常用电子元器件的认识与检测

如何准确检测元器件的相关参数，判断元器件是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法。以下对常用电子元器件的检测方法进行介绍。 一、电阻的检测方法： 　　1固定电阻的检测 A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接，即可测出实际电阻值。为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。 B注意：测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 　　2熔断电阻器的检测 在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。 　　3电位器的检测。检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。 A 用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。 B 检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测“1”、“2”(或“2”、“3”)两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。 　　4正温度系数热敏电阻(PTC)的检测 检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作： A 常温检测(室内温度接近25℃) 将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。 B 加温检测 在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试—加温检测，将一热源(例如电烙铁)靠近PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。 　　5负温度系数热敏电阻(NTC)的检测 (1) 测量标称电阻值Rt ：用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值。但因NTC热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：A Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。 B 测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。 C 注意正确操作。测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。 (2) 估测温度系数αt ：先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算。 　　6压敏电阻的检测 用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。 　　7光敏电阻的检测。 A 用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。 B 将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。此值越小说明光敏电阻性能越好。若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。 C 将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。

四、电感器、变压器检测方法　　1色码电感器的的检测 将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小，可具体分下述三种情况进行鉴别： A 被测色码电感器电阻值为零，其内部有短路性故障。 B 被测色码电感器直流电阻值的大小与绕制电感器线圈所用的漆包线径、绕制圈数有直接关系，只要能测出电阻值，则可认为被测色码电感器是正常的。 　　2中周变压器的检测 A 将万用表拨至R×1挡，按照中周变压器的各绕组引脚排列规律，逐一检查各绕组的通断情况，进而判断其是否正常。 B 检测绝缘性能将万用表置于R×10k挡，做如下几种状态测试： (1)初级绕组与次级绕组之间的电阻值； (2)初级绕组与外壳之间的电阻值； (3)次级绕组与外壳之间的电阻值。 上述测试结果分出现三种情况： (1)阻值为无穷大：正常； (2)阻值为零：有短路性故障； (3)阻值小于无穷大，但大于零：有漏电性故障。 　　3电源变压器的检测 A 通过观察变压器的外貌来检查其是否有明显异常现象。如线圈引线是否断裂，脱焊，绝缘材料是否有烧焦痕迹，铁心紧固螺杆是否有松动，硅钢片有无锈蚀，绕组线圈是否有外露等。 B 绝缘性测试。用万用表R×10k挡分别测量铁心与初级，初级与各次级、铁心与各次级、静电屏蔽层与衩次级、次级各绕组间的电阻值，万用表指针均应指在无穷大位置不动。否则，说明变压器绝缘性能不良。 C 线圈通断的检测。将万用表置于R×1挡，测试中，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明此绕组有断路性故障。 D 判别初、次级线圈。电源变压器初级引脚和次级引脚一般都是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V字样，次级绕组则标出额定电压值，如15V、24V、35V等。再根据这些标记进行识别。 E 空载电流的检测。 (a)直接测量法。将次级所有绕组全部开路，把万用表置于交流电流挡(500mA，串入初级绕组。当初级绕组的插头插入220V交流市电时，万用表所指示的便是空载电流值。此值不应大于变压器满载电流的10％～20％。一般常见电子设备电源变压器的正常空载电流应在100mA左右。如果超出太多，则说明变压器有短路性故障。 (b)间接测量法。在变压器的初级绕组中串联一个10/5W的电阻，次级仍全部空载。把万用表拨至交流电压挡。加电后，用两表笔测出电阻R两端的电压降U，然后用欧姆定律算出空载电流I空，即I空=U/R。 F 空载电压的检测。将电源变压器的初级接220V市电，用万用表交流电压接依次测出各绕组的空载电压值(U21、U22、U23、U24)应符合要求值，允许误差范围一般为：高压绕组≤±10％，低压绕组≤±5％，带中心抽头的两组对称绕组的电压差应≤±2％。 G 一般小功率电源变压器允许温升为40℃～50℃，如果所用绝缘材料质量较好，允许温升还可提高。 H 检测判别各绕组的同名端。在使用电源变压器时，有时为了得到所需的次级电压，可将两个或多个次级绕组串联起来使用。采用串联法使用电源变压器时，参加串联的各绕组的同名端必须正确连接，不能搞错。否则，变压器不能正常工作。 I 电源变压器短路性故障的综合检测判别。电源变压器发生短路性故障后的主要症状是发热严重和次级绕组输出电压失常。通常，线圈内部匝间短路点越多，短路电流就越大，而变压器发热就越严重。检测判断电源变压器是否有短路性故障的简单方法是测量空载电流(测试方法前面已经介绍)。存在短路故障的变压器，其空载电流值将远大于满载电流的10％。当短路严重时，变压器在空载加电后几十秒钟之内便会迅速发热，用手触摸铁心会有烫手的感觉。此时不用测量空载电流便可断定变压器有短路点存在。

二、电容的检测方法　　1固定电容器的检测 A 检测10pF以下的小电容。因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B 检测10PF～0.01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。 C 对于0.01μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 　　2电解电容器的检测 A 因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B 将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。 C 对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。 D 使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。 　　3可变电容器的检测 A 用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。 B 用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。 C 将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。

