锇等离子镀膜机

伯东公司授权代理德国普发pfeiffer 镀膜机-灵活设计适合技术研究、开发和生产,可实现高真空蒸发镀膜,磁控溅射镀膜,离子镀.Pfeiffer Classic 系列镀膜机（高真空镀膜系统）经过大量实验和技术知识积累研发设计,通过ISO 9001认证, ISO 14001认证,低能耗主要应用领域: 半导体,光学,微电子学,显示屏,光电工程,表面处理等行业.Pfeiffer 镀膜机主要型号包含:Pfeiffer Classic 250 镀膜机(科研,小型研发)Pfeiffer Classic 500 镀膜机(科研,小规模生产)Pfeiffer Classic 570 镀膜机 (批量生产)Pfeiffer Classic 580 镀膜机 (生产线大批量生产)Pfeiffer Classic 590 镀膜机 (高吞吐量,通用的制造系统,满足最高工业需求)Pfeiffer Classic 620 镀膜机 (最大吞吐量)伯东公司pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500,选用pfeiffer分子泵 Hipace 700,可定制,我司将竭诚为您服务pfeiffer 德国普发镀膜机 Classic 500 技术参数:真空腔体容量150 l内部尺寸500 mm高度575 mmDoor OpeningW x H 500 x 575 mm整机漏率1x10-5 mbar x l /s最终压力5x10-7 mbar高真空泵组(标准型)分子泵Hipace 700隔膜泵MD4旋片泵DUO 20真空测量全量程真空计电源电压3 x 400 V频率50/60 HZ水冷Chamber Usage approx (a)500 l/hPump Set Usage approx (a)15 l/h进气温度25 °C压力4 – 6 barIn- and Outlet Nipple3/4"Hot WaterChamber Usage approx (a)500 l/h进气温度70 °C压力4 – 6 barIn- and Outlet Nipple3/8"尺寸占地面积1.4 m2L x W x H1,4 x 1 x 1,9 m重量600 kg最大环境温度40 °C 伯东公司 主要经营产品 德国 Pfeiffer 涡轮分子泵, 干式真空泵, 罗茨真空泵, 旋片真空泵 应用于各种条件下的 真空测量(真空计, 真空规管) 氦质谱检漏仪；质谱分析仪；真空系统以及 Cryopump 冷凝泵/低温泵, HVA 真空阀门, Polycold 冷冻机和美国KRI 离子源. 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部: 叶女士联系

产品详情美国Denton 金/碳镀膜机Vacuum详细介绍 丹顿真空公司位于美国费城，是世界著名真空镀膜设备制造商。 自一九六四年成立至今丹顿已为全球客户制造了数千台多种规格的蒸发设备、溅射和PECVD镀膜系统，用于大型工业生产、科研开发和小规模制造。 丹顿用于科研开发和小规模制造的中小型镀膜设备据美国市场占有率之首。 蒸发膜的厚度分布蒸发源的排放分布特性可用于确定真空室中用于生产均匀厚度涂层的正确几何形状。在大孔径衬底上或者在装载有许多小衬底的架子上生产均匀厚度的涂层可以通过对装有测试件的架子进行重复试验来完成。从一次试运行到下一次试运行，有意改变了几何形状 - 例如蒸发源的偏移量增加了，直到找到最佳排列。在本文中，我们首先测量了位于已知径向距离处的测试件上的涂层的厚度，在真空蒸发室中的单个旋转平板架上，并使用这些数据来查找源发射函数。然后使用已知的发射函数来确定在直径上产生最佳厚度均匀性的源偏移和弧线曲率。 更低的成本...更高的投资回报率 离子辅助沉积可提供高要求的光学应用所需的高品质，无缺陷，低应力，环境稳定（无漂移）的薄膜。 您将受益于： 独立控制离子电流密度和离子能量以优化薄膜性能长期运行，100％氧气或氮气反应气体稳定运行，延长运行时无过程漂移 冷阴极离子源是差分泵浦器件，等离子体腔室的一端通向真空环境。离子源的操作参数和薄膜的质量受控制真空度的参数的影响。在抽速很高的系统中制作好的薄膜要容易得多。当比较IAD薄膜沉积参数时，压力的差异可能是由泵浦速率引起的。 Desk V HP 专用电子显微镜样品制备– 金/碳镀膜机特点(SEM / TEM / FE-SEM)● 内置泵系统● 极短的沉积时间● 一致的沉积参数● 图形界面彩色触摸板● 薄膜厚度控制● 样品清洁的蚀刻模式● 多样靶材材料选择● 更多可选功能

