拉曼+二维材料+应变工程
中科院物理所纳米实验室 N10 组提出了一种非接触式应变直写技术。该技术可以在二维材料中准确写入纳米到微米尺度设计图案的应变。这项全新应变技术,具备高度的灵活性以及半导体工艺兼容性,有望进一步推进二维材料在纳米机电系统、高性能传感和非传统光伏到量子信息科学等广泛领域的潜在应用。相关成果 "Strain lithography for two-dimensional materials by electron irradiation."已在Applied Physics Letters 上发表。