等离子体去胶机

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

氧等离子体去胶机VP-RS15真空腔体不锈钢材质，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于晶圆去胶、煤灰化、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA处理。

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8/12英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

微波等离子体去胶机VP-Q10等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积10升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

PVA-TePla微波等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，去胶均匀。典型应用：去除光刻胶 Photo-resist stripping 去除残胶 Wafer descum晶圆和衬底的清洁 Wafer and substrate cleaningsu-8灰化 Su-8 ashing氮化硅、聚酰亚胺等的刻蚀 Etching of silicon nitride, pi, etc.刻蚀钝化层 Etching of passivation layers逆向分析/失效分析中的器件开封 Device decapsulation for failure analysis微量分析中低温材料灰化 low temperature ashing of materials for chemical trace analysis过滤器和薄膜的清洁 Cleaning of filters and membranes规格参数：2.45GHz风冷微波电源（0～600w可调），石英或陶瓷腔体，防腐蚀不锈钢MFC,多至6路气体，兼容8英寸及以下晶圆PC 工控机控制，运行数据自动存储；分级控制权限，防止操作图形化触控屏界面，运行状态图形化实时显示。自动/手动随意切换可选配法拉第桶可选配温控系统可选配压力控制系统外形尺寸：775×749×781 mm 认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001IoN Wave 10 等离子体去胶机是PVA TePla 在微波等离子体处理工艺中的新产品。该批次式晶圆灰化设备成本低廉、尺寸适用、性能先进。IoN Wave 10 使用新的、性能出色的组件和软件，可对工艺参数进行精确控制。其工艺监测和数据采集软件可实现最严格的质量控制。IoN Wave 10 占地面积小，安装维护简单。依靠微波等离子体技术，该设备在提供极高的光刻胶灰化速度的同时，降低了产品暴露在静电中风险。

微波等离子去胶机VP-RS20真空腔体不锈钢材质，腔体容积20升，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到去胶、清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于芯片去胶、晶圆去胶、半导体刻蚀、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA等离子体去胶处理。

一、产品简介CIF推出等离子去胶机，采用电感耦合各向同性（各个方向）等离子激发方式，适用于所有的基材及复杂的几何构形都可以进行等离子体去胶。其外观美学设计，结构紧凑，漂亮大气，优化的腔体结构及合理的结构设计，使得处理样品量更大，适用范围更广，性能更稳定，操作更简便，性价比更高，使用成本更低，实用性更强，更容易维护。特别适合于大学，科研院所和微电子、半导体企业实验室，对电路板、外延片、芯片、环氧基树脂、MEMS制造过程中牺牲层，干刻或湿刻处理前或后，对基材进行聚合物剥离、金属剥离、掩膜材料等光刻胶去除，以及晶圆表面预处理等。二、产品特点1. PLC工控机控制整个去胶过程，手动、自动两种工作模式。2. 7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化用户操作界面显示，自动监测工艺参数状态，20个配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。3. 石英真空仓，全真空管路系统采用316不锈钢材质，耐腐蚀无污染。4. 可选用石英舟，更适合晶元硅片去胶应用。5. 有效处理面积大，可处理最大直径200mm晶元硅片。6. 采用花洒式多孔进气方式，改变传统等离子清洗机单孔进气不均匀问题。7. 采用防腐数字流量计，实现对气体输入精准控制。标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，气体分配均匀。可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。8. HEPA高效过滤，气体返填吹扫，防止二次污染。9. 处理高效均匀，效率高，工艺重复性好。10. 样品处理温度低，无热损伤和热氧化。11. 安全保护，仓门打开，自动关闭电源。三、技术参数型号SPB5SPB5plus舱体尺寸D200xΦ155mm D200xΦ155mm 舱体容积3.8L3.8L射频电源40KHz13.56MHz匹配器自动匹配自动匹配激发方式电感耦合电感耦合射频功率10-300W可调10-300W可调（可选10-600W）最大处理尺寸Φ150mΦ150m气体控制质量流量计（MFC）（标配单路，可选双路）流量范围0-500SCCM（可调）工艺气体Ar、N₂ 、O₂ 、H₂ 、CF4、CF4+ H2、CHF3或其他混合气体等（可选）时间设定1-99分59秒真空泵抽速约8m3/h气体稳定时间1分钟极限真空≤1Pa电 源AC220V 50-60Hz，所有配线符合《低压配电设计规范 GB50054-95》、《低压配电装置及线路设计规范》等国标标准相关规定。

