公司  开户银行:招行西三环支行 帐号:862081657710001
  • 中科院微电子所8批共3600万元仪器采购大单一览
    2010年年末开始,中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目启动,至今已采购仪器8批,采购金额约560万美元,折合人民币约为3600余万。以下是采购清单详情:包号仪器名称台数价格中标公司招标编号:OITC-G11032168 招标日期:2011.7.11电子束曝光机1 招标中招标编号:OITC-G11032126 招标日期:2011.5.241全定制版图设计系统及混合信号IC设计平台110万美元北京微通益友电子科技有限公司2光谱椭偏仪114.39万美元HORIBA JOBIN YVON SAS招标编号:OITC-G11032111 招标日期:2011.5.51膜厚仪19.5万美元HORIBA JOBIN YVON S.A.S2光刻胶涂覆机115.1万美元Pico Track3噪声分析仪128.369万美元天地华宇(香港)国际贸易有限公司4信号发生器1 频谱分析仪1招标编号:OITC-G11032080 招标日期:2011.4.121尾气处理系统430.7万美元埃地沃兹贸易(上海)有限公司2特种气体柜113.65万美元上海正帆半导体设备有限公司3激光钻孔机142万美元美国ESI公司4二次元影像量测仪113.57万美元北京新卓仪器有限公司 误码仪128万美元百盛通公司 微探针台111.3425万美元美国奥泰公司招标编号:OITC-G11032058 招标日期:2011.3.231金属栅溅射台1116.6万美元INFOVION 株式会社2真空干泵3034.5万美元埃地沃兹贸易(上海)有限公司3介质化学气相淀积系统改造1 未知44寸化学机械抛光机110.6万美元南京冉锐科技有限公司招标编号:OITC-G11032057 招标日期:2011.3.151近场光学显微镜123.83万美元上海纳腾仪器有限公司2激光共聚焦扫描显微镜113.5万美元锐科系统集成有限公司招标编号:OITC-G11032015 招标日期:2011.1.71半导体存储性能测试探针台系统124.719万美元Alltek Company USA, Inc2表面粗糙度仪19.65万美元上海海江纳米科技有限公司招标编号: OITC-G11032006 招标日期:2010.12.261超高真空化学气相沉积1——废标2宽光谱椭偏仪1——废标3系统级及纳米级IC设计软件平台1100万美金奥肯思(北京)科技有限公司4国产EDA工具4100万人民币北京华大九天软件有限公司
  • 光电子与微电子器件及集成重点专项2020年项目交流会在京召开
    近日,科技部高技术研究发展中心在北京召开“光电子与微电子器件及集成”重点专项2020年度项目交流会。科技部高技术中心副主任袁建湘、重点专项总体专家组组长祝宁华、副组长徐炜遐等专项办和专家组成员,以及各项目负责人、骨干成员等参加了会议。会上,袁建湘副主任强调各项目单位和项目团队要牢记责任和使命,提高站位,高质量高目标完成项目,努力解决国家及相关领域亟需突破的问题。高技术中心信息处负责同志做了《贯彻落实科技管理改革精神提高项目实施综合绩效》工作报告,提出要贯彻落实科技管理改革精神,加强科研诚信建设和学风建设,深化“放管服”改革,强化项目的自我管理,确保项目顺利实施和目标任务完成。祝宁华组长介绍了专项的发展目标和发展思路,总结项目的总体部署情况,对项目负责人提出要不忘初心、牢记使命,把实现总体目标放在首位。会上,项目负责人针对项目目标及预期成果、项目进展情况、已取得的亮点成果以及下一步工作安排进行汇报,与专家组进行交流和研讨。本次会议总结了2020年专项各项目进展情况和存在问题,梳理了“十三五”期间专项的科技创新成果,促进了项目研发单位间的交流和产业链上下游项目间的合作,对做好后续专项管理工作奠定了基础。
  • 华微电子:公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术
    8月5日,华微电子在网上回复投资者提问。第三代半导体方面,公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术,重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。华微电子作为功率半导体龙头,近年来也把目光转向了第三代半导体领域。作为首家国内功率半导体器件领域上市公司,华微电子坚持生产一代、储备一代、研发一代的技术开发战略,早已积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件的研发、制造。目前SiC产品已经可以提供二极管产品、GaN器件可以提供快充使用的FET。华微电子表示,下一步,将进一步发挥公司的IDM模式的优势,集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术,完善相关生产线开发和制造能力,为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的三代半导体电力电子器件。此前,华微电子发布了第一季度财报,营收为4.65亿元,比上年同期增加了18.67%。归属于上市公司股东得净利润为1099.7万元,比上年同期增加了27.97%。
  • 走进电子行业,FLIR红外热像仪助力揭示微电子设备的热特性
    在过去几十年中,微型化是微电子行业的重点发展方向。更小型的设备运行速度更快且具有更紧凑的系统。纳米技术和薄膜处理领域的进步已延伸到各种技术领域,包括光伏电池、温差电材料和微机电系统(MEMS)。这些材料和设备的热属性对于这类工程系统的持续发展至关重要。但是,这些系统存在与热传导有关的各种问题。为了更有效地解决这些问题,全面了解微型材料的热传导性质至关重要。今天小菲就给大家解说下,在阿林顿的得克萨斯大学,以微型热物理学实验室主任Ankur Jain博士为首的团队研究与微尺度热传导有关的各种话题。该实验室采用各种现代设备和仪器,其中就包括FLIR红外热像仪。三维集成电路中的散热Ankur Jain博士负责微型热物理实验室,在实验室里他和他的学生进行关于微尺度热传导、能量转换系统、半导体热管理、生物传热等相关话题的研究。三维集成电路(IC)中的热耗散是一大技术挑战,尽管在过去的十几年或二十年中进行了大量的研究,但这一技术的广泛应用仍然受到阻碍。因此,微型热物理学实验室的研究人员开展实验以测量三维集成电路的关键热特性,开发分析模型以了解三维集成电路中的热传导。测量温度场薄膜材料自诞生以来就一直是微电子技术的一个重要特征,为芯片提供多种功能。为了准确地了解薄膜的热性能,我们需要将热性能与沉积过程中不断变化的微观结构和形貌联系起来。这样,就可以研究诸如导电性、体积模量、厚度和界面热阻等属性。Ankur Jain博士称:“我们对微型器件上温度场随时间的变化尤其感兴趣,通过测量基质的热属性,我们尽力了解微尺度热传导的基本性质。”在电子元件中,热通常是主设备运行的不良副作用。因此,充分了解薄膜的瞬态热现象十分重要。Ankur Jain表示:“通过测量基质的热属性,我们尽力了解微尺度热传导的基本性质。”“通过了解热如何在微系统中流动,我们能够有效地将过热问题最小化。这有助于我们设计出微系统,并在材料选择方面作出更明智的决策。例如,我们已进行一项研究,旨在比较各种类型薄膜的热传导属性。”红外热像仪的应用为了测量微电子设备的温度,Ankur Jain博士的团队使用过各种技术,包括热电偶。这项技术存在的主要问题是热电偶仅能测量单点温度值。为了获得温度场的更全面直观的图像,Jain博士决定使用FLIR红外热像仪。FLIR A6703sc红外热像仪专为电子元件检测、医疗热成像、生产监控、非破坏性测试等应用而设计,完美适用于高速热事件和快速移动目标。短曝光时间使用户能够定格运动,获得精确的温度测量值。热像仪的图像输出可以通过调节窗口,将帧频提高至480帧/秒,并精确描述高速热事件的特征,从而确保在测试过程中不会遗漏关键数据。Ankur Jain表示:“我们感兴趣的设备中的热现象转瞬即逝,我们需要整个温度场的信息,而不是单点测量值,FLIR A6703sc在实验期间大有助益,为我们呈现受测设备非常精细的细节。”FLIR ResearchIR助力科研研发此外,Ankur Jain博士的团队一直将FLIR ResearchIR分析软件用于科研研发应用领域。ResearchIR是一款强大且简单易用的热分析软件,可实现热像仪系统的命令和控制、高速数据记录、实时或回放分析以及报告等。Ankur Jain道:“经证实,FLIR的ResearchIR软件非常实用,尤其是,它能够保存我们的热记录然后在数台电脑之间共享以供进一步分析”。“ResearchIR极大地增进了我们团队内以及我们团队与其他团队的协作,非常感谢菲力尔产品的支持!”
