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直流电阻测试仪的试验引线通常标准

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直流电阻测试仪的试验引线通常标准相关的资讯

  • 宁夏计质院直流标准电阻校准能力验证获“满意”结果
    近日,宁夏计质院参加中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所组织的“直流标准电阻校准能力验证计划”获得满意结果。直流标准电阻是电磁学基本量,作为一个标准阻值的参照或比较,它的准确一致对其它电磁学量值统一有着举足轻重的作用。此次能力验证,宁夏计质院严格按照相关要求,认真做好样品实验工作和数据处理,按时完成样品交接,及时提交实验数据和结果,最终各项测量结果与参考值之差都在合理预期之内,结果为“满意”。通过能力验证,进一步验证了宁夏计质院“一等直流电阻标准装置”检定人员业务素质和实验室能力水平,能够有效保证我区直流标准电阻量值传递的准确可靠。宁夏计量质量检验检测研究院(简称:宁夏计质院)成立于2017年8月,经自治区编委会批准,由宁夏计量测试院、宁夏产品质量监督检验院、宁东能源化工基地质量监督检验与计量测试所整合组建而成,为自治区市场监督管理厅直属公益类检验检测研究事业单位,是国家市场监督管理总局授权的法定计量检定和产品质量检验检测机构。宁夏计质院主要承担国家计量基准和宁夏公用计量标准的研究、建立、保存、维护、计量器具检定校准以及产(商)品质量监督检验、产品质量仲裁检验、产品质量鉴定、各种取证(生产许可证、CCC认证、产品认证等)检验、委托检验等工作。开展计量质量产学研一体化的合作与科研,为社会各界提供计量质量专业技术、能力提升、质量管理培训和咨询等技术服务。
  • Prodigy直流电弧光谱仪对痕量元素的分析
    利曼中国LEEMANCHINA国内第一台直流电弧光谱仪在湖南株洲硬质合金集团分析测试中心顺利安装调试成功后,在高纯金属及疑难样品分析领域引起了巨大震撼!解决了长期以来对于一些难熔物质特别是氧化钨,碳化硅,陶瓷等复杂样品的分析,无须消解和稀释,可直接对粉末状、线状和屑状样品进行分析。完美解决了ICP、AAS样品消解的麻烦和缺点。利曼中国LEEMANCHINA推出的Prodigy直流电弧光谱仪继承了光谱领域数十年的经验沉淀和技术积累,沿用了Prodigy高端ICP光谱仪最新科技成果,将直流电弧这项古老而又经典的分析技术带入了全新的应用领域额。一经推出,即广受好评,向广大用户展示了最新仪器理念、尖端分析测试技术,提供了尖端的实验室疑难技术解决方案。直流电弧光谱仪测定高纯镍、高纯钨、高纯钼以及高纯石墨中的痕量元素高纯镍主要用于制造合金,也用于制造国内和世界范围内的消费产品如充电电池、磁铁、催化剂及硬币(5美分)等。粉末状的镍可以与铁粉、铜粉等金属混合,用于增强汽车零件的密度,如离合器、转子和齿轮等。 钼是银灰色金属,熔点为2623 º C,是元素周期表中的第六高熔点。钼很容易形成结实稳定的碳化物,当其在空气中加热到600 º C时便形成了挥发性氧化物。无论是纯钼还是钼合金,当温度达到1900º C时,其强度和机械稳定性使其有着广泛的应用。钼以纯金属存在时,常被用于制作灯丝、高温炉部件以及耐磨性反射镜和光学元件。钼的合金态最基本的应用就是出现在不锈钢和合金钢中。这些材料通常应用于制造低摩擦耐磨的汽车部件、天然气输送管、铸铁、工业催化剂、阻燃剂以及汽轮机部件等。 钨是一种脆性、高密度、灰白色金属,具有良好的导电性,其熔点比其它所有纯金属都要高。除了碳以外,钨的熔点是元素周期表中所有元素中最高的。无论是在纯金属还是在合金中,钨的良好的导电性及热性能使得其在很多领域中得到应用。在非合金形式应用中,钨常用于制作弧焊电极、灯丝和高性能汽车配件。另外,在电气、航天器和高温应用领域都有比较广泛的应用。在合金应用领域,钨增强了材料的硬度和拉伸强度,可以应用于制作耐磨工具、x射线管、高温合金和工业催化剂等。 石墨是现存最软的矿物质之一,而且是电的良导体。除此之外,石墨具有不可思议的热稳定性(熔点3650 º C)并且是极好的热导体。大部分天然石墨被加工成粉末用于制造如钢、润滑油、工业涂料、橡胶和塑料助剂、制动器衬片、电池、电极以及气冷核反应堆等材料。 以上材料中的痕量元素常规分析方法如ICP光谱、ICP质谱等分析手段需要克服分析前样品的消解处理难题,消解过程通常复杂且费时,而且增加了样品制备过程中的污染的风险,严重的干扰以及缺少对应的标样,往往严重影响分析数据的正确度及分析进度,是目前分析领域的难题,利曼Prodigy直流电弧技术的推出,很好地解决了此困境,为分析手段增添了新的手段与方法。 直流电弧光谱仪允许固态形式的以上样本进行直接分析,不需要溶样,大大地加快了样品的准备和分析速度。直接分析不需要进行样品稀释,获得了比其它分析手段更好的检测限。以下为相关检出限数据:高纯钨的检测限: 检测限的计算方法是7次校正空白测量值的标准差的3倍。 元素波长(nm)最低检测限(ppm)Ag328.0680.025Al309.2710.40As234.9841.2B249.7730.11Be313.0420.012Bi306.7721.2Ca396.8470.34Cd214.4380.30Co345.3510.54Cr284.9840.25Cu324.7540.063Fe259.9400.95Ga294.3641.0Ge303.9060.14K766.4910.42Li670.7840.34Mg279.5530.083Mn257.6100.045Mo313.2596.4Na589.5924.3Ni310.1550.096Pb261.4180.51Sb217.5890.47Si252.4120.25Sn317.5020.68Sr407.7712.8Ti308.8030.086V318.5401.0Zn213.8560.37 高纯钼中元素的检测限:元素波长(nm)最低检测限(ppm)Ag328.0680.14As193.7592.9B249.6780.54Ba455.4042.8Be234.8610.11Ca396.8471.0Cd226.5020.33Co352.9814.3Cr427.4803.0Cu327.3960.37Fe259.9401.4Ga294.3641.3Ge270.9634.6Mg285.2130.11Mn257.6100.83Na588.9950.09Ni305.0823.1P253.56520Pb283.30714Sb217.5891.1Se203.9854.2Si251.61212Sn283.9993.4Te214.2752.5Ti334.9411.3Tl535.0463.5V437.92426Zn206.1910.02Zr349.6214.3 高纯镍中痕量元素的检测限:元素波长(nm)检测限(ppm)元素波长(nm)检测限(ppm)Ag328.0680.12Li670.7840.50Al309.2710.48Mg279.5530.37As193.7593.2Mn257.6100.095B249.6780.49Mo317.0350.56Ba493.4090.45Na588.9950.97Be234.8610.18P253.5651.1Bi306.7720.28Pb283.3070.31Ca393.3660.55Sb217.5891.7Cd214.4380.32Se203.9854.6Co238.8922.6Si251.6120.78Cr283.5630.58Sn283.9990.24Cu327.3960.055Sr407.7713.5Fe259.9400.44Te214.2751.0Ga287.4240.21Ti334.9410.49Ge270.9630.59V318.5400.44In325.6091.7Zn334.5021.6K766.4912.4Zr339.1983.8石墨中痕量元素的检测限:元素波长(nm)检测限(ppm)元素波长(nm)检测限(ppm)Al308.2160.13Mn259.3730.008As193.7590.32Na589.5920.73B249.7730.027Ni341.4770.005Ca396.8470.32P253.5650.055Cd226.5020.021Pb283.3070.026Cr283.5630.010Sb231.1470.034Cu327.3960.043Si252.4120.22Fe259.9400.021Sn283.9990.006Ga294.3640.014Ti337.2800.027K766.4910.61V309.3110.008Li670.7840.020Zn213.8560.009Mg285.2130.058 Trace elements analysis in high purity Tungsten, molybdenum, Nickle and granite by Prodigy DC- Arc .
  • 利曼中国直流电弧光谱仪在湖南顺利安装调试
    热烈祝贺利曼中国国内第一台直流电弧光谱仪(DC-ARC)在湖南株洲硬质合金集团分析测试中心顺利安装调试。Teledyne Leeman Labs公司新近推出的Prodigy直流电弧光谱仪继承了在光谱仪领域数十年的经验沉淀和技术积累,将直流电弧这项古老而又成熟的分析技术带入了全新的应用领域。 直流电弧光谱仪可直接对粉末状、线状和屑状样品进行分析,无须化学消解及稀释过程,克服了ICP、AAS样品消解的麻烦和缺点,尤其对于一些难熔物质更是具有独到的优势。特别适合氧化钨,碳化硅,陶瓷等复杂样品的分析。另外直流电弧光谱仪具备更高灵敏度,实现高纯金属分析,由于无须消解和稀释过程,因此可以实现很高的灵敏度,通常对于固体材料的检出限小于1个ppm。直流电弧光谱仪的推出无疑为某些固体材料和高纯金属分析提供了最佳解决方案,是ICP和AAS等传统方法的很好补充。为一些复杂样品的分析提供了一个快捷方便的解决途径。株洲硬质合金集团有限公司是国家&ldquo 一五&rdquo 期间建设的156项重点工程之一。主要生产金属切削工具、矿山及油田钻探采掘工具、硬质材料、钨钼制品、钽铌制品、稀有金属粉末制品等六大系列产品。是目前国内最大最早的硬质材料和钨钼材料生产龙头企业。其分析测试中心为国家重点实验室,实力雄厚,技术一流,敢为天下先,引进先进技术。得知利曼公司推出新一代直流电弧,在双方公司领导关照下,技术人员的努力下。利曼中国国内第一台直流电弧光谱仪(DC-ARC)顺利安装调试成功。仪器表现优异,分析结果用户非常满意,尤其对三氧化钨分析,结果达到很高的水平,是ICP-MS,ICP,AAS无法能做到的。
  • 利曼中国直流电弧光谱仪技术交流会完美闭幕
    2011年1月10日,13日,利曼中国分别在北京、西安两地举行了直流电弧光谱仪的技术交流会。本次会议邀请了包括中国计量研究院、北京有色研究总院地矿、北京矿冶研究总院、中国农科院土壤所、核工业地质研究院、河北地矿中心在内的60多家地矿、有色行业重点单位参加。该次技术交流会由来自美国利曼总部的Rury博士和Dalager博士主讲,北京总部应用工程师陈应华、王飞主持了此次会议。会上主要介绍了Prodigy直流电弧光谱仪的主要技术特点以及在一些典型样品上的应用。 Prodigy直流电弧发射光谱仪由于采用了长焦距中阶梯光栅光学系统和大面积程序化CID检测器阵列,相比于传统的基于照相版技术的直流电弧光谱仪,在仪器性能和分析速度上均有一个质的飞跃。仪器的技术特点主要体现在以下方面:分析速度快 固态检测器和计算机的使用,使得仪器分析速度有了极大的提升,所有元素一次激发60秒内即可获取结果。大范围波长覆盖,无谱级重叠 由于采用了独有的激发台和光室设计,波长覆盖范围可达175-900nm,除了分析常规元素外,还可分析位于紫外区的P等元素。分辨率高,谱图干扰小 源自于ICP-OES的中阶梯光栅光学系统和大面积固态检测器使得仪器具有出色的分辨能力,可以有效消除谱图间的干扰。真正实现全谱直读功能 由于CID固态检测器的非破坏性,随机读取能力,prodigy可以实现以下诸多高级功能: 同步背景校正 出色的内标校正能力 时序分析功能可以获取每个元素的精确蒸发曲线 对每条谱线可以单独设定曝光时间 强弱谱线同步测量 对于Prodigy的应用,利曼公司在针对一些典型样品做了应用研究,这些样品包括: 金属氧化物、碳化物、硼化物以及氮化物 难溶粉末如SiC 贵金属及其它高纯金属 地质样品 核原料-氧化铀、氧化钚 土壤、淤泥、煤灰等 从应用过程和结果来看,相比于其它方法或传统的直流电弧光谱仪,Prodigy展现出了许多独有的优势:去除样品消解过程 Prodigy直流电弧光谱仪可直接对粉末状、线状和屑状样品进行分析,无须化学消解及稀释过程,所以非常适合一些难溶样品或高纯样品的分析。具备更高灵敏度,实现高纯金属分析 Prodigy可以实现很高的灵敏度,通常对于固体材料的检出限为亚ppm级,非常适合高纯铜,镍以及贵金属等的研究。快速的定量及半定量分析能力 Prodigy具有极快的样品分析速度(每个样品少于一分钟)及极高的分析精度。从已有的应用来看,对于大部分ppm级别的样品分析精度,相对标准偏差可以控制在10%以内。运行成本低廉,为您节省日常开支 和其它一些分析技术相比,Prodigy直流电弧具有极低的运行成本,无需化学前处理试剂,无特殊需要更换的备品备件,没有昂贵的需要维护的真空系统等。 Prodigy的技术特点和应用潜力,引发了在座嘉宾的浓厚兴趣,多位嘉宾与主持人进行了热烈的讨论,并对Prodigy直流电弧光谱仪表现出的性能做出了很高的评价,会上多家权威单位已经提出和利曼公司展开技术合作,希望进一步拓展prodigy的应用深度和广度。利曼中国也希望以此为契机更好地为国内用户提供优质的服务及实验室解决方案!
  • 绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么?
    绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么?绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前请仔细阅读以下内容,否则将造成仪器损坏或电击情况。1. ◇检查仪器后面板电压量程是否置于10V档,电流电阻量程是否置于104档。2. ◇接通电源调零,(注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接)在“Rx”两端开路的情况下,调零使电流表的显示为0000。然后关机。3. ◇应在“Rx”两端开路时调零,一般一次调零后在测试过程中不需再调零。 4. ◇测体积电阻时测试按钮拨到Rv边,测表面电阻时测试按钮拨到Rs边,5. ◇将待测试样平铺在不保护电极正中央,然后用保护电极压住样品,再插入被保护电极(不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路)。6. ◇电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨,每拨一次停留1-2秒观察显示数字,当被测电阻大于仪器测量量程时,电阻表显示“1”,此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下,在1min的电化时间后测量电阻,当前的数字乘以档次即是被测电阻。7. ◇测试完毕先将量程拨至(104)档,然后将测量电压拨至10V档, 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8. ◇接好测试线,将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档,打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如:GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定,那么电压就要升到500V)9. ◇禁止将“RX”两端短路,以免微电流放大器受大电流冲击。10. ◇不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11. ◇测量时从低次档逐渐拨往高次档。12. ◇接通电源后,手指不能触及高压线的金属部分。13. ◇严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。14. ◇在测量高阻时,应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15. ◇不得测试过程中不能触摸微电流测试端。16. ◇严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档,更换试样。技术指标1、电阻测量范围 0.01×104Ω~1×1018Ω2、电流测量范围为 2×10-4A~1×10-16A3、仪器尺寸 285mm× 245mm× 120 mm4、内置测试电压 100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1% (*注)6、内置测试电压 100V、250、500、1000V7、质量 约2.5KG8、供电形式 AC 220V,50HZ,功耗约5W9、双表头显示 3.1/2位LED显示安全注意事项1. 使用前务必详阅此说明书,并遵照指示步骤,依次操作。2. 请勿使用非原厂提供之附件,以免发生危险。3. 进行测试时,本仪器测量端高压输出端上有直流高压输出,严禁人体接触 ,以免触电。4. 为避免测试棒本身绝缘泄漏造成误差,接仪器测量端输入的测试棒应尽可 能悬空,不与外界物体相碰。5. 当被测物绝缘电阻值高,且测量出现指针不稳现象时,可将仪器测量线屏 蔽端夹子接 上。 例如: 对电 缆测缆 芯与 缆壳的 绝缘 时,除 将被 测物两 端分 别接于 输入 端与高压 端, 再将电 缆壳 ,芯之 间的 内层绝 缘物 接仪器 “G”,以消 除因 表面漏 电而 引起的测 量误 差。也 可用 加屏蔽 盒的 方法, 即将 被测物 置于 金属屏 蔽盒 内,接 上测 量线。
  • 利曼中国直流电弧光谱仪技术交流会(湖南株洲站)完美闭幕
    利曼中国湖南株洲直流电弧光谱仪技术交流会完美闭幕2011年10月27、28日,利曼中国在湖南株洲举行了直流电弧光谱仪的技术交流会。中南大学粉末研究所、西北有色院,河北地矿,宝钢分析测试中心等单位专家参加了此次交流活动。美国利曼总部的 Dr.Maura Rury 博士和株洲硬质合金直流电弧专家颜晓华工程师分别介绍直流电弧最新技术进展、方法开发以及在高纯钨、高纯氧化钨的应用分析,以及在其它领域如高纯铜、高温镍合金、高纯钴、地质化探的独特应用,同时进行了相关样品的演示分析与方法测试验证。利曼Prodigy 直流电弧的独特性能及突出的微量及痕量元素分析能力得到了与会专家的高度评价, 相信该项将极大地推动固体直接分析技术的进步与发展。 (美国利曼总部Maura博士介绍直流电弧)(株洲硬质合金集团分析测试中心颜小华工程师介绍直流电弧应用)会议结束后大家一起参观了株洲硬质合金集团,株洲硬质合金目前是国内最大的硬质合金生产基地,其分析测试中心是目前国内第一家引进利曼直流电弧,安装调试成功,并且运用到日常分析的客户。 (与会代表实验室现场听利曼中国应用工程师王飞介绍直流电弧) Prodigy的技术特点和应用潜力,引发了与会嘉宾的浓厚兴趣,多位嘉宾与利曼美国专家和株洲硬质合金分析测试中心实验专家进行了热烈的讨论,并对Prodigy直流电弧光谱仪表现出的性能做出了很高的评价,代表们已经提出和利曼公司展开技术合作,希望进一步拓展prodigy的应用深度和广度。利曼中国也希望以此为契机更好地为国内用户提供优质的服务及实验室解决方案!
  • AMETEK发布i-BEAM系列高性能双向回馈式程控直流电源系统
    AMETEK发布i-BEAM系列高性能双向回馈式程控直流电源系统阿美特克程控电源事业部近期发布了 Sorensen&trade 品牌i-BEAM系列产品,这是一款高性能、双向、回馈式、程控直流电源系统。i-BEAM系列产品具有完整的直流输出和回馈能力,单机功率最高可达650kW,并联系统功率最高可达1.3MW。电压范围可选80V、120V、300V、600V、800V和1000V;单机1000A时,可实现满功率输出。其可配置为单通道,双通道和四通道。i-BEAM系列产品具有直观的前面板触摸显示屏,用户能够轻松设置和监测输出参数、测量结果和系统配置。此外,其还提供多种通信控制选件,包括VNC以太网、Modbus、CAN、EtherCAT、Profibus DP、 Profinet、LabVIEW、Matlab和高速模拟量控制等。优势特性 单机功率:35KW-650KW,并联可达1.3MW 双向电压:80V/120V/300V/600V/800V/1000V 单通道电流:±200A/600A/1000A,并联达±4000A 通道数量:单通道,双通道和四通道 快速动态和高稳定性,电流上升时间1ms 可在电源和回馈模式无缝切换(控制精度:0.1%FS) 回馈效率达96% 15英寸彩色触摸显示屏,多国操作语言可选 短路电流(Icw<3kA) 专业的电池测试和电池模拟模式 高可靠性且经久耐用的组件(MTBF长达18万小时) 符合EN60204-1和ISO13849-1安全标准 IP20 防护等级(参考EN60529) 独特冷却设计,无需与后壁保持较远距离单通道型号和多通道型号产品i-BEAM系列产品是双向回馈式程控直流电源,可配置为单通道,双通道和四通道的系统。单通道型号产品支持能量输出和能量回馈,且可在电源和回馈模式无缝切换。多通道型号产品除了具有单通道型号产品的特性,还具有更多的优势特性。1. 多通道i-BEAM系列产品支持通道并联,可根据需求两两通道并联或全部通道并联。2. 多通道i-BEAM系列产品具有内部直流链路,可将电流从整流器传输到每个DC/DC转换器,支持通道间共享电能,在测试中减少电能损失。3. 多通道i-BEAM系列产品支持多个产品同时测试,任意通道的被测物生成的电能可直接回馈至直流链路,为其他通道提供电能,降低整体的交流负载峰值,提升了电能效率,提高了测试的灵活性。典型应用i-BEAM系列产品适用于高功率电子产品测试应用,如汽车、储能、电力电子和航空航天产品等,满足从前期研发(R&D)到设计验证和生产测试的整个产品生命周期的测试需求。 电池模拟 电池测试(充电/放电) 直流电机测试 动力系统测试 燃料电池负载测试 太阳能电池板模拟 大功率熔断器,接触器和断路器测试阿美特克程控电源事业部阿美特克程控电源事业部是模块化/机架式电源和数采设备的供应商,为航空航天、能源发电、工业制造和科研教育等领域客户提供高品质的电源和数采产品以及完善的电力电子解决方案,当前拥有品牌California Instruments, Sorensen, ELGAR, AMREL和VTI。阿美特克(纽交所代码:AME)是工业技术解决方案的优选供应商,服务于各种极具吸引力的利基市场,年销售额超过 70 亿美金。阿美特克增长模式整合了四大增长战略 — 优质运营、新产品开发、市场扩张、以及战略收购 — 并严格关注现金生成和资本部署。阿美特克的目标是在整个业务周期内实现每股收益两位数的百分比增长,并实现总资本的卓越回报。阿美特克成立于 1930 年,在纽约证券交易所上市已有 90 多年的历史,是标准普尔 500 指数的成分股之一。
  • 热烈祝贺利曼直流电弧光谱仪在中国地质科学院物化探所顺利安装调试
    中国地质科学院地球物理地球化学勘查研究院是国土资源部直属中国专门从事勘查地球物理地球化学应用技术研究中心,其技术中心为国家重点实验室,实力雄厚,技术一流,主要从事对地质土壤、矿产等的研究与分析,该研究院拥有一批经验丰富专家从事着地质复杂样品中无机元素含量的分析,他们采用早期的交流电弧光谱仪对土壤中的元素分析已有很多年,但由于早期电弧光谱仪存在着不能同时扣背景、无法记录样品全谱信息、结果处理繁琐等缺陷,而地质土壤样品存在导电性差、基体复杂、容易飞溅,样品含量较低等特点,这些复杂条件导致给这类样品分析方法制定带来了很多困难。 Leeman Labs公司新近推出的Prodigy直流电弧光谱仪继承了在光谱仪领域数十年的经验沉淀和技术积累,将直流电弧这项古老而又成熟的分析技术带入了全新的应用领域。 直流电弧光谱仪可直接对粉末状、线状和屑状样品进行分析,无须化学消解及稀释过程,克服了ICP、AAS样品消解的麻烦和缺点,尤其对于一些难熔物质更是具有独到的优势。对于氧化钨,碳化硅,陶瓷等复杂样品以及高纯金属分析,已经建立了很成熟的分析方法, 为复杂样品的分析提供了快捷方便的解决途径。 本次安装调试是利曼Prodigy 直流电弧在地矿领域的第一台仪器,在双方领导关注及技术人员努力下,顺利调试成功。仪器表现优异,灵敏度与稳定性远远超出技术中心专家的预计,尤其是仪器配置有先进的时序数据采集软件,更让专家们叹不绝口,它在方法开发过程起到很大作用,通过时序信号的采集,让不同元素采用不同曝光时间,提高检测信号,降低背景,灵敏度与稳定性达到理想的状态,分析结果用户非常满意,特别是土壤的分析,由于技术中心专家有着丰富经验,在缓冲剂、内标选择上有独到之处,结合仪器先进方法开发技术,让样品结果准确性与稳定性达到一个很高的水平,解决了ICP-MS,ICP,AAS等仪器无法解决的分析难题。
  • 热烈庆祝Prodigy直流电弧光谱仪荣获“2001~2011最具影响力的创新技术
    2012年10月16日,由德国慕尼黑国际博览集团和弗戈工业媒体 《实验与分析》杂志共同举办的&ldquo 感怀· 传承分析测试这十年&rdquo 暨&ldquo analytica China十周年盛典&rdquo 活动,于10月16日晚在上海卓美亚喜马拉雅酒店隆重举办。 过去的十年,是中国分析测试领域发展的黄金十年,中国分析测试行业的飞跃离不开技术的推动和产品的革新。为此,这次活动特设&ldquo 2001~2011最具影响力的创新技术产品奖&rdquo 。利曼中国Prodigy直流电弧光谱仪凭借其创新性及革命性的突破,一举获得&ldquo 光谱类创新技术产品奖&rdquo 。 Teledyne Leeman Labs推出的直流电弧光谱仪,以其快速准确等特点而备受青睐,特别是对于一些复杂或难以消解的高纯样品,如钨,铌,钽等,无论是在操作便捷性还是分析效率上均具有其它技术难以匹敌的优势。
  • 利曼Prodigy直流电弧光谱仪荣获“2009年度科学仪器优秀新产品”
    “2009年度科学仪器优秀新产品”评选活动由仪器信息网、中国仪器仪表行业协会、中国仪器仪表学会分析仪器分会共同主办,中国分析测试协会协办。期间,共有167家仪器厂家,370台分析仪器参选,通过40多位著名专家专业公正的评审后,利曼中国Prodigy DC Arc直流电弧光谱仪获得了2009年度光谱类科学仪器优秀新品奖。 Prodigy直流电弧光谱仪无需样品的消解和稀释过程,具有很高的灵敏度,是高纯金属分析的最佳解决方案,是固体材料疑难分析的最新手段,可分析碳化硅(SiC),高纯钨(W),高纯铜(Cu),镍等复杂样品。 利曼推出的Prodigy直流电弧光谱仪继承了光谱领域数十年的经验沉淀和技术积累,沿用了Prodigy高端ICP光谱仪最新科技成果,将直流电弧这项古老而又经典的分析技术带入了全新的应用领域额。
  • 崂应推出新型智能交直流电源
    由于便携式采样器、监测仪拥有体积小、重量轻等优点,越来越多的受到广大消费者和用户的青睐。但因现场环境的局限性,仪器供电设施变成了困扰用户的主要问题之一。“崂应9011J型 智能交直流电源”便是应对这一问题而推出的全新一代移动电源。 本款电源适用范围广泛,在形式上与其他同类产品形成差异化优势,不仅增加了电力监测模块及交直流逆变模块,并且在原有普通电源特点的基础上,新增了负载功耗等参数的实时监测、逆变输出AC220V电源等新功能;同时预留了级联输入接口,可实现多台电源的智能级联,延长供电时间。 新型电源秉承了锂电体积小、重量轻、容量大、自放电小、使用寿命长、安全可靠、环保、充放电次数多(1000次以上)等优点。其智能化设计,在电源电压低于安全值时,会自动断开输出,有效的保护电池。本款电源不仅造型美观,体积轻便,更在一定程度上具有防雨雪功能等优点。可以与环境监测仪器配套使用。 一经上市,便受到广大消费者及用户的青睐。
  • R&S推出全新LCX测试仪,强化高性能阻抗测量产品组合
    R&S LCX系列的LCR表能够用于传统的阻抗测量以及针对特定元件类型的专门测量,并提供研发所需的高精度以及生产测试和质量保证所需的高速度。用于高精度阻抗测量的R&S LCX LCR测量仪。   罗德与施瓦茨推出的新款高性能通用阻抗测试仪系列能够覆盖广泛的应用领域。R&S LCX支持的频率范围为4Hz至10 MHz,不仅适用于大多数传统家用电源的50或60 Hz频率以及飞机电源的400 Hz频率,还适用于从低频震动传感器到工作在几兆赫的高功率通信电路的所有设备。   对于选择合适的电容、电感、电阻和模拟滤波器来匹配设备应用的工程师来说,R&S LCX提供了市场领先的高精度阻抗测量。与此同时,LCX还支持以生产使用精度进行更高速度的质量控制和监控测量。测试方案包含生产环境所需的所有基本软件和硬件,包括远程控制和结果记录,仪器的机架安装,以及用于全系列测试的夹具。   R&S LCX使用的自动平衡电桥技术通过测量被测设备的交流电压和电流(包括相移)来支持传统的阻抗测量。然后用该数据来计算任何给定工作点的复阻抗。作为一种通用LCR测量仪,R&S LCX涵盖了许多应用,如测量电解电容和直流连接电容的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。   此外,除了全方位的阻抗测量之外,用户还可以测试变压器及测量直流电阻。为了研究元件的阻抗值在不同频率和电平下的变化,选配装置R&S LCX-K106能支持以频率、电压或电流作为扫描参数,进行动态阻抗测量。   R&S LCX系列推出两个型号:R&S LCX100的频率范围为4 Hz至300 kHz,R&S LCX200的基本配置频率范围为4 Hz至500 kHz,可选配覆盖高达 10 MHz 所有频率的选件。两种型号均配备出色的测量速度、精度和多种测量功能。包括:配备大型电容式触摸屏和虚拟键盘,支持所有主要测量工作的点击测试操作。   用户也可以使用旋钮设置电压、电流和频率值。不常用的功能则可以使用菜单操作。设置、结果和统计数据可以显示在屏幕上,还能导出以便进行自动后处理。用户最多可选择四个测量值并绘制成时间曲线,将最大值和最小值显示在屏幕上,一目了然地进行通过/失败分析。   罗德与施瓦茨的子公司Zurich Instruments AG生产的MFIA阻抗分析仪作为R&S LCX的完美补充,能够支持更多材料的阻抗研究。通过MFIA,研究人员可以表征半导体或进行材料研究,范围包括绝缘体、压电材料、陶瓷和复合材料,组织阻抗分析、细胞生长、食品研究、微流体和可穿戴传感器。
  • 绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?
    绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数? 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器,如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作,将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199,既只为三位数且di一位数为1 时,其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时,不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时,即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源? 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容,这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值,如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大,测试电压越高时,电容器所储藏的电能越大,更容易损坏仪器,特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏,仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳? 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流,有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律,所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题,而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好,对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大? 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流,而仪器有一定内阻,若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高,所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时,读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源? 这是因为机内的电容器充有很高的电压(zui高电压达1200V以上),这些电容器的所带的电能保持较长的时间,如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源,则会将机内的高压电容器很快放电,不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档,虽然断了电源,但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压,将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击,要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压? 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压,无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流,这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的(分布)电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低,当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压,在确保被测量物体不会因电压过高击穿时,要先将量程开关拨到104档后关闭电源,再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的,即电压与电流是不符合欧姆定律,有改变电压时由于电流不是线性变化,所以测量的电阻也会变化。
  • CHAdeMO协会:2019日本标准充电桩测试推荐使用德国Comemso产品
    德国Comemso科尼绍日标Chademo充电桩分析测试仪(日标电动汽车充电模拟器) 日本标准CHAdeMO电动汽车在减少交通运输行业的温室效应气体、稳定能源供给等方面发挥着巨大的作用,全球对此寄与厚望。电动汽车的发展与普及过程中,其配置的充电电池极其重要。 日本电动汽车快速充电器协会CHAdeMO是一个推动电动汽车快速充电器实现国际标准化的组织,包括全球著名汽车制造商丰田汽车公司、日产汽车公司在内,已经有超过270家的来自世界各地的汽车制造商、充电器制造商等企事业团体加入成为其会员。要实现电动汽车的普及,除了电池的性能良好、敏感度降低等方面,充电基础设施的配置也很重要。本协会所推荐的快速充电方式(CHAdeMO协议)面向所有类型的汽车,能针对其各自的特性实现最优快速充电方法,因此,对于合理投资充电基础设施起了巨大作用。已有为数不少的汽车公司及充电器制造商采用了CHAdeMO协议,而向国际标准化组织递交提案业已正在进行中。今后,为成为官方的国际标准,CHAdeMO协会将力求实现和相关的企业、团体超越各自的领域范畴与利益关系紧密合作、互相配合,改进技术,解决难点。日标充电测试仪制造商面临的电子移动发展给汽车和充电系统带来新的挑战。chademo描述了相对较新的标准直流充电要求系统、波形和通信用于控制充电过程。这个电动汽车与充电系统的结合从不同的制造商可以导致不同的系统公差和干扰影响。由于充电过程长且不同互动充电故障的原因很难掌握。Comemso Chademo分析仪/模拟器,在整个充电期间测量并验证通信和负载电路是否符合标准,并记录所有偏差。这样不仅可以识别充电失败的原因,而且可以显示和可视化事件的因果关系。此外,还提供了完整的电动汽车模拟或充电器模拟。半自动测试和全自动测试库以及故障注入和健壮性测试可用于客户选择。EV充电分析仪用于新能源电动汽车充电过程的分析与评价 符合交流AC标准:IEC61851-1,SAEJ1772和GB/T18487.1-2015符合直流DC标准: IEC 61851-1, DIN 70121, ISO 15118, SAE J1772 和IEC 61851-23.通讯协议分析标准:GB/T27930-2011和GB/T27930-2015标准 电动汽车的发展为汽车和充电系统制造商带来了新的挑战。由于230V交流电源分布普遍,新能源电动汽车的导电充电系统得到广泛应用。相关各种新的标准IEC 61851-1,DIN 70121,ISO 15118、 SAE J1772描述了欧洲和美国交流和直流充电系统的要求,同时中国GB/T也对充电系统和协议进行了规范和要求;充电回路波形以及充电过程的控制信号提出了各自的表述和要求。 随着电动汽车与充电设施的不断开发与更新,不同的电动汽车和充电桩之前可能会出现系统的相容性问题以及难以避免的干扰问题。同时,由于充电过程耗时相对较长,充电中断等情况的原因往往很难直接找到。 科尼绍ComemsoEV充电分析仪/模拟器,通过对充电过程中控制信号和负载回路的监测与评价,为充电中各种问题的分析和解决提供有效的途径。 德国科尼绍集团Comemso位于德国斯图加特企业工业中心,是戴姆勒和宝马等知名车企的重要合作伙伴,客户遍布世界知名新能源汽车企业。在多年以前已经掌握和引领汽车充电检测技术的发展,为汽车充电检仿真测试提供全套解决方案和硬件支持。在中国,富瑞博国际与德国科尼绍集团深度合作,负责国内新能源汽车行业的所有销售工作。科尼绍Comemso EV充电分析仪/模拟器设备,是面向新能源领域充电桩/电动汽车的一款优秀检测设备,不仅可以模拟车、模拟桩,也可以设置在车与桩之间进行监测,同时又具备机架式和便携式两种产品类型。该设备,在欧洲/北美早已作为充电测试首选,国际知名整车厂如宝马、奔驰、奥迪、福特等和充电桩设备制造商有广泛的使用。 产品优势:* 可同时提供实验室专用机架式和用于室外使用的便携式* 充电回路、CP控制信号、PLC信号同时解析* 长时间无损数据分析* 满足IEC、DIN 、SAE、ISO 、GB/T等全球各种标准的测试需求* 应对全世界范围内的各种插头和接口 符合各种标准的充电分析仪符合交流AC标准:IEC61851-1,SAEJ1772和GB/T18487.1-2015符合直流DC标准:IEC 61851-1, DIN 70121, ISO 15118, SAE J1772 和IEC 61851-23.通讯协议分析标准:GB/T27930-2011和GB/T27930-2015WPT无线充电标准:JSON (SAE J2954) 产品应用1、车辆开发企业(1)使用EVCA模拟充电桩, 根据自己的厂内标准,模拟异常信号, 设计出比国标要求更严格的电动汽车以符合市场上所有的充电桩(2)使用EVCA对电动汽车进行是否符合当地标准的检测(3)使用EVCA搭配电动汽车/充电桩实现充电过程的全称检测2、充电桩设备企业(1)使用EVCA模拟充电桩, 根据自己的厂内标准,模拟异常信号, 设计出比国标要求更严格的电动汽车以符合市场上所有的充电桩(2)使用EVCA对电动汽车进行是否符合当地标准的检测(3)使用EVCA搭配电动汽车/充电桩实现充电过程的全称检测3、第三方检测机构(1)使用EVCA对充电桩是否符合当地标准进行检测(2)使用EVCA发现充电过程中的不良问题,并对送检 单位提出改善的意见以及改善方法 测量* 测量和检查时间* 测量直流电压和直流电流* 测量直流触点的温度* 测量辅助电压和电流* 测量CC1和CC2电压* 测量CAN循环时间:- 循环时间的好坏统计* 测量CAN信号质量:- 显性和隐性水平的电压 应用* 检测充电状态* 验证状态变化* 检测停止事件* 检测干扰* 检查直流电压/直流电流值* 检查辅助电压/电流值* 将信号与传达的值进行比较* 检测充电问题的原因* 检测安全问题(触点温度过高,电压和电流峰值,缺少焊接检查等)* 电动汽车的全面模拟* 充分模拟充电器* 测试库* 稳健性测试* 故障注入的其他硬件* 可用的不同电源和负载,用于控制装配到充电过程。可根据要求整合客户的电源和负载。* 坚固的外壳,适合户外移动使用- IP67;用于现场应用或实验室用途。 充电过程解析AC充电全过程中进行实时测试分析:测试结果1. 电流电压解析2. 控制信号解析3. 电流电压/控制信号在同一时间轴上解析4. EVCA模拟电动车/充电桩功能5. 通过CAN进行远程控制完全模拟电动汽车内部回路,手动控制相应部件,看充电桩能否正常动作模拟充电桩,手动模拟错误信息(电流,电压,控制信号,占空比),看电动汽车能否正常动作DC快速充电过程中进行实时测试分析:检测并验证充电状态,时序和CAN统计数据。 1. 通过图表表示出充电状态的变化2. 实时显示CAN信号,电压电流值3. 出现异常时,在CAN信号中标示出来4. 可以生产测试报告,提示是否通过或做出错误标记 其它辅助功能: 交直流电源;模拟连接器; EVSE测试数据库 快速自动验证EVSE的电气标准符合性。该库可用于现场操作,以便轻松查找EVSE错误,或在EVSE开发过程中进行验证或回归测试。多种测试和测量选择:* CP 端: 创建不同的 CP 值和错误 (开路,短路,二极管旁路,标称/最大/最小.R2/ R3 电阻等)* SLAC 端: 检查时间并创建切换* PLC 端: 创建通信超时, 创建 EV-Sim的不同消息内容。充电全过程:- 检查 IEC 61851-23 附录 CC 和 SAE J1772 时序合规性- 创建充电配置文件 高达350KWEV/EVSE模拟器完全可扩展的测试应用程序,具有全球所有可能的充电标准.
  • 材料变温电阻特性测试仪
    成果名称材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介:本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计,采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度,样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连,数据采集迅速准确;用户界面直观友好,能极大方便用户的使用。主要技术参数:一、信号源模式:大电流模式;小电流模式;脉冲电流模式。二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。三、电阻测量精度: ± 0.1%FS。四、变温范围:液氮温度~900 ℃。五、温度测量精度:热电阻0.1%± 0.1℃;热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源:220 VAC。七、额定功率:500W。八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。应用前景:本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。知识产权及项目获奖情况:本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术,曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。
  • 【实验室动态】QD中国北京实验室引进完全无液氦综合物性测量系统 Dynacool样机
    只争朝夕,不负韶华,翻开2020年新的篇章,为满足国内日益增长的测试需求,更好的为广大科研工作者服务,Quantum Design中国子公司北京总部的样机实验室迎来了一个崭新而又熟悉的伙伴—PPMS DynaCool无液氦综合物性测量系统。 此次引进的DynaCool样机拥有9T的强磁场和1.9K-400K的变温环境,同时配备了常用的电学、磁学、热学测量功能,并会在未来继续增加更丰富的测量选件。为方便大家了解PPMS DynaCool系统的功能以及之后的测试申请,我们将对此套PPMS DynaCool系统目前配备的选件及应用进行介绍: PPMS 直流电输运测量选件(DCR)直流电输运测量选件采用样品托设计,用标准4引线法测量样品的直流电阻,每次可同时测量三个样品,并能够针对每个通道的样品分别设定激励电流或大功率。能够在全温区全磁场范围内测量?10 μΩ - 5 MΩ的材料电阻。 直流电输运选件测量的NbTi合金在不同磁场下的Tc相变点变化 振动样品磁强计选件(VSM) 与传统的电磁铁VSM相比,PPMS系统上的VSM在很多方面都更具优越性。先,PPMS系统选取了磁场方向与样品振动方向平行的VSM,与传统电磁铁中磁场方向垂直于样品振动方向的VSM相比,其测量精度大幅度提升。其次, PPMS系统的VSM采用线性电磁驱动马达,测量速率快、精度高且振动频率幅度连续可调,能在1秒内采集到灵敏度10-6emu的磁信号。后,得益于PPMS DynaCool系统磁体均匀度高、控温系统稳定的优势,也为VSM测量的度提供了良好的保障。室温环境下高度各向异性的FePt薄膜,面内扫场的磁滞回线 热学输运测量选件(TTO) 热输运测量选件(TTO)可同时连续地测量热传导系数、Seebeck系数(热电势)和交流电阻率,并由此得出热电性能指数(ZT)的指标。在高真空环境下,选件通过给样品施加方波脉冲加热功率,并记录其温度和电压响应来实现对样品热输运性能的连续测量。 进一步基于热电路模型的拟合算法从测量曲线中计算出样品的热导率和热功率,同时进行电阻测量。该选件可以在 PPMS提供的整个温度和磁场范围内自动计算样品ZT值。典型的热输运测量曲线图,包含热导率、Seebeck系数、电阻率以及通过计算得到的ZT值 比热测量选件(HC) 比热选件是一个基于样品托设计的微量热计,结合主机自带的高真空和磁场低温环境实现在全温度和磁场范围的样品比热容测量。通过脉冲热功率和温度迟豫响应建立的双τ模型能够准确拟合出被测样品的热容。该选件凭借简易而精致的实验设计方案获得了R&D100设计大奖。 NbTi合金在9K附近超导相变的比热测量曲线
  • 磁电阻特性测试仪
    成果名称磁电阻特性测试仪(EL MR系列)单位名称北京科大分析检验中心有限公司联系人王立锦联系邮箱13260325821@163.com成果成熟度□研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产合作方式□技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他成果简介:本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的,采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连,数据采集迅速准确;用户界面直观友好,极大地方便了用户的使用。MR-150型采用电磁铁产生强磁场,高精度名牌仪表采集数据,精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场,无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据,精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据,稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。MR-1型采用手动调节磁场和人工读数,适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。主要技术参数:一、系统控制主机:内含可1路可调恒流源(0.3mA~50mA)、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡;功耗50W。二、自动扫描电源:0~± 5A,扫描周期8~80s。三、亥姆霍兹线圈:0~± 160Gs。四、测量专用检波与放大电路技术参数:输入信号动态范围为± 30 dB;输出电平灵敏度为30mV / dB;,输出电流为8mA;转换速率为25 V /&mu s;相位测量范围为0~180° ;相位输出时转换速率为30MHz;响应时间为40 ns~500 ns;测量夹头间隔10mm。五、计算机为PC兼容机,Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。应用前景:本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中,取得良好的成效。知识产权及项目获奖情况:本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术,曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。
  • 14项电子行业标准报批,这些仪器大有可为
    p style="text-indent: 28px text-align: justify "span2020/span年span9/span月span17/span日,《半导体集成电路冲压型引线框架》等span14/span项行业标准已完成制修订工作,在标准批准发布之前,为进一步听取社会各界意见,工信部予以公示,截止日期span2020/span年span10/span月span23/span日。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "本次报批标准中明确提到的检测仪器就多达二十多种,如显微镜、spanX-RAY/span测厚仪、绝缘电阻测试仪、亮度计、分析天平等,此外标准还涉及多种其他类型的仪器设备和耗材,还有许多参数测试虽未明确指定检测设备,但也必然涉及多种仪器。随着标准的报批和发布,相关的检测仪器也将迎来巨大市场机遇。/pp style="text-indent: 28px text-align: justify "span14/span项电子行业标准名称及主要仪器如下:/ptable border="0" cellspacing="0" cellpadding="0" style="border-collapse:collapse"theadtr style=" height:36px" class="firstRow"td width="125" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:center line-height:24px"strongspan style=" font-family:仿宋_GB2312"标准号/span/strong/p/tdtd width="236" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:center line-height:24px"strongspan style=" font-family:仿宋_GB2312"标准名称/span/strong/p/tdtd width="250" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:center line-height:24px"strongspan style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"主要检测仪器/span/strong/p/td/tr/theadtbodytr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11773-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"半导体集成电路冲压型引线框架/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"工具显微镜、变焦显微镜、投影测量仪、螺旋测微器、多功能试验仪、键合强度试验仪/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11774-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"集成电路引线框架电镀银层技术规范/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"光亮度仪、spanX-RAY/span测厚仪、光学显微镜等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11775-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"半导体材料多线切割机/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"千分表等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11776-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"谐波保护器/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"绝缘电阻测试仪、高频电流信号发生器等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11457.1.3-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"波导型介电谐振器 第span1-3/span部分:综合性信息和试验条件span-/span微波频段介电谐振器材料复相对介电常数的测量方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"合成扫频振荡器、检波器、网络分析仪、温度控制箱等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11457.1.4-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"波导型介电谐振器 第span1-4/span部分:综合性信息和试验条件span-/span毫米波频段介电谐振器材料复相对介电常数的测量方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"矢量网络分析仪、基准蓝宝/span/pp style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"石谐振器等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11460.3.3.1-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"液晶显示用背光组件 