雪崩光电探测器

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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新,已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一,嘉乐仕凭借优质的产品,卓越的技术和完善的服务,产品遍及祖国各地,并远销美洲,欧洲,非洲,中东,东南亚等国际市场。   东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格,质量是我生命“ 为宗旨,视用户为“上帝”,一贯秉承“质量第一、顾客满意,持续改进,争创一流”的方针,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系,且采取有效的市场保护措施,确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。   展望未来,嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业,诚信,融合,创新“的企业精神,研制出更好的产品,提供更好的服务,树立更好的形象,愿与各界新老朋友进行更广泛的合作,共创辉煌!   嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察,洽商合作,愿与您携手共创更辉煌的明天! 联系人:卢生15907693763(微信同号)QQ:2777469253 欢迎来电咨询!官网:www.jls668.net
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  • 深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值,服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务,公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨,以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信:有了您的支持和我们不断的努力,我们与社会各界同仁携手并进,开拓创新,共创美好未来。
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  • 维尔克斯专业代理欧美知名品牌激光器、光谱仪、光电测试分析仪器和光电元器件。凭借强力的专业技术背景和多年的行业经验,维尔克斯能够满足客户不同的应用要求,精准地为客户提供解决方案,设备安装和故障排除。 深圳维尔克斯光电代理的产品包括:以色列Holo/Or激光微透镜(DOE),Holoor激光光束整形器、激光扩散镜、激光分束器、螺旋相位板、激光多焦点透镜、长焦深透镜、激光光栅、激光缩放器、双波长激光透镜;美国Wilks HATR-T2, CVH, TRANS-SP, ATR-SP红外测油仪、快速水中油分析仪、含油分析仪,InfraCal Tog/Tph Analyzer;美国NOIR激光防护眼镜、激光眼镜、激光防护镜、激光护目镜:ARG, YLW, EC2, YG3, YRB,RB3, YPL, DBY, DBD, KTI, YG2,ND20;法国Sofradir EC公司Electrophysics 7290,7290A,7292M,7215红外相机、红外CCD、红外热像仪、红外探测器、红外传感器;以色列DUMA Spoton光斑质量分析仪、Alignmeter准直仪、Angelmeter角度仪、Beamon光束质量分析仪、M平方仪、光斑位置分析仪;美国Scientech精密电子天平,激光能量计/功率计;德国Firstsensor光电二极管PIN、雪崩光电管ADP、位敏二极管;德国BATOP可饱和吸收镜SAM、SOC可饱和吸收耦合输出镜、SA可饱和吸收体、太赫兹器件、THz光谱系统、TDS1010太赫兹时域光谱仪、THz Kit、PCA光导天线、太赫兹透镜、THz聚焦镜;白俄罗斯Solar Laser Systems SHR/SHR-IR激光波长计、LQ系列纳秒固体激光器、LP系列光学参量振荡器(纳秒OPO)、LZ221激光喇曼频移器、双色散单色仪、原子力显微镜共聚焦光谱仪;美国Solar Light SFP-290AS防晒指数测试仪、紫外防晒系数测试仪、防晒系数SPF测试系统;美国Semrock 荧光显微镜滤光片、拉曼光谱滤光片、瑞利滤光片、带通滤波片、高通/低通滤波片、陷波滤光片、二向色分束镜;德国Layertec飞秒激光分束镜、宽带镜、啁啾镜、GT干涉镜;美国FLIR T620/i3/i5/i7/e40/e50/e60红外热像仪;