  • 中科院微电子所采购1000多万仪器
    招标编号:OITC-G12032066  采购人名称:中国科学院微电子研究所  采购代理机构全称:东方国际招标有限责任公司  采购项目名称:中国科学院微电子研究所2012年仪器设备采购项目(第一批)  定标日期:2012年4月20日  招标公告日期:2012年3月23日  公告信息如下:包号设备名称数量中标供应商中标价格1PECVD非晶硅淀积设备1爱立特微电子有限公司31万美元2XeF2气相腐蚀设备1镭社有限公司23万美元3非线性矢量网络分析仪1上海颐合贸易有限公司39.6万美元4高低温半自动探针台1香港伊欧陆贸易有限公司22.5万美元5反应离子刻蚀去胶机1Trymax Semiconductor Equipment BV24.5万欧元6SiC激光划片机1德龙贸易香港有限公司24万美元  评标委员会成员名单:朱衍勇、李振声、段玉生、郝艾芳、明安杰(第1、2包)、武锦(第3、4包)、郑英奎(第5包)、陈晓娟(第6包)  本项目联系人:窦志超  联系电话:010-68725599-8447  感谢各供应商对本项目的积极参与,未获中标的供应商请于即日起5个工作日内到我公司办理保证金退回事宜。  东方国际招标有限责任公司  2012年4月20日
  • 分析仪不离传感器 微电子智能化为主
    分析仪器是我国科技、经济和社会持续发展的基础,无论在工业过程控制、设施农业、生物医学、环境控制、食品安全乃至航空航天、国防工程等领域,均迫切需要各类新型传感器作为信息摄取源的小型化、专用化、简用化、家庭化的新一代分析仪器,实现更灵敏、更准确、更快速、更可靠地实时检测,以迅速改变我国分析仪器的落后状况。  传感器作为现代科技的前沿技术,传感器产业也是国内外公认的具有发展前途的高技术产业,它以其技术含量高、经济效益好、渗透能力强、市场前景广等特点为世人瞩目。  几十年来,以微电子技术为基础,促进了传感器技术的发展。多学科、多种高新技术的交叉融合,推动了新一代传感器的诞生与发展。例如:我国重点开发的MEMS、MOMES、智能传感器、生物化学传感器等以及今后将大力开发的网络化传感器、纳米传感器均是多学科、多种学科技术交叉融合的新一代传感器。  微型化是建立在微电子机械系统(MEMS)技术基础上的,目前已成功应用在硅器件上形成硅压力传感器(如上述EJX变送器)。微电子机械加工技术,包括体微机械加工技术、表面微机械加工技术、LIGA技术(X光深层光刻、微电铸和微复制技术)、激光微加工技术和微型封装技术等。  MEMS的发展,把传感器的微型化、智能化、多功能化和可靠性水平提高到了新的高度。传感器的检测仪表,在微电子技术基础上,内置微处理器,或把微传感器和微处理器及相关集成电路(运算放大器、A/D或D/A、存贮器、网络通讯接口电路)等封装在一起完成了数字化、智能化、网络化、系统化。(注:MEMS技术还完成了微电动机或执行器等产品,将另作文介绍)网络化方面,目前主要是指采用多种现场总线和以太网(互联网),这要按各行业的特点,选择其中的一种或多种,近年内最流行的有FF、Profibus、CAN、Lonworks、AS-Interbus、TCP/IP等。  除MEMS外,新型传感器的发展还有赖于新型敏感材料、敏感元件和纳米技术,如新一代光纤传感器、超导传感器、焦平面陈列红外探测器、生物传感器、纳米传感器、新型量子传感器、微型陀螺、网络化传感器、智能传感器、模糊传感器、多功能传感器等。  多传感器数据融合技术正在形成热点,不同于一般信号处理,也不同于单个或多个传感器的监测和测量,而是对基于多个传感器测量结果基础上的更高层次的综合决策过程。有鉴于传感器技术的微型化、智能化程度提高,在信息获取基础上,多种功能进一步集成以致于融合,这是必然的趋势,多传感器数据融合技术也促进了传感器技术的发展。  多传感器数据融合的定义概括:把分布在不同位置的多个同类或不同类传感器所提供的局部数据资源加以综合,采用计算机技术对其进行分析,消除多传感器信息之间可能存在的冗余和矛盾,加以互补,降低其不确实性,获得被测对象的一致性解释与描述,从而提高系统决策、规划、反应的快速性和正确性,使系统获得更充分的信息。其信息融合在不同信息层次上出现,包括数据层(像素层)融合、特征层融合、决策层(证据层)融合。由于它比单一传感器信息有如下优点,即容错性、互补性、实时性、经济性,所以逐步得到推广应用。应用领域除军事外,已适用于自动化技术、机器人、海洋监视、地震观测、建筑、空中交通管制、医学诊断、遥感技术等方面。  近年来,传感器正处于传统型向新型传感器转型的发展阶段。新型传感器的特点是微型化、数字化、智能化、多功能化、系统化、网络化,它不仅促进了传统产业的改造,而且可导致建立新型工业,是21世纪新的经济增长点。
  • 共进微电子和西电共建“传感器与汽车电子封测关键技术联合实验室”
    2024年1月19日,共进微电子和西安电子科技大学共建的"传感器与汽车电子封测关键技术联合实验室"正式揭牌,该实验室旨在促进封测领域的科研合作,推动封测技术的创新和产业的发展。同时,西安电子科技大学博士生导师、封装系首任主任田文超教授也将担任共进微电子首席科学家。封装测试在传感器和汽车电子芯片性能和可靠性方面扮演着至关重要的角色。联合实验室将在传感器与汽车电子芯片的相关结构设计、材料研究、应力、热、电磁仿真和可靠性验证等方面展开合作。此外,联合实验室还将成为为学生提供实习和培训机会的平台,促进人才培养和技术交流。共进微电子总经理张文燕表示:“共进微电子一直致力于封测技术的研发与创新,而西安电子科技大学在封装领域具有丰富的研究经验和优秀的学术背景。通过合作,我们期待能够取得更多突破性的研究成果,并将其应用于实际生产中。”西安电子科技大学田文超教授也表示:“西安电子科技大学的封装专业是2009年国家首批电子封装技术本科专业,同时也是全国唯一的电子封装类国家级特色专业。通过与共进微电子建立联合实验室,我们将充分发挥双方的优势,推动封装技术的创新,促进企业技术进步和生产力提升。”未来,共进微电子将充分利用联合实验室的优势,夯实并增强共进微电子在传感器与汽车电子芯片的封装能力,为客户提供高质量的封测一体化服务!| 关于共进微电子上海共进微电子技术有限公司,简称“共进微电子”,成立于2021年12月。共进微电子由上交所主板上市公司共进股份(603118)、探针智能感知基金(国家新兴产业创业投资引导基金参股)以及一流的技术和管理团队创立,专注于智能传感器领域的先进封装测试业务。专注于智能传感器及汽车电子芯片领域的先进封装测试业务。共进微电子拥有上海研发销售中心和苏州太仓生产基地。已建设1.8万平米先进的研发中心和生产基地,生产基地包含百级、千级和万级无尘室,建设传感器及汽车电子芯片的封装测试量产生产线。共进微电子拥有完整的封装产线,涵盖从晶圆研磨、切割到前段工艺的固晶、引线键合、点胶、贴盖、回流焊,以及后段工艺的注塑成型、打标、切单。提供多种产品封装类型,包括LGA、QFN、Fan-out、SIP和2.5D/3D等。测试能力包括晶圆测试、CSP测试和成品级测试能力。共进微电子封装测试产品包括惯性、压力、电磁、环境、声学、光学、射频和微流控等传感器和汽车电子芯片。公司以满足客户需求为宗旨,制定完整的封装测试方案、流程及品质管控,为客户提供一站式解决方案,打造集研发、工程、批量生产于一体的专业综合封装测试服务平台。共进微电子致力于建设全球知名的规模大、种类齐全、技术先进的传感器及汽车电子芯片封装测试产业基地和领军企业,填补国内相关领域在批量封装、校准和测试领域的空白,突破产业链瓶颈。
  • 中科院微电子所仪器采购中标公告
    中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目(第五批)第1包成交结果公告  招标编号:OITC-G11032058  采购人名称:中国科学院微电子研究所  采购代理机构全称:东方国际招标有限责任公司  采购项目名称:中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目(第五批)  定标日期:2011年7月1日  招标公告日期:2011年3月23日  公告信息如下:  第1包 金属栅溅射台 1套  成交供应商名称:INFOVION 株式会社  成交金额:116.6万美元  评标委员会成员名单:朱衍勇、段玉生、张德添、戴琳、殷华湘  本项目联系人:窦志超  联系电话:010-68725599-8447  感谢各供应商对本项目的积极参与,未获中标的供应商请于即日起5个工作日内到我公司办理保证金退回事宜。  东方国际招标有限责任公司  2011年7月1日  中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目(第六批)第1包成交结果公告  招标编号:OITC-G11032080  采购人名称:中国科学院微电子研究所  采购代理机构全称:东方国际招标有限责任公司  采购项目名称:中国科学院微电子研究所2011年仪器设备采购项目(第六批)  定标日期:2011年7月1日  招标公告日期:2011年4月12日  公告信息如下:  第1包 尾气处理系统 4套  成交供应商名称:埃地沃兹贸易(上海)有限公司  成交金额:30.7万美元  评标委员会成员名单:朱衍勇、李振声、郝艾芳、张连清、宋希明  本项目联系人:窦志超  联系电话:010-68725599-8447  感谢各供应商对本项目的积极参与,未获中标的供应商请于即日起5个工作日内到我公司办理保证金退回事宜。  东方国际招标有限责任公司  2011年7月1日
