单晶检测标准

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

详细介绍标准太阳电池为2cm*2cm的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：1）CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池2）CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。 规格参数尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA• oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV• oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5% 测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

产品介绍：1.产品特点 共心在基座上方63mm/96mm； 水平移动范围：±4mm； 调节弧度：±20°； 读数精度：0.1°； 所有的移动都在直径φ46mm的柱面内进行。 2.适用仪器 STOE IPDS II & 2T、STADIVARI

标准太阳电池为50px*50px的单晶硅或多晶硅晶硅（可依据用户需要定制）光伏电池，经过老化、筛选，选择稳定性好、表面均匀的进行全密封式封装。太阳电池置于方形铝基座的中心，并配有一个抗辐照玻璃保护窗口，窗口的封装采用透明性好，折射系数相近的光敏胶。太阳电池的下面装有Pt100铂电阻温度传感器，在封装前已进行标定。太阳电池和测温传感器均采用四端输出的Kelvin连接接线方式。型号：★ CEL-RCCN单晶硅标准太阳能电池★ CEL-RCCO多晶硅标准太阳能电池标准太阳电池通常用于日常校准或测试光源（氙灯、太阳模拟器等）在被测太阳电池表面所建立的总辐照度（W/m2）。太阳模拟器的辐照度发生变化时，照射在太阳电池上产生的短路电流与太阳模拟器的辐照度之比接近常数，因此可以通过测量短路电流的大小来获得太阳的辐照度。太阳电池的标定值定义为：在标准测试条件下，标准太阳电池的短路输出电流与辐照度之比，单位A/(W/m2)，称为CV值。当太阳电池的短路电流等于其标定值时，即可认为太阳模拟器的辐照度达到一个太阳常数，即1000W/m2。尺寸和外观测试条件光伏材料单晶硅/多晶硅光谱AM1.5光伏器件尺寸20mm x 20mm标定温度25oC窗口材料空间抗辐照盖片标定辐照度1000 W/m2外围材料空间抗辐照盖片波长范围400-1100nm外围材料70mm x 70mm x 20 mm测试参数温度传感器100 Ω Pt电阻标定值CV (A/W/m2 )电流电压连接器LEMO插头短路电流Isc ( mA)温度连接器LEMO插头开路电压Voc ( mV)电性能短路电流的温度系数α(mA?oC-1)标定辐照度1000 W/m2开路电压的温度系数β(mV?oC-1)操作电流不超过200 mA电流最大值Imax ( mA)操作温度10oC - 40oC电压最大值Vmax ( mV)转换效率大于16%功率最大值Pmax ( mW)填充因子大于0.7填充因子FF短路电流变化不超过±0.5%测试证书每个电池会有一份测试证书和独立的数据记录。证书记录了测量值及其不确定度，标准电池溯源的基础及各种参数数据，可以作为与ISO相符合的质量证书。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

EVG301 Single Wafer Cleaning SystemEVG301 单晶圆清洗系统 研发型单晶圆清洗系统 EVG301半自动化单晶片清洗系统采用一个清洗站，该清洗站使用标准的去离子水冲洗以及超音速，毛刷和稀释化学药品作为附加清洗选项来清洗晶片。 EVG301具有手动加载和预对准功能，是一种多功能的R＆D型系统，适用于灵活的清洁程序和300 mm的能力。 EVG301系统可与EVG的晶圆对准和键合系统结合使用，以消除晶圆键合之前的任何颗粒。旋转夹头可用于不同的晶圆和基板尺寸，从而可以轻松设置不同的工艺。 特征使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高效清洁单面清洁刷（选件）用于晶圆清洗的稀释化学品防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程 选件带有红外检查的预粘接台非SEMI标准基材的工具技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米清洁系统：开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：最高3000 rpm（5秒内）超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：30-60 W去离子水流量：最高1.5升/分钟有效清洁区域：?4.0 mm材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器：频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：最大 2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）去离子水流量：最高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性材质：不锈钢和蓝宝石；刷；材质：PVA

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

连接器水分检测仪检测标准和要求快速水分测定仪SFY-20D该设备可显示高度水分含量数据，到0.01％（100PPM）的水分。本仪器为了实现高精度的测量，配备了能够分析0.001g(1mg)的高精度天平，而且在烘干部分装备了新开发的大容量的混合气体加热体（冠亚水分仪专利）此外，在干燥控专利的作用下，能够短时间内测定水分值的%，可以大幅度缩短测量时间。根据测定样品和对象的不同，冠亚公司提供全部检测方案和数据信息。以保证用户可以更加快速投入使用并且保证数据的准确度。冠亚公司提供可选购件操作软件，该软件可以把测量数据，测试条件，测试曲线等传送到pc上，可以把测量结果以图表，文字数据的形式保持或者打印。冠亚水分仪是需要严格水分管理的品质管理、检查部门的理想选择，适用于严格的水分管理。连接器水分检测仪检测步骤：1. 开机：接通电源，打开仪器后部的电源开关；2. 自检：重量显示窗显示“0”，稳定显示窗显示初始值，一般是室温（40℃以下）； 　　3. 预热：开机预热30分钟，经预热后测定的数据真实有效 　　4. 放样：打开加热装置，放入样品，合上加热装置，待重量显示稳定20秒； 　　5. 按测试键，等待仪器自己加热； 　　6. 等到报警声响起，按一次显示键，此时显示判别时间，再按一次显示键，显示终水分值。连续按显 示键查看其他测试参数，后按“清除”，测试完毕。 　　7. 打开加热桶，等温度显示回到40℃以下才可以进行下一次检测。连接器水分检测仪技术参数SFY-20D: 1、称重范围：0-90g 2、水分测定范围：0.01-** 3、样品质量：0.5-90g 4、加热温度范围：起始-250℃ 5、水分含量可读性：0.01% 6、卤素SFY-20D塑胶快速水分检测仪显示7种参数 7、双重通讯接口：RS 232（打印机） RS 232（计算机） 8、外型尺寸：380×205×325(mm) 9、电源：220V±10%/110V±10%(可选) 10、频率：50Hz±1Hz/60Hz±1Hz(可选) 11、净重：3.7Kg《中华人民共和国制造计量器具许可证》 MC 粤制 03000235号SFY系列快速水分测定仪器(专利号：2005301013706) SFY商标：8931081发证单位：深圳市质量技术监督局塑胶颗粒含水率检测仪仪器在正常使用条件下，自产品售出之日起12个月内，如因产品质量而发生的问题，本公司无偿负责维修或更换。超过12个月，维修只收工本费。当型号发生变化时，恕不一一通知。本公司负责对本产品终身维护。我公司全权负责运费和送货上门。

