显微光致发光仪

光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。 传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“OmniPLMicroS”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。性能特点： 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用 性 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样 品形态 超宽光谱范围**——200nm-1600nm 视频监视光路——可供精确调整测试点 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询；**需根据实际需要进行配置确定。参数规格表*应用:不同制冷温度下GaN材料的PL谱激发波长：325nm，功率：20mW，制冷机最低制冷温度：10K ZnO材料的PL谱: 激发波长：325nm ZnO 薄膜样品在382nm 处有一个特别强的荧光谱带，而在500 ～ 600nm 波段，有个弱的可见光荧光谱带。通过研究这些谱带，可以反映ZnO 表面态对荧光的影响以及晶型和缺陷信息。

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。

OmniPL-MicroS组合式显微光致发光光谱系统 显微光路通常具有较高的通光效率，用在荧光光谱测量中，不仅可以进一步提升系统的信噪比，更可以实现微区测量。我公司除了可以提供“Flex One(微光）”系列显微光致发光光谱仪一体机，还为组合式系统的客户提供了两种类型的显微光路模块，一种是不带显微镜的水平光路显微模块，另一种是带有显微镜的垂直光路显微模块，它们都可以与我公司的光谱及配件组合成为显微光致发光光谱系统。 性能特点● 模块化的结构设计——水平和垂直光路可选，组合方便● 超宽光谱范围*——200nm-1600nm● 默认适配激光波长——325nm● 其它激光器波长可选*——405nm/532nm/633nm等● 电致发光(EL)功能可选**——扩展选项● **——可提供≤10K的超低温测量*需根据实际需要进行配置确定；**选配项，请详细咨询。 参数规格表(*)主型号OmniPL-MicroS光谱测量范围200-1600nm荧光光谱分辨率0.1nm激光波长325nm探测器类型制冷型CCD2000×256制冷型InGaAs512×1单点PMT单点制冷型InGaAs探测光谱范围200-1000nm800-1600nm200-870nm800-1600nm数据采集器--单光子计数器或锁相放大器锁相放大器注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！OmniPL-MicroS-A垂直光路型 垂直光路型系统架构基于标准显微镜体和光谱仪等模块组合而成，光路垂直更有利于一般的样品放置，测量过程更方便。OmniPL-MicroS-B 水平光路型 水平光路型的系统不采用显微镜体，光路水平输出，需将样品竖直放置，系统可以配置多维可调的样品架，可以夹持固体、液体等多种类型的样品；水平光路更适合于液体样品，以及与低温制冷机配合使用时的光学布局。OmniPL-MSA-325型显微PL光谱系统主要技术参数（垂直光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）● 预留CCD接口● 可升级电致发光（EL）测量● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20W- 显微光路模块（OmniPL-KS-A）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 标准显微镜（带样品X-Y手动调节台）? 内置CCD监视光路? 可加装滤光片轮 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0? 光谱仪整体支架- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mmOmniPL-MSB-325型显微PL光谱系统主要技术参数（水平光路型）系统指标与功能● 荧光光谱测量范围：350-800nm● 激发波长：325nm● 样品形态：固态（片状、粉末）、液态● 预留CCD接口● 可升级扩展至NIR波段测量（~1600nm）● 可升级至超低温（10K）测量功能详细配置及规格参数- 光源? 类型：HeCd激光器? 功率：≥20mW- 显微光路模块（OmniPL-K1-325）? 显微物镜：20X紫外? 光谱适用范围：250-800nm? 样品架：固体（片状、粉末）、液体比色皿样品池，可五维手动调整? 内置监视光路 - 荧光光谱仪（Omni-λ500i）? 焦距：500mm? f/#：f/6.5? 光谱覆盖范围：200-1000nm? 光谱分辨率：优于0.05nm@435.8nm（1200g/mm光栅）? 入口形式：狭缝? 出口形式：狭缝+CCD? 狭缝宽度：0.01-3mm? 通讯接口：USB2.0- 光电倍增管（PMTH-S1-R928）? 光谱响应范围：200-870nm? 配HVC1800高压稳压电源- 单光子计数器（DCS202PC）? 有效计数率：≥5Mcps- 计算机（JSJ）? 一体机，安装光谱采集软件- 光学平台（OTB15-10）? 台面尺寸：1500*1000mm应用举例某用户提供的ZnO参杂发光材料（测试设备：OmniPL-MSA-325显微PL光谱系统）

碳纳米管，是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口）的一维量子材料。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约为0.34nm，直径一般为2～20nm。由于其独特的结构，碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值，如：其独特的结构是理想的一维模型材料 巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维，其强度为钢的100倍，重量则只有钢的1/6 同时它还有望用作为分子导线，纳米半导体材料，催化剂载体，分子吸收剂和近场发射材料等。 Specim可提供碳纳米管近红外光谱及影像分析工具，采用近红外光谱相机，搭载与近红外显微平台，并配合压电陶瓷纳米位移台，实现碳纳米管的影像及光谱扫描，不仅可以用于电致发光的光谱分析，也可用与光致发光光谱测量，为研究者提供大量的光谱及影像数据以供研究分析使用。光谱测量范围：970nm- 2500nm（900nm-1700nm）。

组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光（photoluminescence）即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光（如激光器等）激发样品/ 材料（如GaN/ZnO 等）产生荧光，通过对其荧光光谱的测量，分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计，在满足PL 光谱测量的同时，用户可以根据不同的实验需求，选择不同的配件，灵活的进行系统功能的扩展。系统组成：激发光源+ 样品室＋荧光光谱仪＋数据采集及处理系统＋软件＋计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源：HeCd激光器● 激发光功率：20mW● 激发波长：325nm● 瑞利散射截止滤光片，OD6● 荧光光谱仪光谱范围：300-850nm（可扩展至2500nm）● 荧光光谱分辨率：优于0.2nm（@1200g/mm光栅）● 波长准确度：±0.2nm● 波长重复性：±0.1nm● 光探测器：科研级制冷型背感光CCD，300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机，最低温度可达2K● 系统扩展性：系统采用模块化设计，可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能，可随时储存和提取图谱，并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱

PMEye-3000光致发光光谱成像（PL-Mapping）测量系统是卓立汉光最新研制的，用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等，在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像，扫描结果以3D方式进行显示，使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好，操作简单，只需简单培训就能使用。测试原理：PL（光致发光）是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例：LED外延片，太阳能电池材料，半导体晶片，半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点：◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度：180点/秒◆ 空间分辨率：50um◆ 光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计，操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计，关键尺寸根据人体工学理论设计，不管是样品的操作高度和电脑使用高度，都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成，方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台，可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮，方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想，可根据用户的样品特点来选择规格配置，让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统，采用整机设计，用户只需要根据需要放置检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，避免了用传统方式固定样品而造成的损坏；可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位，提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度，而没有对激发光源进行监控，而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器，使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置选配激光器波长为：325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台，最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等，扫描速度可高达每秒180个点，空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验，,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯，从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量，给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示，Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

光致发光影像系统--HeliosHelios是全自动实时材料分级和过程控制的在线监控设备，鉴别太阳能电池材料中可能降低效率的隐性伤痕，提高生产效率的同时降低成本。每条生产线每年提升效益170万美元！应用：1.进料监控 通过少子寿命自动对晶圆定级2.过程控制 监控和优化关键工序，如扩散和镀膜等3.损伤鉴别 检测电池片成品的破损和微小裂痕 特点：1. 线上监控或线下分析都适用2. 采用InGaAs探头提升测量灵敏度，减少检测时间3. 采用高灵敏光学成像技术，每片晶圆测试时间1s4. 鉴别并预防低质量材料进入高损耗工序，降低成本5. 采用简单明了的图形界面和是非判定6. 相比于其他同类PL系统更具性价比

定制化原位显微光学/光谱学测试系统Customized In-situ Optical / Spectroscopic MicroscopeSystem我公司集成了自主研发的激光自动聚焦等自动化功能的核心光学/光谱学模组均采用模块化设计，物镜下方没有任何零部件占用空间，并且具备完整的软硬件接口，可以方便地集成到客户的工况环境或者研究机台上，为客户提供定制化的测试系统。技术特色：激光自动聚焦：&bull 显微光学和光谱学模组都可配备激光自动聚焦模块。

Flex One 显微光致发光光谱仪欲了解更多信息请拨打：010-56370168-601 性能特点：● 一体化的光学调校——所有光学元件只需要在初次安装时进行调校，确保高效性和易用性● 简单易用的双光路设计——可随意在水平和垂直光路上进行切换，适用于各种常见的样品形态● 超宽光谱范围**——300nm-2200nm● 视频监视光路 ——可供精确调整测试点● 独有的发射光谱校正功能*——让光谱测量更精准且具有可比性 ● 多种激发波长可选**——325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等● 自动mapping功能可选*——50mm×50mm测量区间，可定制特殊规格● 电致发光(EL)功能可选*——扩展选项● 显微拉曼光谱测量功能可选*——扩展选项● 超低温测量附件可选*——提供10K以下的超低温测量*选配项，请详细咨询； **需根据实际需要进行配置确定。产品简介： 光致发光(photoluminescence) 即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光，在半导体材料的发光特性测量应用中通常是用激光（波长如325nm、532nm、785nm 等）激发材料（如GaN、ZnO、GaAs 等）产生荧光，通过对其荧光光谱（即PL 谱）的测量，分析该材料的光学特性，如禁带宽度等。光致发光可以提供有关材料的结构、成分及环境原子排列的信息，是一种非破坏性的、高灵敏度的分析方法，因而在物理学、材料科学、化学及分子生物学等相关领域被广泛应用。传统的显微光致发光光谱仪都是采用标准的显微镜与荧光光谱仪的结合，但是传统的显微镜在材料的PL 谱测量中，存在很大的局限性，比如无法灵活的选择实验所需的激光器（特别对于UV 波段的激光器，没有足够适用的配件），无法方便的与超低温制冷机配合使用，采用光纤作为光收集装置时耦合效率太低等等问题，都是采用标准显微镜难以回避的问题。 北京卓立汉光仪器有限公司结合了公司十余年荧光光谱仪和光谱系统的设计经验和普遍用户的实际需求，推出了“Flex One( 微光）”系列显微光致发光光谱仪，有效的解决了上述问题，是目前市场上最具性价比的的显微PL 光谱测量的解决方案。( 产品图片仅供参考，以实际系统配置为准)系统组成● 激发光源部分：紫外-近红外波段各种波长激光器● 显微光路部分：优化设计的专用型显微光路● 光谱采集部分：影像校正光谱和高灵敏型科学级CCD或单点探测器和数据采集器● 样品台支架部分：xyz三维可调样品台（手动或自动）、超低温样品台参数规格表：主型号Flex One光谱范围300-2200nm光谱分辨率0.1nm激发光可选波长325nm，405nm，442nm，473nm，532nm，633nm，785nm等探测器类型制冷型CCD 2000×256制冷型InGaAs512×1制冷型InGaAs512×1有效范围300-1000nm800-1700nm800nm-2200nm空间分辨率100μm注*：以上为基本规格，详细规格依据不同配置的选择会有差异，详情请咨询！InGaN/GaN多量子阱的PL谱和EL谱测试 ● 样品提供：KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于蓝宝石衬底MOCVD 生长的 InGaNGaN 量子阱● 测试条件：325nm激发，功率30mW● 光谱范围：340-700nm1. 光致发光(PL)光谱测量分别针对材料的正极( 红色) 和负极( 绿色) 测试得到光致发光光谱曲线如下，GaN 的本征发光峰365nm 附近以及黄带，InGaN 的发光峰475nm 附近。 2. 电致发光(EL)光谱测量将材料的正负极接到直流电源的正负极，电压加到2.5V 时可以有明显的蓝光发射，测量其电致发光光谱曲线如下（红色），峰值在475nm 附近。

