成套束光刻系统

应用方面有什么基本的区别？另外实验室想买一套电子束光刻设备，有什么好的推荐？

[color=#000000]国产电子束光刻机实现自主可控，是实现我国集成电路产业链自主可控的重要一环。近日，松山湖材料实验室精密仪器联合工程中心产业化项目研发再获新突破：项目团队成功研制出[b]电子束光刻系统[/b]，在全自主电子束光刻机整机的开发与产业化过程中取得阶段性进展，初步实现了电子束光刻机整机的自主可控，标志着[b]国产电子束光刻机研发与产业化迈出关键一步。[/b][/color][color=#000000]电子束光刻是利用聚焦电子束对某些高分子聚合物（电子束光刻胶）进行曝光并通过显影获得图形的过程，而产生聚焦电子束并让聚焦电子束按照设定的图形扫描的仪器就叫做电子束光刻机。它是推动我们当前新材料、前沿物理研究、半导体、微电子、光子、量子研究领域的重要手段之一。此前，全球电子束光刻机市场高度集中，主要由美日企业垄断，我国尚未掌握该领域核心技术，装备长期依赖进口。[/color][color=#000000]松山湖材料实验室精密仪器研发团队作为首批入驻实验室的团队之一，专注于材料和半导体领域的精密加工、表征和测量设备研发。团队负责人许智已从事相关研究近20年，参与承担多项国家重点研发计划专项工作及国家重大科研装备研制项目，近5年带领产业化团队研发的精密仪器成果转化填补多项国产空白，产值超亿元，产品出口美国、英国、德国、澳大利亚。[/color][color=#000000]为了研制具有自主知识产权的电子束光刻机整机，精密仪器研发团队在松山湖材料实验室完成一期项目研发并成立产业化公司后，带资回到实验室进入“滚动发展”模式：产业化公司东莞泽攸精密仪器有限公司与实验室共同投资2400万元进行第二阶段研发，目标是打造集科研与产业化为一体的电子束装备技术创新基地。通过深入开展电子束与新材料交叉领域的前沿技术研发，实现关键装备和共性技术的自主可控，切实提升我国在电子束加工与制备领域的整体创新能力和产业竞争力。[/color][color=#000000]目前，东莞泽攸精密仪器有限公司已基于自主研制的扫描电镜主机，完成电子束光刻机工程样机研制，并开展功能验证工作。通过对测试样片的曝光生产，可以绘制出高分辨率的复杂图形，朝着行业先进水平稳步前进。该成果标志着泽攸科技在电子束光刻机关键技术和整机方面的自主创新能力获得重大提升。下一步，团队及产业化公司将持续完善电子束光刻机的性能指标，使其达到批量应用及产业化的要求。[/color][来源：松山湖材料实验室][align=right][/align]

重庆川仪九厂隶属于我国最大的仪器仪表企业—以重庆川仪为核心的中国四联仪器仪表集团公司。是重庆市高新技术企业、ISO9001/2000国际质量体系认证企业、ISO14001国际环境管理体系的认证企业、是我国分析仪器行业的骨干专业企业，在分析技术的应用上卓有成就，是分析仪器应用先驱。 　　 　　主要产品有:气体过程分析仪器及成套系统、工业水质分析仪器及成套系统、[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相色谱仪[/url]系列、液相色谱仪系列、光学分析仪器系列以及工业自动化仪表。其中PS3000型过程分析成套系统、WS2000型工业水处理分析成套系统获得国家级重点新产品称号；PP1160干法高温取样探头获得国家实用新型专利；PS3400智能烟气(CEMS)系统是国家中小企业创新基金项目 从PS3000型升级换代的新产品PS6400型CEMS烟气排放连续监测系统获得中国环境保护产业协会中环协（北京）认证中心颁发的环境保护产品认证证书（证书编号：CCAEPI-EP-2006-044）。　　重庆川仪九厂是ABB分析仪器中国销售及技术服务中心 。　　　　重庆川仪九厂将秉承"川仪在用户身边，用户在川仪心中；以顾客为关注焦点，让顾客满意"的服务宗旨；本着"求实、拼搏、创新、发展"的企业精神；坚持"技术为先、品质优良、服务一流、用户至上"的经营理念；以优化结构、壮大求实、提高效益、加快发展为主题，用更新的技术、更好的服务与我们的客户诚信合作、共图发展。[em61]

