放大光电探测器

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

DPE12系列热释电探测器常温型红外探测器, 波长范围：2-12μm 热释电探测器使用建议：■ DPE12 热释电探测器为常温型中远红外探测器，内置前置放大器，建议配合锁相放大器使用，推荐使用 SR830 型或 DCS500PA 型； DPE12系列热释电探测器型号列表及主要技术指标： DPE12光敏面尺寸 mm2×2波长范围 ｵ m1.5～12响应度 V/W≥80000电阻 RdMΩ0.1-0.3D*cm8 （Hz）1/2/W≥3×108温度℃-20~55驱动电压3V频率响应范围 Hz5—100（推荐 10Hz）信号输出模式电压D*随频率变化曲线光谱响应度曲线响应度随频率变化曲线DPe12尺寸图DPe12-MS尺寸图

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

应用：可监测高重复率的外调制连续激光器可监测1mw的激光功率特点：内置互阻放大器光纤输入可选 EOT 10GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。固定增益的互阻放大器可以测量1mw的功率输入。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 10GHz放大光电探测器采用外接电源。通过一根同轴电缆连接光电探测器的BNC输出口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。放大光电探测器 ET-3500A/AF光学测量仪

放大式光电探测器&模拟数字转换器SPIDER是一种放大式硅基铟镓砷光电探测器，它具有可编程式增益控制功能，以及嵌入式24位数据采集系统。其包含的双色探测器不仅探测波长范围较大（320nm到1700nm），且可以实现光斑准直功能。其中，硅和铟镓砷光子二极管分别同时由两个互相独立的低噪放大器放大，具备8个可编程增益控制器和56kHz的带宽。特点：放大式探测器&模数转换器一体化设计使用单像素元件实现较宽的光谱覆盖高灵敏度（pW范围）高动态范围（109：1）提供即插即用软件和DLLs可选光纤耦合8种可编程增益选择双通道，24位ADC，高达120kSPS/通道两个BNC接口用于模拟信号输出三个GPIOs（用于与外部设备轻松同步）USB通信连接参数：光学参数感光面积光谱响应范围(µ m)响应峰值位置(µ m)峰值响应系数R (A/W)暗电流ID峰值探测率(cm*Hz1/2/W)Si(2.4x2.4mm)0.32到1.080.940.45130pA1.4 x 1013InGaAs(Ø 1mm)1.01到1.71.550.551nA3.5 x 1012跨阻放大器参数#可编程增益控制器选择8增益选择#1#2#3#4#5#6#7#8增益(dBΩ)64738393103113123133带宽(-3dB)(kHz)5655545352493929输出噪音*(nV/√Hz)2022263661121265680*测试于20kHz模拟数字信号转换器参数#预设采样率11(120,100,80,64,32,16,10,5,2.5,1,0.5 kSPS)采样率(kSPS)BW(kHz)SNR(dB)均方根噪音等级*(V)位宽有效位宽120(最大值)521131.4 E-52419.20.5(最小值)0.217136.81.8 E-62422.2*增益#=1，有关所有采样率的详细信息，请与我们联系。其他参数最小值典型值最大值功耗(W)3.5电源规格(V)101214输出串联阻抗(kΩ)1.5(BNC接口)输出模拟电压(V)0-10(BNC接口)重量(g)218外形尺寸(mm)101.5 x 81 x 28.5工作温度(摄氏度)10——40存储温度(摄氏度)-20——70*规格如有更改，恕不另行通知。

应用：监测调Q激光器的输出监测锁模激光器的输出 监测外调制连续激光器的输出时域和频率响应测试特色：内置或外接电源可选光学光纤输入可选 EOT 12.5GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可以测量激光器的频率响应。EOT 12.5GHz放大光电探测器采用内置偏压电源，锂电池寿命很长。通过一根同轴电缆连接光电探测器的SMA输出口，并通过50欧姆电阻连接示波器或光谱分析仪，就足以运行。放大光电探测器 ET-3500/F光学测量仪

