金属单晶生长炉

D8 VENTURE/QUEST—面向未来的单晶X射线衍射仪D8 VENTURE/QUEST是布鲁克公司推出的新款，功能强大的X射线单晶衍射仪。 一体化的设计， 配备目前世界上先进的光源以及PHOTON III MMPAD探测器，帮助您测试最富有挑战性的晶体，获得好的数据质量。 其主要特点为：● 同时适合小分子晶体学和蛋白质晶体学的研究需要，应用范围广。● 新一代的lus 3.0微焦斑光源，性能娘美微焦斑转靶，零维护，寿命超长。● 液态金属靶MetalJET，室内X射线光源， 强度远● 远高千微焦斑转靶，让您拥有个人的“同步辐射＂ ，解决最难的晶体学问 题， 比如GPCR膜蛋白的结构。● 采用四代光源XFEL探测器技术的PHOTON III MMPAD混合光子计数探测器，● 超大面积，超快速度， 零噪音， 单光子检测的灵敏度。● 双靶配置， 软件自动切换光源。 满足不同类型的研究需要。 元件自动识别， 智能化光路管理。● 新一代的APEX3/PROTEUM3软件， 功能强大， 智能化程度高， 轻松操控仪器， 获得好数据。● lus Diamond微焦斑光源， 零维护， 性能超越微焦斑转靶。

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我公司研发生产的坩埚下降法生长的单晶炉设备，是一种常用的晶体生长方法又叫布里奇曼晶体生长法。把原料装在坩埚内，并通过控制加热炉体缓慢的上升，形成一个温度梯度，炉温控制在略高于材料的熔点，在通过加热区域时，坩埚中的材料被熔融，当炉体持续上升时，坩埚底部材料低于熔点以下，并开始结晶，晶体随炉体上升而持续长大。这种方法通常拥有金属单晶双晶的生长，用于制备碱金属和碱土金属卤化物和氟化物单晶生长等。我公司在晶生长拥有丰富的经验，其中自主研发生长的单晶有三十多种，有6种单晶生长都是全世界唯一的。我公司可以免费培训单晶生长技术，欢迎你与我公司联系洽谈！具体信息请点击查看：

四电弧高温单晶生长炉 日本GES公司生产的四电弧高温单晶生长炉，采用电弧放电的高温材料合成方法，非常适合生长化学性质活跃但熔点高（一般在3000摄氏度左右）的金属间化合物，包括含有稀土元素（或者金属铀）的二元及四元金属间化合物，例如UGe2, UPt3, V3Si, URu2Si2, RE2Co17 , CePd2Al3, REFe10Ti2 合金单晶以及Nd2Fe14B, URhAl, UNiAl and RENi5等合金单晶。生长的过程中，原料放在旋转的铜坩埚中，四个电同时放电形成高温熔化原料，精密控制的拉晶棒使用Czochralski方法将熔化的原料拉成单晶。样品室的真空度可达10-6托，也可以充入保护性气体。产品特点* 采用四电弧法加热* 可实现3000°C高温* 适用于金属间化合物材料基本参数样品腔：高温度：3000℃气氛：Ar工作压强：5x10-6 Torr~1.1Atm真空度：10-6 Torr尺寸:直径208*300H材料:不锈钢冷却:水冷提拉棒：提拉生长速度：0.1-39mm/hr转动速度:0-10rpm行程：150mm坩埚：转动速度：0-10rpm行程：20mm电弧电流：样品：25/30A（可调） 真空吸气剂：25/30A（可调）炉体：重量：350Kg尺寸：600W*700D*2155H工作原理图发表文章1. Single-Crystal Growth of f-Electron Intermetallics in a Tetra-Arc Czochralski Furnace. ACTA PHYSICA POLONICA A (2013), 124 (2):336-339.2. Crystal structure and magnetic properties of the ferromagnet CoMnSb. Proc. J-Physics 2019: Int. Conf, Multipole Physics and Related Phenomena JPS Conf. Proc. , 013004 (2020).国内用户单位北京大学中科院物理所复旦大学国外用户单位Tokyo UniversityOkayama UniversityOsaka UniversityUniversity of California San DiegoUniversity of MarylandVienna University of Technology

SciDre高温高压光学浮区炉德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre高温高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

产品名称SKJ-BG1650-1650℃布里奇曼单晶生长炉主要特点1、Φ42的氧化铝样品台，一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布2、电动升降样品台，便于客户放样/取样3、当客户需要大的温度梯度时，可选用三温区炉体，采用莫来石炉管，具有较好抗热震性技术参数1、电源AC220V 50/60Hz,单相最大功率：9.5KW 2、工作温度最高工作温度：1650℃（1小时）连续工作温度：1600℃3、加热元件：硅钼棒4、炉管&法兰 高纯氧化铝炉管，其尺寸问Φ80×1000mm 配有一套不锈钢密封法兰，允许在真空或气氛保护环境下进行晶体生长 5、样品台Φ42×40mm氧化铝样品台B型热偶插入到样品台底部，可实时测量坩埚温度6、坩埚装载自动样品台升降，便于坩埚放置/取样最大行程700mm7、加热区单温区，温区长度200mm可选购三温区炉体，形成较大的温度梯度（每个温区长度100mm,总温区300mm）8、控温系统采用PID方式控温，可设置24段升降温程序带有超温和断偶保护采用欧陆仪表（Eurotherm），控温精度可达：±0.1℃热电偶：B型热偶（一热电偶探在样品台底部，测其坩埚底部温度。一根热偶从上方插入到坩埚内部，实时监测其样品温度，也可测出整个炉体内的温度分布）控制界面：在一触摸屏上设置和检测各参数，如加热温度，加热速率，移动速度和移动位移等9、炉体移动行程&速度炉体最大移动行程为200mm移动速度：0.03~3mm/小时10、真空泵（可选）真空度：10E-3Torr(采用机械泵） 10-5Torr(采用分子泵)可在本公司选购各种真空泵产品规格设备尺寸：1155（L）×930（W）×2300mm（H）