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雪崩光电探测器相关的仪器

  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
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  • 硅雪崩光电探测器,可变增益,温度补偿连续可变增益温度补偿,在18 - 28 °C的温度范围上M因子的稳定性≤±3%SM05内螺纹和SM1外螺纹,可安装光纤转接件、透镜套管和其它组件包含电源这些雪崩光电探测器具有可变增益,通过外壳右侧的旋钮进行控制。与上方的APD130A探测器一样,这些探测器具有集成热敏电阻,它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压,在23 ± 5 °C的温度范围内可将M因子的稳定性维持在±3%或更好。相比于上面的标准APD和温度可控的APD,APD430A2和APD430A还提供从DC至400 MHz的更大可用带宽。APD410A2和APD410A的可用带宽略小(DC至10 MHz),但是灵敏度更高。APD440A2和APD440A探测器提供高跨阻抗增益,最大带宽为100 kHz。机械连接和电连接的方向,以及薄型外壳设计,确保了这些探测器可装在狭小空间中。外壳上有三个8-32(M4)安装孔,每侧面上一个,进一步确保它可以轻松集成到复杂的机械装置中。外壳还兼容SM05和SM1透镜套管。包含一个SM1内螺纹的盖子。光纤耦合注意事项:对于光纤耦合应用,我们不推荐使用Thorlabs带APD410A2(/M)、APD430A2(/M)和APD430A的S120-FC等光纤接头转接件,因为探测器的尺寸较小。可能会出现较高的耦合损耗以及频率响应降低。为了实现高耦合效率,可使用光纤准直器、聚焦透镜和X-Y平移调整架。
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  • 武汉东隆科技为意大利Micro Photon Devices的中国区独家代理,欢迎您来电垂询!单光子雪崩探测模块 SPADPDM光子计数探测器的的探测效率为49%,具有快速时间响应,和优良的反应效率。该探测器的有效探测范围直径有20、50和100μm可选。覆盖波长是400nm到1100nm。该产品的设计使探头在长时间日光照射下也不会损坏。其优良的性能可以在很多应用上代替光电倍增管来使用。响应时间在50ps,配合光子计数卡来使用可以做短脉冲激光器的研究。 产品特点时间分辨率50ps (FWHM) 探测效率高达49% 有效探测面直径有20,50,100μm可选 超稳定的高计数率 可选光纤耦合接口,耦合效率80% 独有的源自于意大利的iAQC探测技术 帕尔贴制冷 主要应用时间分辨荧光荧光寿命成像荧光能量共振转移DNA和药物发明单分子光谱和超灵敏荧光分析荧光上转换LIDAR、遥感等量子密钥通信,量子纠缠等参数波段范围 400 – 1000 nm 有效探测面积直径 20μm,50μm,100μm可选暗计数 5cps、25cps、50cps、100cps、250cps、500cps(根据不同有效探测面积直径可选)探测效率 49% @ 550nm;典型值时间分辨率 35ps (FWHM) 典型值后脉冲效应 0.1-3% 死时间 77ns 武汉东隆科技为意大利Micro Photon Devices的中国区独家代理,欢迎您来电垂询!
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雪崩光电探测器相关的资讯

  • 【新书推荐】宽禁带半导体紫外光电探测器
