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修整端面打磨机

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修整端面打磨机相关的论坛

  • 光谱试样的打磨

    在使用光谱仪进行检测时,需要将试样表面进行打磨以便出去氧化层,那么各位在打磨薄片状试样时,是怎么打磨?使用砂纸还是光谱打磨机?

  • 【转帖】线束端子断面分析仪

    随着汽车行业的迅速发展, 汽车低压电线束横断面分析技术也变得十分重要,各行业的也慢慢地对端子技术的要求也十分地高连接器端子断面分析系统. 上海天省仪器厂研发的端子断面分析仪是汽车线束生产厂家连接器端子分析仪必备的用以检验端子压接形状是否合格连接器截面分析仪的器,端子压接形状的工序:横切端子、对断面进行研磨、清洗断面并腐蚀去氧化皮接头端子断面检测分析仪,照相取样、通过软件对图形成像进行分析端子断面检测显微镜。 TXD-660C,TXD-770C是上海天省研发的一种线束端子快速检测分析仪。主要用于线束生产过程中对线束进行抽样检测。在电缆线束生产线上,品质的可靠性及生产速度非常重要,可以说在生产过程中采用连续的质量分析已成为市场竞争的重要因素。该系统可在短时间内完成精确的质量分析,为您的生产保驾护航!操作基本步骤:1.切割部分 从垂直于电缆的方向切断冲压件 2.打磨部分 打磨并抛光被切断的冲压件 3.蚀化部分 为了得到清晰的截面图片,需要对截断并磨光的冲压件作泡沫蚀化处理 4.图片的摄取部分 采用进口高清晰摄像机,经显微镜放大的截面图片 5. 使用线束端子专用的测量分析软件对截面图片进行分析,可获取冲压高度,宽度,压缩比率(压缩面积)及冲压件几何形状等的参数,并可打印及存档。简单易操作!技术参数 上海天省仪器厂1.型号:TXD-660C TXD-770C2.测量精度:0.001mm3.切割轮厚:0.6 mm4.转速:2800 rpm(切割) 1800 rmp(研磨)5.腐蚀:酸液泡沫腐蚀6.图像处理:130万像素摄像头,USB2.0接口10~45倍高清显微镜,定倍测量带压缩比测量分析软件7.处理时间:3~5分钟8.电 源:AC220V 50Hz

  • 【求助】纳米材料断面的SEM

    各位老师、研友,我要做个纳米材料的截面的FE-SEM测试,但先前没有经验。是不是需要把粉体分散在环氧树脂里面,然后再固化,用砂纸打磨出断面来?打磨出来的表面很粗糙,有没有使表面光滑的方法呢?环氧树脂不导电,需要喷金处理,是吧? 请大家赐教,谢谢!!

  • “玻碳电极” 打磨方式 [转帖]

    实验要用玻碳电极,可是我不会磨电极,书上讲要先用砂纸打磨,再用40或60目的氧化铝抛光,最后用去离子水冲洗,自然晾干或氮气吹干,哪位有经验的高手给点建议吧!查到的几种打磨方式:1、将玻碳电极在金相砂纸上打磨,并用三氧化二铝悬浊液将电极表面抛光成镜面,并依次于硝酸、氢氧化钠、丙酮,二次蒸馏水中各超声洗涤5min,红外灯下烘干。2、将电极在金相砂纸上打磨,然后依次使用0.1 μm和0.05 μm 氧化铝在麂皮上抛光成镜面,并用无水乙醇和二次蒸馏水超声洗涤1 min晾干备用。3、将玻碳电极先用砂纸抛光,再用湿滤纸反复擦拭几次,再用沾有1+1乙醇溶液的滤纸擦拭几次,再用二次水冲洗并用干滤纸将水吸干。4、电极依次用4#到6# 金相砂纸和0.5微米的氧化铝粉打磨,然后用二次蒸馏水冲净,干燥后使用!有专门的玻碳电极的打磨所用的材料,一套要600多。