第span3-3-1/span部分:电视接收机用直下式spanLED/span背光组件详细规范/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"亮度计或光度计等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11777-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"半导体管特性图示仪校准仪技术要求和测量方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"数字多用表、微欧计、静电计、脉冲专用数字化仪、高压表等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11778-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"便携式家用电器用锂离子电池和电池组 安全要求/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"---/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 11779-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"印制电路用导热型涂树脂铜箔/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"---/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 2660-2022/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"锡焊用助焊剂试验方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"冷冻箱、烘箱、电子分析天平、玻璃温度计、悬浮式密度计、千分尺、显微镜、高阻仪、电阻仪等/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 10551-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"电子陶瓷用三氧化二铝中杂质的发射光谱分析方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"中型摄谱仪、直流电弧发生器、测微光度计、映谱仪、分析天平、高温炉、秒表、烘箱/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 10553-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"电子陶瓷用二氧化锆中杂质的发射光谱分析方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"中型摄谱仪、直流电弧发生器、测微光度计、映谱仪、分析天平、秒表、马弗炉、烘箱/span/p/td/trtr style=" height:36px"td width="125" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family:仿宋_GB2312 color:black"SJ/T 10552-2020/span/p/tdtd width="251" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"电子陶瓷用二氧化钛中杂质的发射光谱分析方法/span/p/tdtd width="250" valign="top" style="border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height="36"p style="text-align:left vertical-align:middle"span style=" font-family: 仿宋_GB2312 color:black"中型摄谱仪、直流电弧发生器、测微光度计、映谱仪、分析天平、秒表、马弗炉、烘箱/span/p/td/tr/tbody/tablep style="text-align: center "br//p
  • 【技术指导】油介损及体积电阻率测定仪的油杯三种清洗方法及常见故障
    油介损及体积电阻率测定仪油杯清洗方法、常见故障A1170技术指导产品介绍产品名称:油介损及体积电阻率测定仪产品型号:A1170概 述:油介损及体积电阻率测定仪用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率,包括变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。适应标准:GB/T5654油杯三种清洗方法测量前,应对油杯进行清洗,这一步骤非常重要。因为绝缘油对极微小的污染都有极为敏感的反应。因此必须严格按照下述方法要点进行。方法一:⑴ 完全拆卸油杯电极;⑵ 用中性擦皂或洗涤剂清洗。磨料颗粒和磨擦动作不应损伤电极表面;⑶ 用清水将电极清洗几次;⑷ 用无水酒精浸泡各零件;⑸ 电极清洗后,要用丝绸类织物将电极各部件的表面擦拭干净,并注意将零件放置在清洁的容器内,不要使其表面受灰尘及潮气的污染;⑹ 将各零部件放入100℃左右的烘箱内,将其烘干。有时由于油样很多,所以在测试中往往会一个接一个油样进行测试。此时电极的清洗可简化。具体做法如下:⑴ 将仪器关闭,将整个油杯都从加热器中拿出,同时将内电极从油杯中取出;⑵ 将油杯中的油倒入废油容器内,用新油样冲洗油杯几次;⑶ 装入新油样;⑷ 用新油样冲洗油杯内电极几次,然后将内电极装入油杯。这种以油洗油的方式可大大提高了测量速度,但如遇到特别脏的油样或长时间不用时,应使用方法一。方法二:⑴ 将电极杯拆开(参见油杯示意图)。⑵ 用化学纯的石油醚和苯彻底清洗油杯的所有部件。⑶ 用丙酮再次清洗油杯,然后用中性洗涤剂漂洗干净。⑷ 用5%的磷酸钠蒸馏水溶液煮沸5分钟,然后,用蒸馏水洗几次。⑸ 用蒸馏水将所有部件清洗几次。⑹ 将部件在温度为105~110℃的烘箱中,烘干60~90分钟。⑺ 各部件洗净后,待温度降至常温时将其组装好。方法三:超声波清洗方法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件。⑶ 在超声波清洗器中用肥皂水将所有部件振荡20分钟;取出部件,有自来水及蒸馏水清洗;在用蒸馏水振荡20分钟。方法四:溶剂清洗法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件,更换二次溶剂。⑶ 先用丙酮,再用自来水洗涤所有部件。接着用蒸馏水清洗。⑷ 将部件在温度为105~110℃的烘箱中,烘干60~90分钟。 当试验一组同类没有使用过的液体样品时,只要上次试验过的样品的性能优于待测油的规定值,可使用同一个电极杯而无需中间清洗。如果试验过的前一样品的性能值劣于待测油的规定值,则在做下一个试验之前必须清洗电极杯。常见故障1、屏幕显示“电极杯短路”答:首先查看内电极与外电极的定位槽是否对准,再检查“内电极”安装是否有松动。2、屏幕显示“请进行【空杯校准】”答:空杯电容值不在60±5pF的范围内的时候,需要空杯校准;①油杯的内外电极未放好或内电极未组装好,有放电现象;②油杯不干净,在内外电极之间有杂质需要进行清洗 。3、蜂鸣器响5声后仪器返回到开机界面。答:①检查空杯电容值是否在60±5pF范围之内,②检查油杯是否放 好,有无放电现象。4、在做直流电阻率时,电化60秒时间不变化。答:检查仪器的时钟是否在运转,调整时钟。5、被设电压参数个位显示不为零时,怎么办?答:用【减小】键使被设电压值变为最小,再用【增加】键调整即可。
  • 小菲课堂|如何挑选高性价比的钳形表?
    在电工师傅的日常工作中,钳形表算是一款“出场率”非常高的电气测试工具了。其是检测运行中交流电路电流最常用的一种仪表,因为在测量时不用断开被测量电路,所以使用起来很方便。那么,你知道如何挑选最适合自己的钳形表吗?钳形表的优势和用途大多数钳形表都具有数字万用表(DMM)的一线电气诊断测试功能,也可以连接到电路,使用测试引线测量电压、电流、频率、电容、温度和电阻(以及连续的测试电路中以查看电路中是否有故障或缺失等)。它还多一套专用的各种尺寸的弹簧式钳口,可以夹在电线或母线周围,以进行非侵入式电流测量。钳形表通常测量常见的交流和直流电流。测量交流电的钳形表主要用于公共用电,测量直流电的钳形表主要用于测量工业的交直流转换电动机,还有测量电池直流供电源,以及测量电动汽车系统使用的直流电源和测量太阳能阵列直流电池。虽然万用表可以使用测试引线获得高达10A的接触式安培读数,但钳形表可以在高达3000A的范围内提供更安全、无损的电流读数。有一些钳形表是单一用途的纯电流表,用其他功能换取更小的钳口、更高分辨率的读数、更高的灵敏度和整体紧凑的袖珍型设计。其他的钳形表还会有一个“柔性夹”柔性环代替钳口。长而柔韧的环可以手动缠绕在机柜中拥挤的电缆周围,而使用刚性钳口可能很难接近。柔性钳形表可轻松缠绕电线或母线还有一些高质量的钳形表,可为更具挑战性的工作提供更好的精度,“真等效有效值”(均方根)钳位可以在电流波形为正弦波或非正弦波的情况下测得更为精确的等效直流有效值。当导线捆绑在一起时,导线间的由于电流的感应耦合会导致杂散(或“重影”)电压,导致读数不准确,使用“LoZ”模式可以消除误差。工业现场如果使用变频器驱动的设备(VFDs),可以使用低通滤波模式“Lo-Pass”来改善测量精度。部分型号的钳形表还使用内置的指向式非接触式红外测温仪测量温度(点温枪)。也有些使用双热电偶输入来计算温差(“Δ-T”),这对于暖通空调/制冷工程的工作是必不可少的。双热电偶探头输入提供对Δ-T的一键访问带蓝牙或METERLiNK的高级钳形表甚至可以通过远程查看应用程序,将读数流式传输到移动设备,以实现更安全的远程监控。钳形表的应用场景首先,检查钳形表的过电压类别标称(简称“CAT”),看看它可以在哪里使用。CAT II 仪表可用于插入式设备和电器,而CAT III 仪表可用于建筑物内的固定布线。最稳固的类别,CAT IV,用于公用事业公司的服务面板和低压户外布线。为了安全起见,应始终考虑潜在的工作需求,并选择最佳CAT标称评级。钳形表可以测量电路布线和设备上的电流负载,包括电机、泵、照明、传感器和开关等。从DIY工具箱到工业维护工具车,它们随处可见。内置工作灯照亮黑暗的作业现场在日常生活,钳形表的应用非常普遍,比如一般人会用它来检测汽车电气、家用电器、照明和房屋周围的电线;电气承包商将它用于新的安装和维修;暖通空调和制冷技术人员使用它来测试系统中的电气组件;在工业厂房中,预测性维护技术人员使用它特殊的钳口来确保设备继续工作。你还能想到哪些应用场景呢?欢迎来补充~如何挑选合适的钳形表?如何选择功能最符合您工作需求的钳形表?首先要明确您的第一需求,不同钳形表可满足的不一样的工作需求。比如真有效值600 A光伏钳形表——FLIR CM65,其能快速连接MC4测试引线,使测量太阳能电板组和逆变器上的直流电压更安全、更准确、更容易执行;FLIR CM57-2柔性钳形表,是一款专门针对复杂的电流测量而设计,是成束导线测量和满足双绕要求导线的理想选择。菲力尔还有多款高品质钳形表,你最需要哪一款呢?FLIR CM65FLIR CM57-2菲力尔的各款钳形表功能强大,能搞定绝大部分测量非接触式测量安全可靠除了一些基本功能不同型号的产品还有不一样的侧重点
  • 我国首次主导修订2项电磁实验室测量领域IEC国际标准发布
    国际电工委员会(IEC)正式发布2项IEC标准《IEC60477-1:2022实验室电阻第1部分:实验室直流电阻》和《IEC60477-2:2022实验室电阻第2部分:实验室交流电阻》,这两项标准由中国电科院主导修订,是我国首次主导修订的电磁实验室测量领域IEC国际标准。据了解,旧版标准上次修订时间还是1997年,其技术内容在适用范围、技术要求、安全要求等方面已无法覆盖当前领域内最新技术成果,影响了标准的适用性。2019年4月,电气和电磁量测量设备技术委员会(IECTC85)正式立项标准修订项目,成立标准维护工作组(MT25)负责具体修订工作,中国电科院专家担任标准工作组召集人,牵头开展标准修订工作。新版标准重点对术语定义、电阻器准确度等级、安全要求、交流电阻器频率范围等方面内容进行了修订。针对旧版标准中不同等级的电阻器采用不同参数作为基本定级参考的问题,区分了准确度、稳定性、AC/DC差要求;在高压高阻装置方面增加了技术、温度系数的要求;增加了交流电阻器结构和三元件等效方法。新增技术内容覆盖了当前领域内最新技术成果,提高了标准适用性,为交流电阻器的宽频带使用提供指导。新版标准的发布将为世界各地实验室电阻器制造商和使用者提供统一的规范与指导,有利于保障各个国家实验室用电阻器的准确一致与稳定可靠,促进计量互认,有力提升我国在电阻制造与电磁计量领域的国际影响力和话语权。
  • 低压直流细胞电穿孔微流芯片系统
    成果名称低压直流细胞电穿孔微流芯片系统单位名称北京大学联系人马靖联系邮箱mj@labpku.com成果成熟度□研发阶段 &radic 原理样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产成果简介:电穿孔(电转染)是一种利用外加电场击穿细胞膜,使平时不能穿透细胞膜的大分子(核酸、蛋白质、药物等)进入细胞的技术。电穿孔技术已在细胞实验、基因治疗等领域广泛应用。但目前的技术均需要金属电极,金属电极产生的金属离子渗出、气泡等对细胞有不利影响,降低了转染效率。此外,高压脉冲电源的使用使得目前此类仪器操作复杂、价格居高不下。这些都大大限制了电穿孔技术的广泛应用。针对上述问题,北京大学工学院熊春阳课题组采用微流芯片技术,实现一种不需要微电极,仅利用简单低压直流电源即可实现的细胞电穿孔技术。这一技术将大大降低仪器制造成本,简化操作流程,并可以进一步发展为高通量、高效率的细胞电转染系统。2009年,熊春阳副教授申请的&ldquo 低压直流细胞电穿孔微流芯片系统&rdquo 项目得到了第二期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的支持。课题组利用微流体中因尺度效应而产生的层流,用高电导率的液体来代替电极,将细胞悬浮液通过流动聚焦技术夹在高电导率溶液之间,形成三个平行流动的稳定流层。通过将电极与两侧的高电导率溶液相连,再与直流电源相连,电压会大部分施加在中间电阻较大的细胞流层。由于微流尺度较小,即使很低的电压都可产生较大的场强,从而可以实现细胞电穿孔。这项工作在基金的支持下得以顺利的推进,通过相关设备的购置和实验测试,课题组完成了微流控芯片的设计和加工、液体导电层的引入、不同类型细胞电转染参数的优化等工作。该项目目前已经顺利结题,相关成果已经申请中国专利,正在申请国际专利。应用前景:该项目实现一种不需要微电极,仅利用简单低压直流电源即可实现的细胞电穿孔技术。这一技术将大大降低仪器制造成本,简化操作流程,并可以进一步发展为高通量、高效率的细胞电转染系统。由于课题组具有完全的自主知识产权,这一工作可以打破目前国外同类仪器建立的技术壁垒,具备较强的市场推广前景。
  • 优利德【测试仪器】新品上市,助力产业创新发展
    从“重点关注电子测量仪器等重大科学仪器设备”到“加大基础电子产业研发创新支持力度”,近年来,测试仪器行业政策逐渐转变,测试仪器俨然成为促进产业转型升级和培育壮大经济发展的新动能。为进一步推动科学技术进步和经济社会发展,优利德发挥在行业测量领域的优势,面向科技前沿、先进制造、生命科学、新兴产业等重大应用场景,推出了多个新产品,为各领域的测试测量工作提供精确可靠的助力。01 UTL8500+系列可编程直流电子负载UTL8500+系列可编程直流电子负载具备500kHz的高速同步采样,高性能的DSP处理以及0.1mV/0.01mA的高分辨率。15种测试模式,能满足大部分的研发及测试需要。● 测量范围150V/30A/300W● 0.1mV/0.01mA高分辨率● CC、CV、CR、CP四种定态模式● 支持自动列表测试● 动态模式,50kHz的方波拉载● 标配RS-232接口,支持SCPI协议02 UTR2830E系列LCR数字电桥UTR2830E系列LCR数字电桥采用4.3英寸TFT-LCD显示屏,可支持双/四参数同时显示,测试频率20Hz~200kHz,全数字键盘,搭配实时操作系统,操作更简便。0.05%的基本精度,比较器支持10档分选,测试更可靠。可满足生产线质量保证、进货检验及自动化生产、实验室测试的需求。● 高达200kHz测试频率● 基本精度0.05%● 最高测试速度12.5ms/次● 内部、手动、外部、总线4种触发方式● DCR功能● 接口RS-232、Handler、USB Host、USB Device、LAN
  • 2014中国(成都)电子展仪器仪表展区聚焦航空航天测试技术
    2014年中国(成都)电子展(www.icef.com.cn/summer )将于7月10-12日在成都世纪城新国际会展中心召开。本届展会由中国电子器材总公司、成都市经济和信息化委员会、成都市博览局共同承办。展会展示电子元器件、电源/电池、集成电路、嵌入式系统、电子材料、电子制造设备、电子工具、电子测量仪器及工控自动化系统、安全与电磁兼容测试仪器及系统、防静电产品、物联网、消费电子等产品。展览面积达25000平方米,可谓西部电子第一大展。  其中,中国(成都)电子展--仪器仪表展区,今年依然秉承了优势展区的传统,定位在高端电子及通信测量仪器、电工仪器、光学仪器这三类,EMC、防静电检测和环境实验仪器也随着西部市场的强大需求而涌现。本届仪器仪表展区仪器仪表展商近100家。电子仪器界的领军企业纷至沓来,如德国罗德与施瓦茨公司、日本横河、台湾固纬、泛华测控、北京信测、普源精电、艾德克斯电子、成都天大仪器设备有限公司、成都前锋电子仪器、常州市同惠、苏州泰思特、优利德科技等,他们都带着各自的最新产品,准备抢占新一轮西部市场大开发的制高点。  &ldquo 第二十届国际电子测试与测量专业研讨会&mdash &mdash 聚焦航空航天测控技术新发展&rdquo 是今年成都电子展的一大亮点。从航空电子设备到通用航空飞行器,从神舟系列载人航天工程到嫦娥系列探月工程,中国的航空航天事业在不断的探索中前进,取得了许多令人瞩目的成就。&ldquo 十二五&rdquo 规划中,列出了需要着力推动实施的一批关键领域重点项目,包括航空发动机、航空电子系统、卫星通信应用、卫星导航等领域,对航空航天测试技术的发展带来了挑战。本次研讨会由中国电子学会电子测量与仪器分会和中国电子展组委会联合主办,在航空航天测控领域拥有独一无二的影响力,届时将邀请来自国内外企业、研究院所的工程技术人员、航空航天类院校的专家、学者进行技术交流,分享航空航天测试经典案例,共同探讨航空航天最新测试技术、测试方法,以及边界扫描在航空航天测试中的最新应用等等。  (更多咨询:010-51662329-56/73 13811460483 官方微博:中国电子展仪器展区 )  名企赏鉴:  罗德与施瓦茨公司作为一家独立的国际性电子公司,是测试与测量,广播电视,安全通信,以及无线电监测与定位领域的领先解决方案提供商。  日本横河主要产品涵盖YOKOGAWA示波器、示波记录仪、数字功率计、光通讯类、记录类及现场在线类测试仪表,是多方位综合通用仪器销售公司和全方位科技公司。  泛华致力于发展专业测控技术,为各行业用户提供高品质的测试测量解决方案和成套的检测设备。2011年公司再次通过了ISO9001:2008质量体系认证,并且具有国家级高新技术企业、航空航天产业联盟单位、保密资格认证委员会三级保密资格认证。  固纬电子产品包括数字及模拟示波器、频谱分析仪、信号源、电源系列及电子负载、基本量测仪器、环境试验设备、电池测试系统、自动测试系统(ATE)等300多种 经过近40年不断创新,固纬电子已成为全球专业仪器生产商之一。  北京信测是专业电磁兼容测试测量设备供应商,提供完善的电磁兼容测试测量解决方案,测试满足民用及军用标准,应用涵盖信息通信、工业、科学、医疗设备、家用电器电动工具、电气照明、电力、电能表、汽车电子、车辆、船舶、航空航天等。  艾德克斯电子( ITECH ) 为美国第四大仪器公司B K-Precision 集团成员, 拥有独立研发机构和巨大的技术优势,一流的制造工厂以及与国际知名公司的紧密的技术交流合作,公司致力于电源及电源测试领域的研究, 研究出一系列高性能自动测试系统,电源和电子负载等大功率电子测试仪器,广泛应用于各个领域。  普源精电是从事测试测量仪器研发、生产和服务的国家级高新技术企业。目前已有专利400余件,其中70%以上是发明专利。RIGOL坚持自主创新,现已研发并生产了8大系列、数十种产品。包括数字示波器、频谱分析仪、射频信号源、函数/任意波形发生器、数字万用表、可编程线性直流电源、高效液相分析仪系统和紫外-可见分光光度计。公司拥有所有产品的全部核心知识产权,以自主品牌行销全球超过60多个国家和地区。  常州同惠集研发、制造、市场营销于一体的民营高科技企业,&ldquo 同惠&rdquo 已成为国内电子仪器行业的知名品牌。主要产品有:数字存储示波器、台式数字万用表、电子元件参数测试仪器 变压器、电机测试仪器 线材测试仪 直流电阻类测试仪器 高、低频毫伏表 电声响器件测试仪器等。  附:关于2014中国(成都)电子展(CEF)  时间:2014年7月10-12日  地点:成都世纪城新国际会展中心  主题:展示面向工业和军工应用的电子技术解决方案  了解更多:立即登陆www.iCEF.com.cn  展区设置:  电子元器件:元器件、测试测量、工具、电子制造设备、印刷线路板、元器件分销、半导体集成电路  电子信息技术应用:物联网、车联网、云计算、汽车电子、智能家居、智慧城市、北斗系统及应用  信息消费:智能终端产品、通讯产品、IT类产品、电子游戏、网络游戏、动漫  同期活动:  第二十届国际电子测试与测量专业研讨会  第十八届电路保护与电磁兼容技术研讨会  印制电路技术交流会  雷达与火控、电子线路学术报告会  雷电防护与电磁脉冲技术交流会  SMT工艺技术巡回研讨会  2014中国(成都)国际物联网峰会  中国手机游戏高峰年会  第八届军工行业工艺技术研讨会  &ldquo 汽车电路测试趋势和未来发展方向&rdquo 专题研讨会
  • 国缆检测拟募投4大项目,列出超2亿元仪器购置清单