一、仪器简介： 美国特纳TD-3100台式水中油分析仪是一款高精度的实验室台式水中石油类分析仪器，用于分析水中及土壤中的碳氢化合物。 TD-3100是一款用正己烷代替红外法的四氯化碳萃取剂的、多通道、 可靠的实验室版紫外荧光法的水中油分析仪，能 分析水中油含量（包括柴油、润滑油、液压油、燃油、原油、气体凝析油，及苯系物等芳香烃类溶剂），检测范围从1ppb到1000ppm。 该仪器的开发旨在为行业标准实验室方法提供一种理想选择。该仪器使用溶液(正己烷）萃取方法或在溶解度范围内采用非萃取方法对样本进行测量。 当设定为直接浓度模式(Direct Concentraion Mode)时仪器会显示碳氢化合物的真实浓度值。只需更改光学配置，即可设置TD-3100用于检测一系列碳氢化合物，包括：原油、柴油、或混合油类。 通过更换TD-3100的合光学元件与高灵敏度的荧光探测器能够探测从百万分之一(ppm)至十亿分之一（ppb）范围内的碳氢化合物。检测原理：紫外荧光法 水中石油类的芳香烃成分，在紫外区特定波长的紫外光照射下，经激发后发射出波长更长的荧光强度，荧光强度与石油类组分含量成正比。TD-3100通过检测该特定荧光强度，测出水中石油浓度。检测步骤：　取100mL待测水样 ，加入10mL正己烷萃取液，振荡萃取2分钟 ，静置2分钟，待水-正己烷萃取液分层，取上层萃取液用比色皿在TD-3100检测，5秒后在仪器直接显示石油类浓度。（步骤简单速度快、用相对安全的正己烷代替红外法的四氯化碳。）适用油类： 苯系物、苯酚、苯乙烯、氨基、电控液压式液体、汽油； 柴油、润滑油、液压油、燃油、原油、气体凝析油。检测限： 下限：柴油在蒸馏水中不萃取时的近似探测极限值（10ppb） 上限：部分油类可高达1000ppm。应用范围：1、冷却水、蒸汽冷凝水、金属加工液体浓度控制；2、饮用水入口、脱盐装置、河流、湖泊；3、工业、电力、水力发电废水；雨水径流；4、油田采出水、炼油厂废水、 后液流；脱盐装置尾水排放；5、便携式石油泄漏响应。性能特点： 1、先进的荧光技术，更灵敏，更 ； 2、用相对安全的正己烷代替红外法的四氯化碳，且与所有常用的萃取溶液均兼容； 3、对悬浮物等非油类物质的抗干扰能力更强，对石油类更有针对性； 4、 快速的分析程序（4分钟/样本）， 少的操作步骤（4步：取样、萃取、取液、检测）； 5、适用于多种应用的快速改变的多组合光学元件； 6、探测极限范围由应用决定，在10ppb到1000ppm变动； 7、便捷的CheckPoint固体校准样，快速检验仪器稳定性无需重配标准溶液。二、技术参数： 探测极限：根据用途不同，在ppb到ppm间变动 电源：外部电源，100-240伏交流电， 功率30瓦 重量：13磅（5.9千克） 运行温度：60-95°F，15-36°C 显示：16×2 字符LCD显示器；（3.86”×86”；98cm×2.18cm） 数据输出：100% ASCII格式，通过9孔串行电缆，以9600波特率输出 可用的比色皿：内含为10×10×45方形比色皿而设的适配器。客户亦可选用能容纳25×150毫米试管的25毫米适配器。能容纳13×100毫米试管的适配器可供选用。 滤光片筒：容纳有8个，25毫米（1英寸）圆形滤光片，（4个激发滤光片及4个发射滤光片 软件：菜单驱动的微处理器控制式软件 探测器：厂家安装的光电倍增管 灯具：根据实际应用而定 材料：美国保险商实验所（UL）认证的聚亚安酯。背面和底部为金属片 读出：直接浓度（ppb，ppm，mg/L）或原始荧光性 校准：多点校准用于直接浓度测量或单点原始荧光性校准 空白：读取及删除空白 分离的样本平均值：为提高准确性，样本读数可为平均数（7秒延迟；12秒求信号平均值；5秒屏幕显示读数） 保修单：1年保修 认证：CE，UL及C-UL认证。