  • 郑州先进微电子(新ADT)发布最新产品 8230系列12英寸全自动双轴划片机
    p style="text-align: center "img style="max-width:100% max-height:100% " src="http://106.54.196.49:8070/api/2020-10-30/1604027113969.jpg"//pp style="text-align: justify text-indent: 2em "10月29日,先进微电子装备(郑州)有限公司最新产品发布会在合肥举行,在本次发布会上先进微电子向业内各界展示了由ADT中国研发团队携手以色列ADT研发团队及英国LP研发团队精心打造的12英寸全自动双轴划片机。同时借此机会,先进微电子也亮相了一系列面向行业需求和应用场景的晶圆及封装模组的切割划片解决方案,以满足各家用户在半导体芯片生产过程中对于精度、效率和灵活性的更高需求。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "在本次发布会上,首先由ADT全球副总裁JESSE PARKER先生介绍了公司在国际、国内市场的拓展情况,对此次的新产品作了简要介绍。最后由先进微电子装备(郑州)有限公司董事长赵彤宇致辞,他提到,近两年整个国内半导体行业都面临着前所未有的压力,不管是从用户需求还是市场挑战,每一个业内人士都需要进行自我改变和产品升级,以达到突破性的成果。而这也正是先进微电子及其子公司一直以来的执着追求,不断为市场和客户提供高效、可靠、易于操控的高端切割划片机解决方案。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "作为一家中国企业,先进微电子装备(郑州)有限公司在成立初期,便由河南省政府、郑州市政府、上市公司光力科技、中科院微电子所下属基金等多家政府平台、企业平台和中国科学院平台共同出资构建,力在打造一个成熟的、能够在半导体芯片封测高端装备领域起到龙头作用的、专注于半导体设备研发、生产和销售的高科技企业。2019年10月,公司全资收购了全球第三大半导体切割设备生产商——以色列先进切割技术有限公司(ADT,Advanced Dicing Technologies)。收购完成后,在多方技术融合的同时公司大力投入创新研发,在结合国际与国内市场情况及客户需求的基础上,经过不到1年的时间就研发出12英寸全自动双轴划片机,实现了晶圆及封装模组切割划片的整机、技术方案、售后服务的全面国产化布局。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "ADT 8230是一款高效率、高精度、高性能、低使用成本的双轴(对向)全自动划片机。最大切割工件尺寸可达12英寸。8230系列使用最新开发的图形用户界面(GUI),17英寸触摸显示屏具有更好的灵活性和视觉效果。所配备的空气主轴转速可达60,000rpm/1.8KW,更换刀片时可锁定主轴,操作更快速、便捷,实现了晶圆等产品搬送、拉直、切割的全自动化。同时可基于自动刀痕检查功能进行自我调整,优化切割品质。在机器运转过程中具有切割过程信息记录功能、耗材(Blade)使用记录分析功能,设备生产数据记录分析功能和操作员生产数据记录分析功能,能够进行设备生产效率分析和人员绩效分析,大大提高了用户的生产管理效率和管理的精准度。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "ADT 8230采用17寸触摸屏,切割过程中可以同时监控机器运行状态;下拉式多信息显示界面,对机器状态可一目了然;追随式键盘设计,更高效的数据编辑;局部放大镜功能大幅提升对准精度;同时可根据用户的使用习惯对用户界面进行定制;在该设备的结构特点和优势方面,采用了软硬件均模块化的设计,更大功率的空气主轴,UV照射解胶,强制排风,去离子风扇,工作台无限制旋转等,还可快速增加联机联网功能。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "ADT作为世界三大切割划片系统供应商之一,所生产的设备在切割划片精度、效率、切割品质等方面处于世界领先水平,其设备被广泛应用于LED封装、LED砷化镓晶圆、分立器件晶圆、无源器件、微电子传感器、晶圆级相机模组、图像传感器、摄像机镜头、红外滤光片、光纤、射频通信、医疗传感器、组装与封装、磁头、硅片等领域。其客户涵盖华为、TE、Epson、Diodes、长电科技等60多家全球知名企业。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "收购之后,先进微电子主营ADT品牌的切割划片机、周边设备以及刀片等产品。销售总部(上海精切半导体设备有限公司)设立在上海浦东,在全球进行销售和售后服务的网点遍布于美国(亚利桑那州和宾夕法尼亚州)、中国台湾地区、菲律宾、欧洲(英国)和以色列等地;在苏州纳米城设有约500m2的千级洁净室及全套对晶圆和电子产品进行切割划片试验、设备DEMO的应用开发和客户培训的基地;在国内除上海的技术服务团队外,其服务网点和工程师遍布于苏州、天津、成都、深圳等地,可为大陆客户提供及时的技术服务。在未来,公司将整合国际化技术资源以及创新研发能力,努力实现中国半导体高端切割划片系统的国产化替代,积极迎接半导体行业即将带来的机遇与挑战。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "先进微电子表示,目前多台新设备ADT 8230已在多家国内知名半导体集成电路封测企业进行生产性试用与评测,已获得了这些用户的好评。/p
  • 湖北首家微电子联合实验室光谷挂牌
    湖北省首家微电子联合实验室在武汉光谷正式挂牌。武汉光谷微电子股份有限公司与武汉大学在汉签署战略合作协议,共同建设微电子联合实验室,并组建“武汉大学——光谷微电子功率半导体技术中心”。“微电子半导体技术运用广泛,小到电灯开关、汽车,大到火箭卫星,发展潜力巨大。”光谷微电子公司董事长邝远平介绍,以该公司研发的高端微电子产品可控硅为例,运用到电灯开关中,可比传统开关节能30—40%。   邝远平说,目前中国所有的半导体行业的总产值,仅占全球的7%,还不及“日立”一家企业的产值。“微电子联合实验室的目标是,把武汉乃至湖北省的微电子行业提升到全国领先水平。
  • 微电子所在自旋神经形态器件方面取得新进展
    生物启发脉冲神经网络架构有望通过模拟人脑的高算力、高并行度、低功耗等特性,解决冯诺依曼架构存储墙和能效瓶颈等问题。然而,面向构建脉冲神经网络的神经形态硬件的研究尚处于探索阶段,基于传统CMOS的神经形态芯片通常需要数十个晶体管和若干电容;基于新型存储器等新原理神经元器件亦需集成额外电容或复位操作电路,且耐久性受限,难以满足高频神经元器件的信息整合处理需求。自旋电子器件具有高能效、高耐久性及更丰富的物理特性,成为神经形态硬件开发最具潜质的载体之一。   近日,中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队基于合成反铁磁异质结构,通过界面工程有效调控磁畴壁动力学特性,在无需电容和复位电路的情况下实现了具有积累-泄露-放电-自复位特性的神经元器件及阵列。该团队提出并验证了体系焦耳热依赖的Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida交换作用和内建磁场相互竞争驱动磁畴壁往复运动物理机制,有望实现高放电率(17 MHz)、低能耗(486 fJ/spike)神经元集成器件。该工作结合负微分电阻器件特性构建了“winner-takes-all”的神经元电路模块,提升了脉冲神经网络性能的同时可大幅降低网络功耗。该研究基于所开发的器件磁畴壁动力学物理模型模拟神经元行为特性,进一步构建了两层脉冲神经网络(兴奋性神经元+抑制性神经元layer)。这一体系架构对Modified National Institute of Standards and Technology(MNIST)手写数字集的基准识别率达到88.5%,为神经形态计算领域提供了硬件开发的新思路。   相关研究成果以Spintronic leaky-integrate-fire spiking neurons with self-reset and winner-takes-all for neuromorphic computing为题,在线发表在《自然-通讯》(Nature Communications)上,并被选为“编辑亮点推荐工作”。研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院战略性先导科技专项等的支持。 a、b:自旋电子神经元器件磁光显微镜磁-电输运测试与磁光克尔数据图像;c、神经元器件磁滞回线;d、磁光克尔与霍尔电压信号LIFT特性。
