红外图像传感器

红外图像传感器 InGaAs红外图像传感器是一种用来探测红外光谱的半导体探测器。这种探测器被广泛的应用在谷物色选机和光谱测量仪器中。 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息、下载文件！ 产品列表产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G11620-512DA铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷1830 lines/s950 to 1700 nm G10768-1024D铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.1 mm25 x 100 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s900 to 1700 nm G10768-1024DB铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s39000 lines/s G11135-512DE铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷8760 lines/s0.95 to 1.7 nm G9201-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9202-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9203-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm12.8 x 0.5 mm50 μm256非制冷1910 lines/s900 to 1700 nm G9203-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9204-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷970 lines/s900 to 1700 nm G9204-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G9205-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1910 lines/s900 to 1850 nm G9206-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2050 nm G9207-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2250 nm G9208-256W铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256两级TE制冷1940 lines/s900 to 2550 nm G9211-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1940 lines/s900 to 1670 nm G9212-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9213-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1940 lines/s900 to 1670 nm G9214-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9494-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.05 mm50 x 50 μm50 μm256非制冷7200 lines/s900 to 1700 nm G9494-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷3750 lines/s900 to 1700 nm G11097-0606S铟镓砷面阵图像传感器3.2×3.2 mm50 x 50 μm50 μm4096一级TE制冷1031 frames/s950 to 1670 nm G11097-0707S铟镓砷面阵图像传感器6.4×6.4 mm50 x 50 μm50 μm16384一级TE制冷279 frames/s950 to 1700 nm 应用领域 微弱光分析 荧光探测 光子计数器 PET DNA测序 环境分析仪器 高能物理

铟镓砷红外图像传感器 适用于近红外波段的图像传感器。具有内置读出电路，便于使用。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！部分产品：产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸像素间距总像素个数制冷线/帧速率光谱响应范围 G11620-512DA铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷1830 lines/s950 to 1700 nm G10768-1024D铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.1 mm25 x 100 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s900 to 1700 nm G10768-1024DB铟镓砷线阵图像传感器25.6 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm1024非制冷39000 lines/s39000 lines/s G11135-512DE铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.025 mm25 x 25 μm25 μm512非制冷8760 lines/s0.95 to 1.7 nm G9201-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm50 x 250 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9202-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.25 mm25 x 250 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm G9203-256D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm12.8 x 0.5 mm50 μm256非制冷1910 lines/s900 to 1700 nm G9203-256S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm50 μm256一级TE制冷1910 lines/s900 to 1670 nm G9204-512D铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512非制冷970 lines/s900 to 1700 nm G9204-512S铟镓砷线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm25 μm512一级TE制冷970 lines/s900 to 1670 nm

滨松图像传感器 滨松公司研发生产了一系列高灵敏度、宽动态范围的图像传感器，是精密测量和工业测量的理想选择。为了帮助您选择最佳的器件，我公司提供一系列的产品，其光谱范围涵盖了高达2.6um的长波长近红外（NIR）到可见光、紫外、真空紫外（VUV）和短波长X射线。CCD图像传感器 CCD图像传感器的噪声极低，因此可以获得高信噪比的图像信号。滨松公司的CCD图像传感器使用FFT—CCD，达到了100%填充因数，零损失收集光线，是高精密光度测量的理想选择。我们共有两种类型的产品，前照式和高量子效率背照式。两种类型都有各种像素尺…CMOS图像传感器 CMOS线性图像传感器在一款芯片中集成了时序电路和信号处理放大器，可在单电源、简单输入脉冲的情况下工作，因此外部电路可以简化。NMOS图像传感器 这些器件具有出色的输出线性度，是需要紫外高灵敏度的高精度光度计测的理想选择。铟镓砷红外图像传感器 适用于近红外波段的图像传感器。具有内置读出电路，便于使用。光电二极管阵列（带放大器） 光电二极管阵列的模块配置中有放大器，所以可以很容易地安装在满足您应用要求的传感器长度内。X射线探测器 X射线探测器由CCD或者光电二极管阵列光学耦合在闪烁体上组成。距离图像传感器

CCD图像传感器 CCD图像传感器的噪声极低，因此可以获得高信噪比的图像信号。滨松公司的CCD图像传感器使用FFT—CCD，达到了100%填充因数，零损失收集光线，是高精密光度测量的理想选择。我们共有两种类型的产品，前照式和高量子效率背照式。两种类型都有各种像素尺寸和布局的型号可选择，使您可根据需要获得最佳器件。滨松有CCD传感器70多种可选， 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！可选种类前照式CCD线阵传感器（ 适于分光光度测定） 前照式CCD面阵传感器（ 适于分光光度测定） 背照式CCD线阵传感器（ 适于分光光度测定） 背照式CCD面阵传感器（适合分光光度测定） 前照式CCD面阵传感器（适合科学计量） 背照式CCD面阵传感器（适合科学计量） 背照式TDI-CCD可选标准标准型 高分辨率型 低标准具效应型 红外增强型 大满井容量型 内置电子快门型全耗尽背照式可选像素尺寸12 x 12 μm 14 x 14 μm 24 x 24 μm 48 x 48 μm 14 x 200 μm 14 x 500 μm 14 x 1000 μm可选像素个数水平512像素 水平1024像素 水平2048像素 水平4096像素 水平1536像素部分产品：产品图像产品型号产品名称类型像素尺寸有效像素个数帧速率（典型值）光谱响应范围 S11151-2048前照式CCD线阵传感器标准型14 x 200 μm2048 × 1 pixels200 to 1000 nm S11850-1106背照式CCD面阵传感器低标准具效应型14 x 14 μm2048 x 64 pixels106 frames/s200 to 1100 nm 11851-1106背照式CCD面阵传感器低标准具效应型14 x 14 μm2048 x 64 pixels651 frames/s200 to 1100 nm S11155-2048-01背照式CCD线阵传感器内置电子快门型14 x 500 μm2048 x 1 pixels200 to 1100 nm S11156-2048-01背照式CCD线阵传感器内置电子快门型14 x 1000 μm2048 x 1 pixels200 to 1100 nm S7030-0906背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 58 pixels316.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-0907背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 122 pixels239.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-1006背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm1024 x 58 pixels192.0 frames/s200 to 1100 nm S7030-1007背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm1024 x 122 pixels160.0 frames/s200 to 1100 nm S7031-0906S背照式CCD面阵传感器标准型24 x 24 μm512 x 58 pixels316.0 frames/s200 to 1100 nm