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

产品特点 WB240等离子清洗机/去胶机采用专利高密度微波等离子技术，用于半导体生产中晶圆的清洁、去胶和等离子体预处理，微波等离子体清洗具有高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。 　微波等离子清洗机主要用途：等离子体表面改性有机物表面等离子去胶邦定强度增强等离子体刻蚀应用等离子体灰化应用增强或减弱浸润性其它等离子体系统应用 技术参数◆ 外形尺寸(不包括报警灯) 1000(W)×800(D)×1750(H)mm◆ 仓体结构 石英，约20升 ◆ 等离子发生器(德国) 频率2.45GHZ,功率0-1000W连续调节,可连续长时间工作◆ 控制系统 触摸电脑+PLC全自动控制,采用欧姆龙、西门子等世界著名品牌电器元件，性能稳定可靠,并具有手动、自动两种模式◆ 真空系统(真空压力PID闭环自动控制) 英国爱德华斡旋式干泵 美国MKS真空压力控制节流阀及薄膜式传感器 台湾气动真空角阀、充气阀、不锈钢真空波纹管◆ 充气系统 美国MKS高精度电子质量流量计(3路气体配制) 美国世伟洛克气体管路及接口组件，德国双级减压阀 日本SMC及CKD高真空气阀组件 相关应用-晶圆光刻胶清洗

微波等离子清洗去胶机用于半导体生产中晶圆的清洁和等离子体预处理，微波等离子高度活性、高效，且不会对电子装置产生离子损害。微波等离子清洗机实现清洁、活化去胶、刻蚀功效台式微波等离子去胶机采用高密度2.45GHZ微波等离子技术，用于集成电路、半导体生产中晶圆的清洁去胶、硅片去除污染物和氧化物、提高粘接率，微波等离子体清洗、去胶机能够对微孔、狭缝等细小的空间进行处理，具有高度活性、效率高，且不会对电子装置产生离子损害。 通过工艺验证，微波等离子清洗机降低了接触角度，提高了引线键合强度。台式微波等离子清洗机的相关应用 等离子清洗机器的应用包括预处理、灰化/光致抗蚀剂/聚合物剥离、芯片碰撞、静电消除、介质蚀刻、有机污染去除、芯片减压等。使用等离子清洗机不仅能去除光致抗蚀剂和其他有机物质，而且可以活化和增厚芯片表面，提高芯片表面的润湿性，使芯片表面更有粘合力。微波等离子清洗机在半导体封装工艺中的应用：1. 防止包封分层2. 提高焊线质量3. 增加键合强度4. 提高可靠性，尤其是多接口的高级封装为何选择我们？专注研发、制造、生产各种规格等离子清洗机20多年，合作企业涵盖半导体、电子、光电、纺织、塑胶、汽车、塑胶、生物、医疗、印刷、家电、日用品及环保等众多行业，服务过300+优质客户免费咨询讲解、免费样品测试处理、免费上门培训安装调试可根据不同的客户需求提供一对一定制化设备解决方案，欢迎来厂考察

一、小型等离子去胶机清洗机产品应用原理： （1）利用等离子清洗机对包装盒子或玻璃瓶体进行预处理，在包装或瓶体贴标签过程中，经过预处理后，可采用价格低廉、无环境污染的水胶。 （2）另外，金属果酱瓶盖在成型加工中经常会使用润滑油，瓶盖上残留的一些润滑油会影响后续的封口过程。 （3）并且通过等离子清洗机处理，可以消除这些杂质的干扰，不需要使用特制胶，而仍然是使用普通胶就可以很好地完成粘接动作提高附着力。 二、应用特点： 等离子体清洗技术的最大特点是不分处理对象的基材类型，均可进行处理，对金属、半导体、氧化物和大多数高分子材料，如聚丙烯、聚脂、聚酰亚胺、聚氯乙烷、环氧、甚至聚四氟乙烯等都能很好地处理，并可实现整体和局部以及复杂结构的清洗。三、小型等离子去胶机清洗机技术参数： 供电电源AC220V（AC110V可选)工作电流整机工作电流不大于3.5A(不含真空泵)射频电源功率150W射频频率13.56MHz频率偏移量＜0.2MHz特性阻抗50欧姆，手动匹配耦合方式电容耦合真空度≤100Pa腔体材质高纯石英腔体容积2L(内径110MMX深度220MM)观察窗内径Φ65气体流量10—100ml/min（其他量程可选）过程控制过程手动控制清洗时间手动开关开盖方式铰链侧开式法兰外形尺寸400x380x360mm重量23Kg真空室温度小于65°C冷却方式强制风冷标配KF16真空管1米，kf16卡箍2个，不锈钢网匣1个，电源线一根，说明书一本。