光刻加工工艺中为了图形转移，辐照必须作用在光刻胶上，通过改变光刻胶材料的性质，使得在完成光刻工艺后，光刻版图形被复制在圆片的表面。而加工前，如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是最好的，但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑，需要对光刻胶进行合理的选择。 划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在曝光之后，被浸入显影溶液中。在显影过程中，正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下，未曝光的区域保持不变。负性光刻胶正好相反，在显影剂中未曝光的区域将溶解，而曝光的区域被保留。正性胶的分辨力往往是最好的，因此在IC制造中的应用更为普及，但MEMS系统中，由于加工要求相对较低，光刻胶需求量大，负性胶仍有应用市场。　　光刻胶必须满足几个硬性指标要求：高灵敏度，高对比度，好的蚀刻阻抗性，高分辨力，易于处理，高纯度，长寿命周期，低溶解度，低成本和比较高的玻璃化转换温度（Tg）。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。大多数光刻胶是无定向的聚合体。当温度高于玻璃化转换温度，聚合体中相当多的链条片以分子运动形式出现，因此呈粘性流动。当温度低于玻璃化转换温度，链条片段的分子运动停止，聚合体表现为玻璃而不是橡胶。当Tg低于室温，胶视为橡胶。当Tg高于室温，胶被视为玻璃。由于温度高于Tg时，聚合体流动容易，于是加热胶至它的玻璃转化温度一段时间进行退火处理，可达到更稳定的能量状态。在橡胶状态，溶剂可以容易从聚合体中去除，如软烘培胶工艺。但此时胶的工作环境需要格外关注，当软化胶温度大于Tg时，它容易除去溶剂，但也容易混入各种杂质。一般来说，结晶的聚合体不会用来作为胶，因为结晶片的构成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。　　感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在曝光过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统，有一种感光剂的情形下，称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系，它们不计入胶的成分。　　在曝光过程中，正性胶通过感光化学反应，切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶，在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影，负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留，漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像，而正性胶相反，为下宽上窄的图像。微流控芯片刻蚀如何选择光刻胶呢？一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 相对而言，正性光刻胶比负性的精度要高，负胶显影后图形有涨缩，负性胶限制在2~3μm.，而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度，正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率，但是薄负性胶会影响针孔。同种厚度的正负胶，在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹，正胶难以企及。汶颢科技提供AZ、SU_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。注意事项：①若腐蚀液为碱性，则不宜用正性光刻胶；②看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题③负性胶价格成本低，正性胶较贵；④工艺方面：负性胶能很好地获得单根线，而正性胶可获得孤立的洞和槽；⑤健康方面：负性胶为有机溶液处理，不利于环境；正性胶属于水溶液，对健康、环境无害。