三、在路测二极管、三极管、稳压管好坏： 因为在实际电路中，三极管的偏置电阻或二极管、稳压管的周边电阻一般都比较大，大都在几百几千欧姆以上，这样，我们就可以用万用表的R×10Ω或R×1Ω档来在路测量PN结的好坏。在路测量时，用R×10Ω档测PN结应有较明显的正反向特性（如果正反向电阻相差不太明显，可改用R×1Ω档来测），一般正向电阻在R×10Ω档测时表针应指示在200Ω左右，在R×1Ω档测时表针应指示在30Ω左右（根据不同表型可能略有出入）。如果测量结果正向阻值太大或反向阻值太小，都说明这个PN结有问题，这个管子也就有问题了。这种方法对于维修时特别有效，可以非常快速地找出坏管，甚至可以测出尚未完全坏掉但特性变坏的管子。比如当你用小阻值档测量某个PN结正向电阻过大，如果你把它焊下来用常用的R×1kΩ档再测，可能还是正常的，其实这个管子的特性已经变坏了，不能正常工作或不稳定了。 　　1、测稳压二极管：我们通常所用到的稳压管的稳压值一般都大于1.5V，而指针表的R×1k以下的电阻档是用表内的1.5V电池供电的，这样，用R×1k以下的电阻档测量稳压管就如同测二极管一样，具有完全的单向导电性。但指针表的R×10k档是用9V或15V电池供电的，在用R×10k测稳压值小于9V或15V的稳压管时，反向阻值就不会是∞，而是有一定阻值，但这个阻值还是要大大高于稳压管的正向阻值的。如此，我们就可以初步估测出稳压管的好坏。但是，好的稳压管还要有个准确的稳压值，业余条件下怎么估测出这个稳压值呢？不难，再去找一块指针表来就可以了。方法是：先将一块表置于R×10k档，其黑、红表笔分别接在稳压管的阴极和阳极，这时就模拟出稳压管的实际工作状态，再取另一块表置于电压档V×10V或V×50V（根据稳压值）上，将红、黑表笔分别搭接到刚才那块表的的黑、红表笔上，这时测出的电压值就基本上是这个稳压管的稳压值。说“基本上”，是因为第一块表对稳压管的偏置电流相对正常使用时的偏置电流稍小些，所以测出的稳压值会稍偏大一点，但基本相差不大。这个方法只可估测稳压值小于指针表高压电池电压的稳压管。如果稳压管的稳压值太高，就只能用外加电源的方法来测量了（这样看来，我们在选用指针表时，选用高压电池电压为15V的要比9V的更适用些）。 　　2、测三极管：通常我们要用R×1kΩ档，不管是NPN管还是PNP管，不管是小功率、中功率、大功率管，测其be结cb结都应呈现与二极管完全相同的单向导电性，反向电阻无穷大，其正向电阻大约在10K左右。为进一步估测管子特性的好坏，必要时还应变换电阻档位进行多次测量，方法是：置R×10Ω档测PN结正向导通电阻都在大约200Ω左右；置R×1Ω档测PN结正向导通电阻都在大约30Ω左右，（以上为47型表测得数据，其它型号表大概略有不同，可多试测几个好管总结一下，做到心中有数）如果读数偏大太多，可以断定管子的特性不好。还可将表置于R×10kΩ再测，耐压再低的管子（基本上三极管的耐压都在30V以上），其cb结反向电阻也应在∞，但其be结的反向电阻可能会有些，表针会稍有偏转（一般不会超过满量程的1/3，根据管子的耐压不同而不同）。同样，在用R×10kΩ档测ec间(对NPN管）或ce间（对PNP管）的电阻时，表针可能略有偏转，但这不表示管子是坏的。但在用R×1kΩ以下档测ce或ec间电阻时，表头指示应为无穷大，否则管子就是有问题。应该说明一点的是，以上测量是针对硅管而言的，对锗管不适用。不过现在锗管也很少见了。另外，所说的“反向”是针对PN结而言，对NPN管和PNP管方向实际上是不同的。 　　现在常见的三极管大部分是塑封的，如何准确判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e？三极管的b极很容易测出来，但怎么断定哪个是c哪个是e？这里推荐三种方法：第一种方法：对于有测三极管hFE插孔的指针表，先测出b极后，将三极管随意插到插孔中去（当然b极是可以插准确的），测一下hFE值，然后再将管子倒过来再测一遍，测得hFE值比较大的一次，各管脚插入的位置是正确的。第二种方法：对无hFE测量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的，可以用这种方法：对NPN管，先测出b极（管子是NPN还是PNP以及其b脚都很容易测出，是吧？），将表置于R×1kΩ档，将红表笔接假设的e极（注意拿红表笔的手不要碰到表笔尖或管脚），黑表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，将管子拿起来，用你的舌尖舔一下b极，看表头指针应有一定的偏转，如果你各表笔接得正确，指针偏转会大些，如果接得不对，指针偏转会小些，差别是很明显的。由此就可判定管子的c、e极。对PNP管，要将黑表笔接假设的e极（手不要碰到笔尖或管脚），红表笔接假设的c极，同时用手指捏住表笔尖及这个管脚，然后用舌尖舔一下b极，如果各表笔接得正确，表头指针会偏转得比较大。当然测量时表笔要交换一下测两次，比较读数后才能最后判定。这个方法适用于所有外形的三极管，方便实用。根据表针的偏转幅度，还可以估计出管子的放大能力，当然这是凭经验的。第三种方法：先判定管子的NPN或PNP类型及其b极后，将表置于R×10kΩ档，对NPN管，黑表笔接e极，红表笔接c极时，表针可能会有一定偏转，对PNP管，黑表笔接c极，红表笔接e极时，表针可能会有一定的偏转，反过来都不会有偏转。由此也可以判定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子，这个方法就不适用了。 　　对于常见的进口型号的大功率塑封管，其c极基本都是在中间。中、小功率管有的b极可能在中间。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管，其b极有的在就中间。当然它们也有c极在中间的。所以在维修更换三极管时，尤其是这些小功率三极管，不可拿来就按原样直接安上，一定要先测一下。

