椭偏薄膜分析仪

在si片上镀一层纳米碳膜，碳膜表面光洁如镜面，采用椭偏仪测量薄膜的厚度，测量时选择基底材料为si，将k设为0（透明薄膜，不知是否准确或透明薄膜如何定义？），根据SEM测量得到的薄膜厚度拟合得到一个n值(2.0921），采用此n值对类似情况下制备的薄膜进行厚度测量，测量得到的结果还行，基本与肉眼看到的薄膜厚度差别相当。不知此方法是否正确？1.是否能采用透明膜的测量方法测量碳膜？2.采用同一n值测量厚度是否合适？希望高手指点，谢谢！

最近工作上涉及到椭偏仪，想知道椭偏仪测量的优点与缺点都有什么？我看了一些资料，说椭偏仪测量存在如下缺点：1、薄膜基片如果是透明的，那么对样品的前处理会很麻烦，很费钱2、如果样品是有机物薄膜，椭偏仪很难测出结果来3、椭偏仪测量得到的数据需要手工处理，很复杂，非专业人员无法处理，暂时没有软件可以直接得薄膜的厚度、折射率、吸收系数值4、测量吸收系数时不能同时测量透射光与反射光，所以得到的吸收系数是有误差的不知道以上观点是不是正确？ 为什么薄膜的基片不能是透明的？透明的基片对薄膜厚度测量有什么影响？为什么很难得到有机物薄膜的厚度？请指教，谢谢!不知道是否还有其他缺点？

求教大神，这是老师给的任务 用椭偏仪测薄膜反射率 求教一下 怎么测？

我们实验室有一台德国进口的椭偏仪，型号为：SpecEI-2000-VIS，测量时发现同一个点测量时结果都会有偏差。几次图谱的拟合曲线不一致。有谁知道的告诉小弟一声。非常感谢。

我现在需要测量ITO薄膜的厚度，透明的薄膜，大概200纳米左右。用椭偏仪行不行？是不是还需要薄膜的折射率？希望各位大侠指导一下[em61] [em09]

如题，就是一层薄膜，如果用椭偏仪的话是不是一定要知道基底的折射率阿，可是这个也是不知道的，请问还有其他办法吗？

供大家参考！[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=55565]椭偏仪测试聚合物膜厚[/url]

检测薄板上油膜厚度的仪器，我们目前使用的是日本岛津公司生产的AEP-300椭圆仪（非椭偏仪），但已经停止生产。仪器使用多年故障逐渐增多。美国DONART公司有类似仪器，但是单片检测，不适合用于大生产。请问专家，还有没有同类仪器可供选择？

各位好，请问哪里有椭偏仪可以提供测试？最好是在广州的

椭偏仪结构原理与发展[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=63165]椭偏仪结构原理与发展[/url]

http://img3.17img.cn/bbs/upfile/images/20100518/201005181701392921.gif最新镀层、薄膜表征工具——辉光放电光谱仪&椭圆偏振光谱仪讲座时间：2014年09月16日 10:00 主讲人：武艳红、王锋武艳红，HORIBA Scientific 辉光放电光谱技术应用工程师。王锋，HORIBA Scientific 椭圆偏振光谱技术应用工程师。http://img3.17img.cn/bbs/upfile/images/20100518/201005181701392921.gif【简介】 辉光放电光谱和椭圆偏振光谱仪作为现在最常用的两种镀层、薄膜表征技术。前者主要应用于镀层元素的深度剖析，它能够获得镀层中各元素随深度的分布状况，可以分析几纳米~100多微米的深度，深度分辨率1nm。后者是一种无损的分析技术，可以精确测量1A~40微米范围内的薄膜，并能表征单层、多层薄膜表面的粗糙度和氧化层，甚至可以获取折射率、消光系数等。 本次课程中我们将会介绍这两种技术的基本原理、可分析的材料，并对主要应用领域及案例进行深度分析。-------------------------------------------------------------------------------1、报名条件：只要您是仪器网注册用户均可报名参加。2、报名并参会用户有机会获得100元手机充值卡一张哦~3、报名截止时间：2014年09月16日 9:304、报名参会：http://simg.instrument.com.cn/meeting/images/20100414/baoming.jpg

