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纳米压印光刻机

仪器信息网纳米压印光刻机专题为您提供2024年最新纳米压印光刻机价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括纳米压印光刻机参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的纳米压印光刻机您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合纳米压印光刻机相关的耗材配件、试剂标物,还有纳米压印光刻机相关的最新资讯、资料,以及纳米压印光刻机相关的解决方案。

纳米压印光刻机相关的论坛

  • 纳米压印设备商光舵微纳完成近亿元B+轮融资

    据致道资本官微消息,近日,致道资本已投项目——苏州光舵微纳科技股份有限公司(简称:光舵微纳)完成由国投创合投资的近亿元B+轮股权融资。作为国内领先的纳米压印技术完整方案提供商,光舵微纳经过多年的研发及市场应用推广,制造出了多款研发型纳米压印设备及全自动量产型纳米压印设备,实现了设备、耗材及工艺的全方位突破。纳米压印技术是微纳加工领域的一项关键底层技术,在国际半导体蓝图(ITRS)中,该技术被列为下一代半导体加工技术的重要代表之一。[img=图片]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/35f3a9bc-4344-456c-bb7c-169186c68048.jpg[/img]光舵微纳在LED图形化衬底产业(LED-PSS)处于绝对的技术及市场领先地位,纳米压印设备及耗材已在客户端实现超过4000万片LED-PSS的大规模稳定量产,在此应用场景上实现了对尼康光刻机的产业化替代,并处于快速扩张阶段。同时,积极拓展纳米压印技术在高端半导体、AR衍射光波导、生物检测器件、消费电子等诸多重大[color=#686868]领域的产业化应用,并取得了重要进展。[/color][img=图片]https://img1.17img.cn/17img/images/202401/uepic/a55665c3-16b9-45c4-ad33-6ace1d7108bf.jpg[/img]此次融资完成后,光舵微纳将继续提升其核心研发团队的技术实力,积极研发应用于多个重要场景的高端纳米压印设备并进行广泛的市场开拓,进行产线扩充,推进纳米压印技术在更多应用领域的导入,打造从产品、系统到整体解决方案的商业模式,助力我国半导体制造产业的高速发展。[来源:致道资本][align=right][/align]

  • 微流控芯片光刻机优势及特色

    [b]微流控芯片光刻机[/b]专业为[b]微流控芯片制作[/b]而设计,用于[b]刻画制作微结构[/b]表面,全自动化和可编程操作,适合几乎所有常用材料。[b]微流控芯片光刻机[/b]采用多功能一体化设计理念,一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能,而且不需要无尘环境,用户安装使用不再需要单独建设超净间,从而大大提高用户的使用经济性和方便性。[b][url=http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html]微流控芯片光刻机[/url]特色[/b]可以根据用户的芯片衬底基片尺寸,形状和厚度进行调节。是一种无掩模光刻系统,具有两个易操作的软件,用户可以创建个人微结构图案,从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。具有技术突破性设计和灵活性优势,非常适合加工微纳结构用于MEMS,BioMEMS,微流控系统,传感器,光学元件,MicroPatterning微图案化,实验室单芯片,CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/photolithography-MS10.JPG[/img]无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构,从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管(波长405纳米- 50毫瓦),光学扫描器和F-θ透镜(405纳米)。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用,较好的再现性和较高的质量,焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用,修改或其他用户使用。[img=微流控芯片光刻机]http://www.f-lab.cn/Upload/microcontact-printing.JPG[/img]微流控芯片光刻机:[url]http://www.f-lab.cn/microarray-manufacturing/lithography.html[/url]