    2022年1月25日,上海国缆检测股份有限公司(简称“国缆检测”)首发申请获创业板上市委员会通过。据招股书显示,国缆检测拟公开发行人民币普通股不超过1,500.00万股,占发行后总股本的比例不低于25%;拟总募资约3亿元,用于超高压大容量试验及安全评估能力建设、高端装备用线缆检测能力建设、设立广东全资子公司、数字化检测能力建设4个项目,并列出了超2亿元的仪器设备购置清单。投资项目情况如下(单位:万元):序号项目名称预计总投资预计投入募资建设周期1超高压大容量试验及安全评估能力建设项目12,02012,0202年2高端装备用线缆检测能力建设项目9,9109,9102年3设立广东全资子公司项目4,0154,0152年4数字化检测能力建设项目4,4704,4703年合计30,41530,415-国缆检测表示,本次募集资金投资项目均围绕主营业务进行,契合公司经营发展战略,是对公司现有主营业务的发展巩固,与公司现有业务模式、核心技术高度关联。募投项目投产后,将进一步拓宽公司检测服务内容,提高研发能力和管理效率,满足检测服务创新需求,增强公司可持续发展能力和综合竞争力。1、超高压大容量试验及安全评估能力建设项目国缆检测针对超高压远距离输电的直流电缆、超高压海上风电电缆及电力设备大容量电缆系统其类似产品的检测、工程模拟试验及安全运行评估进行能力建设。该项目建设超高压大容量实验室,重点针对±800kV及以下的直流电缆、500kV交流海上和陆上用电缆系统的检测及评估能力,可实现全套的型式试验、预鉴定试验、现场试验以及一些工程模拟试验,尤其是针对海底电缆深水区透水试验、张力弯曲等关键项目的检测能力的优化升级。国缆检测为该项目的实施主体,项目建设期为2年,计划总投资12,020万元,其中:建筑工程费160万元,安装工程费381.44万元,设备购置费9,536万元,工程建设其它费用417.56万元,预备费525万元,铺底流动资金1,000万元。国缆检测预计,项目建成达产后可新增销售收入4,500万元/年,净利润1,513万元/年,全部投资回收期7.14年,内部收益率14.19%(税后)。该项目拟新购仪器设备40台/套,购置费为9,456万元。设备投资明细如下:序号设备名称台数单价/万元总价/万元一、高压大厅1高压直流发生器42501,000235kV电缆振荡波测试系统170703TDR定位系统180804高压直流电缆全尺寸空间电荷测量系统11501505高压直流电缆温度控制系统21202406高压直流电缆泄漏电流测量装置145457见证试验用监控仪59458接触电阻率测试仪(阻水带电阻)210209高电压试验高速成像仪1707010高压大厅串联谐振试验系统220040011手持式电动压钳23.006.0012大容量突发试验系统16,0006,00013金具大电流试验系统自动化432.513014交流电阻测试系统110010015直流大电流源212024016现场竣工试验系统1600600小计31-9,196二、露天试验场1复合缆测试工装130302大力值冲击试验机120203特高压导线用振动台(2台)220404消振试验线路工装330.00905大型高压电缆弯曲试验机130306海底电缆张力弯曲试验机15050小计9260总计40-9,4562、高端装备用线缆检测能力建设项目国缆检测针对航天航空、工业互联网、新能源等领域的高端装备用线缆特定要求,提升实验室检测能力。该项目将搭建高端装备用特种电缆检测技术服务平台,建设先进航空线缆检测实验室、通信线缆检测实验室及新能源线缆检测实验室等高端装备用电缆专项实验室,跟踪国际、国内电缆技术发展,加强新产品、新应用的测试技术研究,为电缆行业技术创新和重大工程国产化应用提供准确、真实的数据和服务。国缆检测为该项目的实施主体,项目建设期为2年,计划总投资9,910万元,其中:建筑工程费450万元,安装工程费293.64万元,设备购置费7,341万元,工程建设其它费用401.07万元,预备费424.29万元,铺底流动资金1,000万元。国缆检测预计,项目建成达产后可新增销售收入4,300万元/年,净利润1,368.34万元/年,全部投资回收期6.35年,内部收益率17.19%(税后)。该项目拟新购仪器设备358台/套,购置费为6,961万元。设备投资明细如下:序号设备名称台数单价/万元总价/万元一、航空航天线缆检测实验室1防尘IP试验箱110102循环盐雾箱130303结合温湿度变化的振动台(X/Y/Z三方 向)12002004振动/冲击装置14.54.55无线温湿度测试仪13.23.26连接器性能测试系统15005007高低温冲击箱230608300 °C高温烘箱2582009500 °C高温烘箱202040010微欧计(进口)1252511左右弯曲耐久性试验装置15512扭曲耐久性试验装置15513微细线直径及镀层厚度测试15514材料微观形貌和结构分析1150150小计58-1,597.7二、通信线缆检测实验室1不平衡衰减测试仪19.59.52滚筒跌落试验箱1663电磁半波暗室140040045G线缆测试配套系统1200205台式精密多模光源12.52.56便携式精密单模光源1227台式精密单模光源2248便携式精密光功率计32694通道单模功率计431210单模光纤插回损仪1441150多模光纤插回损仪14.54.51262.5多模光纤插回损仪14.54.513光缆振动舞动机1202014光缆机械性能成套设备(拉压卷)1808015电弧设备1505016加压浸水装置16617耐电痕实验系统1303018高压冲击试验装置的检定系统25010019高压电磁屏蔽室屏蔽效能的测量系统13030小计26-971三、新能源线缆实验室1热循环回路自动测控系统16304802零序大电流发生器8054003高压极端低温环境系统13003004振动试验线路拉力控制系统11201205大电流直流电阻测试仪228566红外温度成像仪140407紫外放电成像仪150508无纸记录仪4531359高速无纸记录仪542010卡尔费休水分测量仪15511绝缘电阻测试仪531512大截面分割导体夹具15513微孔杂质智能测试系统1505014库伦法镀层测厚仪13315导线扭力矩测试仪1101016磁粉无损检测探伤仪1202017绞线扭转试验15518绞线轴向冲击试验110010019绞线模拟雨林气候载流试验11120精密恒温油槽13321进口绝缘电阻测试仪15522电能质量测试仪2204023电缆制样装备4156024电缆安全性能分级及评估测试系统180080025标准电阻20.61.226锥形量热仪120020027风力发电用高端电缆耐扭设备35015028交联样品切片机251029200度烘箱12230削片机15531热老化试验箱3026032天平51.57.533测厚仪50.31.534汽车线刮磨机1303035负载试验柜1151536虹吸试验设备15537汽车线单根试验设备1303038投影仪251039自动绝缘结构测试仪110010040高压试验台2102041高精度微欧计1303042微欧计15543绝缘电阻仪24844绝缘电阻仪ZC90G11145恒温水槽441646大截面电阻测试仪夹具1202047卤酸试验设备13348碳黑试验设备13349ph电导率仪10.50.550FTT烟密度试验箱110010051透光率试验仪18852UL燃烧试验仪1101053高低温湿热试验箱3185454氙灯试验箱1202055净水器23656臭氧试验箱1101057氧弹试验箱251058曲挠试验机291859升温法软化击穿仪1202060盐水针孔试验仪10.60.661焊锡试验仪12262耐溶剂试验仪11163击穿电压仪1202064试验数据采集终端120020065半导电电阻率测试系统2102066大型电缆导线收放系统120020067工程用线束及电缆三相载流量测试系统及工装1303068温度、电磁场软件系统113613669工程服务用通勤车23570小计274-4,392.3总计358-6,9613、设立广东全资子公司项目国缆检测拟在广东设立全资子公司,用于专项实验室、接待、办公、样品仓库等能力建设,以解决公司现有南方市场需要长途运输,检测时间周期长,运输费用高的状况,以满足未来发展的需要。项目建成后,国缆检测将扩大南方地区线缆检测的市场占有率,针对广东省及周边线缆产业基地展开就地化的高水平服务,同时围绕粤港澳大湾区的大规模汽车电子、电子电器产业拓展新的检测业务,并利用广东东莞的地缘优势,探索拓展国际检测认证市场。该项目建设期为2年,计划总投资4,015万元,其中:建筑工程费502.5万元,仪器设备购置费1,691.3万元,安装工程费42.7万元,工程建设其他费825.5万元,预备费153万元,流动资金800万元。国缆检测预计,项目建成达产后可新增销售收入2,500万元/年,净利润564.8万元/年,全部投资回收期6.74年,内部收益率16.19%(税后)。该项目拟新购仪器设备167台/套,拟新购仪器设备价格1,544.1万元。设备投资明细如下:序号设备名称台数预估单价/万元总价/万元一、布电线试验室1电子天平2242绝缘电阻测试仪2243拉力试验机2501004微欧计132325台式投影仪1556测厚仪40.150.67数字多用表10.370.378紫外吸收式臭氧分析器15.55.59电子万能试验机1303010数显千分尺40.020.0811钢直尺40.010.0212焊锡试验仪11.51.513耐刮磨试验机11.51.514电缆曲挠试验机18815耐磨试验机10.80.816低温试验箱291817低温冲击机10.580.5818静态曲挠试验装置10.50.519低温卷绕机10.650.6520低温拉伸试验装置13.43.421老化试验箱101010022电缆结构测试系统110010023纺纤编织层耐热试验装置11124三轮曲挠试验机15525电线弯曲试验机11.81.826电缆荷重断芯试验机10.470.4727橡皮电缆扭绞试验机15528热稳定性试验仪10.670.6729交流耐压试验系统1101030电梯电缆曲挠试验装置15531臭氧老化试验箱1121232高压试验台10.450.4533高温压力试验装置20.5134热冲击试验装置20.5135玻璃恒温水浴20.5136热延伸试验装置20.10.237氧弹空气弹老化试验仪14.64.638单根垂直燃烧试验装置1151539伸率尺60.010.0340哑铃刀20.20.441冲片机10.20.2小计73-481.32二、低压力缆试验室1SevenMulti多功能测试仪110102电子天平1223电导率仪10.40.44PHS-3F酸度计10.20.25国际橡胶硬度计10.80.86精密恒温油浴10.650.657数显小头外径千分尺40.20.88千分尺40.050.29钢直尺40.010.02106305型碳黑测定仪15511烟密度测量系统1202012热老化试验箱12213高压试验台15514恒温水浴11.121.1215CDY冲击电压发生器1404016电线电缆结构参数全自动测量系统1330小计25-118.19三、阻燃耐火电缆试验室1电子天平1222管式炉测试仪(TFT)110103ULTRMAT23气体分析仪130304NOX分析仪125255850IC离子色谱仪11001006环保设备1160160小计6-327四、通信电缆试验室1测厚仪20.150.32数字万用表10.370.373钢直尺20.010.014电子天平1225千分尺20.050.16高频网络分析仪11001007低频网络分析仪144.644.68游标卡尺20.040.08950kN电子万能试验机1303010直流电阻测试仪11.41.411高低温试验箱111.511.512电容耦合测试仪13.63.613对称数据电缆测试系统174.574.514LCR测试仪14.54.515磁阻法测厚仪10.350.3516伸长率试验仪11.41.417电缆弯曲试验机11.31.318耐磨试验机10.80.819扭转试验机11.51.520渗水试验装置10.20.221转移阻抗测量装置13434小计25-312.51五、电器附件1钢卷尺20.010.012钢直尺40.010.023电子秒表20.010.024交变湿热箱110105架盘天平10.050.056千分尺20.050.17电子数显卡尺20.040.088电源负载柜1449电源负载柜1410电源负载柜14411恒定湿热箱18812ul老化试验箱281613高精密高压电容电桥18814ul燃烧试验机16615材料烟密度箱110010016线芯折断试验机11.21.217极低温冲击试验机10.50.518刮磨试验机11.51.519弯曲试验机16620机械强度试验装置10.50.521磨耗测试仪11.21.222耐刮磨试验机1202023UL氙灯试验系统1404024氙灯气候试验箱1202025绝缘线芯印刷标志耐久性试验装置11.21.2小计33-252.38六、线束连接器试验室1电磁兼容测试系统128282台式万用表10.50.53多功能温升试验装置121214盐雾腐蚀试验箱11.61.65精密电阻测试仪11.61.6小计5-52.7合计167-1,544.14、数字化检测能力建设项目国缆检测将对部分检测试验的原有的设备、电力线路进行升级改造,配齐配全必要的数字化检测设备,围绕电线电缆检验检测建成一个先进的、高效的数字化线缆检测实验室。此外,通过建造一座智能化立体仓库,承担检测产品的储存与流通任务,实现产品入库、存放、保管、发放、核查等精细化、流程化的技术性管理,要做到实物取放与单据相符、单据录入及时、有效管理零散物料、追溯物料批次信息等。该项目建设期为3年,计划总投资4,470万元,其中:建筑工程费912万元,设备购置费2,958万元,安装工程费118.32万元,其他费用312.25万元,预备费169.43万元。该项目拟新购仪器设备128台/套,购置费为2,958.00万元。设备投资明细如下:序号设备名称及型号规格数量单价/万元小计/万元一、数字化实验室1机械手及夹具30309002门禁电脑80.32.43车载电脑100.554RFID电子标签系统(射频识别设 备)10111104.1RFID标签(库位、工装容器、栈 板等)20000.00124.2PDA手持机/扫描枪/作业平板120.67.24.3固定式门禁(读写器、天线、线缆、 红外感应器等)11.81.852吨背负式AGV小车10222206AGV无线充电位6167电脑50.428普通条码打印机50.84小计84-1,249.4二、智能化立体仓库1门禁电脑40.31.22车载电脑60.533电脑20.40.84普通条码打印机20.81.65便携式条形码打印机40.526RFID电子标签系统111117货架(重型钢架)14104107.1货位2500 个0.082007.2天地轨600米0.06367.3电缆600米0.04247.4钢制托盘(货箱)25000.061508AGV激光导航调度及控制系统1181892吨叉车式AGV小车63521010AGV无线充电位31311堆叠码垛系统28016012巷道堆垛机57035013输送机系统1787814仓储智能化软件系统112012015自动控制系统118018016无线网络1202017电子监控系统2204018信息安全系统18080小计44-1,688.6合计1282,958关于国缆检测国缆检测创建于2004年,总部位于上海市,是国内领先的电线电缆与光纤光缆及其组器件的独立第三方检验检测服务机构之一,主营业务为电线电缆及光纤光缆的检测、检验服务,涵盖相应的检验检测、设备计量、能力验证等,还包括相关的专业培训、检查监造、标准制定、工厂审查、应用评估等专业技术服务。国缆检测的控股股东是上海电缆所,2019年1月,上海市国资委下发《关于申能(集团)有限公司与上海电缆研究所有限公司联合重组的通知》,上海电缆所股权以划转的方式注入申能集团,上海电缆所成为申能集团控股子公司。申能集团直接持有国缆检测5%的股权,并通过上海电缆所间接控制国缆检测85%的股权,合计控制国缆检测90%的股权,是国缆检测的间接控股股东。上海市国有资产监督管理委员会持有申能集团100%股权,是公司的实际控制人。上海市国资委是根据上海市政府授权代表国家履行国有资产出资人职责的市政府直属特设机构。
  • 专家约稿|碳化硅功率器件封装与可靠性测试
    1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料,目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去,硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而,随着硅基功率器件已经接近其物理极限,进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃,而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面,由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品,并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进,基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小,有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高,但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显,例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍,并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比,SiC器件的开关能量小10-20倍,最大开关频率估计高20倍。由于这些优点,预计到2022年,SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元,复合年增长率(CAGR)为28%,预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而,从器件的角度来看,挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少,短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明,这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面,生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服,但制造工艺还需要改进,以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆,从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后,其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年,SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管(JFET),在那个时间段左右,各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中,生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年,Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化,Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年,Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后,其他器件供应商,包括三菱、赛米控、富士和英飞凌,自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下,SiC器件最初是作为分立元件推出的,而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证,这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障,因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性,成本较低,而模块的优势在于性能较高,一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展,但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例,这是一个成熟的标准。然而,它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法,这是形成多芯片模块(MCM)互连的标准方法,因为它易于使用且成本相对较低。然而,这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性,已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先,封装的电寄生效应太高,以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二,封装的热阻太高,而热容量太低,这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三,构成封装的材料和元件通常与高温操作(200℃)不兼容,在升高的操作温度下,热机械可靠性恶化。最后,对于即将到来的高压SiC器件,承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之,不是器件本身,而是功率模块的封装是主要的限制因素之一,它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此,应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征,并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展,环保问题与能源问题愈发严重,为了提高电能的转化效率,人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅(SiC)材料作为第三代半导体材料,具有禁带宽度大,击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比,SiC器件的开关能耗要低十多倍[4],开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高,而且结电容较小,栅极电荷低,这就导致器件开关时,电压和电流变化很大,寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象,造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题,除了器件本身加以改进,在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先,电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的,这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制,通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时,设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此,需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题,并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止,功率半导体的封装工艺中,铝(Al)引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板,陶瓷覆铜板(Direct Bonding Copper,DBC)是一种具有两层铜的陶瓷基板,其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上,顶部则使用铝引线键合。底板(Baseplate)的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能,并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连(通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合)、电绝缘(使用DBC陶瓷基板)、器件保护(通过封装材料)和热管理(通过底部)。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试(2000万次无故障循环),并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行,不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成,即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳,如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成,从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起,为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中,将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素,通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导,与其他金属部件(如底板和散热器)进行电气隔离,并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜(DBC)基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材,因为它们具有优良的性能,不仅能满足电气和热的要求,而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中,夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3,AlN,Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件,在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性,SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时,需要注意的重要特征是:与使用温度有关的熔化温度,与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性,高机械强度,低弹性模量,高抗蠕变性和高抗疲劳性,高导热性,匹配的热膨胀系数(CTE),成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE(与绝缘基板相匹配)是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu,AlSiC,CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块,重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化,这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响,如潮湿、化学品和气体。