碳纳米管，是一种具有特殊结构（径向尺寸为纳米量级，轴向尺寸为微米量级、管子两端基本上都封口）的一维量子材料。它主要由呈六边形排列的碳原子构成数层到数十层的同轴圆管。层与层之间保持固定的距离，约为0.34nm，直径一般为2～20nm。由于其独特的结构，碳纳米管的研究具有重大的理论意义和潜在的应用价值，如：其独特的结构是理想的一维模型材料 巨大的长径比使其有望用作坚韧的碳纤维，其强度为钢的100倍，重量则只有钢的1/6 同时它还有望用作为分子导线，纳米半导体材料，催化剂载体，分子吸收剂和近场发射材料等。 Specim可提供碳纳米管近红外光谱及影像分析工具，采用近红外光谱相机，搭载与近红外显微平台，并配合压电陶瓷纳米位移台，实现碳纳米管的影像及光谱扫描，不仅可以用于电致发光的光谱分析，也可用与光致发光光谱测量，为研究者提供大量的光谱及影像数据以供研究分析使用。光谱测量范围：970nm- 2500nm（900nm-1700nm）。

近年来，光伏产业发展迅猛，提高效率和降低成本成为整个行业的目标。在晶体Si太阳电池的薄片化发展过程中，出现了许多严重的问题，如碎片、电池片隐裂、表面污染、电极不良等，正是这些缺陷限制了电池的光电转化效率和使用寿命。同时，由于没有完善的行业标准，Si片原材料质量也是参差不齐，一些缺陷片的存在直接影响到组件乃至光伏系统的稳定性。因此，太阳能行业需要有快速有效和准确的定位检验方法来检验生产环节可能出现的问题。 发光成像方法为太阳电池缺陷检测提供了一种非常好的解决方案，这种检测技术使用方便，类似透视的二维化面检测。 光致发光(photoluminescence，PL)检测过程大致包括激光被样品吸收、能量传递、光发射及CCD成像四个阶段。通常利用激光作为激发光源，提供一定能量的光子，Si片中处于基态的电子在吸收这些光子后而进入激发态，处于激发态的电子属于亚稳态，在短时间内会回到基态，并发出以1150 nm的红外光为波峰的荧光。利用冷却的照相机镜头进行感光，将图像通过计算机显示出来。发光的强度与本位置的非平衡少数载流子的密度成正比，而缺陷处会成为少数载流子的强复合中心，因此该区域的少数载流子密度变小导致荧光效应减弱，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域，而在电池片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域。因此，通过观察光致发光成像能够判断Si片或电池片是否存在缺陷 。操作界面如下图 测试样本实例如下图： PL测试设备性能参数 ParameterSpecificationGeneralMeasurement System:Sample TypeSolar Cells:6” solar (5” configuration available too specify with order)Busbar Configurations:2 busbars and 3 busbars and Back-Contact (BC-) cellsDefect Types Found:(for both mono- and poly-cell material)Micro Cracks / Large Cracks / Dark Areas / Low efficiency areas / Whole Cell defectMax. Throughput:Inspection Cycle Time:3000 cells / hOperation:Stop & Go measurementOpticsCamera:1 x 1 Megapixel Camera (Black & White sensor)à 0.15 mm/pixel resolutionLens:NIR optimized lens + cut-off filters for PLCamera specificationsImage device:1MP Deep depletion cooled CCD sensorPicture size:1024 H x 1024 VPixel size:13 μm x 13 μm (large pixel for best SNR)Resolution depth:16 bitLens mount:C-MountFrame rates:2,25 fps (full resolution)IlluminationPL excitation source:Laser

组合式荧光光谱测量系统-OmniPL系列光致发光（photoluminescence）即PL，是用紫外、可见或红外辐射激发发光材料而产生的发光。PL 荧光测量系统通常是用较强的单色光（如激光器等）激发样品/ 材料（如GaN/ZnO 等）产生荧光，通过对其荧光光谱的测量，分析该材料的光学特性。典型应用于LED 发光材料、半导体材料的研究。OmniPL 系列稳态荧光光谱测量系统采用模块化设计，在满足PL 光谱测量的同时，用户可以根据不同的实验需求，选择不同的配件，灵活的进行系统功能的扩展。系统组成：激发光源+ 样品室＋荧光光谱仪＋数据采集及处理系统＋软件＋计算机OmniPL-LF325型稳态光致发光光谱系统主要技术参数● 激发光源：HeCd激光器● 激发光功率：20mW● 激发波长：325nm● 瑞利散射截止滤光片，OD6● 荧光光谱仪光谱范围：300-850nm（可扩展至2500nm）● 荧光光谱分辨率：优于0.2nm（@1200g/mm光栅）● 波长准确度：±0.2nm● 波长重复性：±0.1nm● 光探测器：科研级制冷型背感光CCD，300-1000nm● 可选配闭循环超低温制冷机，最低温度可达2K● 系统扩展性：系统采用模块化设计，可扩展至近红外波段光谱测量● 软件提供灵活的实验运行步骤自定义功能，可随时储存和提取图谱，并能够进行复杂的光谱处理及光谱数据间的四则运算系统结构图PL图谱

1 产品简介在开发新的发光材料过程中，提高它们的光致发光效率是至关重要的。提高该效率就需要测量量子效率的精确技术。QES-PL光致发光量子效率测量系统针对器件的光致发光特性进行有效测量，其深制冷型背照式CCD具有高的灵敏度和信噪比，可以更加稳定快速得到结果。涂有PTFE涂料的积分球，光谱范围覆盖200-1100nm。可以支持粉末、薄膜和液体样品的测量，Spectralon涂料在全谱波段拥有的高反射率，可以完全匀化入射光，去掉积分球反射不均匀对结果的影响，此系统能用于多种领域，包括工业、生物和学术研究等。2 系统配置1）高功率氙灯2）单色仪3）积分球4）液体采样支架5）XS7031光纤光谱仪6）3根光纤7）绝对辐射标准光源（附带计量证书，绝对辐照度测量所需，另购） 3 规格参数产品型号QES-PL测量波长范围200-1100nm单色光源氙灯加单色仪，半峰全宽（FWHM)=14nm@405激发波长365-880nm带宽2nm激发波长控制软件控制波长分辨率视光谱范围与狭缝而定探测器像素点数1024*58探测器制冷温度-25℃光纤种类抗紫外石英光纤光纤波段UV-VIS积分球材料Spectralon积分球尺寸3.3″#光谱范围可根据用户需求进行定制4 测试项目? 量子效率测量? 颜色指标、辐射指标与量子指标? 标准灯校准绝对辐射 5 产品特点? 测量精度高：采用深度制冷型面阵CCD的光纤光谱仪作为探测器，极大降低长积分时间下噪声水平，提高测量精度。? 操作简单： Uspectral Plus专业光谱采集分析软件，一键式操作。? 功能齐全：可用于粉末、溶液、固体、薄膜样品的测量。6 应用领域? 无机光致发光? 有机光致发光? EL器件封装前体7 操作软件

测量荧光量子效率，蓝光吸收比、激发光、荧光等的光谱和色坐标，可拓展成电致发光测量系统定制光致发光荧光量子效率测试系统是对发光材料的发光特性，发光效率等光学性能进行测试的系统，可以测薄膜，液体和粉末。产品优势体积小巧：便于灵活使用及运输。流程化操作：设备无需频繁校准。便携式、波长可定制的准直激发光源，与积分球的球口匹配，无需手动对准。测试参数荧光量子效率，蓝光吸收比 ，激发光、荧光等的光谱和色坐标 该系统可拓展成电致发光测试系统，可测试光度量（Lux, lum, Candela）,EQE,电参数等系统特点6英寸Spectraflect积分球， 球大小可定制配置样品夹具/比色皿，可测试薄膜，液体和粉末NIST可溯源的标准灯2Pi-1-INT-050, 已知350nm~1050nm下每1nm的绝对光谱辐射通量光谱仪CDS2600 ，更多光谱仪可选便携式、波长可定制的准直激发光源定制软件主要规格参数积分球直径：6inch激发光光斑大小：在7mm距离处，光斑面积直径不大于6mm积分球内部涂层：Spectraflect激发光波长：308nm, 365nm, 405nm, 455nm,535nm, 590nm， 740nm夹具比色皿夹具，薄片夹具软件定制软件，测试方法：直接法，AM法备注：积分球尺寸，开口，激发光波长等均接受定制

详细信息： HORIBA Scientific研发的MicOS显微光谱系统，可提供完整的显微光谱测量解决方案，它主要包括一个直接与光谱仪耦合的显微探测头和一个高性能三光栅成像光谱仪，该光谱仪最多可同时接三个探测器。1、是显微水平光致发光、电致发光和光调制反射光谱研究的理想选择。2、覆盖200nm~1600nm的宽光谱范围，可广泛应用于各类材料的测量，如半导体和生物样品等。3、内置数码相机设计，可以实时观察样品。4、可提供物镜朝下或物镜侧向的两种配置选择，便于测量放置在正置低温恒温器中的样品。5、能与多种激光波长匹配，灵活并且易于操作。6、采用享有盛誉的LabSpec软件控制整个系统。技术参数：光谱仪型号iHR320 iHR550光谱范围1200 nm~1600nm光谱分辨率20.18nm 0.1nm探测器类型CCD 1024 x 256 OE3IGA 512 x 25Single Channel光谱范围200nm~1050nm800nm~ 1600nm190nm~1600nm4激发波长5532nm633nm785nm显微镜物镜放大倍数10x50x100x光斑大小100um20um10um样品台XYZ（手动或自动可选）1 与物镜，滤光片和探测器选择有关2 采用1200g/mm光栅和开放电极CCD探测器3 BIUV, BIVS, BIDD 等探测器可选4 覆盖此光谱范围需要两个探测器5 如需其他可选配置，请与我们联系