  • 光电子与微电子器件及集成重点专项2018年度指南编制启动
    p  近日,根据国家重点研发计划总体工作安排,科技部高新司在北京组织召开光电子与微电子器件及集成重点专项2018年度指南编制启动会。指南编制专家组以及指南编制工作组单位——发展改革委高技术司、教育部科技司、工业和信息化部科技司、国资委综合局、中科院科技促进发展局、自然科学基金会信息科学部、装备发展部信息系统局的相关代表参加会议。/pp  会议首先介绍了2018年度项目申报指南编制工作的具体要求和时间节点安排。指南编制专家组汇报了专项总体情况、实施方案和2018年拟启动项目的部署情况。随后,专家组成员就2018年指南编制工作的考虑进行交流讨论,并对具体任务的落实安排做好分工。指南编制工作组单位的代表对2018年指南编写工作提出了意见和建议。/pp  会议要求指南编制专家组按照工作要求和时间节点安排抓紧开展2018年指南编制工作。/ppbr//p
  • 北京理工大学重庆微电子中心135.00万元采购物理气相沉积,原子层沉积
    基本信息 关键内容: 物理气相沉积,原子层沉积 开标时间: 2022-04-28 14:30 采购金额: 135.00万元 采购单位: 北京理工大学重庆微电子中心 采购联系人: 安老师 采购联系方式: 立即查看 招标代理机构: 重庆赛迪工程咨询有限公司 代理联系人: 夏老师 代理联系方式: 立即查看 详细信息 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 重庆市-沙坪坝区 状态:公告 更新时间: 2022-04-08 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 发布日期:2022-04-08 项目概况 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 招标项目的潜在投标人应在采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》(http://www.ccgp.gov.cn/)下载获取招标文件,并于2022年04月28日 14点30分(北京时间)前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号:SDZB-22-122W 项目名称:北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 预算金额:135.0000000 万元(人民币) 最高限价(如有):135.0000000 万元(人民币) 采购需求: 采购内容 数量 最高限价 (万元) 投标保证金 (万元) 中标人 数量 采贩标的对应的中小企 业划分标准所属行业 化学气相沉积台 1 台 135 2 1 名 工业 备注:以上招标内容的具体需求,见第二篇相关内容。 合同履行期限:中标人应在采购合同生效后6个月内交货并完成安装调试 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求: 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定; 2.落实政府采购政策需满足的资格要求: 1.具有独立承担民事责任的能力; 2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度; 3.具有履行合同所必需的设备和专业技术能力; 4.有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录; 5.参加政府采购活动前三年内,在经营活动中没有重大违法记录; 6.法律、行政法规规定的其他条件。 3.本项目的特定资格要求:无 三、获取招标文件 时间:2022年04月08日 至 2022年04月15日,每天上午9:00至12:00,下午14:00至17:00。(北京时间,法定节假日除外) 地点:采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》(http://www.ccgp.gov.cn/)下载 方式:1、现场购买或2、网上下载 售价:¥500.0 元,本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间:2022年04月28日 14点30分(北京时间) 开标时间:2022年04月28日 14点30分(北京时间) 地点:重庆市渝中区双钢路1号8号楼1楼(重庆赛迪工程咨询有限公司会议中心) 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、现场购买招标文件 在招标文件发售期内,投标人到采购代理机构(重庆市渝中区双钢路1号6栋404室)递交《招标文件发售登记表》(加盖公章)并以转账方式缴纳资料费购买招标文件。 2、非现场购买招标文件 在招标文件发售期内,投标人将招标文件资料费以微信或支付宝转账方式汇至以下指定账户,转账成功后,需将转账截图和《招标文件发售登记表》(加盖公章)扫描件一起发送至采购代理机构342720479@qq.com邮箱进行确认(注:转账汇款时需按要求备注单位名称、项目名称和资料费等信息)。 七、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称:北京理工大学重庆微电子中心 地址:重庆市沙坪坝区西永微电园3期1号楼2单元 联系方式:安老师:18702386087 2.采购代理机构信息 名 称:重庆赛迪工程咨询有限公司 地 址:重庆市渝中区双钢路1号 联系方式:夏老师:023-68484343 3.项目联系方式 项目联系人:夏老师 电 话: 023-68484343 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 基本信息 关键内容:物理气相沉积,原子层沉积 开标时间:2022-04-28 14:30 预算金额:135.00万元 采购单位:北京理工大学重庆微电子中心 采购联系人:点击查看 采购联系方式:点击查看 招标代理机构:重庆赛迪工程咨询有限公司 代理联系人:点击查看 代理联系方式:点击查看 详细信息 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 重庆市-沙坪坝区 状态:公告 更新时间: 2022-04-08 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购公开招标公告 发布日期:2022-04-08 项目概况 北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 招标项目的潜在投标人应在采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》(http://www.ccgp.gov.cn/)下载获取招标文件,并于2022年04月28日 14点30分(北京时间)前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号:SDZB-22-122W 项目名称:北京理工大学重庆微电子中心化学气相沉积台采购 预算金额:135.0000000 万元(人民币) 最高限价(如有):135.0000000 万元(人民币) 采购需求: 采购内容 数量 最高限价 (万元) 投标保证金 (万元) 中标人 数量 采贩标的对应的中小企 业划分标准所属行业 化学气相沉积台 1 台 135 2 1 名 工业 备注:以上招标内容的具体需求,见第二篇相关内容。 合同履行期限:中标人应在采购合同生效后6个月内交货并完成安装调试 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求: 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定; 2.落实政府采购政策需满足的资格要求: 1.具有独立承担民事责任的能力; 2.具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度; 3.