[em06] 这几种光谱型椭偏仪优势差异在哪？？？？？SENTECH椭偏仪，HJY椭偏仪，Sopra S.A.，AQUILA公司

要做毕业设计，有关椭偏仪和椭偏算法的，不知道在哪里可以找到相关的资料，望大家指教指教！~

我想请问一下：生产金属化薄膜电容器的厂家需要做哪些方面的化学分析啊，要掌握那些分析仪器呢！谢谢各位指点

现有薄膜标准要求不能超过0.008mm，采用千分尺测量精度只能达到0.01mm，还能采用哪种仪器测量呢？

主要针对纳米薄膜材料（SnO2基薄膜电池负极材料）在微结构表征分析中的技术难点开展讨论，通过包埋切片的方法快速成功获得可用于界面结构分析的TEM截面样品，结合薄膜光路XRD可以进一步确认薄膜材料相组成、成分以及

各位大侠： 现在要用薄膜法定量分析,具体步骤： 将酶溶于二次水中(W/V=0.5mg/ml)取10微升样品溶液滴于CaF2窗片上，使其自然挥发，晾干成膜。 请教各位实验中需要注意什么？如何去除水的干扰？自然晾干以何为标准？ 拜托大家，帮帮我吧！[em20] [em46]

CZTS 薄膜的拉曼光谱分析，紫外拉曼找到新的用途，普通拉曼一般无法鉴别CZTS 薄膜中的ZnS，而紫外拉曼可以。

我现在使用的薄膜，可以渗透水蒸气，但是不能透过液态水。所以想找相关得仪器测试测试一下薄膜表面能够穿透薄膜的孔的大小，做过扫面电镜和比表面积及孔径分析仪的检测，扫面电镜只能看到薄膜表面的凹坑，不能确定这个凹坑是否穿透薄膜。孔径分析也是这样，测得都是凹坑的孔径分布。但我现在想做穿透孔的测试，望大神们给予建议，谢谢！

本人最近刚接触拉曼光谱，恳请大侠们不吝赐教！前期做了一些非晶碳薄膜材料，用磁控溅射方法制备，想利用Raman分析薄膜中sp2C和sp3C杂化态及其含量，看文献中介绍D峰和G峰，还是不太明白具体含义，请高手详细解释一下！另外，ID/IG如何获得？其比例能否代表sp2C和sp3C的含量？

我现在使用的薄膜，可以渗透水蒸气，但是不能透过液态水。所以想找相关得仪器测试测试一下薄膜表面能够穿透薄膜的孔的大小，做过扫面电镜和比表面积及孔径分析仪的检测，扫面电镜只能看到薄膜表面的凹坑，不能确定这个凹坑是否穿透薄膜。孔径分析也是这样，测得都是凹坑的孔径分布。但我现在想做穿透孔的测试，望大神们给予建议，谢谢！