创新点MicOS是显微水平光致发光、电致发光和光调制反射光谱研究的理想选择。 1、开创性地将显微测量和光谱测量高效地耦合于一体，将显微探测头直接与iHR三光栅光谱仪耦合，光谱仪最多可同时接三个探测器，使其可覆盖紫外可见近红外的宽光谱范围（200nm~1600nm）。 2、能与多个激发波长匹配，灵活性极强且易于操作。 3、内置数码相机设计，可实时观察样品。 4、可提供物镜朝下或物镜侧向的两种配置选择，便于测量侧向发光器件或放置在正置低温恒温器中的样品。 5、配合自动平台可进行mapping测量。 详细信息： HORIBA Scientific最新研发的MicOS显微光谱系统，可提供完整的显微光谱测量解决方案，它主要包括一个直接与光谱仪耦合的显微探测头和一个高性能三光栅成像光谱仪，该光谱仪最多可同时接三个探测器。1、是显微水平光致发光、电致发光和光调制反射光谱研究的理想选择。2、覆盖200nm~1600nm的宽光谱范围，可广泛应用于各类材料的测量，如半导体和生物样品等。3、独特的内置数码相机设计，可以实时观察样品。4、可提供物镜朝下或物镜侧向的两种配置选择，便于测量放置在正置低温恒温器中的样品。5、能与多种激光波长匹配，拥有极强的灵活性，并且易于操作。6、采用享有盛誉的LabSpec软件控制整个系统。技术参数：光谱仪型号iHR320 iHR550光谱范围1200 nm~1600nm光谱分辨率20.18nm 0.1nm探测器类型CCD 1024 x 256 OE3IGA 512 x 25Single Channel光谱范围200nm~1050nm800nm~ 1600nm190nm~1600nm4激发波长5532nm633nm785nm显微镜物镜放大倍数10x50x100x光斑大小100um20um10um样品台XYZ（手动或自动可选）1 与物镜，滤光片和探测器选择有关 2 采用1200g/mm光栅和开放电极CCD探测器 3 BIUV, BIVS, BIDD 等探测器可选 4 覆盖此光谱范围需要两个探测器 5 如需其他可选配置，请与我们联系

LQ-100X-PL 光致发光与发光量子产率测试系统产品介绍： 精巧的光致发光量子产率量测系统1. 什么是 PL? PL (Photoluminescence, 光致发光)：当材料吸收光子后，电子跃迁至激发态，再回到低能态，将能量以光的形式发出。2. 什么是 PLQY?PLQY (Photoluminescence Quantum Yield, 光致发光量子产率) 计算方式为发出的光子数除以吸收的光子数。PLQY 是评价发光材料的重要指标，除了可以用来对材料进行初级分类的基本参数，且对于发光系统与其载子动力学的重要分析方法。LQ-100X-PL 如何测试 PLQY?3. 量测背景讯号量测样品计算样品的光致发光量子产率PL 与 PLQY 是研究材料表征的重要工具，目前材料测试面临挑战有以下三点：(1) 无法在手套箱内测试。(2) 无法进行原位时间光谱解析。(3) 红外波段扩展不易。LQ-100X-PL 针对上述的3大痛点，做出了应对。特色LQ-100X-PL 拥有以下几点优势，可应对材料测试面临的挑战：以紧凑的设计，尺寸大小 502.4mm(L) x 322.5mm(W) x 352mm(H)，搭配 4 吋外径 PTFE 材质的积分球，并且整合 NIST 追溯的校准，让手套箱整合 PL 与 PLQY 成为可能。利用先进的仪表控制程序，可以进行原位时间 PL 光谱解析，并且可产生 2D 与 3D 图表，说明用户可以更快地表征材料在原位时间的变化。系统光学设计可容易的做红外扩展，波长由1000 nm 至 1700 nm。粉末、溶液、薄膜样品都可兼容测试。规格标准配置：全向式收光系统 (100 mm 积分球)增强型多信道光谱仪测试系统光致发光量测模块 (365 nm LED 激发光源)量测软件工控机与屏幕选配规格：EL光谱整合测试套件 (源表/PMT模块/背探式样品盒/多通道手动切换盒/EL量测软件升级)红外光谱扩充模块 (900 – 1700 nm)手套箱整合套件激发光源LED光源 (波长可选：385 nm / 405 nm / 430 nm / 470 nm / 532 nm)Laser光源 (波长可选：375 nm / 405 nm / 532 nm)应用荧光粉 (Phosphor)发光二极管荧光材料 (LED fluorescent material)有机发光二极管荧光材料 (OLED fluorescent material)钙钛矿 (Perovskite)雷射染料 (Laser dies)钙钛矿量子点粉末与单晶 (Perovskite quantum dot powder and single crystal)PbS 量子点 (PbS quantum dot)实证PL 光谱显示LQ-100X-PL 系统可以针对多种材料进行 PL 与 PLQY 测试。步骤如下：测量背景讯号，如图中蓝色曲线，并可计算入射激发光子总数。测量样品光谱，如图中绿色曲线。计算得到发射光子总数。计算 1. 2. 步骤中，样品吸收光子率与吸收光子总数。由 1. 3. 相除可得到 PLQY。发射光谱分析LQ-100X-PL 软件可以针对 PL 发射光谱进行多种分析，以定量的表征材料的特性。包含：发光 CIE 色坐标CIE-xyzCIE-XYZCIE-uv色温色彩纯度原位时间解析 PL 光谱变化LQ-100X-PL 除了 PLQY 测量外，还可进行 PL 光谱随时间变化连续测试，并绘制成 2D 或 3D 显示图-称为原位时间解析 PL 光谱图。如图所示，钙钛矿的 PL 光谱随着时间增加的变化，可以波长半宽 (FWHM) 随之增加，并且产生中心波长 (Peak Lambda) 红移的现象。分析原位时间解析 PL 光谱图，对于新型材料如钙钛矿的稳定性或亚稳态特性，具有直接的的证据说服力。是材料表征的最佳工具。

应用：（系统配合HORIBA FluoroMax+P)液氮低温环境及常温环境下的 光致发光量子效率 磷光量子产率 吸收光谱 荧光光谱 光致发光绝对量子效率测量是发光材料表征的重要手段；温度的变化对于表征材料的特殊应用有着重要的影响。2020年首发，东方科捷推出液氮低温量子效率（LN-QE）测试功能附件。 液氮环境下，发光分子被冷冻，发光会增强，特别对于磷光材料；某些磷光材料在室温下发光较弱，不利于光致发光量子效率的准确测量及数据对比，如果在液氮温度下就能很好解决这个问题。 其他特殊材料，比如AIE材料，如果进一步了解聚集导致的空间位阻形成的发光增强，可以对比分子冷冻位阻发光差异。延迟荧光材料，比如热延迟荧光材料，可以对照不同温度调节下的发光差异，结合荧光寿命数据，即可明确给出某些结论。 同理，如果材料发光既有荧光又有磷光，研究者关注磷光部分，希望通过材料设计及修饰提高磷光发光比重，那么，采用这套附件配合磷光光谱仪，即可获得液氮低温的磷光量子效率数据。 由于设计中包括液氮温度和积分球，当然，获得液氮低温下发光材料的吸收光谱，这也是值得兴奋的事情。通常发光材料吸收光谱，不能采用常用的紫外可见近红外分光光度计获得真实数据，我们通常是采用双单色仪（比如荧光光谱仪）同步扫描的方式获得。加上液氮温度和积分球，显然，固体材料的液氮温度下的漫反射吸收数据就唾手可得。技术描述：* 采用高纯铝粉作为空白样品采集空白激发散射峰及空白荧光峰；* 同样的测试条件放入待测样品，获得；样品放入时的散射峰和荧光峰；* 带入公式，导入积分球校正文件计算量子效率；* 采用散射校正扣除散射能量差异，对空白荧光峰中的噪声和样品荧光峰中的噪声做归一化。主要技术指标：1、积分球内衬：聚四氟乙烯材质；2、波长：300nm-850nm；（依赖于光谱仪）3、液氮杜瓦容积150ml；4、装机时完成校正文件的采集；5、采用双曲线法或四曲线法进行数据采集。

gora-Lite，模块化的共焦显微光谱 模块化 / 光纤共焦 / 多功能复用 gora-Lite 共焦显微光谱模块 基于 光纤共焦技术，将共焦显微光路集成为一个个独立的模块，可根据功能需求进行快速搭建，面向 μm 级样品，实现包括透反射、荧光、拉曼、荧光寿命、非线性等光谱功能，以及电致发光和光电流等光电特性检测。最终，带来一系列富有灵活适配性、高性价比的多功能检测方案。gora-Lite 共焦显微光谱系统方案gora-Lite 共焦显微光谱模块 在共焦显微检测领域的良好表现，得益于如下几个特点： 1 模块化 gora-Lite 是一个个集成的共焦显微光谱模块，可根据功能需要，配置其中一个或者多个模块，配合用户已有设备如显微镜、光源、探测器等器件，实现 显微光谱功能 的快速构建； 2 多功能实现 gora-Lite 共焦显微光谱模块，可通过光纤连接不同的激发光源以及探测终端，面向 μm 级样品，可实现包括透反射、荧光、拉曼、荧光寿命、非线性等光谱功能以及电致发光、光电流等 光电特性检测； 3 光纤共焦 gora-Lite 共焦显微光谱模块采用光纤共焦技术，以光纤作为空间滤波器，提供接近衍射极限的样品激发以及 高空间分辨信息接收，能够有效抑制目标区域周围的干扰信号； 4 系统稳定 gora-Lite 共焦显微光谱模块基于光纤连接构建系统，能够避免物理空间上的移动而导致的光路偏移。即使档位来回切换千次，激发光斑始终能保持在 1μm 区域内； 5 超宽谱段光谱检测 gora-Lite 共焦显微光谱模块，能够实现微区条件下，从紫外 250nm 到近红外 1700nm 的微区光谱测试。 注：以上参数如有差异，以官网为准。