光刻工艺光刻是用光刻胶、掩模和紫外光进行微制造 ,工艺如下 :(a)仔细地将基片洗净;(b)在干净的基片表面镀上一层阻挡层 ,例如铬、二氧化硅、氮化硅等;(c) 再用甩胶机在阻挡层上均匀地甩上一层几百 A厚的光敏材料——光刻胶。光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ,并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比;(d) 在光掩模上制备所需的通道图案。将光掩模复盖在基片上,用紫外光照射涂有光刻胶的基片,光刻胶发生光化学反应;(e)用光刻胶配套显影液通过显影的化学方法除去经曝光的光刻胶。这样，可用制版的方法将底片上的二维几何图形精确地复制到光刻胶层上；(f) 烘干后 ,利用未曝光的光刻胶的保护作用 ,采用化学腐蚀的方法在阻挡层上精确腐蚀出底片上平面二维图形。掩模制备用光刻的方法加工微流控芯片时 ,必须首先制造光刻掩模。对掩模有如下要求：a.掩模的图形区和非图形区对光线的吸收或透射的反差要尽量大;b.掩模的缺陷如针孔、断条、桥连、脏点和线条的凹凸等要尽量少;c.掩模的图形精度要高。通常用于大规模集成电路的光刻掩模材料有涂有光胶的镀铬玻璃板或石英板。用计算机制图系统将掩模图形转化为数据文件，再通过专用接口电路控制图形发生器中的爆光光源、可变光阑、工作台和镜头，在掩模材料上刻出所需的图形。但由于设备昂贵，国内一般科研单位需通过外协解决，延迟了研究周期。由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求，近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模，用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后，用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上，此透明薄膜可作为光刻用的掩模，基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。湿法刻蚀在光刻过的基片上可通过湿刻和干刻等方法将阻挡层上的平面二维图形加工成具有一定深度的立体结构。近年来，使用湿法刻蚀微细加工的报道较多，适用于硅、玻璃和石英等可被化学试剂腐蚀的基片。已广泛地用于电泳和色谱分离。湿法刻蚀的程序为 :(a) 利用阻挡层的保护作用，使用适当的蚀刻剂在基片上刻蚀所需的通道 ;(b) 刻蚀结束后 ,除去光胶和阻挡层，即可在基片上得到所需构型的微通道；(c)在基片的适当位置(一般为微通道的端头处)打孔，作为试剂、试样及缓冲液蓄池。刻有微通道的基片和相同材质的盖片清洗后，在适当的条件下键合在一起就得到微流控分析芯片。玻璃和石英湿法刻蚀时，只有含氢氟酸的蚀刻剂可用，如HF/HNO3，HF/ NH4。由于刻蚀发生在暴露的玻璃表面上，因此，通道刻的越深，通道二壁的不平行度越大 ,导至通道上宽下窄。这一现象限制了用湿法在玻璃上刻蚀高深宽比的通道。等离子体刻蚀等离子体刻蚀是一种以化学反应为主的干法刻蚀工艺，刻蚀气体分子在高频电场作用下，产生等离子体。等离子体中的游离基化学性质十分活泼，利用它和被刻蚀材料之间的化学反应，达到刻蚀微流控芯片的目的。等离子体刻蚀已应用于玻璃、石英和硅材料上加工微流控芯片 , 如石英毛细管电泳和色谱微芯片。先在石英基片上涂上一层正光胶 (爆光后脱落的光胶)，低温烘干后，放置好掩模，用紫外光照射后显影，在光胶上会产生微结构的图象。然后用活性CHF3等离子体刻蚀石英基片 ,基片上无光胶处会产生一定的深度通道或微结构。这样可产生高深宽比的微结构。近来，也有将等离子体刻蚀用于加工聚合物上的微通道的报道。http://www.whchip.com/upload/201610/1477271936108203.jpg