高精度光学浮区法单晶炉Quantum Design Japan公司推出的高温光学浮区法单晶炉，采用镀金双面镜、高反射曲面设计，温度可达2100℃-2200℃，系统采用高效冷却节能设计（不需要额外冷却系统），稳定的电源输出保证了灯丝的恒定加热功率......应用领域：✔ 高温超导体✔ 介电和磁性材料✔ 金属间化合物✔ 半导体/光学晶体/宝石产品特点：✔ 占地空间小，操作简单，易于上手，立支撑设计✔ 镀金双面高效反射镜，加热效率更高✔ 可实现温度达2150°C✔ 稳定的电源✔ 内置闭循环冷却系统，无需外部水冷装置✔ 采用商业化标准卤素灯 光学浮区法（垂直区熔法）也可以说是一种垂直的区熔法。在生长装置中，在生长的晶体和多晶棒之间有一段靠光学聚焦加热的熔区，该熔区有表面张力所支持。熔区自上而下或自下而上移动，以完成结晶过程。 浮区法的主要优点是不需要坩埚，也由于加热不受坩埚熔点限制，可以生长熔点高材料。生长出的晶体沿轴向有较小的组分不均匀性在生长过程中容易观察等。浮区法晶体生长过程中，熔区的稳定是靠表面张力与重力的平衡来保持，因此，材料要有较大的表面张力和较小的熔态密度。浮区法对加热技术和机械传动装置的要求都比较严格。镜面系统 部分生长晶体Photographs of (a) a wafer with a growth rate of 5 mm/h in pure oxygen. (b) An as-grown (Nb + ln) co-doped TiO2 crystal with growth rate of 5 mm/h in air and the crystal wafer cut perpendicular to the growth direction.发表文章1. Evidence of linear magnetoelectric effect in Mn4Nb2O9 single crystal, Journal of Alloys and Compounds, Volume 886,2021,161272,ISSN 0925-8388.2. Enhanced stability of floating-zone by modifying its liquid wetting ability and fluidity for YBa2Cu3O7-δ crystal growth, Ceramics International，Volume 47, Issue 4, 15 February 2021, Pages 5495-5501.3. Ultralow-temperature heat transport in the quantum spin liquid candidate Ca10Cr7O28 with a bilayer kagome lattice, PHYSICAL REVIEW B 97, 104413 (2018).4. 光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能, 硅酸盐学报 Vol. 45，No. 4，April，2017，P548-P552.5. High quality(InNb)0.1Ti0.9O2 single crystal grown using optical floating zone method, Journal of Crystal Growth 446(2016)74–78.国内合作用户，排名不分先后北京大学武汉大学中科院物理所吉林大学中科院硅酸盐所哈尔滨工业大学上海大学浙江师范大学南京大学浙江大学东南大学南方科技大学中科院宁波材料所曲靖师范学院西北工业大学

直拉法晶体生长系统CGS1218单晶炉，专为符合半导体行业的严格要求而设计。该系统采用模块化设计，且可以配置钢丝软轴或硬轴。配合特殊的晶体轴配置能够达到最高的精度，因此确保了提拉速度的线性可调和可重复性。CGS1218单晶炉的特点是其拥有一个组合式炉室，并允许在同样的热工条件下改变加料量。该系统可装载 32 – 36英寸热场，并配有交互式软件系统控制的单个或双摄像头。产品数据概览:最大晶棒直径： 12- 18英寸晶棒长度： 最大2,100 毫米装料容量 300公斤-450公斤热场 32 – 36英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。 偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC28单晶炉专为200-300毫米（8-12英寸）单晶硅的工业生产而设计。该系统可灵活配置，满足客户对产品的特殊要求，例如客户要求的炉室部件的旋出方向，或将各种不同的泵组和除尘罐系统连接到真空系统等要求。该设备凭借其紧凑型设计、较小的占地面积，以及对提拉头的巧妙设计可实现超高精度的同时，满足工业大规模生产的特殊要求。可按照客户要求提供磁场的安装配套。产品数据概览：最大晶棒直径： 8- 12英寸晶棒长度： 长达3,600 毫米装料容量： 高达450公斤热场： 28英寸 / 32英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

CGS-Lab单晶炉是PVA产品线中最小的直拉法晶体生长系统，专门为研究所和实验室设计。10 英寸热系统的设计用于最多 5 公斤的加料量和生长直径为 100 毫米、长度为 300 毫米的硅锭。设备开炉状态时高度为3.4米，对安装场地的高度要求相当低。晶体提升速度和旋转速度适用于生产特定尺寸的晶棒。借助用于直径测量的相机系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。提供适合工厂需求的真空泵和除尘器 (SiO) 系统。产品数据概览:最大晶棒直径： 4英寸晶棒长度： 最长300 毫米装料容量： 高达5公斤热场： 10英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