  • 关于溴化钾盐片打磨

    用平板玻璃,平整放置一中等粗细布,最好是尼龙材质的(布要崩紧)。点上几滴乙醇(无水),以8字方向平磨盐片,两面都要磨。10分钟后马上光亮如新。当然,也可以用金像砂纸,目数足够高,进行打磨,效果差不多。如果你有足够马尼,可以不用打磨,直接扔掉,买新的使用。[em07] [em07] [em07]

  • 薄膜断面制样

    有一个塑料薄膜样品,想观察断面多层结构。怎样制样(截取断面)比较好呢?

  • 请教电极打磨的问题!

    直读光谱仪电极一般多长时间需要打磨?请教大神们都是怎么打磨的?需要注意哪些事情?谢谢了!

  • 【求助】离子源打磨

    岛津 GC-MS 2010 plus 离子源可以用氧化铝打磨吗?我们的离子源钝化得很厉害了。另,专用的岛津的打磨纸哪里有卖啊?

  • 【求助】在石英基底上沉积的薄膜断面能看TEM吗?

    对TEM不是很了解,我做的是两种组分在一起组装的多层超薄膜,一种无机组分一种高聚物组分。每层的厚度都在零点几个纳米,想知道能不能做断面的高分辨TEM,得到一层一层组装的信息,请教一下各位能看到不?能的话该怎么制样?

