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半导体材料与器件检测

仪器信息网半导体材料与器件检测专题为您提供2024年最新半导体材料与器件检测价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括半导体材料与器件检测参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的半导体材料与器件检测您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合半导体材料与器件检测相关的耗材配件、试剂标物,还有半导体材料与器件检测相关的最新资讯、资料,以及半导体材料与器件检测相关的解决方案。

半导体材料与器件检测相关的资讯

  • 明日开播!半导体材料、器件研究与检测技术系列讲座日程公布
    半导体产业作为现代信息技术产业的基础,已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业,是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分。当前,全球半导体科技和产业的竞争愈演愈烈,各国围绕提升半导体领域竞争力,相继出台了一系列政策举措。半导体行业归根结底属于设备类行业,行业内素有“一代设备,一代工艺,一代产品”的说法。SEMI在SEMICON Japan 2022上发布了《2022年度总半导体设备预测报告》。报告指出,原设备制造商的半导体制造设备全球总销售额预计将在2022年创下1085亿美元的新高,连续三年创纪录,较2021创下的1025亿美元行业纪录增长5.9%。基于此,仪器信息网联合电子工业出版社于四、五月将启动“半导体主题月”活动。活动同期,仪器信息网与电子工业出版社特组织三场“半导体材料、器件研究与检测技术系列讲座”,旨在邀请领域内专家围绕相关论坛主题分享精彩报告,依托成熟的网络会议平台,为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台,让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。点击图片直达会议页面一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、举办时间2023年4月11-26日,每周一期三、会议日程半导体材料、器件研究与检测技术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称4月11日:第三代半导体材料器件研究与检测技术14:00-14:40车规级功率器件标准AQG324深入解读邓二平合肥工业大学教授14:40-15:20碳化硅功率器件可靠性测试与研究进展田鸿昌陕西半导体先导技术中心有限公司副总经理/高级工程师4月18日:光电材料、器件研究与检测技术10:00-10:40热活化延迟荧光发光电化学池器件张保华广州大学教授10:40-11:20待定杨妍中国科学院微电子研究所研究员4月26日:传感器/MEMS研究与检测技术14:00-14:40MEMS无线智能温振传感器及应用王建国苏州捷研芯电子科技有限公司副总经理14:40-15:20待定刘凤敏吉林大学教授三、报告嘉宾四、参会指南1、点击会议页面链接报名;会议页面:https://insevent.instrument.com.cn/t/RUs2、报名并审核通过后,将以短信形式向报名手机号发送在线听会链接;3、本次会议不收取任何注册或报名费用;4、会议联系人:3i讲堂—材料小周( 邮箱:zhouhh@instrument.com.cn;微信二维码如下,可加入会议交流群)会议联系人微信二维码
  • 关于举办“半导体材料与器件分析检测技术”培训班的通知
    为进一步加强半导体分析检测技术高技能人才队伍建设,使科技人员适应科学技术的发展,掌握该技术领域的新技能,新方法,开拓视野,提高科学实验技能和实验仪器的使用效能,“半导体材料与器件分析检测技术”培训班将于近期在上海举办。本次培训由中国科学院人事局资助、中国科学院上海硅酸盐研究所主办、上海无机非金属材料分析测试专业平台和上海材料与制造大型仪器区域中心协办。附件1:培训日程安排.docx附件2:报名回执.docx
  • 明日开播,抽奖送书!第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”网络会议最终日程公布
    半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业,其生产工艺复杂,设备精密度要求高,整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高,其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。因此,半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高,制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此,仪器信息网2023年10月18-20举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和材料分析、可靠性测试、失效分析、缺陷检测和量测等热点分析检测技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。为答谢广大用户,本次大会每个专场都设有一轮抽奖送专业图书活动。一、主办单位:仪器信息网&电子工业出版社二、会议时间:2023年10月18-20日三、会议日程1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日可靠性测试和失效分析技术可靠性测试和失效分析技术(赛宝实验室专场)10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程(含拟邀请)时间报告题目演讲嘉宾专场1:半导体材料分析技术新进展(10月18日)专场主持人:汪正(中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员)9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正(中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员)10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳(中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师)10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚(牛津仪器科技(上海)有限公司 应用工程师)11:00透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛(北京大学 高级工程师)11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求桂娟(上海集成电路材料研究院 工程师)午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青(中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员)14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖(中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师)15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣(青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理)15:30宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授)16:00专业图书介绍及抽奖送书主持人:王天跃(电子工业出版社电子信息分社 编辑)专场2:可靠性测试和失效分析技术(10月19日上午)9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌(中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人)10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起(中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师)10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕(北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理)11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁(甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司 失效分析工程师)11:30专业图书介绍及抽奖送书主持人:王天跃(电子工业出版社电子信息分社 编辑)专场3:可靠性测试和失效分析技术(赛宝实验室专场)(10月19日下午)专场主持人:吕宏峰(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)14:00高端集成电路5A分析评价技术师谦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)15:00集成电路振动、冲击试验评价邓传锦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝(工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师)16:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬(工业和信息化部电子第五研究所 工程师)16:30电子制造中的可靠性工程邹雅冰(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师)17:00集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)17:30专业图书介绍及抽奖送书主持人:王天跃(电子工业出版社电子信息分社 编辑)专场4:缺陷检测与量测技术(10月20日上午)9:30半导体芯片量检测技术及装备杨树明(西安交通大学 教授)10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书(中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员)10:30面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓(同济大学 副教授)11:00专业图书介绍及抽奖送书主持人:王天跃(电子工业出版社电子信息分社 编辑)四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1. 本次会议免费参会,参会报名请点击:https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后,直播前一天助教会统一审核,审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后,会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接,输入报名手机号,即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑:15733280108,kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn刘经理,15718850776,liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年10月17日
  • 回放视频上线!第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会成功召开
    仪器信息网讯 2023年10月18-20日,仪器信息网联合电子工业出版社主办的第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会成功召开!本次大会共邀请到24位来自科研院所、第三方检测、工业和仪器企业的专家分享了精彩内容。会议共吸引约1100位行业从业人员报名,出席人数更是创历年新高!回顾本次大会,在内容上打破此前以材料为主题的专场划分,聚焦半导体材料分析、可靠性测试和失效分析、缺陷检测和量测等检测技术,直播间里报告专家与听众充分交流,会议也收到“内容质量高”,“收获很大”等良好反馈。同时,仪器信息网也在线征集和听取了听众们对于会议内容更多的需求与期待,以保证下一届会议更好地帮助到网友们的工作。应广大网友强烈要求,现将征得本人同意的报告视频整理如下。点击“回放”即可进入视频播放页面。半导体材料分析技术新进展等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正(中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员)回放有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳(中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师)回放牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚(牛津仪器科技(上海)有限公司 应用工程师)回放透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛(北京大学 高级工程师)无集成电路材料国产化面临的性能检测需求桂娟(上海集成电路材料研究院 工程师)无离子色谱在高纯材料分析中的应用李青(中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员)回放拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖(中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师)回放半导体—离子色谱检测解决方案王一臣(青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理)回放宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授)回放可靠性测试和失效分析技术碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌(中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人)回放集成电路激光试验测试技术研究马英起(中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师)无失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕(北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理)回放半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁(甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司 失效分析工程师)无可靠性测试和失效分析技术(赛宝实验室专场)高端集成电路5A分析评价技术师谦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)无光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)无集成电路振动、冲击试验评价邓传锦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)无光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝(工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师)无半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬(工业和信息化部电子第五研究所 工程师)无电子制造中的可靠性工程邹雅冰(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师)无集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)无缺陷检测与量测技术半导体芯片量检测技术及装备杨树明(西安交通大学 教授)无国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书(中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员)回放面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓(同济大学 副教授)无
  • 关于召开第四届“半导体材料、器件分析检测技术与应用”网络会议的通知(第二轮)
    半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业,其生产工艺复杂,设备精密度要求高,整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高,其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。因此,半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高,制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此,仪器信息网2023年10月18-20举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和材料分析、可靠性测试、失效分析、缺陷检测和量测等热点分析检测技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位:仪器信息网&电子工业出版社二、会议时间:2023年10月18-20日三、会议日程1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日可靠性测试和失效分析技术可靠性测试和失效分析技术(赛宝实验室专场)10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程(含拟邀请)时间报告题目演讲嘉宾专场1:半导体材料分析技术新进展(10月18日)专场主持人:汪正(中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员)9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正(中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员)10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳(中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师)10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚(牛津仪器科技(上海)有限公司 应用工程师)11:00透射电子显微镜在氮化物半导体结构解析中的应用王涛(北京大学 高级工程师)11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求王轶滢(上海集成电路材料研究院 性能实验室总监)午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青(中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员)14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖(中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师)15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣(青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理)15:30宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授)专场2:可靠性测试和失效分析技术(10月19日上午)9:30碳化硅器件的新型电力系统应用与可靠性研究田鸿昌(中国电气装备集团科学技术研究院有限公司 电力电子器件专项负责人)10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起(中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师)10:30失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕(北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理)11:00半导体元器件材料分析、失效分析技术与案例解析贾铁锁(甬江实验室微谱(浙江)技术服务有限公司 失效分析工程师)专场3:可靠性测试和失效分析技术(赛宝实验室专场)(10月19日下午)专场主持人:吕宏峰(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)14:00高端集成电路5A分析评价技术师谦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)15:00集成电路振动、冲击试验评价邓传锦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝(工业和信息化部电子第五研究所 部门主任/高级工程师)16:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬(工业和信息化部电子第五研究所 工程师)16:30电子制造中的可靠性工程邹雅冰(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师/工艺总师)17:00集成电路静电放电失效分析与评价何胜宗(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)专场4:缺陷检测与量测技术(10月20日上午)9:30半导体芯片量检测技术及装备杨树明(西安交通大学 教授)10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书(中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员)10:30面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓(同济大学 副教授)四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1. 本次会议免费参会,参会报名请点击:https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/ 或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后,直播前一天助教会统一审核,审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后,会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接,输入报名手机号,即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑:15733280108,kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn刘经理,15718850776,liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年10月11日