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

瑞士Safematic CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

一、产品特点： 1、面积大：0~?25毫米、0~?50毫米； 2、溅射样品表面膜层更均匀； 3、颗粒度更小（3nm左右）； 4、溅射到样品表面能量低，对样品损伤小；（适用温度敏感性高的样品） 5、可以溅射各种固体靶材（如各种金属、陶瓷、碳等）； 6、控制精度高，实验结果精准可控重复性高； 7、在同一真空腔内，可实现清洗和镀膜，降低污染样品造成的数据偏差； 8、加入特殊气体，可进行反应离子束刻蚀； 9、可实现的功能有：等离子清洗、镀膜等； 10、数字化自动控制系统。二、技术参数： 1、真空度：极限真空度5*10-3Pa（不通氩气）； 2、*高压：（1）200~6000V； 3、样品台可旋转； 4、具有自保护功能； 5、单离子枪； 6、样品冷却：半导体冷却（ 选配件）； 7、支持手套箱。

一、产品特点： 1、面积大：0~?25毫米、0~?50毫米； 2、溅射样品表面膜层更均匀； 3、颗粒度更小（3nm左右）； 4、溅射到样品表面能量低，对样品损伤小；（适用温度敏感性高的样品） 5、可以溅射各种固体靶材（如各种金属、陶瓷、碳等）； 6、控制精度高，实验结果精准可控重复性高； 7、在同一真空腔内，可实现清洗和镀膜，降低污染样品造成的数据偏差 ； 8、加入特殊气体，可进行反应离子束刻蚀； 9、可实现的功能有：等离子清洗、镀膜等； 10、数字化自动控制系统。二、技术参数： 1、真空度：极限真空度5*10-3Pa（不通氩气）； 2、*高压：（1）200~6000V； 3、样品台可旋转； 4、具有自保护功能； 5、单离子枪； 6、样品冷却：半导体冷却（ 选配件）。

美国Denton金/碳镀膜机 丹顿真空公司位于美国费城，是世界著名真空镀膜设备制造商。从1964年成立至丹顿已为全球客户制造了数千台多种规格的蒸发设备、溅射和PECVD镀膜系统，用于大工业生产、科研开发和小规模制造。丹顿用于科研开发和小规模制造的中小型镀膜设备据美国市场占有率之首。Desk V HP 专用电子显微镜样品制备 – SEM TEM FE-SEM 金/碳镀膜机特点● 内置泵系统● 极短的沉积时间● 一致的沉积参数● 图形界面彩色触摸板● 薄膜厚度控制● 样品清洁的蚀刻模式● 多样靶材材料选择● 更多可选功能

高真空镀膜机 Leica EM ACE600 您选择了用于TEM和FE-SEM分析的最高分辨率。Leica EM ACE600是完美的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于最高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。高真空镀膜仪 – 配置您的镀膜体系 – 我们铸造您真正需要的镀膜仪Leica EM ACE600 可以配置如下镀膜方式: 金属溅射镀膜 碳丝蒸发镀膜 碳棒蒸发镀膜（带有热阻蒸发镀膜选配件） 电子束蒸发镀膜 辉光放电 连接VCT样品交换仓，与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜，冷冻断裂，双复型，冷冻干燥和真空冷冻传输Leica EM ACE 镀膜仪 为您开启最优越的镀膜体验 全新一代ACE系列镀膜仪是徕卡与前沿科学家合作研发的结晶，它涵盖了您在样品制备过程中所需的所有镀膜需求，从常温镀膜到冷冻断裂/冷冻镀膜。让我们开启大门来体验全新镀膜设备的先进技术。我们的理念只有一个，即“力求简约，简便，快速并可靠地实现样品表面镀膜，使您的样品在EM中获得最好的图像”。

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。理想重现的结果运行全自动化过程，辅以参数和协议设置。集成的石英测量和自动化3轴载物台移动。容易清洗可拆卸的门、卷帘、内部屏蔽、来源和载物台，确保制备高品质样本的环境清洁。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小，节省实验室空间。操作简便直观的触摸屏，松推配合的连接器和免工具的目标变更，舒适的前门锁定。自定义配置配备了仪器，可满足您的具体需求。低温镀膜真空低温传输系统适应将室温镀膜机转换成低温镀膜机。样本能在低温下于受保护的环境中进行镀膜和传输。