PDA100A2硅光电探测器，带放大，可调增益特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的最大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的最大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。关于安装孔位置及如何安装的详细信息，请看外壳特性和安装选项标签。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供最高信噪比，最高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。更多有关外壳的信息，请看外壳特性标签。如需带FC/PC输入端的探测器，请看光纤耦合型带放大的硅探测器。电源每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V的线性电源，支持100、120和230 VAC输入电压。更换用的电源在下方出售。将电源连接到线路之前，请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

前置放大制冷一体型碲镉汞（MCT）光电探测器HPPD-M-B海尔欣产品优势&bull 半导体冷却型碲镉汞红外光电探测器；&bull 对2~12 um的中红外光谱波段光波敏感；&bull 内部一体化集成低噪声前置运放+TEC控制单元；&bull TEC热电冷却稳定 -80℃-40℃，极大地降低了热噪声；&bull 高性价比，提供高速频率带宽定制服务。前置放大制冷一体型碲镉汞（MCT）光电探测器HPPD-M-B海尔欣产品参数前置放大制冷一体型碲镉汞（MCT）光电探测器HPPD-M-B海尔欣产品结构尺寸图(单位: mm)

光电探测作为您光电实验和电子仪器的常用应用，是提取和保存你的实验结果是至关重要的设备。我们努力使光电探测变得更简单（即插即用），同时尽可能提供最低的噪声和最快速的响应。 New Focus™ 被Newport公司收购之后，如今拥有一系列高速光子接收器和探测器模块，以满足大多数测量需求。这些高速探测器在测试和测量各种快速光信号上有着广泛的应用。New Focus 产品线包括高达45 GHz的低噪声光子探测器，高增益，低噪声光子接收器，自由空间和光纤耦合，交流或直流耦合的探测器等等。818 - BB系列探测器是偏置的探测器和交流耦合的光子接收器，可应用于一般科研应用。特点:具创新意义，性能卓越选择广泛，产品线全面即插即用设计产品覆盖红外到紫外光波段非放大型光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501004940 GHz400-900 1024 (Time Domain)1226 GHz950-16501481-S(-50)1522 GHz400-8701434, 14371425 GHz550-13301414, 14171425 GHz800-16301454 (Time Domain)1920 GHz550-13301444 (Time Domain)1920 GHz800-16301480-S2513 GHz400-870818-BB-35(F)2512.5 GHz818-BB-45(F)3012.5 GHz818-BB-50(F)3510 GHz818-BB-301752 GHz818-BB-203001.2 GHz818-BB-312251.5 GHz818-BB-213001.2 GHz放大型探测器/光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501554-A3410 kHz to 12 GHz550-13301544-A3410 kHz to 12 GHz800-16501580-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)400-8701554-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)500-16501544-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)800-16501577-A3410 kHz to 12 GHz500-16501567-A3410 kHz to 12 GHz800-1650818-BB-35A(F)4010.7 GHz818-BB-45A(F)4010.7 GHz1591NF95DC to 4.5 GHz450-8701592NF115DC to 3.5 GHz950-1630818-BB-30A4001.5 GHz818-BB-21A5001.2 GHz1647 (APD)25015 kHz to 1.1 GHz800-16501611FC-AC,1611FS-AC40030 kHz to 1 GHz900-17001601FC-AC,1601FS-AC40030 kHz to 1 GHz320-1000