CMOS 线阵图像传感器S11639-01高灵敏度，像素垂直长度较长的受光面S11639-01 是一款高灵敏度 CMOS 线阵图像传感器，使用像素垂直长度较长的受光面 (14 × 200 µm)。其他特点包括在紫外区域中的高灵敏度和对紫外线性的高耐受性。S11639-01 采用 5 V 单电源供电，适用于低成本光谱仪。特点像素尺寸：14 × 200 μm2048 像素有效光敏区长度：28.672 mm高灵敏度：1300 V/(lx･s)在紫外至近红外区域具有高灵敏度（光谱响应范围：200 至 1000 nm）全像素同步电荷积分可变积分时间功能（电子快门功能）5 V 单电源供电内置时序发生电路允许仅使用起动和时钟脉冲输入即可运行信号数据率：最大 10 MHz详细参数类型高灵敏度型影像尺寸28.672 x 0.200 mm有效像素数2048 x 1 像素像素尺寸14 x 200 μm光谱响应范围200 至 1000 nm行速率（最大值）4672 行/秒制冷非冷却型窗材石英封装LCP测量条件典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，V(CLK) = V(ST) = 5 V，f(CLK) = 10 MHz（除非另有说明）应用示例 (SD-OCT)SD-OCT来自宽带波长光源的光照射到样品上，干涉光光谱发散，然后被线阵图像传感器检测到。通过对获得的波长信息进行傅里叶变换，获得样品深度方向的图像。线性编码器这款线阵图像传感器具有矩形像素、高行速率和全局快门功能，适用于线性编码器的绝对踪迹读取。光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

InGaAs 线阵图像传感器G14237-512WA近红外传感器（0.85 至 1.45 μm）G14237-512WA 是一款 InGaAs 线阵图像传感器，设计用于使用 1064 nm 激光器进行拉曼光谱测量。该产品专为测量拉曼光谱范围而设计，截止波长相比前代产品 (G11508-512SA) 有所减小，以实现低暗电流。该产品由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成，包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器由 CMOS 晶体管阵列组成，并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的每个像素。每个像素的信号都在电荷积分模式下读出，在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。采用密封封装，可靠性极佳。可使用外部电压将 CMOS 芯片上的信号处理电路设定为四种转换效率 (CE) 设置之一。特点低噪声，极低暗电流[1/10 or less than that of the previous product (cutoff wavelength: 1.7 μm)]有四种转换效率可供选择内置抗饱和电路内置 CDS 电路内置热敏电阻操作方便（内置时序发生电路）高分辨率：像素间距 25 μm详细参数影像尺寸12.8 x 0.5 mm像素尺寸25 x 500 μm像素间距25 μm像素总数512 像素封装金属散热两级电子冷却型行速率（最大值）9150 行/秒灵敏度波长范围850 至 1450 nm暗电流（最大值）2 pA测量条件除非另有说明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，INP = Vinp = PDN = 4 V，Fref = 1.2V，Vclk = 5V，f = 1 MHz，CE = 16 nV/e-光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

CCD 面阵图像传感器S11071-1106更优的标准具特性，高速型S11071-1106 是专为光谱仪设计的背照式 CCD 图像传感器。高速型具有改进的标准具特性。S11071-1106 具有近乎平坦的光谱响应特性，在紫外到近红外区域具有高量子效率。特点更优的标准具特性在宽光谱范围内具有高灵敏度和近乎平坦的光谱响应特性高 CCD 节点灵敏度：8 uV/e-高满阱容量和宽动态范围像素尺寸：14 × 14 μm详细参数类型像素合并型低标准具型影像尺寸28.672 x 0.896 mm有效像素数2048 x 64 像素像素尺寸14 x 14 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）651 行/秒行速率（最大值）2875 行/秒暗电流（典型值）50 e-/像素/秒读出噪声（典型值）23 e- rms制冷非冷却型封装陶瓷专用驱动电路C11288-01测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，帧速率：全线 binning光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

InGaAs 线阵图像传感器G13913-256FG用于便携式分析仪器的近红外图像传感器这款紧凑型低成本近红外线阵图像传感器设计用于便携式分析仪器。其消耗电流低于前代产品（DIP 封装产品：G11620 系列）。由于采用带有柔性电路板的紧凑型 LCC 封装，它们适合集成到紧凑的薄型设备中。特点- 紧凑型（带柔性电路板）- 3.3 V 驱动器- 低成本- 256 像素（25 × 250 μm/像素）- 有两种转换效率等级可供选择- 内置抗饱和电路- 操作方便（内置时序发生电路）- 高分辨率：像素间距 25 μm详细参数影像尺寸6.4 x 0.25 mm像素尺寸25 x 250 μm像素间距25 μm像素总数256 像素封装陶瓷，带柔性电路板散热非冷却型行速率（最大值）7290 行/秒灵敏度波长范围950 至 1700 nm暗电流（最大值）10 pA测量条件除非另有说明，典型值 Ta = 25°C，Vdd = 3.3 V，INP = Fvref = Vhold = PDN = 2.5V，Vclk = 3.3 V，fop = 1 MHz光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

CCD 面阵图像传感器S11850-1106更优的标准具特性，恒定元件温度控制S11850-1106/11851-1106 是专为光谱仪设计的背照式 CCD 图像传感器。有两种类型，包括低噪声型 (S11850-1106) 和高速型 (S11851-1106)，具有更优的标准具特性。S11850/11851-1106 具有近乎平坦的光谱响应特性，从紫外到近红外区域具有高量子效率。封装内置了电子制冷器，以在操作期间保持元件温度恒定（约 5°C）。特点-更优的标准具特性-单级电子冷却型（元件温度：约 5°C）-在宽光谱范围内具有高灵敏度和近乎平坦的光谱响应特性-高 CCD 节点灵敏度：6.5 μV/e--高满阱容量，宽动态范围（具有抗信号干扰功能）-像素尺寸：14 × 14 μm详细参数类型像素合并型/低标准具型影像尺寸28.672 x 0.896 mm有效像素数2048 x 64 像素像素尺寸14 x 14 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）106 行/秒行速率（最大值）200 行/秒暗电流（典型值）50 e-/像素/秒读出噪声（典型值）6 e- rms制冷单级电子冷却窗材抗反射膜蓝宝石封装金属测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，帧速率：全线 binning，暗电流：MPP 模式光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