    基于宽禁带半导体的固态紫外探测技术是继红外、可见光和激光探测技术之后发展起来的新型光电探测技术,是对传统紫外探测技术的创新发展,具有体积小、重量轻、耐高温、功耗低、量子效率高和易于集成等优点,对紫外信息资源的开发和利用起着重大推动作用,在国防技术、信息科技、能源技术、环境监测和公共卫生等领域具有极其广阔的应用前景,成为当前国际研发的热点和各主要国家之间竞争的焦点。我国迫切要求在宽禁带半导体紫外探测技术领域取得新的突破,以适应信息技术发展和国家安全的重大需要。本书是作者团队近几年来的最新研究成果的总结,是一本专门介绍宽禁带紫外光电探测器的科技专著。本书的出版可以对我国宽禁带半导体光电材料和紫外探测器的研发及相关高新技术的发展起到促进作用。本书从材料的基本物性和光电探测器工作原理入手,重点讨论宽禁带半导体紫外探测材料的制备、外延生长的缺陷抑制和掺杂技术、紫外探测器件与成像芯片的结构设计和制备工艺、紫外单光子探测与读出电路技术等;并深入探讨紫外探测器件的漏电机理、光生载流子的倍增和输运规律、能带调控方法、以及不同类型缺陷对器件性能的具体影响等,展望新型结构器件的发展和技术难点;同时,介绍紫外探测器产业化应用和发展,为工程领域提供参考,促进产业的发展。本书作者都是长年工作在宽禁带半导体材料与器件领域第一线、在国内外有影响的著名学者。本书主编南京大学陆海教授是国内紫外光电探测领域的代表性专家,曾研制出多种性能先进的紫外探测芯片;张荣教授多年来一直从事宽禁带半导体材料、器件和物理研究,成果卓著;参与本书编写的陈敦军、单崇新、叶建东教授和周幸叶研究员也均是在宽禁带半导体领域取得丰硕成果的年轻学者。本书所述内容多来自作者及其团队在该领域的长期系统性研究成果总结,并广泛地参照了国际主要相关研究成果和进展。作者团队:中国科学院郑有炓院士撰写推荐语时表示:“本书系统论述了宽禁带半导体紫外探测材料和器件的发展现状和趋势,对面临的关键科学技术问题进行了探讨,对未来发展进行了展望。目前国内尚没有一本专门针对宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书,本书的出版填补了这一空白,将会对我国第三代半导体紫外探测技术的研发起到重要的推动作用。”目前市面上还没有专门讲述宽禁带半导体紫外探测器的科研参考书,该书的出版可以填补该领域的空白。本书可为从事宽禁带半导体紫外光电材料和器件研发、生产的科技工作者、企业工程技术人员和研究生提供一本有价值的科研参考书,也可供从事该领域科研和高技术产业管理的政府官员和企业家学习参考。详见本书目录:本书目录:第1章 半导体紫外光电探测器概述1.1 引言1.2 宽禁带半导体紫外光电探测器的技术优势1.3 紫外光电探测器产业发展现状1.4 本书的章节安排参考文献第2章 紫外光电探测器的基础知识2.1 半导体光电效应的基本原理2.2 紫外光电探测器的基本分类和工作原理2.2.1 P-N/P-I-N结型探测器2.2.2 肖特基势垒探测器2.2.3 光电导探测器2.2.4 雪崩光电二极管2.3 紫外光电探测器的主要性能指标2.3.1 光电探测器的性能参数2.3.2 雪崩光电二极管的性能参数参考文献第3章 氮化物半导体紫外光电探测器3.1 引言3.2 氮化物半导体材料的基本特性3.2.1 晶体结构3.2.2 能带结构3.2.3 极化效应3.3 高Al组分AlGaN材料的制备与P型掺杂3.3.1 高Al组分AlGaN材料的制备3.3.2 高Al组分AlGaN材料的P型掺杂3.4 GaN基光电探测器及焦平面阵列成像3.4.1 GaN基半导体的金属接触3.4.2 GaN基光电探测器3.4.3 焦平面阵列成像3.5 日盲紫外雪崩光电二极管的设计与制备3.5.1 P-I-N结GaN基APD3.5.2 SAM结构GaN基APD3.5.3 极化和能带工程在雪崩光电二极管中的应用3.6 InGaN光电探测器的制备及应用3.6.1 材料外延3.6.2 器件制备3.7 波长可调超窄带日盲紫外探测器参考文献第4章 SiC紫外光电探测器4.1 SiC材料的基本物理特性4.1.1 SiC晶型与能带结构4.1.2 SiC外延材料与缺陷4.1.3 SiC的电学特性4.1.4 SiC的光学特性4.2 SiC紫外光电探测器的常用制备工艺4.2.1 清洗工艺4.2.2 台面制备4.2.3 电极制备4.2.4 器件钝化4.2.5 其他工艺4.3 常规类型SiC紫外光电探测器4.3.1 肖特基型紫外光电探测器4.3.2 P-I-N型紫外光电探测器4.4 SiC紫外雪崩光电探测器4.4.1 新型结构SiC紫外雪崩光电探测器4.4.2 SiC APD的高温特性4.4.3 材料缺陷对SiC APD性能的影响4.4.4 SiC APD的雪崩均匀性研究4.4.5 SiC紫外雪崩光电探测器的焦平面成像阵列4.5 SiC紫外光电探测器的产业化应用4.6 SiC紫外光电探测器的发展前景参考文献第5章 氧化镓基紫外光电探测器5.1 引言5.2 超宽禁带氧化镓基半导体5.2.1 