  • 关于召开第四届“半导体材料、器件分析检测技术与应用”网络会议的通知(第一轮)
    半导体行业是一个资金密集型、技术密集型的行业,其生产工艺复杂,设备精密度要求高,整体流程涉及到成百上千道工序。随着半导体制造工艺越来越高,其制造难度及品质管控也在呈指数级增长。半导体制造工艺的复杂性在于:生产步骤多达上千步,每道工序工艺参数多达上千,每道工序良率要求极高。以上特点使得半导体制造成为了不折不扣的高端制造业。试想,对于一种包含1000道工序的半导体工艺技术来说,若是每一道工序产品良率为99.9%,则最终的产品良率仅为36.7%。也因此,半导体每一道工艺都几乎要求达到零失误。因此,半导体行业呈现出来材料纯度要求高、制造精度要求高,制作过程复杂等特点。而这也对材料、器件的分析检测技术都提出了极高的要求。基于此,仪器信息网2023年10月中旬举办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件和失效分析、材料分析、可靠性测试等热点分析检测技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位仪器信息网&电子工业出版社&中国科学院上海硅酸盐研究所二、会议时间2023年10月18-20日三、会议日程(拟)1.专场安排第四届“半导体材料器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会时间专场名称10月18日全天半导体材料分析技术新进展10月19日上午可靠性测试技术新进展10月19日下午半导体失效分析技术10月20日上午缺陷检测与量测技术2.详细日程(报告正在更新中,敬请期待)时间报告题目演讲嘉宾专场1:半导体材料分析技术新进展(10月18日)9:30待定待定10:00牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展牛津仪器科技(上海)有限公司10:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究(拟)王涛(北京大学 高级工程师)11:00待定英国雷尼绍公司11:30待定待定午休14:00扫描扩散显微术对氮化物半导体纳米尺度光电性质的研究(拟)刘争晖(中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师)14:30待定青岛盛瀚色谱技术有限公司15:00共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用(拟)徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授)15:30待定待定16:00待定待定专场2:可靠性测试技术新进展(10月19日上午)9:30高端集成电路5A分析评价技术师谦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)10:00集成电路激光试验测试技术研究马英起(中国科学院国家空间科学中心 正高级工程师)10:30集成电路振动、冲击试验评价邓传锦(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)11:00半导体集成电路热环境可靠性试验方法与标准陈锴彬(工业和信息化部电子第五研究所 工程师)11:30待定何胜宗(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)专场3:半导体失效分析技术(10月19日下午)14:00待定张俊宗(上海季丰电子股份有限公司 FA/CE总监)14:30光学显微分析技术在半导体失效分析中的应用刘丽媛(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)15:00失效半导体器件检测技术及案例分享江海燕(北京软件产品检测检验中心 集成电路测评实验室项目经理)15:30光发射显微镜原理及在失效分析中的应用蔡金宝(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)16:00待定邹雅冰(工业和信息化部电子第五研究所 高级工程师)专场4:缺陷检测与量测技术(10月20日上午)9:30纳米探针测量技术及其应用(拟)杨树明(西安交通大学 教授)10:00国家纳米计量体系与半导体产业应用施玉书(中国计量科学研究院纳米计量研究室主任 主任/副研究员)10:30待定刘俊伯(中国科学院光电技术研究所 副研究员)11:00面向集成电路微纳检测设备产业的自溯源纳米长度计量体系邓晓(同济大学 副教授)四、会议形式仪器信息网3i讲堂直播平台五、参会方式1.本次会议免费参会,参会报名请点击:https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后,直播前一天助教会统一审核,审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后,会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接,输入报名手机号,即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑:15733280108,kangpc@instrument.com.cn2. 会议赞助周经理,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn刘经理,15718850776,liuyw@instrument.com.cn仪器信息网2023年9月27日
  • 第三代半导体材料与器件相关标准盘点
    第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力,更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV),亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看,较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓,而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性,其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中,碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体,是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件;射频半导体以GaN为原材料,是支撑5G基站建设的核心;第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域,发挥着重要的基础作用。近年来,随着新能源汽车的兴起,碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充,展现出了强大的市场潜力,第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体,特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发,相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆,只有有了规矩,有了标准,这个世界才变得稳定有序!标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序,对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动,即制定、发布及实施标准的过程,称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展,相关组织和机构也出台了一系列的标准。(以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准)碳化硅(SiC)碳化硅(SiC)材料是功率半导体行业主要进步发展方向,用于制作功率器件,可显着提高电能利用率。可预见的未来内,新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱,已率先在Model 3中集成全碳化硅模块,其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟,碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下,标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC(碳化硅)材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下,产生紫光(405nm)激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石(Al2O3) 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体,主要应用于制作LED灯的关键材料,也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶,又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中,对此,我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型NPN硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型NPN硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是,CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户,特邀请您参与问卷调研,麻烦大家动动小手完成问卷,参与即得10元话费!活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费!!!http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy
  • 直播预告!第三届半导体材料器件研究与应用网络会议之光电材料与器件
    仪器信息网讯 光电材料是目前半导体行业的研究热点之一,其包含了较多的研究方向,主要有有机光电材料和无机光电材料两方面。有机光电材料中目前热门的是有机太阳能电池,而无机光电材料中则是钙钛矿太阳能电池。前者由于设计性高,质量轻,可大面积制造等优点一直受到科研人员的广泛青睐,近年来发展也非常迅速。后者因其优异的光电转换效率可媲美硅基太阳能电池,所以一直是《Nature》、《Science》等世界顶级期刊中的常客。仪器信息网将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议,会议分设光电材料与器件研究与应用、第三代半导体研究与检测技术、传感器与半导体产业配套材料研究与检测技术三个专场。邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表,以线上分享报告、在线与网友交流互动形式,为同行搭建公益学习互动平台,增进学术交流。为回馈线上参会网的支持,增进会议线上交流互动,会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节,欢迎大家报名参会。同时,只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》(独家首发)一本,报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期,还有部分赞助厂商将抽取幸运观众,邮寄企业周边产品。(兑奖方式见文末)本次会议免费参会,报名链接:https://insevent.instrument.com.cn/t/5ia或扫描二维码报名光电材料与器件研究与应用专场会议日程:时间报告题目演讲嘉宾专场1:光电材料与器件研究与应用(12月20日)9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟(Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家)10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技(上海)有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖:神秘奖品+红包13:30半导体材料发展与机遇慕容素娟(大话芯片 总编)14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星(江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理)14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技(中国)有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静(北京理工大学 特别副研究员)15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇(吉林大学 副教授)直播抽奖:神秘奖品+红包嘉宾介绍:北京大学教授 肖立新肖立新,日本东京大学博士毕业,现为北京大学物理学院教授,博士生导师。英国皇家化学学会会士,中国材料学会太阳能分会秘书长、 国际信息显示学会(SID) 中国北区执委会学术副主席。研究方向:有机光电子学,长期从事光电功能材料及器件方面的研究,如有机发光材料及其器件,光伏材料及其器件物理等。研究成果:主持过多次国家自然科学基金,承担973项目子课题。已发表论文150余篇及申请专利共30余件,SCI他引4500余次,入选2020全球前2%顶尖科学家“年度影响力”榜单。编著《钙钛矿太阳能电池》(第一、二版),译著《有机电致发光-从材料到器件》,参与编著《锂离子电池》。2015年度教育部自然科学一等奖(第一完成人,高效有机蓝光材料及其介观结构发光器件研究)。【摘要】铅基钙钛矿的毒性阻碍了其在光电子学中的广泛应用。由于载流子寿命长和稳定性好,无铅钙钛矿Cs2AgBiBr6被认为是一种很有前途的候选者[1-2]。然而,相对较大的1.98 eV带隙限制了其在可见光区的吸收。鉴于此,我们掺铁将Cs2AgBiBr6的吸收扩展到具有中波段的近红外区域 (≈1350 nm)的研究成果[5]。Fe2+被选为掺杂剂以合金化成Cs2AgBiBr6单晶,并导致吸收范围扩大至≈1350 nm,这是无铅钙钛矿中记录的最长近红外(NIR)响应。大约1%的Fe离子合金化到Cs2AgBiBr6晶格中,导致晶格收缩。正如三次谐波生成结果所证实的那样,Fe掺杂不会缩小其本征带隙,而是会在Cs2AgBiBr6的原始带隙内引入一个新的中间带,以强烈吸收近红外光。此外,在近红外照射下,在Fe掺杂的Cs2AgBiBr6晶体中产生了大量的光生载流子。这项工作为扩展用于近红外电探测器和中间带光伏器件的无铅钙钛矿的光学响应提供了一种新方法。TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟北京航空航天大学材料科学与工程学院硕士,现任美国TA仪器热分析高级应用专家。负责中国南方区的热分析应用技术支持,教授热分析技术培训课程几十场,长期从事各类材料的热分析、力学性能表征及失效分析等工作。以第一作者身份发表在《Matter》的仿生材料研究被《每日科学》等多家国际媒体报道。牛津仪器科技(上海)有限公司应用科学家 王汉霄2021年获英国曼彻斯特大学博士学位,随后加入牛津仪器纳米分析部,负责EDS、EBSD、OmniProbe和WDS技术推广及应用支持。博士期间主要通过HRDIC-EBSD-ECCI联用技术研究金属材料在亚微米尺度的塑性变形行为。【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数,决定了材料的稳定性和最终使用性能,报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。南京工业大学先进材料研究院教授 王琳南京工业大学先进材料研究院教授、博士生导师、国家海外高层次青年人才引进计划入选者。2009年在武汉大学获得学士学位, 2013年在香港科技大学获得博士学位,2014年起在瑞士日内瓦大学从事博士后工作,2017年被南京工业大学聘请为教授和博士生导师。主要研究新型低维纳米材料的生长制备、量子输运、光电特性和存储器件,探讨和发现不同种类材料中的微观电子行为及器件性能。目前已发表学术论文近50篇,以第一作者/通讯作者身份在Nature Communications, Physical Review Letters, Advanced Materials, Nano Today等发表论文20余篇。曾荣获国际先进材料学会IAAM奖章(International Association of Advanced Materials)、欧洲材料学会青年科学家奖 (Young Scientist Award)、国家青年千人、江苏特聘教授、江苏省“六大人才高峰”高层次人才A类、首届国家级江北新区“十大杰出青年”、中国青少年科技创新奖等荣誉,担任国际先进材料协会会员、欧洲先进材料大会科学顾问委员、柔性电子材料与器件工信部重点实验室学术委员会委员、中国激光杂志社青年编委、江苏省青年联合会委员、江苏省青年科技工作者协会会员等社会兼职。【摘要】 二维材料由于极限超薄厚度、超强量子效应、匹配硅基工艺等,近年来受到学术界的广泛关注。我们聚焦二维材料在异质界面工程的独特优势,利用多维界面生长新型二维材料,利用界面组合产生新奇发光特性,利用界面器件设计优越光电性能,具体包括:(1)界面生长新材料:利用一步滴涂法制备二维碘化铅纳米薄片,并利用碘化铅和有机分子形成的固气界面,实现了多种杂化钙钛矿的灵活制备和异质组装;利用杂化钙钛矿同时具有晶向明确的无机骨架和易于自组装的有机配体,实现了三维和二维钙钛矿之间的室温定向自组装,展现了独特的界面应变效应和发光特性。(2)界面衍生新物性:通过将手性和非手性钙钛矿纳米片组合成范德华异质结,实现了非手性钙钛矿圆偏振光特性的产生、调控和提升;通过研究单层WSe2与其他二维材料组成异质结构的变温荧光光谱,发现了巨大层间剪切热形变的新奇热力学特性和作用机制.(3)界面设计新器件:基于二维半导体和杂化钙钛矿的异质界面工程,制备了基于二维材料的中红外发光二极管、具有优异光电探测性能的微纳光电器件和基于极简结构的超低功耗存储器和整流存储一体化器件.大话芯片总编 慕容素娟大话芯片总编。先后出版书籍《芯人物》一册和二册、《中国智慧家庭产业创新启示录》。曾就职于华为公司;后跨界进入媒体领域,先后在《中国电子报》、《集微网》等行业媒体,专注半导体全产业链10余年。【摘要】 半导体材料的发展历程,全球半导体材料的产业格局,中国半导体材料的发展机遇江西兆驰半导体有限公司芯片研发经理 张星星毕业于北京科技大学,材料物理化学系硕士。目前担任江西兆驰半导体有限公司研发中心经理,一直从事和负责氮化镓材料及相关发光器件的光电特征研究和高亮度高效率蓝光以及白光半导体发光二极管的产品技术研发工作,在正装、倒装、垂直、Mini/Micro RGB等芯片领域有着丰富的研发经验【摘要】 GaN材料可应用于分立器件,包含光电器件、功率器件等,在光电器件领域有着广泛的应用,主要是LED发光二极管,应用于家用和商用照明、植物照明、车灯、紫外消毒、背光显示等领域,Mini和Micro显示作为LED的未来发展之路,拥有独立的三原色芯片,发光像素单元为自发光微米量级的LED,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点, 在显示方面与 LCD、OLED相比,在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势 。安捷伦科技(中国)有限公司原子光谱应用工程师 应钰毕业于东华大学应用化学专业,有超过4年国际顶级高纯电子材料行业从业经验,主要从事电子化学品的分析工作,掌握不同类型电子化学品的分析难点,以及复杂问题的解决;加入安捷伦后,作为原子光谱应用工程师,重点专注于半导体高纯材料的无机元素分析,材料类型涵盖半导体产业链的各个环节,包括高纯度的湿化学品,硅材料以及其他种类的高纯金属材料,擅长分析过程中污染控制,干扰去除,以及降低仪器背景等环节,对于低浓度的超痕量分析测试积累了丰富的实战经验。北京理工大学特别副研究员 魏静北京理工大学,预聘副研究员,2012年于电子科技大学集成电路设计与集成系统专业获得学士学位,2017年于北京大学微电子与固体电子专业获得博士学位。2019年7月加入北京理工大学材料学院材料物理与化学系。主要从事新能源材料与器件、钙钛矿光电材料与器件等研究。以第一作者身份在Nat.Commun., Adv. Mater., Adv. Energy Mater. Nano Energy等杂志发表论文15篇,其中ESI高被引论文2篇,ESI热点论文3篇,总被引次数超过600。研究领域:新型能源材料与器件;钙钛矿光电材料与器件;微纳加工。【摘要】 钙钛矿太阳能电池(PSCs)的光电转换效率已经超过25%,但寿命依然低于工业所需的20年,严重限制了其商业应用。目前报道的多数钙钛矿电池在水分、光照、热或其他因素的干扰下都会严重失效。聚合物在钙钛矿器件中可起到界面修饰、水氧隔离等作用。本工作系统研究了钙钛矿薄膜的退化机理,采用聚合物矩阵策略,设计并优化了钙钛矿光伏器件的电子传输层,通过开发新型紫外惰性电子传输材料及低温介孔结构,来提高PSCs在潮湿环境或光照下的工作稳定性。制备了ITO/UV惰性ETL/ Cs0.05FA0.81MA0.14PbI2.55Br0.45/Sprio-MeOTAD/Au结构的太阳能电池,其光电转换效率达到22%,光稳定性得到明显改善。优化后的器件在AM1.5G(氙灯)持续光照,最大功率点电压下工作120小时后,依然保持95%以上的初始性能。在进一步的工作中,需要深入研究PSCs的复杂降解机理,在此基础上开发更具针对性的薄膜改性方法和新型器件结构。吉林大学副教授 张晓宇聚焦低维发光材料与器件,发表SCI论文80余篇,其中14篇入选ESI高被引论文,SCI他引6300余次,单篇最高他引600余次,H因子36。【摘要】 Perovskite light-emitting materials have become a very hot topic in research in recent years, mainly due to their high color purity and high electroluminescence efficiency. To address the shortcomings of low efficiency and poor stability of perovskite nanocrystal light-emitting diodes (LEDs), we have focused on the nucleation, growth, and defect formation mechanisms of perovskite nanocrystals, and the carrier transport mechanisms of corresponding LEDs. We have obtained high performance perovskite nanocrystal luminescent materials by solvent engineering, surface passivation, construction of quasi-core-shell structure and doping, and improved the performance and stability of LEDs by combining structural design, interface engineering, ligand optimization, crystallization control and other solutions.兑奖方式:1) 直播间抽奖中奖后,凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖;2) 分享朋友圈兑奖,凭借朋友圈点赞截图,联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信