应用范围：灵活的OEM设备，用于多种不同样品的在线寿命测量：从单晶硅到多晶硅锭，从生成态晶圆片到不同镀层或金属化晶圆的过程控制。标准软件接口，易于连接到许多处理或自动化系统。在线面扫和单点检测MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。电池生产线上的来料质量检查是最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。 还有许多其他的专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源。 产品介绍l 各种不同的样品，从单晶硅到多晶硅，从生长的晶片到加工过的晶片，都可以通过MDPlinescan使用少子寿命测量进行检测。 l MDPlinescan是一个易于集成的OEM单元，可集成到各种自动化的检测线。关键的测量参数是实时的载流子寿命扫描。 l 样品通常由测量头下的传送带或机器人系统来输送。应用实例从晶锭到晶圆的检测，每个晶圆的测量速度小于一秒。 该仪器有许多专门应用可能性。由于其易于集成，只需要以太网连接和电源即可。例如，电池生产线上的来料质量检查是其最常用的一种应用方向，同样，钝化和扩散后的工艺质量检查也能用到此款产品。优势l 在μ-PCD或稳态激发条件下测量少数载流子寿命和电阻率是这个工具的重点。l 用于集成在生产线的多晶或单晶硅晶圆,包括材料制备，和各种工艺处理阶段。小尺寸和标准的自动化接口使集成变得容易。优势是长时间的可靠性和测量结果的高精度。技术参数样品种类多晶或单晶晶元片， 晶锭，晶胞样品尺寸大约50 x 50 mm2电阻率0.2 - 103 Ohm cm电导类型p, n材质硅晶圆，部分或完全加工晶圆，化合物半导体等测量属性载流子的少子寿命硬件接口ethernet大小174 x 107 x 205 mm, 重量: 3 kg电源24 V DC, 2 A

高精度光学浮区法单晶炉Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......应用领域：✔ 高温超导体✔ 介电和磁性材料✔ 金属间化合物✔ 半导体/光学晶体/宝石产品特点：✔ 占地空间小，操作简单，易于上手，立支撑设计✔ 镀金双面高效反射镜，加热效率更高✔ 可实现温度达2150°C✔ 稳定的电源✔ 内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置✔ 采用商业化标准卤素灯 光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。 浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。镜面系统 部分生长晶体Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.发表文章1. Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds, Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388.2. Enhanced stability of floating-zone by modifying its liquid wetting ability and fluidity for YBa2Cu3O7-δ crystal growth, Ceramics International，Volume 47, Issue 4, 15 February 2021, Pages 5495-5501.3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).4. 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能, 硅酸盐学报 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.5. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.国内合作用户，排名不分先后北京大学武汉大学中科院物理所吉林大学中科院硅酸盐所哈尔滨工业大学上海大学浙江师范大学南京大学浙江大学东南大学南方科技大学中科院宁波材料所曲靖师范学院西北工业大学

LB-4160A甲醛测试仪是我公司开发和制造的一种新型甲醛直读式定量测定分析仪器，它可广泛应用于家俱、地板、壁纸、涂料、园艺、室内装饰与整修、染料、造纸、制药、医疗、食品、防腐、消毒、化肥、树脂、粘合剂和农药、原料、样品、工艺过程及养殖厂、垃圾处理厂、烫发场所、生产车间和生活场所中甲醛的定量测定。仪器由先进的电化学传感器,采样泵和微处理器构成，可直接实时测量和在带背光的液晶屏上显示被测样品中甲醛的mg/m 或ppm浓度含量，自带外置高精度数字式温湿度传感器显示和补偿提高测试精 开箱验收在初次收到该测试仪器的时候，请按照如下所述的步骤进行验收检查。从包装箱中取出仪器，查看装运期间是否发生损伤小心打开包装箱后，查看包装箱和包装材料。如果一切完好，好保留原包装材料，以便将来使用；如果包装材料损坏，说明仪器在装运过程中受到了外力的冲击，维持原状并通知货运公司，以便货运公司查看。然后按照说明书的操作规程进行操作检查，根据仪器损伤的情况向货运公司或承运人提出赔偿要求。主要技术指标检测气体：空气中的甲醛检测范围：0 ～ 5ppm检测时间：30 秒分辨率：0.01ppm通讯速率：USB—12Mbps电 源： 电源适配器：AC100～240V to DC5V/1A（内置锂电池：3.7V/900mAh）电池工作时间：连续测试时间约为 3 小时外形尺寸：750（W）×180（H）×100（D）mm重量：约 500g环境条件：工作环境：5～40℃, ＜90%RH 储藏环境：–20～50℃, ＜90%RH标准附件：AC 适配器选配件：温湿度传感器功能特点大量程检测范围快速响应不需要安装检测药片即可实时检测超大的数据存储量无需预热时间自动背光显示用户自校准温湿度传感器为仪器可选设备，用户可根据需要选择温湿度传感器测量当前的温度和湿度内置锂离子聚合物电池可连续工作达 3 小时以上随机附件的安装使用AC 适配器：输入 100～240V，50～60Hz 交流电，输出DC5V/1A 直流电，与底面板的POWER口相接，实现给电池充电。小心：●为了避免极性错误而导致危险，请务必使用随机配套AC 适配器。●本仪器所用充电电池为Li-ion 电池，建议您在电力用完后再进行充电。●在充电或使用过程中，若发现仪器的机壳过热，请立即停止使用，并与供货商取得联系。注意：在使用 AC 适配器对电池充电过程中，为确保测量结果的准确性，请不要在充电的同时进行测量。建议您在正常测量的过程中，使用仪器内部的电池进行供电。严格按照本手册的要求来使用该仪器。仪器的使用注意事项和简易故障排除使用注意事项：初次使用本仪器进行测量时，请将采样口的塑料帽取出，保证进气口的通畅。在测量的过程中，注意以下几点，能提高测量的准确性和有效性：1、 仪器工作时尽可能用随机的电池供电；2、 仪器测量时电池的电量充足；3、 仪器测量时要避免人为因素的影响；本仪器采用锂电池供电，在进行充电时，请使用配套的电源适配器。特别注意：如果使用非本仪器配套的其它充电器，有可能损坏本仪器。简易故障排除：如果仪器不能开机，可能是电池没电的原因。请使用随机的AC 适配器对仪器进行充电，然后再开机。如果故障仍然没有排除，请打开仪器的电池后盖，检查电池有无鼓涨等异常情况。 特别注意：电池的放置有正、负区分，请注意电池触点的所在位置，与电池对应。在进行充电的过程中，指示灯亮红色，充满后亮绿色。如果有异常出现，指示灯亮红色， 并闪烁。这时，请检查电源适配器是否是本仪器配套的，输出电压是否为 DC5V，如果不是， 请更换