  • 光刻机工作原理和组成

    光刻机通过一系列的光源能量、形状控制手段,将光束透射过画着线路图的掩模,经物镜补偿各种光学误差,将线路图成比例缩小后映射到硅片上,不同光刻机的成像比例不同,有5:1,也有4:1。然后使用化学方法显影,得到刻在硅片上的电路图(即芯片)。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、激光刻蚀等工序。经过一次光刻的芯片可以继续涂胶、曝光。越复杂的芯片,线路图的层数越多,也需要更精密的曝光控制过程。现在最先进的芯片有30多层。http://www.whchip.com/upload/201608/1471850877761920.png 上图是一张光刻机的简易工作原理图。下面,简单介绍一下图中各设备的作用。测量台、曝光台:承载硅片的工作台,也就是本次所说的双工作台。光束矫正器:矫正光束入射方向,让激光束尽量平行。能量控制器:控制最终照射到硅片上的能量,曝光不足或过足都会严重影响成像质量。光束形状设置:设置光束为圆型、环型等不同形状,不同的光束状态有不同的光学特性。遮光器:在不需要曝光的时候,阻止光束照射到硅片。能量探测器:检测光束最终入射能量是否符合曝光要求,并反馈给能量控制器进行调整。掩模版:一块在内部刻着线路设计图的玻璃板,贵的要数十万美元。掩膜台:承载掩模版运动的设备,运动控制精度是nm级的。物镜:物镜由20多块镜片组成,主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小,再被激光映射的硅片上,并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大,精度的要求高。硅片:用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸,尺寸越大,产率越高。题外话,由于硅片是圆的,所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系,根据缺口的形状不同分为两种,分别叫flat、notch。内部封闭框架、减振器:将工作台与外部环境隔离,保持水平,减少外界振动干扰,并维持稳定的温度、压力。

  • 光刻机大消息!商务部部长王文涛会见荷兰外贸大臣范吕文

    据商务部网站消息,3月27日,商务部部长王文涛在京会见来访的荷兰外贸与发展合作大臣范吕文,[b]双方重点就光刻机输华和加强半导体产业合作等议题深入交换意见。[/b]王文涛表示,今年是中荷建立开放务实的全面合作伙伴关系十周年。在两国领导人战略引领下,中荷经贸关系稳步发展。[b]中方赞赏荷方坚持自由贸易,视荷方为可信赖的经贸伙伴,希望荷方秉持契约精神,支持企业履行合同义务,确保光刻机贸易正常进行。[/b]要防止安全泛化,共同维护全球半导体产业链供应链稳定,推动双边经贸关系持续健康发展。范吕文表示,荷兰以贸易立国,主张自由贸易,高度重视对华经贸合作。[b]中国是荷兰最重要的经贸伙伴之一,荷兰愿继续做中国可靠的合作伙伴。[/b]荷兰出口管制不针对任何国家,所做决定基于独立自主的评估,并在安全可控前提下尽可能降低对全球半导体产业链供应链的影响。期待两国进一步拓展绿色转型、养老服务等领域合作。[来源:仪器信息网] 未经授权不得转载[align=right][/align]

  • 泽攸精密携手松山湖材料实验室成功研制出电子束光刻系统

    [color=#000000]国产电子束光刻机实现自主可控,是实现我国集成电路产业链自主可控的重要一环。近日,松山湖材料实验室精密仪器联合工程中心产业化项目研发再获新突破:项目团队成功研制出[b]电子束光刻系统[/b],在全自主电子束光刻机整机的开发与产业化过程中取得阶段性进展,初步实现了电子束光刻机整机的自主可控,标志着[b]国产电子束光刻机研发与产业化迈出关键一步。[/b][/color][color=#000000]电子束光刻是利用聚焦电子束对某些高分子聚合物(电子束光刻胶)进行曝光并通过显影获得图形的过程,而产生聚焦电子束并让聚焦电子束按照设定的图形扫描的仪器就叫做电子束光刻机。它是推动我们当前新材料、前沿物理研究、半导体、微电子、光子、量子研究领域的重要手段之一。此前,全球电子束光刻机市场高度集中,主要由美日企业垄断,我国尚未掌握该领域核心技术,装备长期依赖进口。[/color][color=#000000]松山湖材料实验室精密仪器研发团队作为首批入驻实验室的团队之一,专注于材料和半导体领域的精密加工、表征和测量设备研发。团队负责人许智已从事相关研究近20年,参与承担多项国家重点研发计划专项工作及国家重大科研装备研制项目,近5年带领产业化团队研发的精密仪器成果转化填补多项国产空白,产值超亿元,产品出口美国、英国、德国、澳大利亚。[/color][color=#000000]为了研制具有自主知识产权的电子束光刻机整机,精密仪器研发团队在松山湖材料实验室完成一期项目研发并成立产业化公司后,带资回到实验室进入“滚动发展”模式:产业化公司东莞泽攸精密仪器有限公司与实验室共同投资2400万元进行第二阶段研发,目标是打造集科研与产业化为一体的电子束装备技术创新基地。通过深入开展电子束与新材料交叉领域的前沿技术研发,实现关键装备和共性技术的自主可控,切实提升我国在电子束加工与制备领域的整体创新能力和产业竞争力。[/color][color=#000000]目前,东莞泽攸精密仪器有限公司已基于自主研制的扫描电镜主机,完成电子束光刻机工程样机研制,并开展功能验证工作。通过对测试样片的曝光生产,可以绘制出高分辨率的复杂图形,朝着行业先进水平稳步前进。该成果标志着泽攸科技在电子束光刻机关键技术和整机方面的自主创新能力获得重大提升。下一步,团队及产业化公司将持续完善电子束光刻机的性能指标,使其达到批量应用及产业化的要求。[/color][来源:松山湖材料实验室][align=right][/align]