CMOS线性图像传感器在一款芯片中集成了时序电路和信号处理放大器，可在单电源、简单输入脉冲的情况下工作，因此外部电路可以简化。以下为部分产品，更多产品敬请下载综合样本查看：产品图像产品型号产品名称类型感光面积像素尺寸总像素个数线速率（典型值）S11639CMOS线阵图像传感器高灵敏度型28.672 x 0.200 mm14 x 200 μm2048 pixels4672S12706CMOS线阵图像传感器高灵敏度型28.672 x 0.007 mm7 x 7 μm40962387S11106CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.0635 mm63.5 x 63.5 μm12864935S11107CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.127 mm127 x 127 μm64111111S8377-128QCMOS线阵图像传感器标准型6.4 x 0.5 mm50 x 500 μm1283846S8377-256QCMOS线阵图像传感器标准型12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm2561938S8377-512QCMOS线阵图像传感器标准型25.6 x 0.5 mm50 x 500 μm512972S8378-1024QCMOS线阵图像传感器标准型25.6 x 0.5 mm25 x 500 μm1024487S8378-256QCMOS线阵图像传感器标准型6.4 x 0.5 mm25 x 500 μm2561938S8378-512QCMOS线阵图像传感器标准型12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm512972S10123-256QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型6.4 x 0.5 mm25 x 500 μm2561938 line/sS10123-512QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型12.8 x 0.5 mm25 x 500 μm512972 line/sS10124-1024QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型25.6 x 2.5 mm25.6 x 2.5 mm1024243 line/sS10124-256QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型6.4 x 2.5 mm6.4 x 2.5 mm256969 line/sS10124-512QCMOS线阵图像传感器可变积分时间型12.8 x 2.5 mm25 x 2500 μm512486 line/sS10227-10CMOS线阵图像传感器塑料封装6.4 x 0.25 mm12.5 x 250 μm5129434 line/sS11106-10CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.0635 mm63.5 x 63.5 μm128 pixels64935 line/sS11107-10CMOS线阵图像传感器塑料封装8.06 x 0.127 mm127 x 127 μm64 pixels111111 line/sS11662CMOS面阵图像传感器陶瓷封装4.736 x 3.552 mm7.4 x 7.4 μm680 x 520 pixels

