半导体器件的机械标准

产品系列晶体管图示仪半导体分立器件测试筛选系统静态参数测试（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）动态参数测试（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）环境老化测试（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）热特性测试（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）可测试 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件ST-DP_S（2500A） 半导体器件IGBT 短路电流测试仪IGBTs,MOSFETs, Diode短路电流测试仪，短路电流2500A短路电流 Isc 1A~500A（VDS 电压＞600V 条件下）短路耐量 Esc 1uJ~5000mJ（VDS 电压＞600V 条件下）短路时间 Tsc 1us~150us（VDS 电压＞600V 条件下）?产品简述 ST-DPX 系列产品是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。 产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。?产品特点? 测试系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)? 另有程控式电感箱可供选择? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能? 测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）? 系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证? 支持半自动和全自动测试? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点? 自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。?参数指标

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。 实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器，波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统，支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表（SMU）可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉，都能简单而迅速地得到精确的结果。 普赛斯“五合一”高精度数字源表 普赛斯源表轻松实现二极管特性参数分析 二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导 电性元器件，产品结构一般为单个PN结结构，只允许电流从单一方向流过。发展至今，已陆续发展出整流二 极管、肖特基二极管、快恢复二极管、PIN二极管、光电 二极管等，具有安全可靠等特性，广泛应用于整流、稳压、保护等电路中，是电子工程上用途最广泛的电子元器件之一。IV特性是表征半导体二极管PN结制备性能的主要参数之一，二极管IV特性主要指正向特性和反向特性等； 普赛斯S系列、P系列源表简化场效应MOS管I-V特性分析 MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)是 一种利用电场效应来控制其电流大小的常见半导体器件，可以广泛应用在模拟电路和数字电路当中，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯，碳纳米管 等材料制作，是材料及器件研究的热点。主要参数有输入/输出特性曲线、阈值电压 VGS(th)、漏电流IGSS、 IDSS，击穿电压VDSS、低频互导gm、输出电阻RDS等。 普赛斯数字源表快速、准确进行三极管BJT特性分析 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体 基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块 半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射 区和集电区。设计电路中常常会关注的参数有电流放大系数β、极间反向电流ICBO、ICEO、集电极最大允许电流ICM、反向击穿电压VEBO、VCBO、VCEO以及三极管的输入输出特性曲线等参数。 普赛斯五合一高精度数字源表（SMU）在半导体IV特性测试方面拥有丰富的行业经验，为半导体分立器件电性能参数测试提供全面的解决方案，包括二极管、MOS管、BJT、IGBT、二极管电阻器及晶闸管等。此外，普赛斯仪表还提供适当的电缆辅件和测试夹具，实现安全、精确和可靠的测试。欲了解更多半导体分立器件测试系统的信息，欢迎随时来电咨询普赛斯仪表！

该测试方案可适用于多数半导体器件的测试，以五种器件为例：场效应晶体管式传感器、电阻型二极管式传感器、电阻式存储器、生物器件脉冲式和电容测试。其他要求为系统漏电小于10-13（100fA）。测试需求整体可以归纳为微纳传感器件的IV、脉冲IV 和CV测试，漏电需求为100fA。整体系统组成为微纳器件测试探针台和半导体参数分析仪。可测器件器件1：场效应晶体管式传感器器件2：电阻型二极管式传感器器件3：电阻式存储器器件4：脉冲式（输入脉冲电压，测量电流值）器件5：电容测试欢迎与我司联系了解详情，可按需定制系统。

半导体制冷器件的优点是没有滑动部件，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性比较高。为了达到更高的制冷效果，我公司这款半导体制冷器件均采用大功率手焊器件，尺寸为170*75*21mm三级制冷，降温速度快，稳定控制精度高，主要应用在生产，科研，大专院校、工厂企业等部门低温实验的应用，是理想的低温试验器件．并可为您定做特殊需要的异型产品。希望我们的产品能满足您的需要。欢迎新老客户来电咨询洽谈！

西安厂家直供半导体分立器件测试系统EN-2005B功率器件综合测试系统系统特征测试范围广（19总大类，27分类）升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障二极管极性自动判断功能，无需人工操作系统概述西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。应用领域院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等设备用途测试分析、器件选型 、筛选检验 、生产线自动批量测试等 技术指标主极电压: 10mV-2000V主极电流： 100nA-50A扩展电流： 100A、500A、1000A、1300A电压分辨率： 1mV电流分辨率： 1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数系统功耗： 150w质 量： 35KG尺 寸： 450x570x280mm通信接口： RS232 USB工作温度： 25-40°C测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数01二极管DIODEIR；BVR ；VF02晶体管（NPN型/PNP型）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF03J型场效应管J-FETIGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04MOS场效应管 MOS-FETIDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS05双向可控硅TRIACVD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-06可控硅SCRIDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH07绝缘栅双极大功率晶体管IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS08硅触发可控硅STSIH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-09达林顿阵列DARLINTONICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON10光电耦合OPTO-COUPLERICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)11继电器RELAYRCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME12稳压、齐纳二极管ZENERIR；BVZ；VF；ZZ13三端稳压器REGULATORVout；Iin；14光电开关OPTO-SWITCHICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF15光电逻辑OPTO-LOGICIR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF16金属氧化物压变电阻MOVID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；17固态过压保护器SSOVPID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 18压变电阻VARISTORID+； ID-；VC+ ；VC-19双向触发二极管DIACVF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

一、设备简述：天士立科技ST-CVX半导体功率器件CV特性结电容分析测试仪是陕西天士立科技有限公司根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄生电容、CV特性可一键测试，无需频繁切换接线及设置参数，单管功率器件及模组功率器件均可一键快速测试，适用于生产线快速测试、自动化集成。CV曲线扫描分析能力亦能满足实验室对半导体材料及功率器件的研发及分析。仪器设计频率为1kHz-2MHz，VGS电压可达±40V，VDS电压可达±200V/±1500V/±3000V，足以满足大多数功率器件测试。 二、应用领域： 半导体功率器件：二极管、三极管、MOSFET、IGBT、晶闸管、集成电路、光电子芯片等寄生电容测试、C-V特性分析 半导体材料：晶圆切割、C-V特性分析 液晶材料 弹性常数分析 电容元件：电容器C-V特性测试及分析，电容式传感器测试分析 三、性能特点： 一体化设计：LCR+VGS低压源+VDS高压源+通道切换+上位机软件 单管器件、模组器件、曲线扫描)三种测试方式一体 四寄生参数(Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、Rg) 同屏一键测量及显示 CV曲线扫描、Ciss-Rg曲线扫描 四、功能指标： Vds：0~1200V Vgs：±25V Rg ：0~10KΩ 信号电压：1mV~1000mV 测试精度：0.01pf 测试频率：0.01KHZ~1MHZ 主要功能：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅 MOSFET等功率器件Rg\Ciss\Coss\Crss参数和CV特性测试分析 五、软件操作上位机使用Labview界面开发，该程序体现为人机交互界面，作为测试平台的交互系统，通过与LCR表、主控板等设备通讯，实现对设备的自动操作并进行数据采集、在界面上显示LCR表的测试波形、并对测试波形进行分析、计算，最终得到结果进行显示和存储。➢ 进入主界面，主界面分为参数录入区、波形显示区和参数显示区，如下图所示：六、系统主要部件：七、验收流程1. 在需方工作现场完成设备安装；2. 安装完成后, 双方依据技术协议对设备进行验收进行验收。3. 验收完成后, 双方签署《验收报告》，作为合同执行依据。 八、技术培训供方在需方工作现场免费为需方进行测试技术培训。培训内容包括：1. 系统介绍；2. 软件使用方法；3. 硬件使用方法；4. 器件测试技术；5. 测试实际操作；6. 系统使用注意事项；7. 日常维护与保养 九、售后服务1、全部供货范围内的设备、材料、零配件和工器具等，除合同特别约定外，其质保期均自终验收签字生效之日起 12 个月。2、若买方需卖方派工程师来现场解决设备问题，我方应在 3 小时内响应，2 个工作日内派人员抵达买方现场，因我方造成的设备停工时间应在质量保证期中予以相应延长。3、质保期之内，系统及设备发生任何非人为原因造成的故障和损坏，均由我方负责免费维修和服务，失效零件予以免费更换，所更换的部件三包期从更换之日起重新计算。4、质保期终止之日起一年内重复出现的质保期之内出现的故障，仍在质保范围而且免费维修。5、对于备件及易损件的报价，三年内不得提升，确保设备验收后五年内所需的配件国内能够实现现货供应。6、对于质量保证期后可能涉及的大修改造情况，我司承诺以不高于国内其他用户的供货价格为原则，根据新增功能的难易程度和全新设备的整体价格来综合报价。7、我方派往买方使用现场的人员，具有 5 年以上的专用素质；现场解决问题时，不得无故拖延或推迟，应为买方提供最佳的服务。8、产品终生免费技术支持，包括硬件维修，软件升级等。硬件维修只收取 相应的器件 成本费用，软件实行终生免费升级。9、六个月定期产品巡检，对产品硬件及软件升级等。10、不定期对使用设备人员走访或者电话培训服务。

