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请问各位大侠,电镜放大倍数与辐照损伤有联系吗?放大倍数越大,损伤越大吗?
今天翻一篇文献,里面提到Hobbs, L.W.对于TEM里面的辐照损伤的两篇文献。Hobbs, L.W., Radiation effects in anylysis by TEM. Quantitative Electron Microscopy (Chapman, J.N. and Craven, A.J.,eds)399-445(Scottish Universities Summer School in Physics, Edinburgh 1984)Hobbs, L.W., Electron-beam sensitivity in inorganic specimens,Ultramicroscopy 23(1987)339-344没办法看这两篇文献,不过我记起以前ustb曾经说过辐照损伤分为两种,对有机物的辐照损伤和对沸石分子筛的那种是不同的,前者可以采用低电压即可有效避免,而后者则反而需要采取高加速电压,这其中的分别究竟何在呢?
台湾中央研究院物理所纳米核心设施的教程,2006年6月18日,Jin-Sheng Tsai,给出了两张PPT,指出了辐照损伤的来源:第一粒子碰撞,晶体格子原子的直接位移产生了点缺陷,这和电子的能量相关。第二能量辐射,非弹性散射(主要是热)破坏了聚合物或者碱土卤化物等材料的化学键。这是因为电子和电子相互作用会产生声子或热振动,从而破坏化学键。给出了三种方法最小化损伤:第一,在最高的工作电压下操作。第二,液氮冷台冷却第三,透射扫描模式下使用。我感到迷惑的是第一种,这和常识中认为的有差异,毕竟加速电压越高,电子能量越大,粒子碰撞造成的损伤也越大,这在超高压电子束辐照实验中得到了证实,对聚合物确实在80kV下出现类似于受热后的卷曲现象,而在200kV下更稳定的实验证据,但是如何理解,我还没有理论储备,不知道那位高手指点一二,给出几片文献,和相关理论。