X射线单晶衍射仪 D8 结晶解决方案 — 单晶 X 射线衍射 (SC-XRD) 的质量和多功能标准结晶是确定小分子和大分子结构的zui明确方法，且单晶 X 射线衍射可以通过其他科学无法企及的方式，提供准确、精确的分子大小测量结果。Structural Biology D8 QUEST和D8 VENTURE 提供广泛的 X 射线源及光学器件，以及测角仪选项。D8 QUEST 是一种体型小巧、经济实惠的高性能单一 X 射线源配置，适用于化学结晶等典型用途，而D8 VENTURE 为化学和生物结晶的双波长组合提供平台。 D8 QUEST 是一个专为单波长试验而设计的紧凑型解决方案，配备有革新性的 PHOTON 100 CMOS 探测器。该系统可以在较小的空间里高度灵活的进行试验，可十分方便的拿取物品并具备较高的样品可视性。 根据 DAVINCI.DESIGN 原理，该系统使用zui好的组件进行高度模块化设计，并且具有完全气冷配置。因此，D8 QUEST 能够提供完全符合您的研究需求的解决方案。保证提供zui好的结构。系统参数：具备 CMOS 技术的全新 PHOTON 100 探测器100 平方厘米的大型有效面积高灵敏度气冷3 年保修密封 X 射线源Mo or Cu radiation经济划算的解决方案可选 3 倍强度的 TRIUMPH全新的高亮度 IμS 微聚焦 X 射线源Mo or Cu or Ag radiation强度zui多增加 60%气冷 (观看我们的 Air-Cooled 视频)3 年保修提供zui佳的软件APEX2 是适用于化学晶体的zui完整套件PROTEUM2 现在具有一个适用于结构生物学的数据处理线路完全集成的低温装置（可选） D8 VENTURE 的试验装置放置在更为宽敞的外壳内，还为旋转阳极提供空间以及双波长解决方案。所有系统均配备革新性 PHOTON 100 CMOS 探测器。 D8 VENTURE 提供zui高的试验灵活性，可十分方便地拿取物品并具备较高的样品可视性。获专利的门可采用滑门模式或双开式弹簧门模式打开。该系统使用zui好的组件进行高度模块化设计，并且具有完全气冷配置。 因此，D8 VENTURE 能够提供完全符合您的研究需求的解决方案。保证提供zui好的结构。系统参数：具备 CMOS 技术的全新 PHOTON 100 探测器 100 平方厘米的大型有效面积高灵敏度气冷提供三年保修密封X 射线源 Mo or Cu radiation经济型解决方案可选 3 倍强度的 TRIUMPH全新的高亮度 IμS 微聚焦 X 射线源Mo or Cu or Ag radiation强度增加高达 60%气冷 (观看气冷演示视频)提供三年保修微聚焦 TXS 旋转阳极紧凑型直接驱动，维护量低细丝经预先结晶和预先校准METALJET 适用于结构生物学的革新性液态金属 X 射线源适用于更小、更具挑战性样品的zui高 X 射线强度室内源使用镓放射自生式标靶，降低背底散射和放射损伤购置成本低，正常运行时间长测角仪FIXED-CHIKAPPABest goniometer precision选择一个带有小于 7 微米弥散球的测角仪，确保即使是zui小的样品，也能稳固地放置在 X 射线束的中心先进安全外壳 符合zui严格的辐射安全规范符合新机械指令提供zui佳的软件 APEX2 - 适用于化学晶体学的zui完整套件PROTEUM2 - 现在具有一个适用于结构生物学的数据处理线路完全集成的低温设备（可选）设备咨询电话：（微信同号）；QQ：；邮箱：欢迎您的来电咨询！