LEDLED是一种能将电能转化成光能的光半导体器件。和半导体激光相比，LED具有低功耗和长寿命的优点。滨松光子能够提供高能量输出的LED，广泛的应用于光开关、编码、光通信，及其他工业领域。 应用领域光通信自动控制系统光开关远程控制光编码湿度测量异物检查自由空间光学（FSO）测距仪产品列表产品名称封装峰值波长(nm)辐射功率（mW）截止频率（Hz）备注 L10596金属TO-46870315M L10596-02金属TO-46带透镜870315M L10596-03树脂TO-468706.515M L1915树脂TO-46890101M L1915-01金属TO-46带透镜8904.51M L1915-02金属TO-468904.51M L2388树脂TO-4694560.3M L2388-01金属TO-46带透镜9453.40.3M L2656树脂TO-46带反射镜890151M L2656-03金属TO-46带透镜89091M L2690树脂890141M L2690-02金属TO-46带透镜89091M L3989树脂TO-46带反射镜830830M L3989-01金属TO-46带透镜8303.630M L3989-02金属TO-468305.830M L6112树脂TO-46带反射镜6705.55M L6112-01金属TO-46带透镜6702.55M L6112-02金属TO-466702.55M L1939树脂890101M L1939-04金属TO-468902.81M L1909树脂TO-4689010mW1M L3882树脂带反射镜6601.84M L4100树脂带反射镜890141M L9337树脂带反射镜8702340M L9338树脂带反射镜945150.3M L11767树脂660136M L6108树脂6705.55M L2204塑料94560.3M L2204-01塑料94560.3M L2204-03塑料94560.3M L2402塑料89091M L2402-01塑料89091M L2402-02塑料89091M L3458塑料890131M L3458-01塑料890131M L3458-02塑料890131M L8957金属带透镜8702.1（光输出）40M编码器用L9437金属带透镜8701.6（光输出）40M编码器用L10660金属TO-4614502.415M水分（湿度）检测L10660-01金属TO-46带透镜14502.815M水分（湿度）检测L7558树脂带反射镜8501450M光通信用L7558-01金属带透镜850750M光通信用L10762金属660 70M光通信用L10881塑料带透镜650 70M光通信用L7560金属带透镜850 100M光通信用L8013金属870 50M光通信用L8045塑料带透镜650 50Mbps光通信使用L5276塑料（带透镜）8802.2 超小型L5586塑料（带透镜）9400.5 超小型L6286塑料（带透镜）9400.8 超小型L5766塑料（带透镜）660 红外微小型L6287塑料（带透镜）9401.4 微小型L6895-10塑料（带透镜）9401.2 高功率近红外

产品概要：FS-Pro 半导体参数测试系统是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备，在一个系统中实现了电流电压(IV) 测试、电容电压(CV)测试、脉冲式 IV 测试、高速时域信号采集以及低频噪声测试能力。一套设备可完成半导体器件的全部低频特性表征，其强大而全面的测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发评估进程，可无缝地与 9812 噪声测试系统集成，其快速 DC 测试能力进一步提升了 9812 系列产品的噪声测试效率。基本信息：软件功能：FS-Pro 系列内置 LabExpress 测量软件具有强大的测试和分析功能，该软件提供友好的图形化用户使用界面和灵活的设定，具有下列主要功能 :1、完整支持直流，脉冲，瞬态，电容和噪声测试功能2、内置的常见器件测试预设可大大提高测试设置效率，帮助新手操作者快速完成测试3、强大的自定义设定功能可以灵活编辑电信号4、内置强大数据处理能力可测试后直接展开器件特性分析5、多种数据保存方式，导出数据可供用户后续分析研究也可直接导入建模软件 BSIMProPlus 和 MeQLab 进行模型提取和特性分析6、LabExpress 专业版支持对主流半自动探针台和矩阵开关设备的控制，支持晶圆映射、并行测试实现自动测试功能，进一步提升测试效率IV电流电压测试CV电容电压测试1/f噪声测试 IVT测试采用工业通用的 PXI 模块化硬件结构，配合自主开发的测试软件 LabExpress，FS-Pro 在半导体工业产线测试与科研应用方面都具有优秀的性能表现，可广泛应用于各种半导体器件、 LED 材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。LabExpress 为用户提供了丰富的测试预设和强大的测试功能，可实现非常友好的用户即插即用体验； 该系统还可支持多通道并行测试，进一步提升测试效率。技术优势：1、同时具备高速高精度直流测试和脉冲测试能力2、量程范围宽、测试速度快3、支持小于1us采样时间的高速时域信号采集4、高达10万点的数据量可以精细描绘信号随时间变化特性5、低频噪声(1/f noise,flicker noise)测试能力特别是RTN(随机电报噪声)测试能力与对准能力6、使用方式简单灵活，无需编程即可实现自由的波形发生或电压同步与跟随7、支持并行测试，内置功能强大的测试软件和算法，支持多通道并行测试成倍提升测试效率8、系统架构，PXI标准机箱，可扩展架构,支持通过多机箱扩展SMU卡数量应用方向：被半导体工业界和众多知名大学及科研机构采用作为标准测试仪器。