具有履行合同所必需的设备和专业技术能力; 4.有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录; 5.参加政府采购活动前三年内,在经营活动中没有重大违法记录; 6.法律、行政法规规定的其他条件。 3.本项目的特定资格要求:无 三、获取招标文件 时间:2022年04月08日 至 2022年04月15日,每天上午9:00至12:00,下午14:00至17:00。(北京时间,法定节假日除外) 地点:采购代理机构领取或自行在《中国政府采购网》(http://www.ccgp.gov.cn/)下载 方式:1、现场购买或2、网上下载 售价:¥500.0 元,本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间:2022年04月28日 14点30分(北京时间) 开标时间:2022年04月28日 14点30分(北京时间) 地点:重庆市渝中区双钢路1号8号楼1楼(重庆赛迪工程咨询有限公司会议中心) 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、现场购买招标文件 在招标文件发售期内,投标人到采购代理机构(重庆市渝中区双钢路1号6栋404室)递交《招标文件发售登记表》(加盖公章)并以转账方式缴纳资料费购买招标文件。 2、非现场购买招标文件 在招标文件发售期内,投标人将招标文件资料费以微信或支付宝转账方式汇至以下指定账户,转账成功后,需将转账截图和《招标文件发售登记表》(加盖公章)扫描件一起发送至采购代理机构342720479@qq.com邮箱进行确认(注:转账汇款时需按要求备注单位名称、项目名称和资料费等信息)。 七、对本次招标提出询问,请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称:北京理工大学重庆微电子中心 地址:重庆市沙坪坝区西永微电园3期1号楼2单元 联系方式:安老师:18702386087 2.采购代理机构信息 名 称:重庆赛迪工程咨询有限公司 地 址:重庆市渝中区双钢路1号 联系方式:夏老师:023-68484343 3.项目联系方式 项目联系人:夏老师 电 话: 023-68484343
  • Sievers分析仪如何应用于微电子行业?
    行业挑战超纯水(UPW)生产的一致性对微电子制造至关重要,并且有助于保护产品质量。除基本的超纯水监测以外,在如何对偏离趋势的结果迅速做出反应,并进行有效的故障排查和过程控制方面,微电子工厂也面临着挑战。其他关注领域包括,确保化学品纯度以改善工艺性能和批量生产,以及监测废水和回用水。微电子制造商在生产中会遇到各种有机污染物,并经历各种挑战,包括:给水和高纯工艺化学品中的低ppm级浓度最终抛光前的ppt级浓度回用水和废水应用中复杂的样品基质监测硅胶等有害颗粒物的关键需求解决方案凭借Sievers总有机碳TOC分析仪和超纯水(UPW)硼分析仪,苏伊士能够提供适合微电子制造工艺每一个步骤的分析解决方案。鉴于其宽广的分析范围和应用的多功能性,Sievers TOC分析仪可用于超纯水、工艺化学品纯度、回用水和废水处理监测。由于在二氧化硅之前,硼先从树脂床中泄漏出来,因此Sievers 超纯水硼分析仪可通过检测硼浓度升高,实现二氧化硅的控制和树脂床的管理。全面、灵活的监测选择有两种常用于监测低浓度微电子应用中TOC的检测技术:膜电导率(Membrane Conductometric)和直接电导率(Direct Conductometric)。Sievers的产品涵盖了这两种技术,此外还提供适合于更复杂基质(如工艺化学品和废水)的湿化学氧化法。我们可提供以下仪器和产品:Sievers M9e和M500e TOC分析仪采用Sievers膜电导率检测技术Sievers膜电导率技术消除了大多数超纯水系统中所存在的卤代有机物和胺引起的假阳性和假阴性Sievers CheckPointe TOC传感器采用直接电导率检测技术提供了一个适合于非关键超纯水监测点的经济型选择用于快速诊断和故障排查的工具Sievers InnovOx TOC分析仪采用非色散红外(NDIR)检测和超临界水氧化(SCWO)技术可以准确、可靠地检测浓酸、碱和纯化学品中的痕量有机物可以监测废水和高达30%的卤水应用需求及Sievers的解决方案苏伊士通过其Sievers产品线提供总有机碳TOC和超纯水UPW硼分析仪。Sievers产品组合可为微电子制造过程的每个步骤提供分析解决方案。给水、超纯水和回用水系统监测Sievers M9e在线和便携式TOC分析仪专为最复杂的水系统和应用而设计。该分析仪的分析范围为0.03 ppb至50 ppm,使用膜电导率技术,精确检测系统给水、反渗透产水和最终产水中的TOC浓度。使用可选配的Turbo模式,仅需4秒分析时间,Sievers M9e分析仪是适合于回用水检测的理想故障排查工具。Sievers M9e可实现:仪器与仪器之间的匹配在低TOC超纯水应用中低浓度检测的稳定性自动化的操作,如校准、验证和数据分析12个月校准稳定期先进的自动调零功能,适合超纯级的准确度和精度超纯水/抛光循环回路监测Sievers M500e和上一代500 RLe TOC分析仪设计用于低浓度TOC检测。这两款分析仪的操作范围为0.03 ppb至2.5 ppm,是目前市场上无试剂、在线超纯水TOC分析仪的最低检测限。Sievers M500e和500 RLe:可检测给生产带来问题的有机化合物,例如,会对制造运营构成重大风险的有机酸和有机氮化合物1,2可在低溶解氧(DO)和氢化水系统中运行2020年,苏伊士推出了500 RLe的下一代产品Sievers M500e分析仪,改进包括:冲洗时间缩短50%-在现场低浓度校准(250 ppb)或年度维护后,该仪器可更快投入生产,回到工作状态10英寸触摸屏,可实现更快、更直观的设置和操作数字化升级,如远程访问、WiFi功能,改进了数据传输和管理选项,以及逐步的向导改进了电导率范围(0.01-800 µS/cm),同时也可以显示为电阻率使用异丙醇(IPA)的100 ppb确认协议自适应自动调零,可根据先前的结果自动预测频率另一款微电子应用的基本仪器是Sievers超纯水硼分析仪。Sievers硼分析仪可预测混床耗尽,优化EDI性能,并控制抛光回路的硼浓度。在释放二氧化硅之前,Sievers硼分析仪可检测到硼浓度升高,从而有助于防止二氧化硅泄漏到超纯水中。Sievers硼分析仪可显著减少运营费用,并保持超纯水系统的质量。超纯水系统诊断和故障排查具有0.05到1000 ppb的分析范围,Sievers CheckPointe是适用于解决问题和诊断的理想仪器。该仪器采用直接电导率法,具有优异的轻便性(3.6千克),并且:能够接受加压或非加压的样品可用于监测分配点、生产工具或尚未建立永久监测的任意一点根据一台参照TOC分析仪进行校准,可实现优异的低TOC浓度时,传感器对传感器的匹配化学品和废水纯度为了实现工艺性能和优化批量生产,在过氧化氢、氢氧化钠、氢氧化铵、硫酸和其他蚀刻/电镀化学品等工艺化学品中,控制TOC至关重要。Sievers InnovOx TOC分析仪非常适用于此类监测以及废水和回用水中的有机物监测。Sievers InnovOx有助于:工厂做出更明智的合规和处理决策可提供实时直接的碳检测,与间接的需氧量检测形成鲜明对比使用超临界水氧化(SCWO)技术处理复杂的基质Sievers分析仪及其在微电子制造中的应用汇总参考文献1.Godec, Richard D., “Monitoring and Controlling UPW Organic Nitrogen Contamination to Improve Immersion Photolithography Process Control.” Presented at ULTRAPURE WATER Conference, Portland, OR, November 2011, Tall Oaks Publishing, Inc.2.Godec, Richard D.,”The Performance Comparison of Ultrapure Water TOC Analyzers using an Automated Standard Addition Apparatus.” Published and copyrighted by Semiconductor Pure Water and Chemical Conference, 2000 Proceedings.3.Dunn R., “New Analytical Technique Promotes Elimination of Silica in Feed, Steam and Condensate Systems.” ◆ ◆ ◆联系我们,了解更多!
