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半导体材料与器件检测
仪器信息网半导体材料与器件检测专题为您提供2024年最新半导体材料与器件检测价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括半导体材料与器件检测参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的半导体材料与器件检测您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合半导体材料与器件检测相关的耗材配件、试剂标物,还有半导体材料与器件检测相关的最新资讯、资料,以及半导体材料与器件检测相关的解决方案。
半导体材料与器件检测相关的方案
少子寿命测试仪在半导体材料检测中的应用
半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量,还可以评价器件制造过程中的质量控制,如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度,并研究造成器件性能下降原因。 Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术,提供不同需求的少子寿命检测设备。
inTEST 热流仪半导体元器件高低温测试
半导体器件 semiconductor device, 是导电性介于良导电体与绝缘体之间, 利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件, 可用来产生, 控制, 接收, 变换, 放大信号和进行能量转换.
微波消解半导体薄膜材料
半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
微波消解半导体薄膜材料
半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
半导体材料快速温变试验检测瑕疵暴露实验
一、方案概述本方案利用快速温变试验箱对半导体材料进行测试,以暴露其在温度快速变化环境下可能存在的瑕疵。通过对实验设备、条件、步骤及结果分析的详细规划,为半导体材料的质量评估和改进提供依据。二、实验目的检测半导体材料在快速温变环境下的性能表现,暴露潜在瑕疵。确定半导体材料的温度耐受性和可靠性。为产品设计和质量控制提供数据支持。三、实验设备及材料快速温变试验箱,具备精确的温度控制和快速变化能力。各种半导体材料样品。测量设备如显微镜、电子显微镜、X 射线检测仪等。数据记录设备。四、实验条件设定合适的温度范围、温变速率、循环次数和环境湿度。确保实验环境稳定,避免其他因素干扰。五、实验步骤准备阶段:检查设备状态,选择样品并记录初始数据,安装样品。实验过程:设置试验箱参数,启动测试,定期观察记录。后处理阶段:外观检查、物理结构和化学成分检测,整理分析数据。六、结果分析外观检查结果分析,判断是否有裂纹、变形等现象及原因。物理结构检测结果分析,研究微观结构变化对性能的影响。化学成分检测结果分析,分析元素组成和含量变化的影响。性能参数变化结果分析,探讨温度变化对各项性能参数的影响。七、结论与建议根据实验结果评价半导体材料性能,提出改进建议。
氦质谱检漏仪半导体特殊器件检漏
半导体器件 semiconductor device 通常利用不同的半导体材料, 采用不同的工艺和几何结构, 已研制出种类繁多, 功能用途各异的多种晶体二极管, 晶体二极管的频率覆盖范围可从低频, 高频, 微波, 毫米波, 红外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各种晶体管 ( 又称晶体三极管 ). 晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类.
半导体材料检测应用文集
赛默飞世尔科技作为科学服务行业的领导者,凭借其离子色谱和电感耦合等离子体质谱和辉光放电质谱的技术实力,不断开发各类半导体材料中痕量无机阴离子、阳离子和金属离子的检测方案,为半导体集成电路制造行业提供多种解决方案,在晶圆表面清洗化学品、晶圆制程化学品、晶圆基材和靶材等各方面,全方位满足半导体生产对相关材料的质量要求,从完整制程出发提供全面可靠的分析技术,促进行业整体质量水平的提高,帮助半导体客户建立起完整质量控制体系,促进中国半导体行业与国际水平接轨。
DSX1000数码显微镜:半导体器件精密检测的全能助手
DSX1000数码显微镜:半导体器件精密检测的全能助手
紫外荧光法+电子半导体+半导体表面油污检测
随着半导体技术的不断发展,对工艺技术的要求越来越高,特别是对半导体圆片的表面质量要求越来越严,其主要原因是圆片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,在目前的集成电路生产中,由于圆片表面沾污问题,在生产过程中造成了很多原材料的浪费。不能获取最高的经济效益。
Nexsa G2小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnO?成分半导体器件
近几年来,随着国内科技产业的不断升级,对微电子器件的需求日益增加。特别是高科技产品的快速发展,比如智能手机、电脑、无人机、新能源汽车、智能机器人等,对高性能微电子器件的需求更是呈指数级增长,这使得微电子器件自然而然就成为人们研究的热点材料。在微电子器件的研究中,通常需要对微电子器件表面进行各种加工、改性处理,来使其具有不同的性能。由于X射线光电子能谱仪(XPS)是一种表面分析技术,随着商业化XPS设备的普及,其在微电子器件研究中的应用越来越广泛,逐渐成为微电子器件研究中不可或缺的分析手段。本方案通过赛默飞最新一代XPS表面分析平台Nexsa G2,对半导体器件表面形成的窄条形SnOx成分进行小束斑+特色SnapMap快照成像测试,展示如何通过设备小束斑+成像功能,快速全面分析这类特殊小尺寸半导体器件表面成分及其在面内分布情况,来辅助评估表面处理效果及器件质量。
