碳化硅晶体检测

仪器简介：LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路，反射镜镀金，以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式，有效避免了风冷造成的空气扰动，建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱，并且配有水流保护，方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数：规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1～16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128～168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点：主要特点◆ 功率：200W◆ 光谱范围：1-16&mu m◆ 辐射系数大，效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜，单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配，提高光谱测量时的光收集效率

1. 产品概述APS系列 感应式碳化硅长晶炉，适用于 6 英寸、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长。2. 设备用途/原理APS系列 感应式碳化硅长晶炉，适用于 6 英寸、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长。创新的结构设计，提供高纯材料生长能力。智能的运行 / 监控系统，适于长时间 / 高温 / 低压工艺，拓宽高质量 / 大规模晶体生长窗口。包含多款辅助设备：大产能原料合成炉、晶锭退火炉、氮化铝长晶炉及 其他定制化设备。3. 设备特点晶体尺寸 6、8 英寸，加热方式 感应加热，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 物理气相输运法（PVT 法），适用域 科研、化合物半导体。

1. 产品概述AGF系列 电阻式碳化硅长晶炉，适用于 6、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长。2. 设备用途/原理AGF系列 电阻式碳化硅长晶炉，适用于 6、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长，4 组加热器独立控制，灵活的温场调节机能力。坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀，下装载，上维护，操作便捷。 3. 设备特点晶体尺寸 6、8 英寸，加热方式 电阻加热，适用材料 碳化硅，适用工艺 物理气相输运法（PVT 法），适用域 科研、化合物半导体。

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。特点．真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa，升压率≤3Pa/12h，保证晶体生长的稳定性．智能化生长及监测系统，实现多种制程精确定制，工艺优化，长晶全过程实时监控，数据可视化存档．新型感应加热线圈设计，有效提高热场加热的均匀性和稳定性．业内首创的PIM自检系统，有效减免制程时间浪费．稳定可靠的水冷系统，实现了水道管路温度、流量的实时监控，保证了生长室温场的稳定性．可生产6英寸P级碳化硅衬底，微管缺陷密度＜0.5个／cm2，电阻率达0.015-0.0280

碳化硅衬底晶片生产商 4H-N碳化硅衬底片厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应碳化硅衬底晶片，产品主要有2英寸到6英寸，类型分为导电型4H-N 掺杂氮和半绝缘型4H-SI型掺杂钒以及非掺杂4H-SI型。产品等级分为超低微管密度级碳化硅衬底晶片，产品级碳化硅衬底片，研究级碳化硅衬底晶片，测试级碳化硅晶片，欢迎有需求的客户咨询。碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

1产品概述： 碳化硅沉积系统是一种专门用于生产碳化硅（SiC）材料的设备，它采用化学气相沉积（CVD）或其他相关技术，在特定条件下将碳和硅元素以气态形式引入反应室，并通过化学反应在基底上沉积形成碳化硅薄膜或晶体。该系统在半导体、光伏、新能源汽车等行业中具有广泛应用，是制备高性能碳化硅器件的关键设备之一。2设备用途： 半导体行业：用于制备碳化硅基功率器件，如MOSFET、肖特基二极管等，这些器件在电动汽车、光伏逆变器、轨道交通等领域具有重要应用。 光伏行业：在光伏逆变器中使用碳化硅功率器件可以提高太阳能转化效率，降低系统成本。 新能源汽车：碳化硅功率器件在电动汽车的电机控制器、电池管理系统等关键部件中发挥着重要作用，有助于提高车辆性能、降低能耗。3.设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 碳化硅沉积系统能够实现高精度的沉积控制，确保薄膜或晶体的厚度、成分和结构的均匀性。 这对于提高器件的性能和可靠性至关重要。多功能性： 系统支持多种沉积方法和工艺参数调整，以满足不同材料和器件的制备需求。 可以制备出具有不同电阻率、热导率等特性的碳化硅材料。高温与稳定性： 碳化硅沉积过程通常需要在高温条件下进行，系统需要具备稳定的高温控制能力和良好的热传导性能。 高温环境有助于促进化学反应的进行和碳化硅晶体的生长。4 设备参数： 运行4个系统，用于150/200 mm SiC工艺开发 由德国弗劳恩霍夫研究所（Fraunhofer Institute）提供支持的全面材料表征能力 通过碳化硅工艺演示/开发和培训为客户提供支持 150 mm和200 mm– 支持双晶圆尺寸 – 为您的未来投资提供保障 市场上高的晶圆产量/ m2

