石英晶体天平

名称型号规格价格（元）先镀钛再镀金的晶体电极125A先镀钛再镀金的晶体电极（个）200EQCM电解池127EQCM电解池（套）1000EQCM池的银氯化银参比电极128EQCM池的银氯化银参比电极（支）100EGCM池的铂丝对电极129EGCM池的铂丝对电极（支）375

石英晶体波片材质Crystalline Quartz直径公差+0/-0.2 mm厚度公差±0.2 mm表面质量20-10 S-D透射波前畸变（TWD）延迟公差λ/300 @ 20 °C平行度误差涂层AR (R激光诱导的损伤阈值10 J/cm2 for 10 ns pulses @ 1064 nm安装Mounted in ?25.4x6 mm black anodized metal mount波片由具有双折射的材料制成。通过双折射材料的异常和普通光线的速度与其折射率成反比。当两束光重新组合时，这种速度上的差异会引起相位差。在任何特定波长处，相位差由缓速器 - 波片的厚度决定。半（λ/ 2）波片。入射到半波晶体石英波片上的线性偏振光束作为线性偏振光束出现，但是旋转成与光轴成两倍于入射光束的角度。因此，可以使用半波片作为连续可调的偏振旋转器。半波片用于旋转偏振平面，电光调制以及与偏振立方体结合使用时作为可变比率的分束器。1/4（λ/ 4）波片 - 薄膜补偿器。如果入射线偏振光束的电场矢量与四分之一波片的延迟器主平面之间的夹角为45°，则出射光束是圆偏振的。当四分之一波片双重通过时，即通过镜面反射，它起到半波片的作用并将偏振平面旋转到一定角度。四分之一波片用于通过圆形，椭圆偏振光学，光泵浦等线性或线性偏振来产生圆偏振，抑制不必要的反射和光学隔离。零阶波片通常是优选的，因为它们对波长，入射角和温度的变化zui不敏感。标准波片基于气隙结构，允许使用波片进行高功率应用。对于1064nm的10ns脉冲，损伤阈值大于20J / cm 2为了适应波片可以使用的特定应用，粘合和光学接触的建筑零阶补偿设计可以根据要求提供。1）波片由优质激光级晶体石英材料制成晶体石英波片的理论计算器允许绘制透射率和波长延迟图。这个计算器是找出ZO，LO和MO波片之间性能差异的理想工具。注意：理论结果并不完全指向我们波片的实际性能。结晶石英波板图形计算器涂层类型AOILIDT2-CPW-LO-L/2-10300deg24.85 J/cm2 @1064nm 10ns 100 Hz2-CPW-ZO-L/2-10300deg24.12 J/cm2 @1064nm 10ns 100 Hz2-CPW-ZO-L/2-02660deg2.65 J/cm2 @266nm 5ns 100 Hz2-CPW-ZO-L/2-03430deg14.73 J/cm2 @355nm 6ns 100 Hz2-CPW-ZO-L/2-05320deg28.49 J/cm2 @532nm 7ns 100 Hz2-CPW-ZO-L/2-08000deg0.122 J/cm2 @800nm 52fs 1000 Hz2-CPW-ZO-L/2-10300deg0.59 J/cm2 @1030nm 320fs 50 kHz免责声明激光诱导损伤阈值（LIDT）测量是在Altechna生产的实际部件上进行的。单个组件的LIDT取决于多个参数（基底材料，抛光批次，涂料批次，储存条件等）。以上各个部件达到的损伤阈值仅供参考，但并不能保证所有的光学元件。 Altechna可根据要求进行涂层损伤阈值测试服务。查看所有测量值Altechna在标准，定制或客户提供的光学器件上提供各种高性能光学镀膜。我们的涂料覆盖从深紫外（193纳米）到远红外（25微米）的波长范围，涂层的zui大部分是在波长范围内zui常见的266纳米到2微米的激光和照明光源。我们根据个人要求提供一套标准和定制涂料：?防反射涂层?高反射涂层?分束器涂层?部分反射涂层?偏光片涂层?过滤涂料?超快GDD补偿涂层?Gires-Tournois干涉镜（GTI）?可变反射镜?金属涂层在Altechna，我们的目标是以zui高的标准为不断增长的光子市场提供高损伤阈值，高质量涂层。