一, Dynamic Optics 夏克-哈特曼 快速CMOS波前传感器 Dynamic Optics Shack Hartmann 夏克-哈特曼波前传感器使用起来方便灵活快捷。它可以高精度地测量波前畸变。Photon Loop软件可以与任何类型的相机接口，并控制任何类型的变形镜。我们的波前传感器可以在任何光谱范围内进行测量，具有很高的分辨率、精度和帧率。技术参数快速CMOS传感器即插即用的解决方案，具有出色灵敏度这款波前传感器在可见-近红外光谱范围内具有出色的灵敏度、帧率和准确性。它是计量学和可变形镜控制的理想选择。 产品应用精确波前测量快速像差采集闭环自适应光学系统光学元件质量检验关键规格高精度(高达λ/200)快速捕获(最高1 kHz)价格优惠 快速CMOS传感器 描述数据小透镜阵150 um间距，5.2mm焦距(可定制)帧频500fps，100个质心(要求1kHz)传感器尺寸9mm x 7.13mm孔径:9mm触发器外部触发器5V通信USB 3.0变形镜控制控制器比例积分控制器校准影响功能和Hadamard控制闭环和开环编程可通过TCP-IP进行编程与其他变形镜的兼容性Alpao、Adaptica、OKO、BMC、Thorlabs和Dynamic Optics 短波红外（SWIR）光谱范围的理想解决方案这款波前传感器具有出色的灵敏度、帧速率和精度。它是计量和变形镜控制的理想选择。 描述数据小透镜阵150um间距，5.2mm焦距(可定制)帧频600fps(全帧)传感器尺寸640 x 512(15um)沟通USB 3.0或摄像头链接变形镜控制控制器比例积分控制器校准影响功能和Hadamard控制闭环和开环设计可通过TCP-IP进行编程与其他变形镜的兼容性Alpao、Adaptica、OKO、BMC、Thorlabs和Dynamic Optics 二,ISDI 晶圆级CMOS图像传感器ISDI是高性能CMOS图像传感器领域的创新者，提供定制传感器设计和标准产品。产品范围包括专用设计到大批量制造。ISDI成立于2010年，团队由一群在CMOS图像传感器方面拥有丰富知识和经验的半导体设计师组成，他们从科研项目获得了经验。自成立以来，ISDI已从科学传感器的设计师发展为广泛应用的晶圆级成像设备的制造商。数字接口设计可以直接连接到FPGA或ASIC。对于50μm和100μm传感器，开发板可配备相机链、USB或GigEVision连接，用于快速评估传感器性能，这些也可作为成像系统硬件快速原型设计的参考。所有传感器均设计用于X射线环境下的低噪声操作，适用于光纤板（FOP）键合或直接沉积型闪烁体。ISDI 晶圆级CMOS图像传感器,ISDI 晶圆级CMOS图像传感器通用参数CMOS图像传感器: 产品系列多功能、功能丰富的图像传感器，结合了ISDIZhuan利的抗辐射低噪声像素结构。特点:滚动快门曝光可切换高低满井来提高和降低灵敏度芯片上的温度传感器动态可编程感兴趣区域(ROI)有效面积 (h x v) cm分辨率(h x v)最大帧率( fps)数据输出包装尺寸(cm)单芯片ADCRow time ( ROI) µ s低满井Low full well高满井High full well低频焊LFW 高频焊HFWTY-222221.7 x 22.02173 x 220111268 x LVDS27.0 x 21.8 16/14 bit 8.2 360 ke- 3.2 Me- 72.7dB 81.0dBTY-151114.5 x 11.01451 x 110011222 x LVDS14.5 x 13.5TY-141214.0 x 12.01401 x 120011618 x LVDS14.0 x 14.4TY-11077.2 x 11.1721 x 111011212 x LVDS7.2 x 13.5HP-161516.1 x 15.01610 x 15009224 x LVDS16.1 x 17.6 14 bit 7.1 365 ke- 3.0 Me- 70.2dB 73.6dBHP-230123.3 x 0.762331 x 7648044 x LVDS23.5 x 6.1HP-150114.8 x 0.761484 x 7648028 x LVDS15.0 x 6.1IS-313130.9 x 30.73095 x 307366300 x CMOS31.2 x 35.5 14 bit 9.8 410 ke- 2.6 Me- 72.0dB 74.0dBIS-212120.6 x 20.52063 x 204966200 x CMOS20.6 x 25.3IS-151010.3 x 15.31031 x 15366650 x CMOS10.3 x 17.7IS-051010.3 x 5.11031 x 51219850 x CMOS10.3 x 7.4IS-151211.5 x 14.81537 x 198430 (86 @ 2*2 binning)6 x analogue11.5 x 16.3none17 290 ke- 2.8 Me- 70.5dB 74.4dBIS-120711.5 x 6.51537 x 86468 (192 @ 2*2 binning)6 x analogue11.5 x 7.9none17PS-282428.0 x 24.05606 x 48022972 x LVDS28.1 x 28.814 bit14.2 260 ke- 2.0 Me- 69.9dB 73.6dBPS-141214.0 x 12.02802 x 24002918 x LVDS14.1 x 14.414 bit14.2PS-120611.96 x 6.02391 x 12005916 x LVDS12.0 x 8.414 bit14.2PS-06065.4 x 6.01071 x 1200598 x LVDS5.35 x 8.414 bit14.2IS-131313.0 x 13.02600 x 260016 (30 @ 2*1 binning)7 x analogue13.1 x 15.5none24150 ke-2.0 Me-64.4dB75.1dB三, Pulstec PWS-1000 高速波前传感器 400-800nm 光束直径2.0-4.6mmPULSTEC该传感器基于Shack-Hartmann方法，能够实时测量光源和光学像差。它能够测量Zernike多项式项(15/24/36)，赛德尔像差因子和一般波前磨损。它还具有干涉条纹、二维/三维相位图、强度分布和点扩散函数等功能。测试结果(好或不好)可以按给定值测量。Pulstec PWS-1000 高速波前传感器 400-800nm 光束直径2.0-4.6mm,Pulstec PWS-1000 高速波前传感器 400-800nm 光束直径2.0-4.6mm产品特点高速处理，实时测量:图形3Hz，数值10hz。适用于对相干性不敏感的各种光束测量。设计紧凑轻巧，适用于各类设备。采用IEEE1394接口，方便接入电脑。产品应用通过波前测量确定光束质量光学透明元件测试自适应光学波前传感器光学反射组件测试通用参数测量波长400-800nm *1激光束直径2.0-4.6mm精确性1/100λ RMS (3σ) *2可重复性1/5002RMS (3σ) *2数据更新Max. 10Hz外部界面IEEE1394 (6pin)*1 需要获取每个波长的参考值。*2受光束强度分布影响，jue对波前误差测量环境。相关产品参考激光二极管源点源 (Point Source)平行光源波长405±5nm650 ＋5/-0nm780±5nm405±5nm650 ＋5/-0nm780±5nm波长差＜1／50λ RMS偏振圆形标准差激光功率控制自动电源控制 (APC)激光温度控制比例积分控制激光头尺寸179× Φ 44.5mm (L× Φ)253× Φ44.5mm (L× Φ )激光器重量大约 1.0kg大约1.4kg驱动器尺寸152×61.5×167mm (W×H×D)驱动器重量大约1.2kg电源供给AC 100-240V／50-60Hz (30W)NA0.9准直镜波长405nm和655nm焦距2.4mm (@405nm)/ 2.54mm (@655nm)数值孔径(NA)o.9(405nm)/0.7(@655nm)作业距离超过1.0mm重量大约150g玻璃盖板波长405nm655nm基板厚度 0.0875mm0. 1mm0.6mm

高灵敏度，垂直长像素光敏区域 S11639-01是一个高灵敏度的CMOS线性图像传感器，其光敏区域由垂直长像素构成（14×200 μm）。其他特点包括紫外区域的高灵敏度和高阻抗。S11639-01由单一5V电源供应操作，所以适用于低耗光谱仪。详细参数图像尺寸28.672 x 0.200 mm有效像素个数2048 x 1 pixels像素尺寸14 x 200 μm光谱响应范围200 to 1000 nm线速率（典型值）4672 line/s制冷Non-cooled窗材料Quartz封装LCP测试条件Typ. Ta=25 ℃, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V, f(CLK)=10 MHz, unless otherwise noted总像素个数2048光谱响应范围（最小值）200 nm光谱响应范围（最大值）1000 nm产品特征-像素尺寸：14×200 μm - 有效光敏区域长度：28.672 mm - 高灵敏度：1300 V/(lx*s)，从紫外到近红外区域（光谱响应范围：200-1000 nm） - 所有像素同步电荷积分 多种积分时间（电子快门功能） - 5V单电源供应操作 内置时序产生电路，操作只需要开始和时钟脉冲信号输入 - 视频数据速率：最大10MHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

近红外传感器（0.85至1.45μm）G14237-512WA是一款InGaAs线性图像传感器，为1064 nm激光拉曼光谱测量而设计。 专门用于测量拉曼光谱范围，截止波长相比之前的产品（G11508-512SA）已有所降低，从而降低了暗电流。 该产品由InGaAs光电二极管阵列和由电荷放大器，偏移补偿电路，移位寄存器和定时发生器组成的CMOS芯片组成。 电荷放大器由CMOS晶体管阵列组成，并连接到InGaAs光电二极管阵列的每个像素。由于每个像素的信号都是以电荷积分模式读取的，因此这款传感器在近红外区域拥有高灵敏度和稳定的工作状态。封装采用气密密封，使产品具有出色的可靠性。 此外，通过使用外部电压可将CMOS芯片上的信号处理电路设为四种转换效率（CE）设置之一。产品特征- 低噪音，极低的暗电流 [为之前产品的1/10或更少（截止波长：1.7μm）]- 有四种转换效率类型可供选择- 内置饱和对抗电路- 内置CDS电路- 内置热敏电阻- 操作简便（内置定时发生器）- 高分辨率：25μm间距详细参数图像尺寸12.8 x 0.5 mm像素尺寸25 x 250 μm像素间距50 μm总像素个数512 pixels封装Metal线性率 (最大值)9150 lines/s冷却方式Two-stage TE-cooled光谱响应范围850 to 1450 nm测试条件unless otherwise noted, Typ. Ta=25 ℃,Vdd=5 V,INP=Vinp=PDN=4 V,Fref=1.2V,Vclk=5V,f=1 MHz, CE=16 nV/e-光谱响应外形尺寸（单位：mm）