显微光分布测试系统 随着半导体照明的进一步快速和深入发展，LED在道路照明、室内照明、汽车灯、手提灯具等多个领域等到了越来越广泛的应用，同时，业界对LED灯具的二次光学设计以及利用LED灯具的空间光度数据进行照明设计的要求也越来越高。作为LED产品的心脏，LED光源的光品质就显得尤为重要！LED光源的主要功能是把电能转化成光能，而当前，芯片厂和灯珠厂在LED光源设计过程中，仅仅是针对光源进行相对简单的测量，获得整体的亮度、波长和电压等参数。而实际上，由于电极设计、芯片结构、封装方式等方面的影响，光源表面的亮度和颜色并不是均匀分布的，传统的光源测量方式并不能精确地描述光源表面这种空间光分布的特点，这样容易导致光源出现色度和亮度不均匀、光源整体效率低等问题，甚至导致光源失效。因此很有必要利用显微光分布测试系统对光源进行发光均匀度测试来优化光源设计，同时也为LED光源的二次光学设计提供更为准确、详尽的数据。针对以上情况，金鉴实验室联合英国GMATG公司联合推出显微光分布测试系统，主要用于测试光源的发光均匀性，帮助提高光品质。现已演化到第五代，而且价格从150万降到几十万！金鉴显微光分布测试系统针对LED及其他光电器件产业打造，可用于观察微米级发光器件的光分布，测试波长范围190nm ～1100nm，包含了紫外和红外不可见光的测试，可用于测量光源的光强分布、直径、发散角等参数。通过CCD测量光强分布，通过算法计算出光源直径等参数，测量光强的相对强度，不需要使用标准灯进行校准。适合光电器件及照明相关领域的来料检验、研发设计和客诉处理等过程，以达到企业节省研发和品质支出的目的。金鉴实验室自主研发的主要设备有显微红外热分布测试系统、显微红外热点定位系统和激光开封系统。产品获得中科院、暨南大学、南昌大学、华南理工大学、华中科技大学、士兰明芯、清华同方、华灿光电、三安光电、三安集成、天电光电、瑞丰光电等高校科研院所和上市公司的广泛使用，广受老师和科研人员普遍赞誉。性能卓著，值得信赖。应用领域：适用于LED芯片、LED灯珠灯具、面板灯、汽车照明灯、LCD显示屏、激光器及其他光电器件的来料检验、研发设计和客诉处理等过程，助力LED芯片设计优化、光源的光线追迹及发光均匀性测量。与近场光学测试设备相比，金鉴显微光分布测试系统优点显著： 近场光学设备与金鉴显微光分布探头对光敏感度差异对比：金鉴显微光分布探头对光敏感度较高，能分辨细小的光强差异，因此成像也更细腻。金鉴显微光分布与传统设备大PK：金鉴显微光分布测试系统可模拟工作温度进行测试，分辨率可达1微米，其具有3D功能，可观测芯片出光效果。金鉴显微光分布测试系统特点：1. 探测器感应波长为190nm-1100nm，覆盖深紫外到近红外光。不同波长光源的光分布图 2. 与光学显微镜搭配，可观察微米级发光器件，图像具备2D和3D显示功能，表现效果更加强烈金鉴显微光分布测试系统的分辨率取决于与之搭配的光学显微镜的分辨率，即如果显微镜能1000倍放大，金鉴显微光分布测试系统也可以观测到1000倍率下的光分布细节。与可见光类似，像素越高画面越清晰越细腻像素越多同时获取的温度数据越多。金鉴GMATG 传感器像素640×595。 3. 独特的遮光设计，杜绝背景光影响，测量更加精准光分布探头接收的是视野内所有的光信号，包括被测样品发射的光以及环境反射光。光分布软件虽然具有背景光扣除功能，但是在测试过程中，环境的变化会导致环境反射光强度的变化，造成测试不准确。金鉴显微光分布测试系统，具备独特的遮光罩设计，隔绝了环境光的影响，大大增加了测试的准确性。如下图所示，在不使用遮光罩的情况下，受环境光变化的影响，芯片光分布图部分区域异常偏暗；在使用遮光罩后，彻底屏蔽了环境光的影响，光分布图异常偏暗区域消失。 4. 高精度控温系统，可实现光源在不同温度下光分布的测试光电器件性能受温度的影响较大，脱离实际环境所测试的结果准确性较差，甚至毫无意义。金鉴自主研发的显微光分布测试系统配备高低温数显精密控温平台，控温范围：室温~200℃，能有效稳定环境温度，实现光源在不同温度下光分布的测试，对定位光源最适宜的工作温度可提供最直观有效的数据。配备的水冷降温系统，在100s内可将平台温度由100℃降到室温，有效解决了样品台降温困难的问题。 如下图所示不同工作温度下的LED芯片发光均匀度对比，同一芯片，工作状态温度越高，亮度越低！温度越高，光衰趋势越大。支架引脚温度由80℃升高到120℃，LED芯片发光强度衰减30.6%。 LED芯片发光强度随温度上升而下降5. 定制化的光分析软件金鉴定制分析软件GM LED NF Analyzer，具有自动影像采集控制、实时影像、对位过程屏上显示、设置多重帧自动采集、灰阶与色彩数值显示、记录环境影像提供校正等多重功能，方便做各个维度的光强分布数据分析和图像效果处理，为科研及分析提供更专业的数据支持。（1）提供2D、3D光束分布显示和轮廓分析。 （2）通过CCD测量光强分布，通过算法计算出光源直径等参数。测量光强的相对强度，不需要使用标准灯进行校准。 （3）OSI彩虹及不同灰阶调色板，满足客户个性化的显示需求。 （4）扣除背景光干扰，增加测试精准度。 （5）可导出光分布图全部像素点的光强数据值，为专业仿真软件分析提供原始建模数据。 （6）自定义报告模式，测试报告一键展现；测试结果即时分享，高效协同。 测试案例:案例一：芯片电极设计对光分布的影响对某LED芯片电极图案进行评估，如下图所示，芯片的发光不均匀，区域1的亮度明显过高；相反地，区域2的LED量子阱却未被充分激活，降低了芯片的发光效率。对此，金鉴建议，可以适当增加区域1及其对称位置的电极间距离或减小电极厚度来降低区域1亮度，也可以减少区域2金手指间距离或增加正中间正极金手指的厚度来增加区域2亮度，以达到使芯片整体发光更加均匀的目的。 LED芯片发光效果图案例二：芯片金道设计对光分布的影响下图中芯片左边为两个负电极，右边为两个正电极，其中，区域1、2亮度较低，电流扩展性不够，需提高其电流密度，建议延长最近的正电极金手指以提升发光均匀度。区域3金手指位置的亮度稍微超出平均亮度，可减少金手指厚度来改善电流密度，或者改善金手指的MESA边缘聚积现象，另外，也可以增加区域3外的金手指厚度，使区域3外金手指附近的电流密度增加，提升区域3外各金手指的电流密度，以上建议可作为发光均匀度方面的改善，以达到使芯片整体发光更加均匀的目的。在达到或超过了芯片整体发光均匀度要求的前提下，可考虑减小金手指厚度来减少非金属电极的遮光面积，以提升亮度。甚至，可以为了更高的光效牺牲一定的金手指长度和宽度。 LED芯片发光效果图 案例三：光分布3D模块测试评估芯片光提取效率金鉴显微光分布3D测试模块可以观察芯片各区域的出光强度，填补芯片的光提取效率测试空白。下图垂直结构芯片采用了多刀隐切工艺，芯片侧面非常粗糙，粗糙界面可以反射芯片侧面出射的光，提高芯片的光提取效率。从该芯片的3D光分布图中可以直观的看到，该芯片边缘出光较多，说明多刀隐切工艺对芯片出光效率的提升显著。案例四：显微光分布测试帮助定位最高效率的电流电压金鉴显微光热分布系统，可帮助客户避免过度超电流，准确定位最高效率下的电流电压！如下案例中，芯片额定电流为60mA，超额定电流90mA下点亮时，芯片温度大大提高，亮度反而出现衰减。过度的超电流，LED芯片产热严重，光产出并不会增加，甚至出现光衰。 案例五：显微光分布测试系统应用于LED芯片失效分析失效的LED芯片必然在光热分布上漏出蛛丝马迹！某灯珠厂家把芯片封装成灯珠后，老化出现电压升高的现象。金鉴通过显微光分布测试系统发现芯片主要在正极附近区域发光。因此，定位芯片正极做氩离子截面抛光，发现正极底部SiO2层边缘倾角过大，ITO层在台阶位置出现断裂、虚接现象，ITO层电阻过大，电流扩散受阻，出现电压升高异常现象。案例六：倒装芯片光热分布分析 失效分析案例中，CSP灯珠出现胶裂异常，使用热分布测试系统对芯片进行测试，由于红外测温是通过物体表面的红外热辐射测量温度，对于倒装芯片表面的蓝宝石也不能穿透，故无法对芯片内部电极等结构进行进一步的分析。此时，使用金鉴显微光分布测试系统可以清晰地观察到芯片电极图案，从光分布图可以看出，芯片负电极位置发光较强，因此推断负电极位置电流密度较大，导致此处发热量也较大，从而局部热膨胀差异过大引起芯片上方封装胶开裂异常。 案例七：多芯片封装的光分布监测金鉴显微光分布系统，能高效精准分析灯珠内各芯片电流密度，是品质把控的好帮手！例如某灯珠采用两颗芯片并联的方式封装，该灯珠点亮时，金鉴显微光分布测试系统测得B芯片发光强度较A芯片的大，显微热分布测试系统测得B芯片表面温度高于A芯片。分析其原因，LED芯片较小的电压波动都会产生较大的电流变化，该灯珠两颗芯片采用并联方式工作，两颗芯片两端的电压一样，芯片电阻之间的差异会造成流过两颗芯片的电流存在较大差异，从而出现一个灯珠内两颗芯片亮度不一的现象，影响灯珠性能。 光学图 光分布图 热分布图 案例八：COB光源发光均匀度测试对于LED光源，特别是白光光源，由于电极设计、芯片结构以及荧光粉涂敷方式等影响，其表面的亮度和颜色并不是均匀分布的。如图所示，COB右半边灯珠亮度明显比左半边低，由标尺计算出，右半边亮度为左半边的三分之二，导致这一失效原因也许是COB的PCB板材左右边铜箔电阻不一致，导致灯珠左右两边的芯片所加载的电压不一致，造成两边芯片的发光强度出现差异。案例九：OLED光分布测试有机发光二极管(OLED)作为一种电流型发光器件，因其所具有的自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等特点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。使用金鉴显微红外热分布测试系统对OLED显示屏进行测试，可以直观的了解显示屏各区域光强分布情况，对于缺陷点也能及时发现，有助于检测和改善OLED发光品质。如下案例中，OLED电流输入端亮度较大，远离输入端亮度逐渐减小，在此情况下，损失的亮度转换为热能，因此温度的分布会变得不均匀，进而导致OLED显示面板中各处的薄膜晶体管(TFT)的阈值电压和迁移率的变化也分布不均，进一步导致整个显示面板的发光亮度不均匀。 案例十：激光器光束形貌及热场分布金鉴显微光热分布测试系统，配备专用光衰片及水冷散热系统，可测试大功率超亮激光灯的光热分布！