  • 2021年半导体领域材料与器件精彩报告回放集锦
    仪器信息网整理2021年半导体领域材料与器件精彩报告回放,内容涉及半导体材料、器件、表征、应用等内容,供相关科研人士学习使用。报告题目:《氮化镓半导体电力电子器件相关进展分享与讨论》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115820.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:西安电子科技大学副教授 赵胜雷)报告题目:《半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的定量透射电子显微学研究》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115535.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:华中科技大学/武汉光电国家研究中心 李露颖)报告题目:《半导体深紫外发光与红外探测器件研究》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115819.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:华中科技大学副研究员 吴峰)报告题目:《二维半导体材料的集成电路应用探索》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115811.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:复旦大学研究员 包文中)报告题目:《半导体仿真技术在宽禁带半导体器件领域中的应用》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115821.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:河北工业大学教授 张紫辉)报告题目:《分子束外延氮化物半导体材料及器件》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115823.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:南京大学教授 王科)报告题目:《氧化物半导体气体传感器》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115817.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:吉林大学教授 刘凤敏)报告题目:《半导体离子传感器及新型可大规模集成无参比电极半导体离子传感器》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115816.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:复旦大学教授 吴东平)报告题目:《先进气体传感技术及其应用》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115815.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:重庆大学研究员 曾文)报告题目:《高效率全无机CsPbBr3钙钛矿太阳电池》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115814.html视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:暨南大学教授 唐群委)报告题目:《非铅钙钛矿材料的能隙调控》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115812.html 视频选自第二届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会(报告人:北京大学教授 肖立新)报告题目:《共聚焦拉曼和PL在第三代半导体材料中的应用》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_115613.html报告人:天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室副教授 徐宗伟报告题目:《二维半导体及异质结的生长与光电性能调控》视频回放链接:https://www.instrument.com.cn/webinar/video_114781.html视频选自“石墨烯检测技术及应用进展”主题网络会议(报告人:江南大学教授 肖少庆)
  • 大咖分享:七种仪器技术助力半导体材料与器件研究
    半导体器件生产中,从半导体单晶片到制成最终成品,须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠,并有高的成品率,根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施,首先要从半导体工艺检测着手。针对于此,仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。以下为本次大会中相关仪器技术类报告合集:报告合集报告:半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond报告人:Waters -TA部门TA仪器热分析高级技术专家 苏思伟【摘要】 报告主要围绕半导体行业材料的力学及热性能评估展开。材料的玻璃化转变、热分解温度、热膨胀系数、吸湿性、模量等参数,决定了材料的稳定性和最终使用性能,报告将介绍如何使用热分析和力学表征设备得到这些重要相关参数。报告:牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用报告人:牛津仪器科技(上海)有限公司 应用科学家 王汉霄报告:如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量报告人:牛津仪器科技(上海)有限公司 高级应用科学家 刘志文【摘要】 近几年,由于化合物半导体行业的飞速发展,其衬底以及外延薄膜质量评价越来越受到关注。如何评价高质量衬底和外延薄膜对工艺优化至关重要。原子力显微镜(AFM)是评价衬底和薄膜质量不可或缺的技术手段。在本次讲座中,主要用AFM从表面结构,力学性质和电学性质全面评价衬底和薄膜质量,涉及材料生长机制、表面不均匀性、缺陷类型、粗糙度、表面污染、力学性质、导电、表面电势、高压击穿等,从而实现对衬底和薄膜质量的全面评估。报告:海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用报告人:海洋光学 资深技术&应用专家 卢坤俊【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式,并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量, PECVD过程监控,Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。报告:布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用 报告人:布鲁克(北京)科技有限公司 应用工程师 陈剑锋【摘要】 随着目前工业和自动化控制的发展,促使人们在半导体行业上不断突破到更微观的结构,能谱和电子显微镜因为在纳米尺度上的分析能力和直观的结果解读使之在半导体行业以及相应的材料,结构,性能的研究,测试,表征等方面的依赖性也变得越来越高,布鲁克纳米分析部门推出第七代能谱配合EBSD和同轴TKD等技术继续在分析测试,失效分析,产品工艺改进和品质控制等领域助力新能源行业的发展,本期报告我们将主要介绍布鲁克新一代能谱仪特点应用,让新老客户对我们的产品及应用有一个更好的了解和认知。报告:聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟报告人:天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授【摘要】 聚焦离子束、飞秒激光微纳加工,由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势,成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加,对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段,分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。报告:雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用报告人:雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理 王志芳【摘要】 半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起,包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质,并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势,可以同时获得静态及动态变化中的结构信息,已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例,同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名
  • 半导体行业常用的十五类材料检测科学仪器与技术盘点
    自中美贸易战以来,国家对于半导体行业的重视日渐提升。为避免关键技术被“卡脖子”,国家大力推动半导体行业的发展,先后发布了《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》等政策,从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策等多个层面支持国内半导体行业的自主创新。半导体材料主要包括第一代半导体材料(Si等)、第二代半导体材料(砷化镓GaAs、锑化铟InSb等)、第三代半导体材料(碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝等),以及在半导体工艺环节必须用到的特种气体、靶材、光刻胶、显影液、抛光液和抛光垫、键合胶、电镀液、清洗液、刻蚀液、研磨材料、掩模版、光阻材料等。其中,大部分半导体材料依赖于对外进口,目前主要进口自美国、日本、韩国等。表1 热门半导体材料主要进口国家及地区主要半导体材料主要进口国家及地区硅片等日本、德国、韩国、美国、中国台湾砷化镓GaAs等日本碳化硅SiC等美国、欧洲特种气体美国、德国、法国、日本靶材美国、日本光刻胶中国台湾、日本、美国抛光液和抛光垫美国、日本、韩国研磨材料美国掩模版日本湿电子化学品德国、美国、日本、韩国、中国台湾光阻材料日本封装材料中国台湾半导体材料的晶体结构和缺陷杂质都将对半导体器件的性能产生较大的影响,因此半导体材料的检测对于成品质量具有至关重要的意义,以下整理了半导体检测中用到的主要科学仪器及其在半导体领域的应用。表 半导体检测仪器和用途半导体检测仪器与技术(点击下方仪器进入专场)在半导体领域的应用光学测量仪器外延层厚度测量、测定元素含量、用于高纯气体分析等电学测量仪器(四探针、三探针、扩展电阻、C-V法、霍尔测量)测量电阻率、载流子浓度、导电类型、迁移率、寿命及载流子浓度分布等X射线衍射仪缺陷及形貌观察(无损检测),检测二次缺陷的形成和消除等金相显微镜观察晶体缺陷等俄歇电子能谱表面层原子成分、含量、化学键合状态分析等二次离子质谱杂质检测等扫描电镜微区形貌观察,成分、结构分析,失效分析,缺陷检测等透射电镜半导体晶体缺陷分析等原子吸收分光光度痕量杂质检测等气相色谱气体分析高频电感耦合等离子体发射光谱微量成分分析等离子束用于分析离子注入层和外延层损伤、定位等离子探针用于薄层分析、微区分析、测量浓度分布,分析痕量杂质等电子探针成分分析等以上列举了半导体行业用到的热门半导体材料和检测仪器,日后仪器信息网也将对半导体检测解决方案进行盘点敬请期待。
  • 报名倒计时|第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络大会全日程公布
    半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件,具有专门的生产设备、工艺和方法,在现代各方面得到大量的研究和应用。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题,邀请半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表,以线上分享报告、在线与网友交流互动形式,为同行搭建公益学习互动平台,增进学术交流。为回馈线上参会网的支持,增进会议线上交流互动,会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节,欢迎大家报名参会。同时,只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》(独家首发)一本,(兑奖方式见文末)报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期,还有部分赞助厂商将抽取幸运观众,邮寄企业周边产品。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播,直播平台:仪器信息网 3i讲堂平台本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件研究与应用12月21日全天第三代半导体研究与检测技术12月22日上午传感器与、半导体产业配套材料研究与检测技术2.详细日程(以会议官网最终日程为准)时间报告题目演讲嘉宾专场1:光电材料与器件研究与应用(12月20日)9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00半导体材料的力学及热性能评估 - Thermal analysis and beyond苏思伟(Waters -TA部门 TA仪器热分析高级技术专家)10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技(上海)有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖:5张30元京东卡11:30午休午休音乐14:00半导体材料发展与机遇慕容素娟(大话芯片 总编)14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技(中国)有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静(北京理工大学 特别副研究员)15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇(吉林大学 副教授)直播抽奖:5张30元京东卡专场2:第三代半导体研究与检测技术(12月21日)9:30氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)10:00如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量刘志文 (牛津仪器科技(上海)有限公司)10:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)11:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊(海洋光学 资深技术&应用专家)11:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)直播抽奖:5张30元京东卡12:00午休午休音乐14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用陈剑锋(布鲁克(北京)科技有限公司 应用工程师)15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授)15:30雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用王志芳(雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理)16:00GaN半导体器件的仿真设计与制备研究张紫辉(河北工业大学 教授)16:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛(北京大学 高级工程师)直播抽奖:5张30元京东卡专场3:传感器与MEMS研究与应用(12月22日上午)9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠(有研工程技术研究院有限公司 科研主管)10:00智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠(西南大学 教授)10:30半导体行业用水概述孙秀敏(工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师)11:00水纯度对半导体研究与应用的重要性沈熹(威立雅水处理技术(上海)有限公司)威立雅赞助周边奖品抽奖11:30集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华(上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工)直播抽奖:5张30元京东卡五、参会方式1. 本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia 或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后,直播前一天助教会统一审核,审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后,会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接,输入报名手机号,即可参会。六、兑奖方式:1) 直播间抽奖中奖后,凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖;2) 分享朋友圈兑奖,凭借朋友圈点赞截图,联系主持人(微信号:15733280108)领取《2021年度科学仪器行业发展报告》七、会议联系1. 会议内容康编辑:15733280108,kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月12日附:往届会议回顾1)第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网: https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd20212)第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网: https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020
  • 关于召开第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议的通知