碳化硅衬底片工厂 6英寸SiC碳化硅衬底晶片厂商价格苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅衬底片和4H半绝缘碳化硅衬底片，所生产的碳化硅衬底片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、军工相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。碳化硅功率二极管有3种类型：肖特基二极管（SBD），PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管（JBS）。由于存在肖特基势垒，SBD具有较低的结势垒高度，因此SBD具有低正向电压的优势。碳化硅SBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，碳化硅PiN和碳化硅JBS二极管由于比硅整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。 碳化硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域是首选的器件。有报道称已成功研制出阻断电压10kV的碳化硅MOSFET。研究人员认为，碳化硅MOSFET在3kV～5kV领域将占据优势地位。

1. 产品概述MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。2. 设备用途/原理MARS iCE115 碳化硅外延系统，薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高，具备多层外延能力，气流场和加热场设计，工艺性能优异，可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。3. 设备特点晶圆尺寸 4、6 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。&zwnj 碳化硅外延系统的工作原理主要依赖于化学气相沉积（CVD）技术。&zwnj 这一技术通过载气将反应气体输送到反应室内，在一定的温度和压力条件下，反应气体分解并发生化学反应，形成中间化合物扩散到碳化硅衬底表面，从而生长出外延层。这种外延生长技术能够有效地控制掺杂浓度和薄膜厚度，以满足设计要求，同时减少衬底中的缺陷，提高器件良率。反应室内的气流场和温度场对碳化硅外延生长至关重要，因为它们直接影响外延层的质量和均匀性。

碳化硅晶片生产厂家碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅晶片以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：钒厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5° 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：非掺杂厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5°

1. 产品概述MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。2. 设备用途/原理MARS iCE120 多片碳化硅外延系统，产能大，6 英寸运营成本低。薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高。具备多层外延能力。气流场和加热场设计，工艺性能优异。可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好。兼容 8 英寸。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 碳化硅 SiC，适用工艺 N&P 碳化硅外延，适用域 科研、化合物半导体。

1. 产品概述VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉,适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备。2. 设备用途/原理VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉，适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备，高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min。石墨电阻加热，工艺腔室洁净。自动装片，Cassette toCassette。SEMI S2/S6 认证。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6 英寸兼容，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑，适用域 科研、化合物半导体。

产品介绍：绿碳化硅呈绿色，纯度高、性脆，显微硬度3280-3400 kg/mm2。用绿碳化硅制成的磨具，适于加工硬度高、脆性大的材料，如硬质合金，光学玻璃、玛瑞和陶瓷等硬脆非金属材料，绿碳化硅也可用于制造高级耐火材料、电热元件和电器元件产品；绿碳化硅磨料绿碳化硅微粉适宜磨削硬质合金和硬脆金属及非金属材料，如铜，黄铜，铝和镁等有色金属和宝石，光学玻璃，陶瓷等非金属材料。技术指标化学成分SiC99.05%SiO20.20%F,Si0.03%Fe2O30.10%F.C0.04%物理特性莫氏硬度9.4比重3.2g/cm3堆积密度1.2-1.6 g/cm3颜色绿色晶型六角晶型熔点约2600 °C游离使用温度1900℃易碎性脆的生产规格W标W63 W50 W40 W28 W20 W14 W10 W7 W5 W3.5 W2.5 W1.5 W0.5FEPA标F230 F240 F280 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000JIS标240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# 用途1. 用于生产蜂窝陶瓷，作为汽车内三元催化剂的过滤材料；2. 绿碳化硅，适用于加工硬质合金，玻璃，陶瓷和非金属材料外，还用于半导体材料，高温硅碳棒发热体，远红外源基材等；3. 太阳能硅片、半导体硅片、石英芯片的切割研磨；4. 水晶、纯粒铁的抛光；5. 陶瓷、特殊钢的精密抛光；6. 固结及涂附磨具，切割、自由研磨抛光；7. 研磨玻璃、石材、玛瑙及高级珠宝玉器等非金属材料；8. 特氟龙涂料添加材料；9. 制造高级耐火材料、工程陶瓷、加热元件和热能元件等。

SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统 我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备，主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合，才能在市场上推出使用方便，测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求，欢迎与我们联系各种电子测试的需求。 全面的测试方案：双脉冲测试 用于碳化硅二极管 和FETs检测 高压器件 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV 及更高 功率器件（包括模块） 电压可调至：50 A ( 500 A )清晰的开关波形 非常低且非常容易判断寄生现象精确 包含分析和补偿程序为模具，紧凑型包装，模块组件而设计 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块模块化和前瞻性 新包装和模块化的可调谐开关插头高温测试 DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C快速 快速部署，测试周期 短标准和具体应用 集成化或定制栅极驱动器；寄生现象可调谐高性能系统 工业等级设计及制造安全 IEC61010安全标准设计 技术规格动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性，也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如：负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件的使用方案。功能：描述SiC离散变量的动力学行为配置：在相位腿配置的二极管mosfet(或IGBTs)设备等级：优化的额定电压600V到4500V 优化额定电流10A到50A包装：可与TO220,TO247,TO254包接口的装置系统接受其他包的fixture输入电压：230Vac, 50Hz，单相接地保护输入电流：8A保险丝额定值：10A，T，250V直流电压范围：100V to 4500V开关电流范围：10A to 50ADUT温度:热板温度可调至200℃

1. 产品概述Pallas A220 碳化硅快速热退火系统，加热分区设计，具备良好的温度均匀性，高精度的控温模式，更优的升温速率。2. 设备用途/原理Pallas A220 碳化硅快速热退火系统，加热分区设计，具备良好的温度均匀性，高精度的控温模式，更优的升温速率。3. 设备特点晶圆尺寸 6/8 英寸兼容，适用工艺 快速热退火。适用域 科研、化合物半导体。

我们的优势：反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块专业生产厂家，源头工厂；产品可能不是“最优于”，至少是“不差于”；一对一专业服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。应用案例：纳米材料制备 1. 白芦黎醇纳米分散体（来源：DOI: 10. 13543 /j. bhxbzr. 2017. 05. 005）： A相：白芦黎醇溶于乙醇或丙酮 B相：辅料PVP和SDS溶于水 进料流量比：A:B=1：20（3ml/min、60ml/min) 利用平流泵调节AB两相溶液的进料条作，在微通道反应器出口收集纳米分散体浆料，制得平均粒径130nm左右分散体。继续采用套管式微通道反应器优化放大，可得到平均粒径80nm左右。 2. 纳米布洛芬晶体制备（来源：单羽，微通道反应器沉淀法制备纳米晶体【D】，南京理工大学，2021，21-38. ） 选择心型微通道反应器，持液量3ml，进出料管为1/8 inch PTFE管，两进一出结构。 A相：不饱和的乙醇布洛芬溶剂 B相： 0.1mol/L的ZrCl4水溶液，pH3左右，抽滤后的滤液。进料流量比：A:B=1：15（1ml/min、15ml/min) 外加超声场，实验温度40°，通入A相，保留时间7s，出料后稳定30s，收取物料，布洛芬平均粒径100nm左右。

CAMTEK 自动光学检验AOI设备 在 碳化硅(SiC) 领域的应用碳化硅碳化硅晶片是未来一代半导体材料,具有独特的电学性能和优异的热性能。 与硅片和砷化镓晶片相比,碳化硅晶片更适合高温和高功率设备应用程序。Camtek开发专用的检验和计量解决方案,以及分析工具来解决这一新兴市场。功能• 处理透明材料区域使用黑暗查克在晶片上• 背光查克的早期阶段的过程• 朋友处理透明的晶片• eef——边缘控制能力• 自动缺陷分类(ADC)基于收益管理的深度学习• 弓测量• 预测收益率-晶圆缺陷位置精度 2um技术• sts -表面形貌传感器• 背光 产品 EagleT-AP为先进的包装设计市场,EagleT-AP提供了2 d和3 d检验和计量在同一平台上,同时保持极高的性能和吞吐量水平。 EagleT-i设计的速度和准确性,Camtek EagleT-i是一个最快的和最精确的2 d检查工具在市场上。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。Ø 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；Ø 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；Ø 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；Ø 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；Ø 产品至少是“不差于”；Ø 一对一服务，无论何种规格，客户至上。