紫外NMOS图像传感器 这些器件具有出色的输出线性度，是需要紫外高灵敏度的高精度光度计测的理想选择。滨松有NOMS 40多种在售， 欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！可选像素：128像素 256像素 512像素 1024像素 2048像素部分产品：产品图像产品型号产品名称感光面积像素尺寸总像素个数线速率（典型）光谱响应范围（最小值） S3901-1024QNMOS线阵图像传感器51.2 x 2.5 mm50 x 2500 μm10241950200 nm S3901-128QNMOS线阵图像传感器6.4 x 2.5 mm50 x 2500 μm12815600200 nm S3901-256FNMOS线阵图像传感器12.8 x 2.5 mm50 x 2500 μm2567800360 nm S3901-256QNMOS线阵图像传感器12.8 x 2.5 mm50 x 2500 μm2567800200 nm S3901-512FNMOS线阵图像传感器25.6 x 2.5 mm50 x 2500 μm5123900360 nm S3901-512QNMOS线阵图像传感器25.6 x 2.5 mm50 x 2500 μm5123900200 nm S3902-128QNMOS线阵图像传感器6.4 x 0.5 mm50 x 500 μm12815600200 nm S3902-256QNMOS线阵图像传感器12.8 x 0.5 mm50 x 500 μm2567800200 nm S3902-512QNMOS线阵图像传感器25.6 x 0.5 mm50 x 500 μm5123900200 nm S3903-1024QNMOS线阵图像传感器25.6 x 0.5 mm25 x 500 μm10241950200 nm

适用于便携式分析仪器的近红外图像传感器 该产品为设计用于便携式分析仪器的紧凑、低成本的近红外线阵图像传感器。其耗电量较前序产品更低（DIP封装产品：G11620 系列）。其采用了极为紧凑的LCC封装及柔性线路板，因此十分适合集成入紧凑轻便的设备中。 产品特性● 紧凑（带柔性线路板） ● 3.3 V驱动● 低电流消耗：15mA● 低成本 ● 128像素（25 × 250 μm/pixel） ● 两级转换功率可选 ● 内置抗饱和电路 ● 操作简单（内置时序发生器）详细参数图像尺寸6.4 x 0.25 mm像素尺寸50 x 250 μm像素间距50 μm总像素个数128 pixels封装Metal线性率 (最大值)13600 lines/s冷却方式Non-cooled光谱响应范围950 to 1700 nm测试条件unless otherwise noted，Typ. Ta=25 ℃，Vdd=5 V，INP=Fvref=Vhold=PDN=2.5V，Vclk=3.3 V， fop=1 MHz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

适用于便携式分析仪器的近红外图像传感器 该产品为设计用于便携式分析仪器的紧凑、低成本的近红外线阵图像传感器。其耗电量较前序产品更低（DIP封装产品：G11620 系列）。其采用了极为紧凑的LCC封装及柔性线路板，因此十分适合集成入紧凑轻便的设备中。 产品特性● 紧凑（带柔性线路板） ● 3.3 V驱动● 低成本 ● 256像素（25 × 250 μm/pixel） ● 两级转换功率可选 ● 内置抗饱和电路 ● 操作简单（内置时序发生器） ● 高分辨率：25 μm pitch详细参数图像尺寸6.4 x 0.25 mm像素尺寸25 x 250 μm像素间距25 μm总像素个数256 pixels封装Ceramic with flexible board线性率 (最大值)7290 lines/s冷却方式Non-cooled光谱响应范围950 to 1700 nm测试条件unless otherwise noted，Typ. Ta=25 ℃，Vdd=5 V，INP=Fvref=Vhold=PDN=2.5V，Vclk=3.3 V，fop=1 MHz外形尺寸（单位：mm）

红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合，可以实现多种类型，涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！热电堆探测器 为了满足多种应用的需求，我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域，比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型，具有更高的信噪比，广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器，可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术，在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器，在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型：液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器，光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱（双色）探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用，沿着统一光轴，一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽，为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性，光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度，可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。

光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪产品简介：光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪是商用CMOS图像传感器测试仪，可以提供全面的CMOS图像传感器参数表征。被测设备可以是几种类型的CMOS图像传感器模块。检验程序符合EMVA 1288标准。因此，可用于进行晶圆级光学检测、加工参数控制、微透镜设计、微透镜验证。SG-A CMOS图像传感器测试仪的高度准直光束（1°）可以克服传统光学系统（如积分球系统）无法解决的新制造工艺的检测困难。特色 *无损光学检测。*高度准直梁角 /高准直波束角0.05度 ,0.1度 0.5度 ,1度,93度 (不同型号)*高均匀光束点：≥ 99%。*光的不稳定性≤1%。*高动态范围测试能力：80dB~140dB（不同型号）。*可以测试CMOS图像传感器参数。量子效率、光谱响应、系统增益、灵敏度、动态范围、暗电流/噪声、信噪比、饱和容量、线性误差（LE）、DCNU（暗电流不均匀性）、PRNU（光响应不均匀性）、CRA。*全光谱波长范围:300nm-1100nm或350nm~1000nm（PTC）。*波长可扩展至1700纳米以上。*DUT 封装：CIS 模块，PCB 板级，CIS 摄像头，有/无微透镜。*SG-A和DUT之间的 “直接 “或 “握手 “通信协议。*定制的测试夹具和平台（手动或自动，最多6轴）。*功能完整的分析软件ARGUS。*应用：指纹识别（CIS+镜头，CIS+准直器，TFT阵列传感器）*CIS的微透镜设计，*晶圆级光学检测，CIS DSP芯片算法开发，Si TFT传感器面板，*飞行时间相机传感器，接近传感器（量子效率，灵敏度，线性度，SNR等），*d-ToF传感器，i-ToF传感器，多光谱传感器，*环境光传感器（ALS），指纹显示（FoD）传感器。系统设计规格光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪的功能很好，因此相关的规格和配件也很齐全。更多细节可再了解。 以下是主要的能力规格: – 全光谱的波长范围：300-1100nm或350-1000nm（PTC）– 波长范围可以扩展到1700 nm或更高– 单一波长源：470nm、530nm、630nm、940nm（±5nm），或自定义– 动态范围：80dB、100dB或140dB– 测试夹具：DUT≤100mm x 100mm x 30mm(高度)[基本型]或定制– 平台：非、手动3轴，或6轴（手动+自动）平台（可定制）应用范围光焱科技SG-A CMOS图像传感器测试仪可用于：*指纹识别（CIS+镜头、CIS+准直器、TFT-阵列传感器)*CIS的微透镜设计，晶圆级光学检查*CIS DSP 芯片的算法开发*Si TFT 传感器面板*飞行时间相机传感器*近距离感应器 (量子效率、灵敏度、线性度、SNR等。)*d-ToF传感器、i-ToF传感器*多光谱传感器*环境光传感器 (ALS)*指纹显示（FoD）传感器