小小的电子元器件看似微小，实则是很重要的组成部分之一。因为电子设备出现故障现象，很大一部分情况是由于电子元器件失效或损坏所导致。如此一来，检测电子元器件成为很重要的事，那么对于电子元器件检测经验和技巧有哪些？[b]1．单向晶闸管检测[/b]可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大；测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。[b]2．检查发光数码管的好坏[/b]先将万用表置R×10k或R×l00k挡，然后将红表笔与数码管(以共阴数码管为例)的“地”引出端相连，黑表笔依次接数码管其他引出端，七段均应分别发光，否则说明数码管损坏。[b]3．测整流电桥各脚的极性[/b]万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。[b]4．双向晶闸管的极性识别[/b]双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我们也很容易通过测量电阻大小来识别主电极1和主电极2。[b]5．判断晶振的好坏[/b]先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电；再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的；若氖泡不亮，则说明晶振损坏。[b]6．判别结型场效应管的电极[/b]将万用表置于R×1k挡，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小(5～10 Ω)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均大(∞)，说明都是反向电阻(PN结反向)，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。[b]7．三极管电极的判别[/b]对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于：PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于：PNP型管，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次，黑表笔所接的电极为集电极。[b]8．电位器的好坏判别[/b]先测电位器的标称阻值。用万用表的欧姆挡测“1”、“3”两端(设“2”端为活动触点)，其读数应为电位器的标称值，如万用表的指针不动、阻值不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。再检查电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆挡测“1”、“2”或“2”、“3”两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，此时电阻应越小越好，再徐徐顺时钟旋转轴柄，电阻应逐渐增大，旋至极端位置时，阻值应接近电位器的标称值。如在电位器的轴柄转动过程中万用表指针有跳动瑚象，描踢活动触』点接触不良。[b]9．激光二极管损坏判别[/b]拆下激光二极管，测量其阻值，正常情况下反向阻值应为无穷大，正向阻值在20kΩ～40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ，说明激光二极管性能已下降；如果其正向阻值已超过90kΩ，说明该管已损坏，不能再使用了。[b]10．判别红外接收头引脚[/b]万用表置R×1k挡，先假设接收头的某脚为接地端，将其与黑表笔相接，用红表笔分别测量另两脚电阻，对比两次所测阻值(一般在4～7k Q范围)，电阻较小的一次其红表笔所接为+5V电源引脚，另一阻值较大的则为信号引脚。反之，若用红表笔接已知地脚，黑表笔分别测已知电源脚及信号脚，则阻值都在15kΩ以上，阻值小的引脚为+5V端，阻值偏大的引脚为信号端。如果测量结果符合上述阻值则可判断该接收头完好。[b]11．判断无符号电解电容极性[/b]先将电容短路放电，再将两引线做好A、B标记，万用表置R×100或R×1k挡，黑表笔接A引线，红表笔接B引线，待指针静止不动后读数，测完后短路放电；再将黑表笔接B引线，红表笔接A引线，比较两次读数，阻值较大的一次黑表笔所接为正极，红表笔所接为负极。[b]12．测发光二极管[/b]取一个容量大于100“F的电解电容器(容量越大，现象越明显)，先用万用表R×100挡对其充电，黑表笔接电容正极，红表笔接负极，充电完毕后，黑表笔改接电容负极，将被测发光二极管接于红表笔和电容正极之间。如果发光二极管亮后逐渐熄灭，表明它是好的。此时红表笔接的是发光二极管的负极，电容正极接的是发光二极管的正极。如果发光二极管不亮，将其两端对调重新接上测试，还不亮，表明发光二极管已损坏。[b]13. 光电耦合器检测[/b]万用表选用电阻R×100挡，不得选R×10k挡，以防电池电压过高击穿发光二极管。红、黑表笔接输入端，测正、反向电阻，正常时正向电阻为数十欧姆，反向电阻几千欧至几十千欧。若正、反向电阻相近，表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端，测正、反向电阻，正常时均接近于∞，否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡，红、黑表笔分别接输入、输出端测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻，此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值)，发光管与受光管问绝缘电阻正常应为∞。[b]14．光敏电阻的检测[/b]检测时将万用表拨到R×1kΩ挡，把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直，于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所，这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十干欧，暗阻为几至几十兆欧，说明光敏电阻是好的。[b]15．测量大容量电容的漏电电阻[/b]用500型万用表置于R×10或R×100挡，待指针指向最大值时，再立即改用R×1k挡测量，指针会在较短时间内稳定，从而读出漏电电阻阻值。

人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线，如图1所示。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2008/11/200811101139_117491_1604910_3.gif[/img]　　电子元器件失效的原因，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。 　　前沿期、稳定期、后延期 3 者之和约为 10 年。　　仪器到了10年就该更新啦！否则维护成本很高的！

为符合ROHS要求，很多厂检测电子元器件，但下面的问题不知各位有什么样的见解：电阻中的排阻/铅：整体测试小于100ppm，如剪碎至很小颗粒，则高达2000-4000ppm，且数据会随着剪碎的颗粒大小而增加。据生产商介绍，他们生产的时候有加入氧化铅和硅酸盐。所以以上的结果可以理解。但是ROHS要求排阻整个测试，铅含量小于1000ppm为合格，SONY的SS-00259也这样要求。但是他们都没说明“整体”测试应该是剪碎还是不剪碎。SGS给出的资料也是整体测试，但没有说明是否剪碎。以上的问题，请大家给出你们的意见和解释，非常感谢。