直拉法晶体生长系统SC 24单晶炉专为单晶硅晶体（硅锭）的工业生产而研发。该系统的模块化设计理念可根据客户的需求而进行灵活的调整。低能耗优化设计的24英寸热系统（热场）可以实现160公斤填料（无需加料器），生产直径 230 毫米 (9英寸) 的晶体。根据直径和装载量的不同，该设备可拉制的晶体最大长度为 2.9 米。拉晶速度最大可达到10毫米/分钟，晶转和埚转的转速高达35转/分钟。借助用于直径测量的摄像系统和用于温度测量的两个高温计，通过 PLC（可编程逻辑控制器）和 PC 的控制实现自动拉晶工艺。用于工艺控制和监控的图文控制界面操作简单友好，并针对大规模生产进行了优化。 产品数据概览 : 最大晶棒直径： 最长230 毫米晶棒长度： 最长2,900 毫米装料容量： 160公斤-220公斤热场： 24英寸该晶体生长系统作为半导体行业的重要组成部分具有以下特点：精确性：通过精密仪器制造的驱动单元够实现可重复的工艺控制并生产出最佳品质的晶体。坚固性：炉体部件由高质量的不锈钢制成，其内表面经过高精度抛光，以便达到耐用性和洁净等级方面的最高要求。安全性：高度的自动化和额为增设的安全系统可以确保在先进的生产环境中使用。定制化：凭借多年的开发经验、专业知识以及提供多种部件更换和组合方式，PVA晶体生长系统根据不同客户的特定需求提供最佳解决方案。 支持与服务：您可以通过直接联系PVA晶体生长系统专家进行“点对点"的沟通，获得系统的备件服务以及系统的调整和优化服务。偶然将籽晶意外浸入熔融锡中，无意间发现了目前微电子领域中最重要的晶体生长工艺，该工艺是实现工业、科学和社会的快速数字化转型的基础。柴可拉斯基法（直拉法）以扬柴可拉斯基的名字来命名，该技术为工业化生产而开发，目前用于生产直径达300毫米、重量为500公斤的硅晶体。为此，当温度达到大约1410℃时，高纯硅作为半导体材料会在石英坩埚中熔化，并通过控制程序，按照工艺要求将单晶硅锭从熔体中拉出。

新一代高性能激光浮区法单晶炉-LFZ Quantum Design Japan公司推出的激光浮区法单晶生长系统传承日本理化研究所(RIKEN,CEMS)的先进设计理念，新一代高性能激光浮区炉（型号：LFZ-2kW）具有更高功率、更加均匀的能量分布和更加稳定的性能，将浮区法晶体生长技术推向一个全新的高度！应用领域可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作。激光浮区法单晶生长系统可广泛用于凝聚态物理、化学、半导体、光学等多种学科领域相关单晶材料制备，尤其适合高饱和蒸汽压、高熔点材料及高热导率材料等常规浮区法单晶炉难以胜任的单晶生长工作，跟传统的激光浮区法单晶生长系统相比，Quantum Design公司推出的新一代激光浮区法单晶炉系统具有以下技术优势：● 采用全新五束激光设计，确保熔区能量分布更加均匀 ● 更加科学的激光光斑优化方案，有助于降低晶体生长过程中的热应力● 采用了特的实时温度集成控制系统RIKEN（CEMS）设计的五束激光发生器原型机实物新一代激光浮区法单晶炉系统主要技术参数： 加热控制加热类型5束激光激光功率2KW熔区温度2600℃ ~ 3000℃*温度稳定性+/-1℃晶体生长控制 晶体生长设计长度可达150mm*晶体生长设计直径可达8mm*晶体生长速度/转速可达 300mm/hr 100rpm样品腔可施加压力可达10bar样品腔气氛多种气路（O2/Ar/混合气等）可供选配晶体生长监控高清摄像头晶体生长控制PC控制*具体取决于材料及实验条件应用案例采用新一代激光浮区法单晶炉系统生长出的部分单晶体应用案例： RubyDy2Ti2O7BaTiO3 Sr2RuO4 SmB6 Ba2Co2Fe12O22Y3Fe5O12 * 以上单晶图片由 Dr. Y. Kaneko (RIKEN CEMS) 提供用户单位东京大学日本国立材料研究所

SKJ-50晶体生长炉是用提拉法生长高质量氧化物单晶及金属单晶，如蓝宝石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，最大可长出晶体尺寸达3" 。 产品型号SKJ-50晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点1、与同类相比属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。2、电子称在生长过程中可自动控制晶体的直径。技术参数1、电源：三相380V 25KW2、感应射频：功率25KW，射频0.2KHz-20KHz3、真空腔体：?500mm×700mm4、真空度：10-3torr（机械泵），10-5torr（扩散泵）5、最大提拉行程：500mm6、提拉速度：0.1mm/h-20mm/h7、籽晶杆旋转速度：0-40rpm8、最大可熔融温度：2100℃9、控温精度：±0.2℃10、冷却水：所需水压0.13MPa-0.18MPa，所需流量60L/min11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr产品规格1、炉体：880mm×1250mm×2850mm2、控制柜：680mm×540mm×1700mm3、中频柜：1100mm×500mm×1500mm4、总重：1500kg

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学

SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。 产品型号SKJ-M50-16金属晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW2、炉体容积：约100L3、炉管：石英管或刚玉管4、坩埚：高纯石墨坩埚5、加热元件：1800级硅钼棒6、温控系统：50段控温程序7、控温精度：±1℃8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃9、控温方式：自动程序控温10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动）11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr标准配件1、电源控制系统一套2、机械控制系统一套可选配件Kathnal Super-1800级硅钼棒

ScIDre高温高压光学浮区法单晶炉-HKZ德国SciDre公司推出的高温高压光学浮区法单晶炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔压力可达300bar，甚至10-5mbar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。SciDre高温高压光学浮区法单晶炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区法单晶炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）部分用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.