半导体行业中材料观测检测方案
随着第五代移动通信系统(5G)的普及,半导体工件的精细化、高度集成化不断发展,对产品的检测分析需求也越来越高。下面介绍基恩士数码显微系统VHX系列在半导体行业中的 BGA、焊点、接合线、探针卡销等的观察案例。
高低温试验箱在半导体行业中运用在哪些方面
伴随着科技的进步,半导体材料使用得越来越多,对其质量的要求也越来越高,若想提早预料半导体材料分离出来元器件在高温或低温环境下会不会有安全隐患,则需要高低温试验箱来模拟自然气侯对其进行试验。那么,高低温试验箱在半导体行业中,是如何运用的呢?高低温试验箱在半导体行业中主要用于检测半导体器件的可靠性、稳定性和耐受性等关键指标。测试半导体器件在不同的温度、湿度、震动等环境下的性能表现,从而评估其可靠性和稳定性,并提高产品的质量和可靠性,确保其能够在恶劣的环境下稳定工作。
傅立叶变换红外光谱仪测试半导体材料硅片中氧碳含量
傅立叶变换红外光谱仪广泛应用于半导体行业及其晶体材料结构、成分分析和杂质缺陷特性研究等领域。本文使用岛津IRXRoss测定半导体材料硅透射率,并根据GB/T 1557-1989、GB/T 1558-1997-T、GB/T 14143-93计算半导体材料硅中的氧碳含量。该方法简单、快速、样品无需前处理,可方便地扫描得到红外谱图,从而得到碳氧相关信息,对硅材料质量控制起到指导作用。
高低温试验箱在半导体行业中的运用方案
伴随着科技的进步,越来越多领域产品都是需要使用高低温试验箱,若想提早预料半导体材料分离出来元器件在高温或低温环境下会不会有安全隐患,则非常需要有一台高低温试验箱模拟自然气侯对它进行磨练。这节课文章内容就和大家聊聊高低温试验箱在半导体业中的运用。
氦质谱检漏仪半导体设备及材料检漏
真空设备在半导体行业中的应用愈来愈广泛,例如真空镀膜设备(蒸发,溅射),干法雷设备(ICP,RIE,PECVD),热处理设备(合金炉,退火炉),掺杂设备(离子注入机等)这些真空设备作为半导体技术发展不可或缺的条件必将起到越来越重要的作用。上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪现已广泛应用于半导体设备检漏。
爱丁堡光谱系列在半导体行业中的应用解决方案
半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石。半导体行业已成为全球重要的战略性产业之一。随着全球经济的发展,半导体市场需求与竞争也不断增加,对半导体创新技术和材料迭代更新均提出了更高的需求。目前,半导体材料作为整体行业重要的上游支撑材料,如今已发展到四代半导体,在这些材料提纯制备和生产过程中,其物理性质如晶型结构、杂质含量。缺陷类型及浓度、应力及应变等决定了最终产品的各种性能。爱丁堡分子光谱提供显微拉曼、光致发光及傅里叶红外表征技术,协助生产过程对这些材料属性进行监测与把控。
安捷伦半导体行业解决方案
作为全球半导体领域的先锋,安捷伦积累了大量创新技术和卓越的服务能力。在半导体产业链 的制程监测、原材料质控、无机杂质、纳米颗粒、有机杂质检测、符合环境健康和安全法规需 求以及真空检漏等方面,都能够为您提供优异的分析仪器、软件、服务和支持,助您取得成功。
半导体行业高低温老化性能测试方法
高低温老化试验箱可以对半导体器件进行恒温高低温老化测试,以了解器件的性能随时间的变化情况。通过控制恒温高低温条件,使半导体器件长时间暴露在高低温、潮湿等极端环境下,从而反复检测其性能的变化趋势及寿命,以评估其质量和可靠性。
XRM应用分享 | 半导体芯片(封装)/电子元器件
目前的半导体产业正面临CMOS微缩极限的挑战,业界需要通过半导体封装技术的不断创新和发展来弥补性能上的差距。
喷雾干燥技术在制备电子陶瓷器件的基础母体材料钛酸钡方面的研究
钛酸钡是电子陶瓷器件的基础母体材料,因其介电常数高、介电损耗低等优良性能,被用于制造多层陶瓷电容器、各种传感器、半导体材料、微波器件和敏感元件,被称为电子陶瓷的支柱。
化合物半导体核壳结构纳米金属线的低加速电压SEM/STEM观察/EDX分析
半导体纳米金属线,因其物理特性可控,所以未来有望应用于光学器件上。尤其是异相聚合机构或者核壳结构的材料,富有多重物理特性,应用范围也会变得更广泛。图1是化合物半导体核壳结构纳米金属线的SE/STEM观察结果。图1(a)是二次电子图像显示了纳米金属线的表面形貌。图1(b)(c)的BF-STEM/DF-STEM图像,可以清楚观察到纳米金属先端的内部构造,可以确认核,内壳层和外壳层的三层结构。图2是化合物半导体核壳结构纳米金属线的EDX面分布。核壳层和外壳层检测到Ga和As,内壳层检测到Al和As,能够清楚地分离出三层的结构的各种成分分布。SU9000与大立体检测角的X-MaxN 100TLE相结合,可实现超高空间分辨率的EDX面分布。
赛默飞半导体全产业链解决方案
半导体行业是国民经济支柱性产业之一,多个“十四五”相关政策均将集成电路列入重点发展项目。随着芯片制程从微米进入到纳米时代,逐渐达到半导体制程设备和制造工艺的极限,细微的污染都可能改变半导体的性质,对于产线的良率管理和提升成为半导体工业界面临的重要挑战!赛默飞作为科学服务领域的领导者,可为半导体行业关键环节提供多层次技术支撑,领先的离子色谱、电感耦合等离子体质谱仪、气质联用仪和液质联用仪等技术可为半导体支撑材料、晶圆制造以及下游应用提供痕量离子态杂质、痕量金属杂质、有机态杂质及材料研发等提供稳健可靠的分析方法,助力全面提升产品良率!