[align=left]小小的电子元器件看似微小，实则是很重要的组成部分之一。因为电子设备出现故障现象，很大一部分情况是由于电子元器件失效或损坏所导致。如此一来，检测电子元器件成为很重要的事，那么对于电子元器件检测经验和技巧有哪些?[/align][align=left][b]1．单向晶闸管检测[/b][/align][align=left]可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大；测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。[/align][align=left][b]2．检查发光数码管的好坏[/b][/align][align=left]先将万用表置R×10k或R×l00k挡，然后将红表笔与数码管(以共阴数码管为例)的“地”引出端相连，黑表笔依次接数码管其他引出端，七段均应分别发光，否则说明数码管损坏。[/align][align=left][b]3．测整流电桥各脚的极性[/b][/align][align=left]万用表置R×1k挡，黑表笔接桥堆的任意引脚，红表笔先后测其余三只脚，如果读数均为无穷大，则黑表笔所接为桥堆的输出正极，如果读数为4～10kΩ，则黑表笔所接引脚为桥堆的输出负极，其余的两引脚为桥堆的交流输入端。[/align][align=left][b]4．双向晶闸管的极性识别[/b][/align][align=left]双向晶闸管有主电极1、主电极2和控制极，如果用万用表R×1k挡测量两个主电极之间的电阻，读数应近似无穷大，而控制极与任一个主电极之间的正、反向电阻读数只有几十欧。根据这一特性，我们很容易通过测量电极之间电阻大小，识别出双向晶闸管的控制极。而当黑表笔接主电极1。红表笔接控制极时所测得的正向电阻总是要比反向电阻小一些，据此我们也很容易通过测量电阻大小来识别主电极1和主电极2。[/align][align=left][b]5．判断晶振的好坏[/b][/align][align=left]先用万用表(R×10k挡)测晶振两端的电阻值，若为无穷大，说明晶振无短路或漏电；再将试电笔插入市电插孔内，用手指捏住晶振的任一引脚，将另一引脚碰触试电笔顶端的金属部分，若试电笔氖泡发红，说明晶振是好的；若氖泡不亮，则说明晶振损坏。[/align][align=left][b]6．判别结型场效应管的电极[/b][/align][align=left]将万用表置于R×1k挡，用黑表笔接触假定为栅极G的管脚，然后用红表笔分别接触另外两个管脚，若阻值均比较小(5～10 Ω)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均大(∞)，说明都是反向电阻(PN结反向)，属N沟道管，且黑表笔接触的管脚为栅极G，并说明原先假定是正确的。若再次测量的阻值均很小，说明是正向电阻，属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。[/align][align=left]若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。[/align][align=left][b]7．三极管电极的判别[/b][/align][align=left]对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1k电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。[/align][align=left]在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于：PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于：PNP型管，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次，黑表笔所接的电极为集电极。[/align][align=left][b]8．电位器的好坏判别[/b][/align][align=left]先测电位器的标称阻值。用万用表的欧姆挡测“1”、“3”两端(设“2”端为活动触点)，其读数应为电位器的标称值，如万用表的指针不动、阻值不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。再检查电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆挡测“1”、“2”或“2”、“3”两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，此时电阻应越小越好，再徐徐顺时钟旋转轴柄，电阻应逐渐增大，旋至极端位置时，阻值应接近电位器的标称值。如在电位器的轴柄转动过程中万用表指针有跳动瑚象，描踢活动触』点接触不良。[/align][align=left][b]9．激光二极管损坏判别[/b][/align][align=left]拆下激光二极管，测量其阻值，正常情况下反向阻值应为无穷大，正向阻值在20kΩ～40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ，说明激光二极管性能已下降；如果其正向阻值已超过90kΩ，说明该管已损坏，不能再使用了[/align][align=left][b]10．判别红外接收头引脚[/b][/align][align=left]万用表置R×1k挡，先假设接收头的某脚为接地端，将其与黑表笔相接，用红表笔分别测量另两脚电阻，对比两次所测阻值(一般在4～7k Q范围)，电阻较小的一次其红表笔所接为+5V电源引脚，另一阻值较大的则为信号引脚。反之，若用红表笔接已知地脚，黑表笔分别测已知电源脚及信号脚，则阻值都在15kΩ以上，阻值小的引脚为+5V端，阻值偏大的引脚为信号端。如果测量结果符合上述阻值则可判断该接收头完好。[/align][align=left][b]11．判断无符号电解电容极性[/b][/align][align=left]先将电容短路放电，再将两引线做好A、B标记，万用表置R×100或R×1k挡，黑表笔接A引线，红表笔接B引线，待指针静止不动后读数，测完后短路放电；再将黑表笔接B引线，红表笔接A引线，比较两次读数，阻值较大的一次黑表笔所接为正极，红表笔所接为负极。[/align][align=left][b]12．测发光二极管[/b][/align][align=left]取一个容量大于100“F的电解电容器(容量越大，现象越明显)，先用万用表R×100挡对其充电，黑表笔接电容正极，红表笔接负极，充电完毕后，黑表笔改接电容负极，将被测发光二极管接于红表笔和电容正极之间。如果发光二极管亮后逐渐熄灭，表明它是好的。此时红表笔接的是发光二极管的负极，电容正极接的是发光二极管的正极。如果发光二极管不亮，将其两端对调重新接上测试，还不亮，表明发光二极管已损坏。[/align][align=left][b]13. 光电耦合器检测[/b][/align][align=left]万用表选用电阻R×100挡，不得选R×10k挡，以防电池电压过高击穿发光二极管。红、黑表笔接输入端，测正、反向电阻，正常时正向电阻为数十欧姆，反向电阻几千欧至几十千欧。若正、反向电阻相近，表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端，测正、反向电阻，正常时均接近于∞，否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡，红、黑表笔分别接输入、输出端测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻，此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值)，发光管与受光管问绝缘电阻正常应为∞。[/align][align=left][b]14．光敏电阻的检测[/b][/align][align=left]检测时将万用表拨到R×1kΩ挡，把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直，于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所，这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十干欧，暗阻为几至几十兆欧，说明光敏电阻是好的。[/align][align=left][b]15．测量大容量电容的漏电电阻[/b][/align][align=left]用500型万用表置于R×10或R×100挡，待指针指向最大值时，再立即改用R×1k挡测量，指针会在较短时间内稳定，从而读出漏电电阻阻值。[/align]

我刚接触元器件检测业务,对整个检测流程不清楚,请教各位大侠各位好友,帮帮忙吧,谢谢!