Leica EM ACE600是优良的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。理想重现的结果运行全自动化过程，辅以参数和协议设置。集成的石英测量和自动化3轴载物台移动。容易清洗可拆卸的门、卷帘、内部屏蔽、来源和载物台，确保制备高品质样本的环境清洁。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小，节省实验室空间。操作简便直观的触摸屏，松推配合的连接器和免工具的目标变更，舒适的前门锁定。自定义配置配备了仪器，可满足您的具体需求。低温镀膜真空低温传输系统适应将室温镀膜机转换成低温镀膜机。样本能在低温下于受保护的环境中进行镀膜和传输。

为SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层，之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后，可以在全自动化系统中获得可重复的结果，实现了一台EM ACE200具有喷金仪，喷碳仪，蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法，徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。各个选项，如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。理想重现的结果运行自动化的进程，并协助参数设置。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小节省了实验室空间。容易清洗具备可拆卸门、卷帘、内部屏蔽、光源、载物台。操作简便直观的触摸屏和一键式操作。

SD-650MHT双靶磁控溅射仪可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。与同类设备相比，其不仅应用广泛，且具有体积小便于操作的优点,是一款实验室制备材料薄膜的理想设备。双靶磁控溅射仪原理:　　磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下zui终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。SD-650双靶磁控溅射镀膜机参数：品牌品牌 : 北京博远微纳科技有限公司 型号: SD-650MHT 仪器主机尺寸: 长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高720mm） 工作腔室尺寸： 金属腔体：直径260mm×高500mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶头：双靶 靶材尺寸：直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×3mm的铜靶及直径50mm×3mm的铝靶 靶枪冷却方式： 水冷 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-3Pa） 电源：直流恒流电源：输入电压：220V 输出电压：0-600v 输出电流：0-1.6A 射频电源和匹配器：功率500W。 载样台： 直径200mm 工作气体：Ar等惰性气体（需自备气瓶及减压阀） 气路： 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。 水冷： 自循环冷却水机 膜厚仪 : 实时监测，触摸屏控制 可镀材料： 铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 3KW 【SD-650MHT安装 / 使用 环境】选择一个合适的仪器摆放位置：1、放置SD-650MT高真空磁控镀膜仪在一个长130cm,宽60cm的平面桌子上（桌子的承重需要在200KG以上）；2，放置“外置 旋转机械真空泵”及“冷水机”在一个合适的位置（地面 / 靠近镀膜仪主机）；3，系统总重量（镀膜仪、电器柜、选装泵、冷水机）约为208~240KG（选配不同），请确保有4人一起移动 / 搬运仪器；4，仪器的使用 / 运行环境温度为15~25摄氏度，相对湿度不超过75%；5,为仪器提供一个220V，16A的空开。6，确保使用 / 运行环境有足够的通风，并且避免阳光直接照射到仪器。7，氩气和氩气瓶解压阀需自备。

请联系张先生shincron溅射镀膜机

1/我公司与日本JCU公司合作，成功开发了一种新型磁控溅射彩镀镀膜机，改变了现有装饰镀膜产品色彩单一的状况，大幅提高了装饰镀膜的技术工艺水平2. 可用于如手机壳、化妆品盒盖、化妆品瓶、汽车零部件、洁浴产品部件等镀膜，塑料表面金属化。3. 6个磁控靶，各自配有挡板4. 采用自动化程序控制，实现自我诊断和自我处置，有很高的控制水平和可靠性5. 可配选水蒸汽捕集泵和阳极层离子

产品简介：钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。 产品型号钙钛矿镀膜机主要特点1、样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。2、设有烘烤加热功能，可在镀膜过程中加热样品，最高烘烤加热温度为180℃。3、设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。技术参数1、镀膜室：不锈钢材料，采用方形前后开门结构，内带有防污板，腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm2、真空排气系统：采用分子泵+机械泵系统3、真空度：镀膜室极限真空≤6×10-4Pa4、系统漏率：≤1×10-7Pa5、蒸发源：安装在真空室的下底上；有机蒸发源4个、容积5ml，2台蒸发电源，可测温、控温，加热温度 400℃，功率0.5KW；无机蒸发源4套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2KW； 蒸发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启6、样品架：安装在真空室的上盖上，可放置?120mm的样品、载玻片，旋转速度0-30rpm7、加热温度：RT-180℃，测温、控温8、膜厚控制仪：石英晶振膜厚控制仪，膜厚测量范围0-999999?