一、设备概况1.1产品应用：主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓，碲锌镉等化合物晶体的生长。1.2产品型号：DJL210S1.3产品特点：1.3.1工业计算机控制系统（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）；1.3.2关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性；1.3.3控温精度高，温区控温稳定性好；1.3.4具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能；1.3.5晶体生长均匀性好、重复性高。二、主要技术参数工作温度600～1280℃适应晶体尺寸2～6英寸装料量15Kg/炉加热控制7段控制温区长度800mm±0.5℃（1000～1280℃） （可定制）升温速率15℃/min升降行程900mmzui小升降速率（VB）0.1mm/h配套设备合成炉、铸锭炉、脱氧封管炉等三、售后服务及培训3.1技术培训设备试生产运行前，卖方负责培训买方相关操作和维修人员，内容包括设备操作维护、故障的分析和处理。3.2售后服务质保期内设备如发生故障，在得到买方通知后 4 个小时给答复，24 小时内卖方派有经验的工程师到现场进行维修。卖方对设备提供终生的免费技术支持，随时处理、解答买方提出的技术问题。质保期内每年派出 1～2 名相关技术人员到厂作指导及进行相应维护。技术培训和售后服务期间卖方人员的费用由卖方承担。四、设备验收4.1设备交货期见商务合同4.2交货方式设备在买方的施工现场安装调试完毕、连续试生产正常运行 30 日后，验收合格整体交货。设备到货开箱前卖方应提前3天通知买方，由买方、卖方和监理共同进行设备的初验。卖方在设备包装发货前10天通知买方到卖方制造现场验收，经买方验收人员验收合格签字后确定发货时间 设备验收时须提供相关验收资料，但不作为设备的结束验收。

PTL-HT-B是一款小型的1100℃布里奇曼单晶生长炉，配有2英寸的石英管，精密提拉机。用于在气氛保护环境下或密封石英坩埚环境下生长小尺寸的晶体。 技术参数立式双温区管式炉 小型双温区立式管式炉工作电压：AC220V 单相最大功率: 1.5 KW两个加热区: 每个加热区长度100 mm ，总加热区长度200 mm L 最高工作温度: 1200°C连续工作温度: 1100°C两个温区都采用PID方式调节温度，可程序控温，分别由2个独立的温控系统控制最大温度梯度: 1oC/Cm用户需要探索所长晶体最合适的温度梯度调节两个加热区的温度，来形成不同的温度梯度调节炉体的开启大小，也可以改变温度梯度所配石英管尺寸 ：50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L悬挂丝配有3套Ni-SS悬挂丝，最高可承受温度800℃可选购能承受更高温度的悬挂丝Ni-Cr-Al 丝：最高可承受温度1100℃铂丝：最高可承受温度1600℃悬挂丝可穿过法兰，若炉管内保持正压，可在气氛保护环境下生长晶体对于氧敏感材料，样品可封装在小的石英管内 电机和控制采用6"L x 4"W的触摸屏来控制直流电机转动上升和下行速度可以设置3个程序速度范围: 1-500 um/sec （可调），精度：+/- 0.05% 可选购更精确的提拉机构，速度为：0.4mm/hr总移动行程: 450mm电机功率: 50W产品尺寸560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H)质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护（不包含石英，密封圈，加热元件和悬挂丝）净重105kg

单晶炉自动化喷砂房的特点:炉体的仿型喷砂,环保除尘,不锈钢喷砂均匀无人工.单晶炉自动化喷砂房的功能:全自动化喷砂单晶炉自动化喷砂房用途:自动化全覆盖

劳厄单晶取向测试系统：背散射劳厄测试系统，实时确定晶体方向，精度高达0.1度；PSEL 软件定向误差低至 0.05度；多晶硅片二维定向mapping；大批量样品筛选；超20kg重负荷样品定位 水平放置系统 特征优点200um 光束尺寸可测量小 晶体电动位移台可沿生长轴轴向扫描电动角位移与同步加速器/中子设备直接兼容手动角位移与切割刀具直接兼容 垂直放置系统 特征优点200um 光斑适用于小晶粒的多晶结构大范围电动线性扫描位移台允许自动晶圆mapping或多个样品电动Z 轴驱动适用大尺寸晶棒或样品手动角位移允许定位到+/- 0.02度精度 配备PSEL CCD 背反射劳厄X-RAY 探测器：有效输入探测面约： 155*105 mm最小输入有效像素尺寸83um，1867*1265 像素阵列可选曝光时间从1ms 到35分钟芯片上像素叠加允许以牺牲分辨率为代价增强灵敏度自动背景扣除模式16位高精度采集模式12位快速预览模式PSEL 劳厄影像采集处理专业软件 劳厄影像校准软件：自动检测衍射斑点，并根据参考晶体计算斑点位置；根据测角仪和晶体轴自动计算定向误差(不需要手动拟合扭曲的图形)以CSV格式保存角度测量值，以进一步保证质量的可追溯性；顶部到底部的终端用户菜单，允许资深结晶学用户自行逐步确认定位程序；基于Python的软件，允许使用套接字命令对现有软件/系统进行远程访问控制； 系统附件包括：劳厄X-RAY 探测器劳厄校准软件高亮度X-RAY 发生器电动/手动 角位移台& 高精度位移台；样本定位/视频监控 摄像头；激光距离传感器/操纵杆典型劳厄衍射应用图样： 劳厄单晶取向测试系统应用方向：探测器材料： HgCdTe/CdTe, InGaAs, InSb 窗口玻璃材料&压电/铁电陶瓷： Al2O3, Quantz，LiNbO3金属合金： 钨，钼，镍基合金；激光晶体材料： YAG, KTP, GaAs薄膜/半导体基地材料： AIN, InP SiC 磁性&超导材料: BCO/BSCCO/HBCCO, FeSe， NbSn/NbTi闪烁体材料： BGO/LYSO, CdWO4, BaF2/CaF2