    半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件,具有专门的生产设备、工艺和方法,在现代各方面得到大量的研究和应用。作为现代信息技术产业的基础,半导体产业已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业,是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分;伴随着全球科技逐渐进步,全球范围内半导体产业规模基本都保持着持续扩张态势。为加速国内半导体材料及器件发展,促进国内半导体材料与器件领域的人员互动交流,推动我国半导体行业的高质量发展。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播,直播平台:仪器信息网3i讲堂平台本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia (内容更新中)或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件12月21日全天第三代半导体材料与器件12月22日上午传感器与MEMS12月22日下午半导体产业配套材料2.详细日程(以会议官网最终日程为准)时间报告题目演讲嘉宾专场1:光电材料与器件(12月20日)9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00待定待定10:30待定待定 (牛津仪器科技(上海)有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)11:30午休午休音乐14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星(江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理)14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技(中国)有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静(北京理工大学 特别副研究员)专场2:第三代半导体材料与器件(12月21日)9:00氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)9:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)10:00待定待定(牛津仪器科技(上海)有限公司)10:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30待定待定(布鲁克电子显微纳米分析仪器部)15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授)15:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛(北京大学 高级工程师)专场3:传感器与MEMS(12月22日上午)9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠(有研工程技术研究院有限公司 科研主管)10:00待定待定10:30智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠(西南大学 教授)专场4:半导体产业配套材料(12月22日下午)14:00半导体行业用水概述孙秀敏(工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师)14:30待定待定(威立雅水处理技术(上海)有限公司)15:00集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华(上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工)五、参会方式1. 本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia(内容更新中)或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后,直播前一天助教会统一审核,审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后,会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接,输入报名手机号,即可参会。六、会议联系1. 会议内容康编辑:15733280108,kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月6日附:往届会议回顾1)第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网: https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd20212)第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网: https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020
  • 梅特勒-托利多倾情参与首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议
    p   中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,组织2天的专业学术交流。本次网络会议旨在利用互联网技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。梅特勒-托利多倾情参与了本次会议。 /p p    strong 梅特勒-托利多报告嘉宾介绍 /strong : /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/16f020ca-a9a8-4472-b084-368a4208d1d8.jpg" title=" 李.jpg" alt=" 李.jpg" / /p p   李玉琪,华东理工大学硕士学历,梅特勒-托利多分析仪器产品专家,进入分析仪器行业5年,具有丰富的理论和实战经验,主要负责电位滴定仪产品线的市场推广工作。 /p p    strong 报告题目:梅特勒-托利多公司半导体行业检测方案 /strong /p p    strong 报告摘要: /strong /p p   梅特勒-托利多是历史悠久的精密仪器及衡器制造商与服务供应商,产品适用于实验室、制造业和零售服务业。针对半导体行业推出的高精度、自动化检测方案,有效控制各项工艺平稳运行,助力半导体行业先进制程发展。 /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 131px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/02c18638-7d96-429b-8d32-96b7a44915f6.jpg" title=" 1920_420_20200914.jpg" alt=" 1920_420_20200914.jpg" width=" 600" height=" 131" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p br/ /p p br/ /p
  • 20余位行业大咖,与您相约首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议
    p   当韩国“氟聚酰亚胺”、“光刻胶”、“高纯度氟化氢”等韩国半导体产业的关键材料被日本卡脖子的时候,中国很多人没太在意 当华为手机被美国制裁禁止使用谷歌相关软件时,中国半导体产业人很多没太在意 当华为芯片制造受到美国制裁时,或许许多中国半导体材料人依然没太在意 当对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制时,中国半导体材料人或不能不在意了 当华为注册的“华为凤凰”商标“科学仪器分类”在列时,或许预示华为从软件、芯片设计、半导体制造、半导体原材料的自力更生还不够,甚至准备好进一步延伸到相关仪器设备中,中国半导体材料人就更不能不在意了! /p p   半导体材料作为半导体行业的最下游,从半导体制造材料(电子气体、光掩膜、光刻胶配套化学品、抛光材料、光刻胶、湿法化学品与溅射靶材等)到各类半导体材料,中国和国际先进水平差距巨大。但是,中国也有了较为全面的产业基础,以及庞大的半导体材料研究队伍,尤其在先进半导体材料研究方面,近些年发展迅速 在半导体集成电路和分立器件方面,中国市场强劲牵引下,也呈现快速发展的态势。 /p p   国务院密集出台各项政策,支持中国半导体产业发展,鼓励国内半导体材料产业自主创新 近期,国务院刚发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》。为助力国内半导体产业发展,中国科学院半导体研究所、仪器信息网将于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,促进和推动半导体行业的发展。 /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 131px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/9f731a67-f7d5-4279-8621-449b4be61484.jpg" title=" 1920_420_20200914.jpg" alt=" 1920_420_20200914.jpg" width=" 600" height=" 131" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p   会议日程: /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" width=" 484" style=" border-collapse: collapse border: none " align=" center" tbody tr style=" height:18px" class=" firstRow" td width=" 484" nowrap=" " colspan=" 3" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center text-indent:28px line-height:150%" strong span style=" line-height:150%" 10 /span /strong strong span style=" line-height:150% font-family:宋体" 月 /span /strong strong span style=" line-height:150%" 15 /span /strong strong span style=" line-height:150% font-family:宋体" 日半导体材料研发、应用及分析检测技术(上) /span /strong strong /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 报告时间 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 报告题目 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 报告人 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 09:00--09:30 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 钙钛矿纳米材料与 /span span style=" line-height:150%" SPP /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 激光器 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 王智杰 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 09:30--10:00 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 赛默飞世尔科技应用专家 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 钟新林 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" 10:00--10:30 /span /p /td td width=" 189" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150%" PerkinElmer /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 在半导体制程中的检测方案 /span /p /td td width=" 172" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" line-height:150% font-family:宋体" 珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司技术专家 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 华瑞 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" 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font-family:宋体" 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员 /span span style=" line-height:150% font-family:宋体" 樊士钊 /span /p /td /tr /tbody /table p    strong 报名链接(点击下方链接皆即可报名) /strong : /p p span    /span a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/ /a /p p   扫码下方 strong 二维码 /strong 加入 strong 半导体材料与器件交流群 /strong 与同行互动交流,共同探讨半导体产业问题,并可免费获取群内不定期放送的半导体行业资料包。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/ccb53645-8c55-48a5-83b3-fc6ba779390c.jpg" title=" 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020.jpg" alt=" 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020 /strong /p p    /p p br/ /p
  • 直播预告!半导体材料分析技术进展:分析仪器如何助力材料检测
    2023年10月18-20日,仪器信息网(www.instrument.com.cn) 与电子工业出版社将联合主办第四届“半导体材料与器件分析检测技术与应用”主题网络研讨会。iCSMD 2023会议围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点材料、器件的材料分析、失效分析、可靠性测试、缺陷检测和量测等热点分析检测技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。本次大会分设:半导体材料分析技术新进展、可靠性测试技术新进展、半导体失效分析技术、缺陷检测和量测技术4个主题专场,诚邀业界人士报名参会。主办单位:仪器信息网,电子工业出版社参会方式:本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2023/或扫描二维码报名“半导体材料分析技术新进展”专场预告(注:最终日程以会议官网为准)时间报告题目演讲嘉宾专场1:半导体材料分析技术新进展(10月18日)专场主持暨召集人:汪正 中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员9:30等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究汪正(中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员)10:00有机半导体材料的质谱分析技术王昊阳(中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师)10:30牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展马岚(牛津仪器科技(上海)有限公司 应用工程师)11:00氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究(拟)王涛(北京大学 高级工程师)11:30集成电路材料国产化面临的性能检测需求王轶滢(上海集成电路材料研究院 性能实验室总监)午休14:00离子色谱在高纯材料分析中的应用李青(中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员)14:30拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用刘争晖(中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师)15:00半导体—离子色谱检测解决方案王一臣(青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理)15:30共宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 教授)嘉宾简介及报告摘要(按分享顺序)汪正 中国科学院上海硅酸盐研究所 研究员【个人简介】汪正,博士,中国科学院上海硅酸盐研究所研究员、博士生导师、材料谱学组分表征与应用课题组组长。研究方向为原子光谱/质谱/色谱基础和应用研究、光谱质谱新型仪器的研发和先进材料制备表征及在分析化学和环境化学的应用研究。曾先后负责科技部国家仪器研制重大专项、国家自然科学青年和面上基金、中科院仪器研制项目、中科院仪器设备功能开发技术创新项目和上海科委基金等。是国际期刊《Atomic Spectroscopy》、《Chinese Chemical Letters》和《光谱学与光谱分析》期刊编委。以第一和通讯作者在国内外同行认可的高水平期刊Anal. Chem., J. Anal. At. Spectrom.,Spectrochim. Acta Part B,Anal. Chim. Acta 等发表论文100 余篇,出版学术专著2 部,建立国家标准3 项,获授权专利17项。2010 和2018 年两次获得中国分析测试协会科学技术奖励(排名均为第一)。报告题目:等离子体质谱在半导体用高纯材料的分析研究【摘要】材料是制造业的基础,高纯材料是半导体制造业的最重要环节之一,高纯材料的纯度分析与表征是纯化工艺中的一个重要环节,对材料性质研究和工艺改进至关重要。本报告主要介绍电感耦合等离子体质谱法在高纯有机/无机半导体用材料方向的工作。王昊阳 中国科学院上海有机化学研究所 高级工程师【个人简介】2000年本科毕业于中国药科大学药学院药物分析专业;2003年获得中国药科大学与上海有机化学研究所联合培养硕士学位;2006年获得中国科学院上海有机化学研究所的博士学位;后前往德国奥尔登堡大学化学系博士后;2008年开始任中国科学院上海有机化学研究所,副研究员;2017年–至今担任中国科学院上海有机化学研究所公共技术服务中心质谱组课题组长。报告题目:有机半导体材料的质谱分析技术【摘要】根据有机半导体材料领域具体的测试需求和测试对象的不同,建立体系化的质谱分析方法与手段,结合顶空气相色谱对挥发性有机物进行分析,结合ESI以及(AP-)MALDI对小分子有机半导体材料进行表征与分析,再结合热裂解分析对有机半导体材料中的聚合物及其相关添加剂进行分析。马岚 牛津仪器科技(上海)有限公司 应用工程师【个人简介】2012年获得上海交通大学材料科学与工程学院博士学位,博士研究镁合金的时效强化机制及变形机制,主要利用TEM、SEM、 EBSD等手段进行表征。2012-2015年间在日本物质材料研究所进行博后工作,期间研究的课题为高强韧镁合金的开发及磁性材料微结构表征,利用HAADF-STEM、SEM、EBSD及3DAP进行材料表征,熟悉掌握FIB及纳米操作手。2015年回国加入牛津仪器公司,主要负责EDS、WDS、EBSD、OP的推广及技术支持。报告题目:牛津仪器显微分析技术在半导体中的应用进展【摘要】能谱(EDS)是半导体失效分析中常用的检测手段,但它只能揭示元素的异常,如果要对晶圆进行其他物性(如粗糙度、掺杂浓度、电势电位和内应力等)的分析,则需借助电子背散射衍射(EBSD)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱(Raman)进行多尺度、多方位的检测和分析。 本报告将从结合三代半导体的痛点,展开介绍牛津仪器材料分析手段的进展及其在三代半导体中的应用,内容包括使用EBSD检测外延片位错,利用Raman分析碳化硅晶芯片晶型和微管类型及其带来的应力变化,以及采用AFM的SCM模式检测电容,并定量载流子浓度的最新应用。王轶滢 上海集成电路材料研究院 性能实验室总监【个人简介】从事半导体与集成电路领域技术研发、战略研究与规划工作多年。现承担负责上海市及国家集成电路材料重大项目测试平台课题,推进集成电路材料测试的科学评价体系建设,加速促进国产化替代。报告题目:集成电路材料国产化面临的性能检测需求李青 中国科学院上海硅酸盐研究所 助理研究员【个人简介】博士,中国科学院上海硅酸盐研究所助理研究员。主要从事高纯材料分析方法开发、光谱质谱仪器研制等工作。先后主持承担了包括国家自然科学基金、上海科委项目、中国科学院仪器功能开发项目等各类研发项目5项。目前在Anal. Chem., Anal. Chim. Acta等国际期刊发表论文10余篇,获授权国内专利14项,美国专利1项。报告题目:离子色谱在高纯材料分析中的应用【摘要】 阴阳离子分析涉及生物医学、集成电路、环境、食品安全等重要研究课题。利用离子色谱技术测定离子态物质的检测方法,分析速度快、灵敏度高、选择性好,已被广泛应用。本报告将主要介绍高纯电子试剂、高纯晶体、OLED材料中痕量卤素离子的分析方法。刘争晖 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 教授级高级工程师【个人简介】正高级工程师、博士生导师、中科院青年创新促进会会员、中科院关键技术人才。中科院苏州纳米所真空互联实验站工作,研发基于扫描探针的微纳米尺度光、电、力学综合测试分析设备和相关技术;开展基于新装备和新方法的应用基础研究。 