低真空镀膜机 喷金仪|喷碳仪|蒸镀仪 Leica EM ACE200为SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层，之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后，可以在全自动化系统中获得可重复的结果，实现了一台EM ACE200具有喷金仪，喷碳仪，蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法，徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。各个选项，如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。 特点理想重现的结果运行自动化的进程，并协助参数设置。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小节省了实验室空间。容易清洗具备可拆卸门、卷帘、内部屏蔽、光源、载物台。操作简便直观的触摸屏和一键式操作。

Ossila公司浸渍提拉镀膜机英国Ossila公司浸渍提拉镀膜机性能卓越，内置软件，操作简单，价格经济，为科研领域工作者提供一款理想的适用于液相镀膜制备而设计的精密仪器。目前在化学、材料科学的研究中，被广泛应用于溶胶-凝胶（sol-gel）法薄膜材料制备。如硅片、晶片、玻璃、陶瓷、金属等所有固体材料表面薄片材料镀膜工艺，可以控制膜片提出速度，进而控制涂层厚度，保证良好重复性。提供2年的质保，为使用者提供更高的保障。功能特征u 高精度电机---Ossila浸渍提拉镀膜机采用高精度电机，样品浸渍重复性好。u 平滑运动---Ossila浸渍提拉镀膜机采用微频步进电机，基片浸入、提出过程平滑准确，保证浸渍镀膜效果。u 基片兼容性好---各种尺寸、形状和材质的基片都可以，兼容性好。u 浸渍速度可设置范围广---Ossila浸渍提拉镀膜机基片浸提速度自0.01mm/秒至50mm/秒可设置。只需一台浸渍提拉镀膜机,便可以实现不同厚度的浸渍镀膜效果。u 形体小巧---Ossila浸渍提拉镀膜机占地面积小，只需20cmx30cm空间即可工作，适合大多数实验室。u 坚固耐用，防滑式设计---Ossila浸渍提拉镀膜机采用防滑台脚设计，具有牢牢的抓地功能，避免工作过程不会发生位移。u 软件操作简单---Ossila浸渍提拉镀膜机的内置软件(不需外接电脑)可以实现手动和自动控制。用户界面友好，实验编程和参数设置简单。样品的浸入速度、停留时间、提出速度、干燥时间等整个浸渍过程都是可调可控。手动浸渍情况下，用户可独立设置系统的样品浸入和提出。u 全彩显示屏---任何照明条件下、无论从任何角度，彩色显示屏都有良好的可识别性，视觉舒适性好。u 内置安全措施----Ossila浸渍提拉镀膜机内置软件多种安全保护，包括基于软件的碰撞探测功能，为用户提供高级别的安全性。当基片或工作臂碰到提拉镀膜机底座或烧杯底时系统自动停止工作。降低样品、玻璃容器或提拉机本身受损的风险。u 样品提出速度可变---样品提出速度在整个基片长度范围内可调整，以达到不同涂层厚度梯度效果，快速优化胶片厚度。u 用户协议可保存---Ossila浸渍提拉镀膜机可以存储20个不同的用户协议，每个协议可设置保存20个不同的步骤编程，可随时调用，节省时间，尤其适用于多个科学家共用一台设备的非常繁忙的实验室。u 快速释放夹---用户可以快速往工作臂上加样和卸样。u 标尺的磁铁固位---夹子下方有内置磁铁块，可以很方便地将金属标尺固定到位，便于测量(标尺是标配)。技术规格v 最小提取速度：0.01mm.s-1。v 提取速度：50 mm s-1。v 速度再重现性：±0.01%@1mms-1，±0.1% @10mm.s-1，± 0.3% @ 50mm.s-1。v 最长行程：100 mm。v 循环次数：1000个循环。v 定时器最长可设置时间：99:59:59 (时:分:秒)。v 内置软件特征：提出速度可变，重复循环，碰撞检测功能。v 程序数量：20。v 电源：DC24V。v 产品整体尺寸：宽200mmx高350mm (450mm完全展开)x长300mm。v 运输重量5kg。

美国AMAT镀膜机PECVD:P5000

派瑞林真空镀膜机用独特的真空气相沉积工艺制备，由活性小分子在基材表面“生长〞出完全敷形的聚合物薄膜涂层 ，具有其他涂层难以比拟的性能优势。它能涂敷到各种形状的表面，包括尖说的校边 ，裂缝里和内表面。可应用于航空航天、新能源汽车、电路板、磁性材料、传感器、硅橡胶、密封件、医疗器械等行业，具有广阔的市场前景。这款MQP-3001小设备腔体小，均匀性良好，适合科研单位进行实验研究，操作简便，稳定性强。公司始终以信誉求发展，以质量求生存为宗旨，坚持以人为本，与时俱进科技创新，公司将一如既往，努力打造优良品牌，同时也真诚地为用户提供周详的服务．有充足的技术及生产加工能力，欢迎广大客户选购本公司真空镀膜设备和派瑞林（Parylene）原材料以及来件涂层加工。