微波等离子体刻蚀机VP-Q5等离子激发频率2.45GHz，真空腔体石英玻璃材料，腔体容积5升，中英文操作系统，触摸屏控制，频率2.45GHz有强的化学作用，适用于芯片微波刻蚀、晶圆去胶、半导体光刻胶去除、金属油污去除、半导体、塑料、PP、高分子等材料清洗，活化，蚀刻和改性。

产地：美国，韩国；型号：PS-100, EURA-100 等离子去胶机主要用于光刻胶的剥离或灰化，也可用于： 1. 有机及无机残留物的去除 2. 去除残胶以及等离子刻蚀的应用 3. 清洗微电子元件、电路板上的钻孔或铜线框架4. 提高黏附性，消除键合问题 5. 塑料的表面改性：O2处理以改进涂覆性能 6. 产生亲水或疏水表面等主要配置： 1. 载片(Wafers)：直径不大于100 mm(或200mm)的各种基片 2. 工艺气体(Gas lines)：O2, N2 3. 射频源(Source)：50 ～ 500W(13.56 MHz)连续可调，全自动匹配 4. 气体流量(Gas flow)：MFC精确调控 5. 产能：每次20片，每个循环约5分钟（辉光1分钟） 6. 可升级到反应离子蚀刻(RIE)功能参考用户：广东工业大学等；

微波等离子去胶机： 产品优势：去胶快速干净对样片无损伤操作简单安全设计紧凑美观产品性价比高 应用领域：高剂量离子注入光刻胶的去除湿法或干法刻蚀前后残胶去除MEMS中牺牲层的去除去除化学残余物去浮渣工艺SU-8光刻胶去除

产品详情德国 PVA TePla 等离子去胶机型号：IoN 100WB-40Q等离子去胶机 IoN 100WB-40Q是我们最新推出的具有高性价比的真空等离子去胶设备。它来源于IoN 100-40Q，IoN 100WB-40Q延续了同样的高品质保障，包括可选压力控制器、光谱终点检测器等丰富配置选择。IoN 100WB-40Q配备了一个圆筒石英腔，特别适用于半导体、LED、MEMS等领域的光刻胶灰化、打残胶、氮化物刻蚀、表面清洁等应用的批次处理。IoN 100 WB旨在满足客户的生产需求，着重于表面处理的多功能性和可控性。其先进的性能提供了出色的工艺控制、失效报警系统和数据采集软件。这使得该设备可满足半导体、LED、MEMS等领域严格的程序控制要求。IoN 100 WB结构紧凑，集成度高，采用射频（RF）频率激发等离子体。 先进的功能特性：● 低微粒石英腔体● 触摸屏操作，图形用户界面（GUI）● 使用Windows系统的工业计算机控制● 工艺员、操作元、维护员访问权限控制● 自诊断功能和警报记录功能，联网在线诊断功能● 以太网远程控制功能● 工艺编辑软件提供了快速灵活的步骤控制功能● 可隔墙安装● 可选配光谱终点检测功能 规格参数 工作腔室材料 石英腔门材质 铝（标配）腔体尺寸 直径304 mm，深508mm最大可处理晶圆尺寸 8”最大处理量 50片6”装料方式 手动 工艺气体 质量流量控制计 最多至6路气体工艺压力 200-2000 mTorr(取决于真空泵和气体流量)抽真空时间 大约1分钟 (取决于真空泵)射频电源 风冷13.56MHz,600 瓦(标准配置)供给需求电源　　　　　 220V 单相, 50Hz工艺气体 输入压力 1-2 bar 吹扫气体 输入压力 1-2 bar 压缩空气 输入压力 4-6 bar 机体● 独立的机体带有所有电源和气体接口● 带有旋转垫脚的可转动机身 设备尺寸标准尺寸 1067 x 737 x 1524 mm（宽/高/深，不含泵）重量 约204千克（不含泵）可选项● 压力控制器● 1%精度的真空规● 石英腔门● 指示灯柱● 条形码阅读器● 工艺气体切换器● 光谱终点检测器● 耐腐蚀性气体的MFC● 1000 瓦13.56 MHz射频发生器● 真空泵（油泵或干泵）