  • 微电子所在半导体器件物理领域获进展
    半导体器件存在缺陷态等无序因素,其载流子的输运往往表现为跃迁形式。半导体中的缺陷态种类较为复杂,准确认识并描述半导体器件中的载流子输运及宏观电学特性是本领域内的难点和重点。   低温下半导体器件所广泛表现出的非线性伏安(I-V)特性的具体物理原因是备受关注的话题之一。此前,多数研究将非线性I-V特性归因于电场对半导体材料中的电子跃迁速率的均匀调制效应。这一解释没有解决非线性输运的问题,反而引发了更激烈的争论。   中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室刘明院士团队从理论方面提出了载流子的“集体输运效应”(collective transport)的物理机制。该理论认为外电场所导致的非均匀分布的渗流路径生长产生了collective transport效应,进而在器件尺度上导致非线性的I-V特性。在实验方面,该团队进一步在聚合物器件中,通过巧妙控制半导体的维度实现了对器件渗流阈值的控制,在此基础上通过对器件I-V非线性程度的控制直接证实了非线性输运来源于collective transport这一假设。该工作实现了关于上述话题互存争议的各种假设的统一,为发展操控半导体器件I-V特性的方法提供了理论依据。   相关研究成果以Collective Transport for Nonlinear Current-Voltage characteristics of Doped Conducting Polymers为题,发表在《物理评论快报》【Physical Review Letters 130, 177001 (2023)】上。a.collective transport模型,b.电场驱动渗流路径的形成,c.实验观测到维度控制的非线性输运,d.基于collective transport理论仿真维度控制的非线性输运。
  • 预算约1.5亿元!中科院微电子所2022年仪器采购意向汇总
    为优化政府采购营商环境,提升采购绩效,《财政部关于开展政府采购意向公开工作的通知》(财库〔2020〕10号)等有关规定要求各预算单位按采购项目公开采购意向,内容应包括采购项目名称、采购需求概况、预算金额、预计采购时间等。近两年来,各大高校、科研院所等纷纷在相关平台公布本单位政府采购意向。中国科学院微电子研究所(以下简称“微电子所”)是国内微电子领域学科方向布局最完整的综合研究与开发机构,是国家科技重大专项集成电路装备及工艺前瞻性研发牵头组织单位,是中国科学院大学微电子学院(国家示范性微电子学院)的依托单位,是中国科学院集成电路创新研究院的筹建依托单位。微电子所目前拥有2个基础研究类中国科学院重点实验室(微电子器件与集成技术重点实验室、硅器件技术重点实验室),5个行业服务类研发中心(EDA中心、集成电路先导技术研发中心、系统封装与集成研发中心、中科新芯三维存储器研发中心、光刻总体部),7个行业应用类研发中心(通信与信息工程研发中心、新能源汽车电子研发中心、健康电子研发中心、智能感知研发中心、智能制造电子研发中心、智能电子系统研发中心、电磁信息智能应用研究中心),4个核心产品类研发中心(硅器件与集成研发中心、高频高压器件与集成研发中心、微电子仪器设备研发中心、光电研发中心)。 微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学等高校和武汉新芯、上海华力、华润微电子、北方微电子等企业结为战略合作伙伴,在北京、江苏、湖北、四川、广东、湖南等省市开展科技成果转移转化,在我国微电子领域拥有广泛的影响,为支撑我国微电子产业核心竞争力发挥了不可替代的重要作用。 成果的产出和人才的培养都离不开仪器的支持,微电子所每年都会投入一定的经费采购科学仪器,以建立具有国际先进水平的实验研究和测试平台。为方便仪器信息网用户及时了解仪器采购信息,本文特对微电子所2022年仪器设备类政府采购意向进行了整理汇总。共收集到21个采购项目,预算金额相加约1.5亿元,采购品目涉及示波器、探针台、ALD、键合机、清洗机、退火炉等多种仪器类型。中国科学院微电子所2022年政府采购意向汇总表序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情15.7寸移动作业终端A021199-其他电子和通信测量仪器2003月详情链接2示波器A032199-其他电工、电子专用生产设备1343月详情链接3多通道高精度阻抗谱分析子系统A02100305-电子光学及离子光学仪器285.244月详情链接4直流-6GHz 多频段微弱电信号高性能分析测试平台A02100305-电子光学及离子光学仪器389.84月详情链接512英寸晶圆贴膜揭膜减薄一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备12005月详情链接612英寸芯片至晶圆微米级混合键合一体机A032199-其他电工、电子专用生产设备49305月详情链接7PA-连续波/脉冲功率测试系统A02100305-电子光学及离子光学仪器4405月详情链接8精密电感耦合等离子刻蚀系统A032199-其他电工、电子专用生产设备3505月详情链接912吋晶圆底填机A032199-其他电工、电子专用生产设备1306月详情链接1012吋晶圆助焊剂清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备6006月详情链接1112英寸超薄晶圆划片机A032199-其他电工、电子专用生产设备1706月详情链接1212英寸晶圆化学机械抛光机A032199-其他电工、电子专用生产设备17006月详情链接1312英寸晶圆键合退火炉A032199-其他电工、电子专用生产设备2006月详情链接1412英寸晶圆清洗机A032199-其他电工、电子专用生产设备3006月详情链接15大功率快脉冲测试仪A032199-其他电工、电子专用生产设备215.236月详情链接16高精度靶点识别与成型设备A032199-其他电工、电子专用生产设备1406月详情链接17三维堆叠键合机A032199-其他电工、电子专用生产设备7006月详情链接18大功率高温探针台A032199-其他电工、电子专用生产设备250.37月详情链接19清洗设备研发A032199-其他电工、电子专用生产设备1257月详情链接20多场原位电子全息三维高分辨成像系统A02100305-电子光学及离子光学仪器163512月详情链接21多腔室新型高k金属栅ALD生长系统A032199-其他电工、电子专用生产设备85012月详情链接值得而注意的是,微电子所除了采购仪器设备外,还采购了总额超四千万的流片服务。在集成电路设计领域,“流片”指的是“试生产”,就是说设计完电路以后,先生产几片几十片,供测试用。如果测试通过,就照着这个样子开始大规模生产了。流片服务采购意向汇总序号采购项目名称采购品目预算金额(万元)预计采购日期项目详情1砷化镓流片和SOI流片加工C0908-其他专业技术服务8103月详情链接2流片加工C0908-其他专业技术服务1302月详情链接3新型存储器流片加工服务C0908-其他专业技术服务3003月详情链接4测试调试C0908-其他专业技术服务1205月详情链接5芯片流片C0908-其他专业技术服务1205月详情链接6小芯片加工制造C0908-其他专业技术服务1506月详情链接7芯片分析C0908-其他专业技术服务1506月详情链接8MPW投片费C0908-其他专业技术服务1707月详情链接9流片C0908-其他专业技术服务1957月详情链接10流片、制版C0908-其他专业技术服务1907月详情链接11流片、制版C0908-其他专业技术服务2557月详情链接12流片、制版C0908-其他专业技术服务50944743详情链接13封装加工服务C0908-其他专业技术服务25012月详情链接14流片费C0908-其他专业技术服务10012月详情链接15流片加工服务C0908-其他专业技术服务70012月详情链接