主要成果: (1) 主持和参与中科院、基金委和科技部的多项仪器和表征技术研发项目,自主研制基于扫描开尔文探针的深紫外扫描近场光电探针系统,实现深紫外时间分辨光谱与表面光电压谱的同位微区测量,从时间和空间两个维度,以皮秒的时间分辨率和纳米级的空间分辨率对半导体光电材料的表面性质进行表征,从而为微观机制的探索提供有力的武器。 (2) 发展了基于光辅助扫描开尔文探针显微镜的新型扫描扩散显微术方法,定量测量光吸收系数、扩散长度、载流子寿命以及扩散系数的空间分布和变化,揭示了缺陷、相分离等微观结构对纳米光电性质的影响。 (3) 对氮化镓与石墨烯二维材料的界面输运性质进行了系统的研究,从实验和理论上系统阐明了石墨烯浮动费米面的特性对异质结电学输运性质的影响,发展了半导体表面测量二维材料微区迁移率的方法。 (4) 制定了国家标准GB/T 32189-2015 《氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法》,并取得相关实验室认证资格,为产业提供了大量支撑服务。报告题目:拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用【摘要】 半导体晶圆质量检测目前普遍采用工业视觉检测方法对全晶圆质量和缺陷进行评估,但诸如组分、应力、载流子浓度等关键物理性质的分布不均匀,难以通过视觉检测方法获得,这时光谱学的手段是重要的补充方法。光穿过介质时被原子和分子散射的光发生频率变化,该现象称为拉曼散射。拉曼光谱的强度、频移、线宽、特征峰数目以及退偏度与分子的振动能态、转动能态、对称性等紧密相关,广泛地应用于半导体材料的质量监控、失效分析,可用于检测组分、应力、载流子浓度、温度、晶向和缺陷等信息。通常的共聚焦拉曼测试由于信号较弱、对聚焦稳定性要求较高,常常只局限于单点或少量采样点。而对大到8寸乃至12寸全晶圆范围的覆盖性检测,可能会极大地帮助改进工艺制程和产品质量。我们通过一些的典型的案例,例如结晶硅薄膜晶化率测试,第三代半导体晶圆的应力和载流子浓度检测,以及多层复杂器件结构的综合性质检测,展示了拉曼光谱在半导体晶圆质量检测中的应用前景。王一臣 青岛盛瀚色谱技术有限公司 产品经理【个人简介】硕士研究生,现任青岛盛瀚色谱技术有限公司产品经理。目前主要负责青岛盛瀚公司离子色谱实验室类、在线类仪器以及联机类仪器的应用方法的开发和技术支持工作,拥有仪器分析行业多年的工作经验。对离子色谱行业有深刻见解,对设备选型、市场调研、需求管理等有丰富经验。报告题目:半导体—离子色谱检测解决方案【摘要】 针对半导体行业中,离子色谱技术对于检测其中的杂质阴离子具有的得天独厚的优势,本次盛瀚就针对半导体行业离子色谱方面做出的工作进行分享。徐宗伟 天津大学精密测试技术及仪器全国重点实验室 教授【个人简介】徐宗伟,天津大学,教授,博士/硕士生导师。中国电子显微镜学会聚焦离子束FIB专业委员会委员,中国微米纳米技术学会微纳米制造及装备分会理事。主要从事宽禁带半导体,微纳/原子尺度制造,拉曼/光致发光光谱,以及纳米功能器件设计、制备及应用。作为负责人获批十余项国家级项目,包括五项国际合作交流项目,其中一项被英国皇家学会列入“牛顿基金”项目。与德国弗朗霍夫协会、中电集团等宽禁带半导体企业和研究所开展紧密合作。研究成果受邀作主题报告/特邀报告30余次。报告题目:宽禁带半导体色心的能量束直写制备及光谱表征【摘要】碳化硅SiC、六方氮化硼hBN和金刚石等宽禁带半导体是制造量子及高功率半导体器件的优良材料。基于氦离子束、飞秒激光等超快能量束加工、变温光致发光光谱、分子动力学模拟等研究方法,研究了SiC硅空位/双空位色心、hBN和金刚石色心等加工产率,开展了飞秒激光原位退火、微结构阵列等色心荧光增强方法研究,基于共聚焦光致发光光谱表征了色心三维分布。会议联系会议内容康编辑:15733280108,kangpc@instrument.com.cn会议赞助周经理,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn
  • 免费学习+直播抽奖|第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议即将召开
    半导体材料与器件是现代自动化、微电子学、计算机、通讯等设备仪器研制生产的基础材料及核心部件,具有专门的生产设备、工艺和方法,在现代各方面得到大量的研究和应用。作为现代信息技术产业的基础,半导体产业已成为社会发展和国民经济的基础性、战略性和先导性产业,是现代日常生活和未来科技进步必不可少的重要组成部分;伴随着全球科技逐渐进步,全球范围内半导体产业规模基本都保持着持续扩张态势。为加速国内半导体材料及器件发展,促进国内半导体材料与器件领域的人员互动交流,推动我国半导体行业的高质量发展。仪器信息网联合电子工业出版社将于2022年12月20-22日举办第三届“半导体材料与器件研究及应用”主题网络研讨会,围绕光电材料与器件、第三代半导体材料与器件、传感器与MEMS、半导体产业配套原材料等热点议题,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。为回馈线上参会网的支持,增进会议线上交流互动,会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节,欢迎大家报名参会。同时,只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》(独家首发)一本,(兑奖方式见第六部分)报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、会议时间2022年12月20日-12月22日三、会议形式线上直播,直播平台:仪器信息网3i讲堂平台本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia (内容更新中)或扫描二维码报名四、会议日程1.专场安排第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议时间专场名称12月20日全天光电材料与器件研究与应用12月21日全天第三代半导体研究与检测技术12月22日上午传感器与MEMS研究与应用12月22日下午半导体产业配套材料研究与检测技术2.详细日程(以会议官网最终日程为准)时间报告题目演讲嘉宾专场1:光电材料与器件研究与应用(12月20日)9:30近红外吸收的非铅双钙钛矿肖立新(北京大学 教授)10:00待定待定10:30牛津仪器显微分析技术在先进半导体材料表征中的应用王汉霄 (牛津仪器科技(上海)有限公司)11:00低维异质界面工程与器件王琳(南京工业大学先进材料研究院 教授)直播抽奖:神秘奖品+红包11:30午休午休音乐13:30半导体材料发展与机遇慕容素娟(大话芯片 总编)14:00GaN光电器件现有应用及未来发展方向张星星(江西兆驰半导体有限公司 芯片研发经理)14:30半导体产业链中的痕量元素分析解决方案应钰(安捷伦科技(中国)有限公司 原子光谱应用工程师)15:00面向高性能钙钛矿光伏器件的聚合物矩阵结构魏静(北京理工大学 特别副研究员)15:30低维钙钛矿发光材料与器件张晓宇(吉林大学 副教授)直播抽奖:神秘奖品+红包专场2:第三代半导体研究与检测技术(12月21日)9:30氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)10:00如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量刘志文 (牛津仪器科技(上海)有限公司)10:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)11:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊(海洋光学 资深技术&应用专家)11:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)直播抽奖:神秘奖品+红包12:00午休午休音乐14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30待定待定(布鲁克电子显微纳米分析仪器部)15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟(天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授)15:30GaN半导体器件的仿真设计与制备研究张紫辉(河北工业大学 教授)16:00氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛(北京大学 高级工程师)直播抽奖:神秘奖品+红包专场3:传感器与MEMS研究与应用(12月22日上午)9:30硅纳米线场效应传感器的制备及其生物检测研究魏千惠(有研工程技术研究院有限公司 科研主管)10:00待定待定10:30智能传感技术在电力设备中的应用/待定周渠(西南大学 教授)直播抽奖:神秘奖品+红包专场4:半导体产业配套材料研究与检测技术(12月22日下午)14:00半导体行业用水概述孙秀敏(工业和信息化部电子第五研究所 副部长/高级工程师)14:30待定待定(威立雅水处理技术(上海)有限公司)15:00集成电路用水标准体系解读和检测方法介绍李春华(上海市计量测试技术研究院 集成电路产业中心主任/高工)直播抽奖:神秘奖品+红包五、参会方式1. 本次会议免费参会,参会报名请点击会议官网:会议官网:https://insevent.instrument.com.cn/t/Mia (内容更新中)或扫描二维码报名2. 温馨提示1) 报名后,直播前一天助教会统一审核,审核通过后,会发送参会链接给报名手机号。填写不完整或填写内容敷衍将不予审核。2) 通过审核后,会议当天您将收到短信提醒。点击短信链接,输入报名手机号,即可参会。六、兑奖方式:1) 直播间抽奖中奖后,凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖;2) 分享朋友圈兑奖,凭借朋友圈点赞截图,联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信七、会议联系1. 会议内容康编辑:15733280108,kangpcinstrument.com.cn2. 会议赞助周女士,19801307421,zhouhh@instrument.com.cn仪器信息网电子工业出版社2022年12月12日附:往届会议回顾1)第二届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网: https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/icsmd2021 2)第一届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议会议官网: https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020
  • 第三代半导体材料化学机械抛光(CMP)工艺的检测难点
    近年来随着5G通讯技术以及新能源汽车行业已成为当前投资热点,而5G基站和电动汽车都使用了功率半导体器件,开发出符合市场要求的功率半导体器件成了半导体行业的又一重要方向。以硅作为衬底的传统的半导体芯片因为材料本身的局限性已难满足要求,以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带第三代半导体材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势,因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,适用于高电压、高频率场景,还能以较少的电能消耗,获得更高的运行能力。第三代半导体材料虽然具有很多优点,但是其加工难度也是极大的。以碳化硅为例,其硬度世界排名第三,莫氏硬度为13,仅次于钻石(15)和碳化硼(14);而且其化学稳定性高,几乎不与任何强酸或强碱发生反应。晶体碳化硅还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺,才能成为器件制造前的衬底材料。化学机械抛光(CMP)化学机械抛光(或化学机械平坦化)通常是使用专用抛光机在晶圆表面用抛光垫不断地旋转抛光并在过程中添加抛光液磨料以获得平坦光滑的衬底表面的工艺。为了获得均匀平坦的晶圆衬底,厚度监测作为常用的评价手段之一。但是第三代半导体材料由于硬度高,化学机械抛光的效率比较低,部分材料抛光过程的厚度变化甚至低于数十纳米常规的位移计等监测手段已经无法达到要求,而因为材料的特殊性一般也不会使用接触式或者破坏式的测量手段。大塚电子的SF-3系列膜厚计通过光干涉法原理,对晶圆界面之间干涉光信号进行计算从而获得晶圆的厚度信息。SF-3膜厚计 光干涉法由于采用了光学测量原理,SF-3系列膜厚计具有极高的频率5KHZ,因而可以对晶圆厚度进行在线实时监控;同时具有高精度以及可以有效避免晶圆翘曲对结果的影响。晶圆厚度实测CMP抛光液CMP抛光液作为化学机械抛光的辅助耗材,起到研磨腐蚀等作用,近年来CMP抛光液的国产化程度正在逐步提高。CMP抛光液的主要成分包括水、研磨颗粒(二氧化硅、金刚石、氧化铈、氧化锆)、氧化剂、分散剂等。不同的工艺步骤和不同的产品对CMP抛光液产品有不同的要求,通过对CMP抛光液的粒径监测、zeta电位监测可以评价CMP抛光液是否符合工艺要求以及在存储运输过程当中的稳定性。大塚电子ELSZ-neo系列纳米粒度zeta电位仪对抛光液的粒径和zeta电位检测均有大量应用。 ELSZ-neo以下考察了CMP抛光液在不同PH值的zeta电位,并记录了不同磨料的等电点(zeta电位为零),根据抛光液的粒径和zeta电位可以选择最优的PH值从而获得稳定的产品。晶圆清洗在晶圆的研磨和化学机械抛光处理以后,需要对晶圆进行清洗以避免污染物的附着。一些晶圆的颗粒污染物数量要求少于10个,然而由于静电作用力,颗粒污染物与晶圆在特定的PH值环境下容易吸附,颗粒污染物通常来源于抛光液当中研磨颗粒的残留。因此,评价晶圆表面和颗粒污染物的电性对于清洗工艺有重要作用。Zeta电位(Zeta potential)作为衡量固体电性或液体的稳定性的主要指标,通常使用电泳光散射法进行测量,然而在测量固体表面zeta电位时必须要充分考虑电渗作用的影响。(1)样品池内的粒子的电泳以负电荷的粒子为例,理想状态下粒子无论在cell 的什么位置,都以相同的速度向正电极侧电气泳动。(2)样品池内的电渗流通常cell(材质:石英)带有负电荷。所以,正电荷的离子、离子聚集在cell壁面附近,施加电场的话,壁面附近 正离子会往负极方向移动。Cell中心部为了补偿这个流动,产生相反方向的对流,这种现象叫做电渗流。(3)样品池内可观测粒子的电泳粒子分散在溶媒中,cell内粒子电气泳动的外观是算上这个电渗的抛物线状的流动。为此、cell内电气浸透流的速度为零的位置,即在静止面进行测定可以得出真正粒子的电泳速度,从而得出真实的泽塔电位值。大塚电子的ELSZ系列纳米粒度zeta电位仪使用了森岡本电渗校正专利,充分考虑了材料的电渗对电泳速度的影响。另外专用的平板样品池可选用电荷为0的涂层,并且使用中性的观测粒子,在不同PH值下测量不必考虑观测粒子电性带来的影响。大尺寸的平板样品池,可适用不同规格的晶圆测量实测应用时,通常会对晶圆表面和CMP抛光液的zeta电位同时进行测量。以下图为例,分别测量了硅晶圆(蓝色)和污染物粒子(红色)的zeta电位,在PH=4~8.5之间,晶圆表面与污染粒子的电性相反,因而污染粒子会依附在晶圆表面难以去除。总结大塚电子自1970年以来一直专业研究光学检测技术,秉承「多様性」「独創性」「世界化」的理念,大塚的光散射以及光干涉制品一直在包括FPD行业、半导体行业、新材料行业等专业领域占据领先地位。凭借对光学技术的深耕,大塚将继续为过国内客户提供专业的设备以及服务。
  • 分析仪器助力半导体腾飞——“半导体材料及器件研究与应用进展”主题网络研讨会成功举办
    p    span style=" font-family: & quot times new roman& quot " strong 2018年6月12日,“半导体材料及器件研究与应用进展”主题网络研讨会在仪器信息网“网络讲堂”栏目成功举办。本次会议旨在为全国在半导体及器件领域或有意在本领域从事研发、教学、生产的科技人员提供一个学术与技术交流的平台,以促进我国半导体材料及器件领域的科技创新和产业发展。 /strong /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "   半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。近年来半导体材料迅猛发展,特别是宽禁带化合物半导体在材料生长、器件与电路设计、制造工艺及其应用等方面具有最新进展。 /span /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "   本次会议邀请了来自 span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(255, 0, 0) " 华进半导体、赛默飞、雷尼绍、HORIBA、牛津、华东师范大学 /span 六家机构从事半导体研究及应用的专家学者,对目前科学仪器在半导体应用领域的研究进展进行了介绍了。各项报告内容简介如下: /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/9f4a0912-662e-44eb-a670-f31943137df6.jpg" title=" 先进封装工艺与可靠性-刘海洋.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "    span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 华进半导体研发部高级工程师刘海燕介绍了数种半导体材料与部件的封装工艺及其各自特点,着重讲解了目前处于前沿领域的扇出型封装工艺,代表的类型有eWLB、INFO POP、大板级。华进半导体目前正在开发晶圆级、大板级扇出封装技术,现已制备出部分样品,并申请了相关专利。此外还补充介绍了Low k芯片封装工艺。华进公司的主要业务包括设计仿真、封装工艺、测试验证、技术转移等领域。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/460a9fdb-85d5-4566-a742-3dbbc89e87dd.jpg" title=" ICP-MS在半导体行业原材料及高纯化学品分析中的应用-朱中正.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "   span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i  赛默飞的应用工程师朱中正介绍了ICP MS(电感耦合等离子体质谱仪)在半导体行业的应用和最新进展。半导体行业中,对痕量金属元素进行常规且准确的分析是十分重要的工作。随着半导体器件尺寸的不断缩小,杂质的存在对其性能的影响逐渐增加。报告重点介绍了赛默飞公司的四级杆ICP-MS和SQ-ICP-MS的结构、工作机理、主要优势以及局限性。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/776571c0-f293-46a7-b115-c43a17856c0f.jpg" title=" 雷尼绍拉曼光谱技术在半导体领域的一些应用-王志芳.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "    i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 雷尼绍的高级应用工程师王志芳介绍了雷尼绍公司的拉曼光谱在半导体领域的一些应用工作。她首先为观众进行了拉曼光谱基础知识的讲解,拉曼光谱具有无损无创、原位检测、快速简便的使用特点,可应用于材料科学、生命科学、分析科学等多个领域。在半导体领域,拉曼光谱可对SiC、GaN、MoS sub 2 /sub 等半导体材料进行性能表征,可检测的性能特征有:晶型分布鉴定、应力表征缺陷分析、鉴定和发现污染物、电子迁移率分布、块材生长过程等。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/d979950b-1148-45f7-8de4-41a3357cc646.jpg" title=" 光谱分析在半导体材料领域的应用-孙正飞.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "   i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) "  HORIBA公司仪器事业部的应用工程师孙正飞分享了光谱分析技术在半导体材料领域的应用,主要应用的分析手段有光致发光光谱、拉曼光谱、辉光放电GD、椭偏仪TF,并着重介绍了前两者的工作机理和应用方向。光致发光光谱可测定半导体材料的组分、识别其中的掺杂元素、测试材料/器件的发光效率、研究位错缺陷 拉曼光谱可分析半导体化学组成、结构、构象、形态、浓度、应力、温度、结晶度等特征。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/563d8427-33a1-40e8-ab1e-751277616320.jpg" title=" 能谱及EBSD在半导体行业中的应用-马岚.pptx.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "    span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " i 牛津仪器纳米分析部的应用科学家马岚介绍了EDS能谱和EBSD(电子背散射衍射Electron Backscattered Diffraction)在半导体行业的应用。SEM-EDS可对样品进行成分检测、定性分析。针对扫描电镜及有窗能谱测试结果不准确的问题,提出了建议解决办法,通过对三种不同样品图像结果的分析,得出适当降低工作电压可提高电镜和能谱的空间分辨率。鉴于有窗能谱对10nm以下尺度空间分辨率的局限性,有窗能谱Extreme应运而生,在低电压下具有优良的表现。EBSD目前在半导体相关行业的应用还处于起步阶段,但由于其技术优势,会越来越多的应用在半导体的研发当中。可用于观测样品中晶粒的取向。 /i /span /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/b562f762-930a-494d-bec6-5ffda980fba0.jpg" title=" 相变存储器及存储材料-成岩.jpg" width=" 400" height=" 225" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 225px " / /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "    i span style=" font-family: 宋体, SimSun color: rgb(31, 73, 125) " 华东师范大学电镜中心的成岩老师向观众分享了半导体存储领域的新秀—相变存储器,介绍了其发展、结构、原理、材料等研究内容。DRAM和Flash占据了存储器市场95%以上的份额,旧的存储器存在一定的性能缺陷以及存储速度和存储性能之间的矛盾,开发新型存储架构势在必行。IBM开发的SCM(Storage Class Memory)使用高速、非易失性、字节可访问、存储密度高的新型存储级内存介质构建外部大容量存储器,为计算机系统延续了数十年的内外存架构提供了新的选择,应用相变存储技术的PCRAM将高速、随机访问和非易失在同一存储介质上实现。透射电子显微镜可应用于对相变存储材料Ge sub 2 /sub Sb sub 2 /sub Te sub 5 /sub 的结构进行观测,发现其具有两级相变过程,可由非晶转变为面心立方结构,再转变为六方相结构。 /span /i /span /p p style=" text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201806/insimg/0881776f-607b-4fdd-8408-b0ca4a572b4e.jpg" title=" 赞助厂商.png" / /p p style=" text-align: center " strong span style=" font-family: & quot times new roman& quot " 赞助厂商 /span /strong /p p span style=" font-family: & quot times new roman& quot "   每场报告结束后,观众对报告内容踊跃提问和发言,老师也对观众们提出的部分问题进行了答疑,会议为关注和研究半导体材料应用的工作者们提供了一个交流和学习的良好平台。 /span /p