超宽禁带氧化镓基半导体材料的制备5.2.2 超宽禁带氧化镓基半导体光电探测器的基本器件工艺5.3 氧化镓基日盲探测器5.3.1 基于氧化镓单晶及外延薄膜的日盲探测器5.3.2 基于氧化镓纳米结构的日盲探测器5.3.3 基于非晶氧化镓的柔性日盲探测器5.3.4 基于氧化镓异质结构的日盲探测器5.3.5 氧化镓基光电导增益物理机制5.3.6 新型结构氧化镓基日盲探测器5.4 辐照效应对宽禁带氧化物半导体性能的影响5.5 氧化镓基紫外光电探测器的发展前景参考文献第6章 ZnO基紫外光电探测器6.1 ZnO材料的性质6.2 ZnO紫外光电探测器6.2.1 光电导型探测器6.2.2 肖特基光电二极管6.2.3 MSM结构探测器6.2.4 同质结探测器6.2.5 异质结探测器6.2.6 压电效应改善ZnO基紫外光电探测器6.3 MgZnO深紫外光电探测器6.3.1 光导型探测器6.3.2 肖特基探测器6.3.3 MSM结构探测器6.3.4 P-N结探测器6.4 ZnO基紫外光电探测器的发展前景参考文献第7章 金刚石紫外光电探测器7.1 引言7.2 金刚石的合成7.3 金刚石光电探测器的类型7.3.1 光电导型光电探测器7.3.2 MSM光电探测器7.3.3 肖特基势垒光电探测器7.3.4 P-I-N和P-N结光电探测器7.3.5 异质结光电探测器7.3.6 光电晶体管7.4 金刚石基光电探测器的应用参考文献第8章 真空紫外光电探测器8.1 真空紫外探测及其应用8.1.1 真空紫外探测的应用8.1.2 真空紫外光的特性8.2 真空紫外光电探测器的类型和工作原理8.2.1 极浅P-N结光电探测器8.2.2 肖特基结构光电探测器8.2.3 MSM结构光电探测器8.3 真空紫外光电探测器的研究进展8.3.1 极浅P-N结光电探测器的研究进展8.3.2 肖特基结构光电探测器的研究进展8.3.3 MSM结构光电探测器的研究进展
  • 关亚风团队“微光探测器(光电放大器)”通过成果鉴定
    1月27日,由大连化物所微型分析仪器研究组(105组)关亚风研究员、耿旭辉研究员团队研发的“微光探测器(光电放大器)”通过了中国仪器仪表学会组织的新产品成果鉴定。鉴定委员会一致认为:该产品设计新颖、技术创新性强,综合性能达到国际先进、动态范围和长期稳定性能达到国际领先水平,同意通过鉴定。  微光探测器是科学仪器和光学传感器中的关键器件之一,广泛应用于表征仪器和化学分析仪器中,如物理发光、化学发光、生物发光、荧光、磷光、以及微颗粒散射光等弱光探测中,其性能决定着光学检测仪器的灵敏度和动态范围指标。该团队经过十五年技术攻关,成功研制了具有自主知识产权的高灵敏、低噪音、低漂移的AccuOpt 2000系列微光探测器(光电放大器),并批量生产,用于替代进口光电倍增管(PMT)、制冷型雪崩二极管(APD)和深冷型光电二极管(PD)对弱光的探测。  该微光探测器已形成产品,在单分子级激光诱导荧光检测器、黄曲霉毒素检测仪、深海原位荧光传感器等多款仪器上应用,替代PMT得到相同的检测信噪比和更宽的动态线性范围。经权威机构检测和多家用户使用表明,该微光探测器具有比进口PMT更好的重复性、稳定性和性能一致性,具有广阔的应用前景。  由于疫情原因,鉴定会以线上会议方式召开。该项目研发得到了国家自然科学基金、中国科学院重点部署项目等资助。
  • 快讯-新型光电感测研究蓬勃,光焱PD-RS 用于光电探测器&光电二极管响应时间表征
    有机光感测器(OPD)、量子点光感测器(QDPD)、钙钛矿光感测器(PPD)、新型材料光感测器、雪崩光电二极管(APD)等光电器件的研究一直是非常热门的领域。近期波兰Military University of Technology的Martyniuk教授领导的团队以及中科院上海技术物理研究所的合作者,展示了基于红外的APD目前状态和未来发展。加州大学戴维斯分校(UC Davis)的研究人员,正在开发一种提高矽薄膜光吸收率的策略,采用微米和奈米结构的新型光感测器设计,其性能提升可与砷化镓( GaAs) 和其他III-V 族半导体相媲美。麻省理工学院(MIT)的研究人员在一项突破性的研究中证明了新型光伏奈米粒子发射出一串相同光子的发展潜力,这项发现可能会革新量子计算和量子传输设备的领域。来自哥本哈根大学和明斯特大学的Patrik Sund与其研究团队,成功研发出一种薄膜锂铌酸盐的集成光子平台,并与固态单光子源进行整合,进一步推动了光子量子计算的发展。因此,检测与分析光电器件(探测器或光伏器件)的光电转换过程具有重要意义。基于对客户需求的理解,光焱科技推出了光电响应测试与分析仪PD-RS,並成功帮助客户完成设备安装。PD-RS 可得出光电器件光电转换过程的重要参数,包含恒定光强脉冲光的光电流时间响应变光强光电流与响应度变化测试(LDR)-3dB 频率响应测试Rise/ Fall time检查与分析从而了解光电器件的内部结构与载流子动力学、材料组成与器件结构对载流子动力学的影响关系。这为评价光电器件性能与改进设计提供了重要参考。