20世纪50年代初，第一个真正意义的薄膜包衣片在美国诞生了。从那时算起，薄膜包衣技术已经经历了半个世纪的发展。而我国起步较晚，20世纪70年代末，才陆续出现少数医药研究单位和药厂研制的各种包衣液和薄膜包衣工艺，并逐渐推广应用。到了20世纪90年代中期，我国才逐渐出现了薄膜包衣技术“热”。但是从整体上看，这项技术在我国的发展仍然比较缓慢。许多制药企业由于技术上的原因，在应用上仍旧存在着不少问题。在片心表面通过喷雾的方法均匀地喷上一层比较稳定的高分子聚合物衣料，形成数微米厚的塑性薄膜层，使之达到一定的预期效果，这一工艺过程称为薄膜包衣。应用薄膜包衣技术是制药行业的需求和发展趋势。有些人认为薄膜包衣片没有糖衣片好，没有糖衣片那么光亮，事实上薄膜包衣与传统的包糖衣技术相比，有许多优点，如包衣耗时短，更能防潮、避光，药物稳定性更强等。包薄膜衣必须改变过去包糖衣的观念，这一点非常重要。一直以来，一些制药企业把薄膜包衣技术简单地看做是片剂生产中的独立环节，包薄膜衣就像包糖衣一样只是单纯包衣。其实，并不是那么简单。作为一项新技术，包薄膜衣对片心的要求相对于包糖衣而言要严格得多，片的硬度要求较高，而且它对各个工序之间的相互配合、生产过程中的一系列技术指标及要求的调整和相互配套都有所要求。所以，必须本着科学、求实的态度来对待薄膜包衣技术的引进及应用，只有这样，包出的片才能达到理想的效果。良好的片心质量对薄膜包衣起到决定性的影响。有时片心的机械质量太差，就根本无法进行薄膜包衣，即使勉强进行，衣膜质量也很难保证。在所有影响片心机械性能的因素当中，片的硬度和脆碎度最为重要，而脆碎度又比硬度显得更为突出。一般而言，适合包薄膜衣的中药片硬度应该在5kg/cm3，西药片硬度应该在4kg/cm3左右。如何检查呢？最简单的方法是硬度计检测；或将一素片垂直向上抛2米，使之自由落地，两次以上不断裂者为硬度合格。检查脆碎度的简单方法是用手指用力刮片的边缘或片的表面，没有片粉脱落者为宜；另一个方法是将30片左右的素片置于250ml的玻璃杯中，用力摇两分钟左右，以片的表面、片的边缘不磨损者为宜。对于吸湿性大的素片，硬度要求则更高。应用薄膜包衣技术进行包衣时，不管是采用高效包衣机、流化床包衣机，还是发行的糖衣锅进行包衣，都应遵照如下原则：一是片心硬度要够硬，否则开始包衣时，片心与锅壁反复摩擦，将会出现松片、麻面等现象；二是片床温度要保持恒定；三是设备中溶剂蒸发量与喷液过程中带入的溶剂量要保持平衡，即溶剂蒸发与喷液速率处于动态平衡。片面平整、细腻的关键在于整个过程中要掌握锅温、喷量、转速三者之间的关系，这是薄膜包衣操作过程中的重中之重。操作时，包衣液的雾化程度直接影响包衣所成衣膜的外观质量，而喷液的雾化效果直接由雾化压力以及雾化系统决定。喷雾开始时，掌握喷速和吹热风温度的原则是：使片面略带湿润，又要防止片面粘连，温度不宜过度过低。若温度过高，则干燥太快，成膜容易粗糙，片色不均；若温度过低，或喷速过快，则会使锅内湿度过度高，很快就会出现片的粘连等现象。锅的转速与包衣操作之间的关系是：转速低，衣膜附着力强；转速高，衣膜附着力差，易剥落。包衣过程中，温度过低，喷量过大，片子流动滞留，则有可能会出现粘片现象。这时可加大转速使其改善，必要时还可适当调节温度和喷量、喷程等加以克服。在使用包衣粉质量不变的情况下，包衣操作中常出现的问题及解决的方法如下：1、粘片：主要是由于喷量太快，违反了溶剂蒸发平衡原则而使片相互粘连。出现这种情况，应适当降低包衣液喷量，提高热风温度，加快锅的转速等。