  • 中国顶尖技术高调问世!禁止出口令西方眼红不已,堪比光刻机

    中国顶尖技术高调问世!禁止出口令西方眼红不已,堪比光刻机

    [align=center][b][size=16px]中国顶尖技术高调问世!禁止出口令西方眼红不已,堪比光刻机 [/size][/b][/align]数控技术在线 2022-05-06 07:55[size=15px] 近些年来,随着社会生产力的不断进步,人类已经逐渐步入了“科技时代”,芯片制造、人工智能等领域的发展前景巨大,而这也说明现在高新技术已经成为当今世界范围内,不可或缺的主要推动力。[/size][size=15px]在此种背景下,我国也在不断加大高新技术的研发力度,并在众多领域实现了弯道超车,一举扭转了科技落后的不利局面,在我国一项尖端技术高调问世之后,局势就已经彻底被改变了,就连欧美国家都眼红不已,重要性更是堪比光刻机。[/size][img=,690,348]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/05/202205132211188822_5623_1626275_3.png!w690x348.jpg[/img][size=15px] 要知道,以美国为首的西方国家,为了继续保持领先优势,就不断处处打压我国,更是垄断了不少高新技术,而在3D机床打印技术问世之后,这种不利局面就被彻底改变了。[/size][size=15px][/size][size=15px] 与此同时,国家更是明令禁止出口,也就是说,就算欧美国家再有钱也无法掌握这项技术。值得一提的是,在制造业发展中,生产模具是非常重要的一步,而如果要是成功掌握先进的数控机床,就能顺利解决生产模具所遇到的难题。[/size][img=,690,344]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/05/202205132211393389_2256_1626275_3.png!w690x344.jpg[/img][size=15px] 不过,由于精密数控机床技术一直被西方所垄断,所以我国科研人员便在此寻求各种突破,最终把机床和3D打印技术相结合,无论多么精细的零部件都能够被“打印”出来,也给机械加工领域带来了一场前所未有的技术变革。[/size][size=15px]事实上,3D打印机床技术,就是利用塑料或粉末状金属,通过逐层打印方式把生产模具的模型构造出来。对此,相关人士直言,随着这一国产尖端技术的出现,改变了我国的被动现状,也让中国制造业发展不再受制于人。[/size][size=15px][/size][size=15px] 值得注意的是,在精密数控机床领域,我国就长时间无法突破西方国家的技术壁垒,导致国产机床加工制造出的零部件误差很高,而在众多科研人员的不断努力下,终于研制出了3D打印机床技术,并成功实现了逆风翻盘。[/size][size=15px]在此种背景下,由于这一尖端技术的重要作用,我国便明令禁止对外出口3D打印机床,并不对外透露任何关于这款产品的相关技术。[/size][size=15px] 事实上,美国是最早开始研制3D打印机床技术的国家,但却由于一直无法解决一些弊端,导致生产出来的零部件表面十分粗糙,必须进行额外的人工打磨才能进行利用,而我国已经在不断努力下,成功解决了这一难题,一台铸锻铣一体化3D打印机就能完成金属零部件的铸造、锻造等工序,足以向外界展示出我国强大的科技实力,也让欧美国家感受了“被卡脖子”的滋味。[/size]发表于内蒙古阅读 1231分享收藏[color=#576b95][/color]10[color=#576b95][/color]4

  • 想要传感器或电子元件吗?让纳米机器人帮你刻一个吧!