英国牛津镀膜机PECVD Plasma system 133

价格电议氦质谱检漏仪镀膜机检漏上海伯东代理德国 Pfeiffer 多功能多用途氦质谱检漏仪 ASM 340 成功应用于刀具镀膜机检漏。目前市场上常见的金黄色、钴铜色、黑色等钻头、铣刀、模具等，这些器具都是经过镀膜技术加工后的涂层工具。经过涂层处理后的硬质合金刀片可以延长刀具寿命并且满足一些特殊的应用，刀具上的颜色不同也就说明涂镀不同的涂层。镀膜机检漏原因：镀膜机需要在高真空环境下工作，真空度的好坏直接影响镀膜的品质。有时候镀膜机的真空度抽不下来或者真空度不好，可能是接头松动或者有焊缝出现虚焊。传统的检漏方法需要镀膜机停机，充氮气，再在怀疑有漏的地方涂上肥皂泡，整个过程耗时费力容易误判，对于细微的泄漏无法检测。上海伯东代理 Pfeiffer 氦质谱检漏仪利用氦气作为示踪气体，最小漏率小于 5E-13 Pa m3/s，安全环保，检漏时不需要停机，直接在真空泵的旁路接入检漏仪便可以快速高效的完成检测了。上海伯东刀具镀膜检漏客户案例：某客户引进 Platit 镀膜机加装分子泵 Hipace 1500，旋片泵 Duo 35 用于刀具镀膜，与友厂对比，Pfeiffer 真空泵在更短时间达到更高且稳定的真空度。镀膜机检漏方法：采用真空法检漏，镀膜机不需要停机，直接在真空泵的旁路利用波纹管接入检漏仪，在怀疑有漏的地方喷氦气，即可完成检漏。若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士

SHINCRON蒸发镀膜机请联系：张先生

产品详情英国HHV真空镀膜机TF500，TF600-适合先进研发和试生产的全功能系统 HHV TF500及TF600系统设计具有高级工艺能力。系统配置可选择多种腔室尺寸和工艺附件，以精确的符合用户需求。这两个型号的系统都可以安装多个镀膜源，也都支持离子束处理选项。有一系列预进样室（Load Lock）和样品操纵装置可供选择，以提高真空镀膜效率。 系统配置不锈钢真空腔室，高真空泵安装在腔室后方。工艺附件布局采用特殊设计，向每个客户提供满意适配化的方案。工艺附件包括热阻及电子束蒸发源、直流及射频溅射源、用于工件刻蚀或辅助沉积的离子源。系统可以同时配置热阻、电子束及磁控溅射源。溅射系统可以配置成向上或向下溅射的结构。工件台选项包括加热、冷却、偏压和预进样操作等。 系统控制选项包括稳定的PLC真空控制系统配合手动操作的工艺附件的简单模式，或者计算机集成控制的自动模式。

热蒸发镀膜机 - 极高性价比！型号：EasyDEP产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：热蒸发舟；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；扩散泵，215L/Sec；5/ 薄膜厚度监控：石英振荡传感器实时厚度控制；6/ 厚度精度：0.5%；7/ 热蒸发源：4英寸热蒸发舟，交流电源；