PMEye-3000光致发光光谱成像（PL-Mapping）测量系统是卓立汉光最新研制的，用于LED外延片、半导体晶片、太阳能电池材料等，在生产线上的质量控制和实验室中的产品研发检测。该系统对样品的PL谱进行Mapping二维扫描成像，扫描结果以3D方式进行显示，使检测结果更易于分析和比较。该系统的软件窗口界面友好，操作简单，只需简单培训就能使用。测试原理：PL（光致发光）是一种辐射复合效应。在一定波长光源的激发下，电子吸收激发光子的能量，向高能级跃迁而处于激发态。激发态是不稳定的状态，会以辐射复合的形式发射光子向低能级跃迁，这种被发射的光称为荧光。荧光光谱代表了半导体材料内部，一定的电子能级跃迁的机制，也反映了材料的性能及其缺陷。PL是一种用于提供半导体材料的电学、光学特性信息的光谱技术，可以研究带隙、发光波长、结晶度和晶体结构以及缺陷信息等等。应用领域举例：LED外延片，太阳能电池材料，半导体晶片，半导体薄膜材料等检测与研究。 主要特点：◆ PLMapping测量◆ 多种激光器可选◆ Mapping扫描速度：180点/秒◆ 空间分辨率：50um◆ 光谱分辨率：0.1nm@1200g/mm◆ Mapping结果以3D方式显示◆ 最大8吋的样品测量◆ 样品精确定位◆ 样品真空吸附◆ 可做低温测量◆ 膜厚测量一体化设计，操作符合人体工学PMEye3000 PL Mapping测量系统采用立式一体化设计，关键尺寸根据人体工学理论设计，不管是样品的操作高度和电脑使用高度，都特别适合于人员操作。主机与操作平台高度集成，方便于在实验室和检测车间里摆放。仪器侧面设计有可收放平台，可摆放液晶显示器和鼠标键盘。仪器底部装有滚轮，方便于仪器在不同场地之间的搬动。模块化设计PMEye-3000 PL Mapping测量系统全面采用模块化设计思想，可根据用户的样品特点来选择规格配置，让用户有更多的选择余地。激发光源、样品台、光谱仪、探测器、数据采集设备都实现了模块化设计。操作简便、全电脑控制PMEye-3000 PL Mapping测量系统，采用整机设计，用户只需要根据需要放置检测样品，无需进行复杂的光路调整，操作简便；所有控制操作均通过计算机来控制实现。全新的样品台设计，采用真空吸附方式对样品进行固定，避免了用传统方式固定样品而造成的损坏；可对常规尺寸的LED外延片样品进行精确定位，提高测量重复精度。两种测量方式,用途更广泛系统采用直流和交流两种测量模式，直流模式用于常规检测，交流模式用于微弱荧光检测。监控激发光源,校正测量结果一般的PL测量系统只是测量荧光的波长和强度，而没有对激发光源进行监控，而激发光源的不稳定性将会对PL测量结果造成影响。PMEye-3000 PL Mapping测量系统增加对激光强度的监控，并根据监控结果来对PL测量进行校正。这样就可以消除激发光源的不稳定带来的测量误差。激光器选配灵活PMEye-3000 PL Mapping测量系统有多种高稳定性的激光器可选，系统最多可内置2个激光器和一个外接激光器，标配为1个405nm波长高稳定激光器。用户可以根据测量对象选配不同的激光器，使PL检测更加精准。可选配的激光器波长有： 405nm，442nm，532nm、785nm、808nm等，外置选配激光器波长为：325nm。自动Mapping功能PMEye-3000 PL Mapping测量系统配置200× 200mm的二维电控位移台，最大可测量8英寸的样品。用户可以根据不同的样品规格来设置扫描区域、扫描步长、扫描速度等，扫描速度可高达每秒180个点，空间分辨率可达50um。扫描结果以3D方式显示，以不同的颜色来表示不同的荧光强度。 软件功能丰富,操作简便我们具有多年的测量系统操作软件开发经验，,熟悉试验测量需求和用户的操作习惯，从而使开发的这套PMEye-3000操作软件功能强大且操作简便。MEye-3000操作软件提供单点PL光谱测量及显示，单波长的X-Y Mapping测量，给定光谱范围的X-Y Mapping测量及根据测量数据进行峰值波长、峰值强度、半高宽、给定波长范围的荧光强度计算并以Mapping显示，Mapping结果以3D方式显示。同时具有多种数据处理方式来对所测量的数据进行处理。低温样品室附件该附件可实现样品在低温状态下的荧光检测。有些样品在不同的温度条件下，将呈现不同的荧光效果，这时就需要对样品进行低温制冷。如图所示，从图中我们可以发现在室温时，GaN薄膜的发光波长几乎涵盖整个可见光范围，且强度的最高峰出现在580nm附近，但整体而言其强度并不强；随着温度的降低，发光强度开始慢慢的增加，直到110K时，我们可以发现在350nm附近似乎有一个小峰开始出现，且当温度越降越低，这个小峰强度的增加也越显著，一直到最低温25K时，基本上就只有一个荧光峰。GaN薄膜的禁带宽度在室温时为3.40Ev,换算成波长为365nm，而我们利用PL系统所测的GaN薄膜在25K时在356.6nm附近有一个峰值，因此如果我们将GaN薄膜的禁带宽度随温度变化情况也考虑进去，则可以发现在理论上25K时GaN的禁带宽度为3.48eV，即特征波长为357.1nm，非常靠近实验所得的356.6nm，因此我们可以推断这个发光现象应该就是GaN薄膜的自发辐射。

MS | 显微光谱显微光谱系统 选用全球最好的 Semrock 滤光片组，创造性地将激发光、荧光和滤光片集成在一个探头之中。同时，配合闻奕光电的微区探头耦合模块，能将荧光光谱测量的空间分辨率提高至 5μm。显微光谱系统，顾名思义即显微镜系统与光谱仪系统联用，既有显微镜成像的功能，又有光谱分析的功能。该系统可以实现微米级样品的荧光光谱、反射光谱、透射光谱、拉曼光谱等光谱分析，普遍应用于材料领域、生物技术、矿物分析、微纳光学等领域。系统图 显微系统图结构组成 显微光谱系统可分为三个模块：照明模块、光谱接收模块以及成像模块。1. 照明模块 显微光谱系统的照明模块一般分为科勒照明和共焦照明两种。a)科勒照明的光源一般为显微镜自带的卤素灯，通过透镜组将卤素灯丝成像于物镜的后焦平面上，如此，物体可获得较为明亮且均匀的全场照明；其原理图可见Figure 1. 图1b)共焦照明是将照明光源（例如激光、氙灯等）通过光纤引入显微光谱系统，光纤输出端面经过光学系统成像于物体面上，即入射端面与物体面共轭，实现定点照明或激发。2.光谱接收模块 该模块由光纤以及微型光谱仪组成，其中光纤接收光路为共焦接收，即接收面和物体面为共轭面，实现定点光谱接收。接收光纤一端接入显微镜光路，另一端连接至微型光谱仪，从而获取物体微观区域内的光谱信息。3.成像模块 该模块为CCD相机，在显微镜的基础上，将CCD/CMOS相机放置在物体面的共轭面上，在测量光谱的同时，可以实现物体图像实时采集，即共轭成像。 图2系统特点1)操作简便：显微光谱系统是基于显微镜的光路进行了改进和优化，增加光谱测量模块。测量步骤可分为两步，一为显微镜下查找物体，使物体在目镜下呈清晰像，二为通过微型光谱仪采谱软件对光谱进行采集。2)物体小，区域可选：利用共焦原理，接收光纤仅能接收到光纤端面成像在物体面的区域，实现微小区域的光谱采集。采集区域的空间分辨率一般可以通过接收光纤芯径除以物镜放大倍数获得。通过特别定制的光纤，可在采集区域的周围形成一个圆环，实现对微小物体的区域选择及定位。3)测量能力强：具备传统显微镜所不具备的光谱测量功能，传统显微镜只能提供图像的获取，从而对物体进行形貌分析，无法获得物体的光谱信息。显微光谱测量系统，在保有物体图像采集的功能外，还可对物体进行不同区域光谱的采集与分析，更进一步的了解物体的结构与特性。4)扩展功能多：可基于商用显微镜，通过光路切换器的设计与耦合，增加包含显微镜下的透反射、荧光以及拉曼光谱测量，最大限度满足各类的科研需求。典型显微光谱测量1)显微反射光谱测量：通常使用显微镜自带的卤素灯作为照明光源，通过显微镜中的上反射光路照射在物体上（科勒照明），经由物体反射后进入接收光纤，利用微型光谱仪对接收到的反射光进行采谱及分析。2)显微透射光谱测量：通常使用显微镜自带的卤素灯作为光源，通过显微镜下面的透射光路照射到物体，光线透过物体后到达接收光纤，利用微型光谱仪对接收到的透射光进行采谱及分析。3)显微荧光光谱测量：将外界激光光源通过光纤或荧光探头，经由光路切换器耦合进入显微镜系统，并聚焦于物体面，实现对物体的荧光激发。然后，通过对被激发点所返回的光进行过滤（滤去激发激光），使得进入接收光纤的光只保留所需的荧光信息，利用微型光谱仪对接收到的荧光进行采谱及分析。4)显微拉曼光谱测量：将外界激光光源（波长为532nm 或 785nm）通过拉曼探头，经由光路切换器耦合进入显微镜系统，并聚焦于物体面，实现对物体的拉曼激发。然后，通过对被激发点所返回的光进行过滤（滤去激发激光），使得进入接收光纤的光只保留所需的拉曼以及荧光信息，利用微型光谱仪对接收到的拉曼光及荧光进行采谱及分析。