    想要传感器或电子元件吗?让纳米机器人帮你刻一个吧!

    http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/02/201502051643_534444_2972800_3.jpg 益择网讯(慕雪/编译)20世纪中期,硅电子芯片的发明将电子行业带入小型化时代,而如今,纳米级机器设备方兴未艾。近日,加利福尼亚大学的约瑟夫教授团队发明了一种新型纳米机器人光刻方法,利用纳米机器人在感光材料表面游动来制造组成传感器和纳米电子器件的组件,该技术比目前最先进的如电子束直写等纳米材料制备方法更便宜、更简单,并且可以广泛用于医疗、环境、安全等领域。团队开发了两种纳米机器人:一种是由二氧化硅制成能够像近场透镜那样聚光的球形纳米机器人,另一种是由金属制成的可以遮光的棒状纳米机器人。每个机器人都利用过氧化氢燃料溶液催化分解产生的能量来行动。当光刻胶表面暴露于紫外线下时,球形纳米机器人控制并放大光束,沿着行走创建一个沟槽图案,而杆状纳米机器人挡光并创造脊形图案。“我们的纳米机器人可以像微生物那样精确控制自己的速度和空间运动,并能自我组织来实现集体目标。”约瑟夫教授说。“虽然该方法不能完全取代像电子束直写这样的尖端技术,但是它成本更低、操作更便捷,而且能实现大部分功能,因此其应用前景十分广阔。”

  • 如何选购光刻胶?

    光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被复制在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是最好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。 划分光刻胶的一个基本的类别是它的极性。光刻胶在曝光之后,被浸入显影溶液中。在显影过程中,正性光刻胶曝过光的区域溶解得要快得多。理想情况下,未曝光的区域保持不变。负性光刻胶正好相反,在显影剂中未曝光的区域将溶解,而曝光的区域被保留。正性胶的分辨力往往是最好的,因此在IC制造中的应用更为普及,但MEMS系统中,由于加工要求相对较低,光刻胶需求量大,负性胶仍有应用市场。  光刻胶必须满足几个硬性指标要求:高灵敏度,高对比度,好的蚀刻阻抗性,高分辨力,易于处理,高纯度,长寿命周期,低溶解度,低成本和比较高的玻璃化转换温度(Tg)。主要的两个性能是灵敏度和分辨力。大多数光刻胶是无定向的聚合体。当温度高于玻璃化转换温度,聚合体中相当多的链条片以分子运动形式出现,因此呈粘性流动。当温度低于玻璃化转换温度,链条片段的分子运动停止,聚合体表现为玻璃而不是橡胶。当Tg低于室温,胶视为橡胶。当Tg高于室温,胶被视为玻璃。由于温度高于Tg时,聚合体流动容易,于是加热胶至它的玻璃转化温度一段时间进行退火处理,可达到更稳定的能量状态。在橡胶状态,溶剂可以容易从聚合体中去除,如软烘培胶工艺。但此时胶的工作环境需要格外关注,当软化胶温度大于Tg时,它容易除去溶剂,但也容易混入各种杂质。一般来说,结晶的聚合体不会用来作为胶,因为结晶片的构成阻止均一的各向同性的薄膜的形成。  感光胶的主要成分是树脂或基体材料、感光化合物以及可控制光刻胶机械性能并使其保持液体状态的溶剂。树脂在曝光过程中改变分子结构。感光化合物控制树脂定相的化学反应速度。溶剂使得胶能在圆片上旋转擦敷并形成薄瞙。没有感光化合物的光刻胶称为单成分胶或单成分系统,有一种感光剂的情形下,称为二成分系统。因为溶剂和其他添加物不与胶的感光反应发生直接关系,它们不计入胶的成分。  在曝光过程中,正性胶通过感光化学反应,切断树脂聚合体主链和从链之间的联系,达到削弱聚合体的目的,所以曝光后的光刻胶在随后显影处理中溶解度升高。曝光后的光刻胶溶解速度几乎是未曝光的光刻胶溶解速度的10倍。而负性胶,在感光反应过程中主链的随机十字链接更为紧密,并且从链下坠物增长,所以聚合体的溶解度降低。见正性胶在曝光区间显影,负性胶则相反。负性胶由于曝光区间得到保留,漫射形成的轮廓使显影后的图像为上宽下窄的图像,而正性胶相反,为下宽上窄的图像。微流控芯片刻蚀如何选择光刻胶呢?一般来说线宽的用正胶,线窄的用负胶! 相对而言,正性光刻胶比负性的精度要高,负胶显影后图形有涨缩,负性胶限制在2~3μm.,而正性胶的分辨力优于0.5μm 导致影响精度,正性胶则无这方面的影响。虽然使用更薄的胶层厚度可以改善负性胶的分辨率,但是薄负性胶会影响针孔。同种厚度的正负胶,在对于抗湿法和腐蚀性方面负胶更胜一筹,正胶难以企及。汶颢科技提供AZ、SU_8、及其他系类光刻胶的供应与技术参数。注意事项:①若腐蚀液为碱性,则不宜用正性光刻胶;②看光刻机型式,若是投影方式,用常规负胶时氮气环境可能会有些问题③负性胶价格成本低,正性胶较贵;④工艺方面:负性胶能很好地获得单根线,而正性胶可获得孤立的洞和槽;⑤健康方面:负性胶为有机溶液处理,不利于环境;正性胶属于水溶液,对健康、环境无害。

