KTS悬浮熔化炉和磁悬浮。当样品材料由于电阻加热而熔化时,坩埚被主动冷却并保持在低温。一根快速移动的水冷式coquille棒被用来将铸造棒从悬浮的熔体中拉出,放入一个管子中。此后,大部分样品材料都在其自身成分的“壳”中,不与坩埚壁接触。所得到的棒材直径为6毫米或8毫米,长度约为。10厘米,取决于所使用的坩埚。此外,熔炼可以在高达10-5毫巴的高真空或在惰性气体气氛中进行。真空是由集成了涡轮分子泵的抽油机产生的。交变电磁场确保了悬浮熔体中不同成分的彻底混合。冷坩埚相对于线圈的z轴可调,便于坩埚的安装和拆卸。发电机和线圈有一个单独的冷却回路,以防止过热。一个高分辨率的CCD相机确保了过程的视觉观察,其中样品温度是用双色高温计永久测量。所有系统参数可通过舒适的GUI控制,并由PLC单元处理。KTS设备使用户能够执行几个过程,例如通过铸造、预合金材料来清洁金属前体,并将最终材料铸造成晶体生长的棒状。悬浮熔炼设备“KTS”是一种多功能设备,用于在冷坩埚中使用悬浮熔体合金化和铸造敏感金属棒。避免非金属夹杂物的污染对于生产易受金属间化合物影响的铸件和料棒通常是至关重要的。这些夹杂物通常是氧化相,通常是由金属熔体、坩埚材料和/或周围大气之间的反应形成的。防止这种污染的一种方法是悬浮熔化法。因此,一个强大的高频发生器(40千瓦至50千瓦,高达100千赫)在金属样品和铜坩埚中产生强烈的涡流。新兴的排斥磁场使坩埚上方的试样产生电动力悬浮和磁悬浮。当样品材料由于电阻加热而熔化时,坩埚被主动冷却并保持在低温。一根快速移动的水冷式coquille棒被用来将铸造棒从悬浮的熔体中拉出,放入一个管子中。此后,大部分样品材料都在其自身成分的“壳”中,不与坩埚壁接触。所得到的棒材直径为6毫米或8毫米,长度约为。10厘米,取决于所使用的坩埚。此外,熔炼可以在高达10-5毫巴的高真空或在惰性气体气氛中进行。真空是由集成了涡轮分子泵的抽油机产生的。交变电磁场确保了悬浮熔体中不同成分的彻底混合。冷坩埚相对于线圈的z轴可调,便于坩埚的安装和拆卸。发电机和线圈有一个单独的冷却回路,以防止过热。一个高分辨率的CCD相机确保了过程的视觉观察,其中样品温度是用双色高温计永久测量。所有系统参数可通过舒适的GUI控制,并由PLC单元处理。KTS设备使用户能够执行几个过程,例如通过铸造、预合金材料来清洁金属前体,并将最终材料铸造成晶体生长的棒状。Related publicationsCao, C., Blum, C. G., & Lö ser, W. (2014). Floating zone crystal growth of Lu2PdSi3 silicide. Journal of Crystal Growth, Cao, C., Klingeler, R., Leps, N., Behr, G., & Lö ser, W. (2014). Single crystal growth of the ErPd2Si2 intermetallic compound. Journal of Crystal Growth, Omar, A., Blum, C. G., Lö ser, W., Büchner, B., & Wurmehl, S. (2014). Effect of annealing on spinodally decomposed Co2CrAl grown via floating zone technique. Journal of Crystal Growth, 401, 617-621.Omar, A., Dimitrakopoulou, M., Blum, C. G. F., Wendrock, H., Rodan, S., Hampel, S., Lö ser, W., Büchner, B., & Wurmehl, S. (2013). Phase Dynamics and Growth of Co2Cr1–xFexAl Heusler Compounds: A Key to Understand Their Anomalous Physical Properties. Crystal Growth & Design,。Cao, C., Blum, C. G., Ritschel, T., Rodan, S., Giebeler, L., Bombor, D., Wurmehl, S., & Lö ser, W. (2013). Peculiarities of anisotropic electrical resistivity in Lu2PdSi3 single crystals. CrystEngComm, 156.Cao, C., Lö ser, W., Behr, G., Klingeler, R., Leps, N., Vinzelberg, H., & Büchner, B. (2011). Self-flux growth of large EuCu2Si2 single crystals. Journal of Crystal Growth, 318(1),
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