此外,封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘,以抵御电压水平的提高,而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳(包括盖子)可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中,它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子,并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃(DAP)、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯(PBT)是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后,许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上,用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后,正如前面所讨论的那样,通过使用铝线进行电线连接,实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后,用分配器将封装材料沉积在元件的顶部,并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准,在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续,但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先,人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧,这需要时间来解决。因此,考虑到及时的市场供应,模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容,因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本,这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法,但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变,它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸,并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而,由于与高开关频率相关的损耗,大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示,随着频率的增加,使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降,在20kHz时已经下降到73%。另一方面,在相同的频率下,SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出,硅基器件在高频运行中显示出局限性,而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品,但如果要充分利用其快速开关的优势,还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应,这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图,该模块由高低两侧的开关和二极管对组成,如图1.4所示,其中有一组最关键的寄生电感,即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中,而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲,在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力,负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失,杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加,从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成,即从驱动板到器件的栅极接触垫,以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振,导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时,如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称,那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时,di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的(通常是相反的)电压源,导致di/dt的斜率下降,扭曲了栅极信号,并限制了开关速度。此外,共源电感可能会导致错误的触发事件,这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt,而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt,也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容,也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如,汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中,由于dv/dt较低,约为3 kV/µs,因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而,SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级,最高可达50 kV/µs,使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明,由于SiC器件的快速开关速度,传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外,电容寄也会减缓电压瞬变,在开关期间产生过电流尖峰,并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射,这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一,主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化,以取代冗长的线束,并通过优化布局设计,使功率器件接近。第二,由于制造上的不兼容性和安全问题,栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外,在平行芯片的情况下,布局应该是对称的,以避免电流不平衡。第三,需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现,例如开尔文源连接。第四,应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流,比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率,但在运行的功率模块中,这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降,以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期,功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下,SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多,这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式,芯片尺寸的缩小,例如芯片边缘的长度,会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少,这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说,随着芯片面积的减少,SiC器件所需的热阻需要提高。然而,即使结合最先进的冷却策略,如直接冷却的冷板与针状翅片结构,假设应用一个70kVA的逆变器,基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标,该值需要低于0.2 Kcm2/W,这只能通过创新方法实现,比如双面冷却法。同时,小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束,这不仅限制了电流处理能力,也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上,这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度,因此不仅需要降低热阻,还需要改善热容量,以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中,应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一,为了降低热阻,需要减少或消除热路中的一些封装层;第二,散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平,这可能需要改变互连方法,比如采用更大面积的接头;第三,封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如,用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四,喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的,因此它们被保存在暖箱中,以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件,因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术,而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外,在室温下具有柔性和顺应性的材料,如硅凝胶,在-180℃时可能变得僵硬,在封装内产生巨大的应力水平。因此,SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材,以尽量减少应力。其次,另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中,在-180℃-125℃的极端温度范围内,对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施,提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力,实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究,研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响,进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节,利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件,对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真,减小研发周期、降低设计研发成本,保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上,结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验,解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题,最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下:图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中,需要综合考虑很多问题,例如:散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小,热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时,基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计,由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加,MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此,MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关:MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差,有效散热面积小,芯片与DBC之间的热阻大,在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外,芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果:图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后,采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK,建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件,施加相应的载荷,得到MOSFET的温度场分布,根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整,直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言,从上往下为一个 8层结构:绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型:导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要,为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格,包括:1700V 75A/100A/125A;2500V/50A;3300V/50A/62.5A;600V/100A;1200V/100A;4500V/42A;6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型(确定芯片规格及其数量),精确分析多芯片并联时的均流性能,首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上,针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型,搭建一个系统及的仿真平台,从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构,其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2,模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关:MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差,有效散热面积小,芯片与DBC之间的热阻大,在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀,而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异,导致在相同工况时,每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后,采用FLOTHERM软件的热分析模块,建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件,施加相应的载荷,得到MOSFET的温度场分布的数值解,为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级,MOSFET模块所使用芯片的规格不同,芯片之间的连接方式也不同。因此,详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块,布局阶段考虑的因素会有所不同,具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种:静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE(sat)不一致所引起;而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外,栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步;驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同;驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡;以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计-生产-测试-改进设计等一系列过程,可以获得丰富的设计经验,并对其进行归纳总结,提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路,形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下,使用焊料,通过加热和加压,使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术,保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好,空洞率小,焊层均匀,焊接牢固。通常情况下.影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”,产生焊接空洞的原因,一是焊接过程中,铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞,真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差,压差能够克服焊料粘度,释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞,一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的,这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化,即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层,使被焊接面有良好的浸润性.加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的,经过多年的研究改进,已成为高功率,大电流,多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高,但其对工艺条件的要求也较高,例如工艺设备条件,工艺环境的洁净程度,工艺气体的纯度.芯片,DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况.焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一,目前90%以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下,将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活,同时产生塑性变形,芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点,使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同,引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状,又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中,最常见的功率互连方法是引线键合法,大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流,故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面,这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺:功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的,常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳,按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本,设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展,促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接,形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑,保护模块内部组件,防止灌封材料外溢,保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高,耐高温,不易变形,防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块,将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中,提高组件间的绝缘,提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定,无腐蚀,具有绝缘和散热能力,膨胀系数和收缩率小,粘度低,流动性好,灌封时容易达到模块内的各个缝隙,可将模块内部元件严密地封装起来,固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等,对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验,栅极电荷试验等进行例行和型式试验,确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下:(1)焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。(2)外壳采用PBT材料,端子裸露部分表面镀镍或镀金。(3)内引线采用超声压接或铝丝键合(具体视装配图设计而定),功率芯片采用铝线键合。(4)灌封料满足可靠性要求,Tg150℃,能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。(5)底板采用铜材料。(6)陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。(7)镀层要求:需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装,不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程(1)芯片CP测试:对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试,将失效的芯片筛选出来,避免因芯片原因造成的封装浪费。(2)划片&划片清洗:将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片,划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装;划片后对金属颗粒进行清洗,保证芯片表面无污染,便于后续工艺操作。(3)丝网印刷:将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上,使用丝网印刷机完成,通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果,经过验证后最终确定合适的图形。