仪器简介：高低温恒温机一、产品用途: 高低温恒温机是航空、汽车、家电、科研等领域必备的检测设备，用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温、低温温度环境变化后的参数及性能。二、高低温恒温机结构特点:1.箱体采用数控机床加工成型，造型美观大方，并采用无反作用把手，操作简便。2.箱体内胆采用进口高级不锈钢（SUS304）镜面板，箱体外胆采用A3钢板喷塑，增加了外观质感和洁净度。3.高低温试验箱设有大型观测视窗附照明灯保持箱内明亮，且利用发热体内嵌式钢化玻璃，随时清晰的观测箱内状况。4.箱体左侧配直径50mm的测试孔，可供外接测试电源线或信号线使用。三、高低温恒温机控制器:1.温度控制采用全进口触摸按键式仪表，操作设定简单。(日本RKC)2.资料及试验条件输入后，控制器具有锁定功能，避免人为触摸而改变温度值。3.高低温试验箱控制器具有P.I.D自动演算的功能，可将温度变化条件立即修正，使温度控制更为精确稳定。4.可选配打印机。四、高低温恒温机冷冻及风路循环系统:1.制冷机采用法国原装&ldquo 泰康&rdquo 全封闭压缩机。2.冷冻系统采用单元或二元式低温回路系统设计。3.采用多翼式送风机强力送风循环，避免任何死角，可使测试区域内温度分布均匀。4.风路循环出风回风设计，风压风速均符合测试标准，并可使开门瞬间温度回稳时间快。5.升温、降温、系统完全独立可提高效率，降低测试成本，增长寿命，减低故障率。五、符合标准: 高低温恒温机符合GB/T2423.1-2001、GB/T2423.2-2001等现行国家标准。技术参数：高低温恒温机性能指标:1.温度范围: A:-20℃～150℃ B:-40℃～150℃ C:-60℃～150℃ D:-70℃～150℃2.波动/均匀度: &le ± 0.5℃/&le ± 2℃3.精度范围: 设定精度：温度± 0.1℃，指示精度：温度± 0.1℃，解析度：± 0.1℃4.升温速率: 1.0～3.0℃/min5.降温速率: 0.7～1.0℃/min主要特点：高低温恒温机冷冻及风路循环系统:1.制冷机采用法国原装&ldquo 泰康&rdquo 全封闭压缩机。2.冷冻系统采用单元或二元式低温回路系统设计。3.采用多翼式送风机强力送风循环，避免任何死角，可使测试区域内温度分布均匀。4.风路循环出风回风设计，风压风速均符合测试标准，并可使开门瞬间温度回稳时间快。5.升温、降温、系统完全独立可提高效率，降低测试成本，增长寿命，减低故障率

TD-5000型单晶X射线衍射仪产品介绍国内独家—填补国内空白仪器功能： TD-5000 X射线单晶衍射仪主要用于测定无机物、有机物和金属配合物等结晶物质的三维空间结构和电子云密度，分析孪晶、无公度晶体、准晶等特殊材料结构。测定新化合物(晶态)分子的准确三维空间(包括键长、键角、构型、构象乃至成键电子密度)及分子在晶格中的实际排列状况 可以提供晶体的晶胞参数、所属空间群、晶体分子结构、分子间氢键和弱作用的信息以及分子的构型及构象等结构信息。它广泛用于化学晶体学、分子生物学、药物学、矿物学和材料科学等方面的分析研究。X射线单晶衍射仪是以丹东通达科技有限公司为牵头单位，承担的国家科技部-【国家重大科学仪器设备开发专项】立项的高新技术产品，填补国内没有单晶衍射仪研制和生产的空白。仪器特点：整机采用可编程序控制器PLC控制技术； 操作方便，一键式采集系统；模块化设计，配件即插即用，无需校准；触摸屏实时在线监测，显示仪器状态；高功率X射线发生器，性能稳定可靠；电子铅门联锁装置，双重防护。仪器精度：2θ角重复精度：0.0001°；最小步进角度：0.0001°； 温度控制范围：100K—300K控制精度：±0.3K测角仪：采用四圆同心技术来保证无论发生怎么样的转动均可使测角仪中心保持不变,实现获得最精准的数据的目的,得到更高的完整率，四圆同心是常规单晶扫描的必要条件。PILATUS混合像素探测器：采用PILATUS混合像素探测器能够实现最好的数据质量的同时保证低功耗和低冷却的特点,该探测器将单光子计数和混合像素这两项关键技术相结合，应用于同步辐射和常规实验室光源等各个领域，有效排除读出噪声和暗电流的干扰，混合像素技术可以直接探测X射线，更易分辨信号，并且PILATUS探测器可以高效提供优质数据。 高速二维面探测器特点（可选配）： 敏感区域 [mm2]：83.8 × 70.0像素尺寸 [µ m2]：172 × 172像素间距： 0.03%最大帧速率[Hz]：20读出时间[ms]:7能量范围[keV]:3.5 - 18低温设备：通过低温设备采集的数据结果更加理想，在低温设备的作用下可提供更多的优势条件可以使不理想的晶体获得理想的结果，也可使理想的晶体获得更理想的结果。温度控制范围:100K~300K； 控制精度:±0.3K 液氮消耗量:1.1~2升/小时；完美的控制软件及测试结果：可选附件：多层膜聚焦透镜：X射线管功率：30W或50W；发散度：0.5~1 mrad；X射线管靶材：Mo /Cu 靶；焦斑：0.5~2 mm销售业绩：