SciDre激光高压光学浮区炉激光加热高压浮区炉LKZ我们的激光加热浮区晶体生长炉LKZ的主要部分是5个波长为980 nm的300w二极管激光器。影响样品的激光束的矩形几何形状和尺寸可以在很大范围内改变，以适应不同的样品材料和杆径。除了可配置的激光加热系统，我们的LKZ炉最显著的特点之一是可以在高达300巴的高压下进行激光加热的FZ晶体生长。有LKZ版本的10巴，50巴，150巴和300巴最大。压力可用。过程气氛的组成和压力可以通过每个气体的独立质量流量控制器和易于自动化的压力调节器进行精确调节和控制。这种世界范围内独特的设置允许用户将熔体和大气之间的元素扩散控制到一定的等级，并管理材料的生长，由于其元素的高挥发性或所需相的亚稳定性质，在低气压下难以或不可能生产。我们专利的基于激光的后加热器系统为对样品进行额外的热处理提供了无与伦比的灵活性。真空涡轮泵直接连接到工艺室使用短和宽直径的管道。这确保了过程室内的良好真空，即使低于10-5毫巴也是可能的。为了进行超清洁生长，许多过程需要具有低氧分压的惰性气氛。我们可选的气体清洗系统可可靠地去除氩气中的氧气痕迹，残余O2浓度可降至10-12 ppm。此外，可以用高质量的双色高温计测量浮区以及进料和结晶棒的温度。所有熔炉都配备了精确的线性和旋转进料系统，用于同步或独立旋转，转速可达50转/分钟，线性拉出速率从0.1甚至0.01毫米/小时开始。一个快速齿轮是实现杆设置。高压驱动器是磁耦合的，完全封装，没有加压轴承。整套实验参数，如激光功率，拖动驱动器的直线和旋转运动，质量流量和气体压力由可编程逻辑控制器PLC控制。一个舒适的软件应用程序显示和直观地操作通过触摸屏结合所有相关的系统信息和过程调整在一个图形用户界面单元。LKZ系统的一个重要特点是易于扩展的模块化设计，它允许以一种简单且经济高效的方式进行附加和升级。耐高温、耐高压、高真空、高透光率、拆装简便的样品腔由德国弗劳恩霍夫应用光和精密工程研究所优化设计的高反射率镜面，镜体位置可由高精度步进马达控制调节光阑式光强控制器更方便地调节熔区温度，延长灯泡寿命 仿真化触屏控制软件界面友好，操作简单熔区测温选件测温技术可实时监测加热区温度多路立气路控制选件可控制N2、O2、Ar、空气等的流量和压力， 并可对气体进行比例混合与熔区进行反应气体除杂选件可使高压氩气中的氧含量达到10-12ppm退火选件可对离开熔区的单晶棒提供高达1100℃退火温度和高压氧环境SciDre高温高压光学浮区炉特点● 采用垂直式光路设计● 采用高照度短弧氙灯，多种功率规格可选● 熔区温度：3000℃● 熔区压力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多种规格可选● 氧气/氩气/氮气/空气/混合气等多种气路可选● 采用光栅控制技术，加热功率从0-100% 连续可调● 样品腔可实现低至10-5mbar真空环境● 丰富的可升选件SciDre激光高压光学浮区炉技术参数熔区温度：高达2000 - 3000℃以上熔区压力：高至10、50、100、150、300 bar可选熔区真空：1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选熔区气氛：Ar、O2、N2等可选气体流量：0.25 – 1 L/min流量可控氙灯功率：3kW至15kW可选料棒台尺寸：6.8mm或9.8mm可选拉伸速率：0.1-50mm/h调节速率：0.6 mm/s拉伸尺寸：130mm，150mm，195mm可选旋转速率：0-70rpm用电功率：400V三相 63A 50Hz 主机尺寸：330cm*163cm*92cm （不同规格略有差异）发表文章1. (2020)Single crystal growth and luminescent properties of YSH:Eu scintillator by optical floating zone method Chemical Physics Letters, Volume 738, 1369162. (2020)Anisotropic character of the metal-to-metal transition in Pr4Ni3O10 Phys. Rev. B 101, 1041043. (2020)Synthesis of a New Ruthenate Ba26Ru12O57 Crystals 2020, 10(5), 3554. (2020)Synthesis and characterization of bulk Nd1- SrxNiO2 and Nd1- xSrxNiO3 Phys. Rev. Materials 4, 0844095. (2020)Magnetic phase diagram and magnetoelastic coupling of NiTiO3 Phys. Rev. B 101, 1951226. (2019)High pO2 Floating Zone Crystal Growth of the Perovskite Nickelate PrNiO3 Crystals 2019, 9(7), 3247. (2019)Magnetic properties of high-pressure optical floating-zone grown LaNiO3 single crystals Journal of Crystal Growth Volume 524, 15 October 2019, 1251578. (2019)Bulk single-crystal growth of the theoretically predicted magnetic Weyl semimetals RAlGe (R = Pr, Ce) Phys. Rev. Materials 3, 0242049. (2019)Pushing boundaries: High pressure, supercritical optical floating zone materials discovery Journal of Solid State Chemistry 270 (2019): 705-70910. (2018). Antiferromagnetic correlations in the metallic strongly correlated transition metal oxide LaNiO3. Nature Communications 9:4311. (2017). Single-crystal growth and physical properties of 50% electron-doped rhodate Sr 1.5 La 0.5 RhO 4 Physical Review Materials 1(4), 04400512. (2017). Single crystal growth and structural evolution across the 1st order valence transition in (Pr1-yYy) 1- xCaxCoO3-δJournal of Solid State Chemistry 254, 69-7413. (2017). Large orbital polarization in a metallic square-planar nickelate. Nature Physics 13, 864–86914. (2017). High-Pressure Floating-Zone Growth of Perovskite Nickelate LaNiO3 Single Crystals. Crystal Growth & Design 17(5), 2730-2735.15. (2017). High-pressure optical floating-zone growth of Li(Mn,Fe)PO4 single crystals. Journal of Crystal Growth, 462, 50-59.16. (2016). Evidence for a spinon Fermi surface in a triangular-lattice quantum-spin-liquid candidate. Nature 540, 559–562.17. (2016). Stacked charge stripes in quasi-2D trilayer nickelate La4Ni3O8. PNAS 2016 113 (32) 8945-8950.18. (2016). Single Crystal Growth of Pure Co3+ Oxidation State Material LaSrCoO4. Crystals, 6(8), 98.19. (2015). Floating zone growth of Ba-substituted ruthenate Sr2?xBaxRuO4. Journal of Crystal Growth, 427, 94-98.20. (2015). High pressure floating zone growth and structural properties of ferrimagnetic quantum paraelectric BaFe12O19. APL Materials 3, 062512.21. (2015). Impact of local order and stoichiometry on the ultrafast magnetization dynamics of Heusler compounds. Journal of Physics D: Applied Physics, 48(16), 164016.22. (2014). Brownmillerite Ca2Co2O5: Synthesis, Stability, and Re-entrant Single Crystal to Single Crystal Structural Transitions. Chemistry of Materials, 26(24), 7172-7182.23. (2014). Low-temperature properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 90(6), 064414. (Also on archiv.org.)24. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621. (Also on arxiv.org.)25. (2013). de Haas–van Alphen effect and Fermi surface properties of single-crystal CrB2. Physical Review B, 88(15), 155138. (Also on arxiv.org.)26. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design, 13(9), 3925-3934.27. (2011). Exploring the details of the martensite–austenite phase transition of the shape memory Heusler compound Mn2NiGa by hard x-ray photoelectron spectroscopy, magnetic and transport measurements. Applied Physics Letters, 98(25), 252501.28. (2011). Challenges in the crystal growth of Li2CuO2 and LiMnPO4. Journal of Crystal Growth, 318(1), 995-999.29. (2011). Self-flux growth of large EuCu 2 Si 2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1), 1043-1047.30. (2010). Influence of heat distribution and zone shape in the floating zone growth of selected oxide compounds. Journal of materials science, 45(8), 2223-2227.31. (2009). Highly ordered, half-metallic Co2FeSi single crystals. Applied Physics Letters, 95(16), 161903.32. (2009). Single-crystal growth of LiMnPO4 by the floating-zone method. Journal of Crystal Growth, 311(5), 1273-1277 (Also on uni-heidelberg.de.)33. (2008). Crystal growth of rare earth-transition metal borocarbides and silicides. Journal of Crystal Growth, 310(7), 2268-2276.用户单位中国科学院物理研究所中国科学院固体物理研究所北京师范大学中山大学南昌大学上海大学北京大学北京航空航天大学......