电子[url=https://www.szcxwdz.com][b]元器件[/b][/url]是信息技术产业发展的基石，也是保障产业链供应链安全稳定的关键。面对成千上万种功能迥异的电子元器件，以及复杂的供应渠道和货源，往往一个器件的品质就可能影响到整个产品设计，加上近期电子元器件价格大涨，如何提升采购效率降低采购成本对于控制企业产品成本，提高产品竞争力有着极其现实的意义。随着互联网的发展，用户都在便捷地通过型号搜索并比较渠道。[url=https://www.szcxwdz.com][b]创芯为[/b][/url]电子为不同规模的企业提供电子元器件采购的平台。主要产品包括电源管理芯片、处理器及微控制器、接口芯片、放大器、存储器 、逻辑器件、数据转换芯片、电容、二极管、三极管 、电阻、电感、晶振 [url=https://www.szcxwdz.com][b]稀缺样品[/b][/url]等，并提供相关的技术咨询。在售商品超60万种，原?或代理货源直供，绝对保证原装正品，并满?客??站式采购要求，当天订单，当天发货，还可免费供样！

电子元器件包括：电阻、电容器、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料、电子胶（带）制品、电子化学材料及部品等。

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今天和大家分享一个电子行业标准系列,全部和电气、电子元器件有关的，放在资料中心，点击本人图形右边的 [查看该用户在资料中心上传的资料] 就可找到.SJ-T 207.4-1999设计文件管理制度 第四部分 设计文件的编号.pdfSJ-T 207.6-2001设计文件管理制度 第 6 部分 项目代号.pdfSJ-T 207.7-2001设计文件管理制度 第 7 部分 电气简图的编制.pdfSJ-T 207.8-2001设计文件管理制度 第 8 部分：图样编制.pdfSJ-T 10149-1991电子元器件图形库 半导体分立器件图形.pdfSJ-T 10150-1991电子元器件图形库 电阻器、电容器、电感器图形.pdfSJ-T 10151-1991电子产品设计文件的标准化检查.pdfSJ-T 10224-1991电子元器件图形库 标准结构件图形.pdfSJ-T 10225-1991电子元器件图形库 机电元件图形.pdfSJ-T 10629.4-1995计算机辅助设计设计文件管理制度 设计文件的签署.pdfSJ-T 10629.5-1995计算机辅助设计设计文件管理制度 设计文件的管理.pdf

电磁兼容（EMC）设计中，比较经常用到的元器件有以下几种： 1、共模电感 在大部分的电磁兼容设计中，工程师面临的问题很多都是共模干扰问题，一般解决这个问题最常用的元器件就是共模电感。它的构成是两个大小和匝数都相同的线圈缠绕在一个铁氧体磁芯上，当共模电流通过该电感时，电感量瞬间增强，由此可抑制共模电流，防止产生共模干扰；如果是差模电流流过时，则电感量几乎为零，所以差模电流可以很顺利的通过。 2、磁珠 磁珠在数字电路的电磁兼容设计中应用的较为广泛，磁珠一般是用铁镁或者铁镍合金做成，这种金属材料的导磁率非常高，在高频和低频情况下均可很好的抑制电磁干扰，在高频的情况下，磁珠主要呈现电阻特性，可以将高频电磁消耗成热能，如果是在低频情况下，磁珠的电阻特性就变得很小，导磁率较高，电磁干扰会被反射而受到抑制。 3、滤波电容器 在实际的电磁兼容设计中，要滤除的电磁噪声频率通常都很高，一般都是数百兆赫兹，如此高频率的电磁噪声，普通电容搞不定，只能使用滤波电容器来滤除高频噪声，因为滤波电容器不仅没有引线电感造成电容谐振频率过低的问题，而且滤波电容器可以直接安装在金属面板上，利用金属面板起到高频隔离的作用。但是滤波电容器在高温情况下很容易损坏，安装焊接的时候非常麻烦，一旦损坏，修复就很困难，所以在安装时应非常仔细认真，以免对电容器造成损坏。

电子元器件是信息技术产业发展的基石，也是保障产业链供应链安全稳定的关键。面对成千上万种功能迥异的电子元器件，以及复杂的供应渠道和货源，往往一个器件的品质就可能影响到整个产品设计，加上近期电子元器件价格大涨，如何提升采购效率降低采购成本对于控制企业产品成本，提高产品竞争力有着极其现实的意义。电子元器件采购工作日常离不开采购备货、采购交期管控、采购效率提升等等问题。一般来说，供应商开发包括的内容有:供应市场竞争分析，寻找合格供应商，潜在供应商的评估，询价和报价，合同条款的谈判，最终供应商的选择。随着互联网的发展，电子元器件在线采购管理平台迅速崛起，集合国内外原厂、知名代理商、现货商资源，用户都在便捷地通过型号搜索并比较渠道。[url=https://www.szcxwdz.com][b]创芯为电子[/b][/url]为不同规模电子元器件企业提供差异化的采购协同商城平台系统开发，从需求到寻源，订单到对账开票覆盖整体采购业务，[url=https://www.szcxwdz.com][b]创芯为电子[/b][/url]真正做到对采购每个环节进行严密的跟踪与管理，推动采购战略执行，全面提升采购效率与管理体验。在采购寻源模块，买家可选择性的对商家提供的报价进行跟踪咨询留言，进一步达成合作意向，卖家也可补充之前的报价内容。采购系统询报价功能为电子元器件企业交易流通提供更有效的供求信息交流关系，通过采购管理平台，可以更快的传达需求，完成服务促进企业采购交易效率。