有机发光半导体材料的制备纯化-从少量制备扩展到大量制备
有机发光半导体材料是一组用于制造OLED显示屏的化合物,主要由可产生荧光的多环芳烃构成。有机发光半导体材料的合成和杂质的结构表征是开发新的、高性能产品必不可少的,而多数情况下需要高纯度化合物,因此需要纯化目标组分。本文中,我们介绍了使用超临界流体色谱Nexera UC分析系统进行小容量制备以及Nexera UC Prep用于大量制备。
解决方案|ICP法测定半导体行业生产用材料中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌含量
半导体行业目前已成为衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。随着半导体行业进入纳米时代,杂质含量成为非常敏感的存在。如何检测杂质含量已成为半导体工业界面面临的重要挑战。东西分析拥有多款电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES)、电感耦合等离子体飞行时间质谱仪(ICP-TOF MS)等产品为半导体行业无论从材料、集成电路制造还是到封装测试等各环节中痕量金属元素分析提供可靠检测方法,助力提升产品质量。本文利用ICP建立了饱和树脂中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌元素的测定方法,供相关人员参考。
喷雾干燥技术在电子陶瓷器件的基础母体材料钛酸钡方面的研究
钛酸钡是电子陶瓷器件的基础母体材料,因其介电常数高、介电损耗低等优良性能,被用于制造多层陶瓷电容器、各种传感器、半导体材料、微波器件和敏感元件,被称为电子陶瓷的支柱。
用和频光谱(SFG)可视化观测运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态
采用立陶宛Ekspla公司PL2230型脉冲皮秒激光器和PG501-DFG1P型皮秒光学参量发生器构成的和频光谱测量系统(SFG)对运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态进行了可视化测量。
UV-8000分光光度计探究半导体ZAO薄膜的光学性能
半导体透明导电氧化薄膜(TCO)具有优异的光学和电学性能,可见光区高透射率,红外区高反射率和微波强衰减性,同时具有低的电阻率,是功能材料中具有特色的一类薄膜, 已广泛应用于太阳能电池、真空电子器件、防护涂层、电磁屏蔽等领域中。
半导体HAST高压加速老化试验箱
在电子行业中,半导体技术一直是一个不可或缺的领域。而在半导体技术中,柔性材料PCB(Printed Circuit Boards)被越来越广泛地运用于各种电子产品中。这些柔性材料的 PCB 能够在弯曲、拉伸等不同形状的设备中灵活运用,具有很高的适应性和可靠性。然而,随着电子设备的不断进步和发展,柔性材料 PCB 面临着各种环境和使用条件下的耐久性及可靠性挑战
解决方案|ICP-OES法测定半导体材料制备工艺中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌和硫含量
电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)常用来测定各种物质中常量、微量、痕量金属元素或非金属元素的含量,在半导体行业得到广泛的应用。本文利用ICP-OES建立了半导体材料生产工艺中特定环节中电解液、滤液、母液、尾液、合格液中镓、铁、钒、铜、钙、镁、铝、锌及硫元素的测定方法,供相关人员参考。
应用案例——半导体材料行业(4)
在半导体工业中,例如扩散阻挡层和高k栅介质层等超薄膜的制备越来越多地采用原子层沉积(ALD)技术。通过测量能量损失,可以计算得到亚纳米精度的薄膜最小和最大厚度。通过分析渐增沉积循环次数时的深度信号变化,可以确定薄膜的生长模式。
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