InGaAs PIN光电二极管MPGD4961T
InGaAs PIN光电二极管MPGD4961T 1、说明基于InGaAs/InP MOCVD结构的平面型二极管还有φ75μm, φ300μm, φ500μm, φ800μm, φ1000μm, φ1500μm, φ3000μm,φ5000μm等光敏面积直径的系列产品,可以按用户要求设计不同光敏面积、形状及封装形式的器件。2、特点快响应时间、金属化单模尾纤封装、低暗电流、高响应度、高可靠性。3、应用光纤通信,数据/图象传输,激光通信、激光雷达,其他应用如快速光脉冲检测。4、最大额定值最大额定值单位最大额定值单位工作电压10V功耗10mW正向电流10mA工作温度-40~85℃焊接温度260(10秒)℃存储温度 -40~85℃5、参数性能(Ta=23℃)参数符号测试条件最小典型最大单位光参数光谱响应范围λ900~1700nm响应度ReVR=5V,λ=1.3μm,φe=100μw0.85A/WVR=5V,λ=1.55μm,φe=100μw0.903dB带宽BWλ=1.3μm,RL=50Ω,start from 133MHz4GHz 线性响应饱和功率ΦsVR =5V, RL=50Ω2mW光回波损耗ORL30dB响应时间trVR=5V, RL=50Ω0.1ns电参数暗电流IDVR=5V0.51.0nA工作电压VRD.C.5.0V反向击穿电压VBRIR=10μA50V6、封装、管壳框图和管脚接法(单位:mm) 管脚接法7、光谱响应曲线8、使用方法及注意事项器件在反向偏置 5V下工作。使用中防止剧烈震动、冲击,以免光纤损坏。在使用前请将光纤连接头用酒精和脱脂棉清洗干净。在贮运、使用过程中必须采取严格的静电防护措施,以免器件失效。