总览这些类型的热释电探测器为太赫兹区域的应用进行了优化。该探测器体积小，活动面积大，响应时间短。 太赫兹探测系统由探测器和电流前置放大器组成。它被优化用于连接连续波激光器和斩波器。 热释电探测器的响应可以非常快，但为了降低噪声，前置放大器的带宽是有限的。使用活动面积较小的探测器可以进一步降低噪声。实际带宽取决于频率限制，并在前置放大器的数据表中给出。对于连续重复信号，通常有两种改善信号/噪声的方法:平均和锁相放大。在很短的脉冲下，该探测器可以与电压放大器VPA结合，作为μJ和mJ区域的能量探测器。 所有探测器将在德国国家计量研究所柏林PTB结合前置放大器(校准V/W或V/J)在1.4太赫兹校准。热释电可校准太赫兹THZ探测系统 (探测器/电流前置放大器/功率计),热释电可校准太赫兹THZ探测系统 (探测器/电流前置放大器/功率计)通用参数一, 传感探头（与电流放大器CPA结合使用）功率测量用单个元件探测器与电流前置放大器CPA结合使用THz 10THz 20THz 30THz 10 HS (高灵敏)THz 20 HS(高灵敏)有效区域直径(mm)1020301020热时间常数（ms）5050502020最大功率密度(mW / cm² )15151555典型电流灵敏度（µ A/W）0.5..10.5..10.5..11.5..1.81.5..1.8上升时间（μs）*1007002000100350最大斩波频率（Hz）*500200801000500工作范围8µ W .. 10mW10µ W .. 10mW20µ W .. 100mW1µ W .. 1mW1µ W .. 5mW尺寸34 mm x 22 mm40 mm x 26 mm43 mm x 25 mm34 mm x 22 mm40 mm x 26 mm*根据要求提供高重复率应用的放大器上升时间,最大斩波频率和工作范围很大程度上取决于放大器的带宽。对于典型的应用。带宽越低，噪声越低，可测功率越低，但斩波频率越低。可根据要求提供高重复率或低功率应用的放大器。THz吸收器的归一化灵敏度该图显示了用1THz灵敏度标准化的热释电探测器的灵敏度。200-500µ m，灵敏度变化在2%以内。不同前置放大器的检测限（µ W）有效直径面积/mm前置放大器fgu=17 Hz前置放大器fgu=70 Hz前置放大器fgu=200 Hz前置放大器 fgu=4 kHz108 µ W20 µ W25 µ W100 µ W2010 µ W25 µ W35 µ W130 µ W3020 µ W35 µ W140 µ W180 µ W二,传感探头/焦耳计 （与电压放大器VST结合使用）对于许多应用热释电传感器可直接与示波器组合（RI = 1MΩ ）。 在这些条件下，参数（最小可探测能量和最大代表率）是有限的。与前置放大器结合，这些参数可以扩展。以下列出了一些无前置放大器探测器的典型参数：脉冲长度100 ms、200 ms和400 ms灵敏度V/J最小探测能量uJ最大重复速率THz105000.530THz20200125THz3020220三, THz功率计该装置是一种基于太赫兹探测器读出单元的微控制器。通常用太赫兹探测器和光斩波器测量CW源的光功率。它能进行功率检测、背景减法、一些统计功能、数据记录和与PC机的连接。 参数 大图形显示触摸屏 用于远程控制的USB和网络连接 外部设备和数据存储的USB端口 集成斩波控制器 用于观察探测器信号的示波器模式 模拟输出 稳定的金属外壳校准 所有探测器与前置放大器CPA组合在1.40 THz进行校准。探测器的校准是在没有任何窗口的情况下进行的。在这种情况下，必须避免空气流动。我们提供了一个带有太赫兹透明插入保护帽的探测器。此帽可用于避免任何类型的干扰，从移动的空气或风扇。你必须检查这个保护帽是否适用于你的波长，并且记住校准是在没有这个帽子的情况下完成的。而且最hao是倾斜检测器对光轴一点点避免反射回源。附加仪器1、电流前置放大器CPA 电流前置放大器是实现入射辐射功率测量的必要设备。放大器由集成电路作为跨阻放大器的输入端和两个电压放大级。有一些额外的组件用于降噪和偏移调节。在实际应用中，最大放大率受截止频率的限制。最高放大率只能实现小的频率间隔。对于与斩波器结合的太赫兹探测器，通常上限频率限于小于50赫兹的值。对于这种放大器，可以实现107 V/W和1010 V/W之间的转换系数。该组合探测器的灵敏度和前置放大器由探测器电流灵敏度和电流放大器倍增决定的（如探测器106 A/ W和CPA 109 V /A导致的总灵敏度：106A / W*109 V /A = 1000 V / W）。放大可以通过开关来设置。 参数： 电源：±15V 输入连接器：SMA 或者BNC 输入连接器：BNC 功率连接器：Lemo该放大器的放大倍数可以通过一个四阶旋钮来设置：如107—1010 V /A；带宽在两个步骤间切换：20Hz和200Hz。检测限取决于放大倍数、带宽和探测器直径。2、 电压前置放大器VST 使用这些放大器可以测量最低能量（PEM 4约为10nJ）。