HGT 4096-2009 化工用现场分析小屋成套系统

2023年12月12日，应用材料公司（Applied Materials， Inc.）和牛尾公司（Ushio， Inc.）宣布建立战略合作伙伴关系，以加速将小芯片异构集成到3D封装中的行业路线图。两家公司正在联合向市场推出首款数字光刻系统，该系统专为人工智能（AI）计算时代所需的先进基板图案化而设计。快速增长的 AI 工作负载推动了对具有更强大功能的更大芯片的需求。随着 AI 的性能要求超过了传统的摩尔定律扩展，芯片制造商越来越多地采用异构集成（HI）技术，将多个小芯片组合在一个先进的封装中，以提供与单片芯片相似或更高的性能和带宽。该行业需要基于玻璃等新材料的更大封装基板，以实现极细间距的互连和卓越的电气和机械性能。应用材料公司和 Ushio 之间的战略合作伙伴关系将两家行业领导者聚集在一起，以加速这一转变。应用材料集团副总裁兼半导体产品事业部HI、ICAPS和外延总经理Sundar Ramamurthy博士表示：“应用材料公司的新型数字光刻技术（DLT）是首款直接满足客户先进基板线路图需求的图形化系统。“我们正在利用我们在大型基板加工方面无与伦比的专业知识、业界最广泛的HI技术组合以及深厚的研发资源，在高性能计算领域实现新一代创新。Ushio集团执行官兼光子学解决方案全球业务部总经理William F. Mackenzie表示：“Ushio在为封装应用构建光刻系统方面拥有20多年的经验，在全球交付了4000多种工具。通过这种新的合作伙伴关系，我们可以通过可扩展的制造生态系统和强大的现场服务基础设施加速DLT的采用，并扩大我们的产品组合，为包装技术快速发展的挑战提供更多解决方案。新的DLT系统是唯一能够实现先进基板应用所需分辨率的光刻技术，同时提供大批量生产所需的吞吐量水平。该系统能够形成小于 2 微米的线宽，可在任何基板上实现最高的小芯片架构面积密度，包括由玻璃或有机材料制成的晶圆或大型面板。DLT系统经过独特设计，可解决不可预测的基板翘曲问题并实现覆盖精度。生产系统已经交付给多个客户，并且已经在玻璃和其他先进的封装基板上展示了 2 微米图案化。应用材料公司开创了DLT系统背后的技术，并将与Ushio一起负责研发和定义可扩展的路线图，以实现1微米线宽及以上先进封装的持续创新。Ushio将利用其成熟的制造和面向客户的基础设施来加速DLT的采用。此次合作将共同为客户提供最广泛的光刻解决方案组合，用于先进封装应用。[来源：仪器信息网译] 未经授权不得转载[align=right][/align]

电子信息产业的更新换代速度不断加快，新技术、新工艺不断涌现，对光刻胶的需求不论是品种还是数量都大大增多。日本是光刻胶生产和应用最多的国家。根据日本富士经济株式会社的统计1，2011年全球光刻胶市场规模为4,736.40亿日元。电脑、手机、显示器等日常电子产品中都需要用到十几种光刻胶，光刻胶是发展微电子信息产业及光电产业中关键基础工艺材料之一。http://www.whchip.com/upload/201610/1477892797460052.jpg 光刻胶发明后，首先被运用于军事、国防设备中高性能集成电路、光学、传感、通讯器材等的加工制作，因此发达国家以前一直将光刻胶作为战略物资加以控制。1994年巴黎统筹委员会（对社会主义国家实行禁运和贸易限制的国际组织）解散前，光刻胶都被列为禁运产品。目前尽管放松了管制，但最尖端的光刻胶产品依然是发达国家管制对象。　 生产光刻胶的原料光引发剂、光增感剂、光致产酸剂和光刻胶树脂等专用化学品是体现光刻胶性能的最重要原料，和光刻胶一样长期以来被国外公司垄断。 我国对光刻胶及专用化学品的研究起步较晚，国家非常重视，从“六五计划”至今都一直将光刻胶列为国家高新技术计划、国家重大科技项目。尽管取得了一定成果，并有苏州瑞红电子化学品有限公司和北京科华微电子有限公司实现了部分品种半导体光刻胶的国产化，但技术水平仍与国际水平相差较大，作为原料的主要专用化学品仍然需要依赖进口。 目前中国需要的绝大部分光刻胶都依赖进口或由外资企业在中国设立的工厂提供。光刻胶作为印制电路板、LCD显示器、半导体的上游材料不能实现国产化，严重制约了我国微电子产业的发展。 光刻胶专用化学品化学结构特殊、保密性强、用量少、纯度要求高、生产工艺复杂、品质要求苛刻，生产、检测、评价设备投资大， 技术需要长期积累。至今光刻胶专用化学品仍主要被光刻胶生产大国日本、欧美的专业性公司所垄断。公司是国内少数从事光刻胶专用化学品研发、生产和销售的企 业之一，主营产品是光刻胶产业链的源头，是光刻胶的基础，属于国家鼓励、重点支持和优先发展的高新技术产品。公司光刻胶专用化学品的发展对于促进光刻胶的 国产化，提升我国微电子产业的自主配套能力具有重要意义。http://www.whchip.com/upload/201610/1477892838134263.jpg