2、出现“桔皮”膜：主要是由于干燥不当，包衣液喷雾压力低而使喷出的液滴受热浓缩程度不均造成衣膜出现波纹。出现这种情况，应立即控制蒸发速率，提高喷雾压力。3、“架桥”：是指刻字片上的衣膜造成标志模糊。解决的办法是：放慢包衣喷速，降低干燥温度，同时应注意控制好热风温度。4、出现色斑：这种情况是由于配包衣液时搅拌不匀或固体状特质细度不够所引起的。解决的方法是：配包衣液时应充分搅拌均匀。5、药片表面或边缘衣膜出现裂纹、破裂、剥落或者药片边缘磨损：若是包衣液固含量选择不当、包衣机转速过快、喷量太小引起的，则应选择适当的包衣液固含量，适当调节转速及喷量的大小；若是片心硬度太差所引起，则应改进片心的配方及工艺。6、衣膜表现出现“喷霜”：这种情况是由于热风湿度过高、喷程过长、雾化效果差引起的。此时应适当降低温度，缩短喷程，提高雾化效果。7、药片间有色差：这种情况是由于喷液时喷射的扇面不均或包衣液固含量过度或者包衣机转速慢所引起的。此时应调节好喷枪喷射的角度，降低包衣液的固含量，适当提高包衣机的转速。8、衣膜表面有针孔：这种情况是由于配制包衣液时卷入过多空气而引起的。因而在配液时应避免卷入过多的空气。薄膜包衣技术在中药制药中的应用薄膜包衣是一种新型的包衣工艺，指在片芯之外包上比较稳定的薄层聚合物衣膜。自30年代以来就陆续出现了有关薄膜包衣的研究指导，但由于当时薄膜材料、包衣工艺和设备等条件尚不能适应生产要求，实际应用受到一定的限制。到了50年代，美国雅培药厂(AbbottLab)首先生产出新型的薄膜片剂，并用“Filmtab”商标取得专利。经过近40年的研究发展，生产设备和工艺的不断改进和完善，高分子薄膜材料的相继问世，使薄膜包衣技术得到了迅速发展，尤以日本的薄膜包衣技术发展得最快，已有80%片剂改为薄膜包衣。薄膜包衣工艺可广泛用于片剂、丸剂、颗粒剂，特别对吸温性强、易开裂、易退色的中药片剂更显示其优越性。进入90年代，薄膜包衣技术在中药行业有了一定发展，主要用于片剂的薄膜包衣。薄膜包衣与包糖衣比较，主要有以下优点：(1)时间较短(包一锅片剂只需2小时左右，而包一锅糖衣片需要约16小时)，操作简便，干燥速度快，药物受热影响小，有利于提高药品的质量。(2)薄膜包衣工艺节约劳动力(1～2名操作工人)、厂房及设备(只需一间标准厂房及一台包衣锅)，节约材料，所以成本较低，而前期投入也十分有限。(3)应用薄膜包衣工艺的片剂仅使片芯重增加2%～4%，而糖衣片剂(其中主要辅料成分是国外已淘汰的滑石粉)往往可使片芯重量增大50%～100%。(4)薄膜包衣工艺能减少工作场所的粉尘飞扬，有利于环保和劳动保护，亦可节约包装材料等。(5)应用薄膜包衣工艺的片剂压在片上的标志在包薄膜衣后仍清晰可见，便于患者辨别和使用。(6)薄膜包衣的片剂坚固耐磨，不易开裂；薄膜包衣材料有优异的物理性能，大多数材料均能抗湿抗热，可提高产品质量，延长产品的有效期。(7)薄膜包衣有众多的材料可供选择。除了能达到一般的包衣目的外，还可通过选择薄膜材料和设计包衣处方，使形成的包衣膜在一定的pH范围内溶解或崩解；也可控制膜的渗透性，使所包的药物在体内通过扩散作用陆续释放出来，达到定时、定位释放药物的目的。这是薄膜包衣具有广泛发展前途的一个重要原因。(8)生产工艺过程和材料用量可以标准化基于以上因素，国际上已基本淘汰了糖衣片，取而代之以薄膜包衣片，国内也在加速这个进程。目前，我国的中药薄膜包衣工艺的应用尚处在起步阶段，国内中药片剂主要还是以糖衣片为主，薄膜包衣的市场前景十分广阔，所以薄膜包衣技术的进一步的研究开发和提高，应引起我们的重视.