  • 【求助】(已应助)求中文文献,每篇10积分

    暑假在家想继续工作,可是没有任何下载资料的权限,汗!!!这里向各位在学校的大侠求助了,看在我这么努力工作的份上,帮哥们这个忙吧,先行谢过了!第一篇:纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术2004年07期R.Pelzer , P.Lindner , T.Glinsner , B.Vratzov , C.Gourgon , S.Landis , P.Kettner , C.Schaefer第二篇:纳米器件的一种新制造工艺 --纳米压印术A new technique for fabrication of nanodevices-nanoimprint lithography2003年04期梁迎新 , 王太宏 第三篇:纳米器件的一种新制造工艺--纳米压印术(续)A new technique for fabrications of nanodevices-nanoimprint lithography (Continued)2003年05期梁迎新 , 王太宏 第四篇:纳米压印光刻技术的研究Nanoimprint lithography technology2004年12期张鸿海 , 胡晓峰 , 范细秋 , 刘胜 第五篇:下一代光刻技术The Next Generation Lithography2005年11期佟军民 , 胡松 , 余国彬 , TONG Jun-min , HU Song , YU Guo-bing 第六篇:纳米光子结构软膜紫外光固化纳米压印Fabrication of Nanophotonic Structures by Soft UV Nanoimprint Lithography2006年03期SHI J , JI H , OUYANG Q , CHEN Y , WANG Z M , BAO K , P(E)ROZ C , BELOTTI M , XU L P , LUO C X , SUN M H , ZHANG B

