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针对不同的应用以及不同的污染,消解罐有不同的清洗方法。1.常规清洗方法 此方法适用于大部分消解后的罐子清洗,步骤如下:1)用热的清洗液清洗消解罐:用海绵或者脱脂棉擦洗消解罐内的可见污物, 应避免使用硬质毛刷清洗消解罐,以避免划伤消解罐,从而造成更容易吸附样品以及降低罐子使用寿命。2)依次用自来水和去离子水冲洗消解罐,干燥后放置在一个干净且干燥的地方备用。3)盖子部分不必每次消解完样品都清洗,一天只需清洗一次,清洗步骤按照清洗液---自来水---去离子水---干燥的步骤清洗即可。4)外套禁止用任何试剂清洗,如有污物或者酸滴用湿布擦拭干净。5)如果污物中有某些清洗液很难清洗干净的有机物,则可能需要用到丙酮,二甲苯之类的溶剂,使用此类溶剂清洗消解罐时注意残留溶剂一定要用水冲干净。6)不同污物所需清洗溶剂:污物种类清洗试剂灰尘,大部分盐类,部分氧化物等物质热清洗液金属及金属氧化物等物质酸(硝酸,盐酸,氢氟酸等)脂肪,油类(焦油,油脂,石油等),树脂等物质有机溶剂(如丙酮,二甲苯等)7)痕量分析之前除上述清洗步骤外消解罐还需要在10%的硝酸酸缸里浸泡至少24小时。2.特殊污染物的清洗方式 此类污染物使用常规清洗方法很难清洗干净,此时根据污染物的种类需用
沉积薄膜基片的清洗方法主要根据薄膜生长方法和薄膜使用目的来选定。这是因为基片的表面状态或污物严重影响形成薄膜的结构和性质。因此必须采用各种清洗方法.以除去表面的污物。目前,基片清洗方法有:用化学溶剂溶解污物的方法、超声波清洗法、离子轰击清洗法、等离子体清洗法和烘烤清洗法等。 (1)使用洗涤剂的清洗方法 去除基片表面油脂成分的清洗方法是首先在煮沸的洗涤剂中将基片浸泡1min左右,随后用流动水充分冲洗,再在乙醇中浸泡后用干燥机快速烘干。 〔2)使用化学溶剂的清洗方法 用丙酮清洗可采用上述顺序,半导体表面多用强碱清洗,另外还可用溶剂蒸气进行脱脂清洗。 〔3)超声波清洗方法 超声波清洗方法是利用超声波在液体介质中传播时产生的空穴现象对基片表面进行清洗的。针对不同的清洗目的,可采用不同的溶剂、洗涤液或蒸馏水等作液体介质。 (4)离子轰击清洗方法 离子轰击清洗法是在形成薄膜之前用加速的正离子撞击基片表面,把表面上的污染物和吸附物质打出来。这种方法不用液体,也不需要干燥,因此被认为是一种极好的方法,但要注意高能离子会使基片表面受到溅射损伤的问题。 (5)等离子体处理 利用低压气体放电产生的等离子体,对基片进行轰击,赋予各种表面特性和提高膜层的结合力。这是由于等离子体存在许多高能高活性的粒子(如电子、离子、激发原子和分子、光子)与基片表面作用,不仅可除去污物,有时还会接上某些基闭,因而等离子体处理的特点是:能获得活性表面;能除去非常微小的污物;能清洁其他方法难以清洁的部位。 (6)烘烤清洗方法 如果基片具有热稳定性,则在尽量高的真空中把基片加热至300℃左右就会有效除去基片表面上的水分子等吸附物质。
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