BW-4022A晶体管直流参数测试系统一、产品介绍：BW-4022A 晶体管直流参数测试机是新一代针对半导体器件测试系统，经过我公司多次升级与产品迭代，目前测试性能、精度、测试范围及产品稳定度得到大幅提升，成为半导体电子行业、新能源行业、封装测试、家电行业、科研教育等领域来料检验、研发分析、产品选型等重要检测设备之一。BW-4022A 晶体管直流参数测试机大规模 32 位 ARM&MCU 设计， PC 中文操作界面，高压源 2500V：选配 1.4KV-- 2KV，高流源 500A ：选配 40A、100A、200A、300A 及以上。程控软件基于 Lab VIEW 平台， 填充调用式菜单操作界面，测试界面简洁灵活、人机界面友好。配合开尔文综合集成测试插座，只需要根据不同器件更换测试座配合系统自适应测试设置可完成大多数电子元件的静态参数参数， 系统内部配置因线路、接触性、及 EMC 引起的干扰进行自动补偿，确保测试结果准确度；针对 Si/SiC/GaN 材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR 等高精度静态参数包括导通、关断、击穿、漏电、增益等直流参数进行精确测试。该测试系统主要由测试主机和程控电脑及外部测试夹具（其他联机设备）三部分组成。可对常见的 SOD/SOT/DO/TO/LL/DFN 等封装进行直接配置测试，对特殊封装夹具进行定制，通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试，测试数据可在线存贮、导出，二、服务领域与应用场景：产品特点：▶ 客户端PC、工控机均可程控测试机进行测试▶ 菜单调用式测试程序亦可编辑软件操作简便、人机界面友好▶ 针对Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等高精度静态参数测试▶ 系统基于 Lab VIEW 平台开发▶ 自动识别器件极性、 NPN/PNP▶ 16 位 ADC，1M/S 采样速率；▶ 高压源 2500V：选配1.4KV-- 2KV▶ 高流源500A ：选配 40A、100A、200A、300A及以上▶ 驱动电压 10mV~40V ▶ 控制极电流 10uA~100mA▶ 四线开尔文连接确保连接可靠性 ▶ RS232 串口通信▶ Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）▶ 提供丰富的测试适配器 ▶ 切换板采用高速水银继电器，测试效率与可靠性大大提高，▶ 可与分选机、探针台、编带机等联机测试三、BW-4022A 可测试器件类型及测试项目：（1）测试类型▶ 二极管类：Diode/ZD（Zener Diode） /SBD（SchottkyBarrierDiode）/TVS/整流桥堆▶ 三极管类：三极管/单双向可控硅/MOS/JFET/IGBT/三端功率驱动器/七端半桥驱动/高 边功率开关▶ 保护类：压敏电阻/单组电压保护器/双组电压保护器▶ 稳压集成类：三端稳压器/基准 IC（TL431） /四端稳压/稳压集成类▶ 继电器类&光耦类&传感监测类▶ 高压源 2400V：（选配 1.4KV-- 2KV）▶ 高流源 500A ：（选配 40A.100A,200A.300A 及以上）▶ 栅极电压 40V/100mA 分辨率至 1.5uV / 1.5pA 精度可至 0.1%▶ 支持“脉冲式自动加热”▶ 支持“分选机”、”编带机“、“探针台”等半导体设备通信联机（2）测试项目：▶ 漏电参数：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、 IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)▶ 击穿参数：BVCEO BVCES (300μS Pulse above 10mA) BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO▶ 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、 VGSON、VF(Opto-Diode) VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、 VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)▶ 关断参数：VGSOFF ▶ 触发参数：IGT、VGT ▶ 保持参数：IH、IH+、IH-▶ 锁定参数：IL、IL+、IL- ▶ 增益参数：hFE、CTR、gFS▶ 间接参数：IL ▶ 混合参数：rDSON、gFS、Input Regulation、 Output Regulation四、物理规格及电气环境：主机尺寸：深 660*宽 430*高 210(mm)主机重量：＜28kg 电气环境主机功耗：＜300W海拔高度：海拔不超过 4000m环境要求：-20℃ ~ 60℃（储存）、5℃ ~ 50℃（工作）相对湿度： 20%RH～75%RH (无凝露 ，湿球温度计温度 45℃以下)大气压力：86Kpa ～106Kpa防护条件：无较大灰尘 ，腐蚀或爆炸性气体 ，导电粉尘等电网要求：AC220V、 ±10%、50Hz±1Hz工作时间：连续五、功能与配置：1、设备配置选项详见产品说明书。2、设备配置选项详见产品说明书。3、测试种类及参数(1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin ，Vrrm ，Irrm ，Vf ，△Vf ，△Vrrm ，Cka ，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode） Kelvin ，Vz ，lr ，Vf ，△Vf ，△Vz ，Roz ，lzm ，Cka；(3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode） Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode） Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka 、Tr（选配）；(5) 二极管类： 瞬态二极管 TVS Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；(6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆 Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管 Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、 Ts （选配）、Value_process；(9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅 Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm；(11)三极管类： MOSFET Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；(12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、Pin_chk、Ic fx chk、Type_ident、Vgs1(th)、VGs2(th)、VBR)Dss1、VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、 Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss；(14)三极管类： IGBT Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器 Kelvin 、Vbb(AZ) 、 Von(CL) 、 Rson 、Ibb(off) 、Il(lim) 、Coss 、Fun_pin_volt；(16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin 、lvs(off) 、lvs(on) 、Rson_h 、Rson_l 、lin 、Iinh 、ls_Volt 、Sr_volt；(17)三极管类：高边功率开关 Kelvin 、Vbb(AZ) 、Von(CL) 、Rson 、Ibb(off) 、ll(Iim) 、Coss 、Fun_pin_volt；(18)保护类：压敏电阻 Kelvin 、Vrrm 、 Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、 △Vr(19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm 、Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、△Vr；(20)保护类：双组电压保护器 Kelvin 、Vrrm 、Vdrm 、Irrm 、Idrm 、Cka 、△Vr；(21)稳压集成类 ：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg ix chk 、Vout 、Reg_Line 、Reg_Load 、IB 、IB_I 、Roz 、 △IB 、VD、 ISC 、Max_lo 、Ro 、Ext _Sw 、Ic_fx_chk；(22)稳压集成类 ：基准 IC（TL431） Kelvin 、Vref 、△Vref 、lref 、Imin 、loff 、Zka 、Vka；(23)稳压集成类 ：四端稳压 Kelvin 、Type_ident 、Treg ix chk 、Vout 、Reg_Line 、Reg_Load 、IB 、IB_I 、Roz 、△lB 、VD 、 Isc、 Max_lo 、Ro 、Ext_Sw 、Ic_fx_chk；(24)稳压集成类 ：开关稳压集成器选配；(25)继电器类：4 脚单刀单组、 5 脚单刀双组、 8 脚双组双刀、 8 脚双组四刀、 固态继电器 Kelvin 、Pin_chk 、Dip6_type_ident 、Vf 、Ir 、Vl 、Il 、Ift 、Ron 、Ton（选配）、Toff（选配）；(26)光耦类：4 脚光耦、 6 脚光耦、8 脚光耦、 16 脚光耦 Kelvin 、Pin_chk 、Vf 、Ir 、Bvceo 、Bveco 、Iceo 、Ctr 、Vce(sat) 、Tr 、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；六、精度与指标详见产品说明书。

F-200A型半导体器件通用测试机一、 概述 F-200A半导体器件通用测试机是专为测量包括二极管、MOS管、IGBT、毫欧电阻等电子器件正向压降而设计，正向电流分为0.01-0.1A、0.1~1A、1~10A、10~200A四个档位，测量范围更广。0.01~0.1A：小电流硅堆、（高压二极管：定制60V）、0.1A内的小电流MOS管和二极管、LED、10~100Ω电阻等测试；0.1~10A：中小功率二极管、MOS管、0.1~1Ω电阻；10~200A：大功率二极管、MOS管、IGBT管、0~0.1Ω电阻、开关触点压降稳定性测试二、技术参数1. 正向脉冲电流调节范围：0.01A~200A，四个档位，每个档位步进为档位满量程的0.01%（10-200A为10mA步进）2. 脉冲宽度：300us-600us 固定3. 开路输出电压:≥65V4. 正向压降测量范围：10mA-10A：60V；10A-200A：20V5. 正向压降测量电流电压的分辨率：测量范围测试电流分辨率测试电压分辨率压降测量范围10~100mA0.01mA1mV60V100~1000mA0.1mA1mV60V1~10A1mA1mV60V10~200A10mA1mV20V6. 供电电压：AC220V±10％，50Hz7. 消耗功率：≤100W8. 工作温度：25℃±10℃9. 串口RS485通信接口10. 配电脑软件,输出特性曲线、导出图像和excel数据点11. 测试仪器可脱机独立运行12. 选配栅极测量选件，可测量栅极端口电容、栅极正反向漏电、测量IG/VGE、IC(ID)/VGE 选配极性自动切换选件，可自动切换电压电流正负极性；选配耐压测试盒选件，可测试最gao5kV的器件耐压。有关选件具体信息，请咨询销售经理。