[b]微流控芯片光刻机[/b]专业为[b]微流控芯片制作[/b]而设计，用于[b]刻画制作微结构[/b]表面，全自动化和可编程操作，适合几乎所有常用材料。[b]微流控芯片光刻机[/b]采用多功能一体化设计理念，一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能，而且不需要无尘环境，用户安装使用不再需要单独建设超净间，从而大大提高用户的使用经济性和方便性。[b][url=http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html]微流控芯片光刻机[/url]特色[/b]可以根据用户的芯片衬底基片尺寸，形状和厚度进行调节。是一种无掩模光刻系统，具有两个易操作的软件，用户可以创建个人微结构图案，从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。具有技术突破性设计和灵活性优势，非常适合加工微纳结构用于MEMS，BioMEMS，微流控系统，传感器，光学元件，MicroPatterning微图案化，实验室单芯片，CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/photolithography-MS10.JPG[/img]无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构，从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管（波长405纳米- 50毫瓦），光学扫描器和F-θ透镜（405纳米）。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用，较好的再现性和较高的质量，焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用，修改或其他用户使用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/microcontact-printing.JPG[/img]微流控芯片光刻机：[url]http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html[/url]

光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段，将光束透射过画着线路图的掩模，经物镜补偿各种光学误差，将线路图成比例缩小后映射到硅片上，不同光刻机的成像比例不同，有5:1，也有4:1。然后使用化学方法显影，得到刻在硅片上的电路图（即芯片）。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片，线路图的层数越多，也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面，简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是本次所说的双工作台。光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求，并反馈给能量控制器进行调整。掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。

据商务部网站消息，3月27日，商务部部长王文涛在京会见来访的荷兰外贸与发展合作大臣范吕文，[b]双方重点就光刻机输华和加强半导体产业合作等议题深入交换意见。[/b]王文涛表示，今年是中荷建立开放务实的全面合作伙伴关系十周年。在两国领导人战略引领下，中荷经贸关系稳步发展。[b]中方赞赏荷方坚持自由贸易，视荷方为可信赖的经贸伙伴，希望荷方秉持契约精神，支持企业履行合同义务，确保光刻机贸易正常进行。[/b]要防止安全泛化，共同维护全球半导体产业链供应链稳定，推动双边经贸关系持续健康发展。范吕文表示，荷兰以贸易立国，主张自由贸易，高度重视对华经贸合作。[b]中国是荷兰最重要的经贸伙伴之一，荷兰愿继续做中国可靠的合作伙伴。[/b]荷兰出口管制不针对任何国家，所做决定基于独立自主的评估，并在安全可控前提下尽可能降低对全球半导体产业链供应链的影响。期待两国进一步拓展绿色转型、养老服务等领域合作。[来源：仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

如题： 要求： 1.能协助进行实验室布置规划、布局设计，能进行成套供货，安装调试、配合验收及使用培训。 2.要求时间节点：7月中旬完成供货并安装交付。 3.项目地址：江苏南通 4.欢迎有实力的供应商留言联系交流。

[em04] 哪位大虾有以下标准 请帮帮忙哈~~~~CECS 49-1993低压成套开关设备验收规程CNCA01C-010-2001电气电子产品强制性认证实施规则 低压电器、低压成套开关设备GB/Z18859-2002封闭式低压成开关设备和控制设备在内部故障引起电弧情况下的试验导则SB/T10266-1996家用交流自动调压器再加几个哈 请大家一起帮哈忙哦~~~JJG313-1994测量用电流互感器SJ/T10660-1995 声响器和蜂鸣器通用技术条件SD235-1987电力时控开关DL/T597-1996低压无功补偿控制器订货技术条件DL/T478-2001静态继电保护及安全自动装置通用技术条件YD/T1235.1-2002通信局低压配电系统用电涌保护器技术要求YD/T1235.2-2002通信局低压配电系统用电涌保护器测试方法[em04] [em04] [em04]

成套玻璃仪器装置在化验工作中经常用到,像一些蒸馏装置,提取装置等,我们在使用时该注意些什么呢?使用结束后又该如何存放呢?