每个涂层都是特殊的，多年来在光电领域，我们了解到灵活性是满足客户高要求的关键，因此我们的涂层采用不同的技术，分别选择不同的涂层。这里是我们在Altechna提供的涂层技术列表：?电子束蒸发?离子辅助沉积?离子束溅射?磁控溅射每种技术都是不同的，并根据光谱灵敏度，损伤阈值，硬度，表面质量等的要求使用。电子束蒸发离子辅助沉积离子束溅射磁控管溅射沉积速率10 ?/sec~10 ?/sec~3 ?/sec1-6 ?/sec每次涂布面积3000 cm23000 cm2500 cm22000 cm2导热系数LowMediumHighHigh涂层温度范围200 - 300°C20 - 100°C20 - 150°C20-100°C层数1-50~50200Up to 200密度和孔隙度PorousDenseNear bulkNear bulk粘连/耐久性LowGoodExcellentExcellent湿度敏感性YesYes, smallNoNo老化影响YesYes, smallNoNo内在应力~ 100MPaFew 100MPaFew 100 MPa通光孔径, mm延迟波长, nm延迟顺序产品编号18λ/2473ZO2-CPW-ZO-L2-047318λ/2940ZO2-CPW-ZO-L2-094018λ/4473ZO2-CPW-ZO-L4-04738λ/2343ZO2-CPW-ZO-L2-0343-S8λ/4343ZO2-CPW-ZO-L4-0343-S8λ/4355ZO2-CPW-ZO-L4-0355-S8λ/2355ZO2-CPW-ZO-L2-0355-S8λ/4400ZO2-CPW-ZO-L4-0400-S8λ/2400ZO2-CPW-ZO-L2-0400-S8λ/4515ZO2-CPW-ZO-L4-0515-S8λ/2515ZO2-CPW-ZO-L2-0515-S8λ/4532ZO2-CPW-ZO-L4-0532-S8λ/4800ZO2-CPW-ZO-L4-0800-S8λ/2800ZO2-CPW-ZO-L2-0800-S8λ/41030ZO2-CPW-ZO-L4-1030-S8λ/21030ZO2-CPW-ZO-L2-1030-S8λ/41064ZO2-CPW-ZO-L4-1064-S8λ/21064ZO2-CPW-ZO-L2-1064-S18λ/4940ZO2-CPW-ZO-L4-09408λ/2532ZO2-CPW-ZO-L2-0532-S18λ/2266ZO2-CPW-ZO-L2-026618λ/2355ZO2-CPW-ZO-L2-035518λ/2780ZO2-CPW-ZO-L2-078018λ/4266ZO2-CPW-ZO-L4-026618λ/4355ZO2-CPW-ZO-L4-035518λ/4515ZO2-CPW-ZO-L4-051518λ/41030ZO2-CPW-ZO-L4-103018λ/2980ZO2-CPW-ZO-L2-098018λ/2800ZO2-CPW-ZO-L2-080018λ/4852ZO2-CPW-ZO-L4-085218λ/4980ZO2-CPW-ZO-L4-098018λ/2400ZO2-CPW-ZO-L2-040018λ/4400ZO2-CPW-ZO-L4-040018λ/41550ZO2-CPW-ZO-L4-155018λ/4532ZO2-CPW-ZO-L4-053218λ/4633ZO2-CPW-ZO-L4-063318λ/41064ZO2-CPW-ZO-L4-106418λ/2633ZO2-CPW-ZO-L2-063318λ/21550ZO2-CPW-ZO-L2-155018λ/2852ZO2-CPW-ZO-L2-085218λ/2515ZO2-CPW-ZO-L2-051518λ/4780ZO2-CPW-ZO-L4-078018λ/4800ZO2-CPW-ZO-L4-080018λ/21030ZO2-CPW-ZO-L2-103018λ/2532ZO2-CPW-ZO-L2-053218λ/21064ZO2-CPW-ZO-L2-1064定制你可以根据您的需求定制这个产品。如果您没有找到适合您的应用，请与我们联系，以便定制解决方案。