为了适应电子工业的生产需求，电子元器件的集成、热度密度在不断的增大。如此一来，解决电子元器件散热问题就变成了一件刻不容缓的事情。影响电子元器件散热的因素有很多，比如热阻、功耗等。前面有讲到热管在大规模集成电路散热处理中的应用，这里华强北IC代购网系统介绍电子元器件常见的几种散热方法。 http://www.realchip.net/images/upload/Image/9495632.jpg一、 散热方法大全1、 自然散热和强行散热 所谓自然散热，顾名思义，是指不借助外部能量或措施的情况下，实现局部发热器件向周围散热达到控制电子元器件温度的目的。这种自然散热对电子元器件的要求比较低，一般适用于一些对温度控制要求较低的电子元器件及热量密度较小的低功耗元器件。 强行散热，借助风扇等工具强制性的使电子元器件周边的空气流动，主要适用于空气在部件内多个元器件的空间可以流动，是一种操作简单方便，却散热效果明显的散热方法。2、 通过制冷方式达到散热的目的 制冷方式，是为高温热源提供一个具有连续性的低温热源，进而达到控制温度的目的，在电子元器件中大多数采用Peltier制冷和制冷剂相变制冷。 Peltier制冷，只适用于元器件的体积紧密且对制冷要求不高的电子元器件，具有可靠性高的特点，但同时也具有成本高、效率低的缺点。采用Peltier制冷需要考虑制冷装置是否满足质量轻、体积小、方便安装和拆卸的特点，对制冷装置的要求比较严格。 制冷剂的相变冷却，是在特定情况下利用制冷剂发生相变而吸收大量热量的特点，对电子元器件达到冷却的效果。3、 在散热过程中进行能量疏导 我们可以理解为，把电子元器件散发出的热量，利用传热元件传递到某一个特定的地方集中然后再进行处理或者是更加高效率的向环境传导热量。二、 电子元器件散热方法的选择 在对电子元器件散热方法选择过程中，应考虑以下几种典型的因素：电子元器件自身的一些特点，如热阻的大小、热效率的高低、质量大小等，以及元器件对售后的要求，如维护要求、维修性、辅助设备等元器件的可靠性。另外还有就是人体的损伤危害程度，如在元器件散热过程中是否会产生有毒的热量，以及电子元器件在使用过程中对电力设备的需求，对设备电性能的影响。

[b][u][font=宋体][color=#0000ff][font=宋体][url=https://www.szcxwdz.com/]创芯为电子[/url][/font][/color][/font][/u][/b][font=宋体][font=宋体]（深圳）有限公司创立于[/font]2021年8月。从事各类主动电子元器件的销售。主要产品包括电源管理芯片、处理器及微控制器、接口芯片、放大器、存储器、逻辑器件、数据转换芯片等，并提供相关的技术咨询。凭借优异的产品质量和完善的服务，我们与杰特动力、圣普电力、中本安防、猎声科技以及欧陆通等各大企业均有合作，并已发展成为国内最具性价比的代理分销企业。[/font][font=宋体][/font][font=宋体][font=宋体]我们与[/font]ST(意法半导体)、GD(兆易创新)、ADI(亚德诺)、TI(德州仪器)、NXP(恩智浦)、Infineon(英飞凌)、MICROCHIP(美国微芯)等知名电子元器件品牌有紧密合作，[/font][b][u][font=宋体][color=#0000ff][font=宋体][url=https://www.szcxwdz.com/]红外传感器厂家代理[/url][/font][/color][/font][/u][/b][font=宋体][font=宋体]，[/font][/font][b][u][font=宋体][color=#0000ff][font=宋体][url=https://www.szcxwdz.com/]差分放大电路厂家代理[/url][/font][/color][/font][/u][/b][font=宋体][font=宋体]，为数广大的大中小企业服务，在通讯、工业自动化，汽车电子、无人机及机器人、消费电子、电源电力、仪器仪表、网络通讯、医疗设备、智能家电、安防监控、光模块及光器件等各个领域相互促进，互利共赢。[/font][/font]

我公司由于做电子元器件里的重金属，用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收[/color][/url]法，不知道样品怎样前处理，希望知道的大侠能告之啊 [em09]

镀金液(氰化金钾)很贵啊,电子元器件接插件镀硬金(金镍合金)工艺的成本如何控制?因电子元器件接插件个小量多,从成本的角度控制氰化金钾的使用量好难,发表大家的高见.[em0808]

[url=https://www.szcxwdz.com][b]创芯为[/b][/url]电子提供电子[url=https://www.szcxwdz.com][b]元器件[/b][/url]采购。主要产品包括电源管理芯片、处理器及微控制器、接口芯片、放大器、存储器 、逻辑器件、数据转换芯片、电容、二极管、三极管 、电阻、电感、晶振等，并提供相关的技术咨询。主营芯片经营品牌：TI、Microchip、ST、ADI、NXP、英飞凌、ON等，长期跟原厂代理储备现货库存，渠道优，价格优势，可提供[url=https://www.szcxwdz.com][b]BOM配单[/b][/url]，欢迎各行需求交流！

