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半导体器件的机械标准
仪器信息网半导体器件的机械标准专题为您提供2024年最新半导体器件的机械标准价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括半导体器件的机械标准参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的半导体器件的机械标准您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合半导体器件的机械标准相关的耗材配件、试剂标物,还有半导体器件的机械标准相关的最新资讯、资料,以及半导体器件的机械标准相关的解决方案。
半导体器件的机械标准相关的方案
机械合金法制备半导体合金
机械合金化(Mechanical Alloying,简称MA)是指金属或合金粉末在高能球磨机中通过粉末颗粒与磨球之间长时间激烈地冲击、碰撞,使粉末颗粒反复产生冷焊、断裂,导致粉末颗粒中原子扩散,从而获得合金化粉末的一种粉末制备技术。本文以硅锗合金和碲化铋半导体材料合金化制备实验为例,介绍了高能球磨仪Emax 的使用方法和技术优势,对合金样品制备的应用有借鉴作用。
inTEST 热流仪半导体元器件高低温测试
半导体器件 semiconductor device, 是导电性介于良导电体与绝缘体之间, 利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件, 可用来产生, 控制, 接收, 变换, 放大信号和进行能量转换.
氦质谱检漏仪半导体特殊器件检漏
半导体器件 semiconductor device 通常利用不同的半导体材料, 采用不同的工艺和几何结构, 已研制出种类繁多, 功能用途各异的多种晶体二极管, 晶体二极管的频率覆盖范围可从低频, 高频, 微波, 毫米波, 红外直至光波. 三端器件一般是有源器件, 典型代表是各种晶体管 ( 又称晶体三极管 ). 晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类.
DSX1000数码显微镜:半导体器件精密检测的全能助手
DSX1000数码显微镜:半导体器件精密检测的全能助手
Nexsa G2小束斑+特色SnapMap快照成像功能分析SnO?成分半导体器件
近几年来,随着国内科技产业的不断升级,对微电子器件的需求日益增加。特别是高科技产品的快速发展,比如智能手机、电脑、无人机、新能源汽车、智能机器人等,对高性能微电子器件的需求更是呈指数级增长,这使得微电子器件自然而然就成为人们研究的热点材料。在微电子器件的研究中,通常需要对微电子器件表面进行各种加工、改性处理,来使其具有不同的性能。由于X射线光电子能谱仪(XPS)是一种表面分析技术,随着商业化XPS设备的普及,其在微电子器件研究中的应用越来越广泛,逐渐成为微电子器件研究中不可或缺的分析手段。本方案通过赛默飞最新一代XPS表面分析平台Nexsa G2,对半导体器件表面形成的窄条形SnOx成分进行小束斑+特色SnapMap快照成像测试,展示如何通过设备小束斑+成像功能,快速全面分析这类特殊小尺寸半导体器件表面成分及其在面内分布情况,来辅助评估表面处理效果及器件质量。
XRM应用分享 | 半导体芯片(封装)/电子元器件
目前的半导体产业正面临CMOS微缩极限的挑战,业界需要通过半导体封装技术的不断创新和发展来弥补性能上的差距。
微波消解半导体薄膜材料
半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
微波消解半导体薄膜材料
半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同,在结构上可分为单晶,多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料,特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高,元件的尺寸越来越小,半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料,探索最适合的消解参数,有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。
通过密度和粘度在线监测进行半导体 CMP(化学机械抛光)浆料质量控制