CD 线阵图像传感器S13256-2048-02带电子快门功能的薄型背照式 CCD 图像传感器S13256-2048-02 是一款薄型背照式 CCD 线阵图像传感器，带有用于光谱仪的内部电子快门。此图像传感器使用电阻门构造，可实现高速传输。每个像素都有光谱仪所需的纵向尺寸，但确保读出时图像延迟较低。此外，封装还内置了电子制冷器，以在操作期间保持元件温度恒定（约 5°C）。特点内置电子快门最短积分时间：2 μs在紫外区域具有高灵敏度（光谱响应范围：200 至 1100 nm）读出速度：最大 10 MHz-图像延迟：典型值为 0.1%详细参数类型内置电子快门型影像尺寸28.672 x 1.000 mm有效像素数2048 x 1 像素像素尺寸14 x 1000 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）2327 行/秒行速率（最大值）4633 行/秒暗电流（典型值）15000 e-/像素/秒读出噪声（典型值）30 e- rms制冷单级电子冷却窗材石英封装金属测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，暗电流：MPP 模式光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

快速安装和快速部署可以帮助您加快上市时间。SG-A系统是世界第一个用于CMOS图像传感器测试仪。可以提供最全面的CMOS图像传感器参数表征，如全谱量子效率QE、整体系统增K、时间暗噪声、信噪比、绝对灵敏度阈值、饱和容量、动态范围、DSNU、PRNU、线性误差和主光线角CRA。被测设备可以是多种类型的CMOS图像传感器模块。检验程序符合EMVA 1288标准。因此，SG-A CMOS图像传感器测试仪可以于晶圆级光学检测、工艺参数控制、微透镜设计、微透镜验证。SG-A CMOS图像传感器测试仪的高度准直光束（1°)可以克服传统光学传统（如积分球系统）无法解决的新制造工艺的检测难题。这些工艺包括小像素（ 1 um）、BSI和3D堆叠、微透镜、新的拜耳阵列设计等。特性：无损光学检测。高度准直樑角 / 高准直波束角 0.05 度, 0.1 度, 0.5 度 ,1 度, 3 度 (不同型号)高均勻光束点：≥ 99%。光的不稳定性≤1%。高动态范围测试能力：80dB ~ 140dB（不同型号）。可测试 CMOS 图像传感器参数：量子效率、光谱响应、系统增益、灵敏度、动态范围、暗电流 / 噪声、信噪比、饱和容量、线性误差（LE）、DCNU（暗电流非均勻性）、PRNU（光响应）非均勻性）、CRA（主光线角）。全光谱波長范围：300nm – 1100nm 或 350nm ~ 1000nm（PTC）。波长可扩展至 1700nm 以上。DUT 封裝：CIS 模块，PCB 板级，CIS 摄像头，有 / 无微透镜。SG-A 和 DUT 之间的 “直接” 或 “握手” 通信協议。定制的測试夾具和平台（手动或自动，最多 6 軸）。強大的分析软件 ARGUS。应用：指纹识別（CIS + Lens、CIS + 准直器、TFT-array sensor）CIS 微透镜设計、晶圆级光学检测、CIS DSP 芯片算法开发、Si TFT 传感器面板、Time-of-Flight 相机传感器、Proximity 传感器（量子效率、灵敏度、线性度、SNR 等）、d-ToF 传感器、i-ToF 传感器、多光谱传感器、环境光传感器 (ALS)、显示屏下指纹 (FoD) 传感器。 可针对影像传感器，或影像探测器晶片或模组进行以下参数量测量子效率Quantum efficiency)系统增益Overall system gain)暂能暗杂讯Termporal dark noise)信号杂讯比Signal to noise ratio绝对灵敏度阈值Absolute sensitivity threshold饱和容量Satuation capacity动态范围Dynamic range空间非均匀性（暗像素偏移，亮像素偏移）Spaturation nonuniformity(DSNU,PRNU)线性度误差Linearity error主光线角CRA

FLIR A315支持GIGE的红外温度传感器（电动调焦）FLIR A315是一款经济实惠的迷你型红外热像仪，可通过PC全面控制。由于符合行业标准，FLIR A315支持National Instruments、Cognex、Matrox、MVtec和Stemmer Imaging等第三方机器视觉软件的即插即用。监控您的关键系统出色的图像质量FLIR A315配备一台320×240像素的微测辐射热计，能够检测出小至50 mK的温差，提高远距离测量的精度。高频率传输FLIR A315能以60 Hz传输带信号、线性温度和辐射测量数据的16位全帧图像。即插即用A315兼容GigE Vision和GenICam协议，当配合IMAQ Vision等软件包使用时能实现即插即用。