看完这里的贴，好像没有做电子元器件失效分析的兄弟啊。

*测试仪器：可编程直流电源、电子负载、数字万用表、示波器、参数分析仪、PCB测试板*被测产品：二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管及多阵列器件等各类半导体分立器件*测试项目：分立器件的功能和交参数测试（如：二极管极性的自动识别极性、整流电流、正向压降等；三极管直流电流放大倍数、穿透电流等；场效应管饱和漏电流、夹断电压[font=&][size=13px][color=#888888]、开启电压等）[/color][/size][/font][font=&][size=13px][color=#888888]1.系统优势本系统连接采用测试板的方式，不同器件采用统一接口在测试板插座上插拔，同时软硬件具有钳位保护，整个测试可以更加简易、高效、安全的进行。与仪器之间采用VISA通信，保证对多台仪器通信的并行处理，使各个仪器的数据不会相互干扰，并能全程保持通讯状态，不会丢包。ALL IN ONE模式的系统满足对不同种类的[b]二极管、三极管、场效应管、DC-DC模块[/b]的基本指标的自动化测试，并采用菜单填表式的编程模式，提供各类型典型器件测试模板。所有仪器的连接可在硬件设置界面通过自动检测的功能实现，并支持仪器更换品牌型号的兼容。所有测试线缆均采用同轴线缆，有效的避免外界电磁干扰对系统采集数据的影响，使数据更精准。系统测试过程中[b]实时显示测试进度和测试状态[/b]，也具有对[b]测试数据的自动化保存和历史数据的随时查看[/b]的功能。系统确保数据的准确性和运行的稳定性，为用户提供报告模板，实现报告的多样化和灵活性。[/color][/size][/font][size=16px]2. [b]系统概述[/b][/size][size=16px][b][/b][/size][font=微软雅黑, &][size=16px] NSAT-2000电子元器件自动测试系统主要对电子系统的某些关键器件、设备及芯片，在加速寿命退化后，对代表其性能退化的电参量进行测试，获取测试数据，保证获取数据的实时性和可靠性。[/size][/font][size=14px] [/size] 该系统可用于各类[b][color=#002060]二极管、三极管、绝缘栅型场效应管、结型场效应管、单向和双向可控硅、普通和高速光耦、整流桥、共阴共阳二极管及多阵列器件[/color][/b]等各类分立器件的功能和交参数测试[size=16px][font=微软雅黑, &] 系统可实现[/font][font=微软雅黑, &]二极管极性的[b][color=#002060]自动识别极性、最大整流电流、正向压降[/color][/b]测试；三极管[b][color=#002060]直流电流放大倍数、穿透电流测试[/color][/b]等；场效应管[b][color=#002060]饱和漏电流、夹断电压、开启电压[/color][/b]等测试）。[/font][/size][font=微软雅黑][size=16px][/size][/font][size=16px][b][font=微软雅黑, &]3. 测试基于硬件[/font][font=微软雅黑, &][/font][/b][/size][size=16px] [/size][align=center][img=基于硬件.png]http://www.namisoft.com/UserFiles/Article/image/6374604613666689078870072.png[/img][/align][size=16px][b][font=微软雅黑, &]4. 产品结构[/font][font=微软雅黑, &][/font][font=微软雅黑, &][/font][/b][/size][align=center][size=16px][b][font=微软雅黑, &][size=14px][img=image.png]http://www.namisoft.com/UserFiles/Article/image/6374604056975405769523273.png[/img][/size][/font][/b][/size][/align][align=center][font=微软雅黑, &][size=14px] [/size][/font][/align][size=16px][b]5.系统流程图[/b][/size][size=16px][b][size=14px][/size][/b][/size][align=center][img=image.png]http://www.namisoft.com/UserFiles/Article/image/6374604038375389718390069.png[/img][/align][size=16px][b][size=14px][/size][/b][/size][size=16px][b][size=14px][/size][/b][/size][size=16px][b][size=14px]6. [size=16px]系统界面[/size][/size][/b][/size][align=center][img=NSAT-2000产品界面.png]http://www.namisoft.com/UserFiles/Article/image/6374604519393855786961877.png[/img][/align][size=16px][b][font=微软雅黑, &][size=14px][/size][/font][/b][/size][size=16px][b][font=微软雅黑, &]7.应用场景[/font][font=微软雅黑, &][/font][/b][/size][align=center][img=image.png]http://www.namisoft.com/UserFiles/Article/image/6374604546811808249656772.png[/img][/align][align=left]如果您想要免费试用电子元器件测试系统，请搜索 【纳米软件】至官网试用。http://www.namisoft.com/Softwarecenterdetail/510.html[/align]

除了GJB4027A-2006军用电子元器件破坏性物理分析方法，还有更权威的规范资料吗？

2010 第九届大连国际电子设备、电子元器件工业展览会时间：2010年5月12-14日 地点：大连星海会展中心主办单位： 中国电子学会 中国机电产品进出口商会 辽宁省人民政府 大连市人民政府 海外协办： 日本国际贸易促进协会 日中东北开发协会 大韩贸易投资振兴会社 台湾电子工会 承办单位： 大连华展展览服务有限公司支持媒体： 《元器件快递报》、《E代电子》、《电子资源》、《电子元器件应用》、《世界电子仪器商情》《半导体商情》、《大中华电子》、《表面贴装与半导体科技》、《电子变压器专辑》、《今日电子》、电子元器件交易网、电子展览网、电子设备材料、电子查询网、亚太资源网、第一电子网、ICBUY、全球IC采购网、电子贸易网、连接世界、中国覆铜板综合信息网前言：辽宁沿海经济带发展规划上升为国家战略，大连将发挥核心和龙头作用！2009年7月1日，国务院将《辽宁沿海经济带发展规划》上升为国家战略，辽宁沿海六城市（大连、营口、葫芦岛、盘锦、锦州、丹东）将成为具有经济特区特征的新经济发展带。作为东北地区核心和龙头，大连将发挥类似深圳和上海的辐射和牵动作用，带动东北地区经济快速发展。大连是东北地区重要的装备制造业基地，也是东北最重要的电子产业基地.近四年来大连信息产业年均增长速度高达54%，电子制造业工业总产值占东北地区61.6%，销售收入和出口分别占东北地区的57%和64.6%。知名企业英特尔、欧姆龙、西门子、东芝、松下、日立、佳能、阿尔派、阿尔卑斯、LG、华录、路明、富士康、海尔等在东北均设有生产基地，电子设备及元器件需求企业仅大连就拥有上万家，电子设备和电子产品市场巨大；特别07年投资25亿美元的英特尔项目进展顺利，是其在亚洲最大的芯片生产基地， 2010年将如期投产，相关配套服务厂商已有数百家积极洽谈进驻大连，预计大连集成电路产业和金融服务业等方面的外商投资企业将达到近千家，在未来5年间达到50亿至100亿美元的规模.展会回顾：大连电子展历经八年努力，现已成为北方地区举足轻重，不可或缺的一个电子专业展览会，上届展会展出总面积10000平方米，受到国内外电子厂商的关注，观众满意率达到90%，参展商满意率达到80%。美国杜邦、台湾来扬、香港爱克斯、香港三惠、松日科技、日本村田、美国FLUKE、美国Raytek、日本日友、日本电产、东芝、西门子、欧姆龙、中国华录、路明集团、辽无二厂、台湾KSS、台湾千如、美国飞索、町洋机电、日本美上美、日本APollock Seiko、台湾广泰电机、日本AVIO、爱默生、韩国海力士、日本Ferrotec、上海华伟Ginantlok、日本尼康、合兴集团、上海伟科、上海双科、云南YT、台湾华德、深圳优龙、厦门银华、丹东国通、万隆光电、大华电子、洁丽纸业、恒丰五金、天峰电子、吉星电子、白光电子、怡达电气、德昌电子、雅拓莱焊料、洋光欧利、天豪电子、怡得乐电子、太和电路板、合利仪器、深圳兴业卓辉、上海格州电子、深圳新纶、华宇电子、晨翔电子等企业悉数参展。从而也让人们对于新一届展会充满了信心与期待。东北第一的电子展，在沿海经济带的中心大连举办，期待贵公司的参与！展品范围：一、各类电子设备 三、特设展区1、各类电子生产、加工、成型、维修设备 1、SMT、IC展区 组装、封装设备等 2、清洗、净化、防静电展区2、PCB、表面贴装产品； 3、LED光电展区3、测试设备、仪器仪表、电子工具等 4、线缆、连接、开关展区二、电子元器件1、电子元件、电子器件等2、电子原材料等展 位 费 用：1、标准展位国内企业：3M X3M 5600人民币（主通道两侧加价20%）国外企业：3M X3M 2000美元（主通道两侧加价20%）注：标准展位配备： 三面壁板（双面开口两面壁板）、楣板制作，洽谈做一张、两把椅子、5A电源插座（仅限500W以内视听设备）一个，射灯两只。2、室内光地国内企业：540元/平方米 （不少于36平方米，主通道两侧加价20%）国外企业：200美元/平方米 （不少于36平方米，主通道两侧加价20%）注：展台特别装修，特装管理费由参展商自理组委会联系方式：联系人： 赵文营 15904961725传 真： 0411－82310692 E-mail: dlhzzwy@163.com地 址：大连市中山区友好路211号商务特区1203室