单晶铁石榴石YIG球体和立方体铁石榴石球体和立方体（单晶YIG）具有低衰减和很高的品质因数！单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品描述：昊量光电全新推出的单晶铁石榴石YIG球体和立方体，十多年来，matesy一直在制造具有高Q值的低衰减单晶铁石榴石球体，用于商业微波应用。单晶铁石榴石YIG球体和立方体设计与功能:单晶材料通常由高温溶液（助焊剂熔体）生长而成。将单晶切成薄片，然后切成立方体，以产生直径约为 0.25 毫米的光学抛光球体。然后将它们四舍五入成球体，并进行蕞高质量的蕞终表面抛光。球体的饱和极化（4pMs）取决于抗磁性离子取代的程度。matesy 目前提供 4pMs YIG 立方体和 1600 ± 80 G 的球体，铁磁共振线宽 ΔH 的典型 FWHM 小于 1.5 Oe。单晶铁石榴石YIG球体和立方体技术规格：铁磁共振线宽ΔH的典型FWHM小于1.5 Oe4pMs von 1600 ± 80 G球体直径： 0.25 mm立方体尺寸：0.5 mm 边缘长度单晶铁石榴石YIG球体和立方体产品亮点：低缺陷单晶确定每个球体的饱和磁化强度单晶铁石榴石YIG球体和立方体优势：低衰减高 Q 值YIG薄膜应用领域：钇铁石榴石 （YIG） 单晶主要用于构建微波振荡器（YIG 振荡器）和滤波器，这些振荡器和滤波器可以通过外部磁场进行频率调谐。YIG球体被用作这些固态谐振器中的频率决定元件。产品详细信息可联系我们或下载数据资料！更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿；产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。