Q 240典型应用：等离子去胶，适合大批量生产，也适合于研发、实验室和小批量生产。&bull 去除光刻胶&bull 干刻或湿刻处理前或后&bull SU-8或其他环氧基树脂&bull MEMS制造中去除牺牲层技术规格：&bull 等离子源：2.45Ghz微波等离子源，1200W&bull 腔体 ：石英.φ240mm，长460mm，21L 适用于Wafer最大200mm（8英寸）批量生产&bull 外观尺寸：长760mm，宽775mm，高775mm&bull 处理气体：3路气体+数字MKS流量控制器&bull 真空腔门：抽屉式门+观察窗&bull 温控Wafer Chuck&bull 观察窗 ：UV与微波屏蔽保护&bull GUI 10.4"触摸屏，Window CE操作系统选项：&bull 进口干泵系统（含相关附件）&bull 法拉第笼&bull 石英舟&bull 信号灯塔-红黄绿三色&bull 额外的处理气体线路-最多至4路气体&bull 包装，运输Q 240典型应用：等离子去胶，适合大批量生产，也适合于研发、实验室和小批量生产。&bull 去除光刻胶&bull 干刻或湿刻处理前或后&bull SU-8或其他环氧基树脂&bull MEMS制造中去除牺牲层技术规格：&bull 等离子源：2.45Ghz微波等离子源，1200W&bull 腔体 ：石英.φ240mm，长460mm，21L 适用于Wafer最大200mm（8英寸）批量生产&bull 外观尺寸：长760mm，宽775mm，高775mm&bull 处理气体：3路气体+数字MKS流量控制器&bull 真空腔门：抽屉式门+观察窗&bull 温控Wafer Chuck&bull 观察窗 ：UV与微波屏蔽保护&bull GUI 10.4"触摸屏，Window CE操作系统选项：&bull 进口干泵系统（含相关附件）&bull 法拉第笼&bull 石英舟&bull 信号灯塔-红黄绿三色&bull 额外的处理气体线路-最多至4路气体&bull 包装，运输Q 240典型应用：等离子去胶，适合大批量生产，也适合于研发、实验室和小批量生产。&bull 去除光刻胶&bull 干刻或湿刻处理前或后&bull SU-8或其他环氧基树脂&bull MEMS制造中去除牺牲层技术规格：&bull 等离子源：2.45Ghz微波等离子源，1200W&bull 腔体 ：石英.φ240mm，长460mm，21L 适用于Wafer最大200mm（8英寸）批量生产&bull 外观尺寸：长760mm，宽775mm，高775mm&bull 处理气体：3路气体+数字MKS流量控制器&bull 真空腔门：抽屉式门+观察窗&bull 温控Wafer Chuck&bull 观察窗 ：UV与微波屏蔽保护&bull GUI 10.4"触摸屏，Window CE操作系统选项：&bull 进口干泵系统（含相关附件）&bull 法拉第笼&bull 石英舟&bull 信号灯塔-红黄绿三色&bull 额外的处理气体线路-最多至4路气体&bull 包装，运输Q 240典型应用：等离子去胶，适合大批量生产，也适合于研发、实验室和小批量生产。&bull 去除光刻胶&bull 干刻或湿刻处理前或后&bull SU-8或其他环氧基树脂&bull MEMS制造中去除牺牲层技术规格：&bull 等离子源：2.45Ghz微波等离子源，1200W&bull 腔体 ：石英.φ240mm，长460mm，21L 适用于Wafer最大200mm（8英寸）批量生产&bull 外观尺寸：长760mm，宽775mm，高775mm&bull 处理气体：3路气体+数字MKS流量控制器&bull 真空腔门：抽屉式门+观察窗&bull 温控Wafer Chuck&bull 观察窗 ：UV与微波屏蔽保护&bull GUI 10.4"触摸屏，Window CE操作系统选项：&bull 进口干泵系统（含相关附件）&bull 法拉第笼&bull 石英舟&bull 信号灯塔-红黄绿三色&bull 额外的处理气体线路-最多至4路气体&bull 包装，运输Q 240典型应用：等离子去胶，适合大批量生产，也适合于研发、实验室和小批量生产。&bull 去除光刻胶&bull 干刻或湿刻处理前或后&bull SU-8或其他环氧基树脂&bull MEMS制造中去除牺牲层技术规格：&bull 等离子源：2.45Ghz微波等离子源，1200W&bull 腔体 ：石英.φ240mm，长460mm，21L 适用于Wafer最大200mm（8英寸）批量生产&bull 外观尺寸：长760mm，宽775mm，高775mm&bull 处理气体：3路气体+数字MKS流量控制器&bull 真空腔门：抽屉式门+观察窗&bull 温控Wafer Chuck&bull 观察窗 ：UV与微波屏蔽保护&bull GUI 10.4"触摸屏，Window CE操作系统选项：&bull 进口干泵系统（含相关附件）&bull 法拉第笼&bull 石英舟&bull 信号灯塔-红黄绿三色&bull 额外的处理气体线路-最多至4路气体&bull 包装，运输