TGPLS MatriX-1Ultrafast Spectroscopy超快光谱仪 Overview概述TGPLS MatriX-1 [Time-Resolved Photoluminescence spectroscopy] is the first commercially available broadband fluorescence spectrometer designed for femtosecond amplifier laser systems. Time-resolved fluorescence (or photoluminescenc e) spectroscopy is widely used to reveal electronic excited state dynamics in emissive materials ranging from semiconductors, to nanomaterials, dyes, and proteins. Other time resolved fluorescence spectrometers fall in two categories broadband spectral resolution with time resolution limited to tens of picoseconds or longer or ultrafast time resolution limited to single wavelength scans. Neither of these approaches adequately captures ultrafast spectral evolution associated with a host of critical photophysical processes. TGPLS MatriX-1 breaks this tradeoff with the unique ability to capture broadband fluorescence spectra on femtosecond timescales, with high signal quality, low background noise, and rapid data acquisition. The TGPLS MatriX-1 instrument is based on patented transient grating gate technology developed by ultrafast spectroscopy researchers at Victoria University of Wellington, New Zealand. Combining the intrinsic advantages of transient grating gate, and hardware and software user interfaces developed by spectroscopists, TGPLS MatriX-1 is the benchmark next generation time resolved fluorimeter.TGPLS MatriX-1 [时间分辨光致发光光谱仪]，是第一台商用的设计用于飞秒放大激光系统的宽带荧光光谱仪。时间分辨荧光(或光致发光)光谱广泛用于揭示发射材料中的电子激发态动力学，从半导体到纳米材料、染料和蛋白质。其他时间分辨荧光光谱仪可分为两类：宽带光谱分辨率，时间分辨率限制在几十皮秒或更长；超快时间分辨率，仅限于单波长扫描。这两种方法都不能充分捕捉到与许多关键光物理过程相关的超快光谱演化。TGPLS MatriX-1 打破了这一局限，它具有捕捉飞秒级宽带荧光光谱的独特能力，具有高信号质量、低背景噪声和高速数据采集。TGPLS MatriX-1 是基于由新西兰惠灵顿维多利亚大学（Victoria University of Wellington, New Zealand）的超快光谱研究人员开发的瞬态光栅专利技术。结合瞬态光栅的固有优势，以及光谱仪开发的软硬件用户界面，TGPLS MatriX-1 是下一代时间分辨荧光计的基准。 Product Specification主要规格：- Wavelength range: 350 - 750 nm and 850-1300 or 350 - 950 nm and 1050 - 1400 nm 1 波长范围：350-750mm和850-1300nm，或350-950nm和1050-1400nm 1- Wavelength resolution: depends on polychrometer 波长分辨率：取决于多色仪- Delay range: user defined, 600 ps, 1 ns 延迟范围：用户自定义，600ps，1ns- Time resolution: 200 fs based on 100 fs laser source 2 时间分辨率：200fs（基于100fs激光源）2- laser source: femtosecond amplifier, Ti-sapphire or Fiber or Yb:KGW 激光源：飞秒放大器、Ti-Sapphire、光纤或YB:KGW激光器- Polychrometer: image spectrometer+CCD or monochrometer+PMT 多色仪：图像光谱仪+CCD或单色仪+PMT- Dimensions: 600 × 900 × 250mm 尺寸：600×900×250mm 1. For Ti-sapphire laser system: 350 – 750 nm and 850-1300. Fiber and Yb:KGW laser system: or 350 – 950 nm and 1050 – 1400 nm. The wavelength range also depends on the detectors对于钛蓝宝石(Ti-sapphire)激光系统：350-750nm和850-1300nm；光纤或Yb:KGW激光系统：350-950nm和1050-1400nm。波长范围也取决于探测器2. Time resolution depends on the pulse width of the laser source and response time of the gate medium时间分辨率取决于激光源的脉冲宽度和门介质的反应时间Highlights优势The TGPLS MatriX-1 is the only spectrometer in the market that allows users to capture broadband fluorescence spectra on femtosecond timescales. The TGPLS MatriX-1 enables users to rapidly acquire high quality spectral data, reduce time spent on cleaning noisy data and integrate into existing spectroscopic workflows. Specifically:TGPLS Matrix-1是市场上唯一能够在飞秒时间尺度上捕获宽带荧光光谱的光谱仪，它使用户能够快速获取高质量的光谱数据，减少清理噪声数据所花费的时间，并容易集成到现有的光谱工作系统中。特别是：1. Rapid spectral data acquisition 快速光谱数据采集? Full fluorescence spectral dynamics on sub picosecond timescales (not just kinetics of a single wavelength)亚皮秒级的全荧光光谱动力学(不仅仅是单个波长的动力学)? Tunable ultrafast gate time window (200 fs to 1 ps)*可调超快快门时间窗口(200 fs 到 1 ps)*? Single high spectral resolution transient spectrum in 2 seconds (with high repetition rate laser source)2秒内的单一的高光谱分辨率瞬态光谱(高重复率激光源)? Near UV to near IR fluorescence range, compatible with high efficiency photon detectors and high-quality optics in this spectral region近紫外到近红外的荧光范围，在这个光谱区域与高效率的光子探测器和高质量的光学兼容2. High-quality scientific data 高质量的科学数据? Minimal dispersion and aberration with aspherical reflective optics非球面反射镜片，具有最小的色散和像差? Intuitive and repeatable alignment procedure to minimize impact on data noise直观和可重复的校准程序，以尽量减少对数据噪声的影响? High quality signals with low excitation intensity (nJ/pulse)高质量信号，低激励强度(nJ/pulse)3. Ease of integration 易于集成? Easy and fast spectral calibration简单快速的光谱校准? Easy-to-use data acquisition software for automated measurement简单易用的可自动测量的数据采集软件? Ready to be implemented with various ultrafast laser sources: Ti-sapphire, Fiber, Yb:KGW可用于各种超快激光源：钛蓝宝石、光纤、Yb:KGW? Broadband ultrafast spectral evolution selectively probes electronic excited state dynamics and complementary information to other ultrafast spectroscopy techniques宽带超快光谱演化选择性地探测电子激发态动力学和与其他超快光谱技术的互补信息* Time resolution depends on the pulse width of the laser source and response time of the gate medium时间分辨率取决于激光源的脉冲宽度和栅极介质的响应时间 Fig.1.The scheme of TGPLS MatriX-1图1. TGPLS MatriX-1原理示意图 Applications应用Ultrafast photo-excitation dynamics in optoelectronic materials光电材料中的超快光激发动力学Ultrafast PL spectral evolution reveals charge and exciton dynamics in advanced optoelectronic materials.超快PL光谱演化揭示了先进光电材料中的电荷和激子动力学Fig. 2. The spectral contours of CH3NH3PbI3 thin film (a) 1 uJ/cm2, (b) 3 uJ/cm2, (c) 6 uJ/cm2, and (d)15 uJ/cm2.The ultrafast carrier cooling processes can be directly investigated by the dynamics of carrier temperature extracted from TRPL spectrum.图2. CH3NH3PbI3薄膜的光谱轮廓 (a) 1 μJ/cm2，(b) 3 μJ /cm2，(c) 6 μJ /cm2，(d)15 μJ /cm2。利用TRPL谱中载流子温度的动态变化可以直接研究超高速载流子冷却过程 Ultrafast energy transfer(d) 超快能量转移Intramolecular resonance energy transfer in multichromophore arrays is studied by TGPLS.利用TGPLS研究多色团阵列的分子内共振能量转移Fig. 3. (a) TRPL spectra of dimer (b) kinetics of the donor and acceptor图3. (a) 二聚体的TRPL谱，(b) 供体和受体的动力学

光致发光影像系统--HeliosHelios是全自动实时材料分级和过程控制的在线监控设备，鉴别太阳能电池材料中可能降低效率的隐性伤痕，提高生产效率的同时降低成本。每条生产线每年提升效益170万美元！应用：1.进料监控 通过少子寿命自动对晶圆定级2.过程控制 监控和优化关键工序，如扩散和镀膜等3.损伤鉴别 检测电池片成品的破损和微小裂痕 特点：1. 线上监控或线下分析都适用2. 采用InGaAs探头提升测量灵敏度，减少检测时间3. 采用高灵敏光学成像技术，每片晶圆测试时间1s4. 鉴别并预防低质量材料进入高损耗工序，降低成本5. 采用简单明了的图形界面和是非判定6. 相比于其他同类PL系统更具性价比

产品关键词：量子效率、绝对量子效率、光致发光量子效率、发光量子效率（PLQY）、内量子效率（IQE）、量子效率稳定性测试、激发波长依赖量子效率、蓝光吸收比、衰减比率、光谱功率分布 λ、辐射通量▌ 产品简介HiYield-PL光致发光特性测量系统是东谱科技HiOE综合发光特性测量平台中的重要成员，与东谱科技的绝对法电致发光特性测量系统 HiYield-EL（请垂询销售专员）共同为行业提供了完善的发光样品测量方案。HiYield-PL 系统由一系列相应的测量组件组成，包括激发光源、单色仪、光谱测量模块等。利用该系统组件的分布特性，可以灵活搭建适用于不同类型样品的测量系统，也可以适应丰富的测量场景，如手套箱测量等。HiYield-PL测量系统具备以下主要功能:1）采用PL法，结合积分球，准确测量发光样品的效率参数、辐射度参数、色度参数等；2）高灵敏度、高动态范围、高信噪比的测量；3）多种测量模式可供选择：单激发波长量子效率、激发波长依赖量子效率、量子效率稳定性测试；4）全自动一键测试。▌ 产品特点□ 灵活的模块化设计，可以适合各种测量场景； □ 专业的研究级算法加持，精准得到PLQY数据；□ 整机紧凑，可置于手套箱进行氮气氛围测试； □ 可选配自动进样系统，减少人为操作失误，提高测量重复性； □ 软件全自动流程化操作，一键测量所有参数。▌ 功能模块光致发光量子效率测量系统系统型号HiYield-PL规格配置参数激发光模块（氙灯）光源：150W 氙灯激发波长范围：250-700nm光学带宽：2nm-5 nm稳定性：3%激发波长电动控制狭缝电动控制快门电动控制激发光模块（LED）激发波长：365 nm、405 nm、450 nm、520 nm、635 nm等功率调节范围：0-100%激发功率：3.5 mW@365 nm, 5 mW@405 nm, 2.5 mW@450 nm稳定性：≤0.5%光谱测试模块波长范围：350-1100 nm；900-1700nm可选信噪比：1000：1积分时间：3.8 ms–10 s动态范围：3.4 x 106(system) 1300:1 for a single acquisition杂散光：0.05% @ 600 nm 0.10% @ 435 nm光学分辨率：~2.5 nm(FWHM)测试功能及参数测量模式单激发波长量子效率激发波长依赖量子效率量子效率稳定性测试功能参数类别效率参数：发光量子效率（PLQY）、内量子效率（IQE）、激发波长依赖量子效率、蓝光吸收比、衰减比率。辐射度学：光谱功率分布（λ）、辐射通量（Radiance）、光子数（Photons）、光通量（Lumen）、光视效能（K-value）、峰值波长（PeakWavelength）、中心波长（Central Wavelength）等。色度学：CIE色度坐标、相关色温（CCT）、MK-1（mred）、显色指数（CRI）、RGB颜色值等。衰减参数：PLQY-t、λ-t、Radiance-t、Lumen-t、K-t、CIE-t、CCT-t、CRI-t等。其它参数积分球尺寸1.5，3.3，5，6inch等积分球内涂层BaSO4、PTFE、Spectraflect、Spectralon等光纤芯径200μm, 600μm, 1000 μm夹具根据客户样品尺寸定制：比色皿夹具、薄片夹具、粉末载体等专用夹具。▌ 产品应用□ 有机金属复合物、荧光探针、染料敏化型PV材料、OLED材料、LED荧光粉、薄膜、粉末、液体等类型的光致发光样品。