(4)芯片焊接:该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接,采用相应的焊接工装,实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉,采用真空焊接工艺,严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数,专用焊接工装完成焊接工艺,实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接,要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内,芯片周围无焊球或堆焊,焊接质量稳定,一致性好。(5)助焊剂清洗:通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分,在焊接过程中挥发并残留在焊层周围,因助焊剂表现为酸性,长期使用对焊层具有腐蚀性,影响焊接可靠性,因此需要将其清洗干净,保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗,去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物,保证子单元表面清洁。(6) X-RAY检测:芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节,直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此,使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查,通过调整产生 X 射线的电压值和电流值,对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。(7)芯片键合:通过键合铝线工艺,完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接,从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数,通过调整键合压力,键合功率,键合时间等参数,并根据产品的绝缘要求和通流大小,设置合适的键合线弧高和间距,打线数量满足通流要求,保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固,键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落,满足键合铝线推拉力测试标准。(8)模块焊接:该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配,使用真空焊接炉实现焊接,焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。(9)超声波检测:该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查,模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤,焊接空洞率低于 5%。(10)外壳安装:使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶,保证模块安装后的密封性,完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确,外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。(11)端子键合&端子超声焊接:该工序通过键合铝线工艺,实现子单元与电极端子的电气连接,形成模块整体的电气拓扑结构;可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接,超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面,在加压的情况下,使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度,较低的热应力、焊接质量高等优点,使得焊接具有更好的可靠性,在功率模块产品中应用越来越广泛。(12)硅凝胶灌封&固化:使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封,实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置,完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分,胶体配比准确,胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的:考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理:器件在使用时经常连接的负载是感性的,或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时,电路中电流会突然下降,变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压,这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上,使器件在瞬间承受一个陡增的电压,这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a)的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的,被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b)。图4.1 a)雪崩能量测试电路图;b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中,电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上,可知电流刚开始下降时,电感储存的能量为1/2*ID2*L,所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量,为1/2*ID2*L。试验目标:在正向电流ID = 20A下,器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤:将器件放入测试台,给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加,直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准:可靠性试验完成后,按照下表所列的顺序测试(有些测试会对后续测试有影响),符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的:把样品暴露在空气干燥的恒温环境中,突然使器件通过大电流,观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理:当器件工作于实际高压电路中时,电路会出现误导通现象,导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件,器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏,系统中会设置保护电路,在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长,需要器件能够在该段时间内不发生损坏,因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式,分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路(比如负载失效)而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一,也称为“硬短路”,是指IGBT从关断状态(栅压为负)直接开启进入到抗短路测试中;抗短路测试方式二,是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下(此时栅压为正,漏源电压为正但较低),进入到抗短路测试中;抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负(与器件反并联的二极管处于续流状态,所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右,,栅压为正),进入到抗短路测试中。可知,器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压,只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2,将器件直接加载在电源两端,器件初始状态为关断,此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲,器件开启,从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压,考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2,图中L_load为实际电路中的负载电感,L_par为电路寄生电感,L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时,将L_load下端连接到上母线(Vdc正极),这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时,S1断开,DUT开通,电流从L_load和DUT器件上通过,开始测试时,S1闭合,L_load瞬时被短路,电流沿着L_sc和DUT路线中流动,此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感,因此会有大电流会通过DUT,考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时,维持图4.2结构不变,先开通IGBT2并保持DUT关断,此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通,接着关断IGBT2,那么D1会自动给L_load续流,在此状态下开启DUT栅压,DUT器件处于栅压开启,但漏源电压被截止状态,然后再闭合S1,大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1) 抗短路测试方法一:图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压,给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲,在被试器件被开启的时间内,器件开通期间处于短路状态,且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长(Tsc),Tsc越大,抗短路能力越强。在整个短路时长器件,器件所承受的能量,为器件的短路能量(Esc)。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力,也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V,C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定,C1的要求是维持Vdc的稳定,C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大(5%之内可接受)。C2,C3主要用于给器件提供高频、中频电流,不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下,逐渐增大栅极脉冲宽度(PW)的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中,每测量一个脉冲宽度的短路波形,需要间隔足够长的时间,以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响,保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出,Id峰值出现在1 μs和2 μs之间,随着开通时间的增加,Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段,是因为器件开启时有大电流经过器件,在高压的共同作用下,器件温度迅速上升,因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数,所以MOSFET沟道电阻减小,Id则上升,在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定;随着大电流的持续作用,器件整体温度进一步上升,器件此时的导通电阻变成正温度系数,器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大,这时器件Id将逐渐减小。所以,整个抗短路能力测试期间,Id先增加后下降。此外,测试发现,当脉冲宽度增加到一定程度,Id在关断下降沿出现拖尾,即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后,进一步增大脉冲宽度,器件将损坏,并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试,定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长,代表器件的抗短路能力越强。测试发现,低温有助于器件抗短路能力的提升,原因是因为,低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现,器件抗短路测试失效模式主要有两种:1、器件承受高压大电流的过程中,局部高温引起漏电流增加,触发了器件内部寄生BJT闩锁效应,栅极失去对沟道电流的控制能力,器件内部电流局部集中发生热失效,此时的表现主要是器件的Id电流突然上升,器件失效;2、器件温度缓慢上升时,导致器件内部材料性能恶化,比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效,主要表现为器件测试过程中Vgs陡降,此时,器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压,只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起,所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域(沟道部分)及高电场区域(栅氧底部漂移区)。因此,要提升器件的抗短路能力,要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手,降低电场峰值及电流密度,此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2) 抗短路测试方法二:图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5,抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段:(1)漏源电压Vds低,Id电流上升:当负载被短路时,大电流涌向DUT器件,此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感,DUT漏源电压较低,Vdc电压主要分布在杂散电感上,所以Id电流以di/dt=Vdc/(L_sc+L_par)的斜率开始上升。随着Id增加,因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd,会带动栅压上升,此时更加促进Id电流的增加,形成一个正循环,Id急剧上升。(2)Id上升变缓然后开始降低,漏源电压Vds上升:Id上升过程中,Vds漏源电压开始增加,导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低,导致电流上升率di/dt减小,Id上升变缓,当越过Id峰值后,Id开始下降,-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。(3)Id、Vds下降并恢复:Id,Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述,抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3) 抗短路测试方法三:图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6,抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致,仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰(如图4.6中红圈),这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启,Vds为反偏的状态,所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程,引发一个小小的电压峰,这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外,器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说,在电机驱动应用中,开关管的占空比一般比续流二极管高,所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压,这种情况下,只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式,则第二种抗短路模式的可能性更大。然而,当一辆机车从山上开车下来,电动机被用作发电机,能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点,这种操作模式下,如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路,则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法,是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路,在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时,钳位电路钳住栅极电压,就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标:常温下,令Vdc=600V,通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间,从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间,直至器件损坏,测试过程中保留测试曲线。需要注意的是,在测试过程中,每测量一个脉冲宽度的短路波形,需要间隔足够长的时间,以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响,保证每次测试初始温度的准确。试验步骤:搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中,保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间,给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压,使器件开通t0时间,观察器件上的电流电压曲线,判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏;如未损坏,等待足够长时间以确保器件降温至常温状态,设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us,再次开通,观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准:器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间,器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的:把样品暴露在空气干燥的恒温环境中,对器件施加半正弦正向高电流脉冲,使器件在瞬间发生损坏,观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理:下面以SiC二极管为例,给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定,电流和压降越高,器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的,因此导通压降越小的器件瞬态功率越低,器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下,电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担,因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻,减小器件功率、提升抗浪涌能力。a)给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线,图4.7 a)曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a)二极管浪涌电流的实测曲线; b)浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中,器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞,且浪涌电流越高,器件在电流下降和上升过程中的压降差越大,该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时,I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰,曲线斜率突变,器件发生了失效和损坏。器件失效后,瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象,电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是,在施加浪涌电流的过程中,SiC JBS 二极管的瞬态功率增加,但散热能力有限,所以浪涌过程中器件结温增加,SiC JBS 二极管压降也发生了变化,产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中,随着电流的增加,器件的肖特基界面的结温会增加,当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中,结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异,导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大,从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高,器件的肖特基界面处的结温越高,因此导通电阻就越大,而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因,使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线,如图4.7 b)所示,在 40 A 以上浪涌电流下,结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下,最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时,最高结温已达1119 K,这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属,引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出,浪涌电流越高,结温升高的变化程度就越大,56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A,最高结温就相差 543 K,最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大,正向压降快速增加。因此,电流上升和下降过程中,器件的导通压降会更快速地升高和下降,使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大,是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中,随着浪涌电流的升高,二极管的功率增加,产生的焦耳热增加,导致了结温上升;另一方面,结温上升,导致器件的导通电阻增大,压降进一步升高。导通电压升高,导致功率进一步增加,使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈,致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时,触发这个正反馈,器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长,浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融,使得电极和芯片之间短路,还会导致导通压降退化和峰值电流退化,并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因,应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al,以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中,都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力,也可以搭建电路实现。但是存在的问题是,MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的,栅压越大,导通电阻越低,耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压,是一个需要仔细探讨的问题。试验目标:我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关,但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考,建议测试时,在给定栅压下(必须确保器件能导通),对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波,直到器件发生损坏。试验步骤:器件安装在测试台上后,器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波,施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值,直至器件被打坏。试验标准:器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法,通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见,可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是,上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述,如何通过测试结果来评估器件的使用寿命,并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁,就得通过可靠性寿命评估模型来实现。