  • SEMICON现场直击:半导体材料表征与工艺监控、流体控制与药液监测技术
    2023年6月29日,半导体和电子行业年度盛会SEMICON China 2023在上海新国际博览中心隆重举行。展会现场,HORIBA(堀场)也携最新半导体相关技术解决方案亮相E7馆。HORIBA展位(展位号:E7000)展会期间,HORIBA科学仪器事业部大客户经理熊洪武、半导体事业部销售工程师马艳可和王子均为我们介绍了HORIBA在半导体材料表征和制程监控、流量控制和湿法药液监控等方案。以下是现场视频:半导体新材料表征及制程监控技术解决方案介绍湿法工艺化学药液浓度监测和流量控制方案介绍
  • 助力国家半导体产业发展!首届半导体材料及器件研究与应用网络会议 (iCSMD 2020)盛大来袭
    p   为面对国际、国内新形势,国家密集出台政策措施,推动中国半导体产业高质量发展。8月,国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》,明确提出鼓励半导体材料和装备产业。中国是全球第一大半导体市场、第二大半导体设备市场、第三大半导体材料市场。繁荣的市场和国家扶持政策,将促进半导体产业链转向国内, 进一步催生国内半导体行业实现自主可控的大潮,开启半导体材料国产化黄金期。中国半导体产业的发展,依赖于半导体材料(如硅和先进半导体材料、特种气体、光刻胶、封装材料等)和半导体器件的研究和发展,同样也离不开仪器设备、分析检测方法和标准的支撑。中国科学院半导体研究所、仪器信息网拟于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,组织2天的专业学术交流。本次网络会议旨在利用互联网技术,为国内广大半导体材料与器件研究、应用及检测的相关工作者提供一个突破时间地域限制的免费学习平台,让大家足不出户便能聆听到相关专家的精彩报告。 br/ /p p   豪华专家阵容(仅展示部分专家,排序不分先后,可点击查看): /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 295px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/c47b10d3-b1b9-415b-a4d3-65c83b3b35bb.jpg" title=" 专家阵容.png" alt=" 专家阵容.png" width=" 600" height=" 295" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p   赞助厂商速览(可点击查看详情): /p p style=" text-align: center " & nbsp a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 118px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202009/uepic/57119024-8aa8-493e-b0ff-ff62e2fa560b.jpg" title=" 赞助单位.png" alt=" 赞助单位.png" width=" 600" height=" 118" border=" 0" vspace=" 0" / /a & nbsp /p p style=" text-align: left " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" 详细会议日程及【免费】报名链接: /a /p p style=" text-align: left " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/ /a /p section data-role=" outer" label=" Powered by 135editor.com" section class=" _135editor" data-tools=" 135编辑器" data-id=" 97002" section style=" width:120px margin:10px auto " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img src=" https://image2.135editor.com/cache/remote/aHR0cHM6Ly9tbWJpei5xbG9nby5jbi9tbWJpel9naWYvN1FSVHZrSzJxQzRVSDFMdUxpYkNhNUZYaWE1ZW9ZS012TGN2RHlFaWJ3ZHdTeGppYUhpY3BpY0FoU1NjTTA2M2txUm9JUTVZTTF0aGJpYXhTMjRrNGFpY3EwWWlha2cvMD93eF9mbXQ9Z2lm" data-ratio=" 0.3235294117647059" data-width=" 100%" data-w=" 544" style=" caret-color: red width: 100% display: block " / /a /section /section /section p br/ /p
  • 国家重点研发计划“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目启动会召开
    9月4日,国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项“大尺寸氧化镓半导体材料与高性能器件研究”项目启动会在杭州富阳顺利召开。   该项目由中国科学院上海光学精密机械研究所牵头,联合厦门大学、吉林大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所、北京中材人工晶体研究院有限公司、复旦大学、电子科技大学、杭州光学精密机械研究所、杭州富加镓业科技有限公司多家单位协同攻关。   出席本次会议的专家有浙江大学杨德仁院士、长光华芯光电技术有限公司廖新胜正高级工程师、中国电子科技集团公司第四十六研究所林健研究员、中国科学技术大学龙世兵教授、电子科技大学罗小蓉教授、浙江大学盛况教授、中国航天科技集团公司第五研究院508所孙世君研究员、山东大学陶绪堂教授、中国科学院微电子研究所王鑫华研究员、中国科学院上海分院吴成铁研究员、南京大学叶建东教授、复旦大学周鹏教授。依托单位张龙副所长及项目和课题相关人员四十余人参会。杨德仁院士为本次会议专家组组长。   上海光机所副所长、杭州光机所理事长张龙研究员代表项目承担单位致欢迎词,感谢各位专家不辞辛劳,从全国各地来参加此次会议,并简要介绍了杭州光机所的总体情况。项目负责人齐红基研究员汇报了项目总体实施方案及各课题的研究内容、研究目标、实施方案等。   项目面向发展氧化镓基日盲紫外探测及功率电子器件的迫切需求,以解决氧化镓单晶衬底和外延薄膜缺陷与掺杂机制,微观电子结构、薄膜物性和器件性能构效关系等关键科学问题为基础,突破6英寸单晶热场设计、高质量外延膜生长、器件核心结构设计等关键技术,研制出新一代高性能氧化镓基功率及探测器件。   本项目的实施将打通氧化镓材料、外延到器件的全链路,研究成果有望逐步应用于电动汽车、光伏变电、舰艇综合电力、雷达探测、日盲紫外预警及环境监测等方向,对推动相关产业的技术创新、产业结构优化和经济发展具有积极的意义。同时也有助于打破国外相关技术封锁,提升我国在该领域日趋激烈的国际竞争中的地位,推动我国在宽禁带半导体领域的发展。   与会专家认真听取和充分论证了项目实施方案,并给予了充分肯定,对项目研究目标、研究内容及各课题间协调统筹、合作交流等方面提出了具有建设性的指导意见。专家组经过质询讨论后,一致同意通过项目实施方案论证。   会议期间,张龙副所长带领专家和项目组代表参观了杭州光机所。
  • 碲锌镉半导体材料与器件的研制与突破——访“朱良漪奖”获得者西北工业大学查钢强
    朱良漪,原机械部国家仪表总局副局长、中国仪器仪表学会分析仪器分会名誉理事长,是仪器仪表和自动化控制领域最早的开拓者,影响中国仪器仪表和自动化控制行业发展的奠基人。为纪念朱良漪先生矢志不渝推动我国分析仪器事业发展的精神,以及激发企业及广大科技工作者积极投身于分析仪器的创新工作中,由中国仪器仪表学会设置、中国仪器仪表学会分析仪器分会承办执行了“朱良漪分析仪器创新奖”,共分为“创新成果奖”和“青年创新奖”两个奖项。  “朱良漪分析仪器创新奖”的设立不只是对朱老的怀念与敬意,更是对分析仪器创新精神的坚守与传承。自2017年举办至今,“朱良漪分析仪器创新奖”已成功颁发四届,先后有12项分析仪器创新成果、14位青年创新科学家获奖。  2021年度朱良漪分析仪器创新奖已经完成评审,最终获奖结果即将揭晓公布。在此之前,中国仪器仪表学会分析仪器分会与仪器信息网将联合走访 “朱良漪分析仪器创新奖” 往届获得者,倾听了解他们在获奖之后的新成就与新感受。西北工业大学 查钢强教授  2019年,西北工业大学查钢强教授荣获该年度“朱良漪分析仪器创新奖”之“青年创新奖”。 而据了解,查钢强教授研发了4英寸碲锌镉晶体生产技术,开发了针对大尺寸碲锌镉晶体特性的多项生产及加工工艺技术,在此基础上研制的碲锌镉探测器采用了自行研制的ASIC电路,提高了探测器的兼容性和稳定性。其研制的碲锌镉探测器,解决了目前国内市场上固体探测器的缺陷,打破了国际垄断,填补了国内碲锌镉探测器的空白,并产生了一定的经济效益。  借此机会,中国仪器仪表学会分析仪器分会与仪器信息网共同采访了查钢强教授。  Q:首先请您介绍一下目前的主要研究方向与研究成果?  查钢强:我是从2001年开始进入这一研究领域,师从介万奇教授,从事碲锌镉半导体材料与器件的相关研究。2007年我博士毕业后留校任教,一直聚焦这个研究领域,直到现在。  我本人主要从事半导体材料物理与器件的基础研究,重点是化合物半导体碲锌镉辐射探测材料与器件的基础研究和应用开发,在低成本碲锌镉材料制备、晶体加工处理与质量评价、缺陷调控与性能表征、器件设计与制备等方面开展了一系列的研究。曾主持国家自然科学基金、工信部民机科研项目、装发军用电子元器件项目等10余项科研项目,发表SCI学术论文100余篇,申请国家发明专利20余项,获得了国家技术发明二等奖及陕西省科学技术一等奖,2021年非常荣幸地获得了国家万人计划青年拔尖人才荣誉称号。  Q:自2019年获奖后,您又取得了哪些新的科研成就?  查钢强:获奖后,我在新型碲锌镉探辐射探测与成像器件领域持续深耕,开发出基于碲锌镉探测器的全身双能X射线骨密度仪和便携式伽马相机。  该研究揭示了碲锌镉晶体中深能级缺陷的浓度、电离能、俘获截面、缺陷类型,以及其对光子计数X射线探测器的影响规律。揭示了大剂量X射线下碲锌镉探测器的载流子浓度分布、内电场分布以及载流子的输运行为,以及光子计数探测器极化效应的本质。揭示了探测器电极结构对电荷串扰效应的影响规律,并开发出复杂电极结构的器件制备工艺,设计开发出高密度小像素碲锌镉X射线光子计数探测器。  基于多能X射线在物质中的衰减理论,开发出多能谱成像算法。通过矫正补偿由电子不完全收集、散射、堆积等引起的能区信号串扰问题,结合X射线K边缘过滤技术和非线矫正方法,实现了多能谱成像和高精度物质分解。设计开发出基于碲锌镉光子计数探测器的双能X射线全身骨密度仪,通过弓形扫描,具备进行生物体内骨骼、脂肪、肌肉等组织的深度、密度、体积等参数快速采集和显微成像能力,实现CdZnTe光子计数探测器的实际应用。  Q:“十四五”开局,对于您的科研创新提出了哪些新的机遇与挑战?  查钢强:针对国外巨头对新型高端医疗器械研发的投入和行业布局的垄断,以及我们国家社会发展和人民群众对高性能高端医疗器械的迫切需求,对我们从事相关核心关键部件的科研团队来说,既是机遇,也是挑战。  下一步的工作目标是,一方面继续优化我们的碲锌镉探测,尤其是在相关成像算法和系统集成方面 另一方面,积极加强与整机厂商的联合,开发出基于核心探测器的高端医疗器械,并进行工程化和产业化。  Q:您对于分会的工作有什么意见或建议?需要哪些后续的支持与合作?  查钢强:希望分会积极梳理相关企业的需求和行业发展的趋势,推动共性技术的研讨交流和相关专业人才的推荐。  Q:作为“朱良漪青年创新奖”获得者,请对行业和同行给予一些建议与祝福?  查钢强:我建议仪器行业从业者加强应用技术开发和交流合作,希望咱们国产仪器行业尽快自立自强。
  • 针对半导体行业的十种半导体材料表征技术研究与应用
    半导体材料作为半导体产业链中的重要支撑,包括以硅、锗等为代表的元素半导体材料和以砷化镓、磷化铟、碳化硅和氮化镓为代表的化合物半导体材料,广泛应用于通讯、计算机、消费电子、汽车电子以及工业应用等众多产业。 半导体材料的发展和进步离不开先进的材料表征技术支撑。HORIBA作为检测及分析技术的领先供应商,可为半导体产业提供多种分析及检测技术。在材料表征技术方面,可为半导体材料研发及QC提供多种分析技术,包括薄膜厚度测量、晶型、应力、器件结温、缺陷、杂质、元素含量以及CMP研磨液粒径表征等;在制程监控环节, HORIBA可提供质量流量控制、化学药液浓度监测、终点检测及光掩模颗粒检测等技术。本次仪器信息网特采访了HORIBA Scientific 科学仪器事业部大客户经理熊洪武先生,请他分享了HORIBA在半导体材料检测方面的技术与解决方案。HORIBA Scientific 科学仪器事业部大客户经理 熊洪武熊洪武先生现任HORIBA Scientific 工业销售经理。进入分析仪器行业10年,负责HORIBA光栅光谱仪技术咨询和系统应用支持多年,对光谱测量系统选择有丰富的经验,具有光致发光光谱、拉曼光谱和荧光光谱等相关技术的应用经验。现主要负责HORIBA科学仪器在半导体等工业领域的应用推广工作。1、 请问贵司面向半导体行业用户推出了哪些仪器产品及相关检测方案?HORIBA针对半导体用户推测了多种检测方案,涉及到半导体的外延薄膜厚度及缺陷,衬底材料晶型,表面残余应力,器件结温,元素含量,多量子阱元素深度剖析以及CMP抛光液粒径分布检测等技术。仪器技术名称在半导体材料中的应用HORIBA仪器特点HORIBA推荐型号椭圆偏振光谱仪薄膜厚度、折射率、消光系数测量SiO2, SiNx等薄膜厚度测量,光刻胶等材料折射率消光系数PEM相调制技术的高稳定性高灵敏度可测量透明基底上的超薄膜UVSEL Plus拉曼光谱仪晶型、应力、温度、载流子浓度以及异物等分析;硅薄膜晶化率、SiC晶型、功率器件结温等,二维材料层数、晶格取向、缺陷以及掺杂等表征高光谱分辨率高空间分辨率宽光谱范围LabRAM Odyssey光致发光光谱仪带边发光/缺陷发光分析外延层质量及均匀性分析可选时间分辨光致发光(TRPL)研究载流子弛豫及扩散模块化结构设计可按需配置高光谱分辨率宽光谱范围SMS低温光致发光光谱仪测量硅单晶中硼、磷、铝、砷的元素含量超高光谱分辨率超低检测下限可提供定量标准曲线PL-D阴极荧光光谱仪缺陷检测,光强成像评价缺陷密度如线位错掺杂、杂质、包含物分析高效光学收集镜模块化光谱仪宽光谱范围探测H-CLUEF-CLUE辉光放电光谱仪元素含量随深度变化剖析LED多量子阱元素含量随深度剖析分析速度快操作简单无需制样GD Profiler 2碳硫分析仪 / 氧氮氢分析仪重掺硅中氧含量测量靶材中碳硫、氧氮氢元素含量测量清扫效率高高检测精度EMIA seriesEMGA series显微X射线荧光异物杂质分析、金属涂层厚度或凸点元素分析,封装布线中的离子迁移、缺陷、短路分析等高空间分辨率半真空模式XGT-9000激光粒度仪 / 纳米粒度仪CMP抛光液粒径分布及Zeta电位测量硅片切削液粒径分布测量全自动检测效率高可提供在线测量方案LA-960V2SZ-100V2离心式纳米粒度分析仪CMP抛光液高分辨率粒度分布测量可捕捉少量的杂质或团聚体高分辨率测量粒径分布制冷功能保持样品恒温CN-3002、 这些仪器主要解决半导体行业中的哪些问题?(相关检测项目在半导体行业中的重要意义)以椭圆偏振光谱仪为例,可以准确测量12寸硅晶圆上SiO2超薄膜的厚度,还为研发ArF光刻胶提供折射率消光系数的测量等,为国产替代材料的研发提供准确的标准工具;而拉曼光谱仪则可为功率半导体研究提供如衬底晶型鉴别,应力大小及分布测量以及功率器件结温测试等,在二维材料方面,由于其独特的特性,有望突破硅基器件面临的“瓶颈”而受到重视,拉曼光谱在二维材料层数、晶格取向、缺陷以及掺杂等表征方面发挥着重要作用;在光致发光(PL)方案中,除了提供常用的常温PL测量材料缺陷及均匀性外,还可以提供低温PL检测硅单晶中低至ppta级的P,B,Al,As元素的浓度,可为电子级多晶硅生产厂商的超低杂质含量检测提供有力手段;在元素表征方面,HORIBA拥有碳硫、氧氮氢分析仪,可为靶材元素分析、硅片中氧含量测量提供高灵敏的检测手段,辉光放电光谱仪(GD-OES)可为多量子阱结构元素深度剖析提供快速测量手段,而显微X射线荧光分析仪,可以为半导体封装过程中的狭窄图案涂层测厚或凸点元素成分分析,以及集成电路封装布线中的离子迁移、缺陷、短路分析等提供高空间分辨率的元素分布检测,同时在半导体生产过程中的异物分析过程中也发挥着不可或缺的作用。3、 贵司的仪器产品和解决方案具有什么优势?(原理、技术、成本、精度等方面的优势)以光谱仪类测量仪器为例,HORIBA是多种焦长光谱仪的供应商,可以覆盖从低到高光谱分辨率的应用需求,比如拉曼光谱仪和光致发光光谱仪拥有多种型号,满足各种光谱分辨率需求的应用。以拉曼光谱测量半导体材料应力和器件结温为例,光谱的峰位变化往往非常小,那么光谱分辨率越高,对峰位的定位就越准确,有助于区分微小的拉曼峰位位移;对低温PL测量硼、磷、铝、砷元素含量,光谱分辨率越高,对相邻的峰就越容易分开,尤其是在测量铝和砷元素浓度时,对光谱分辨率要求非常高,需要采用长焦距光谱仪以达到超高光谱分辨率的要求。4、当前,国内半导体用户是否对某类仪器提出了更高的技术要求(可举例说明)?贵司对此是否有相关应对之策?随着集成电路技术的进步和先进制程节点的推进,CMP工艺在集成电路中使用的使用也越来越多,对CMP材料种类和用来也在增加,并且对CMP抛光液材料也提出了更高的要求,例如对一些金属氧化物的纳米颗粒研磨液中的颗粒粒径分布,采用传统的粒度仪难以进行高精度的测量,而HORIBA推出的离心式纳米颗粒度分析仪CN-300是按粒径大小离心分类后进行测量的,可以一次测量就能得到宽范围的高精度结果,并且由于其高分辨率可以捕获到少量的杂质颗粒,这对应更高要求的CMP研磨液的研发来说极为重要。5、贵司当下比较关注的细分材料领域有哪些,是否会推出相关的仪器产品或解决方案?可以为用户解决什么科研难题? HORIBA科学仪器部门当前比较关注的半导体细分材料领域主要在两个方面:一个是在工业应用中的大硅片、光刻胶以及化合物半导体材料等领域;另外一个是在科研领域,主要包括二维材料等先进材料;我们已经陆续与一批客户进行合作并推出相应的解决方案,可以为用户提供薄膜厚度、分子结构、元素以及材料粒径分布等方面的分析表征解决方案。此外,我们在HORIBA的上海研发中心成立了科学仪器应用方案开发中心,计划针对半导体产业中可能应用到的相关技术与用户进行合作并进行相应的方法开发,为用户提供相应的解决方案。【行业征稿】若您有半导体行业相关研究、技术、应用、管理经验等愿意以约稿形式共享,欢迎自荐或引荐投稿联系人:康编辑word图文投稿邮箱:kangpc@instrument.com.cn微信/电话:15733280108
  • 二维半导体材料制备工艺新突破,助力柔性电子器件应用