  • 如何防止厚大断面球铁的石墨畸变和球化衰退

    ?1、 石墨形态是影响球铁铸件性能的关键性因素,厚大断面球铁件断面厚、热节多、凝固时间长,极易发生石墨畸变,一般有以下几种石墨形态:不规则的球状石墨、团絮状石墨、片状石墨、蠕虫状石墨、开花状石墨、碎块状石墨。? ? ? ? 球化衰退也就是绝大数石墨成球失败,出现求化衰退的原因是镁量和稀土随着铁液停置时间的延长而发生衰减。镁和稀土与氧的亲和力大于与硫的亲合力,所以浮在铁液表面的 MgS、Ce 2 S 3 夹杂物与空气中的氧反应生成S,S 与 Mg 和 Ce 反应消耗镁量和稀土,出现回硫现象,使铁液中球化元素的残留量低于石墨化所需的临界值时而产生球化级别严重下降。减少球化衰退的措施有以下几点:1)通过合理的生产组织安排,缩短铁液停置时间;2)降低原铁液含硫量(<0.012%);3)转运铁水过程中合理覆盖液面;4)适当增加球化剂加入比例。? ? ? ?开花状石墨是厚大断面球墨铸铁中最常见的畸变石墨,开花状石墨恶化了铸件上表面的质量和力学性性,增加了铸件装机后运转的风险。开花状石墨的形成机理如下:共晶前期形成的石墨球在浮力作用下向上漂浮,聚集在铸件的上表面形成开花石墨。当石墨的固-液界面前沿存在过量的 Ce、Mg 的不均匀吸附时,破坏规则分支的生长,使石墨分支的基面生长速度远大于石墨分支柱面的生长速度,造成石墨在过冷区发生不均匀的包状分叉,导致开花石墨形成。厚大铸件的上表面往往 RE、Mg 偏高,容易提供漂浮的生长环境。? ? ? 开花状石墨与碳当量和铁液的冷却速度有关,还与浇注温度有关。碳当量越高、铁液冷却速度越慢、浇注温度越高石墨漂浮开花的可能性就越大;中小型铸件的碳当量控制在 4.3%-4.7%,但是对于厚大断面的球铁碳当量控制在 4.3%-4.4%,浇注温度在不影响铁水流动性的条件下尽可能低,一般在 1300℃-1360℃为宜;控制碳硅与残余稀土的含量以及提高冷却速度可以减少漂浮石墨形成。另外可使用铸铁冷铁加速冷却,利用球状石墨外围奥氏体晕圈提早形成,增大石墨球比重,减小上浮趋势。2、解决碎块状石墨应注意哪些问题? ? ? ?碎块状石墨是厚大断面球墨铸铁中或是在热节部位经常出现的畸变石墨。出现碎块状石墨的部位,材质疏松,力学性能下降,特别是塑性指标明显降低。所以厚大断面球铁中出现碎块状石墨是目前国内外铸造领域研究与生产面临的难题。? ? ? 由于厚大断面铸件的铁水凝固过程十分缓慢,形成的共晶团粗大,而这种碎块状石墨分支频繁和细小,在铁液对流的作用下,有可能把靠近共晶团边界的石墨冲走,形成游离的碎块。其次凝固缓慢,析出的石墨比一般初生石墨球大得多。当尺寸很大时形成内应力,内应力随石墨球的长大持续累积,最后石墨球破裂形成碎块。根据日月公司多年的控制经验,防止碎块状石墨的产生,应从以下几个方面优化工艺控制:1) ?厚大断面球铁碳当量在 4.2%-4.4%,并采取较低的含硅量;2) ?稀土含量不超过 0.03%,镁量不小于 0.05%;3) ?还可以加入微量元素锑来提高石墨圆整度;4) ?多次孕育和型内孕育同步使用;5) ?可使用适量的钇基球化剂;6) ?采用铸铁冷铁来提高铁水冷却速度等。3、 合理的化学元素控制和孕育处理是生产厚大断面球铁的核心? ? ? ?对于厚大断面球墨铸铁,由于合金元素很多,宏观偏析和微区偏析都会加剧。厚大断面球铁的韧性更多依赖于铁素体的面积分数。铁素体球墨铸铁具有强度、塑性和韧性综合性能好等特点,对于厚大断面球铁铸件,一般要求铁素体基体。? ? ? ?通过孕育处理可以控制铸态球墨铸铁的基体组织,特别是球墨铸铁中的铁素体含量。孕育处理是球墨铸铁生产中必不可少的环节,可减少白口倾向,减少元素偏析,提高球化率,促进铁素体化,抑制石墨畸变。? ? ? ?合适的化学成分是保证球铁组织和性能的必要条件,通常,化学成分的选择由要求的性能和铸件断面尺寸决定,低温厚大断面球铁对成分的要求更为严格。? ? ? ?碳当量 CE 和硅 Si 均是促进石墨化的元素。随着碳当量 CE 的增加,球状石墨数量增加,畸变石墨数量减少,Si 高有利于石墨化,并且基体易于形成铁素体,故铸态厚大断面铁素体球铁 Si 量应尽可能高。? ? ? ?Si 是厚大断面球铁中一个极为敏感的元素,Si 和 CE 一样影响碎块状石墨的形成。研究发现,降低 Si 含量可以减少碎块状石墨的形成。因此,对于厚大断面球墨铸铁,高的 CE 和 Si 含量可以保证高的球化率,提高球铁的力学性能;而低的 CE 和 Si 含量可以抑制石墨漂浮和碎块状石墨。为了获得良好的铸造性能和减少对冒口的需求,要求 CE 一般在共晶点附近,一般选在 CE4.25~4.35%,有低温要求的,Si 控制在 1.95~2.15%较为适宜,无低温要求的 QT450铸件,则将 Si 提高到 2.40-2.60%。? ? ? ?Mn 要比碳在铁液中扩散困难的多,铁与锰在液态可完全互相溶解,在凝固过程中锰具有很大的偏析倾向而富集于晶界,促使碳化物形成,如果形成的碳化物呈网状分布在共晶团边界上,对力学性能是极为有害的。由于Mn 的反石墨化作用,促进白口形成,在生产时一般都不得大于 0.3%。? ? ? ?P 元素极易偏析,常在晶界以磷共晶形式出现。共晶团边界形成的磷共晶容易成为珠光体的核心,从而促进晶界形成珠光体,降低球铁的塑韧性,因而其含量应越低越好。? ? ? ?S 一般在球铁中被认为是反球化元素。S 高会消耗更多的 RE 和 Mg,引起球化衰退,对厚大断面球铁件 S含量应≤0.010%。Mg 是球铁中最主要的球化元素,对于一般球铁件,含量 0.030%~0.045%可以满足球化要求。? ? ? 随着凝固时间的延长,铁液中的含 Mg 量逐渐降低。对于厚大断面球铁件,残余镁量应控制在 0.05%~0.06%之间,小于 0.04%会出现球化不良问题,而大于 0.06%可能出现明显的夹杂物及缩松缺陷。4. 低温厚大断面球铁 生产 的注意事项? ? ? ?在厚大断面球铁中由于中心部位和边缘位置的冷却速度有很大差别,就会造成球铁的基体组织和石墨球的形态等有很大差别。? ? ?化学元素对厚大断面球铁低温力学性能的影响是通过显微组织实现的,除此之外,孕育和球化也通过影响显微组织来影响厚大断面球铁的低温性能。? ? ? ?孕育的实质是脱氧、脱硫,不仅可以增加石墨形核能力,细化晶粒,还可以增加石墨球数量,增加铁素体含量,多次孕育,细化孕育剂颗粒都可以显著细化晶粒,从而提高厚大断面球铁的低温力学性能。? ? ? ?球化处理通过影响石墨的形态影响球铁整体力学性能。另外,球化剂的选型也非常重要。钇基球化剂抗衰退能力较强,可采用钇基和铈基按一定的比例搭配使用,既可以确保球化质量,又能得到较好的石墨形态,以满足低温厚大断面球铁的各项力学性能要求。结束语? ? ? 生产厚大断面铁素体球墨铸铁,由于铁液需求大,设备能力及精心的生产组织安排是前提保证;要获得良好的经济效益,必须实现铸态组织满足机械性能要求;铸态组织要满足性能要求,必须要合理选择铁水化学元素和适宜的球化、孕育工艺。