Trymax自2003年开始运营，总部设在荷兰Nijmegen，全世界有数十个销售中心以及服务中心。 Trymax的核心业务是通过创新使用等离子体来去除光刻胶以及表面清洁活化，同时Plasma系统可以用于集成电路和其他半导体器件的蚀刻。Trymax设备在半导体去胶、清洗、活化工艺中起到了关键性作用，已经得到世界各大半导体制造商的青睐。Trymax NEO 200A Series&bull 特征- 高达200毫米晶圆尺寸/基板尺寸- 双料盒- 3轴双臂机器人处理- 选择4个不同的流程模块： &bull 微波模块（2.45 GHz） &bull RF模块（13.56MHz） &bull 双源（微波，射频模块） &bull DCP（双射频）- 优异的均匀性和重复性- 产能 100wph- 占地面积小- 基于Windows的工业计算机

等离子去胶机VP-RS6真空腔体不锈钢材质，功率500W，射频频率13.56MHz，能对材料起到清洁、刻蚀、活化、改性的作用，满功率运行3分钟，腔体温度不高于45℃，不损伤样品，适用于芯片去胶、晶圆去胶、煤灰化、碳毯（CF）、微流控芯片PDMS键合、ITO导电玻璃、石墨烯、纤维、单晶硅片、PET、二氧化硅等几乎所有材料的PLASMA去胶处理。

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子清洗和灰化系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 5 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3500（A）全自动等离子清洗/去胶机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子清洗和灰化系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机产品特点紧凑型立式系统自动上下载片带Load Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机Features：Stand Alone SystemAuto wafer Load/Unload with load lockStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 8 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-4000（A）全自动等离子清洗/去胶机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