由于容量负载的放大和减小，探测器的灵敏度将显著提高。放大器的带宽特别适合此应用。由于模块化组装，整个动态范围将大大增加。此外，通过使用较小的负载电阻器（以增加可能的重复率）可以补偿灵敏度损失。由于所有PEM检测器与一个前置放大器相结合的这一事实，我们获得了非常低的检测阈值（S/N1）：PEM检测器检测阈值PEM 830 nJPEM 1150 nJPEM 21100 nJPEM 34200 nJ参数： 连接器：BNC 放大倍数：10,100,1000,10000 带宽：5kHz 输入阻抗：1MΩ 电源：±15V3、 带通滤波器 准光学带通滤波器用于在宽频率范围内选择指Ding的特定的频率。该过滤器可用于各种应用，包括实验室和空间研究。滤波器是在专门设计的多层频率选择结构的基础上实施。我们提供了一种广泛选择的高性能带通滤波器，其中心频率高达几个太赫兹。该滤波器具有高峰值传输和低带外频谱泄漏。为了最大化带外阻塞，可以很容易地使用两个滤波器串联，而峰值透射率没有显著损失。此外，可以根据客户的要求设计滤波器。滤波器特性可以随意定制。我们的过滤技术是多功能的，可以对各种实验要求进行优化，包括低温环境下的操作。 主要特征 透射谱的中心频率vmax0.07—3THz 相对带宽15—20% 峰值透射84—97% 带外阻塞23—40dB 标准孔径Φ50mm 对偏振不敏感 真空操作兼容性滤波光谱实验测量的一些标准滤波器的透射谱定制能力 可选辅助架 可选直径：10—75mm 可选vmax和△v/vmax 带外阻塞增强 几个通带可选低温操作在光学台上安装过滤器的附加支架是可用的。有两个槽，允许用户放置两个过滤器，以达到更高的带外阻塞。一般来说，可以根据客户的要求定制。过滤器型号Filter model中心频率VMaxTHZ峰值传输Peak transmissionTmax相对带宽Relative bandwidthΔv/vmax带外频谱泄漏Out-of-band spectral leaage BP-00750.0750.950.15≤10-4BP-00940.0940.950.15≤10-4BP-01000.10.950.15≤10-4BP-01400.140.940.15≤10-4BP-0140B0.140.940.2≤2*10-4BP-0150B0.150.940.2≤2*10-4BP-0190B0.190.940.2≤2*10-4BP-02200.220.940.15≤2*10-4BP-0220B0.220.940.2≤2*10-4BP-0260B0.260.930.2≤3*10-4BP-030OB0.30.920.2≤3*10-4BP-03500.350.910.15≤4*10-4BP-0350B0.350.920.2≤4*10-4BP-0480B0.480.920.2≤5*10-4BP-0500B0.50.920.2≤5*10-4BP-0600B0.60.920.2≤5*10-4BP-06500.650.900.15≤5*10-4BP-0650B0.650.920.2≤5*10-4BP-08000.8o.900.15≤6*10-4BP-0800B0.80.920.2≤6*10-4BP-100010.900.15≤8*10-4BP-1000B10.910.2≤1*10-3BP-13001.30.890.15≤1*10-3BP-1300B1.30.910.2≤3*10-3BP-16001.60.890.15≤1*10-3BP-1600B1.60.910.2≤3*10-3BP-19001.90.880.15≤3*10-3BP-24002.40.880.15≤4*10-3BP-30003.0000.880.15≤5*10-3tolerance ±1% ** tolerance ±2% ****evaluation at frequencies 1.5 - 10 vmax **** tolerance ±1%, the bandwidth is evaluated at the level of 0.5 Tmax (FWHM)公差±1%；**公差±2%****频率为1.5-10 vmax时的评估；****公差±1%，带宽在0.5 Tmax（FWHM）的水平下评估4、 光斩波器 这种斩波器需要结合热电探测器，通过调制连续辐射来测量功率，特别是太赫兹探测器。我们使用微处理器控制的PID控制器来提供一个简单的处理和稳定的频率。频率可以用键盘设置。重复测量在不同的斩波速率是很容易的。此外，可以通过USB端口控制和读出频率。标准配置的可更换的斩波器盘直径为100mm。对于交替操作，例如可以用锁相放大器同步信号相结合产生。一个有两个插槽的斩波盘，对我们的太赫兹探测器是非常有用。斩波盘通用参数斩波盘直径100mm频率漂移和浮动1%同步输出兼容性TTL/CMOS电源85VAC-240VAC 50-60Hz不同斩波盘参数斩波盘槽的个数斩波频率CD100-225—120HzCD100-5512—300HzCD100-101025—600HzCD100-202050—1200Hz