产品概要：ESD(静电放电)测试是在半导体可靠性测试期间进行的。ESD测试对于半导体设计的开发和半导体制造的最终生产过程中的质量保证都是必不可少的。基本信息：&bull 独立的测试系统，便携式空间占用小，性价比高。&bull 搭配嵌入式操作屏幕，无需外置PC或Curve tracer可独立完成HBM，MM和漏电测试&bull 适应于功率半导体器件及少管脚IC技术优势：&bull 易于使用的触摸屏界面,设置可以在没有PC的情况下进行调整&bull 符合多种标准,满足JEDEC/ESDA/AEC/JEITA对HBM/MM的要求&bull 泄漏与曲线追踪应用方向：ESD静电放电测试。

产品概要：4200A-SCS 是一种可以量身定制、全面集成的半导体参数分析仪，可以同步查看电流电压 (I-V)、电容电压 (C-V) 和超快速脉冲式 I-V 特性。作为性能很高的参数分析仪，4200A-SCS加快了半导体、材料和工艺开发速度。基本信息：使用强大的 Clarius 软件，可以更加快速的完成 I-V, C-V 和脉冲 I-V 测试，结果清晰。 I-V 源测量单元 (SMU) ● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模块● 100 fA 测量分辨率● 选配前端放大器提供了 0.1 fA 测量分辨率● 10 mHz - 10 Hz 超低频率电容测量● 四象限操作● 2 线或 4 线连接C-V 多频率电容单元 (CVU)● AC 阻抗测量 (C-V, C-f, C-t)● 1 kHz - 10 MHz 频率范围● ± 30 V (60V差分)内置 DC 偏置源，可以扩展到 ± 210 V(420 V 差分 )● 选配 CVIV 多功能开关，在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换脉冲式 I-V 超快速脉冲测量单元 (PMU)● 两个独立的或同步的高速脉冲 I-V 源和测量通道● 200 MSa/s，5 ns 采样率● ±40 V (80 V p-p)，±800 mA● 瞬态波形捕获模式● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率高压脉冲发生器单元 (PGU)● 两个高速脉冲电压源通道● ±40 V (80 V p-p)，± 800 mA● 任意波形发生器Segment ARB模式，支持多电平脉冲波形，10ns可编程分辨率-V/C-V 多开关模块 (CVIV)I● 在 I-V 测量和 C-V 测量之间简便切换，无需重新布线或 抬起探针● 把 C-V 测量移动到任意端子，无需重新布线或抬起探针远程前端放大器 / 开关模块 (RPM)● 在 I-V 测量、C-V 测量和超快速脉冲 I-V 测量之间自动切换● 把 4225-PMU 的电流灵敏度扩展到数十皮安● 降低电缆电容效应 技术优势：1、随时可以投入使用、可以修改的应用测试、项目和器件，缩短测试开发时间2、内置测量视频的仪器，测试视频由全球应用工程师提供，分为4种语言，缩短学习周期3、pin to pad接触检查，确保测量可靠4、多种测量功能5、数据显示、分析和代数运算功能6、专家视频，降低特性分析复杂度，观看吉时利全球应用工程师制作的内置视频，迅速掌握应用，缩短学习周期。数小时的专家测量专业帮助，在发生意想不到的结果或对怎样设置测试存在疑问时，将为您提供指引。Clarius Software短专家视频支持四种语言(英语、中文、日语和韩语)，可以迅速让你洞察先机。7、大量随时可以使用的应用测试可供选择，通过Clarius库中装备的450多项应用测试，您=可以选择或修改预先定义的应用测试，加快特性分析速度，或从一开始简便地创建自定义测试。只需三步，Clarius Software就可以引导新用户像专家一样完成参数分析。8、实时结果和参数，自动数据显示、算法分析和实时参数提取功能，加快获得所需信息的速度。不必担心数据丢失，因为所有历史数据都会保存下来。9、无需示波器检验脉冲测量，脉冲定时预览模式可以简便地查看脉冲定时参数，确认脉冲式I-V测试按希望的方式执行。使用瞬态I-V或波形捕获模式，进行基于时间的电流或电压测量，而无需使用外部示波器。应用方向：MOSFET, BJT 晶体管；材料特性分析；非易失性存储设备；电阻率系数和霍尔效应测量；NBTI/PBTI；III-V 族器件；失效分析；纳米器件；二极管和 pn 联结；太阳能电池；传感器；MEMS器件；电化学；LED和OLED。

半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE新世代光电探测器 (PD) 的完整解决方案传统的量子效率系统在新型光电探测器面临许多测试方法挑战。如：偏置电压无法超过 12V：传统量子效率系统使用锁相放大器，其承受直流电压无法过大，因此在一般的量子效率测试仪，电偏压无法施加超过 12V。无法做噪声频率分析。无法直接测得 NEP 与 D*。光焱科技针对新世代的光电探测器 (PD) 提供了完整解决方案~命名为 PD-QE。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 特色：PD-QE 系统是光焱科技在过去十年的小光斑 (power mode) 基础上，进化开发完成。可应用在 PV 的 EQE 量子效率测试、新型光传感器的研究。在全新的软件平台 SW-XQE 上，具有便捷的扩展性：可测试标准 EQE 外，更可整合多种 SMU 的控制，并量测IV曲线。同时具备各种分析功能，如 D*、NEP、频率噪声图。半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 规格:PD-QE 有不同的模块，偏置电压也可由 20 V 到 1000 V。同时，可测量高分辨率的光电流，分辨率最高可达 10-16 A。波长扩充可达 1800 nm。可选配软件升级控制 Kiethley 4200 SMU半导体器件新型光电传感器特性分析仪PD-QE 应用有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证：PD-QE 已整合 Keithley 与 Keysight 出产的多种 SMU，进行多种的 IV 曲线扫描。用户无需另外寻找或是自行整合 IV 曲线测试。图中显示 PD-QE 测试不同样品的 IV 曲线，并进行多图显示。PD-QE 凭借先进数字讯号采集与处理技术，直接可测试各种探测器在不同频率下的噪声电流图。用户无需在额外购买、整合频谱分析仪进行测种测试！并且软件可以进行多种频段的特性分析，如 Shot Noise、Johnson Noise、1/f Noise 等。PD-QE 是针对新世代 PD 测试的完整解决方案。

微焦点CT-半导体元器件X射线显微成像系统-布鲁克代理商 CT基本原理微焦点CT/三维X射线显微镜(3D XRM)是一种基于X射线的成像技术，使用微型计算机断层扫描技术(Micro Computed Tomography)。包括扫描和重构两个主要部分，Micro/Nano 表明其分辨率可达到微米/亚微米级别。 半导体产业是国家重点支持和鼓励的发展方向，半导体器件封装和内部缺陷检测越来越重要，而微焦点CT/三维X射线显微镜(3D XRM)，可以在无损不破坏样品的情况下，清晰地观测到电子元器件的分布情况及封装器件的内部结构，同时，可检测虚焊、连锡、断线等缺陷信息，可以三维重构整个半导体器件内部结构，对于研发和后期加工工艺的改进、提升起到重要的指导作用。 SkyScan 1272 High Resolution Micro CT针对半导体领域小样品器件，如电阻电容、摄像头的镜头等有着超高分辨率优势。 小型电子产品 Inductor – 3 μm voxel size Chip – 2 μm voxel size 了解更多应用方向，请致电束蕴仪器（上海）有限公司~