产品介绍：单晶衍射仪Xtalab Pro系列可以适用于广泛的样品类型，从小分子结构到生物大分子结构。单晶X射线衍射仪主要应用了HPAD探测器。HPAD探测器技术产生了一个近乎完美的探测器，而且就一个单晶衍射来说，它扩大了信息收集速度、增强了收集有效信息的能力。。PILATUS 200K硅阵列（HPAD）探测器是XtaLAB PRO 里的标准探测器，它是基于同步光束在世界范围内被认可的的探测器。。探测器的这些显著特点确保了每一台单晶衍射仪都尽可能的搜集到最有效的数据。 特点：★无快门数据收集★极低噪音★卓越的点扩散函数★范围广泛的X射线源：微焦点密封管X射线光源，标准密封管X射线光源，标准转靶X射线光源， ★多种可供选择的配置

产品名称：ALN单晶（进口） 技术参数：晶向：0001±1°尺寸：9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数：Absorption coefficient 80 cm-1Etch pit density(EPD)： 1E5 cm-2可用面积Usable area： 80 %边缘排除edge exclusion：1.0 mm表面粗糙度：Al 面: CMP polish (RMS 0.8 nm), N 面: optical polish (RMS 3 nm)位错密度dislocation density： 1E5 cm-2XRD摇摆曲线图(spot size 10 x 1 mm2)：FWHM (002): 0.3°，FWHM (102) 0.5° 产品规格：9.9x9.9x0.5±0.05mm 标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装盒

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

应用材料范围：● 硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层无接触且非破坏的少子寿命成像测试：(μPCD/MDP(QSS),光电导率，电阻率和p/n型检测● 符合半导体行业标准 SEMI PV9-1110半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。MDPpro单晶、多晶晶圆和晶锭少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 上限通量: 240 bricks/day或720 wafers/day● 测试速度: 4 minutes，156×156×400 mm 标准晶锭● 寿命测试范围: 20 ns到几十ms● 产量提升: 1mm的切割标准156×156×400mm标准晶锭● 质量控制: 专为单晶或多晶硅等工艺和材料的质量监控而设计● 污染判断: 产生于坩埚和生产设备中的金属污染 (Fe)● 可靠性: 模块化，坚固耐用的工业仪器，具有更高的可靠性和正常运行时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率：电阻率面扫功能，无需频繁校准应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试● 晶圆切割，熔炉监控，材料优化a.具有自动确定切割标准的多晶硅砖的寿命（τ）图b. 空间分辨p / n电导转换的检测c.多晶硅块的电阻率图

四电弧高温单晶生长炉 日本GES公司生产的四电弧高温单晶生长炉，采用电弧放电的高温材料合成方法，非常适合生长化学性质活跃但熔点高（一般在3000摄氏度左右）的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金单晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金单晶。生长的过程中，原料放在旋转的铜坩埚中，四个电同时放电形成高温熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法将熔化的原料拉成单晶。样品室的真空度可达10-6托，也可以充入保护性气体。产品特点* 采用四电弧法加热* 可实现3000°C高温* 适用于金属间化合物材料基本参数样品腔：高温度：3000℃气氛：Ar工作压强：5x10-6 Torr~1.1Atm真空度：10-6 Torr尺寸:直径208*300H材料:不锈钢冷却:水冷提拉棒：提拉生长速度：0.1-39mm/hr转动速度:0-10rpm行程：150mm坩埚：转动速度：0-10rpm行程：20mm电弧电流：样品：25/30A（可调） 真空吸气剂：25/30A（可调）炉体：重量：350Kg尺寸：600W*700D*2155H工作原理图发表文章1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).国内用户单位北京大学中科院物理所复旦大学国外用户单位Tokyo UniversityOkayama UniversityOsaka UniversityUniversity of California San DiegoUniversity of MarylandVienna University of Technology

X-3/4/4A型高精度X射线单晶定向仪 此3种型号为双晶衍射型高精度定向仪，强度较低。主要用于测定高精度水晶晶片以及其他单晶材料。 型号 角度显示方式 测角精度 角度显示精度 X-3型 刻度显示 ± 15&Prime 最小读数15&Prime X-4型 数字显示 ± 15&Prime 最小读数10&Prime X-4A型 数字显示 ± 15&Prime 最小读数1&Prime 技术指标: 完全符合国家最新标准（JB/T5482-2004），并达到国外相似型号仪器水平。 输入电源：单相交流220V，50Hz,0.5kW X射线管：铜靶，风扇冷却 最大管电压电流：30Kv，mA 时间常数：0.4，0.8秒 测角范围：2&theta ＝10～120° ，&theta =-10～60° 角度读数：刻度环上标出最小读数为：2&theta ：1° ，&theta ：1° 数字显示以度、分、秒表示 角度调整：数字显示可予置在作任何角度上 主 光 匣：手动 显示板：角度显示，射线强度表。 附件：陶瓷真空样品架，长条样品架。弹簧样品架、大块样品架为任选件 单 色 器：内置 综合精度：± 15&Prime 外型尺寸：1140（长）× 650（宽）1100× （高）mm 重量：300kg具体信息请点击查看：