Plasma Cleaner等离子清洗/去胶机NPC-3000等离子清洗/去胶机概述：NANO-MASTER 等离子灰化和清洗系统是专门设计用来满足晶圆批处理或者单晶片处理的广泛应用，从晶圆的光刻胶剥离到表面改性都涉及到。该系列的设备采用PC控制，可以配套不同的等离子源，加热或不加热基片夹具,具有独一无二的能力:可以从PE等离子刻蚀切换到RIE刻蚀模式,也就是说可以支持各向同性和各向异性的各种应用。NPC-3000等离子清洗/去胶机产品特点台式系不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁NPC-3000等离子清洗/去胶机应用：有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件，电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性，消除键合问题塑料的表面改型：O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面NPC-3000等离子清洗机Features：Table Top or Stand Alone SystemStainless Steel, Aluminum or Bell Jar ChambersClass 100 Clean Room CompatibleShower Head, ICP or Microwave Plasma SourcesRotating PlatenRF Biasable Heated up to 300 °C PID Controlled or Cooled PlatenFully Automated or Manual RF tuningUp to 4 Mass Flow Controllers with Electropolished Gas LinesPC Controlled Pneumatic ValvesMultiple Levels of Access with Password ProtectionPC Controlled with LabVIEWMechanical Pump with Pressure goes to 10 mTorr 250 l/sec Turbomolecular Pump5x10-7 Torr Base PressureFully Safety InterlockedNPC-3000等离子清洗/去胶机Applications:Removal of Organic and Inorganic Materials without ResiduesPhotoresist Stripping or AshingDesmearing and Etch Back Applications Cleaning Microelectronics, Drilled Holes on Circuit Boards or Cu Lead FramesAdhesion Promotion, Elimination of Bonding Problemsurface Modification of Plastics: O2 Treatment for PaintabilityProducing Hydrophilic or Hydrophobic Surfaces

ICP/RIE-200PA 是一种新型的低成本、高性能、实验性远程射频等离子去胶系统，手动装载晶圆片，应用于单片晶圆光刻胶灰化、残胶去除及表面清洗工艺，可满足小型晶圆厂、大学实验室、初创公司的使用需求。设备采用触摸屏+PLC全自动控制，凭借其时尚、紧凑的设计，只需占用很小的洁净室空间，使用维护简单方便。产品特点： 可最大处理8寸晶圆ø203mm，也可兼容处理3寸、4寸和6寸晶圆 12寸触摸屏+PLC全自动控制，具有手动和自动两种模式 PID自动真空压力控制，可精确控制过程压力(±1pa)，不受气体流量的影响 独特工艺气体分配喷淋结构，使进气更均匀，去胶均匀度≤5% 水冷放电电极，去胶过程工艺可控(可选择加热功能)产品应用： 光刻胶灰化、剥离和残胶去除 湿法蚀刻前的晶圆清洗、表面预处理 晶圆应力释放Si、SiO2、SiN、Poly-Si、GaAs、Pt、聚酰亚胺等各种材料的蚀刻（可选配）

微波等离子系统全自动系列简介：ALPHA Plasma 在半导体和电子行业里是一个全球化运营的微波等离子系统设备供应商。我们专注于为晶圆制造和芯片封装产业提供先进的低压微波等离子技术。我们的目标不仅仅是提供我们的精密设备，更是为我们客户提供一个能改进工艺的一站式等离。ALPHA Plasma 的Q系列产品主要包括批处理式的2.45Ghz微波等离子去胶机，可以快速且无害的去除光刻胶。并且可以满足大多数在Descum过程中对一致性的严格要求。除此之外，当Alpha Plasma Q系列产品配置一个晶圆用的加热卡盘时，它同样可用于单片晶圆的其他苛刻应用，比如SU-8,PI去除等。技术选型指南：Q 150Q 235Q 240Process Chamber石英 QuartzGlassChamber Size(mm)φ150 x L260φ240 x L260φ240 x L460Volume(L)61121最大样片尺寸 Wafer Size4”6”8” Chamber door铝制抽屉式,带微波屏蔽观察窗Aluminum,drawer type door with viewing port工作压力 Working Pressure(Pa)≤100 Microwave Source2.45GHz,50~600W连续可调50~600W Adjustable2.45GHz,50~1200W连续可调50~1200W Adjustable Gas Supply标配2路MFC控制最大支持6路2 MFC Standard,Max to 6标配3路MFC控制最大支持6路3 MFC Standard,Max to 6 Vacuum GaugePirani, 1~1*105 PaBaratron, 1~1000PaVacuum Valve电子气动阀 Electro-pneumatic valve显示屏尺寸 Display Size7”10.4”10.4”InterfaceEthernet,USB,RS 232 System Control正版Windows Embedded Compact 2013,触摸控制图形界面显示, 图形化参数设置 支持权限控制、安全互锁、多级菜单设置 可保存并 导出运行、报警、错误等数据 导出数据格式兼容Windows Office软件。Windows Embedded Compact 2013, Graphical user interface Software.Dimensions(mm)W500*H370*D550W620*H500*D550W760*H775*D775Weight(Kg)407095Utilities1 connection 3/N/PE AC 50/60 Hz 400/240 V 16 AVacuum Pump标配干泵，可选配油泵 Dry pump or oil pump on request.Options:Wafer Boat√Light Tower-√HT加热台盘 Heating Chuck-√TC温控台盘Temperature Control Chuck -√