  • [求助]使用SEM看薄膜断面?

    在Si片上镀一层非晶碳膜(厚度为几十个nm,导电性能较差),用金刚石刀直接切割出试样,然后进行SEM观察,希望得到薄膜的厚度。第一次去做时表面没有喷金,看到的断面效果也很差,很难清楚的看到薄膜与基体的分界面。请问喷金(应该不能喷碳)以后能看到清楚的界面吗?我看别人论文里面的图都非常清楚,不知何故?希望得到各位前辈的请教!

  • 请问玻碳电极的打磨方法!

    实验要用玻碳电极,可是我不会磨电极,书上讲要先用砂纸打磨,再用40或60目的氧化铝抛光,最后用去离子水冲洗,自然晾干或氮气吹干,哪位有经验的高手给点建议吧!

  • [求助]我的样品端面的形貌怎么看

    我的样品的NiTi合金板表面镀膜,我想看膜的断面形貌,想把板子折断,但NiTi合金韧性很好,不好折断,线切割的话,高温会把断面氧化破坏了断面!!请问高手,怎么整!!!

  • 【求助】如何获得高质量的金属铝膜断面

    【求助】如何获得高质量的金属铝膜断面

    如何获得高质量的金属铝膜断面,我目前制作的断面SEM显示,有时很好,有时铝膜会与基片分开,有的时候不是垂直的断面?[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/03/201003240959_207907_1926220_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/03/201003240959_207908_1926220_3.jpg[/img]

  • 【求助】关于GaN薄膜断面分析

    【求助】关于GaN薄膜断面分析

    所传图片为GaN薄膜的断面分析,该图片有点不是太明白,想请各位前辈指导一下。在图中“A”代表什么?“B”是不是薄膜的最外层?“C”是不是超晶格结构层?“D”是不是也是一层GaN薄膜?在该图中基片层是不是没有显示出来?已知该薄膜为在蓝宝石衬底上生产的GaN薄膜,其中有超晶格结构。[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/02/200902241106_134986_1874631_3.jpg[/img]