产品介绍 产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。各类夹具和适配器，还能 够通过 Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测 试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分 析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。 产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操 作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为 EXCEL 文本。 应用场景Ø 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试） Ø 失效分析（对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提 出改善方案） Ø 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） Ø 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） Ø 量产测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） 产品特点(1) 可测试 7 大类 26 分类的各类电子元器件； (2) PC 机为系统的主控机； (3) 基于 Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面； (4) 自动识别器件极性 NPN/PNP (5) 16 位 ADC，100K/S 采样速率； (6) 程控高压源 10~1400V，提供 2KV 选配； (7) 程控高流源 1uA~40A，提供 100A,300A,500A 选配； (8) 驱动电压 10mV~40V； (9) 控制极电流 10uA~10mA； (10) 四线开尔文连接保证加载测量的准确；(11) 通过 RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验； (12) Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin） (13) 可为用户提供丰富的测试适配器(14) 连接分选机最高测试量为每小时 1 万个 (15) 可以测试结电容，诸如 Cka，Ciss，Crss，Coss； (16) 脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需升温装置； 测试参数 (1) 二极管类：二极管 Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；(2) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3) 二极管类：稳压二极管 ZD（Zener Diode）Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；(4) 二极管类：三端肖特基二极管 SBD（SchottkyBarrierDiode）Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；(5) 二极管类：瞬态二极管 TVSKelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6) 二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；(7) 二极管类：三相整流桥堆Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；(8) 三极管类：三极管Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、 Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts （选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、 Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；(10)三极管类：单向可控硅Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、 Vtm； (11)三极管类：MOSFETKelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、 Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双 MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、 Coss、Crss；(13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、 Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBTKelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；(15)三极管类：三端开关功率驱动器Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、 ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准 IC（TL431）Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、 Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4 脚单刀单组、5 脚单刀双组、8 脚双组双刀、8 脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4 脚光耦、6 脚光耦、8 脚光耦、16 脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；(27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX 系列、CSNR_15XX 系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX 系列、A12XX 系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位 IC（选配）；

产品概要：此设备是符合日本及国际标准的高可靠性设备(满足JEITA / ESDA / JEDEC规格)，可通过交换放电电路组件支持日本国内及国际的测试规格，可测量器件的各个端子的充放电能力,测试数据可保存为文本文件形式基本信息：技术优势：1、满足JS-002，JEDEC，ESDA，AEC等全球CDM模型测试规范2、测试电压最高可达4KV，为同类型机台最高3、供应商为JS-002规格制定委员会成员，技术可靠4、硬件软件的使用操作简单，容易上手，为全球半导体Leading company的推荐使用机型5、唯一具有D-AEC充放电功能的CDM测试机台应用方向：ESD（静电放电）测试

ST-SP 2002_5半导体管测试仪可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

多功能磁控溅射仪（ 高真空磁控溅射镀膜机）是用磁控溅射的方法，制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等；适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜；可镀制磁性材料和非磁性材料。设备关键技术特点秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念，我们做了如下设计和工程实现，实际运行效果良好，为用户的专用工艺实现提供了精*准的工艺设备方案。靶材背面和溅射靶表面的结合处理-靶材和靶面直接做到面接触是很难的，如果做不到面接触，接触电阻将增大，导致离化电场的幅值不够（接触电阻增大，接触面的电场分压增大），导致镀膜效果不好；电阻增大导致靶材发热升温，降低镀膜质量。-靶材和靶面接触不良，导致水冷效果不好，降低镀膜质量。-增加一层特殊导电导热的软薄的物质，保证面接触。采用计算机＋PLC 两级控制系统角度、距离可调磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性，做精*准调控。基片和靶材之间的距离可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 集成一体化柜式结构一体化柜式结构优点：安全性好（操作者不会触碰到高压部件和旋转部件）占地面积小，尺寸约为：长1100mm×宽780mm（标准办公室门是800mm宽）（传统设备大约为2200mm×1000mm），相同面积的工作场地，可以放两台设备。安全性-电力系统的检测与保护-设置真空检测与报警保护功能-温度检测与报警保护-冷却循环水系统的压力检测和流量-检测与报警保护匀气技术工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。基片加热技术采用铠装加热丝，由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内，所以高温加热过程中不释放杂质物质，保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里，保证温常的均匀，然后再对基片加热。真空度更高、抽速更快真空室内外，全部电化学抛光，完全去除表面微观毛刺丛林（在显微镜下可见），没有微观藏污纳垢的地方，腔体内表面积减少一倍以上，镀膜更纯净，真空度更高，抽速更快。高真空磁控溅射仪（磁控溅射镀膜机）设备详情设备结构及性能1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室＋进样室、镀膜室+手套箱2、磁控溅射靶数量及类型：1 ～ 6 靶，圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装3、靶的安装位置：由下向上、由上向下、斜向、侧向安装4、磁控溅射靶：射频、中频、直流脉冲、直流兼容5、基片可旋转、可加热6、通入反应气体，可进行反应溅射镀膜7、操作方式：手动、半自动、全自动7、样品传递采用折叠式超高真空机械手工作条件类型 参数 备注 供电 ～ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环根据设备规模配置 水压 1.5 ～ 2.5×105Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18～25℃ 气动部件供气压力 0.5～0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05～0.2MPa 工作环境温度 10℃～40℃ 工作湿度 ≤50%设备主要技术指标-基片托架：根据供件大小配置。-基片加热器温度：根据用户供应要求配置，温度可用电脑编程控制，可控可调。-基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。-基片架可加热、可旋转、可升降。-靶面到基片距离： 30 ～ 140mm 可调。-Φ2 ～Φ4 英寸平面圆形靶 2 ～ 3 支，配气动靶控板，靶可摆头调角度。-镀膜室的极限真空：6X10-5Pa~6X10-6Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。-设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 产品介绍：载流子表征的最佳工具本系统针对光电器件 (探测器或光伏器件) 进行光电转换过程的响应行为测量与分析。利用一单色 (单波长) 的光源，对其进行连续脉冲或是周期性的光强调制后，照射到光电器件产生光生电流或是光生电压讯号，并对此进行频域或时域的测量与分析，得到光电器件光电转换过程的重要参数。包含频率响应、爬升/下降时间、LDR线型动态范围、瞬态光电压 (TPV) 、瞬态光电流 (TPC) 等光电转换能力评价参数。用以了解光电器件内部结构与载流子动力学、内部材料组成、器件结构与载流子动力学之关系。作为光电器件特性评价与性能改进的参考。半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 特色：光强线性度测量与分析频率响应测量 0~40MHz可选雷射模块系统波长雷射光调变控制频率响应测量与分析截止频率 (Cut Frequency) 计算分析Rise/ Fall time 测量与分析TPC/TPV 测量与分析高动态光强变化光学调变模块，可自动调变强度 6 个数量级半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 规格TPC/TPV 量测功能雷射波长：半导体器件测试仪器光电器件响应测量与分析仪PD-RS 应用：有机光传感器 (OPD, Organic Photodiode)钙钛矿光传感器 (PPD, Perovskite Photodiode)量子点光传感器 (QDPD, Quantum Dots Photodiode)新型材料光传感器实证Cs2Pb(SCN)2Br2 单晶光电器件性能表征2021 年 Advanced Materials 期刊报导了第一种无机阳离子拟卤化物二维相钙钛矿单晶 Cs2Pb(SCN)2Br2。作者使用 PD-RS 系统对单晶光电器件进行多种的光电转换响应行为进行测量与分析。其中包含：变光强 IV 曲线测试。变光强光电流与响应度变化测试。定电压下光电转换爬升与下降时间测试。恒定光强脉冲光的时间相关光电流响应测试。TPC/TPV 瞬态光电流/光电压测试。 恒定光强脉冲光的光电流时间响应PD-RS 系统具备高速调制能力的激光器 (爬升/下降时间 5ns)，在恒定光强脉冲光条件下，可以对器件进行光电流时间响应测试，并且分析光电器件的爬升/下降时间的分析。以了解光电器件最快的时间响应极限特征。变光强光电流与响应度变化测试 (LDR) PD-RS 具备 120 dB 光强动态范围测试能力。在软件自动化的测试光电流的变化，绘制出待测器件的线性动态范围响应图 (LDR, Linearity Dynamic Range)。LDR 试评估光电器件特性的一项重要指标。由光电流与光强的测试可以得到响应度 (mA/W) 变化，是常用于表征光电器件优劣的参数。