  • 科学仪器研制需要一代一代的长久努力——访中科院微电子所微电子设备技术研究室主任夏洋研究员
    2007年12月19日,中科院微电子所微电子设备技术研究室成立,夏洋研究员担任研究室主任。研究室的主要研究方向包括新型集成电路制造与测试装备、新型太阳能电池制造技术和装备、高效率LED(发光二极管)制造技术和装备、MEMS(微机电系统)加工技术和装备及关键的射频功率源系统技术。  凭借近30年的技术积累以及全体人员的努力,经过近5年时间的发展,研究室的研究成果占领国内IC(集成电路)领域新原理设备制高点,在国际上与现有技术生产厂商形成竞争态势,设备主要包括等离子体浸没注入机、原子层沉积设备、光学检测系统、射频电源等,当前研究室的产品已广泛用于国际国内涉及微电子、光电子、MEMS等领域的企业、高校及研究机构。  近日,仪器信息网编辑特别采访了夏洋主任,请他谈了谈研究室在仪器设备研制、产业化方面的经验及我国科学仪器研制的政策支持情况。中科院微电子所微电子设备技术研究室主任夏洋研究员  在仪器研制方面都有哪些经验?  “5年前,当时微电子研究所里有三四个仪器研究团队,都是一个研究员带几个助手,大家各自为战,这样力量比较分散,于是我向所里建议把这些团队合并起来,所里对我们的建议很支持,希望我们能将微电子设备技术的研究做大、做强,在2007年末正式成立微电子设备技术研究室”,夏洋主任介绍说。  (1)进行团队建设,坚持做好一件事  “研究室成立后所里进行仪器研制的各项资源就集中起来,之后我们又购置研制仪器所需的各项装备、招聘所需的人才,这样我们的研究平台就形成一定的规模。起初我们只有30人左右,当时也不好招人,没人愿意来,缺乏相关专业的人才,现在随着我们科研能力的提升,以及国家对仪器行业投入的加大和重视,来自海外和国内的求职者都特别多,至今已形成了约150人的团队。”  “在我们的团队中不仅有4名国家‘千人计划’人才,七八名‘百人计划’人才,还有十几名退休返聘人员,他们年龄最大的有70多岁。在管理机制方面,我们也不会墨守成规,在我们的团队中有人想创业,我们也允许他们一边做科研,一边组织团队成立公司。我们坚持唯才是用,只要是有用的人才,我们不会去限制他们发挥自己的才能,而是为他们提供机会更好地展示自己的能力。”  (2)科研和生产两条腿走路,在资金和技术方面相互支撑  资金短缺也是仪器研制当中常常面临的一个问题,很多项目研制出一台样机之后,由于没有后续资金支持,进行进一步的商品化开发,所以就被搁在实验室里,很难对国外仪器形成竞争,对我国的科研开发也难谈真正的贡献。  夏洋主任介绍说:“研究室现在是科研和生产两条腿走路,这两部分工作在资金和技术上相互支撑。我们一边进行仪器研制,一边生产仪器进行销售,同时我们和企业也有一些合作项目。在销售方面我们现在还没有开始做太多的工作,客户主要集中在科研院所,每年销售收入在1000万至2000万元。”  “现在我们研制第一台样机基本都是依靠国家资金的支持,第二台样机的研制经费就得靠自己来解决,做到第三台样机,我们就争取订货销售出去。目前我们已经形成了这样一个良好的工作局面。”  (3)和企业合作是进行仪器研发的一个非常重要的方向  “另外,仪器研发和企业合作是一个非常重要的方向,关起门来搞科研容易与社会需求脱节。而且仪器研制中硬件技术是一方面,方便用户操作使用,以及更好地解决实际应用问题,这是另一方面,之前已经有不少企业和我们合作,他们的思路和看问题的角度与我们不一样,对我们来说帮助很大”,夏洋主任谈到。  “同企业的合作中存在的一个主要问题是,对于市场的变化,企业更多的是关注眼前,‘看单下菜’,难以做出长远的布局,这样在市场竞争中,很难抢占先机。所以在合作中,我们需要更多的沟通和理解。”  “同时和企业合作,信任度以及利益分配机制也是一个的问题。解决这一问题的主要方式是双方在合作中要有诚意。一般在合作中,我们希望企业人员参与研发过程,并将相关的技术教给他们,同时项目交接后我们也派出团队去企业当中,进行后续跟进,帮助企业解决问题,这样既帮助企业培养人才,解决问题,同时对于防止我们自己的人才流失也很有帮助。在资金方面,对于企业来说他们会担心投资风险,所以目前我们的合作方式一般是先直接收取一部分资金用于研发,另外一部分资金从项目投产后的长远收益中获得。”  (4)未来瞄准教学仪器市场  对于研究室未来的研究规划,夏洋主任表示,“我们发现随着仪器自动化、智能化的提升,以及昂贵的价格,使学生的动手能力受到了很大的限制。所以我们希望能做一些教学仪器,这类仪器要很好的展示仪器原理和设计,操作性强,要能够更好地互动。进口仪器现在还没有关注这一领域,而且我们做这类仪器有成本优势,所以市场前景还是比较乐观。”  国家对科学仪器研制的资金支持情况?  谈到近年来国家对于科学仪器研制的资金支持情况,夏洋主任说到:“我国的科学仪器行业的发展从建国到改革开放逐渐发展到一个顶峰,后来逐渐稳定下来,从上个世纪九十年代开始,国家逐渐重视科学仪器的发展,现在经过多年的发展正在逐渐达到另一个峰值。”  “1993年,在国家财政依然十分紧张的情况下,中科院就设立了仪器设备的专项资金。至2000年,共支持研制和改造科学仪器科研项目总数达400余项,支持经费总额约为1.5亿元。截止到2006年底,中科院科学仪器自主研制项目从最初的每年8项增长到每年40多项,累计总投入约3.7亿元,平均项目支持强度超过200万元。”  “国家自然科学基金委(基金委)于1998年设立了科学仪器基础研究专项,当年一共资助了5个项目,总资助经费400万元。而到2011年,基金委科学仪器基础研究专项共资助55项,金额1.5亿元,并启动了国家重大科研仪器设备研制专项,首批重大科研仪器设备研制专项资助9项,金额5.7亿元。”  “另外,科技部、财政部2011年首次启动‘国家重大科学仪器设备开发专项’。 重点支持具有市场推广前景的重大科学仪器设备开发,每年的支持金额达到数十亿元。”  科学仪器研制还需要哪些方面的支持?  国家对于科学仪器研制的资金支持,可以说是达到了前所未有的高度,那么在项目执行当中,还需要注意哪些问题呢?夏洋主任也谈了几点自己的看法。  (1)选择具有研发实力的企业给予支持  “现在我国提倡技术创新应以‘企业创新为主体’,国家重大科学仪器设备开发专项也优先支持科学仪器设备企业作为实施主体的项目。