半导体行业的关键在于整个工艺过程中保持严格的质量控制。在多掩模工艺中,CMP 浆料定义了后续层沉积的表面纹理。尺寸较小的电子元件需要更复杂的 CMP 工艺,浆料质量标准也变得更加严格。虽然浆料在制造点 (POM) 可能受到严格控制,但随后的操作,如运输、处理、混合、过滤和分配在抛光垫上可能会改变其化学性质(例如,影响氧化剂或添加剂)。更改此类参数可能会影响工艺性能并导致晶圆级缺陷,从而影响产能。为了防止出现这种不良影响,必须在使用时连续监测浆料的化学性质。
用和频光谱(SFG)可视化观测运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态
采用立陶宛Ekspla公司PL2230型脉冲皮秒激光器和PG501-DFG1P型皮秒光学参量发生器构成的和频光谱测量系统(SFG)对运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态进行了可视化测量。
半导体行业高低温老化性能测试方法
高低温老化试验箱可以对半导体器件进行恒温高低温老化测试,以了解器件的性能随时间的变化情况。通过控制恒温高低温条件,使半导体器件长时间暴露在高低温、潮湿等极端环境下,从而反复检测其性能的变化趋势及寿命,以评估其质量和可靠性。
紫外荧光法+电子半导体+半导体表面油污检测
随着半导体技术的不断发展,对工艺技术的要求越来越高,特别是对半导体圆片的表面质量要求越来越严,其主要原因是圆片表面的颗粒和金属杂质沾污会严重影响器件的质量和成品率,在目前的集成电路生产中,由于圆片表面沾污问题,在生产过程中造成了很多原材料的浪费。不能获取最高的经济效益。
少子寿命测试仪在半导体材料检测中的应用
半导体材料少数载流子寿命不仅可以表征半导体材料的质量,还可以评价器件制造过程中的质量控制,如集成电路公司利用载流子寿命来表征工艺过程的金属沾污程度,并研究造成器件性能下降原因。 Freiberg Instruments公司长期致力于开发半导体检测技术,提供不同需求的少子寿命检测设备。
高低温试验箱在半导体行业中运用在哪些方面
伴随着科技的进步,半导体材料使用得越来越多,对其质量的要求也越来越高,若想提早预料半导体材料分离出来元器件在高温或低温环境下会不会有安全隐患,则需要高低温试验箱来模拟自然气侯对其进行试验。那么,高低温试验箱在半导体行业中,是如何运用的呢?高低温试验箱在半导体行业中主要用于检测半导体器件的可靠性、稳定性和耐受性等关键指标。测试半导体器件在不同的温度、湿度、震动等环境下的性能表现,从而评估其可靠性和稳定性,并提高产品的质量和可靠性,确保其能够在恶劣的环境下稳定工作。
高低温试验箱在半导体行业中的运用方案
伴随着科技的进步,越来越多领域产品都是需要使用高低温试验箱,若想提早预料半导体材料分离出来元器件在高温或低温环境下会不会有安全隐患,则非常需要有一台高低温试验箱模拟自然气侯对它进行磨练。这节课文章内容就和大家聊聊高低温试验箱在半导体业中的运用。
单颗粒ICP-MS测定 化学-机械整平中使用的 元素氧化物纳米颗粒 悬浮物的特性
本研究概述了定量和表征纳米元素氧化物纳米颗粒(氧单颗粒ICP-MS测定化学-机械整平中使用的元素氧化物纳米颗粒悬浮物的特性ICP - Mass Spectrometry应用文章化铝和氧化铈),这些常用于纳米电子学和半导体制造行业中化学-机械 (CMP)半导体表面的平整。CMP是一个结合了化学和机械外力平滑平面的过程,此步骤为光刻作准备。
半导体芯片高低温湿热性能测试方法
高低温湿热试验箱是一种专门用于对半导体芯片和电子元器件进行高温、低温和湿热环境测试的设备。它可以模拟不同的环境条件,以评估芯片和元器件在极端温度和湿度下的性能和可靠性。
爱丁堡光谱系列在半导体行业中的应用解决方案
半导体是电子产品的核心,是信息产业的基石。半导体行业已成为全球重要的战略性产业之一。随着全球经济的发展,半导体市场需求与竞争也不断增加,对半导体创新技术和材料迭代更新均提出了更高的需求。目前,半导体材料作为整体行业重要的上游支撑材料,如今已发展到四代半导体,在这些材料提纯制备和生产过程中,其物理性质如晶型结构、杂质含量。缺陷类型及浓度、应力及应变等决定了最终产品的各种性能。爱丁堡分子光谱提供显微拉曼、光致发光及傅里叶红外表征技术,协助生产过程对这些材料属性进行监测与把控。
NexION 300S ICP-MS测定半导体级硝酸中的杂质