传感器和仪表元器件的现状问题与发展重点2006年12月22日 13:43 来源：中国机经网 传感器和仪表元器件是仪器仪表与自动化系统最基础元器件之一。传感器和仪表元器件具有服务面广、品种繁多、需求量大等特点，其技术水平和产品质量的提高，将为我国制造业信息化奠定基础。 现状与问题 我国传感器和仪器仪表的技术和产品，经过发展，有了较大的提高。全国已经有1600多家企事业单位从事传感器和仪表元器件的研制、开发、生产。但与国外相比，我国传感器和仪表元器件的产品品种和质量水平，尚不能满足国内市场的需求，总体水平还处于国外上世纪90年代初期的水平。存在的主要问题有： （1）科技创新差，核心制造技术严重滞后于国外，拥有自主知识产权的产品少，品种不全，产品技术水平与国外相差15年左右。 （2）投资强度偏低，科研设备和生产工艺装备落后，成果水平低，产品质量差。 （3）科技与生产脱节，影响科研成果的转化，综合实力较低，产业发展后劲不足。 战略目标 到2020年，传感器及仪表元件领域应争取实现三大战略目标： 以工业控制、汽车、通讯、环保为重点服务领域，以传感器、弹性元件、光学元件、专用电路为重点对象，发展具有自主知识产权的原创性技术和产品； 以MEMS工艺为基础，以集成化、智能化和网络化技术为依托，加强制造工艺和新型传感器和仪表元器件的开发，使主导产品达到和接近国外同类产品的先进水平； 以增加品种、提高质量和经济效益为主要目标，加速产业化，使国产传感器和仪表元器件的品种占有率达到70%~80%，高档产品达60%以上。 发展重点 传感器技术 （1）MEMS工艺和新一代固态传感器微结构制造工艺：深反应离子刻蚀（DRIE）工艺或IGP工艺；封装工艺：如常温键合倒装焊接、无应力微薄结构封装、多芯片组装工艺；新型传感器：如用微硅电容传感器、微硅质量流量传感器、航空航天用动态传感器、微传感器，汽车专用压力、加速度传感器，环保用微化学传感器等。 （2）集成工艺和多变量复合传感器微结构集成制造工艺； 工业控制用多变量复合传感器，如：压力、静压、温度三变量传感器、气压、风力、温度、湿度四变量传感器，微硅复合应变压力传感器，陈列传感器。 （3）智能化技术与智能传感器信号有线或无线探测、变换处理、逻辑判断、功能计算、双向通讯、自诊断等智能化技术；智能多变量传感器，智能电量传感器和各种智能传感器、变送器。 （4）网络化技术和网络化传感器，使传感器具有工业化标准接口和协议功能。 （1）弹性元件开发和完善新型成型工艺：电沉积成型工艺，焊接成型工艺；重点开发航空、航天用的低刚度、大位移、长寿命的微小型精密波纹管，高温高压阀用波纹管；研制波纹管高效成型工艺设备和性能检测仪器。 （2）光学元件开发先进工艺：非球面光学元件设计、制造技术、光学多层测射镀膜技术和新型离子辅助镀膜技术。 开发光纤通讯和数字成像用新型光学元件。如：微型变密度滤光片、超窄带滤光片，微透镜阵列、大面积偏振元件、非球面玻-塑混合透镜。 （3）专用电路提高专用电路集成度和个性化服务的设计技术和制造工艺； 应用软件固化技术，开发适合智能化、网络化传感器和仪表的信号变换、补偿、线性化、通讯、网络接口等专用电路

我司[url=https://www.szcxwdz.com][b]创芯为电?[/b][/url]深耕于[url=https://www.szcxwdz.com][b]电子元器件[/b][/url]行业多年，经营有进口品牌的[url=https://www.szcxwdz.com][b]芯片[/b][/url]物料如：TI/ST/NXP/ADI/ON/MICROCHIP/MTK/REALTK/INFINEON/ALTERA/XILINX等等，与国内知名上市公司，车企，新能源，工控行业，均有密切合作，我司保证每一颗芯片都出自于原厂，不止为客户解决物料供应链短缺的问题，同时为客户提供一站式的配套和服务需求。