  • 【原创大赛】纳米阵列电极简述

    【原创大赛】纳米阵列电极简述

    纳米阵列电极是多个纳米电极的集合体。根据单个纳米电极的组合方式,纳米阵列电极可分为有序纳米阵列电极(nanoelectrode arrays) 和无序纳米阵列电极( nanoelectrode ensembles) 。纳米阵列电极不仅具有单个纳米电极高传质速率、低双电层充电电流、小时间常数、小IR 降及高信噪比等优势,而且由于成千上万个单个纳米电极集中在一个基体上,克服了单个纳米电极响应信号过小、易受干扰和难以操作等缺点,能极大地提高测量的灵敏度和可靠性,降低操作难度和测量成本。特别是作为人工组装的纳米结构体系,纳米阵列电极更能突出研究者的设计和创新理念。人们能够通过设计和组装实现对纳米阵列组成、结构和性能的有效控制。因而,纳米阵列电极自20 世纪80 年代诞生起就受到人们的普遍关注。迄今为止,人们已相继设计制作出如圆盘状、井状、叉指状、圆柱形、圆锥形、截锥形、球形和半球形等多种形状的纳米阵列电极,所用电极材料包括金属、半导体、高聚物和碳纳米管等多种材料。其在电化学分析、微型生物传感器、电催化和高能化学电源等领域已日益显示出广阔的应用前景。1、纳米阵列电极的制备方法1. 1 模板法模板法是选择具有纳米孔径的多孔材料作为模板,在模孔内合成纳米阵列,然后组装成纳米阵列电极。此方法通过调整模板的参数,可以实现对纳米电极结构和尺寸的有效控制。可采用纳米阵列孔洞膜做模板,通过电化学沉积法、溶胶一凝胶法、溶胶一凝胶一聚合法、化学气相沉积法等技术将纳米结构基元组装到模板孔洞中而形成纳米管或者纳米线的方法。常用的模板主要是有序孔洞阵列氧化铝模板(AAO)和含有孔洞有序分布的高分子模板。多孔阳极氧化铝模板是通过高纯铝片在适当温度的酸性溶液中阳极氧化制得。依阳极氧化时所加的氧化电压、电解液类型、电解温度及电解时间的不同,可得到不同孔径、孔深和孔间距的膜,这种膜是典型的具有纳米孔阵列的自组装微结构。Keller等在1953年报道了多孔阳极氧化铝的理想结构模型如图1所示,该模型指出多孔层是由许多六角柱形结构单元紧密有序地排列而构成的。Martin等在模板法制备纳米线方面做了开拓性工作,1989年他们在阳极氧化铝模板的孔道内合成了金纳米线,并研究了它的透光性能。此后,模板法得到了迅速发展。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251646_567915_3043450_3.jpg图1 多孔阳极氧化铝的理想结构模型纳米阵列电极的模板法制作过程如图2所示,大致是先在通孔的模板膜的一面用各种方法覆盖一层金属。这层金属膜较厚是为了保证电极能覆盖所有的孔。然后将覆有金属的一面与导电基体接触或者直接将金属膜作为导电基体进行电沉积。通过溶解或部分溶解模板控制纳米线的长度,可得到不同类型的纳米阵列电极。如图2b为纳米孔阵列电极,图2c为纳米盘阵列电极,图2d、e为纳米线阵列电极。用化学沉积的方法填充模板时不需事先镀覆金属膜。例如,在金属已充满膜的纳米孔洞之后继续沉积,可在模板膜的两面均得到一层金属膜,去除其中的一层,另一层留作阵列电极的基体,则得到典型的纳米盘阵列电极。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251646_567916_3043450_3.jpg图2 纳米阵列电极的模板法制作过程示意图1.2 刻蚀法刻蚀法是基于化学腐蚀或光化学反应,对材料进行加工的一种方法。在纳米阵列电极制备过程中,主要通过对电极覆盖层、阵列模板或电极材料进行加工,从而制备出各种立体形状的电极,是目前制备形状可控的纳米阵列电极较为有效的方法。目前主要的刻蚀方法有化学刻蚀法和光刻法。化学刻蚀操作简便,只要控制得当就能得到理想的纳米阵列电极。Crooks等报道了通过刻蚀覆盖在平面电极上的绝缘层来获得纳米孔阵列电极的方法。他们制得直径为60~80 nm 的Au (111) 有序凹进并且高度对称的六边形纳米阵列。