任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸,因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力,电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而,在传统的等离子体条件下,往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物,这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式,因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式,并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰,从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。
环境温湿度箱在交变潮湿环境下半导体的测试方案
环境温湿度试验箱在交变潮湿条件下对半导体的测试方案包括以下步骤:准备设备:准备环境温湿度试验箱,确保设备能够模拟高温、低温和湿热环境。同时,准备相应的测试设备和工具,如温度传感器、湿度传感器、测试夹具等。设定测试条件:根据相关标准,设定高温储存、低温储存、温度循环、湿热循环和高湿寿命测试所需的温度和湿度条件。例如,高温储存测试条件为85℃±5℃持续1000h,低温储存测试条件为-40℃±5℃持续1000h,温度循环测试条件为-40℃~85℃持续200个循环,湿热循环测试条件为40℃~85℃,RH=85%持续10个循环,高温高湿寿命测试条件为85℃、85%RH持续1000h。安装样品:将待测试的半导体芯片安装到环境温湿度试验箱内的测试夹具上,确保安装牢固、稳定。开始测试:将环境温湿度试验箱的温度和湿度调整到设定的测试条件,并将半导体芯片放置在试验箱内。监控和记录数据:在测试过程中,使用温度传感器和湿度传感器监控试验箱内的温度和湿度,并记录测试数据。同时,观察半导体芯片在模拟环境中的表现,记录任何异常情况。分析数据:根据测试数据和观察结果,分析半导体的性能和可靠性,评估其在模拟环境中的适应性和稳定性。结束测试:在达到设定的测试时间后,结束测试,并将半导体芯片从试验箱内取出。维护设备:对环境温湿度试验箱进行清洁和维护,以确保设备的正常运行和使用寿命。需要注意的是,在测试过程中要保持试验箱内的温度和湿度条件稳定,并确保半导体芯片放置的位置和方向正确。同时,要密切关注半导体芯片在模拟环境中的表现,及时发现和处理任何异常情况。
UV-8000分光光度计探究半导体ZAO薄膜的光学性能
半导体透明导电氧化薄膜(TCO)具有优异的光学和电学性能,可见光区高透射率,红外区高反射率和微波强衰减性,同时具有低的电阻率,是功能材料中具有特色的一类薄膜, 已广泛应用于太阳能电池、真空电子器件、防护涂层、电磁屏蔽等领域中。
陷阱掺杂技术-有机半导体短波红外探测新方向
短波红外光(SWIR)光电探测器应用广泛,但有机半导体光电探测器(OPDs)的性能受限于陷阱态。AM.斯旺西大学Ardalan Armin团队在Advanced Materials发表的研究提出了一种名为“陷阱掺杂"的新技术,通过在有机半导体中引入少量客体分子,增强SWIR光响应,显着提升了OPDs的性能。实验结果表明,该技术可使器件在SWIR和可见光波段的比探测率(D)分别达到约10⁸ Jones和10¹² Jones,线性动态范围(LDR)分别超过110 dB和220 dB,展现了其在高性能宽带光电探测领域的巨大潜力。
半导体模拟高原低气压试验方法
为了实现器件的高温工作寿命,这里选择管座对器件进行安装。管座通过压接方式将器件的管脚对应转换为相应的管座引脚,实现器件与PCB电路板的免焊接方式相连。器件使用了管座类似该器件进行了再封装,因此制作的直流老炼电路应以机械结构和转换后具有不同管脚功能的管脚为准。
哈希应用案例---XOS-TAs 在电子半导体排放废水监测中的应用
背景介绍电子半导体行业近几年发展特别快, 随之而来的是生产过程中产生了大量的有毒有害废水,包括酸碱废水、含氟废水、金属废水、有机废水、氰化物废水等,这些废水必须经过处理达标后才能排放。 目前, 电子半导体行业没有针对性的污染物排放标准发布, 其执行的标准仍为 《污染物综合排放标准》,但是,电子半导体企业对废水排放有严格的内控指标。电子半导体企业除了监控 COD、氨氮等常规指标外,也非常重视砷、铅等一类重金属污染物的排放量。厦门某电子公司于 2015 年采购了一台 XOS 总砷分析仪,用于排口废水总砷监测,测试数据通过 MODBUS 通讯(仪表自带 RS485 接口)传输至 PLC,实时上传至当地环保局。仪表从企业正常生产后开始运行,连续运行两个多月无需维护,测量数据稳定,用户反馈较好。更多关于本案例的详情,请您下载后查看。