AXIC PlasmaSTAR桶状等离子体处理的独特模块化方法Axic公司的PlasmaSTAR系列等离子体处理系统定义了桶状等离子体处理的新概念。该系统基于模块化设计概念。从通用基础单元开始，多个电极模块可轻松插入基础单元。您会发现易用性，各种等离子工艺，可维护性和有吸引力的价格是任何其他等离子无法超越的。可互换电极模块多种电极配置:笼，托盘，RIE，下游经过验证的工艺配方经过现场验证的组件端点检测(可选)自动射频匹配下游压力控制(可选)计算机控制触摸屏操作多种泵送方案PlasmaSTAR 100系统描述在等离子体加工的研究、工艺开发和生产中，对高度通用和可靠的工具的需求一直是相当大的。随着等离子体研究需求的不断变化，所选择的系统必须能够提供最广泛的工艺参数，最高程度的可重复性，以验证工艺，并易于修改以满足新的工艺要求。PlasmaSTAR系列干法处理系统将满足执行这些任务所需的苛刻要求。PlasmaSTAR是一种等离子体工具，用于光刻胶的研究、工艺开发和批量生产，可用于各向同性和各向同性蚀刻、有机灰化、混合电路清洗、印刷电路板去屑、失效分析、塑料的表面处理和改性、聚合物沉积以及广泛的其他等离子体应用。PlasmaSTAR产品线为桶状等离子体系统提供了一种独特的新型模块化方法。PlasmaSTAR可加工200毫米或更小的基板。(用于300mm晶圆的单晶圆RIE加工)选择经过验证的高质量组件，模块化子组件，通用腔室电极设计，紧凑的尺寸，自动化和现场验证的工艺配方将使PlasmaSTAR成为等离子工艺工程师的“首选系统”。PlasmaSTAR 200

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO 200A产品是最小的单一产品用于高级灰化和蚀刻的腔室平台Trymax Semiconductor Equipment的产品。这是一个完全自动化的单室系统使用任何当前可用的Trymax NEO进行配置流程模块。它与底物兼容直径200mm。 NEO 200A占地面积小配置有双盒式磁带。

l 方案是适用于最大 8 吋晶圆的多腔等离子体刻蚀工艺系统l 系统可用于研发和小批量生产l 系统兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圆和不规则碎片；不同尺寸样片之间的切换、无需反应腔的开腔破真空 l 系统包括：一个六端口的转接腔、带机械手六个端口分别连接：（1）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：专用于刻蚀铌酸锂（2）一个ICP-RIE 刻蚀腔模块：配氟基气体，主要用于刻蚀介质、光刻胶去胶等 （3）一个 RIE 刻蚀腔模块：配氯基气体，主要用于刻蚀金属等（4）一个 loadlock 预真空室模块：用于单片样品的手动送样 （5）一个真空片盒站模块：用于多片片盒的自动送样 （6）一个端口备用，未来可升级增加 1 个刻蚀或沉积反应腔模块

