Excitation Process激发过程离子产生和表面灵敏度一束高能初级离子轰击样品表面激发出原子和分子碎片 只一小部分激发出的粒子以离子的状态离开表面,被质量分析器探测出来对于无机材料, 原子离子百分含量 10%对于有机材料,原子和分子离子碎片百分含量可以从 .001% 到 1%只从表面2个分子层激发出的粒子可以以离子态离开表面TOF-SIMS 主要功能采集离子质谱图用于表面元素(原子离子),同位素,分子化学结构(通过分子离子碎片)的表征点或面扫描(2D成像)得到成分分布像,观察不同成分在同一条线或面的分布情况深度剖析和3D成像可以分析不同的膜层结构和成分深度分布信息:多层膜层结构表征,成分掺杂深度,扩散,吸附等表征TOF-SIMS 主要信息所有元素探测– H, He, Li, etc. (H~U)同位素的探测 – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.详细的分子信息 – 有机和无机分子成像 平行探测–图像中每一像素点都有对应的全质谱表面灵敏 – 样品表面 1-3 个原子 /分子层痕量分析灵敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子浓度快速数据采集 – 通常 1 – 15 分钟 (表面 IMS)高空间分辨率 70 nm (成像模式下) 0.5 μm (保持较好质量分辨率下) 表面物理形貌信息 离子击发出的 SEI (二次电子像) 60 nm 大的立体接收角 ~ 180o可分析所有材料 – 导体,半导体和绝缘材料
留言咨询