D8 VENTURE/QUEST—面向未来的单晶X射线衍射仪D8 VENTURE/QUEST是布鲁克公司推出的新款，功能强大的X射线单晶衍射仪。 一体化的设计， 配备目前世界上先进的光源以及PHOTON III MMPAD探测器，帮助您测试最富有挑战性的晶体，获得好的数据质量。 其主要特点为：● 同时适合小分子晶体学和蛋白质晶体学的研究需要，应用范围广。● 新一代的lus 3.0微焦斑光源，性能娘美微焦斑转靶，零维护，寿命超长。● 液态金属靶MetalJET，室内X射线光源， 强度远● 远高千微焦斑转靶，让您拥有个人的“同步辐射＂ ，解决最难的晶体学问 题， 比如GPCR膜蛋白的结构。● 采用四代光源XFEL探测器技术的PHOTON III MMPAD混合光子计数探测器，● 超大面积，超快速度， 零噪音， 单光子检测的灵敏度。● 双靶配置， 软件自动切换光源。 满足不同类型的研究需要。 元件自动识别， 智能化光路管理。● 新一代的APEX3/PROTEUM3软件， 功能强大， 智能化程度高， 轻松操控仪器， 获得好数据。● lus Diamond微焦斑光源， 零维护， 性能超越微焦斑转靶。

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm 下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

产品型号： SrTiO3钛酸锶单晶基片产品简介：SrTiO3 单晶与多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，它是高温超导薄膜和多种氧化物薄膜优质的衬底材料，同时还广泛应用于特殊光学窗口及高质量的溅射靶材。科晶公司拥有独立全套生产线，从高质量SrTiO3粉末，SrTiO3单晶到多种尺寸外延抛光基片，可为全球提供高质量低价位的SrTiO3单晶及基片。技术参数：晶体结构立方 晶格常数a=3.905?生长方法火焰法熔点2080℃密度5.175g/cm3莫氏硬度 6 Mohs热膨胀系数9.4×10-6/℃介电常数~ 300 损耗正切~5x10-4 @ 300K , ~3 x10-4 @77K颜色及外观透明（根据退火状态有时有轻微的棕色）无孪晶化学稳定性不溶于水产品规格：100, 110, 111公差：+/-0.5度dia30x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm单抛或双抛，Ra5A；可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：等离子清洗器专业清洗（详情请点击），1000级超净室，100级超净袋封装, 相关产品： SrTiO3LSATLaAlO3MgO旋转涂层机 SrLaAlO4NdCaAlO4SrTiO3YSZ基片包装盒系列

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

应用材料范围：硅| 化合物半导体 | 氧化物| 宽带隙材料| 钙钛矿 | 外延层半导体质量的可视化是通过广泛应用的先进微波技术实现的。关键的电子半导体参数的无接触的快速图形化检测，像少数载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息等参数的测量，都可以通过无与伦比的空间分辨率、灵敏度和测量速度的图形化方式来展现。这种方法为半导体生产和研究提供了一个广泛的已有和新的应用领域。MDP系列产品涵盖了广泛的应用范围，从高产量、自动化生产的易集成OEM模块到研究和高灵活性的故障排除工具，MDP始终专注于各种解决方案。可靠和耐用的设计，再加上新电子可能性的集成，使MDP系列产品成为未来高速非接触式电子半导体特性检测的完美选择。 MDPmap 单晶和多晶片的少数载流子寿命测试设备产品性能介绍：● 灵敏度: 对外延层监控和不可见缺陷检测， 具有可视化测试的高分辨率● 测试速度: 5 minutes，6英寸硅片, 1mm分辨率● 寿命测试范围: 20ns到几ms● 玷污测试: 产生于坩埚和生产设备中的金属沾污（Fe）● 测试能力: 从切割的晶元片到所有工艺中的样品● 灵活性: 允许外部激发光与测试模块进行耦合● 可靠性: 模块化紧凑型台式检测设备，使用时间 99%● 重复性: 99.5%● 电阻率: 无需时常校准的电阻率面扫描 应用方向：● 半导体材料少子寿命● 铁浓度测定● 缺陷浓度测试● 硼氧浓度测试● 受注入浓影响的测试 氧化物钝化CZ-Si的寿命 生长的多晶硅的寿命图 a. 铁浓度图 b. 反射图 c. 硼氧相对浓度图 d.电阻率图配置选项● 光斑尺寸可调● 电阻率测试（晶圆片）● 参考晶圆● 方块电阻● 背景光/偏置光选项● 反射率测试(MDP)● 用于光伏的LBIC● BiasMDP● Si晶圆片中的内外铁浓度分布图● 集成的加热台● 多种可选的激发光源