量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司，一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产，为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge，p-n，APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求（TA-NWT-00093），MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括：温馨提示：点击产品名称，自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes

Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点：1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间：15 ps - 500ps3.带宽：highest达25 GHz4.光谱范围：170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用：1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间15ps，带宽25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。

Thorlabs硅光电探测器 PDA100A2激光产品特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的zui 大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的zui 大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。Click to EnlargePDA10A2与附带的±12 V电源。更换用的电源在下方出售。 每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供zui 高信噪比，zui 高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如： HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

太赫兹光电探测器太赫兹光电探测器被专门设计用来探测脉冲THz辐射。探测器内置一个锁相放大器，具有积分采集数据的能力。此探测器主要功能有：信号调节；自动微调光电探测器使其平衡；内部的机械延迟回路会将调节信号结果显示在电脑上，实时可见。太赫兹光电探测器的主要应用领域是时域光谱探测。内置集成的光学元件可以完成电光取样测量过程，锁相放大器可以提供一个高信噪比的信号输出，并且使这个探测器更加紧凑方便操作。当信号能量大小有波动时，信号调节功能使探测器一直保持高信噪比状态，可以随时准确的描绘出THz时域波形。控制软件适用的操作系统有 winXP，Vista，win7。软件操作简便，并且可以控制TDS系统的延迟线。 太赫兹光电探测器技术参数：平衡光电探测器,太赫兹平衡探测器,太赫兹光电探测器,太赫兹探测器