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雪崩光电探测器相关的论坛

  • 基于带电粒子追踪与蒙特卡洛方法的低真空SEM电子探测器仿真分析

    分享一篇关于低真空SEM技术的文献。《电子显微学报》2023年4月,第42卷第2期低真空扫描电子显微镜对含水、含气以及不导电样品等的表征方面有着重要应用。国仪量子公司团队基于电子轨迹追踪模拟和粒子碰撞蒙特卡洛模拟,对低真空信号探测器的工作过程进行仿真和实测,分析了探测器在不同位置和气压大小对收集效率的影响。根据模型所预测的探测电流的大致范围同实测探测电流较为一致。同时仿真分析的结果表明,空间中不同区域的放电强度有较大区别,局部区域的雪崩倍增剧烈程度与该区域的电场强度成正相关。这对探测器的形状和位置布局设计具有显著的指导意义。

  • 【分享】美“凤凰号”探测器首次发现火星下雪

    美“凤凰号”探测器首次发现火星下雪 并且找到了火星上曾经存在液态水的最新证据 火星上也有下雪!美国凤凰号火星探测器已经探测到来自火星云层的降雪,而且找到了火星上曾经存在液态水的最新证据。 美国航空航天局(NASA)今天(9月29日)公布了凤凰号火星探测器的最新科学成果。凤凰号上一个用来收集火星大气层和火星表面相互作用的激光设备已经探测到火星降雪,降雪来自凤凰号着陆点上空大约四千米的火星云层,数据显示降雪在到达火星表面前已经气化。 负责凤凰号气象检测系统的加拿大约克大学教授吉姆怀特威说,火星上下雪的景观从来没有被发现过,科学家未来将寻找可能降落火星表面的降雪。 除了首次发现降雪,凤凰号还找到了火星上存在碳酸钙和粘土的线索。碳酸钙是石灰石的主要成分,在地球上,绝大部分碳酸盐和粘土只有在液态水的作用下才能形成。这些证据来自凤凰号上的热力与释出气体分析仪(TEGA)及电化学传导性显微镜分析仪( MECA)。 凤凰号采集到的火星土壤样本被装入“热力与释出气体分析仪”进行加热,结果释放出无色气体,经质谱仪分析,这种气体就是二氧化碳,而且释放气体的温度与大家熟知的碳酸钙释放二氧化碳温度一致。通过电化学传导性显微镜分析仪检测,发现土壤样本中钙的浓度与碳酸钙缓冲液的钙含量一致。此外,通过凤凰号上的原子力显微镜分析,土壤中有一些表面光滑的微粒,这些微粒与粘土十分相像。 截至9月29日,原计划运转三个月的凤凰号火星探测器已经工作了一百二十七天。因火星公转的原因,凤凰号着陆点的太阳照射越来越少,随着太阳能的逐步衰减,凤凰号的活动将逐渐减少。科学家表示,十月底,因为电力不足,机械臂将停止工作,预计今年底凤凰号将停止运转。在能量耗尽前,科学家将尝试开启凤凰号上的麦克风,期望记录下来自火星的神秘声音。

  • 【原创】光电导探测器主要应用范围

    [size=4] photoconductive detector 利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像模糊,连续薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取镶嵌靶面的方法,整个靶面由约10万个单独探测器组成。 1873年,英国W.史密斯发现硒的光电导效应,但是这种效应长期处于探索研究阶段,未获实际应用。第二次世界大战以后,随着半导体的发展,各种新的光电导材料不断出现。在可见光波段方面,到50年代中期,性能良好的硫化镉、硒化镉光敏电阻和红外波段的硫化铅光电探测器都已投入使用。60年代初,中远红外波段灵敏的Ge、Si掺杂光电导探测器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(锗掺金)和Ge:Hg光电导探测器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可变禁带宽度的三元系材料的研究取得进展。 工作原理和特性 光电导效应是内光电效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制。