产品型号：DX-100产品简介：该仪器是光机电一体化精密仪器，采用主机与电器控制分体化，体积小、重量轻，是各种单晶材料期间的科研部门和生产行业较为理想的仪器。技术参数：1、输入电源：单相220V(AC),50Hz，0.5KW X-ray管铜靶，风扇冷却，阳极接地。 2、最大管电压电流：30KV,5mA(连续可调) 3、探测器：盖革记数管。 4、工作电压最高为1050V 5、时间常数：1(快)、2(慢)两档 6、角度读数：刻度环上标出最小读数为2&theta :1度&theta :1度，数子显示以度、分、秒表示，最小读数为10度 7、角度调整：数字显示可置于任何角度上，测量的角度范围(2&theta ):--10度~140度(&theta ):--10度~70度 8、狭缝：4'、5'、6' 9、衍射峰位置的测量精度：± 30 标准配件：主光闸：电动 标准包装：体积：主机628 x 512 x 428mm，电气控制箱520 x 520 x 468mm 重量：45kg 具体信息请点击查看：

Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device应用范围：用于常规质量控制、精密材料研发的单晶和多晶片及晶锭的寿命测量 根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。晶圆切割，炉内监控，材料优化等。日常寿命测量，质量控制和检验 ◆产量：240块/天或720片/天◆测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，4分钟◆生产改善：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭◆质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅◆污染测定：起源于炉和设备的金属(Fe)◆可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高的可靠性和运行时间 99%◆可重复性: 99.5%◆电阻率：不需要经常校准精密材料研发铁浓度测定陷阱浓度测定硼氧测定依赖于注入的测量等特性完全无触点无破坏的半导体特性特殊的“表面之下”寿命测量技术不可见缺陷的 灵敏度的可视化自动切割标准定义空间分辨p/n电导型变换检测