产品概要：ThermalAir TA-5000系列温度强制系统将精确的热测试功能直接带到您的测试应用中，精确地定位在需要热调节温度循环的地方。 ThermalAir TA-5000温度系统为一系列产品和技术提供灵活的热测试解决方案。ThermalAir TA-5000A头，带玻璃腔，可直接在您的测试零件上输出受控的清洁干燥热气流，进行输出温度控制；ThermalAir可以通过用户设置在不到10秒的时间内控制升温速率，-55°C至+ 125°C的温度转变时间。基本信息：它是如何工作的?TA-5000的内置空气干燥器和过滤系统通过其强大的内部冷却器/热交换器发送清洁的干燥空气(CDA)，以提供-80°C至+ 225°C的热和冷温度。用户可以将ThermalAir输出温度流量控制在4至25 SCFM(每周24小时/ 7天从-80°C到+ 225°C的连续气流)中!ThermalAir温度系统都是独立的，您只需将其插入，即可开始对零件进行热测试(无需配置)。TA-5000A的主要温度控制是在输出气体喷嘴中的温度热电偶处，这是AIR MODE温度控制。TA-5000A的热气偶嵌入输出气体喷嘴的尖端，不需要额外的热电偶传感器来控制ThermalAir系统的温度。TA-5000A有几种控制温度的方法，热流系统使用外部热电偶。热流使用的最常见的温度热电偶输入温度传感器是T型和K型热电偶。MPI ThermalAir系统还具有多通道(电阻温度检测器)RTD和二极管输入，可对热流系统进行精确的温度控制。冷热冲击设备提供通讯控制所需的完整的內联界面4个USB-A型、1个USB-B型、VGA、LAN、RS-232、T型、K型与RTD 温度感测线，外加可自动化温度循环热-冷-常温的SOT/EOT界面。以上这些使得控制更简易与运行能力更好。技术优势：1、在吹气头与主机上个别提供触控式屏幕2、提供USB&SSD温测档案管理与资料下载3、灵活的滚轮提升机台的轻便性4、全球化统一供电需求200~250 VAC，50/60 Hz(无额外配电需求)5、专为工程实验室环境打造之超低噪音变频压缩机6、主动式温度控制与可设定之温度升降斜率，可直接应用在桌上型与生产线上之温度线图、温度循环、冷热冲击与测试7、活动式手臂与支架可适用在较高及难以触及的测试应用8、吹气头搭载快速与简易更换式配(不需要额外之硬件或工具辅助件)应用方向：ThermalAir TA-5000系列产品具有广泛的温度测试功能，台式-60°C至+ 200°C应用，可在-80°C至+ 225°C的温度循环环境应力测试中使用；TA-5000系列用于工程产品开发测试实验室的温度测试以及半导体IC器件以及各种电子/非电子组件以及其他零件和组件的生产测试平台。

产品概要：半导体曲线图示仪集漏电流与大电流为一体，可自动测试。基本信息：CS5000系列（5kV）：适合于测试耐压3,300V的功率模块的衰减特性CS3000系列（3kV）：适用于IGBT、MOSFET、三极管、二极管等各种半导体特性测试的标准型号模拟式曲线图示仪（10kV~）：适用于高电压二极管、SCR等的耐压测试CS10000系列（10kV、12kV、15kV）：超高电压・ 大电流 在CS-3100基础上加载UHV与HC技术优势：1、简单易用，追求人性化的先进功能采用电路图模式显示内部的配线状态「CONFIGURATION」具有能确认实际印加电流/电压波形的Wave模式2、与电脑完美结合的全自动化半导体参数测试软件 CS-810（选用件）通过对主机的远程控制，可实现各种自动测试的软件。传统上通过曲线图示仪难以进行的疲劳试验、加热实验或同时控制恒温箱进行多温度点实验都可使用本软件来实现。USB存储器可用来保存图像、数据及设置条件。图像可以保存为TIFF,BMP,PNG格式背景可选择黒或白、图像可选择彩色或黑白。波形数据可同时保存为文本文件和二进制文件。远程控制工具（无偿）如因保密需要无法使用USB存储器时，可以通过安装在电脑中的远程控制工具进行数据存取。SWEEP，测试点数可调整。可根据需要的扫描速度及分辨率来设置。根据不同用途可改变扫描方向。同时具有客户指定功能，可以指定仅对某一段进行扫描。特别是在自动测试时可以实现高速且高分辨率的测试。Vth･ hFE自动检测功能（选用件CS-800）可在条件设定后进行自动测试，避免了之前的繁杂操作。限制扫描功能（选用件CS-800）在一般的扫描测试中加入电流、电压的限制功能。 限制在被测模块上印加的电流值、电压值，以起到保护作用。也可在达到目标值时停止扫描。3、简单易用的基本操作采用独立旋钮CONSTANT功能（选用件CS-800）可印加规定电压或规定电流。与半导体参数测试软件CS-810配合使用时，可使用半导体曲线图示仪进行自动疲劳试验。主要应用：适用于无论大小容量的IGBT、MOSFET、三极管、二极管等各种半导体的特性测试。