    p style=" margin-top: 0px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 在半导体器件不断小型化以及柔性化的主流趋势下,以二硫化钼(MoS2)等过渡金属硫属化合物(TMDC)为代表的二维半导体材料显示出独特的优势。国际半导体联盟在2015年的技术路线图(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)中明确地指出它是下一代半导体器件的关键材料。二维半导体材料具有超薄厚度(单原子层或少原子层),优异的电学、光学、机械性能及多自由度可调控性,使其在未来的更轻、更薄、更快、更灵敏的电子学器件中具有优势。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 然而,现阶段以器件应用为背景的单层二硫化钼研究仍然存在以下两个关键的科学问题:(1)材料制备,如何获得高质量大尺度的二硫化钼晶圆;(2) 器件工艺,如何实现高密度、高性能、大面积均一的器件加工。这是新型半导体材料从实验室走向市场要经历的共性问题,如能解决其高质量规模化制备和集成器件性能调控的关键科学障碍,必将有力推动二维半导体材料的应用发展进程,给柔性电子产业注入新的发展动力。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 松山湖材料实验室张广宇副主任带领的二维材料团队,在过去十多年一直致力于高质量二维材料的外延、能带调控、复杂结构叠层、功能电子器件和光电器件的研究。近期,团队利用自主设计搭建的四英寸多源化学气相沉积设备,采用立式生长方法在蓝宝石衬底上成功外延制备了四英寸高质量连续单层二硫化钼晶圆,所外延的高质量薄膜由高定向(0° 和60° )的大晶粒(平均晶粒尺寸大于100 μm)拼接而成。在这种高定向的薄膜中,高分辨透射电子显微镜观测到了近乎完美的4|4E型晶界。得益于独特的多源设计,所制备的晶圆具有目前国际上报道中最高的电子学质量。相关工作发表在近期的Nano Letters 2020上。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: center font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 0em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/d61f3a56-f685-4c35-b5f6-c26a3ec32821.jpg" title=" 4a36acaf2edda3cc9bd4902a0de55106213f929f.jpeg" alt=" 4a36acaf2edda3cc9bd4902a0de55106213f929f.jpeg" / /span /p div class=" img-container" style=" margin-top: 30px font-family: arial font-size: 12px white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) user-select: text !important " span class=" bjh-image-caption" style=" user-select: text !important font-size: 13px color: rgb(153, 153, 153) display: block margin-top: 11px text-align: center " 四英寸高定向单层二硫化钼外延晶圆 /span /div p style=" margin-top: 26px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 在此基础之上,团队进行了一系列器件加工工艺的优化,包括:(1)采用兼容的微加工工艺,逐层制作器件,保证了器件层与层之间的洁净,实现了器件阵列加工的大面积均一性;(2)采用独特的物理吸附与化学反应相结合的原子层沉积方法,提高了器件绝缘层质量;(3)采用金/钛/金多层结构作为接触电极,有效降低了器件的接触电阻。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 通过这些优化手段,成功实现了大面积二硫化钼柔性晶体管以及逻辑器件(如反相器、或非门、与非门、与门、静态随机存储器以及五环振荡器等)的制作,器件表现出优异的功能特性。其中,柔性场效应晶体管器件密度可达1518个/平方厘米,产量高达97%,是目前已报道结果中最高指标。此外,单个器件还表现出优异的电学性能和柔韧性,开关比达到1010,平均迁移率达到55 cm2 V-1s-1,平均电流密度为35 μA μm-1。相关结果发表在近期的Nature Electronics 2020上。 /span /p div class=" img-container" style=" margin-top: 30px font-family: arial font-size: 12px white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) user-select: text !important text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/b5c1c60c-854b-4a68-ac68-4f2091e8ec2f.jpg" title=" 2.jpeg" alt=" 2.jpeg" / span class=" bjh-image-caption" style=" user-select: text !important font-size: 13px color: rgb(153, 153, 153) display: block margin-top: 11px text-align: center " 大面积二硫化钼柔性晶体管与柔性逻辑器 /span /div div class=" img-container" style=" margin-top: 30px font-family: arial font-size: 12px white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) user-select: text !important text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/d6d7193c-438b-4de1-8723-953def3c6f33.jpg" title=" 3.jpeg" alt=" 3.jpeg" / /div p style=" margin-top: 26px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: center font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 0em user-select: text !important " span style=" font-size: 12px user-select: text !important " 二硫化钼柔性反相器、或非门、与非门、与门、静态随机存储器以及五环振荡器 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " span class=" bjh-p" style=" user-select: text !important " 这两项工作突破了晶圆级高质量二硫化钼薄膜的外延技术,实现了二硫化钼柔性晶体管器件及逻辑器件的高密度集成,为大面积柔性电子器件的发展提供了新的思路与技术基础,预期可以有效推动二维半导体材料在柔性显示屏、智能可穿戴器件方面的应用。 /span /p p style=" margin-top: 22px margin-bottom: 0px padding: 0px line-height: 24px color: rgb(51, 51, 51) text-align: justify font-family: arial white-space: normal background-color: rgb(255, 255, 255) text-indent: 2em user-select: text !important " 该系列工作由松山湖材料实验室与中国科学院物理研究所联合完成,并得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、中科院B类先导专项、中科院青促会等项目的资助。 /p
  • 2024中国检测技术与半导体应用大会——暨半导体分析检测仪器与设备发展论坛通知
    半导体产业的蓬勃发展对从事半导体分析检测仪器和设备的科研机构和企业提供了良好的发展机遇和更高的要求。把握这种机遇,满足这一要求,需要半导体应用及其分析检测领域的龙头高校科研院所、链主企业、供应链上企业、创新链上科研院所,使命担当、脚踏实地、合作共赢,创新产品,携手提高制程良率,提升材料、器件和芯片的可靠性、稳定性、一致性。为促进半导体材料、器件和芯片领域科研院校,芯片设计、制造与封测企业,半导体分析检测仪器与设备企业,分析检测设备零部件供应企业之间的互动交流和融合创新,由国家集成电路创新中心、上海市仪器仪表行业协会和财联社主办,复旦大学光电研究研究院、复创芯和科创板日报等单位承办,中国上海测试中心、上海市集成电路行业协会等单协办的“2024中国检测技术与半导体应用大会暨半导体分析检测仪器与设备发展论坛”于2024年7月7-9日在上海虹桥举办。 本次会议旨在为提高产品质量,针对先进半导体材料、薄膜、器件、芯片等工艺控制和精确测试、测量分析技术,以及创新链、供应链合作机遇,主要探讨交流:1.相关科学技术应用现状、未来去哪里、怎么去实现、有哪些障碍及具体的需求,高校科研院所和企业在专业人才培养、产学研合作、技术成果转移转化等方面如何打通双向合作通道;2.从事半导体技术研究的高校科研院所,从事半导体制造的企业,从事半导体材料制造企业的研发水平提升、产品质量提高和未来发展方向等对半导体相关分析检测仪器与设备的需求;3.半导体分析检测仪器设备及其零部件产业发展现状如何、未来的方向、怎么去实现、有哪些障碍及相应的需求,供应链上下游企业合作机遇及合作方式等。会议主题包括:集成电路、新能源、显示、LED、汽车电子领域中先进半导体工艺、器件;半导体材料、薄膜表征技术及其仪器,包括SEM, TEM, XPS, AFM, XRD, SIMS等;半导体器件表征技术及其仪器,包括电学、光学、光电特性等;半导体芯片表征技术及其设备,包括封装可靠性;企业与科研院所产学研合作对接;科研院所科研成果展示、发布。参会人员将有利用各种物理、化学、光学、微结构、电学等技术进行半导体材料、薄膜、器件、芯片制备研究及分析检测仪器与设备研发等领域(集成电路、新能源、显示、LED、汽车电子)研究的高校科研院所课题组长、系主任、院长和学生;半导体材料和半导体前道和后道制造领域内的企业管理者和技术负责人;半导体检测仪器与设备企业管理者和技术负责人;半导体检测仪器与设备零部件制造企业的管理者和技术负责人。长按识别二维码下载通知附件
  • 【第二轮通知】2024中国检测技术与半导体应用大会暨半导体分析检测仪器与设备发展论坛
    为促进半导体材料、器件和芯片领域科研院校,芯片设计、制造与封测企业,半导体分析检测仪器与设备企业,分析检测设备零部件供应企业之间的互动交流和融合创新,由国家集成电路创新中心、上海市仪器仪表行协会、财联社等主办,复旦大学光电研究院等协办的“2024 中国检测技术与半导体应用大会暨半导体分析检测仪器与设备发展论坛”第二轮通知正式发布。会议将在于7月11-13日在上海虹桥举办,欢迎广大专家学者和企业高管积极参会,企业参展交流。你将有机会与500位来自科研院所、芯片设计制造与封测企业、半导体分析检测仪器与设备企业的专家教授和企业高管,共同研判半导体检测技术的发展趋势,共同碰撞产学研合作火花,共同对接面向产业市场和科研市场的高质量合作机遇。一、会议宗旨为提高产品质量,针对先进半导体材料、薄膜、器件、芯片等工艺控制和精确测试、测量分析技术,以及创新链、供应链合作机遇,主要探讨交流:1、相关科学技术应用现状、未来去哪里、怎么去实现、有哪些障碍及具体的需求,高校科研院所和企业在专业人才培养、产学研合作、技术成果转移转化等方面如何打通双向合作通道;2、从事半导体技术研究的高校科研院所,从事半导体制造的企业,从事半导体材料制造企业的研发水平提升、产品质量提高和未来发展方向等对半导体相关分析检测仪器与设备的需求;3、半导体分析检测仪器设备及其零部件产业发展现状如何、未来的方向、怎么去实现、有哪些障碍及相应的需求,供应链上下游企业合作机遇及合作方式等。二、会议主题1、集成电路、新能源、显示、LED、汽车电子领域中先进半导体工艺、器件2、半导体材料、薄膜表征技术及其仪器,包括SEM, TEM, XPS, AFM, XRD, SIMS等3、半导体器件表征技术及其仪器,包括电学、光学、光电特性等表征及相关仪器4、半导体芯片表征技术及其设备,包括功能、性能、封装可靠性等表征及相关设备5、企业上下游供应链对接,科创型企业知识产权布局和保护6、企业与科研院所产学研合作,科研院所科研成果展示和发布三、参会人员1、利用各种物理、化学、光学、微结构、电学等技术进行半导体材料、薄膜、器件、芯片制备研究及分析检测仪器与设备研发等领域(集成电路、新能源、显示、LED、汽车电子)研究的高校科研院所课题组长、系主任、院长和学生;2、芯片设计行业、半导体材料和半导体前后道制造领域的企业管理者和技术负责人;3、半导体分析检测仪器与设备业管理者和技术负责人;4、半导体分析检测仪器与设备零部件制造企业的管理者和技术负责人。四、组织单位指导单位:中国技术创业协会、上海市经济和信息化委员会、上海市科学技术协会、上海虹桥商务区管理委员会、上海市闵行区人民政府主办单位:国家集成电路创新中心、上海市仪器仪表行业协会、财联社承办单位:复旦大学光电研究院、上海复创芯半导体科技有限公司、科创板日报、上海南虹桥投资开发(集团)有限公司协办单位:中国上海测试中心、上海市集成电路行业协会、上海市真空学会、上海电子学会智能仪器与设备专委会、上海市在线检测与控制技术重点实验室、上海理工大学光电学院、上海大学特种光纤与光接入网重点实验室、求是缘半导体联盟、复旦大学校友总会集成电路行业分会、上海段和段律师事务所特别报道:《CMG数字中国》融媒体节目支持媒体:仪器信息网、半导体综研、半导体行业联盟、上海真空学会官网、大同学吧、芯片揭秘支持期刊:半导体学报、自动化仪表五、已确认参会的专家/企业(持续更新中)六、会议信息1、会议时间:2024年7月11日-13日2、会议日程:日期时间活动议程7月11日14:00-20:00大会报到、展台布置7月12日09:00-12:00大会报告-113:30-17:30分会报告、墙报18:00-19:30晚宴、颁奖7月13日08:30-12:00分会报告、技术培训13:30-17:00大会报告-2、论坛、人才交流3、报告主题:报告主题主题一集成电路晶圆级缺陷检测技术主题二半导体封装及缺陷检测技术主题三高分辨显微技术及半导体应用主题四薄膜制备及椭圆偏振测试技术主题五X射线检测技术及半导体应用主题六光谱技术应用于半导体材料检测主题七功率器件、芯片缺陷检测技术主题八射频芯片检测及分析技术主题九半导体器件可靠性及失效分析技术主题十芯片、微纳器件形貌、热探测技术主题十一半导体光电器件、芯片检测技术主题十二AI技术应用于半导体分析检测(备注:会议议程持续更新,以现场实际安排为准)4、会议地点会议规模:500人左右会议地点:上海虹桥 新华联索菲特大酒店具体地址:上海市闵行区泰虹路666号(直线距离虹桥火车站、虹桥2号航站楼3公里)七、注册费用及报名名称费用(元/人)2024年6月25日前缴费2024年6月25日后及现场缴费会议代表23002800学生代表15001800(备注:注册费用包含大会期间的餐费、会议资料及纪念品等,不包含住宿费用)请扫描二维码 立刻在线报名请参会人员于2024年6月25日前微信扫码登记或填写附件3“会议参会回执表八、论文摘要/企业参展赞助1、会议论文摘要(详见附件1"会议论文摘要模板”)2、本次会议及论坛的参展与赞助(详见附件2"会议赞助权益清单”)(附件下载,详见文末)九、报名及赞助联系方式会议Emait:kjyzy@fudan.edu.cn院校师生报名及论文投递联系人:刘老师 139 1828 3051企业报名及赞助咨询联系人:徐老师 135 8571 1280报名缴费及发票确认联系人:王老师 178 2179 68082024中国检测技术与半导体应用大会_会议论文摘要模板_附件1.doc2024中国检测技术与半导体应用大会_会议赞助权益清单_附件2.pdf2024中国检测技术与半导体应用大会_参会确认表_附件3.docx
  • 仪器信息网首届半导体材料与器件网络会议(iCSMD 2020)首日达千人规模 盛况空前
    p   为推动国内半导体产业发展,由中国科学院半导体研究所、仪器信息网于2020年10月15日-16日联合主办首届“半导体材料与器件研究与应用”网络会议(i Conference on Research and Application of Semiconductor Materials and Devices, iCSMD 2020)”,22位业内知名的国内外专家学者聚焦半导体材料与器件的产业热点方向,进行为期两日的学术交流。直播首日会议已达千人规模,观众踊跃提问,会议反响热烈。 /p p   首日报告专家除中科院半导体所外,还有北大、华中科大、暨南大学等高校单位的专家;赛默飞世尔科技、珀金埃尔默、布鲁克、梅特勒-托利多、Delmic、默克、日立高新等知名科学仪器厂商也热情参与。 /p p style=" text-align: center " strong 首日报告概览 /strong /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse: collapse border: none " align=" center" tbody tr style=" height:18px" class=" firstRow" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告题目 /span /strong /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告人 /span /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 钙钛矿纳米材料与 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" SPP /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 激光器 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 王智杰 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 赛默飞色谱质谱产品在半导体行业中的的应用 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 赛默飞世尔科技应用专家 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 钟新林 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" PerkinElmer /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 在半导体制程中的检测方案 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司技术专家 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 华瑞 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 187" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 半导体材料生产与工艺质量监控的先进技术进展 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 布鲁克(北京)科技有限公司应用经理 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 黄鹤 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 梅特勒 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" - /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 托利多公司半导体行业检测方案 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 梅特勒 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" - /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 托利多产品专员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 李玉琪 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" InP /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 基光子集成材料与器件及标准代工平台 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 赵玲娟 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" Si /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 基 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" GaN /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 材料的 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" MOCVD /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 外延生长及杂质缺陷研究 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 北京大学高级工程师 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 杨学林 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 阴极发光成像技术的发展及其在表征半导体材料研究中的应用 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" margin-left:27px text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 荷兰 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" Delmic /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 公司应用专家 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" Sangeetha Hari /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 电子级水在半导体行业中的应用及解决方案 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 默克化工技术(上海)有限公司高级应用专家 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 李子超 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 日立电子显微镜在半导体分析中的应用 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 日立高新技术(上海)国际贸易有限公司经理 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 周鸥 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 半导体纳米材料原子尺度结构性能关系的透射电子显微学研究 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " valign=" middle" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " height=" 18" align=" center" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 华中科技大学副教授 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 李露颖 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 196" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 