我们来自国外技术陶瓷有限公司先进技术和引进进口设备相结合的手段,精选高品质原料专业设计、生产和销售陶瓷、耐火陶瓷、及新型无机非金属等先进材料，以氧化铝、氧化锆、氧化镁、氮化硅及碳化硅等主要原料，经过一系列人工合成及提炼处理制成超细末，通过1700℃以上超高温高压工艺烧结而成，主要提供:氧化铝陶瓷管棒、99刚玉管、电炉管。95/99瓷件、耐火制品。并可根据用户特殊要求进行加工。公司产品的优点：1.耐化学腐蚀2.耐高温，正常使用在1800℃3.耐骤冷骤热，不易炸裂4.可重复使用。5.结构性能稳定。6.高温稳定性。7.热传导性高

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

NORCADA-碳化硅膜-PSCX5050A-LTH2产品型号：PSCX5050A-LTH2产品介绍：Norcada 碳化硅膜为电子、X 射线和光学显微镜提供了坚固的导电基板。SiC是一种具有高导热性和导电性的导电晶体材料，为元素分析提供了无氮环境。SiC膜可用作原位电化学和气体电池的基板，以及薄膜外延生长的基板。这些独特的膜还可以用作X射线光学器件，光子晶体，量子谐振器和MEMS结构的基础。SiC 还可用作 X 射线光学器件、X 射线束出入口窗口、探测器窗口和 X 射线终端站的透射窗口。请联系Norcada以获取有关SiC传输窗口的更多信息，因为某些单元的设计和组成可能需要更改。性能特点：用于薄膜和生物材料的EDX元素分析和X射线光谱的无氮底物高导热性低电阻率硅框架，增加电荷和散热参数：产地：加拿大厚度:50nm薄膜尺寸：0.50×0.50mm孔径：2.0µ m孔间距：3.0µ m是否进口：是应用：广泛封装：厂家制定性能：良好可靠性：高天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。产品优势：我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果。主要技术参数测试产品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基产品）测试能力：a，开关时间测试测试条件：ID：1A~1000A, VDS:5V~3500V, VGS:-10V~20V, Rg:手动可调，阻性，感性负载可切换。测试参数：td(on)\tr\td(off)\tf:0.1nS-200nS, Eon\Eoff:10uJ-100mJb，反向恢复特性测试测试条件：IF:1A~1000A, VR:5V~3500V,di\dt:50A\us~10000A\us测试参数：trr:0.1nS-200nS,Qc:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJc，短路电流测试测试条件：Pulse width:1us~100us,VDS:5V~3500V测试参数：Peak ID:10A~1000A, Delta Vds:10V~200V

碳化硅具有优异的耐高温、耐腐蚀性能，而微通道结构可以提供高比表面积和良好的传质特性，具有体积小、传热快、传质效果好，反应控制佳等优点，因此碳化硅微通道反应器在化工领域具有广泛的应用前景。可根据实际工况进行定制，加工成型各种碳化硅微反应器模块！

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我司具有软件、自动化和机械等整套研发人员，可依据客户需求，完成定制化设备的研发生产。客户在我司定制的第三代半导体材料氮化镓、碳化硅可用的新型快速退火炉，已在上海为客户装机调试完毕，如有需求，欢迎广大客户来电咨询定制氮化镓氮化硅快速退火炉的报价、型号、参数等。设备规格:6英寸快速退火炉；适应于2英寸-6英寸晶圆或者支持150mmx150mm样品；退火温度范围300℃-1400℃；升温速率≦150℃/sec(裸片)；温度均匀性≦±1%；常压腔体（可选配真空腔体）；冷却方式包括水冷和氮气吹扫；MFC控制，1-4路制程气体。应用领域:快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；离子注入/接触退火；金属合金；热氧化处理；化合物合金（砷化镓、氮化物等）；多晶硅退火；太阳能电池片退火；高温退火；高温扩散。