创新是一个研发的过程,需要企业有配套的研发人员及研发平台。中国的企业大部分没有成型的研发队伍,企业有生产能力,但研发能力不一定强,所以要确保项目的顺利完成,一定要对企业的综合研发实力,以及进行某类具体仪器研发的技术积累进行考核。”  (2)国家整体政策要配套  “另外,国家整体政策不配套也是一个问题,比如按照《科学研究和教学用品免征进口税收规定》,我们现在进口科研仪器整机是免税的,但进口零部件不免税,所以研发仪器的成本比整机要贵很多,这样是不利于促进科研院所的老师们进行仪器研制的。”  (3)进行科学仪器研制平台建设  “此外,我认为仪器研发一定要进行团队或平台建设才行,一方面仪器研发是多种技术的融合,需要的综合知识特别强,如物理、化学、材料、机械设计、自动控制、软件等,所以一定要注意合作和团队建设,一个人单独做很难完成。”  “另外仪器的研制需要一代一代的坚持研究,在仪器研制过程当中,搭建出来的第一台仪器只要自己能用就已经很了不起 然后再通过不断改进,推出第二台样机,如果第三台能做成商业机型就已经很顺利,从开始研制到最后实现产业化,整个过程大概得三五年时间,甚至更长才行。现在许多老师,在仪器研制方面有好的想法,但是带着一批学生做了3年之后,学生毕业了,课题经费也没有了,这个项目就结束了,没有持续跟进。”  “研制仪器需要不断的坚持,国外的许多仪器企业都有上百年的历史,其实从原始创新到实现商业化产品,一般也得10-20年的时间,然后再通过一代一代的积累和更新,仪器的性能越来越好。所以如果通过买仪器来做研究,我们在技术起步上至少比别人落后10-20年,很难实现超越。”  “因此国家或许可以设置专门进行仪器研发的重点实验室,这样有一个固定的人员和研发平台,希望通过持续的研究能实现从原始创新,到研制出可用于科学研究的仪器,最后到实现规模化生产的仪器这一流程,而不是半途而废,这样我们的科学仪器事业才能逐渐发展起来。”  采访编辑:秦丽娟
  • 测量计量与仪器、微电子光电子等入选“中国电子信息工程科技十四大挑战(2023)”
    9月25日,中国工程院信息与电子学部、中国信息与电子工程科技发展战略研究中心在北京、香港同步发布《中国电子信息工程科技发展十四大技术挑战(2023)》。据悉,中国工程院信息与电子工程学部自2014年启动相关研究工作,至今已连续9年发布“趋势”或“挑战”等系列成就。今年入选的这十四大技术挑战包括数字领域、信息化、微电子光电子、光学工程、测量计量与仪器、网络与通信、网络安全、电磁场与电磁环境效应、控制、认知、计算机系统与软件、计算机应用、海洋网络信息体系、应对重大突发事件等14个方面。其中,测量计量与仪器在2022年便入选“技术挑战”,2023年再次入选。据了解,新一代国家测量体系和仪器产业体系建设已启动,重要场景下的关键测量技术亟待突破,特别是支撑超精密光刻机、高端航空发动机和高端工业母机等为代表的高精尖装备研发制造中的超精密测量与仪器技术亟待率先突破,制造质量调控能力亟待提升;支撑数字化、网络化与智能化测量的新形态精密仪器及传感技术将面临重要挑战。“凡是科技强国,都是仪器强国;凡是制造强国,都是仪器强国;凡是科技强国,都是仪器强国;凡是仪器强国,都有一个强大的国家测量体系来支撑着高端制造的高质量发展。”谭久彬院士表示,“要想造得出,必先测得出,要想造得精,必先测得准。”构建新一代国家测量体系是实现产业高质量发展的必然选择,也是补齐我国工业短板,特别是高端装备制造质量短板的必由之路。“
  • 上海微电子推出数年潜心研制的新一代光刻机
    9月18日,上海微电子举行新产品发布会,宣布推出SSB520型新一代大视场高分辨率先进封装光刻机。该产品是上海微电子数年潜心研制的最新产品,主要应用于高密度异构集成领域,具有高分辨率、高套刻精度和超大曝光视场等特点,可帮助晶圆级先进封装企业实现多芯片高密度互连封装技术的应用。产品投影物镜系统全面升级,可满足0.8μm分辨率光刻工艺需求,极限分辨率可达0.6μm;通过升级运动、量测和控制系统,套刻精度提升至≤100nm,并能保持长期稳定性;曝光视场可提供53mm×66mm(4倍IC前道标准视场尺寸)和60mm×60mm两种配置,可满足异构集成超大芯片封装尺寸的应用需求。随着先进封装工艺逐步从过去的“单芯片封装密度提升”向“多芯片高密度互连封装”过渡,上海微电子将通过提供更高端、更优秀的产品,与亲密伙伴保持合作,助力封装测试厂商提升工艺水平、开拓新的工艺,在封装测试领域共同为中国集成电路产业的发展做出更多的贡献。
  • 一期总投资220亿元!华润微电子深圳12英寸集成电路生产线建设项目开工
    10月29日上午,华润微电子深圳12英寸集成电路生产线项目开工仪式在深圳市宝安区举行。项目一期总投资220亿元,聚焦40纳米以上模拟特色工艺。项目建成后,将形成年产48万片12英寸功率芯片的生产能力,产品将广泛应用于汽车电子、新能源、工业控制、消费电子等领域。  华润集团总经理王崔军介绍,项目建成后将与集成电路设计、封装、测试等产业链上下游形成联动集聚效应,加快实现半导体关键领域和技术的自主创新突破和商业化运作,满足粤港澳大湾区经济高速发展对半导体产品的巨大市场需求。  据悉,华润微电子是华润集团旗下在国内最早布局特色工艺平台技术研发的综合性半导体企业。截至目前,华润微电子已成为具有掩模制造、产品设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营的IDM半导体企业。2022年1月,华润微电子在深圳宝安区设立华润微南方总部暨全球创新中心,并开始启动12英寸特色工艺集成电路生产项目。  “目前,广东正在加快构建集成电路产业‘四梁八柱’。此次华润微电子有限公司在深圳建设12英寸集成电路生产线,必将进一步增强广东集成电路产业的核心竞争力。”省工业和信息化厅厅长涂高坤表示,接下来广东将加快推进硅基芯片生产线、第三代半导体、封测产线,打造国家制造业创新中心、国家技术创新中心,带动产业链上下游协同发展。  今年以来,广东工业投资稳定增长,制造业充分发挥了“压舱石”作用。今年1—9月,全省完成工业投资同比增长15.6%,工业投资占固定资产投资比重为27.2%,比去年同期(23.3%)提高3.9个百分点。其中,广东高技术制造业投资增长35.0%,先进制造业投资增长27.3%,投资结构进一步优化。  粤芯半导体三期项目、TCL华星光电广州t9项目、华润微电子深圳12英寸集成电路生产线项目一期……一个个广东制造业重大项目正在加快建设。为此,广东建立了“省市联动,分级负责”的制造业指挥部项目跟踪服务机制,投资50亿元以上项目由省级负责跟踪服务,实施“日跟踪、周报告、月调度”机制,并开展“挂图作战”,逐一项目制定“作战图”,及时协调项目建设中存在的困难和问题。  目前,广东制造业重大项目总体进展顺利。记者从省工业和信息化厅获悉,今年1—9月广东制造业重大项目投资进度达到100.1%,已提前完成全年投资计划。
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