具体做法是:选择一定面积的Au(111),其余部分用蜡覆盖,电化学方法纯化45 min 后,欠电位沉积单层铜;再将硫醇化学吸附在上层的铜上形成硫醇自组装层;最后在氰化物溶液中用化学刻蚀的方法扩大硫醇自组装层的缺陷,以制成凹进的Au (111) 纳米阵列电极。光刻法在制备有序带状纳米阵列电极方面具有特殊的优势。典型的制作过程如下:首先设计阵列的形状,采用气相沉积在绝缘基体上沉积厚度约为100 nm的薄层金属,再涂上一层光刻胶,然后在其上覆盖光刻模板,通过光照和选择性化学溶解得到阵列。Finot等采用电子束光刻及离子刻蚀的方法得到纳米插指阵列电极。其中单个插指电极的宽度为100 nm、电极间距离为200nm、电极面积为100 m×50 m,如图3所示。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2015/09/201509251646_567917_3043450_3.jpg图3 金插指阵列电极SEM图(1000×)1.3 自组装法自组装法通过非共价键之间的相互作用使纳米粒子聚合在一起,自发地在基底表面形成有序纳米结构薄层的一种方法,是近年来非常活跃的研究方法之一。在纳米阵列电极制备过程中,自组装层可作为电极反应的活性部分,也可作为惰性覆盖层。汪尔康等采用自下而上自组装法制成金纳米粒子阵列电极。他们首先将云母基体在巯基的作用下表面功能化,再将云母浸入到金胶溶液中,云母表面的硫醇基团将12 nm的金颗粒固定。不同的浸入时间获得的金阵列的密度不同,时间越长,得到的纳米金粒子阵列的密度越高。Radford等采用自组装法将氧化还原活性物质单层膜固定在以金为基体的单层十二烷基硫醇自组装膜上,制成纳米阵列电极。其中活性部分是固定在直链硫醇自组装层终端的氧化还原类物质,每个活泼的氧化还原分子相当于单个纳米电极。这种电极灵敏度高,可用来研究以氧化还原介质作电子传递媒介的生物大分子氧化还原反应机理。2、前人相关纳米阵列制备的研究高度取向的纳米阵列是以纳米颗粒、纳米线、纳米管为基本单元,采用物理和化学等方法在二维或三维空间构筑的纳米体系。高度取向的纳米阵列结构除具有一般纳米材料的性质外,它的量子效应突出,具有比无序的纳米材料更加优异的性能。纳米阵列结构很容易通过电、磁、光等外场实现对其性能的控制,从而使其成为设计纳米超微型器件的基础。目前,有序纳米结构材料已经在垂直磁记录、微电极束、光电元件、润滑、传感器、化学电源、多相催化等许多领域开始得到应用。2.1TiO2纳米管阵列的制备及其研究目前TiO2纳米管的制备方法主要有包括利用多孔氧化铝、有机聚合物和表面活性剂作为模板的模板合成法和利用TiO2纳米粉在碱性条件反应的水热合成法。其中最主要的方法是多孔氧化铝模板法和碱性条件下的水热合成法。在多孔氧化铝模板合成法中,通过调节工艺参数来控制,不同模板的孔径尺寸,可以制备出不同管径的纳米管,但难以合成直径较小的纳米管;而水热合成法虽然操作简单,且可以制得管径较小的纳米管,但纳米管的特征却严重依赖于颗粒的尺寸和晶相。同时这两种方法制备的纳米管是一种分散状态,不能直接固定在电极的表面。从高级氧化技术应用角度来看,TiO2固定薄膜比悬浮颗粒更为实用。美国科学家Grimes利用电化学阳极氧化的方法制备了TiO2纳米阵列材料,采用阳极氧化技术制备的TiO2纳米管分布均匀,以非常整齐的阵列形式均匀排列,纳米管与金属钛导电基底之间以肖特基势垒直接相连,结合牢固,不易被冲刷脱落。TiO2纳米阵列材料是制备工艺流程如表1所示。表1 TiO2纳米阵列材料是制备工艺流程 步 骤操 作 工 艺Ⅰ金属钛在含有F-的酸性电解质中迅速阳极溶解,阳极电流很大,并产生大量Ti4+离子(反应式(1))。接着Ti4+离子与介质中的含氧离子快速相互作用,并在Ti表面形成致密的TiO2薄膜,电流急剧降低(反应式(2))。Ⅱ多孔层的初始形成阶段,随着表面氧化层的形成,膜层承受的电场强度急剧增大,在氟离子和电场的共同作用下,在TjO2阻挡层发生局部蚀刻,形成许多不规则的微孔凹痕(反应式(3)),此时,电流呈轻微增大趋势。Ⅲ多孔膜的稳定生长阶段,电流完全由发生在阻挡层两侧的离子迁移提

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