臂长：38 48 58 68 78 mm 更长可定制控制：全自动与手动控制模式控制移动精度：1.25 micronAn automated dipping mechanism浸渍镀膜机臂长：38 48 58 68 78 mm 更长可定制浸渍镀膜机控制：全自动与手动控制模式浸渍镀膜机控制移动精度：1.25 micron如有需要请通过我们伯英科技联系我们！DESCRIPTIONVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software 浸渍镀膜机An automated dipper unit VT-04serves for vertical translation of an object fixed on arm. The dipper unit can be, for instance, employed for automation of multicycle dipping of a substrate into vessel with liquid at the layer deposition from solutions.The dipper unit design provides simple routine for an object fixing in a specialized clamp. The clamp has five degrees of freedom to provide the object position necesssay fot user. A possibility of manual rotation of the arm drive axis is supplemented with a possibility to position all the dipper unit on a vertical stand that provides vertical adjustment and rotation relative the stand axis.For the dipper unit positioning in horizontal plane relative base, XY positioning stage can be employed together with it. Stepper motors of both the dipper unit and XY positioning stage can be driven from the same control program run on host PC.Dipper unit VT-04 is unified with driving mechanism of microdoser DT-03that allows their mutual conversion by simple change of the unit front panel.FEATURESVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software浸渍镀膜机技术指标：Drive:Step motor a possibility to rotate the driving shaft manuallyFull motion range of the arm:85 mm (max 86 mm)Controllable positioning step of the arm:1.25 micron (0.15625 micron at the step splitting)Maximum weight of fixed object:50 gArm length (from the unit case to mount point):38 48 58 68 78 mmAdditional accessories:— PTFE clamping holder for quick substrate fixing on the dipper lever the substrate thickness up to 4 mm 5 degrees of freedom — clip fastening on vertical rod (rod diam. 8 mm) — NEW! option: changeable front panel for conversion of the dipper into microdoser (see DT-03)Control:From autonomous controller manual control by buttons on the controller, extended control facilities available in a unified software at the controller connection to host PC (via USB port). The controller unit enables control over three stepper motors. The control software allows programming the dipper arm motion including that with use of cusotm scripts.Power supply:220 V 50 Hz (control voltages: 0, +15 (24) V)Overall size:Dipper unit: 50x65x191 mm (w-d-h) /without arm/ Controller unit: 138x195x82 mmWeight:Dipper unit: 1.1 kg Controller unit: 0.8 kgDELIVERY SETVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software浸渍镀膜机组成模块：CodeNameQ-tyVT-04-010Dipper unit (a vertical translation stage)1VT-04-020Autonomous controller1VT-04-030Set of conneting cables1VT-04-040Control software (for Win32) and operation manual1OPTIONAL:DT-03-015Changeable front panel for the dipper conversion into microdoser (see VT-04)1 * Above pictures are not in the same scale** Host PC is not included in the delivery set SOFTWAREVT-04 ::: Description ::: Features ::: Delivery set ::: Software浸渍镀膜机软件：Control software for dipper VT-04 is a unified program for driving three stepper motors. It is a 32-bit Windows application that runs under Windows XP SP2 and higher operating systems.The software provides control over the stepper motor speed, motion range (in steps of the stepper motor or in mm) and motion direction.The program can be employed for driving three stepper motors. If the device is additionally equipped with XY positioning stage, all the three axes motions can be automated.As an alternative for the unified program, control program for Langmuir—Blodgett trough can be employed in which custom scripts can be used to control the mechanism motion.Minimal configuration of host PC (not included in the delivery set): Celeron 1.7 GHz, RAM 128 MB, HDD 40 GB, VRAM 64 MB, monitor 1024x768x32 bit, MS Windows XP SP2, free USB port.

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

ARC-LITE样品制备镀膜机ARC-lite样品制备镀膜机是一种快速的, 在常温状态下对各种封装形式器件和WAFER的样品，进行COATING的设备.　　设备主要特点:1. ARC-lite样品镀膜在常温下进行。 2. ARC-lite可以适用于ASAP-1选择区域精细研磨和ULTRAPOL ADVANCE抛磨后等镀膜,以便使样品在显微镜或其他观察时更为清晰 。3. 快速方便-只用45秒。4. 样片效果比不做镀膜可提高60%。5. 各种形式/尺寸封装和WAFER样品都可适用。6. 价格实惠,小巧方便。7. 可用于emission microscopy, Laser, FIB, voltage, thermal, FMI, probing, and most other backside techniques.

钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。主要特点1、样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。2、设有烘烤加热功能，可在镀膜过程中加热样品，最高烘烤加热温度为180℃。3、设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。技术参数1、镀膜室：不锈钢材料，采用方形前后开门结构，内带有防污板，腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm2、真空排气系统：采用分子泵+机械泵系统3、真空度：镀膜室极限真空≤6×10-4Pa4、系统漏率：≤1×10-7Pa5、蒸发源：安装在真空室的下底上；有机蒸发源4个、容积5ml，2台蒸发电源，可测温、控温，加热温度 400℃，功率0.5KW；无机蒸发源4套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2KW；蒸　　　　　 发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启6、样品架：安装在真空室的上盖上，可放置?120mm的样品、载玻片，旋转速度0-30rpm7、加热温度：RT-180℃，测温、控温8、膜厚控制仪：石英晶振膜厚控制仪，膜厚测量范围0-999999A