BV-HTRV是根据布里奇曼方法用于晶体生长的管式炉。布里奇曼方法是用预合成材料缓慢地下降，通过一个具有温度梯度的区间。被熔化的材料通过一个较低的温度梯度区间，形成单晶。BV-HTRV管式炉装有用于布里奇曼方法的特殊设计的结构。标准型号，如HTRV 70-250或HTRV 100-250的工作管装有一个升降装置上，需要注意的是，所有的管式炉都可以装这个装置。最常见的有两种炉型，HTRV 70-250和HTRV 100-250。优势在于加热区短，根据布里奇曼方法，可获得较理想的温度梯度。温度向管式炉底部递减。拉伸结构向着低温区的位移速度可调。样品热电偶紧靠着样品，能精确了解样品的温度。样品和控温热电偶安装在升降装置底部。装载和卸载时，机构可快速反应。或者根据用户指定的晶体生长速度移动。样品热电偶和控温热电偶在陶瓷工作管附近。工作管两端是水冷法兰。工作管上面的法兰是固定的，底部的螺纹管，连接着工作管和升降装置。当样品向下移动时，螺纹管开始延伸。即使在真空下，样品也可以向下移动。工作管顶部是连接着真空泵。真空阀门可手动开关。真空度由压电陶瓷真空计控制。惰性气体流量由转子流速计手动控制。为了在工艺开始前降低氧含量，需要进行反复多次的预抽真空和惰性气体冲刷。该系统可以连接计算机，可记录运行时的所有数据。如，样品位置、热电偶温度。装载和卸载样品时，夹具必须打开。机构可现实快速移动，样品方便拿取。升降装置用于布里奇曼晶体生长，同时可结合不同的单区或多区控温管式炉。标准参数布里奇曼方法—晶体生长真空环境最高工作温度1450 °C惰性气氛环境最高工作温度1800 °C拉伸机构精度高手动操作可选数据记录功能技术参数布里奇曼晶体生长炉的加热元件是二硅化钼，垂直安装。矩形炉壳内的保温材料为真空成型的纤维板。炉壳上还有用于同外部对流冷却的孔。考虑到样品的熔点，炉子的最高温度有 1600 °C、1700 °C、1800 °C。升降装置的两个马达，可实现不同的齿轮比。如：可达到约10 mm/s的移动速度；鉴于布里奇曼生长工艺，拉伸速度仅为0.00001 mm/s (10 nm/s)。水冷法兰的水管都套在护套内。控温热电偶型号为B型。可根据要求选配过温保护器。推荐安装过温保护器，因为晶体生长工艺时间长，多数处于无人看守的状态。如果布里奇曼晶体生长所需的温度要高于1800℃，Carbolite Gero可提供合适的解决方案。请联系我们获取详细信息。 BV-HTRVBV-HTRV 70-250BV-HTRV 100-250Tmax (°C)1600, 1700, 18001600, 1700, 1800最大外管径（mm）70100加热长度 (mm)250250外部尺寸H x W x d（mm）1800 x 950 x 7501800 x 950 x 750重量（KG）300300控制柜尺寸H x W x d（mm）850 x 560 x 600850 x 560 x 600控制柜重量（KG）6060功率 (kW)56.5

Thorlabs 单晶金刚石 ELSC45其它通用分析特性通过化学气相沉积(CVD)生长的单晶金刚石提供量子级或电子级金刚石版本这些单晶金刚石由Element Six公司的zhuan利工艺制成，并通过Thorlabs提供，以促进量子研究的发展，非常适合磁场传感、射频探测、陀螺仪、微波激射、量子演示、量子计算、量子通信和研究应用。量子级金刚石具有密度为300 ppb或4.5 ppm的氮-空位(NV)中心。对于想要创建缺陷中心的用户，可以使用NV浓度≤0.03 ppb且具有低背景杂质的电子级金刚石。这些金刚石可用于制造抗电离辐射设备等应用。Thorlabs 单晶金刚石 光学元件（量子级）提供两种NV中心密度：DNVB14：4.5 ppmDNVB1：300 ppb提供3.0 mm x 3.0 mm方形这些量子级金刚石具有密度为300 ppb或4.5 ppm的氮-空位(NV)中心，可产生可读和可写自旋量子比特，且这些量子比特在室温下具有较长的寿命，这些优势源于金刚石的结构和强共价键。NV自旋中心的密度、中心的均匀分布、自旋特性以及紧凑的形状因子使得这种金刚石非常适合交流磁场传感、射频探测、陀螺仪、微波激射、量子演示和研究应用。Item #DNVB1DNVB14Quantum PropertiesTypical NV Center Density300 ppb4.5 ppmTypical Spin Coherence Time T2* a1 µ s0.5 µ sTypical Spin Coherence Time T2 b200 µ s10 µ sGeneral SpecificationsCrystallographic Orientation{100} ± 3°Edge Orientation 100 Dimensionsc Length3.0 +0.2/-0.0 mmWidth3.0 +0.2/-0.0 mmThickness0.5 ± 0.05 mmLaser Kerf≤5°Edge Features 0.2 mmRoughness, Ra 10 nm13C Fraction1.1%非匀横向自旋相干时间Hahn-Echo测量自旋相干时间较小表面所测的长和宽Thorlabs 单晶金刚石 光学元件（电子级）低氮-空位(NV)中心密度：≤0.03 ppb提供两种尺寸：4.0 mm x 4.0 mm方形4.5 mm x 4.5 mm方形这些电子级单晶金刚石的氮浓度≤5 ppb，氮-空位(NV)浓度通常≤0.03 ppb。此外，金刚石的背景杂质硼浓度非常低( 1 ppb)，且电子迁移率一般大于2000 cm2/V&sdot s。用户可使用这些金刚石探测已生长的NV缺陷或通过离子注入或外延生长产生自己的缺陷。此外，它们可以用作高功率激光器、微电子设备或定制金刚石电子设备(例如辐射探测器)的高导热性和光学透明散热器。金刚石的尺寸可选4.0 mm x 4.0 mm或4.5 mm x 4.5 mm方形。Item #ELSC40ELSC45Crystallographic Orientation{100} ± 3°Edge Orientation 110 DimensionsaLength4.0 +0.2/-0.0 mm4.5 +0.2/-0.0 mmWidth4.0 +0.2/-0.0 mm4.5 +0.2/-0.0 mmThickness0.5 ± 0.05 mm0.5 ± 0.05 mmLaser Kerf≤5°Edge Features 0.2 mmRoughness, Ra 5 nmBoron Concentration 1 ppbNitrogen Concentration≤5 ppbTypical NV Concentration≤0.03 ppb13C Fraction1.1%较小表面所测的长和宽