扫描探针技术在半导体材料及器件表界面分析中的应用 /span /p /td td width=" 275" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" align=" center" valign=" middle" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 暨南大学教授 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 谢伟广 /span /p /td /tr /tbody /table p style=" text-align: center " br/ /p p style=" text-align: center " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 600px height: 131px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/cf17d510-9edc-48df-aa86-42f620e2c8c0.jpg" title=" LOGO.jpg" alt=" LOGO.jpg" width=" 600" height=" 131" border=" 0" vspace=" 0" / /a /p p    /p p   明日会议日程及报告专家抢先看: /p p br/ /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse: collapse border: none " align=" center" tbody tr style=" height:18px" class=" firstRow" td width=" 396" nowrap=" " colspan=" 3" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center text-indent:27px line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 10 /span /strong strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 月 /span /strong strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 16 /span /strong strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 日半导体材料研发、应用及分析检测技术(下) /span /strong strong /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告时间 /span /strong /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告题目 /span /strong /p /td td width=" 134" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告嘉宾 /span /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px word-break: break-all " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 09:30--10:00 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 氧化镓基半导体器件研究进展 /span /span span /span /p /td td width=" 134" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 复旦大学青年研究员 /span /span span /span span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 刘文军 /span /span span /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 10:00--10:30 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 高纯半导体材料的无机元素分析 /span /p /td td width=" 134" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 安捷伦科技(中国)有限公司原子光谱应用工程师 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 应钰 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 10:30--11:00 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" HORIBA Scientific /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 多种分析技术在半导体材料表征中的应用 /span /p /td td width=" 134" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" HORIBA Scientific /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 工业销售经理 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 熊洪武 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 11:00--11:30 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 半导体光电子外延材料国产化 /span /p /td td width=" 134" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 江苏华兴激光科技有限公司总经理 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 罗帅 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 396" nowrap=" " colspan=" 3" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center text-indent:27px line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 10 /span /strong strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 月 /span /strong strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 16 /span /strong strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 日半导体器件研发、应用及分析检测技术 /span /strong strong /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告时间 /span /strong /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告题目 /span /strong /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" strong span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 报告嘉宾 /span /strong /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 13:30--14:00 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 双模微腔激光器及其应用 /span /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 黄永箴 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 14:00--14:30 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 硅光通信与互连:一种变革性的技术 /span /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 杨林 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 14:30--15:00 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 半导体微纳加工中的硅干法刻蚀技术 /span /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院半导体研究所研究员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 王晓东 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 15:00--15:30 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 电子束曝光及相关技术的研究 /span /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院电工研究所副所长 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 韩立 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 15:30--16:00 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 半导体产业现状及相关检测技术进展 /span /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 国家半导体器件质量监督检验中心副主任 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 席善斌 /span /p /td /tr tr style=" height:18px" td width=" 123" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height: 150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" 16:00--16:30 /span /p /td td width=" 110" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 硅基 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:& #39 Times New Roman& #39 ,serif" III-V /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 族光电器件及其缺陷的表征 /span /p /td td width=" 130" nowrap=" " style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " height=" 18" p style=" text-align:center line-height:150%" span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所项目研究员 /span span style=" font-size:13px line-height:150% font-family:宋体" 樊士钊 /span /p /td /tr /tbody /table p    /p p a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" strong   报名链接 /strong (点击下方链接即可报名): /a /p p a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self"   https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/ /a /p p   扫码下方 strong 二维码 /strong 加入 strong 半导体材料与器件交流群 /strong , /p p    strong 获取会议回放视频 /strong /p p strong   与同行互动交流,共同探讨半导体产业问题 /strong /p p strong   并可免费获取群内不定期放送的半导体行业资料包。 /strong /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/e5a582eb-dc16-4a2e-a0d3-065315ee9861.jpg" title=" 二维码.jpg" alt=" 二维码.jpg" / /p p style=" text-align: center " strong 半导体材料与器件技术交流群iCSMD2020 /strong /p p br/ /p
  • 明日开播!光电材料、器件研究与检测技术讲座通知
    仪器信息网联合电子工业出版社于四、五月将启动“半导体主题月”活动。活动同期,仪器信息网与电子工业出版社特组织三场“半导体材料、器件研究与检测技术系列讲座”,旨在邀请领域内专家围绕相关论坛主题分享精彩报告,依托成熟的网络会议平台,为半导体产业从事研发、教学、生产的工作人员提供一个突破时间地域限制的免费学习、交流平台,让大家足不出户便能聆听到精彩的报告。半导体光电器件是指把光和电这两种物理量联系起来,使光和电互相转化的新型半导体器件。即利用半导体的光电效应(或热电效应)制成的器件。光电器件主要有,利用半导体光敏特性工作的光电导器件,利用半导体光伏打效应工作的光电池和半导体发光器件等。近年来,一方面新能源、低碳等理念和产业的发展,光电池技术不断突破已成为行业热点;另一方面,光电子功能材料和器件是光电子技术的基础,对光电子产业的发展起着决定性的作用,大力发展光电子材料与器件,是国家战略高技术发展之必须,与信息、能源、国防安全等国家重大需求息息相关。针对于此,在4月18日上午,将在仪器信息网3i讲堂平台召开第二场报告讲座:光电材料、器件研究与检测技术。点击图片直达会议页面一、主办单位仪器信息网 & 电子工业出版社二、举办时间2023年4月11-26日,每周一期三、会议日程光电材料、器件研究与检测技术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称10:00-10:40热活化延迟荧光发光电化学池器件张保华广州大学教授10:40-11:20硅光传感技术与工艺杨妍中国科学院微电子研究所研究员三、报告嘉宾四、参会指南1、点击会议页面链接报名;会议页面:https://insevent.instrument.com.cn/t/RUs2、报名并审核通过后,将以短信形式向报名手机号发送在线听会链接;3、本次会议不收取任何注册或报名费用;4、会议联系人:3i讲堂—材料小周( 邮箱:zhouhh@instrument.com.cn;微信二维码如下,可加入会议交流群)会议联系人微信二维码五、下周预告4月26日:传感器/MEMS研究与检测技术术报告时间报告题目报告嘉宾单位职称14:00-14:40MEMS无线智能温振传感器及应用王建国苏州捷研芯电子科技有限公司副总经理14:40-15:20氧化物半导体气体传感器(拟)刘凤敏吉林大学教授
  • 半导体产业复苏在即 检测技术新趋势、新方向在这里|直击中国检测技术与半导体应用大会
    7月11日-13日,2024中国检测技术与半导体应用大会暨半导体分析检测仪器与设备发展论坛在上海成功举办。这场半导体行业盛会由中国技术创业协会、上海市经济和信息化委员会、上海市科学技术协会、上海虹桥国际中央商务区管委会、上海市闵行区人民政府指导,国家集成电路创新中心、上海市仪器仪表行业协会、财联社主办,复旦大学光电研究院、复创芯、科创板日报、上海南虹桥投资开发(集团)有限公司、上海段和段(虹桥国际中央商务区)律师事务所承办。本次盛会汇聚了来自政府、学界、企业界等500多名人士,旨在提高产品质量,针对先进半导体材料、薄膜、器件、芯片等工艺控制和精确测试、测量分析技术,以及创新链、供应链合作机遇进行探讨交流。开幕式上,中国工程院院士庄松林、上海虹桥国际中央商务区管委会副主任李康弘、国家集成电路创新中心副总经理沈晓良等作了致辞。复旦大学光电研究院院长、中国科学院院士褚君浩,中国半导体行业协会副秘书长兼封测分会秘书长,西安交通大学微电子行业校友会秘书长徐冬梅,曾任超瞬态装置实验室主任、电子显微镜中心科研合作主任唐文新,上海复旦微电子集团股份有限公司副总经理沈磊等在大会上作了报告分享。大会报告称,受全球消费电子市场萎缩,订单下滑影响,2023年整体封测市场并不乐观,但是随着下游客户端库存下降,年底市场显示出复苏迹象,预计封测市场2024年将迎来反弹,年产业规模有望突破3300亿元。多名演讲嘉宾认为,伴随着集成电路往更小尺度、更高集成度和更多功能方向发展,半导体检测精度和可靠性愈发严格和重要。此外,新兴的应用领域如汽车电子和人工智能进一步提高了检测的需求,包括更高的精度、速度和更低的成本。▍新产业形态的催生多名演讲嘉宾表示,从2022年下半年截至目前,半导体行业仍处于周期性调整过程,但受新能源车、人工智能、5G自动驾驶等领域的蓬勃发展带动,2024年半导体产业增长有望摆脱下降趋势,开始回调,实现超10%的增长。根据统计数据显示,2023年中国大陆封测业的销售额是2932.2亿元,同比下降2.1%,虽封测市场处于下滑态势,但我国本土封测代工厂整体营收实现增长,2023年超过1300亿元,同比增长8%。尤其是在先进封测领域,国内企业实现技术的不断突破。“在大批实现营收正增长点国内封测代工厂中,增幅前三的分别是盛合晶微、佩顿科技和颀中科技。”盛合晶微是国内硅片级先进封装领域的头部企业,是目前国内极少数大规模量产2.5D封装的封测厂之一。佩顿科技在2023年完成了16层堆叠技术研发并具备量产能力,超薄POP封装技术实现量产。因为受惠于面板驱动芯片的反弹,总部位于合肥的颀中科技也实现了20%的增长。此外,国内有四家企业常年稳居全球委外封测前十强,分别为长电、通富、华天、智路封测,市占率达到25.83%。在先进封装技术领域,晶圆级封装产品工艺如多重布线(RDL)、WLCSP工艺技术、晶圆级高密度凸点/窄节距CuPillar等核心技术全面实现自主突破并已分别被大量应用。高密度多层封装基板制造工艺实现了IC封装基板产品零的突破,突破了国外的技术垄断并实现量产。高性能运算(HPC)2.5D先进封装、射频SiP/AiP、汽车电子封装、三维堆叠封装技术、大尺寸多芯片Chip Last封装、3D NAND FIash封装等先进封装制程均实现产业化,Chiplet集成技术成为各厂商竞相开发的技术。除了国内封装企业的进步和国产技术的不断突破以外,有不同演讲嘉宾指出,自2020年以来,中国半导体产业经历了产能爆满、市场需求强劲的阶段,随后进入了周期性调整状态。尽管行业处于调整期,但并购活动并未停止,尤其在第三代半导体等领域表现出聚焦态势。标志着产业向着更先进的新器件、新材料方向发展。“当前半导体行业的技术日新月异,尤其是在仿真器、机械结构变化等方面,正经历着从二维到三维,再到更高级别的演进。这些变化不仅体现在应用层面,也深入到物理和技术等多个层面。同时,由于仪器设备的进步,特别是各类高端分析工具的应用,使得对半导体材料的研究更为细致深入。在当前大数据背景下,基于AI的设备和服务也将对检测环节产生深远影响,催生新的产业形态。”▍新技术带来新征程对于半导体检测技术的未来发展,上海复旦微电子集团股份有限公司副总经理沈磊在大会上表示,随着多系统集成带来的新挑战,检测与验证变得尤为重要。“首先要通过实时数据的收集,建立数据库和数据模型,对大后台数据进行比对。其次要通过智能化对仪器仪表进行赋能,可以通过人工智能的图像识别来提高检测的有效性。最后是精度,可以通过新的技术形式,丰富检测手段使其更加精准”。中国半导体行业协会副秘书长兼封测分会秘书长徐冬梅则强调了Chiplet的发展。她认为,Chiplet采用先进封装,利用小芯片的组合代替大的单片芯片。借助小芯片的可重用性和高良率等优势,可以有效降低芯片设计和制造成本。“芯片成本的快速增加,催生了Chiplet封装技术的崛起。人工智能、HPC高性能计算对于Chiplet的尝试会更加迫切。另外,平板电脑应用处理器、自动驾驶预处理器和数据中心应用处理器也将会是Chiplet率先落地的应用领域”。复旦大学光电研究院院长、中国科学院院士褚君浩表示,在智能时代背景下,科技创新不断提升信息传感分析和数字技术水平,促进人工智能、传感器物联网与智慧低碳等智能制造仪器设备产业发展,从而推动数字经济高质量发展,形成新质生产力,推动未来产业发展,提高人们生活水平。曾任超瞬态装置实验室主任、电子显微镜中心科研合作主任唐文新表示,高精度半导体检测技术的创新,是一个多学科交叉融合、协同发展的过程。它不仅需要材料科学、物理学和电子工程等基础学科的支持,也离不开数据科学和人工智能等新兴技术的推动。大会上,多位演讲嘉宾认为新能源车、5G和AI等领域呈现快速增长趋势,使半导体产业正面临着一系列新的挑战与需求,同时也迎来了前所未有的发展机遇。这一技术浪潮不仅向半导体产业提出了更高要求,还为检测技术注入了强大的动力。通过深度融合人工智能算法,芯片缺陷检测实现了高度自动化,极大地提升了检测效率与准确性。新兴技术的发展正逐步将半导体制造推向更加智能化、精细化的新阶段。本次大会的执行主席复旦大学微电子学院卢红亮教授、复创芯发起人介绍,近年来围绕集成电路产业的基础研究、技术路径、产业应用等方面的比拼愈发激烈,亟需构建我国集成电路产业高质量创新发展的基础设施体系,发展相应的行业技术标准和测试方法,大力提升面向半导体产业的先进检测设备和测试仪器。本次大会通过报告、分会报告、产品展览、科研成果展示、学术墙报等多种形式,搭建了创新链、产业链和供应链的合作平台,为高校科技成果转移转化链接合作机遇,为半导体检测与测试设备、仪器企业提供展示技术和产品的舞台,为地方政府提供展示投资环境的投资路途。此外,本次大会进行了长三角半导体高质量创新服务中心揭牌仪式。
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