我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

一、方法原理简介标准依据：国家《中华人民共和国生活饮用水卫生标准》（GB 5749-2006）中增加了贾第鞭毛虫和隐孢子虫的微生物指标，要求为1个/10L。该产品运用的检测方法是国标规定的“两虫”IFA 检测方法，采样淘洗及 IMS 系统均符合国标及美国 EPA1623 的标准方法。具体步骤如下：过滤采样→淘洗浓缩→ IMS 磁分离→ IFA 染色→显微镜检二、主要特点及技术先进性说明（一）、两虫系统设计的标准性、合理性、适用性1、 美国UniBest公司Compact 型两虫检测仪 IFA 染色系统符合并优于中国国标。2、 美国UniBest公司Compact 型两虫检测仪 IMS 免疫磁分离系统采用国标 GB/T 5750.12-2006 方法。3、 美国UniBest公司Compact 型两虫检测仪过滤系统采用符合国际技术规范规定的一次性滤囊。（二）、两虫系统的可靠性、稳定性1、 过滤步骤回收率 ≥12、 淘洗步骤回收率 ≥80%3、 IMS 免疫磁分离步骤回收率 ≥90%4、 总回收率（过滤、淘洗、磁珠分离、染色）≥ 35%5、 检测结果相对标准差 ≤10%6、 镜检率：贾第鞭毛虫孢囊 1检出，隐孢子虫卵囊 1检出7、 检测可处理高浊度水样：可达 100（NTU）8、 试剂盒配备预制的阳性对照玻片，确保试剂盒的有效活性；完全避免误检，确保检测的准确性和权威性。9、 保质期长：美国 UniBest 优佰达公司 ClearScan 系列两虫 IFA 染色试剂保质期长达 24 个月，是业内保质期最长、性能最稳定的 IFA 试剂。（三）、两虫系统的先进性、准确性、经济性1、 特笑标记单克隆抗体：包括抗隐孢子虫抗体和抗贾第鞭毛虫单克隆抗体的异硫氰酸荧光素（FITC），系一种特笑的免疫球蛋白M五聚体，由5 个FITC结合点位同时标记一个抗体，具有显著的明亮荧光效果，该抗体是国标为一推荐的染色试剂。2、 提供特笑固色液：固色液使显色更稳定，几天后仍不褪色镜检效果依然清晰。3、 美国 UniBest 优佰达公司 ClearScan 系列 IFA 染色试剂已添加专用复染液，可使聚焦更准确，计数更清晰准确。4、 提供阳性对照玻片：试剂盒（25 次测试量）中含一个预制的载玻片供随时自检，使测试更便捷更省时。5、 采样过滤系统采用美国 EPA1623 标准推荐的一次性滤囊，完全杜绝样品交叉污染；可以在不更改所有实验仪器、试剂及器具的情况下完全替代其它品牌的一次性或多次使用的过滤器具。6、 美国 UniBest 公司 ClearScan 系列两虫检测系统，日常检测运行成本与市场同类产品相比具有明显优势。三、系统概述（一）、采样淘洗浓缩系统采用符合中国国标及美国 EPA 要求的囊式过滤器对水样进行过滤，将孢囊、卵囊及其他物质收集在过滤器上，该过滤器可用于实验室及野外现场水样过滤。滤囊利用两虫专用淘洗缓冲液将拦截在滤囊上的两虫振荡洗脱下来，zui后进行离心收集。 （二）、免疫磁分离系统（IMS）IMS 过程使用美国 UniBest 优佰达公司的 ClearScan 系列两虫专用免疫磁分离试剂盒，利用带有特异性抗体的磁珠与样品中的贾第鞭毛虫和隐孢子虫特异性抗原相结合，在磁场中高效选择性分离，该步骤可保证检测的特异性。 （三）、IFA（间接免疫荧光）染色系统使用美国 UniBest 优佰达公司的 Cellabs 型检测贾第鞭毛虫和隐孢子虫诊断专用试剂盒（内含特笑的免疫球蛋白 M 五聚体 FITC 单克隆抗体）对水样中的两虫（抗原）进行荧光标记，同时利用细胞核染色剂 DAPI（4，6-二脒基-2-苯基吲哚）与细胞核中的双链 DNA 结合发出荧光，排除假阳性反应，从而提高镜检准确性。（四）、显微镜检系统使用两虫专用高级荧光显微镜对着色样本进行检测，观察样本，对符合孢囊和卵囊大小、外形、荧光特性的被观察物依据国标 GB/T 5750.12-2006 中贾第鞭毛虫孢囊与隐孢子虫卵囊的特征（见尾页）进行定性、定量分析。四、技术参数系统设备主要性能技术标设备的应用和特点过滤采样及淘洗浓缩系统UniBest 公司囊式过滤器1、 此方法比其他方法更快更简单，可以对多样个样品同时进行处理；2、 一次性的设计杜绝交叉污染，避免造成假阳性误判3、 囊式滤器采用特制的0.45μm孔径的改良滤膜能1截留两虫，排除了假阴性。该方法符合中国国标 GB5750.12-2006 及美国 EPA 两虫过滤采样方法；专用于水源水与自来水的隐孢子虫及贾第鞭毛虫的浓缩与回收；使用简单，滤器无需安装和清洗。UniBest 公司洗脱振荡器1、 电源：230V 50HZ 50W2、 工作振幅：1.5mm3、 速度范围：0-1000 振幅/分钟4、 zui达载重：3kg5、 净重：8kg该产品可同时洗脱 12 个样品，有效地节省了大量的人力及样品前处理时间。专用蠕动泵1、 适用电源：AC220V/50Hz2、 消耗功率：140W3、 流量范围：0.7-6000ml/min4、 转速 10-600rpm5、 液晶显示屏6、 工作环境：环境温度 0~40°C，相对湿度80%专用蠕动泵因水样只接触泵管，维护清洗简单。可选双通道，同时采样两个样品。专用离心机1、 适配器：4x250ml2、 zui达转速：5300rpm3、 定时范围：0-99min4、 电源：AC220V 50Hz 20A5、 相对zui达离心力：5000g（注：g 为重力加速度）6、 噪声（zui达转速）： ≤ 60Db(A)7、 净重：30kg特有的安全保护设计：1、 超速停止、门盖自锁、误操作保护2、 紧急情况开门3、 防爆门盖4、 蜂鸣器报警系统5、 具有 10个程序升降速率曲线 五、备注按照国标 GB 5750 12-2006《生活饮用水标准检验方法》规定，“两虫”检测系统大致分为以下五个步骤，分别是：过滤采样→ 淘洗浓缩→ IMS 磁分离→ IFA 染色→ 显微镜检，其中过滤采样仅仅是“两虫”检测环节中的一个非核心步骤，实验方法中所提到的过滤器的型号并不能断章取义地代表两虫检测的采样方法实质，更不能以偏概全地代表两虫检测全过程的检测方法；过滤采样器只是收集样品的工具，而并非两虫检测的关键技术，并且随着两虫采样技术的进步，只要使用的两虫采样器达到样本采集的目的即可；如果仅仅用一个过滤采样器的型号来自称是国标甚至国际标准的实验方法，就会混淆了两虫检测方法以及国家标准的本来实质。美国 UniBest 优佰达集团的“两虫”检测系统，采用的是一次性滤囊的过滤采样方法，且性能指标不仅满足而且优于国标（国标要求滤囊的孔径为 1μm，我们的孔径为0.45μm，更小的孔径，更能, 保证两虫的 1完全截留, ）。“两虫”检测的核心步骤在于 IFA（间接免疫荧光）染色，美国 UniBest 优佰达集团“两虫”染色试剂是国标核心步骤为一指定的染色试剂。 上海中联发环保发展有限公司 400-880-3698

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米 装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

EVG320 Automated Single Wafer Cleaning SystemEVG320 自动化单晶圆清洗系统自动单晶片清洗系统，可有效去除颗粒 EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。 机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。 除了使用去离子水冲洗外，配置选项还包括兆频，刷子和稀释的化学药品清洗。 特征多达四个清洁站全自动盒带间或FOUP到FOUP处理可进行双面清洁的边缘处理（可选）使用1 MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高效清洁先进的远程诊断防止从背面到正面的交叉污染完全由软件控制的清洁过程EVG320技术数据晶圆直径（基板尺寸）200、100-300毫米 清洁系统开室，旋转器和清洁臂腔室：由PP或PFA制成（可选）清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：最高3000 rpm（5秒内）超音速喷嘴：频率：1 MHz（3 MHz选件）；输出功率：30-60 W；去离子水流量：最高1.5升/分钟；有效清洁区域：?4.0 mm；材质：聚四氟乙烯兆声区域传感器：可选的；频率：1 MHz（3 MHz选件）输出功率：最大2.5 W /cm2有效面积（最大输出200 W）去离子水流量：最高1.5升/分钟有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性 材质：不锈钢和蓝宝石；材质：PVA

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤 热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。