  • 追求完美,我们始终在路上!——PPMS最全测量功能概览
    说起综合物性测量系统-PPMS大家都不陌生,自从1994年台PPMS诞生以来,已经有超过1000台PPMS工作在全球各大实验室。科学领域的许多重要工作背后都有PPMS的贡献。从初的湿式系统到现在的全干式系统,从磁学、电学测量到多领域高精度测量,PPMS诞生以来从未停下过前进的脚步。无论您是我们PPMS的用户还是关注者,可能您尚未了解PPMS的全部功能。今天我们将为您列举目前PPMS所有测量功能,敬请收藏。图1 综合物性测量系统-PPMS一、 主机系统——兼容并蓄、博采众长基于有的快速扫场和连续控温技术(PPMS拥有快速、稳定的变温、扫场技术),PPMS主机已成为性能好的低温磁场平台。但是Quantum Design的追求远不止于此,PPMS的主机系统自从诞生以来不断的根据用户需求进行优化。目前,PPMS DynaCool主机已经集成了高真空和磁屏蔽,全新的CAN式模块结构设计摆脱了系统对电脑的过度依赖。针对LabVIEW预留的开放接口使得PPMS系统兼具了MultiVu的稳定性与LabVIEW的拓展性。为了满足不同需求,PPMS的系统已经包含9T、12T、14T、16T等多种场强以及湿式、Reliquefire、EverCool和DynaCool多种型号。从综合测量系统到好的通用平台,PPMS在雄厚的技术基础上兼容并蓄、博采众长,坚持以市场需求为导向,广泛采纳用户的建议,以开放的胸怀为全球客户打造好的实验平台。图2 完全无液氦综合物性测量系统PPMSDynaCool™ 二、 磁学功能振动样品磁强计——电磁马达,智能测量PPMS的振动样品磁强计采用磁悬浮马达,完全避免了机械振动马达带来的测量噪音,同时避免了机械磨损。采用高精度的光学编码定位技术使得振幅、振动频率连续可调,并且在测量过程中自动校准中心位置。的设计、智能的软件、先进的算法使得磁矩测量精度能够真正的达到10-7量。VSM高温炉选件——炉火纯青、万分传统的磁性测量设备只能测量样品在室温附近或低温的磁学特性。少有的高温设备要么温度不能太高,要么结构复杂精度太差。Quantum Design专门为磁性测量设计的高温炉选件可以将磁性测量的温度提高到1000K,控温精度可达0.5K,可以快速升降温,轻松测量镍等高Tc材料的居里温度。磁性测量精度优于10-6emu.光诱导磁测量选件——波长可调,洞察秋毫为了研究光敏材料在光激发下磁性的变化,Quantum Design推出了高精度的光磁测量选件。采用高色温的氙灯光源,利用波片滤波。高性能的光纤样品杆可以轻松将聚焦光引入样品腔。利用该选件可以测量变温、变场环境中,不同波长光激发下样品的磁性变化。这对于研究材料中能带分布对磁性的影响,以及磁性的机理具有重要意义。新型交流磁化率选件——超高灵敏度,频率可调全新的ACMS II采用特的探测线圈和VSM线性磁力驱动马达,一次测量就可以获得实部虚部分开的交流磁化率以及直流磁化强度的信号。采用锁相技术和五点测量模式,有效地消除了温度漂移对测量的影响,一次降温可以同时测量多个频率的磁性。10Hz-10KHz频率范围,15Oe的交流场,高达10-8emu的测量精度使得ACMS II的测量精度可以媲美SQUID。稀释制冷机交流磁化率选件——低温的磁性测量方案低至50mK的限低温、0.002 - 4Oe的交流场幅值、10Hz-10KHz可变频率、10-7emu的灵敏度使得稀释制冷机交流磁化率选件成为上低温的磁性测量方案,更是目前自旋液体等领域的有力测量手段。扭矩磁强计——磁矩与各向异性的测定对磁性材料的研究除了磁矩测量以外对磁各向异性的测量也具有重要意义,特别对于单晶或薄膜材料而言磁各向异性尤为重要。该选件由Quantum Design与IBM联合设计,采用超高灵敏度的压电传感器和平衡电桥来测量样品在磁场中受到的力矩。样品托芯片可产生标准扭矩来校准重力影响和温度漂移产生的影响。扭矩测量时可以进行温度扫描得到扭矩随温度的变化。扭矩磁强计的扭矩精度可达10-9Nm,磁矩灵敏度可达10-8emu,灵敏度可以媲美SQUID。一阶翻转曲线——测量材料磁结构、定量分析材料的组分基于智能化控制技术,Quantum Design全新推出的一阶翻转曲线功能省去了传统人工测量方案的繁琐。高精度的测量数据为后续分析提供了坚实保障。该功能可以定性/定量测量材料的磁翻转机制、计算各磁性翻转相的比例、计算矫顽场与相互作用场的强度分布。对于矿物、混合物、复合相、Vortex等材料的研究具有重要意义。磁性测量高压腔——测量材料高压磁性的利器采用等静压装置在材料上施加稳定的压力,利用PPMS测量样品的磁性。增加了用压力来调控材料特性的维度。是目前较为热门的材料高压特性研究的工具,高压腔采用螺旋式加压、液体传压媒介,可轻松实现1.3GPa或更高的压强。三、 电学功能直流电阻率——使用简单,测量快速直流电阻率是PPMS基本的测量功能之一,以其方便快捷、数据可靠、智能测试深得广大用户的喜爱。与普通的仪表相比,直流电阻率选件以其特有的智能测量方案在测量过程中避免了普通仪表不同量程临界处数据的不连贯和不准确。直流电阻率选件可在μΩ到MΩ范围内自动测量。电输运选件——功能更多,精度更高电输运测量选件(ETO),是专门为精细电学测量而开发的多功能电学测量选件,可以自动测量样品的IV特性曲线、微分电阻、霍尔效应。由于采用高精度的锁相技术,ETO可以测量从nΩ到GΩ量的电阻,电流输出nA-mA。光电测量选件——光场激发,多维调控PPMS采用全波段的氙灯作为光源,利用可调光栅滤波技术测量不同波长光激发下的样品电阻。在温度、磁场调控的基础上加入光激发调控,形成对样品特性的多维度调控和测量。电学测量高压腔——超硬材料,超导材料的研究利器目前在高压下测量材料的电学性能已经成为研究超导材料、超硬材料以及其他特殊材料的常用手段之一。PPMS的电学测量高压腔可以在变场、变温环境中测量不同压强下材料的电学性能。高压腔预留10跟电学引线,方便用户高压下的电学连接。高压腔已集成温度计,测量样品的实时温度。四、 热学测量功能比热测量选件——技术,全球材料的比热是一个重要的物理量,但是在实验上很难测到高质量的比热数据。Quantum Design采用技术的比热测量选件,从诞生起就代表了比热测量的高水准。比热选件采用双τ模型、可对驰豫曲线进行自动拟合计算、系统自动扣除背景比热,得到变温、变场条件下的高质量比热数据,并对每一个测量数据点自动计算和记录德拜温度。专用比热样品托、智能化的测量引导程序,使得初学者也能快速上手操作。完备的数据采集和分析功能使得比热研究更为简单。热输运选件——数据,功能全面热输运选件可以同时测量样品的热传导系数、Seebeck系数(热电势)和交流电阻率,并根据这三个数据计算出热点材料的品质因子。专门的样品托和四点法引线方式可以消除接触电阻和热阻的影响。软件可以的建立动态热流量模型补偿各种可能的系统误差。可在变温过程中自动进行连续测量得到高密度的数据。热输运选件使得热学测量像电学测量一样简单和。五、 低温选件He3制冷机选件——使用方便,智能控制基于PPMS主机系统的He3制冷机具有连续运转和单程两种模式,自动控制程序使得样品可在3小时之内由室温降至0.5K,单程模式可将样品的温度降至0.4K。目前已经在He3制冷机温度下能够进行的测量是电输运(ETO)和比热。He3选件是目前使用方便的He3制冷机。稀释制冷机选件——磁、电、热都能测的稀释制冷机基于PPMS主基系统的稀释制冷机选件可以将样品的温度进一步降低到50mK。该稀释制冷机与传统稀释制冷机的主要区别是具有高度自动化的控制软件和引导式的操作操作界面。即使没有低温工作经验的用户也可以轻松掌握低温物性测量,目前稀释制冷机可以实现比热、电输运、和交流磁化率测量。热去磁电测量选件——灵巧的mK低温选件为小巧的解热去磁电测量选件,不需要任何额外操作可以在3小时以内轻松将样品由室温降到150mK以下。该选件在无需购买较为昂贵的He3和稀释制冷机的情况下可以轻松实现mK量的电学测量,是性价比较高的低温选件。六、 光学测量功能拉曼与荧光光谱测量选件——低温强磁场光谱学突破Quantum Design推出的光谱学系统集拉曼和光致发光测量于一身,利用PPMS的变温和磁场环境可以测量气态、液态、薄膜和块体材料的性质。该选件多种波长光源可选、多维度位移旋转样品台、VHG全息光栅与超窄带滤波系统。高性能的拉曼光谱选件是变温、磁场光谱测量的。利用PPMS的拉曼光谱学选件和软件系统可以更加方便的研究强关联体系材料中自旋-轨道耦合随温度和磁场的变化。七、 拓展功能选件多功能样品杆——重剑无锋,大巧不工看似普通的样品杆却是PPMS拓展性能的又一典范,多功能样品杆为用户提供了集成温度计的样品台和用于立引线的样品杆。样品杆拥有非常高的加工精度,并且具有抗强磁场的能力,预留的部接口可供用户引入各种导线和光纤。用户可根据自己的需求利用多功能样品杆来搭建自己特的实验装置,实现自定义的实验方案。目前,用户已经利用多功能样品杆实现光电测量、强关联体系的光激发、铁电测量、介电测量、铁磁共振等多个领域的测量实验。高精度铁磁共振——锦上添花,如虎添翼图3 高精度铁磁共振仪(FMR)由瑞典NanOsc公司开发的高精度铁磁共振仪,能够对纳米别的磁性薄膜进行高精度的测量。该系统采用高精度波导探测芯片与全自动测量分析软件,可以直接测量得到饱和磁化强度、本征阻尼、非均匀展宽和回磁比。由Quantum Design团队设计的高质量波导样品杆和集成服务为高达40GHz的变温铁磁共振测量提供了雄厚的技术支撑。膨胀测量选件——原子,行业翘楚PPMS的膨胀率测量选件可以测量出0.1埃的尺寸变化,是目前上精密的膨胀率测量选件之一。该选件可以在全温区范围内测量热膨胀和磁致伸缩效应。特殊样品托设计可以测量样品相对磁场成不同角度情况下的磁致伸缩效应。扫描探针显微镜、共聚焦显微镜——秋毫之末,一览无余图4 PPMS- ReliquefierAttocube公司专门为PPMS生产的扫描探针显微镜和共聚焦显微镜可以很好的兼容湿式系统和Reliquefier系统。特有的音叉式AFM在Z方向上的分辨力高达7.6pm。基于低温AFM功能的MFM可以在不同温度、磁场下测量材料的磁畴结构,分辨率优于50nm。系统还可升KPFM、PFM、C-AFM等多种显微镜系统。更有扫描霍尔探针显微镜可以定量材料的测量微区磁场分布。共聚焦显微镜拥有自由光束和光纤两种模式可选择。用户可以将共聚焦显微系统搭配各种光谱仪使用来测量变温、变场环境下样品的多种光谱。开放的PPMS平台与22个测量选件以及时刻不停的研发,Quantum Design始终以开放进取的态度努力打造更好的综合测量系统与通用平台。用户的建议,市场的需求更是我们努力的方向。Quantum Design 希望能够与您携手共创科研辉煌。相关产品及链接:1、 PPMS 综合物性测量系统:https://www.instrument.com.cn/netshow/C17086.htm 2、 完全无液氦综合物性测量系统 DynaCool:https://www.instrument.com.cn/netshow/C18553.htm 3、 高精度铁磁共振仪(FMR):https://www.instrument.com.cn/netshow/C221410.htm 4、 attocube无液氦低温强磁场扫描探针显微镜attoDRY Lab:https://www.instrument.com.cn/netshow/C273802.htm 5、 无液氦低温强磁场共聚焦显微镜attoCFM:https://www.instrument.com.cn/netshow/C159541.htm
  • 我国主导修订的两项IEC标准发布
    记者5日获悉,国际电工委员会(IEC)正式发布2项IEC标准《IEC60477-1:2022实验室电阻第1部分:实验室直流电阻》和《IEC60477-2:2022实验室电阻第2部分:实验室交流电阻》,这两项标准由中国电科院主导修订,是我国首次主导修订的电磁实验室测量领域IEC国际标准。据了解,旧版标准上次修订时间还是1997年,其技术内容在适用范围、技术要求、安全要求等方面已无法覆盖当前领域内最新技术成果,影响了标准的适用性。2019年4月,电气和电磁量测量设备技术委员会(IECTC85)正式立项标准修订项目,成立标准维护工作组(MT25)负责具体修订工作,中国电科院专家担任标准工作组召集人,牵头开展标准修订工作。新版标准重点对术语定义、电阻器准确度等级、安全要求、交流电阻器频率范围等方面内容进行了修订。针对旧版标准中不同等级的电阻器采用不同参数作为基本定级参考的问题,区分了准确度、稳定性、AC/DC差要求;在高压高阻装置方面增加了技术、温度系数的要求;增加了交流电阻器结构和三元件等效方法。新增技术内容覆盖了当前领域内最新技术成果,提高了标准适用性,为交流电阻器的宽频带使用提供指导。新版标准的发布将为世界各地实验室电阻器制造商和使用者提供统一的规范与指导,有利于保障各个国家实验室用电阻器的准确一致与稳定可靠,促进计量互认,有力提升我国在电阻制造与电磁计量领域的国际影响力和话语权。
  • 众瑞仪器发布ZR-3260型自动烟尘烟气综合测试仪(B款,小型化)新品
    产品简介ZR-3260型自动烟尘烟气综合测试仪(B款,小型化),用于固定污染源中颗粒物(含超低浓度) 的采集、SO2和NOX等有毒有害气体的测量、除尘脱硫效率的测定;烟道温度、动压、静压、含湿量测量及折算浓度、排放总量的计算等。适用范围:各种锅炉、工业炉窑的烟尘排放浓度、折算浓度和排放总量的测定;该仪器配合油烟采样管,可以进行油烟采样;选配沥青烟采样管,可以进行沥青烟采样;各类除尘设备效率的测定;烟道排气参数(动压、静压、温度、流速、标干流量等)的测定;烟气含氧量、空气过剩系数的测定;干、湿球温度的测定;烟气连续测量仪器准确度的评估和校准;各种锅炉、工业炉窑的SO2、NOx排放浓度、折算浓度和排放总量的测定及各类脱硫设备效率的测定(可选);其它可应用的场合。执行标准HJ 57-2017 固定污染源废气 二氧化硫的测定定电位电解法GB/T 16157-1996 固定污染源排气中颗粒物测定与气态污染物采样方法HJ/T 48-1999 烟尘采样器技术条件HJ 693-2014 固定污染源废气 氮氧化物的测定 定电位电解法JJG 968-2002 烟气分析仪JJG 680-2007 烟尘采样器JJG 518-1998 皮托管检定规程Q/0212 ZRB014-2015 自动烟尘烟气综合测试仪HJ 973-2018 固定污染源废气 一氧化碳的测定定电位电解法工作条件工作电源: 交流220V±10%,50Hz;环境温度: (-20~ 45 )℃;环境湿度: 0% ~95%;适用环境: 非防爆场合;电源接地线应良好接地;野外工作时,应有防雨、雪、尘以及日光爆晒等侵袭的措施。 技术特点仪器具有CO对SO2的自动修正功能。修正功能开关可选,修正系数可通过干扰试验测定后输入修改。选择修正功能后仪器自动通过测得CO的浓度对所测SO2进行修正;烟气测试流量控制满足HJ/T 46 的要求;获得中国环境保护产品认证证书 经过生态环境部环境监测仪器质量监督检验中心检测认证检测合格(报告编号:质(认)字NO.2018-154) 具备烟道信息数据库,自动记忆烟道工况配置信息,支持汉字输入,可快速提取历史数据;同时支持触控和按键操作,5.0寸宽温高亮多角度翻转彩屏,耐高寒,视域广,汉字图形化显示,键盘采用防尘防水工业精密设计,适用于恶劣工况;内置自动排水泵,实现烟尘、烟气采样冷凝水自动排出功能,更适合高湿度工况,操作便利;板载大容量存储器,采样数据实现无限存储,支持SD卡、U盘等大容量存储介质,实现文件无限量存储;支持手机APP无线操控,支持蓝牙通信功能和外置蓝牙高速打印机;配备高负载低噪声大流量抽气泵,流量可达80L/min;准确的电子流量计控制,实时监测计温,计压,自动调节流量;交直流电压供电,支持外接电源箱供电或AC/DC桌面电源适配器供电,采用220V供电、充电,具有断电记忆功能,采样过程中,突然断电,自动保存工作数据,来电提示恢复继续采样;具备DC24V输入和DC24V输出接口,可外接电源使用,亦可为外部附件提供电源。具有大于AC250V过压保护功能,避免因接入电压过高而造成仪器损坏。加强过滤除湿以及静电、摔碰等的防护,整机更结实耐用。可选配无线通讯和定位,支持手机APP操作。预留2种湿度测量方法(阻容法和干湿球法)的接口。选配部分可扩展β射线吸收法和微振荡天平法测量的烟尘直读模块,以及可扩展直读称量单元,实现烟尘浓度现场自动测量;可配备阻容法含湿量测量仪,代替干湿球法独立测量湿度,无需外部动力抽取;烟气预处理器,可有效进行脱水、除尘, 增强烟气成分检测准确度;创新点:1、用于固定污染源中颗粒物(含超低浓度) 的采集、SO2和NOX等有毒有害气体的测量、除尘脱硫效率的测定;2、该仪器配合油烟采样管,可以进行油烟采样;选配沥青烟采样管,可以进行沥青烟采样;3、可扩展β 射线吸收法和微振荡天平法测量的烟尘直读模块,以及可扩展直读称量单元,实现烟尘浓度现场自动测量;4、可配备阻容法含湿量测量仪,代替干湿球法独立测量湿度,无需外部动力抽取;5、烟气预处理器,可有效进行脱水、除尘, 增强烟气成分检测准确度;ZR-3260型自动烟尘烟气综合测试仪(B款,小型化)
  • 989万!新疆维吾尔自治区计量测试研究院第一批专业设备采购项目(三)
    一、项目基本情况项目编号:Hhhx2401-Zjly001项目名称:自治区计量测试研究院2024年第一批专业设备采购项目(三)采购方式:公开招标预算金额(元):9891150最高限价(元):1259550,2281400,1400000,2518200,1839500,592500采购需求:标项一 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目(三)-标项1 数量:1 预算金额(元):1259550 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途:本标项采购内容包括呼吸机检测仪(带模拟肺和标准气阻)、高频电刀分析仪校准装置、输液泵/注射泵检测仪、医用离心机检测仪,具体要求详见采购文件。 备注:标项二 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目(三)-标项2 数量:1 预算金额(元):2281400 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途:本标项采购内容包括动态气体配气仪、便携式气体、粉尘、烟尘采样仪综合校准装置、气相色谱仪、液化天然气(LNG)加气机检定装置,示波记录仪具体要求详见采购文件。 备注:标项三 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目(三)-标项3 数量:1 预算金额(元):1400000 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途:本标项采购内容包括智能温度自动检定系统,具体要求详见采购文件。 备注:标项四 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目(三)-标项4 数量:1 预算金额(元):2518200 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途:本标项采购内容包括三等金属线纹尺、触针式表面粗糙度仪校准装置(模拟正玄多波刻度样板)、电动螺纹清理机、法兰接口器具检定夹紧台、铠装热电偶、热电阻、减压阀、在线振动管密度计检定装置管道进出口温度计、标准铂电阻温度计、温压装置改造、精密数字压力表、电动螺纹清理机、邵氏硬度计检定装置、加载称重标准测力仪、平板制动力标准测力仪、轮胎压力表检定装置、便携手持式氧气吸入器检测仪、仿组织超声体模、固定式可燃、有毒气体检测报警器、带流量计不锈钢减压阀、带流量计普通减压阀、电导率仪检定装置、电导率仪、pH(酸度)计检定仪、声级计,电缆故障测试仪、绝缘油色谱分析仪、油介损电阻率测量仪、全自动水溶性酸测试仪、全自动酸值测定仪、闭口闪点测试仪、油微水测试仪、全自动张力测定仪、油颗粒计数器、油泥与沉淀物检测仪、绝缘油介电强度测试仪(绝缘油耐压测试仪)、直流电阻测试仪、智能过程校验仪,具体要求详见采购文件。 备注:标项五 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目(三)-标项5 数量:1 预算金额(元):1839500 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途:本标项采购内容包括水平雾滴分布扫描仪、实时频谱分析仪、多点三维风速测试系统(10点)、激光粒度分析仪、水压试验台具体要求详见采购文件。 备注:标项六 标项名称:2024年第一批专业设备采购项目(三)-标项6 数量:1 预算金额(元):592500 简要规格描述或项目基本概况介绍、用途:本标项采购内容包括二氧化碳浓度监测设备、烟气湿度仪、力值传感器及仪表(带峰值保持功能)、载荷单元、标准电流互感器(含升流器)、互感器校验仪、电流互感器负荷箱、超声波燃气表、超声流量计、深度学习人工智能工作站具体要求详见采购文件。 备注:合同履约期限:标项 1、2、3、4、5、6,详见招标文件。本项目(否)接受联合体投标。二、获取招标文件时间:2024年03月07日至2024年03月14日,每天上午10:00至14:00,下午15:00至19:00(北京时间,法定节假日除外)地点:新疆政府采购网(政采云平台)方式:供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件(进入“项目采购”应用,在获取采购文件菜单中选择项目,申请获取采购文件)售价(元):0三、对本次采购提出询问,请按以下方式联系1.采购人信息名 称:新疆维吾尔自治区计量测试研究院地 址:乌鲁木齐市河北东路188号联系方式:0991-31915122.采购代理机构信息名 称:新疆华恒惠欣工程项目管理有限责任公司地 址:乌鲁木齐市经济技术开发区上海路浦东街三号联系方式:181309122923.项目联系方式项目联系人:陆原电 话:18130912292
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