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

微型探针台主要应用于传感器 半导体探针台主要应用于传感器，半导体，光电，集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。 探针台主要应用于传感器，半导体，光电，集成电路以及封装的测试。 广泛应用于复杂、高速器件的精密电气测量的研发，旨在确保质量及可靠性，并缩减研发时间和器件制造工艺的成本。 该探针台的承载台为26X26mm不锈钢台面，台面可升温到350℃。真空腔体设计有进气口和抽真空接口。探针臂为X/Y/Z三轴移动，三个方向均可在真空环境下精密移位调节，其中X方向调节范围：0-13mm,y方向调节范围：0-13mm；z方向调节范围：0-13mm；用户可根据需要自行调节。使用时将需检测的器件固定在加热台上，再微调探针支架X/Y/Z 方向行程，通过显微镜观察，使探针对准检测点后，即可进行检测三：主要技术要求微型探针台主要应用于传感器 半导体1． 类型：高温型：室温～350℃ 低温型 -190℃:350℃ 低温型：室温到-190℃2． 腔体材质：304不锈钢3． 腔体内尺寸：φ90x40mm4． 腔体上视窗尺寸：Φ42mm（选配凹视窗Φ22mm）5． 腔体抽气口：KF166． 腔体进气口：公制3mm 6mm气管接头 英制1/8mm 1/4mm 气管接头可选7． 腔体出气口：公制3mm 6mm气管接头 英制1/8mm 1/4mm 气管接头可选8． 腔体正压：≤0.05MPa9． 腔体真空度：机械泵≤5Pa （5分钟） 分子泵≤5E-3Pa（30分钟）10． 样品台材质：304不锈钢11． 样品台尺寸：26X26mm12． 样品台-视窗 距离：30mm（可选凹视窗间距15mm）13． 样品台测温传感器：*级PT100铂电阻14． 样品台温度：室温到350℃（可选高低温样品台 高温350℃低温-190℃）15． 样品台测温误差：±0.2℃16． 样品台变温速率：高温10℃/min 低温5℃/min 最大值17． 温度显示：7寸人机界面18． 温控类型：标准PID温控 +自整定（可选30段编程控温）19． 温度分辨率：0.1℃20． 温控精度：±0.5℃21． 温度信号输入类型：PT100热电阻 （可选 K S B型热电偶）22． 温控输出：直流线性电源加热（液氮流量线性控制液氮制冷）23． 辅助功能：温度数据采集并导出 实时温度曲线+历史温度曲线24． 电信号接头：配线转接 BNC接头 BNC三同轴接头 SMA 接头 香蕉插头 线长1.2米25． 电学性能：绝缘电阻 ≥4000MΩ 介质耐压 ≤200V 电流噪声 ≤10pA26． 探针数量：4探针（可定做6探针）27． 探针材质：镀金钨针28． 探针尖：10μm29． X轴移动行程：12mm ±6mm30． X轴控制精度：≤5μm31． Y轴移动行程：12mm ±6mm32． Y轴控制精度：≤5μm33． Z轴移动行程：12mm ±6mm34． Z轴控制精度：≤5μm35． 显微镜类别：物镜放大+电子放大36． 显微镜放大倍数：100倍37． 显微镜工作间距：50-150mm38． 相机分辨率：1080P 60帧39． 相机信号输出：HDMI输出+USB输出40． LED可调光源：LED光源41． 显示屏：5寸 屏幕一体机四：主要配置要求1．1台 KT-0904T-RL微型探针台一台2．1台 触摸屏温控箱3. 1个 6mm聚四氟管4. 1根 电源线5: 2个 6mm金属内衬6： 1根 触摸屏笔7： 4个 SMA-香蕉插头8： 1根 功率输出线9: 6米 6mm水冷管10： 1套 K型上盖扳手、备用螺丝，内六角选配: 分子泵真空机组 机械泵

半导体TEC温控平台及设备产品介绍本系列的“半导体温控平台、设备”是建立在半导体制冷片(热电制冷片)基础上设计的高性能温度控制系统，其特点是高精度和高稳定度、长寿命、体积小、无噪声、无磨损、无振动、无污染、既可制冷又可加热等优点，是真正的绿色产品。本系列产品带有完美的PID控制软件，智能无级控温，既可加热又可制冷。可用于控制激光器件、医疗器件、半导体器件、红外探测器、光电倍增管、或其它任何需要温度控制的地方。该产品采用现代电力电子器件和高速微处理器(MPU)程序控制技术，以及PWM调制、双向电源、PID调节技术，具有优良的电压、电流输出特性，开关机时无过冲、反冲、浪涌现象，并带有过流、过压、过温、欠温等保护电路，以及RS232或RS485远程控制接口注：为了获到的精度、线性度、定度等,本产品采用标准日本进口NTC（热敏电阻）作为温度采样元件。产品特点 智能无级调温，双向温度控制 温度控制精度为±0.1度或0.01度 工作温度可任意设置(常规在-60℃～300℃之间选择，其它范围可定制) 工作温度超过上限/下限(软件设定)时报警 用户可以修改温度PID反馈参数 恒温模式：双向冷热恒温 具有过流、过压、过热等保护 具有硬件过温、欠温等保护电路 高稳定,高抗干扰,完全消除温度采样通道中的50/60Hz工频干扰 点阵液晶或触摸屏控制 友好的人机界面和故障诊断功能(在操作不当或电源故障时,电源将给出故障号提示) 模块尺寸：根据产品型号不同，具体参见产品手册 接受定制：可根据客户需要定制温控平台，夹具平台、恒温盒、恒温箱产品应用 半导体激光器、激光晶体，激光倍频晶体温度控制 固体温度控制、实验、科研温度控制 高低温实验等平台产品选型型号参数 TLT-FB120-30 TLT-FB120-50 TLT-WB120-80 TLT-WB120-120 TLT-WB120-200 TLT-WB120-300输入电压（VAC） AC220V±15%制冷功率（V） 30W 50W 80W 120W 200W 300W冷却方式 风冷 水冷控温精度 ±0.1℃或±0.01℃控温范围 -10℃~150℃ -60℃~100℃温度传感器 NTC（25℃-10K）平台体积 120*120*100mm温控仪体积 450×300×133mm 450×400×133mm远程接口 RS232或RS485显示 字符点阵液晶或真彩触摸屏4.3寸

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1. 产品概述：MCF 的半导体研磨抛光机是用于半导体材料表面处理的关键设备。它通过机械研磨和化学抛光的协同作用，能够对半导体晶圆等材料进行高精度的平坦化处理，有效去除表面的瑕疵、划痕和不均匀层，以达到半导体制造过程中对材料表面质量的严苛要求。例如，可对硅晶圆、砷化镓晶圆等进行研磨抛光，为后续的光刻、蚀刻、薄膜沉积等工艺步骤创造理想的表面条件。2. 设备应用： 半导体制造：在半导体芯片的生产过程中，对晶圆进行研磨抛光是必不可少的环节。该设备可用于晶圆的初始表面处理，使其达到高度的平整度和光洁度，以便后续的电路图案制作；也可用于芯片制造过程中的中间阶段，对晶圆进行局部或全面的抛光，以改善电学性能和提高芯片的成品率。例如在逻辑芯片和存储芯片的制造中，都需要高精度的研磨抛光来确保芯片的质量和性能。 光电领域：用于制造光学元件，如激光器中的半导体激光芯片、光学传感器中的敏感元件等。通过对这些半导体材料进行精细的研磨抛光，可以提高光学元件的透光率、折射率均匀性等性能指标，从而提升整个光电系统的性能。 科研领域：为高校和科研机构的半导体材料研究提供有力的实验工具。科研人员可以利用该设备探索不同的研磨抛光工艺参数对半导体材料性能的影响，开发新的半导体材料和工艺技术。3. 设备特点： 高精度加工：能够实现纳米级甚至原子级的表面粗糙度控制，确保半导体材料表面的平整度和光洁度达到极高的标准，满足半导体制造对表面质量的苛刻要求。 工艺灵活性：可适应多种半导体材料，如硅、砷化镓、碳化硅等，并且针对不同材料和应用场景，能够灵活调整研磨抛光的工艺参数，如研磨压力、转速、抛光液配方等，以实现最佳的加工效果。 可靠的性能：具备稳定的机械结构和先进的控制系统，确保设备在长时间运行过程中保持高精度的加工性能，减少设备故障和停机时间，提高生产效率。 先进的监控系统：配备实时监控功能，能够对研磨抛光过程中的关键参数，如温度、压力、转速等进行实时监测和反馈，以便操作人员及时调整工艺参数，保证加工质量的稳定性。 易于操作和维护：具有人性化的操作界面，使操作人员能够方便快捷地进行设备操作和参数设置。同时，设备的维护保养也相对简便，降低了设备的使用成本和维护难度。4. 产品参数：1. 抛光盘规格：380mm 2. 陶瓷盘规格：139mm 3. 抛光头数量：2 4. 抛光盘转速范围：0~ 70RPM5.摆动幅度：±5mm实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。