WB5050是使用微波等离子体发生器的远程冷等离子体刻蚀系统。手动设备适合于许多不同的应用，例如应力去除、特殊表面合理和晶圆减薄。该等离子系统的干法刻蚀作用是由下游腔室引导的活性等离子微粒（自由基）产生的纯化学反应。　WB5050微波等离子刻蚀机操作简便，易于手工装载和卸载。该工艺不需要任何额外的基体清洗。严格使用纯自由基进行表面处理。无电子和无离子工艺是成功处理NAND和DRAM等极端敏感的硅基体的关键因素。等离子体由位于工艺腔室顶部，距晶圆上方2.45 GHz的磁控管产生，可以处理所有尺寸的晶圆，包括8"和12" 的带框架的晶圆。　 该等离子刻蚀设备适用于工艺开发和中试生产产品特点： 极低的基板热负荷，专为SU-8灰化及硅蚀刻进行了优化（如MEMS应用） 可蚀刻或移除所有有机物质如SU-8，或其他环氧基物质 速度快 无有机残留物 纯化学蚀刻：无离子损伤，各向同性 无热冲击：仅依靠反应能量进行。对金属无损伤，如镍, 镍/铁, 金, 铜等 对硅及硅化合物仅有极轻微损伤，如SiO2 或 Si3N4 可进行高度比极大的蚀刻 可剥离超厚光刻胶层（大于1mm） 能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻 温度控制高达200℃ 基板尺寸可达 460mm x 460mm 高蚀刻速率 在超大面积上超过200um/h(批量9x6”晶圆) 并与厚度无关 硬烘烤条件(HB)下蚀刻率与穿透性无关； 非HB及200℃ HB的蚀刻率差别小于10% 高度自动化，对每块基板可实现结束点检测 高度符合环保要求 相关应用- MEMS- 半导体晶圆刻蚀

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO3000产品系列是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它可以满足最高产量，适应每个生产阶段和预算。 NEO 3000系统可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。小尺寸和模块化设计可根据您的需要灵活配置。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸-2或3个SMIF装载机-5轴双臂机器人处理-4个不同的处理模块：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 220wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 封装加工（PR，PI，BCB，PBO）

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO3400系列是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 它可以满足最高产量，适应每个生产阶段和预算。 NEO 3000系统可配置任何现有的Trymax NEO工艺模块，并与直径达300mm的基板兼容。小尺寸和模块化设计可根据您的需要灵活配置。 • 特征 - 最大300毫米晶圆尺寸/基板尺寸-3或4个装载端口-4轴双臂机器人用横臂搬运-2或4个处理室。-4种不同的处理室技术：• 下游微波（2.45 GHz）• 射频偏压（13.56MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏置，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 300wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制，Devicenet以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 先进的包装加工（PR，PI，BCB，PBO）

TRYMAX 等离子除胶机型号：NEO系列TRYMAX该公司主要提供半导体等离子清洗、去胶、活化设备。Trymax目前拥有半自动、全自动系列设备供用户选择，目前已有上百台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统、微流体器件、SOI基片制造、先进封装、化合物半导体器件、功率器件和光电显示等领域。 一、设备工作原理 等离子体是物质的一种存在状态，该状态中存在下列物质：处于高速运动状态的电子；处于激活状态的中性原子、分子、原子团（自由基）；离子化的原子、分子；未反应的分子、原子等，但物质在总体上仍保持电中性状态。Trymax NEO Series就是通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，通过射频/微波电源在一定的真空条件下起辉产生高能量的无序的等离子体，通过等离子体轰击被清洗产品表面，从而实现清洁、改性、光刻胶灰化等目的。 二、Trymax NEO Series 应用 前道：Light Etching；Descum strip；PR Ashing；离子注入后，光刻后，镀膜前等工艺过程； 后道/先进封装/3D IC：Descum Bumping；MEMS；Plasma Treatment；Wafer Cleaning等。NEO2400系列是Trymax半导体设备行业领先的NEO系列先进等离子灰化和蚀刻产品的最新成员之一。 NEO 2400系统可配置任何现有的处理模块，并与直径达200mm的基板兼容。 • 特征 - 最大200mm晶圆尺寸/基板尺寸-4个集成的SMIF索引器或4个开放式卡带站-4轴双臂机器人用横臂搬运 - 可选的冷却站和切口对准器-2或4个处理室-4种不同的处理室技术：• 下游微波（2.45 GHz）• RF偏压（13.56 MHz）• 双源（微波，射频偏压）• DCP（RF偏压，直接耦合等离子） - 优异的均匀性和可重复性 - 机械吞吐量 300wph - 紧凑的足迹 - 非常低的拥有成本 - 完全数字控制的Devicenet，以太网 - 基于窗口的工业计算机 • 应用程序 - 阻挡条带-Descum处理 - 去除聚合物 - 邮寄高剂量植入带 - 氮化硅蚀刻应用-MEMS应用程序 - 先进的包装加工（PR，PI，BCB，PBO）