PerkinElmer:NexION 300S ICP-MS测定半导体级硝酸中的杂质Mg
任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸,因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力,电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而,在传统的等离子体条件下,往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物,这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式,因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式,并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰,从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。
PerkinElmer:NexION 300S ICP-MS测定半导体级硝酸中的杂质Li
任何金属杂质的存在都将对IC器件的可靠性产生不利影响。在半导体实验室进行其他半导体材料分析时也常常会使用硝酸,因此使用的硝酸需要具有高纯度和高质量。由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度待测元素的能力,电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)已成为了质量控制不可缺少的分析工具。然而,在传统的等离子体条件下,往往存在氩离子与基质成分结合产生多原子干扰的情况。使用多极和非反应气体的碰撞池已被证明可以有效减少多原子干扰。但是这种方法必须使用动能歧视去除反应产生的副产物,这将会造成灵敏度的下降。NexION 300 ICP-MS配置的通用池技术同时提供了碰撞模式、反应模式和标准模式三种测定模式,因此仪器操作人员可以根据实际测定的要求选择最适合的模式,并能在一个分析方法中进行不同模式的切换。本应用报告证明了NexION 300ICP-MS去除干扰,从而在使用高温等离子体的条件下通过一次分析就能够对HNO3中全部痕量水平的杂质元素进行测定的能力。这一实验在一次测定中同时使用标准模式和反应模式可以得到最好的分析结果。
化合物半导体核壳结构纳米金属线的低加速电压SEM/STEM观察/EDX分析
半导体纳米金属线,因其物理特性可控,所以未来有望应用于光学器件上。尤其是异相聚合机构或者核壳结构的材料,富有多重物理特性,应用范围也会变得更广泛。图1是化合物半导体核壳结构纳米金属线的SE/STEM观察结果。图1(a)是二次电子图像显示了纳米金属线的表面形貌。图1(b)(c)的BF-STEM/DF-STEM图像,可以清楚观察到纳米金属先端的内部构造,可以确认核,内壳层和外壳层的三层结构。图2是化合物半导体核壳结构纳米金属线的EDX面分布。核壳层和外壳层检测到Ga和As,内壳层检测到Al和As,能够清楚地分离出三层的结构的各种成分分布。SU9000与大立体检测角的X-MaxN 100TLE相结合,可实现超高空间分辨率的EDX面分布。
梅特勒托利多:半导体行业中的超纯水质控
USP(《美国药典》)对超纯水的质量有着严格的规定,是半导体厂商良好的参考标准,梅特勒托利多SevenMulti模块化多功能仪表,内置USP表格,完全满足USP要求。
X射线衍射成像技术(XRDI)在半导体退火制程中进行晶圆破裂和缺陷形成机理诊断的应用
X射线测量技术已经被逐步应用于半导体集成电路芯片的生产制程中。在半导体生产制程中,硅晶圆内部的不可视缺陷 (NVD, Non-Visual Defect) 以及晶圆破片(Wafer Breakage)是器件生产中面临的严重问题,导致良率降低、制造成本增加、生产机器诊断和维护成本增加等。晶圆内部出现的不可视微裂纹可能会导致晶圆的破片,位错和滑移带等类型的内部晶格缺陷会降低电子设备的性能和良率。
COXEM台式电镜在电子半导体领域应用(中文)
使用扫描电镜研究半导体和微电子设备时,需要尽可能的获取最全面的信息。因此灵活地选择和使用操作参数(加 速电压、样品倾斜, 扫描时间等), 以及采取正确的分析方法,都是非常重要的。
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