全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试可提供管理员、设备工程师、操作员三种用户权限、工艺配方可编辑,创建、删除、修改等操作由用户自定义、用户可以选择报警处理方式，并且可以对历史报警进行查询、系统自动记录工艺过程中的重要参数,并且可以生成可参考的记录、具备数据管理功能,可自动提取回线信息,如翻转磁场、翻转电压等、磁阻、RV特性测量功能。全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试具备脉冲幅值自动标定功能 SOT-MRAM器件翻转概率、误码率、循环特性测测量功能,可进行VCMA测试、系统具备翻转动态测量功能。全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试适用磁存储、磁传感等磁性芯片。 全自动磁场探针台-半导体磁性芯片测试样品兼容性高:最大12吋；精度:2 μm；样品台:X:200 mm/sY:200 mm/s Z轴全行程37mm,角度调整范围士5，满足高达150°C测试需求具备机械臂品圆转移组件具备空中对针与探卡支持功能，可自动清针。

金丝球焊推拉力测试机标准：冷/热焊凸块拉力-JEITAEIAJET-7407BGA凸点剪切-JEDECJESD22-B117A冷焊凸块拉力-JEDECJESD22-B115金球剪切-JEDECJESD22-B116引线拉力-DT/NDTMILSTD883芯片剪切-MILSTD883注:JEDEC固态技术协会微电子行业的领导标准机构ASTM美国材料与试验协会MILSTD美国军用标准883微电子器件试验方法和程序金丝球焊推拉力测试机特点：1、可实现多功能推拉力测试 2、任意组合可实现多种功能测试 3、满足单一测试模组 4、创新的机械设计模式 5、强大的数据处理功能 6、简易的操作模式，方便、有效。型号：LB-8600产品介绍LB-8600多功能推拉力测试机广泛用于LED封装测试，IC半导体封装测试、TO封装测试，IGBT功率模块封装测试，光电子元器件封装测试，汽车领域，航天航空领域，军工产品测试，研究机构的测试及各类院校的测试研究等应用。设备功能介绍：1.设备整体结构采用五轴定位控制系统，X轴和Y轴行程100mm,Z轴行程80mm,结合人体学的独特设计，全方位保护措施，左右霍尔摇杆控制XYZ平台的自由移动，让操作更加简单、方便并更加人性化。2.可达200KG的坚固机身设计，Y轴测试力值100KG，Z轴测试力值20KG3.智能工位自动更换系统，减少手工更换模块的繁琐性，同时更好提升了测试的效率及便捷性4.高精密的动态传感结合独特的力学算法，使各传感器适应不同环境的精密测试并确保测试精度的准确性5.LED智能灯光控制系统，当设备空闲状况下，照明灯光自动熄灭，人员操作时，LED照明灯开启设备软件：1.中英文软件界面，三级操作权限，各级操作权限可自由设定力值单位Kg、g、N，可根据测试需要进行选择。2.软件可实时输出测试结果的直方图、力值曲线，测试数据实时保存与导出功能，测试数据并可实时连接MES系统软件可设置标准值并直接输出测试结果并自动对测试结果进行判定。3.SPC数据导出自带当前导出数据大值、小值、平均值及CPK计算。传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％测试传感器量程自动切换。测试精度：多点位线性精度校正，并用标准法码进行重复性测试，保证传感器测试数据准确性。软件参数设置：根据各级权限可对合格力值、剪切高度、测试速度等参数进行调节。测试平台：真空360度自由旋转测试平台，适应于各种材料测试需求，只需要更换相应的治具或压板，即可轻松实现多种材料的测试需求。测试参数:设备型号：LB-8600外型尺寸：680*580*710(含左右摇杆)设备重量：95KG电源供应：110V/220V@4.0A 50/60HZ压缩空气：4.5-6Bar真空输出：500mm Hg控制电脑：联想PC软件运行：Windows7/Windows10显微镜：标配双目连续变倍显微镜（选配三目显微镜）传感器更换方式：自动切换平台治具：360度旋转，平台可共用各种测试治具XY轴有效行程：100*100mmZ轴有效行程：80mmXY轴分辩率：±1um Z轴分辩率±1um传感器精度：传感器精度±0.003％；综合测试精度±0.25％

半导体参数分析仪概述：SPA-6100半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征 也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。产品特点：30μV-1200V；1pA-100A宽量程测试能力；测量精度高，全量程下可达0.03%精度；内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；免费提供上位机软件及SCPI指令集；典型应用：纳米、柔性等材料特性分析；二极管；MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；第三代半导体材料/器件；有机OFET器件；LED、OLED、光电器件；半导体电阻式等传感器；EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；电阻率系数和霍尔效应测量；太阳能电池；非易失性存储设备；失效分析；系统技术规格半导体电学特性测试系统CV+IV测试仪订货信息模块化构成：低压直流I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流工作模式-Z大电压300V，Z大直流1A或3A可选-最小电流分辨率10pA-四象限工作区间-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护低压脉冲I-V源测量单元-精度0.1%或0.03%可选-直流、脉冲工作模式-Z大电压300V,Z大直流1A或3A可选，Z大脉冲电流10A或30A可选-最小电流分辨率1pA-最小脉宽200μs-四象限工作区间.-支持二线，四线制测试模式-支持GUARD保护高压I-V源测量单元-精度0.1% -Z大电压1200V,Z大直流100mA-最小电流分辨率100pA-一、三象限工作区间-支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护高流I-V源测量单元-精度0.1%-直流、脉冲工作模式.-Z大电压100V，Z大直流30A,Z大脉冲电流100A-最小电流分辨率10pA-最小脉宽80μs-四象限工作区间支持二线、四线制测试模式-支持GUARD保护电压电容C-V测量单元-基本精度0.5%-测试频率10hZ~1MHz，可选配至10MHz-支持高压DC偏置，Z大偏置电压1200V-多功能AC性能测试，C-V、 C-f、 C-t硬件指标-IV测试半导体材料以及器件的参数表征，往往包括电特性参数测试。绝大多数半导体材料以及器件的参数测试，都包括电流-电压(I-V)测量。源测量单元(SMU)，具有四象限，多量程，支持四线测量等功能，可用于输出与检测高精度、微弱电信号，是半导体|-V特性测试的重要工具之-。SPA-6100配置有多种不同规格的SMU,如低压直流SMU,低压脉冲SMU,大电流SMU。用户可根据测试需求灵活配置不同规格,以及不同数量的搭配，实现测试测试效率与开支的平衡。灵活可定制化的夹具方案 针对市面上不同封装类型的半导体器件产品,普赛斯提供整套夹具解决方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点，可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC MOS、GaN等单管，模组类产品的测试 也可与探针台连接，实现晶圆级芯片测试。探针台连接示意图

主要特点：Blue M 标准机械对流烘箱适用于ASTN测试，环氧加工，干燥试验，UL测试，电子元件、装置的老化试验及其它加工和测试 设备特点：所有外壳钢板至少为16GA(1.5mm)，内胆材料为加强型304不锈钢 焊接结构成就了Blue M优异的可靠性 玻璃纤维绝缘材料-4英寸绝缘层将热量散失减到最小 表面蓝色喷塑处理-保证持久防腐蚀功能 Blue M硅橡胶大门密封设计确保大门严密的密封 箱体右侧中部的直径3英寸引线孔，保证用户测试接线的需要 温度控制：可实现程序式或定值式温度控制 水平送风保证设备满载状况下的温度均匀度要求 双充气增压设计及其可移动设计保证箱体内部可被彻底清理 独有的Blue M Eterna(TM) 加热元器件-可靠性更高，粗型高温镊铬丝具有低能耗，使用寿命长的特点，三相型标准空气量计保证了设备和工件以及优质氧化铝陶瓷绝热器的安全 Blue M单通道气流控制，包括从再循环气流转变为单通道气流的平滑调整控制制冷，可选择电动调节气闸实现自动运转 直流多叶离心机具有大容量排气功能，动态平衡功能保证最小的噪音 主要技术指标：温度范围：室温+15℃-350℃均匀度：±1%控制精度：±0.5℃分辨率：±0.1℃额定电压下关闭排气装置空载运行