请问，现在市场上有没有可以在线检测O2和CO2等气体的传感器，来组建某一电炉中的气氛计算机检测与控制系统，或者有成套这样的气氛控制系统买？我还想了解一些当今国内外工业炉气氛检控的发展状况，请问到哪可以找到一些相关的资料？

对于成套的设备需要分别编号吗？比如显微分析中的主机、显示器、显微镜等需要分别编号吗？

[color=#222222]光刻掩膜设计与加工制造服务，请问可以加工二元光学器件吗？相位型光栅那种.[/color]

请教 光刻胶中重金属检测方法（国标或者行业标准有没有）

每次新买的试剂总是不好添加，序号总是要修改，有好的成套的表格借鉴一下

申请CNAS，实验室进口的大型成套设备，实验程序都是由软件编程设定好的，这类设备该如何进行校准？

横向赛曼石墨炉原子吸收光谱法在紫外正型光刻胶中的应用摘 要：随着电子技术的飞速发展，对紫外正型光刻胶的质量提出了极高的要求。因为紫外正型光刻胶中钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的存在将严重影响器件的成品率、可靠性和电化学性。因此建立准确、快速的分析方法有一定的意义。对于光刻胶中金属的检测方法，有电感耦合等离子体-质谱法（ICP-MS）、电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-AES），但是这两种方法光刻胶都需要经过湿法消解或者干法灰化后才可以进样。湿法消解或者干法灰化容易引起易挥发元素的损失，同时存在容器污染，酸基体或者其他试剂的污染，本底较高等问题。本文提出了用石墨炉原子吸收法（GFAA）直接测定紫外正型光刻胶中十种金属元素的方法，本方法不经任何化学处理和富集，减少了中间过程，避免了样品被污染。详细描述了仪器最佳条件选择、控制空白，建立标准曲线、加标回收、测定检出限的方法。钙、铬、铜、铁、钾、镁、钠、镍、铅、锌的检出限分别为0.07ng/ml、0.03ng/ml、0.15ng/ml、0.15ng/ml、0.01ng/ml、0.03ng/ml、0.05ng/ml、0.36ng/ml、0.14ng/ml、0.02ng/ml。石墨炉原子吸收法（GFAA）需要选择合适的溶剂稀释光刻胶，考虑到试剂对光刻胶的溶解性，试剂本身空白值的大小等因素，我们最终选择丙二醇甲醚醋酸脂（PGMEA）做稀释剂，稀释样品后直接进样。关键字：紫外正型光刻胶、金属、石墨炉原子吸收绪 论：光刻胶(又称光致抗蚀剂)是指通过紫外光、准分子激光、电子束、离子束、X射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料。主要用于集成电路和半导体分立器件的微细加工，同时在平板显示、LED、倒扣封装、磁头及精密传感器等制作过程中也有着广泛的应用。由于光刻胶具有光化学敏感性，可利用其进行光化学反应，将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上。因此光刻胶是微细加工技术中的关键性化工材料。随着集成电路（IC）存储容量的逐渐增大，存储器电池的蓄电量需要尽能的增大，因此氧化膜变得更薄，而紫外正型光刻胶中的碱金属杂质(Na、[/size

实验中经常会用到一些成套的玻璃仪器装置,像是回流装置,提取装置等,这些仪器因为构造,清洗时也比较难,大家有没有好的清洗方法,效果如何?

各位老师，同学。文献介绍说金属粉末颗粒分散在photo-resist solution AZ135O中，80℃+5h的加加热条件，然后凝结，光刻胶可以包裹颗粒。用于制备微米级粉末的TEM试样。在网上查了一下，紫外光刻胶，说AZ系列是国外的，所以请问各位，为了实现我的目的，是否有同类型的国产的紫外光刻胶可以代替AZ135O。谢谢

各位兄弟姐妹， 我们实验室买了一台紫外光刻机，但是没有买配的真空泵，我需要采购一台用来吸掩膜板和基片的吸气泵，请问买什么类型，多大力量的合适。有没有在用的告知一下效果？

实验室想针对生物技术专业开展实验教学，想采购层析成套装置，求高手推荐资料和品牌。

[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=23228]低压开关成套设备检验规程[/url][img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=23229]检验试验仪器操作规程[/url]