CCD 面阵图像传感器S7031-1006S薄型背照式 FFT-CCDS7031-1006S 是一系列 FFT-CCD 图像传感器，专门设计用于科学用途中的微弱测光。通过使用像素合并操作，S7031-1006S 在装置长度的方向上具有长孔径，可以用作线阵图像传感器。因此，S7031-1006S 适合用于分光光度测定。与通过外部电路以数字方式添加信号的传统方法相比，像素合并操作显著提高了信噪比和信号处理速度。S7031-1006S 还具有低噪声和低暗信号的特点（MPP 模式操作）。这样可实现微弱测光和长积分时间，从而实现宽动态范围。特点-单级电子冷却型-像素尺寸：24 × 24 μm-线 binning、像素拼接-在最大灵敏度波长下，量子效率大于 90%-宽光谱响应范围-低读出噪声-宽动态范围-MPP 操作-高紫外灵敏度，稳定性好详细参数类型像素合并型标准型影像尺寸24.576 x 1.392 mm有效像素数1024 x 58 像素像素尺寸24 x 24 μm光谱响应范围200 至 1100 nm行速率（典型值）213 行/秒行速率（最大值）698 行/秒暗电流（典型值）100 e-/像素/秒读出噪声（典型值）8 e- rms制冷单级电子冷却窗材抗反射膜蓝宝石封装陶瓷专用驱动电路C7041测量条件典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，帧速率：全线 binning，暗电流：MPP 模式光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

CMOS 线阵图像传感器S13496高灵敏度，像素垂直长度较长的受光面S13496 是一款高灵敏度 CMOS 线阵图像传感器，使用具有微小像素的受光面。它拥有包含 4096 像素的长受光面（有效光敏区长度：28.672 mm），每个像素尺寸为 7×200 μm。特点-像素尺寸：7 × 200 μm-4096 像素-有效光敏区长度：28.672 mm-高灵敏度：650 V/(lx・ s)-全像素同步电荷积分-可变积分时间功能（电子快门功能）-5 V 单电源供电-内置时序发生电路允许仅使用起动和时钟脉冲输入即可运行-信号数据率：最大 10 MHz详细参数类型高灵敏度型影像尺寸28.672 x 0.200 mm有效像素数4096 x 1 像素像素尺寸7 x 200 μm光谱响应范围200 至 1000 nm行速率（最大值）2387 行/秒制冷非冷却型窗材石英封装LCP测量条件典型值 Ta = 25°C，Vdd = 5 V，V(CLK) = V(ST) = 5 V，f(CLK) = 10 MHz，除非另有说明光谱灵敏度特性外形尺寸图（单位：mm）

FLIR A315 f支持GIGE且达到IP66防护等级的红外温度传感器FLIR A315 f是一款经济实惠的迷你型红外热像仪，配有符合IP66等级的环境防护外壳。FLIR A315 f具有兼容GigE VisionTM和GeniCamTM的特性，是利用PC软件进行状态监控或火灾预防应用的人员的必然选择。FLIR A315支持IMAQ Vision和Halcon等第三方机器视觉软件的即插即用。保护您的关键设备出色的图像质量FLIR A315配备一台320×240像素的微测辐射热计，能够检测出小至50 mK的温差，提高远距离测量的精度。即插即用FLIR A315兼容GigE Vision和GenICam协议，配备GigE Vision可锁止连接器，当配合IMAQ Vision等软件包使用时能实现即插即用。专为恶劣环境而精心设计A315 f是一款极其耐用的系统，符合IP66要求，能为热像仪提供防尘防水保护。

面对工厂中的有无、位置、角度、扫码等检测和测量的应用，许多人在搭建视觉系统时常常面临难题，能否减少方案和设备的复杂程度，让选型、架设和配置更加轻松？视觉传感器将给你答案。它可在机身内部实现有无、正反、位置、尺寸、读码等视觉检测和测量，易于成像、调试的结构和独特的Web端配置工具让架设更加方便。视觉传感器小巧机身里蕴含强大功能，是轻量级视觉检测项目德不二之选。功能特性采用嵌入式硬件平台，可进行高速的图像处理植入高精度定位、测量、识别算法，可实现计数、有无、测量、识别等功能 IO 接口丰富，可接入多路输入、 输出信号状态指示灯丰富，可实时查看设备状态，方便调试与维护光源设计巧妙， 确保照明区域亮度均匀支持 RS-232、 TCP、 UDP、 FTP、 PROFINET、 Modbus、 EtherNet/IP 等多种通讯模式视觉传感器具有成本低廉、使用简单的优点，因此它的应用领域十分广泛，那么视觉传感器的应用领域有哪些呢？我们一起来看看。　1、在各类药品包装生产线当中，视觉传感器可以检查各类药品的包装内是不是存在各种破损、缺失药片等情况。　　2、视觉传感器的应用领域还包括了各种普通的包装生产厂，在这类厂商当中视觉传感器可以检查相关的位置有没有贴上符合标准的包装标签等。　　3、视觉传感器的应用还包括各类瓶装厂，而视觉传感器的存在可以帮助大家校验瓶盖的组装是不是达到了正确密封的标准。除此之外，还可以检查瓶内的装灌液位是不是符合标准。不仅如此，还能视觉传感器还能检查瓶子在封盖之前，是否有异物掉到了瓶内。　　4、针对不同的汽车组装厂当中，而视觉传感器在这个领域当中主要是负责检验由机器人进行操作的相关车门边框的胶珠是不是符合标准，有没有保持正确的宽度。视觉传感器在工业中很多领域都起到了至关重要的作用，简单的操作与结构设计，稳定的功能输出，受到了大家的一致好评。

FLIR A310用于关键设备监控的红外温度传感器FLIR A310是一款固定安装式红外热像仪，可安装在几乎任何地方，用于监控您的关键设备和其它贵重资产。该款热像仪能保护您的工厂，测量温差以评估给定情况的危急程度。它有助于您提前发现问题，以避免其发展成为代价高昂的故障，从而预防停机，同时确保工人安全。监控您的关键设备出色的图像质量FLIR A310配备一台320×240像素的氧化钒（VOx）微测辐射热计，能够检测出小至50 mK的温差。工业协议兼容以太网/IP和Modbus TCP协议，可将分析和警报结果共享至可编程逻辑控制器；具有数字输入/输出功能，可用于报警和外部设备控制。内置分析与报警A310具有点、区域温度和温差测量功能，并且可根据分析、内部温度或数字输入执行报警。