微光显微镜PHEMOS系列PHEMOS-1000是一款标准型高分辨率微光显微镜，其包含了一个红外共焦激光显微镜。PHEMOS-1000可根据设备环境和设备装置来灵活改变包括插座板到300mm双面晶片探针等等的部件。它还可以适配高灵敏度近红外相机和高分辨率纳米透镜等选配件。该显微镜有多种选配，包括红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析、与大规模集成电路测试机连接和CAD导航功能等，这些选配有助于该显微镜处理多种测量需要。黑盒照明灯含水银，请根据当地法规处理。特性可选配适用于高分辨率、高灵敏度观测的纳米透镜红外共焦激光显微镜红外-光致阻值改变（IR-OBIRCH）分析功能（选配）低电压样品用高灵敏度近红外相机（选配）数字lock-in组件加强红外-光致阻值改变的检测能力（选配）可安装300mm双面半自动探针显示功能PHEMOS-1000将发光图像叠加到高分辨率模板图像上来快速定位缺陷点。对比度增强功能可使图像更清晰，细节更多。显示功能注释图像的任何位置都可以显示评论、箭头等注释符号。比例显示可使用分段，在图像上显示比例宽度。栅格显示图像上可现实水平和垂直栅格。缩略图显示图像可以以缩略图的形式存储和调用，stage坐标等图像信息也可显示。分屏显示模板图像、发光图像、叠加图像以及参考图像可一次显示在4个窗口的屏幕上。参数产品名称PHEMOS-1000探测目标器件发光（发光探测功能）电流改变（IR-OBIRCH功能）可用器件300 mm 晶片200 mm晶片方块形芯片切割后晶片、封装后器件（取决于探针和样品固定装置）适配探针200/300 mm晶片用双面半自动探针*1200/300 mm晶片用双面手动探针*1200/300 mm晶片用半自动探针（正面观测）*1200/300 mm晶片用手动探针（正面观测）*1尺寸/重量主单元： 1360 mm (W)×1410 mm (D)×2120 mm (H), Approx. 900 kg*2控制台：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kgPC桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg线电压AC220 V (50 Hz/60 Hz)功耗3000W真空度约80 kPa压缩空气约0.5 MPa~0.7 MPa*1：根据需求选购。 *2：PHEMOS主单元重量包含一个探针或等效重量。

傅里叶变换光致发光光谱仪FTPL-10产品简介光致发光（Photoluminescence, PL）光谱作为一种有效的无损光谱检测手段广泛应用于半导体的带隙检测、杂质缺陷分析、复合机制与品质签定等。但在光致发光的红外区这一弱信号检测领域，市场上现有的测量系统对使用者的光谱实验技能要求高，使用者需要耗时费力调整光路，才能找到微弱的PL光谱信号，光谱测量效果往往也难以得到保证。 傅里叶变换（Fourier transform, FT）光谱具有完善的理论和仪器基础。与传统色散型光谱仪相比，傅里叶变换光谱仪具有多通道、全通量、低等效噪声、快速扫描等优势，信噪比和探测灵敏度提升了一个数量级，非常适合红外波段的光谱测量。 应用领域* 前沿光电材料科学研究* 半导体晶圆品质检测* 稀土发光材料性能检测* 红外光电器件品质检测产品特点* 红外波段弱信号探测能力强FTPL-10信号采集使用傅里叶变换干涉分光技术，规避了传统光谱仪中严重限制光通量的狭缝，显著提高通光量；无需按波段分光检测，显著提升红外波段微弱光谱信号的探测能力，光谱分辨率和信噪比提升一个数量级。* 光谱扫描速度快在常用的分辨率条件下，FTPL-10能够在不到1秒的时间内扫描一张质量很好的光谱图。在此基础上，采用多次重复快速扫描的方式，可以降低随机误差，进一步提高光谱信噪比。* 较低的使用门槛FTPL-10采用预先优化准直的光路设计，将激发光引导至预设的位置，该位置同时是优异的光信号收集位置。使用者不需要进行复杂的光路调节工作，只需要将样品固定，通过三维位移台将样品调节到预设位置，即可满足测量要求。使用门槛较低，只需简单培训即可上机操作。产品参数FTPL-10实测样品数据效果展示样品A In0.5Ga0.5As/GaAs/In0.5Al0.5As量子点，采用分子束外延技术制备。[The InGaAs/GaAs/InAlAs quantum-dots sample was grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique.]测试条件：样品温度状态：77K泵浦激光：532nm激发功率：50mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12500cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均，重复测量5次，每次间隔2分钟 测试结果：单谱测量时间约为14秒，5次测量结果在整个谱峰范围（9000-9800cm-1）内的相对偏差1%，谱峰偏离±0.4 cm-1 ，谱峰附近（9300~9400cm-1）的信噪比均达到1600以上。测试条件：样品温度状态：杜瓦中液氮耗尽，温度由77K自然升温至室温293K左右 泵浦激光：532nm激发功率：50mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12000cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均，间隔5分钟自动采样，全过程约2小时20分 测试结果：尽管因试验条件所限，无法获取整个过程中的样品温度数据，但可以从光谱图中观察到随着时间变化（温度逐步升高），样品的PL谱峰位置由9338cm-1逐步红移至8803cm-1，PL谱峰高度由1.33逐步下降至0.011。这样规律性变化也从侧面反映了系统的长时稳定性。 样品BIn0.53Ga0.47As(2.5nm)/GaAs(18nm)量子点，采用分子束外延技术制备。[The InGaAs/GaAs quantum-dots sample was grown by molecular beam epitaxy (MBE) technique.]测试条件：样品温度状态：室温泵浦激光：532nm激发功率：10-210mW 逐步递增，间隔20mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12500cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均 测试结果：随泵浦激光的功率逐步上升，PL谱峰高度随激光功率近似线性增强，样品的PL谱峰位置发生轻微的红移。考虑到本次测试未对样品进行任何恒温控制，泵浦激光功率较强可能造成样品温度轻微升高，造成谱峰位置红移。样品CGaSb单晶材料，由液态封装的切克劳斯基（LEC）方法，以高纯度（99.9999％）的Ga和Sb金属为原料生长。[The GaSb single-crystal sample was grown by liquid encapsulated Czochralski (LEC) method using high-purity (99.9999%) Ga and Sb metals as the raw materials.]文献报道GaSb材料的禁带宽度与温度关系:测试条件：样品温度状态：杜瓦中液氮耗尽，温度由77K自然升温至室温293K左右泵浦激光：532nm激发功率：75mW 仪器参数设置：光谱分辨率：8cm-1光谱范围：4000-12500cm-1扫描设置：单谱重复采样16次取平均，间隔2分钟自动采谱 测试结果：随着样品温度逐步升高，PL谱峰的位置发生明显红移，主峰高度明显下降。同时，在6400cm-1附近的次峰相对凸显，这是带尾态引起的光致发光，能带宽度不随温度变化。选型表

FAI 微光发射显微镜（EMMI）FAI Photo Emmission MicroscopeFAI 微光发射显微镜用于检测半导体内部缺陷引起的微光发射或微热发射来准确定位半导体器件的失效位置。通过使用不同类型的探测器，或者配置双激光扫描系统（SIFT），以及配合相应的检测软件来实现对半导体元器件或芯片电路的微光、微热、光激励诱导失效测试等各种分析手段。FAI的Crystal Vision微光发射显微镜系统对所配置探测器的数量没有限制，可选择配置从一个到我们提供的所有型号的探测器和SIFT激光扫描头。主要功能CCD探测器：波长探测范围 365nm 至 1190nm；带电子半导体制冷器（TEC）的CCD探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂；CCD解析度为1280x1024；像素暗电流0.002 电子/秒；读噪声7 个电子；连续收集信号时间从32毫秒至2小时。InGaAs探测器：波长探测范围 900nm – 1750nm；带电子半导体制冷器（TEC）的InGaAs探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂； InGaAs探测器分辨率为320x240，像素点尺寸为30 x 30um，更大的像素点面积可以收集更少的光子，探测灵敏度是普通640x480 InGaAs探测器的4倍；连续收集信号时间从1微秒到60分钟；有效波段范围内量子效率（QE）为 80-85%；灵敏度 NEI 1x1010 ph/cm2/sec；量子效率70 QE 在950-1700nm范围内。 VisGaAs 探测器：波长探测范围 500nm – 1800nm，代表了新技术的VisGaAs 探测器覆盖了可见光-红外光波长检测范围，一个探头就可替代传统的CCD和InGaAs 两个探测器；半导体制冷器（TEC） ，可冷却稳定在 -40℃以下。SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)双波长激光扫描头：双激光源654nm和1428nm；通过激光扫描芯片电路，导致失效位置电阻发生变化，通过检测反馈信号的变化，从而检测到失效位置；SIFT扫描不受物镜视野限制，可以一次扫描完整整个检测区域，无需图像拼接，避免图像扭曲；FAI的恒定电流附加反馈回路的技术，不但提高了检测灵敏度，而且避免了检测时电压过高的风险；恒定焦距的定镜扫描，可以将激光点停留在任意指定位置，用于确认失效点。FMI荧光热成像技术：FAI的微热分析技术，热分辨率是千分之一K(1/1000K)，可以室温操作，无需使用危险的液晶溶液。LC液晶热成像技术：FAI的SLC（稳定液晶）液晶热成像技术的热分辨率为百分之一K (1/100 K)。Moire云纹成像：从硅片背面采用“云纹图像成像”的方式来检测失效位置的微热变化。