我公司位于江苏省镇江扬中市，现急需“污水处理场分析小屋” 成套生产专业工程人员，作为我公司该项目负责人，亦可以兼职，待遇优厚，请尽快与我联系，13952976728华总。

城市污泥处理是一个世界性难题，污泥生物干化和堆肥更不是件简单的事情。目前，国内外堆肥技术普遍存在产生恶臭、无害化不彻底等诸多问题。因此，一定要从成套技术和工程的角度，选择与污水处理相匹配的成熟和完善的污泥处理处置技术与设备。”2009年6月26日由中国水网和清华大学联合主办的“2009水业技术高级论坛”上，陈同斌——这位坚持16年专注于城市污泥处理研究与实践的科学家如是说，并结合他们已经在运行的多个污泥处理工程，进行污泥生物干化与堆肥工艺及技术的专题演讲。陈同斌，中国科学院“百人计划”入选者，国家杰出青年科学基金获得者，现任中国科学院地理科学与资源研究所环境修复中心主任，是国际水协会(IWA)污泥管理专家组成员，长期从事城市污泥、固体废弃物资源化利用和土壤环境修复技术等研究。十六年前，通过对我国污水处理行业发展态势及其存在问题的分析和远景预测，陈同斌就预见到处理污泥的技术将是我国污水处理行业发展的瓶颈因素，并组建一个强大的团队开展技术研发。“多年的科学研究和工程实践表明，城市污泥的高温好氧发酵处理特别适合中国的实际情况；但是，这其中有很多技术难点”陈同斌研究员说道，“首先要考虑到处理过程必须与污水处理相匹配，必须实现工业化生产。”2003年以来，他们的研究成果与北京中科博联公司合作，在河北秦皇岛、山东寿光等地，建成七家年处理污泥1万～10万吨的污泥生物堆肥/处理与资源化利用工程。他们所发明的CTB自动控制污泥生物干化与生物堆肥成套技术与工艺，能够有效控制发酵过程的臭气产生和排放，大大减少占地面积和缩短污泥发酵时间，原本需要2个月的堆肥时间被缩减到12天，从而大幅度降低投资成本和占地面积。污水处理厂每天产生的污泥必须及时处理，一旦存放超过一定时间，污泥就会处于厌氧状态，也就会发出恶臭气味，这是令污水厂最头疼的问题；传统技术不能监测和控制发酵过程，会产生大量的恶臭气味污染环境；污泥中含有氮磷和有机质等有价值的资源，但也含有病原菌、杂草种子和污染物，如果污泥没有稳定化或无害化处理不彻底，则会对土壤和环境产生危害，并且使作物生长受到严重影响。在一些地方已经出现随意施用污泥导致土壤板结、烧苗和病虫害等问题。经过大量科学试验和工程实践，陈同斌研究员率领研发团队，在国内率先完成了污泥自动控制生物堆肥和土地化利用的全套工艺设计和设备研发集成，实现了污泥工业化堆肥的智能化和远程自动监控，并获得了10多项发明专利和2项软件版权。“工业化、规模化的污泥生物堆肥处理，必须保证污泥处理过程不产生恶臭等二次污染问题，保证污泥生物发酵处理过程的可控性，保持污泥处理后的质量稳定和符合国家标准。”陈同斌强调，“污泥经过严格的生物堆肥(好氧高温发酵)处理后进行土地利用，其主要优点是：无害化处理的效果好且成本低廉，没有二次污染问题，而且能补充土壤有机质和养分，促进植物生长，实现废弃物的资源化。”与国内外干化、焚烧等其它污泥处理技术相比较，CTB污泥处理工艺在投资和运行成本等方面具有较大的优势，而且操作简便、成套技术与设备配套性好、适用范围广、安全性好。该技术是国家重点科技攻关项目、国家高技术研究发展计划、国家科技支撑计划和国家重点科技成果推广计划等10多个国家级项目的高技术成果。在连续16年的国家项目支持下，CTB工艺在臭味技术、自动控制工艺和设备、关键机械设备等方面已取得10多项达到国际先进水平的成果，并有稳定运行4年多的大型生物堆肥工程案例。