一, Dynamic Optics 夏克-哈特曼 SWIR 短波红外传感器 SWIR320一, Dynamic Optics 夏克-哈特曼 SWIR 短波红外传感器 SWIR320短波红外 快速、出色的灵敏度和低噪音 SWIR 光谱范围的理想解决方案 具有出色的灵敏度、帧速率和准确性。它是计量和变形镜控制的理想选择。Dynamic Optics 夏克-哈特曼 SWIR 短波红外传感器 SWIR320,Dynamic Optics 夏克-哈特曼 SWIR 短波红外传感器 SWIR320技术参数小透镜阵列1)300um间距，4.2mm焦距2)25oum间距，5mm焦距3)可定制间距、焦距帧率80ofps全帧200 x200像素，2kHz半帧传感器尺寸像素尺寸15um传感器分辨率320x2564.8mm x 3.8mm测量点25oum透镜间距，19x15可定制透镜准确性和可重复性Lambda/10o,lambda/20o通讯USB 3.0或相机连接尺寸55mm x 55mm x 60mm操作系统Windows 8/10 x64端口USB软件工具TCP-IP，数据记录，时间序列探测器量子效率像素尺寸15um量子效率70%噪声值50e-全井产能（高增益）33ke-_ADC分辨率16bit机械制图二, MIR-CAM系列 高性能非制冷红外机芯组件(采用氧化钒非制冷红外焦平面探测器)二, MIR-CAM系列 高性能非制冷红外机芯组件(采用氧化钒非制冷红外焦平面探测器)MIR-CAM系列384×288/640×512/1024×768高性能非制冷红外机芯组件，采用法国进口的氧化钒非制冷红外焦平面探测器为核心器件，图像清晰，灵敏度高、支持多种控制接口和数字视频接口，满足安全监控、防火报警、高温预警、车载夜视、单目手持等行业的应用需求。使用该系列机芯组件开发红外热成像产品，可缩短开发周期，降低二次开发难度。MIR-CAM系列 高性能非制冷红外机芯组件(采用氧化钒非制冷红外焦平面探测器),MIR-CAM系列 高性能非制冷红外机芯组件(采用氧化钒非制冷红外焦平面探测器)通用参数筱晓上海光子实验测试报告2327nm DBF 30mA，功率测不出来，很微弱 35mA 时为 0.1mW，其准直光打在相机上已经出现恢复缓慢的亮点，不太安全QCL 7.4um 133 mA9.68um QCL 170mA ，接近阈值电流，不能超过阈值电流2004nm dfb 激光器，操作电流 7.1mA，阈值电流 8mA。1945nm dfb 阈值电流 18mA，此为 21mA 测量，温度 25℃。1680nm dfb 阈值电流 36mA，操作温度为 25 度，操作电流从 20mA 每次递增 1mA 逐渐加到 60mA，没有现象，说明此红外相机的测量波段范围大于 1680nm1750nm FP 阈值电流为 52mA，测试温度为 25 度，操作电流 200mA，6mW 时看不到现象， 此红外相机测试波段范围大于 1750nm。

CAMTEK 自动光学检验AOI设备 CMOS图像传感器检查Camtek CMOS图像传感器制造商提供了大量环境系统与不妥协的检测能力。我们的先进解决方案强加的独特挑战CIS应用程序,如像素尺寸小型化和复杂的生产过程,是基于我们长期积累的经验在这个市场。功能• Sub-resolution检测™ • 动态范围扩展器和双照明• 黑场和明亮的场• 先进的低对比度缺陷算法• 细晶片和改造晶片处理• 验证:在线和离线技术• 先进的缺陷检测和计量处理引擎• 高分辨率三维共焦传感器 产品 头鹰头鹰年代最先进的2 d表面缺陷检验和计量系统,实现高容量生产前2 d检查解决方案和post-bumped晶片,探针标记检查,OQc等等。 EagleT-i设计的速度和准确性,Camtek EagleT-i是一个最快的和最精确的2 d检查工具在市场上。

FLIR Axxx 智能传感器热像仪性能出色，使自动化解决方案提供商能够满足复杂监控应用的需求，包括关键基础设施、产品质量和早期火灾检测。智能传感器配置包括多种测量工具和报警，同时提供边缘计算，在热像仪层面执行分析以立即获得结果。A400/A500/A700 热像仪提供多个镜头选项、电动调焦控制和无与伦比的连接能力，拥有出色的性能和灵活性。易于配置，使您能够根据您公司的质量、生产率、维护和安全需求定制监控系统。具有灵活的测量特性，适合多种应用包括可选择基于参考温度源（高级）调节测量精度，这尤其适用于对高精度有需求的应用，如皮肤温度升高检查高级分析技术能增强决策支持边缘分析技术拥有多边形函数（高级）等特性，有助于您立即作出知情决策良好的红外成像技术提供出色的图像质量，拥有高达 640×480（307,200 像素）分辨率和出色的测量精度（＜±2℃）

增强近红外灵敏度：QE=40% (λ=1000 nm)S11510-1006是一款FFT-CCD图像传感器， 提高了在波长超过800nm的近红外波段的灵敏度，适用于光度计。我们使用独特的激光加工技术，在CCD背部形成了MEMS结构。这使得其比我们之前的产品(S10420-01)具有更高的灵敏度。除了在紫外灵敏度高以外，通过合并操作（binning），该器件在高度方向上形成很长的感光区，适合用于拉曼光谱仪。同时，binning比传统通过外部电路将信号数字化相加的方式具有更高的信噪比和信号处理速度。该器件管脚和S10420-01兼容，驱动条件一致。特性增强近红外灵敏度： QE=40% (λ=1000 nm) 像素尺寸：14 × 14 um- 高CCD结灵敏度： 6.5 uV/e-大满井容量、宽动态范围MPP操作详细参数 类型 红外增强型 感光面积 14.336 x 0.896 mm 像素尺寸 14 x 14 μm 像素间距 14 μm 有效像素个数 1024 x 64 pixels 封装 陶瓷 帧速率（典型值） 189.0 frames/s 光谱响应范围 200 to 1100 nm 饱和电荷量（典型值） 60 ke- 暗电流（典型值） 50 e-/pixel/s 读出噪声（典型值） 6 e- rms 专用驱动电路 C11287 测试条件 Ta=25 ℃，除非注明，均为典型值。帧速率: 满线合并（full line binning）光谱响应外形图（单位：mm）