天津瑞利光电科技有限公司优势经销美国THORLABS光电探测器DET10A2产品型号：DET10A2产品介绍：探测器还配有内部偏压电池，封装在坚固的铝壳中。我们的偏压光电探测器兼容我们的台式光电二极管放大器和PMT跨阻放大器。这些探测器具有宽带直流耦合输出，非常适合监测快速脉冲激光和直流光源。侧面的BNC接头提供直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻将该输出转换为正电压。如果查看高速信号，Thorlabs 使用50Ω负载电阻。对于较低带宽应用，利用我们的可变终端或固定短样式终端能够快速调节测量电压。下方探测器没有放大器或内置增益，因此工作速度一般比我们的PDA系列放大光电探测器要快；对于需要增益或可更换滤光片的应用，PDA放大光电探测器可能更为合适。所有的连接端和控制按钮都不在光路上，简化了探测器在封闭空间内的集成。每个探测器具有SM05(0.535"-40)内螺纹和SM1(1.035"-40)外螺纹。每个DET外壳包含一个可拆卸的Ø 1英寸光学元件安装座(SM1T1)，用于沿光轴安装Ø 1英寸元件，比如滤光片和透镜。每个DET探测器也可安装在笼式系统、透镜套管或Ø 1/2英寸接杆上。每个探测器的外壳都有两个通用安装孔，兼容8-32和M4螺纹。每个探测器都由装在外壳中的A23 12 VDC电池提供反向偏置电压。外壳上还有一个红色的按钮，按住这个按钮时，电池的电压将加到外部负载上。对于高Z负载，电池的电压将高于BNC，因此方便判断是否需要更换电池，而不必将电池取出。如果电池连接到一个50 Ω的负载上测试，串联的限流电阻可保护电池不被快速放电。请注意，由于不同制造商生产的电池的正 子之间可能会存在细微差别，Thorlabs只建议在我们的DET系列光电探测器中使用Energizer电池。由于电池是一种噪声低的电源，所以将它作为反向偏压电源。如果不能接受电池的使用寿命有限，则可以用DET2B电源套件替换该电池。请注意，在探测器有源区边缘的不均匀性可能产生有害的电容和电阻效应，从而扭曲光电二极管输出的时域响应。因此，Thorlabs建议将入射光正对有源区 。外壳上的SM1(1.035"-40)螺纹非常适合将Ø 1英寸聚焦透镜或针孔安装在探测元件前面。Thorlabs也提供高速自由空间型探测器和高速光纤耦合型探测器，用于400 - 1700 nm的波长范围。性能特点上升时间1 ns紧凑型外壳，用于狭窄空间的测量兼容SM05透镜套筒、SM1透镜套筒、笼式系统和Ø 1/2英寸接杆包含内置A23 12 V偏压电池下方提供可选用的电源适配器和电源可以通过SM1内螺纹和外螺纹光纤转接件进行光纤耦合参数：探测器：硅有效区域：Ø 1.0 mm (0.8mm2)波长范围λ：200至1100 nm峰值波长λp：730 nm（典型值）峰值响应(λp) ：0.44 A/W（典型值）结电容 CJ：6 pF（典型值）上升时间tr：1 ns（典型值）NEP (λp) ：5.0 x 10-14 W/√Hz（典型值）偏置电压VR：10 V暗电流ID：0.3 nA（典型值）2.5 nA（max.）输出电流IOUT：0至10 mA开/关开关：滑动电池检查开关：瞬时按钮输出：BNC（直流耦合）包装尺寸：2.79" x 1.96" x 0.89"（70.9 mmx 49.8 mm x 22.5 mm）PD 表面深度：0.09" (2.2 mm)重量：0.10 kg配件：SM1T1 耦合器SM1RR 挡圈储存温度：-20 至 70 °C工作温度：10 至 50 °C电池：A23, 12 VDC, 40 mAh输出电压（高阻抗）：~9V输出电压 (50 Ω) ：~170 mV 天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国原装进口的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)品牌：ALPHLAS UPD产品简介： ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。产品图片：特点： 超高速运行 上升时间：15 ps - 500ps 带宽：最高达25 GHz 光谱范围：170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用： 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量 UPD系列：Photodetector ModelRise Time(ps)Band-width(GHz)Spectral Range(nm)Quantum Efficiency@ PeakSensitiveArea (Dia. μm/mm2)Noise Equiv. Power (W/√Hz)DarkCurrent (nA)MaterialOptical Input / Window Type 1)RF Output Connec-tor UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMA UPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMA UPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMA UPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMA UPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMA UPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNC UPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNC UPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-3N-IR2-P 1506) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNC UPD-5N-IR2-P 2006) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P-1TEC 3) 75000 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC MSM超快光电探测器UltraFast产品简介：UltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)技术参数： UltraFast-20-xx UltraFast-35-xx 探测器类型MSM (Metal – Semiconductor – Metal)感应材料InGaAs带宽 (-3 dB)DC – 20 GHzDC – 35 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps 11 ps脉宽 (FWHM) 20 ps 18 ps波长范围400 nm – 1.6 μm最大响应度*0.24 A/W @ 810 nm 0.19 A/W @ 1.3 μm 0.12 A/W @ 1.5 μm0.12 A/W @ 810 nm 0.1 A/W @ 1.3 μm 0.06 A/W @ 1.5 μm偏置电压2 V – 9 V偏置输入接口SMC male标准射频信号输出口K-Type female* 跟耦合结构有关，响应度值可能会降低。 上海尖丰光电技术有限公司AOE TECH CO.,LTD 地址：上海市闵行区元江路3599号328室 邮编： 201109电话：传真：E-mail： 网址:

,名称型号货号 描述参数 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3010E800406014 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3000E800406020 材料：铟镓砷 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT [PDF] ET-2070E800406150 材料：Silicon； 上升／下降时间：＜3ns／＜3ns； 响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ； 带宽：＞118MHz； 有效面积直径：2.55ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 118 MHz 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT [PDF] ET-2060E800406160 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ； 响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１．１ＧＨｚ； 有效面积直径：０．４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.1 GHz 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 ＞25MＨz 美国EOT [PDF] ET-2040E800406170 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ； 响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞２５ＭＨｚ； 有效面积直径：４.５７ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 25 MHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000FE800406030 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；FC/UPC带宽(Hz): ＞10 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] ET-5000E800406040 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；不适用带宽(Hz): ＞10 GHz 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000FE800406050 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): ＞12.5 GHz 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000E800406200 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接c 不适用带宽(Hz): ＞12.5 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600FE800406060 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600E800406070 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500FE800406082 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC；SMF28e带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架) [PDF] [有备注]ET-3500AFE800406090 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1620 V/W ＠1310 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT [PDF] ET-4000AFE800406210 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架) [PDF] ET-5000AFE800406100 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT [PDF] ET-4000AE800406220 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000AE800406110 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：3250 V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT [PDF] ET-3500AE800406120 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜35ps／＜35ps； 带宽：20 kHz 至 10 GHz； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF] ET-3000AE800406130 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ； 转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF] ET-2030AE800406182 材料：Silicon硅 上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ； 转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500E800406141 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): ＞15 GHz 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ 美国EOT [PDF] ET-2030E800406190 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ； 响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１.２ＧＨｚ； 有效面积直径：０.４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.2 GHz

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

DPE12系列热释电探测器常温型红外探测器, 波长范围：2-12μm 热释电探测器使用建议：■ DPE12 热释电探测器为常温型中远红外探测器，内置前置放大器，建议配合锁相放大器使用，推荐使用 SR830 型或 DCS500PA 型； DPE12系列热释电探测器型号列表及主要技术指标： DPE12光敏面尺寸 mm2×2波长范围 ｵ m1.5～12响应度 V/W≥80000电阻 RdMΩ0.1-0.3D*cm8 （Hz）1/2/W≥3×108温度℃-20~55驱动电压3V频率响应范围 Hz5—100（推荐 10Hz）信号输出模式电压D*随频率变化曲线光谱响应度曲线响应度随频率变化曲线DPe12尺寸图DPe12-MS尺寸图

InGaAs APD光电探测器800~1700nm光电探测器主要特性DC-250MHz带宽低噪声高增益22KV/A全金属外壳，屏蔽性能优良支持更大带宽定制800~1700nm光电探测器应用探测连续光或脉冲激光器之间的拍频信号探测超弱光信号探测快速激光脉冲水下光通信无损检测800~1700nm光电探测器性能指标要求（25℃）参数符号典型值单位波长范围λ800~1700nm带宽BWDC/AC-250MHz探测器直径φ75um响应率Re(Vr=0V,λ=1310nm)0.85mA/mWRe(Vr=0V,λ=1550nm)0.9mA/mW跨阻增益22KV/A输出阻抗50 Ω光输入接口FC/APC电输出接口SMA工作电压(单电源输入)9~12V工作电流＜100mA工作温度-40~+85℃存储温度-50~+100℃800~1700nm光电探测器响应曲线 800~1700nm光电探测器结构尺寸更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

总览筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-OpticsTechnology)公司全线产品EOT的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的PIN光电二极管和允许测量技术参数特征内置跨阻放大器占地面积小外墙插电电源带宽高达10GHz选项探测器材质活动区提供光纤耦合或自由空间选项应用监测高重复率、外部调制的连续激光器查看ET-3000A-2GHzInGaAs放大光电探测器