在60年代初以前还没有研制出适用的窄禁带宽度的半导体材料,因而人们利用非本征光电导效应。Ge、Si等材料的禁带中存在各种深度的杂质能级,照射的光子能量只要等于或大于杂质能级的离化能,就能够产生光生自由电子或自由空穴。非本征光电导体的响应长波限λ由下式求得 λc=1.24/Ei 式中Ei代表杂质能级的离化能。到60年代中后期,Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半导体材料研制成功,并进入实用阶段。它们的禁带宽度随组分x值而改变,例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料,可以制成响应波长为 8~14微米大气窗口的红外探测器。它与工作在同样波段的Ge:Hg探测器相比有如下优点:①工作温度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作温度为38K。②本征吸收系数大,样品尺寸小。③易于制造多元器件。表1和表2分别列出部分半导体材料的Eg、Ei和λc值。 通常,凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有:CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等 在近红外波段有:PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等 在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。 可见光波段的光电导探测器 CdS、CdSe、CdTe 的响应波段都在可见光或近红外区域,通常称为光敏电阻。它们具有很宽的禁带宽度(远大于1电子伏),可以在室温下工作,因此器件结构比较简单,一般采用半密封式的胶木外壳,前面加一透光窗口,后面引出两根管脚作为电极。高温、高湿环境应用的光电导探测器可采用金属全密封型结构,玻璃窗口与可伐金属外壳熔封。 器件灵敏度用一定偏压下每流明辐照所产生的光电流的大小来表示。例如一种CdS光敏电阻,当偏压为70伏时,暗电流为10-6~10-8安,光照灵敏度为3~10安/流明。CdSe光敏电阻的灵敏度一般比 CdS高。光敏电阻另一个重要参数是时间常数 τ,它表示器件对光照反应速度的大小。光照突然去除以后,光电流下降到最大值的 1/e(约为37%)所需的时间为时间常数 τ。也有按光电流下降到最大值的10%计算τ的 各种光敏电阻的时间常数差别很大。CdS的时间常数比较大(毫秒量级)。 红外波段的光电导探测器 PbS、Hg1-xCdxTe 的常用响应波段在 1~3微米、3~5微米、8~14微米三个大气透过窗口。由于它们的禁带宽度很窄,因此在室温下,热激发足以使导带中有大量的自由载流子,这就大大降低了对辐射的灵敏度。响应波长越长的光,电导体这种情况越显著,其中1~3微米波段的探测器可以在室温工作(灵敏度略有下降)。3~5微米波段的探测器分三种情况:①在室温下工作,但灵敏度大大下降,探测度一般只有1~7×108厘米瓦-1赫;②热电致冷温度下工作(约-60℃),探测度约为109厘米瓦-1赫 ③77K或更低温度下工作,探测度可达1010厘米瓦-1赫以上。8~14微米波段的探测器必须在低温下工作,因此光电导体要保持在真空杜瓦瓶中,冷却方式有灌注液氮和用微型制冷器两种。 红外探测器的时间常数比光敏电阻小得多,PbS探测器的时间常数一般为50~500微秒,HgCdTe探测器的时间常数在10-6~10-8秒量级。红外探测器有时要探测非常微弱的辐射信号,例如10-14 瓦;输出的电信号也非常小,因此要有专门的前置放大器。[/size]

雪崩光电探测器相关的耗材

  • MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件