微光显微镜PHEMOS系列特性软件环境和用户界面与高端模型一致操作简单可安装300 mm手动探针显示功能PHEMOS-200将发光图像叠加到高分辨率模板图像上来快速定位缺陷点。对比度增强功能可使图像更清晰，细节更多。显示功能注释图像的任何位置都可以显示评论、箭头等注释符号。比例显示可使用分段，在图像上显示比例宽度。栅格显示图像上可现实水平和垂直栅格。缩略图显示图像可以以缩略图的形式存储和调用，stage坐标等图像信息也可显示。分屏显示模板图像、发光图像、叠加图像以及参考图像可一次显示在4个窗口的屏幕上。参数产品名称PHEMOS-200探测目标器件发光（发光探测功能）可用器件300 mm晶片200 mm晶片 方块形芯片切割后晶片、封装后器件（取决于探针和样品固定装置）适配探针200/300 mm晶片用人工探针200 mm晶片用双面人工探针尺寸/重量主单元： 1360 mm (W)×1410 mm (D)×2120 mm (H), Approx. 900 kg*1控制台：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kgPC桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg线电压AC220 V (50 Hz/60 Hz)功耗3000W真空度约80 kPa压缩空气约0.5 MPa~0.7 MPa*1：PHEMOS主单元重量包含一个探针或等效重量。

阴极发光辅助微区光谱仪 阴极发光辅助微区光谱仪是在显微镜的基础之上增了光谱分析的功能；即以阴极发光作为激发源，采集无机矿物、材料的光谱信息。能够实现微纳米级样品的反射光谱、荧光光谱、拉曼光谱等光谱分析。 阴极发光技术是在普通显微镜技术基础上发展起来用于研究固体材料组分特征的一种快速简便的分析手段。该方法最初用于矿物组成和结构分析，比如快速准确判别石英碎屑的成因和方解石胶结物的生长组构、鉴定自生长石和自生石英以及描述胶结过程；深入了解砂岩的原始孔隙度和渗透率，并且获得一系列有关蚀源区地质体的组成，产状、成因的信息等，主要做定性或半定量分析研究使用。 阴极射线激发发射光谱是在电子束激发样品观察到的荧光光谱，根据电子束的能量大小，涉及深度在10um左右，高于常规紫外光和X射线，发射光谱最大可延伸到200-850nm范围。 阴极发光（CL）是从某种受到高能电子轰击的材料发出的，特定波长的光量子。电子束通常在一个微探针（EPMA）中，或是探测电子显微镜中（SEM-CL），或是依赖岩相显微镜（Optical-CL）的阴极发光微探针中产生。一种材料中的CL特性是该材料的组成成分、晶格（格子）结构、重叠拉力和材料结构损坏的复值函数。不同的矿物展现不同的荧光或是磷光运动行为，这些可以影响CL图像的质量，这要看图像是通过何种方式获得的。用入射辐射或是颗粒照射某些材料表面，会导致其发出电磁辐射，这一电磁辐射 比热黑体辐射产生的要多。这一放射可以在可见光下（400-700 nm）、紫外光下（紫外光400 nm）或是红外光下（红外光700 nm）。这一通常现象被称为发光。发光的类型通常是根据入射辐射或是粒子的不同，以及根据辐射过程的动力学来区别的。在以后的例子中，如果当入社辐射停止后10-8 秒内，有发光射线产生，这一发光特性被定义为发荧光。如果在入伍后辐射停止后10-8 秒内，发光射线继续发射，这一发光特性被定义为磷光现象。固态能带理论为解释发光现象一种方法。一种绝缘的材料（像石英或是方解石）可被描述为具有一个价带和一个带有中介带隙（禁带宽度）的导带。 【顶端】在价带和导带之间有宽带隙的绝缘体，有假想的代带隙的电子带（水平线）。【中部】从价带到导带激发的电子，留下所谓的“洞”【底部】当电子直接落回到价带基态时可能经过的路线包括：（左）电子直接落回到价带，通常引起紫外线（中部）电子遭遇单个收集器，发射与能量释放成比例的CL，该能量是当电子落到价带上被收集器临时捕获的，（右）电子遭遇多个收集器，发射与能量释放成比例的CL，该能量是当电子落到下一个收集器或是价带被收集器临时捕获的。 如果一个晶体被电子以足够的能量轰击，低能量价带的电子会被提升到更高的导带上。当高能电子试图回到价带基态时，它们可能会暂时（在微妙级别上）被内在的（结构缺陷）和/或外部的（杂质）陷收集器捕获。如果当电子逃离捕获时损耗的能量被激发，并在一个合适的能量/波长范围内，就会导致发光。大部分照片落在电磁波谱（波长400-700 nm）的可见部分，同时一些落在电磁波谱的紫外（UV）和红外（IR）部分。 收集器之间相互影响以发光的可能方式有很多种（图1.）。一旦电子被激发到导带，它们可能遭遇一个收集器并落入价带，或者它们随机地通过晶体结构，直到遇到一个收集器。从那个收集器，电子可能返回到价带基态，或是可能遭遇多个收集器而发出照片，照片的波长取决于能量的不同。CL的强度通常是收集器密度的函数。 在一个 10 μm的扁平样本中，由于在显著更大的深度/体积中被激发，CL图像的分辨率将会固定地减小（可参见电子束相互作用）。RELIOTRON阴极发光仪技术参数 阴极发光仪利用非破坏性的阴极发光技术，多数用于碳酸盐岩中的沉积岩以及碎硝岩等固体样品结构和组成的定性分析手段。同时不会对样品造成任何破坏。它具有换样快速方便，设计简单紧凑的特点。适用光学显微镜及数码成细系统联机使用，更适合现在的科研和教学实验要求。此外，该阴极发光仪的样品室对样品的制备范围广，并对于适合低温产生阴极光的岩石样品控温能力强。真 空 度：最高极限为0.25帕,最大限度保护样品。电 子 枪：电子枪是一种水平式冷阴极电子束射线型，高达30 KV，通常使用在5KV至25 KV之间调节。阴 极 电压：0-30KV，过压保护。最 佳 电流：0.15-1mA，连续可测，过流保护 最大束流到5mA。聚 焦：能够散聚焦到点聚焦的调节功能，电子束光斑可根据样品适用要求调节。 数 字 显示：电压、电流、真空度、自动/手动操作模式及仪器状态、高压开启、电子枪输出极限等等。显微镜要求：适合多种不同型号的显微镜，在物镜和载物台之间，必须为真空室的高度保留足够空间。通常使用长工作距离的物镜及聚光镜即可实现空间的需求。Figure 1: 复杂的石英环带, 6.5kV 0.5mA；Figure 2: 两相近的无色宝石, 红色是蓝宝石 接近淡黄色的中含有锰离子,12kV 0.9mA；Figure 3: 部分融化的斜长石, 透长石中的部分融化的斜长石，6.5 kV 0.5mA。阴极发光辅助微区光谱仪类似于显微光谱系统或显微分光光度计技术，在显微镜的基础之上增了光谱分析的功能；能够实现微米级样品的反射光谱、荧光光谱、拉曼光谱等光谱分析。超越影像，洞悉光谱——显微光谱是显微镜系统与光谱仪检测系统的结合，能够在显微图像分辨的基础之上精确采集空间分辨的光谱信息。 我们的方案——在各类显微镜和光纤光谱仪的基础之上，采用共轭成像、快速定位和光路分束的显微光谱解决方案。①共轭成像——基于商用显微镜，在更大的视野之下，可以选择一个精确的区域进行精细的光谱测量。②快速定位——配备专利技术的微区光纤和指示照明光源，可以准确地在视野中定位光谱测量区域。③光路切换——配备CMS光路切换器，可以支持两档光路切换，能够实现光谱测量与图像分析的同步，或不同测量波段的切换。④显微光谱系统——基于各类显微镜，搭配复享专有显微光谱配件CMS，实现显微光谱设备的特有功能。⑤多款光谱仪——多款光谱仪可选，满足用户对分辨率以及灵敏度的不同需求，波段可覆盖250~2500 nm。⑥专业服务——根据用户实际需求，提供显微镜适配服务、显微镜代购服务以及专业工程师安装培训服务。⑦角分辨功能——在显微光谱的空间分辨之上可以进一步增加角度分辨的功能。⑧波段的扩展——在基本的350~1100 nm波段之上，可以进一步将显微光谱的探测波段扩展至近红外波段。⑨Raman扩展——可以加载532, 785, 1064 nm波段的拉曼光谱测量探头，实现显微拉曼光谱测量。 与传统显微镜分光光度计相比，复享显微光谱系统具有高兼容性、低改装成本、覆盖光谱范围广、采样面积小的特点，可以进行紫外－可见光－红外光谱段的反射分析，透射分析，荧光分析和偏振分析。复享显微光谱系统目前已在微纳光学、材料学、生物技术、矿物分析、纸币防伪等领域得到广泛应用。典型应用领域各种矿物及材料的测试 例如石墨烯探测 石墨烯的主要特征峰，即 G 峰，是由碳原子的面内振动引起的，它出现在 39500pxˉ1 附近；该峰对应力影响非常敏感，并能有效反映石墨烯层数；这需要使用具有共焦能力的显微拉曼光谱技术。 细胞生物学 单细胞拉曼光谱能提供细胞内核酸、蛋白质、脂质含量等大量信息，可在不损伤细胞的条件下检测细胞分子结构变化；这需要具有较高空间分辨能力的仪器分析手段。 微区拉曼探头 具有以下显著特点： 可通过显微镜微区探头耦合模块适配绝大多数常见的正置显微镜； 2 最低 3750pxˉ1 波数 内置一组精确匹配的光片，将激发光的波数抑制在 3750pxˉ1 之内，能够为研究人员带来额外的低波数探测能力； 3 即插 & 即用 无需调节滤光片和光路，插上显微镜即可使用，节省大量实验准备时间。技术参数型号 描述fP-532-R 支持 532nm 激光输入fP-785-R 支持 785nm 激光输入性能参数激发波长： 依不同型号而不同光谱范围： 150~100000pxˉ1，低波数扩展激光抑制比：优于 OD6，有效滤除激光 Rayleigh 散射光纤接口： 激光激发接口为 SMA905，拉曼接收接口为 SMA905探头焦距： ∞ 焦距，平行光输出；可加载 7.5mm 焦距镜头光纤芯径： 激光激发端 100μm，拉曼接收端 200μm数值孔径： 0.22 N.A.结论 阴极发光辅助微区光谱仪，即采用类似微区光谱系统或显微分光光度计技术，在显微镜的基础之上增了光谱分析的功能。能够实现微米级样品的反射光谱、荧光光谱、拉曼光谱等光谱分析。