我欲选购如下几种沥青性质分析仪器： 薄膜烘箱分析仪，要求比老式仪器有更好的性能。 自动软化点测定仪。 延长度测定仪。 欢迎各厂家提供详细信息，包括仪器的性能，价格，适用标准，还有哪些厂在使用等等。 原来使用的仪器有些老旧，有的性能无法达到标准要求需更换。 急需这方面的信息！！！请尽快提供。

薄膜分析的基本参数法的原理及数学公式

红外气体分析仪原理红外线气体分析仪，是利用红外线进行气体分析。它基于待分析组分的浓度不同，吸收的辐射能不同．剩下的辐射能使得检测器里的温度升高不同，动片薄膜两边所受的压力不同，从而产生一个电容检测器的电信号。这样，就可间接测量出待分析组分的浓度。１．比尔定律 红外线气体分析仪是根据比尔定律制成的。假定被测气体为一个无限薄的平面．强度为k的红外线垂直穿透它，则能量衰减的量为：I=I0e-KCL(比尔定律) 式中：I--被介质吸收的辐射强度； I0--红外线通过介质前的辐射强度； K--待分析组分对辐射波段的吸收系数； C--待分析组分的气体浓度； L--气室长度(赦测气体层的厚度) 对于一台制造好了的红外线气体分析仪，其测量组分已定，即待分析组分对辐射波段的吸收系数k一定；红外光源已定，即红外线通过介质前的辐射强度I0一定；气室长度L一定。从比尔定律可以看出：通过测量辐射能量的衰减I，就可确定待分析组分的浓度C了。２．分析检测原理 红外线气体分析仪由两个独立的光源分别产生两束红外线 该射线束分别经过调制器，成为5Hz的射线。根据实际需要，射线可通过一滤光镜减少背景气体中其它吸收红外线的气体组分的干扰。红外线通过两个气室，一个是充以不断流过的被测气体的测量室，另一个是充以无吸收性质的背景气体的参比室。工作时，当测量室内被测气体浓度变化时，吸收的红外线光量发生相应的变化，而基准光束(参比室光束)的光量不发生变化。从二室出来的光量差通过检测器，使检测器产生压力差，并变成电容检测器的电信号。此信号经信号调节电路放大处理后，送往显示器以及总控的CRT显示。该输 出信号的大小与被渊组分浓度成比例。　　我们所用的检测器是薄膜微音器。接收室内充以样气中的待渊组分，两个接收室中间用一个薄的金属膜隔开，在两测压力不同时膜片可以变形产生位移，膜片的一侧放一个固定的圆盘型电极。可动膜片与固定电极构成了一个电容变进器的两极。整个结构保持严格的密封，两接收气室内的气体为动片薄膜隔开，但在结构上安置一个大小为百分之几毫米的小孔，以使两边的气体静态平衡。辐射光束通过参比室、测量室后，进入检测器的接收室。被接收室里的气体吸收，气体温度升高，气体分子的热运动加强，产生的热膨胀形成的压力增大。当测量室内通入零点气(N2)时，来自两气室的光能平衡，两边的压力相等，动片薄膜维持在平衡位置，检测器输出为零。当测量室内通入样气时，测量边进入接收室的光能低于参比边的，使测量边的压力减小，于是薄膜发生位移，故改变了两极板问的距离，也改变了电容量C。 红外线气体分析仪可以用来分析各种多原子气体,如:C2H2、C2H4、C2H5OH、C3H6、C2H6、C3H8、NH3、CO2、CO、CH4、SO2等。不能用来分析同一种原子构成的多原子气体以及惰性气体，如：N2、Cl2、H2、O2以及He、Ne、Ar等。[~189240~]

用MOCVD在a面蓝宝石上渡上GaN薄膜，xrd图谱中去掉背景后变成了三个峰，没有去时，只有一个峰，去掉后的三个峰中面间距差不多，都是五点几埃，有一个最强峰，右边有两个小小的峰，物相分析时无法找到GaN，最强峰可以与蓝宝石吻合，为什么啊，谢谢