    MP6514S型InGaAs单光子阵列探测器组件MP6514S型探测器组件由4x4阵列规格InGaAs单光子雪崩光电二极管(SPAD)芯片、CMOS主被动淬灭电路芯片倒焊互连而成的探测器模块与电压逆变模块、制冷模块、信号控制模块组成。在盖革工作模式下,探测器组件各像元独立、自由运行,探测0.95 ~ 1.65 μ m的近红外波段范围内微弱光信号,实时输出TTL电信号。产品特点●光谱响应波段0.95 ~ 1.65μm ●采用金属封装,器件质轻灵巧 ●像元独立、自由运行 ●像元可探测弱光子信号 ●死时间、盖革雪崩信号检测阈值可调 产品应用●透雾、霾、烟尘等测距●近红外激光告警●远距离激光测距●远距离空间激光通信技术参数探测器面阵规格主要性能指标(Tc=22+3℃)绝对最大额定值质量可靠性保证● 产品执行GJB8121-2013《半导体光电组件通用规范》相关要求。封装及尺寸封装外形结构与尺寸(单位: mm )电学接口●电源输入: +5V●数据输出类型: TTL●控制命令接口: J63A-31●电源输入接口类型: J30J●数据输出接口类型: J63A-31●外触发接口: SSMA咨询电话:021-64149583、021-56461550、021-65061775公司邮箱:info@microphotons.com公司网址:http://www.ideal-photonics.com公司地址:上海市杨浦区黄兴路2077号蓝天大厦21F
  • 硅 Si 高性能雪崩光电二极管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18
    C30902EH高性能硅雪崩光电二极管(APD)的感光面直径为0.5 mm,适合于生物医学和分析应用。 这种Si APD设计为双扩散“穿透式”结构,可在400和1000 nm之间提供高响应度,以及在所有波长处都极快的上升和下降时间。器件的响应度与最高约800 MHz的调制频率无关。探测器芯片采用经过修改的TO-18封装,密封在平玻璃窗后面。多型号C30902EH/C30902EH-2 C30902SH C30902SH-TC光谱响应400-1100nm感光规格0.5mm ?材质硅 Silicon技术参数C30902和C30921系列用于微光应用的高速固态探测器C30902EH系列雪崩光电二极管非常适合广泛的应用,包括激光雷达、测距、小信号荧光、光子计数和条形码扫描。Excelitas Technologies的C30902EH系列雪崩光电二极管采用双扩散“穿透”结构制造。这种结构在400到1000纳米之间提供了高响应度,并且在所有波长上都提供了极快的上升和下降时间。该器件的响应度与高达800 MHz的调制频率无关。探测器芯片密封在一个改进的TO-18封装的平板玻璃窗后面。感光表面的有效直径为0.5 mm。C30921EH封装在TO-18光管中,该光管允许从聚焦点或直径高达0.25 mm的光纤将光有效耦合到探测器。密封的TO-18封装允许光纤与光管端部匹配,以最大限度地减少信号损失,而无需担心危及探测器稳定性。C30902EH-2或C30902SH-2(带内置905nm通带滤波器的密封TO-18封装)和C30902BH(带密封球透镜)构成了C30902系列。C30902SH和C30921SH均选用具有极低噪声和体暗电流的C30902EH和C30921EH光电二极管。它们适用于超微光级应用(光功率小于1 pW),可在增益高达250或更高的正常线性模式(VrVbr)下的光子计数器使用,其中单个光电子可触发约108个载波的雪崩脉冲。在这种模式下,不需要放大器,单光子检测概率可能高达约50%。光子计数在门控和符合技术用于信号检索的情况下也是有利的。主要特征 高量子效率:在830 nm时为77% C30902SH和C30921SH可在盖革模式下运行 C30902EH/SH-2型,带内置905 nm过滤器 C30902BH型,带球形透镜 密封包装 室温下的低噪音 高响应度–内部雪崩增益超过150 光谱响应范围- (10%Q.E.点)400至1000纳米 时间响应–通常为0.5纳秒 宽工作温度范围-40°C至+70°C 符合RoHS标准应用• 激光雷达• 测距• 小信号荧光• 光子计数• 条形码扫描表1。电光特性测试条件:外壳温度=22?C,除非另有规定,请参见下页的注释。C30902EH/C30902EH-2C30902SHC30902SH-TCDetector TypeC30902BHC30921EHC30902SH-2C30921SHC30902SH-DTCParameterMinTypMaxMinTypMaxMinTypMaxUnits感光区有效直径0.50.50.5mmactive area0.20.20.2mm2光管特性(C30921)光管数值孔径0.550.55[no units]岩芯折射率(n)1.611.61[no units]芯径0.250.25mmField of view α (see Figure 15)视野α(见图15) 带标准/球形透镜窗口(-2)内置905 nm滤光片 90559055122N/ADegrees带灯管(在空气中) 