  • 【求助】关于薄膜断面透镜分析

    【求助】关于薄膜断面透镜分析

    本人在透镜断面分析方面遇到一些问题,想向各位前辈请教一下。下面的几幅图片都是同一个样品的断面分析照片,不知道该怎么分析,希望能够得到各位前辈的指点。谢谢。 该样品是在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜,其中含有超晶格结构。在图片“001”里面,请问“A”“B”“C”“D”分别代表什么层?“B”是不是样品的最外层薄膜?“C”是不是超晶格结构层?“D”是不是里面的一层薄膜?在该图片中,衬底蓝宝石是不是没有显示出来?[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/02/200902281157_135935_1874631_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/02/200902281157_135937_1874631_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/02/200902281158_135938_1874631_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2009/02/200902281158_135939_1874631_3.jpg[/img]

  • 长期打磨使防溅板变的不光滑有什么影响

    长期打磨使防溅板变的不光滑有什么影响

    安捷伦的,毛细管外的防溅板很容易脏,如果清洗的不及时就得打磨了,长期打磨就变的不光滑了,会有什么影响吗?http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/01/201201170902_346041_1604317_3.jpg

  • 铝合金化学元素

    求助各位大神,用直读光谱仪测铝合金的化学元素 ,样品是先做了拉伸项目的 ,再上直读光谱仪测化学元素 ,请问对元素影响大吗?对铁元素影响大吗?样品用打磨机磨过了

  • ICP-MS锥打磨抛光英文原版步骤,大家一起学习!

    锥清洗打磨步骤英文原文,但友情提醒对于新手或毛糙的人不适宜,在打磨锥这个问题上需要慎重,我们自己的锥一般是把锥口倒置浸泡在盛有2~5%硝酸PET的小瓶上,泡软后用脱脂棉慢慢借助机械力清理,对于实在清理不下去的沉积物,是采用进口抛光膏避开锥口慢慢打磨的,目前锥的使用情况是8年用了四套锥(购机的时候买的,一套铂锥,三套Ni锥,铂锥现在还在用)!Polishing Procedure Note: This method can cause damage to the cones if done incorrectly - use only with great care!Remove the cones and O-ringsUsing a Q-tip and lab wipes GENTLY polish the surfaces (inside and outside) of the cones using a metal polishing compound. (Wenol works well)Take care not to damage the edges of the orificesSoak the cones in a suitable solvent in a fume hood (Methanol, if Wenol is used) for 15-20 minutes to remove the cleaning agentRepeat the soap general cleaning procedure

  • ICS-5000电化学检测器打磨后,响应值一直降低,最近遇到好多问题啊……

    这段时间一直在用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/3p][color=#3333ff]离子色谱[/color][/url]测糖,前段时间感觉仪器的灵敏度过低了,就把电化学检测器的金电极用打磨的粉稍稍打磨了下,再装上去后,灵敏度是提高了不少,现在仪器走了几天了,但问题也随之而来。第一,同一个样品隔了一天进样之后峰面积减少了15%左右,而且这几天响应貌似一直在往下降,这是什么原因?是否说明检测器还未稳定?第二,灵敏度提高之后,标曲的线性差的有点夸张了,是一条向上凸的曲线,浓度越高的点含量响应就越偏离拟合的直线!以前打磨之后线性虽然也变差了,但不至于连两个9都很难达到。目前认为在现有的灵敏度下标准品的线性范围比较窄,我的标液浓度过高。有没有谁遇到过此类问题,求助啊……最后,仪器进样时,在0-1分钟的时候,压力突然有降低三四百PSI,然后恢复正常,看到论坛中的帖子说是六通阀磨损,拆下后打磨,没发现作用,不知道是不是打磨的不够?还是其他原因?也不敢打磨太过。。。

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