3333N/AField of view α’ (see Figure 15)带标准窗口/球透镜114114129Degrees(-2)内置905 nm滤光片7878N/A击穿电压, Vbr225225225V反向偏置温度系数,Vr,恒定增益电压0.50.70.90.50.70.90.50.70.9V/?C探测器温度(见注2)-TC0?C-DTC-20?CGain (see note 1)150250250响应度830 nm时(不适用于-2)7077117128128A/Wat 900 nm556592108108A/W量子效率at 830 nm (not applicable for -2)777777%at 900 nm606060%Dark current, id153015301530nA-TC (at 0 °C)2nA-DTC (at -20 °C)1nANoise current, in (see note 3)-TC (at 0 °C)0.230.50.110.2 0.04pA/?HzpA/?Hz-DTC (at -20 °C)0.02pA/?Hz电容1.621.621.62pFRise/Fall time, RL=50 ?10% to 90% points 0.5 0.75 0.5 0.75 0.5 0.75 ns90% to 10% points0.50.750.50.750.50.75ns最大驱动电流-TC1.8A-DTC1.4A最大偏置电压-TC0.8V-DTC2.0V5%光子检测时的暗计数率 probability (830 nm)(see Figure 9 and note 4) 5000 150001100 (-TC)250 (-DTC) 15000 cps电压高于Vbr,光子探测概率为5%(830nm)(见图7和注4) 2 2 V5%光子检测时的脉冲比后概率(830nm)(注5)2152%1.在特定直流反向工作电压下,Vop或Vr,随每个装置提供,光斑直径为0.25 mm(C30902EH,SH)或0.10 mm(C30921EH,SH)。在180至250V的电压下运行,设备将满足上述电气特性限制。2.热敏电阻的温度(开尔文)可为使用以下方程式计算:[??] = ?? ,项次(??/??∞)式中,R是测量的热敏电阻电阻,单位为?,?? = 3200,R0=5100Ω,T0=298.15 K和r∞ =? ??R e ? 0.1113表2–最大额定值1.雪崩光电二极管中散粒噪声电流的理论表达式为in=(2q(Ids+(IdbM2+PORM)F)BW)?,其中q是电子电荷,Ids是暗表面电流,Idb是暗体电流,F是过量噪声系数,M是增益,PO是器件上的光功率,BW是噪声带宽。对于这些装置,F=0.98(2-1/M)+0.02 M(参考文献:PP Webb,RJ McIntyre,JJ Conradi,“RCA审查”,第35卷第234页,(1974年))。2.C30902SH和C309021SH可在更高的检测概率下运行。(参见盖革模式操作部分)。3.主脉冲后1μs至60秒发生脉冲后。
  • 145GHz InP磷化铟 超快光电探测器模块 1480-1620nm 搜索产品 型号 货号
    该产品是为数据通信( 1T/bs PAM),电信和微波光子应用而研发的145GHz超快光电探测器模块。光谱响应1480-1620nm技术参数特性• 3dB带宽高达145GHz• 可探测200 GBaud光幅度调制信号• 可同时在C&L波段运行• 集成偏置网络• 低偏压操作• 0.8 mm射频接口 技术背景高速光电探测器模块是数据通信和电信领域下一代光通信链路发展的热点。由于这些研发在符号速率方面总是领先一步,因此在接收端需要具有超过最先进射频带宽的光电探测器模块。此外,光电探测器模块的高速性能使其适用于微波光子学。模块内部的光电探测器芯片基于成熟的InP技术,在HHI的晶圆加工线上制作,采用Telcordia和空间限定的工艺,同时封装在Fraunhofer HHI中。 应用• 数据通信• 电信• 测试测量• 微波光子学技术参数• 工作波长: 1480 nm - 1620 nm• 3 dB带宽: 高达145 GHz• 低暗电流: 100 nA @ 3 V• 偏置电压: +2 V• 0.8 mm射频接口(Female)• RF射频的阻抗匹配50Ω• 输出接口: FC/APC 保偏,单模光纤
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