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Cesium iodide activated by thallium is a scintillation material with high absorption power. It can be used as an efficient gamma ray absorber. CsI:Tl is soluble in water, but is not hygroscopic in laboratory conditions. It has high resistance to mechanical and thermal shocks. CsI:Tl can be easily fabricated into wide a variety of shapes and geometries. It can also be fabricated into detection matrices.CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Calcium fluoride activated by europium is a light scintillator used in detection of charged particles and soft gamma rays up to several hundreds keV. CaF:Eu is typically used for the detection of beta rays due to its relatively small back scattering. It is not suitable for detection of high-energy gamma rays because it has a small photofraction. The material is not hygroscopic and is relatively chemically inert.Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Ce:YAP晶体或YAP:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAP晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Ce:YAG晶体或YAG:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

超大数值孔径(NA0.5)光纤--空气包层光子晶体光纤所属类别： ? 光纤/光纤器件 ? 光子晶体光纤 产品简介超大数值孔径光纤(NA0.5)--大芯径空气包层光子晶体光纤 超大数值孔径光纤（NA0.5）--大芯径（高达100 um）空气包层光子晶体光纤！ 石英光纤NA一般为0.12或者0.22， 更大数值孔径的光纤需要加大包层和纤芯的材料的折射率比，但往往也只能做到0.48（聚合物包层，非高功率光纤）。昊量光电公司推出超大数值孔径光纤P-ACF-XX-YYY。这是一款（高达0.6）、低损耗、大芯径空气包层光子晶体光纤，芯径为50、80、100 um；包层直径覆盖80-160 um。主要应用于功率传输、光谱学、仪器设备等领域。 超大数值孔径光纤、光子晶体光纤、大数值孔径光子晶体光纤、低损耗光子晶体光纤、大芯径光子晶体光纤，超大NA光纤 以上产品参数均为标准品，我们可以根据客户的实际需求实现产品定制化服务！ 主要特点：l大数值孔径（NA0.5） l低损耗（） l大芯径（50、80、100 um 可选） 主要应用：u功率传输 u光谱学；u仪器设备；参数指标：Product referenceP-ACF-XX-YYYCladding diameter(um)80 to 160(+/- 5 um)Core diameter(um)50, 80 and 100 (+/- 3 um)Core materialSilica F300Coating diameter(um)245(+/- 5 um)Coating materialDual coat acrylateNumerical aperture0.5Background losses(d B/km)@1310 nmBackground losses(d B/km)@1550 nmMinimal web thickness(nm)150 相关产品 宽波段单模光纤（350-1750 nm）---无截止单模光子晶体光纤 宽波段超连续谱产生光子晶体光纤（350-1800 nm） 宽温（-60-80 ℃）保偏光纤---保偏光子晶体光纤 高非线性光纤---柚子型光子晶体光纤

光子晶体光纤/微结构光纤(PCF）所属类别： ? 光纤/光纤器件 ? 其他特种光纤/光子晶体光纤 所属品牌： 产品简介 昊量光电提供各种定制型光子晶体光纤（PCF，微结构光纤）！光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤（Micro-Structured Fibers, MSF)，这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布，通常含有不同排列形式的小孔，这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度，光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。昊量光电提供各种光子晶体光纤。 关键词：光子晶体光纤，Photonic Crystal Fibers, PCF，微结构光纤，Micro-Structured Fibers， 结构光纤 光子晶体光纤(Photonic Crystal Fibers,PCF)又称为微结构光纤（Micro-Structured Fibers, MSF)，这种光线的横截面上有较复杂的折射率分布，通常含有不同排列形式的小孔，这些小孔的尺度与光波波长大致在同一量级且贯穿器件的整个长度，光波可以被限制在低折射率的光纤芯区传播。光子晶体光纤（微结构光纤）按照其导光机理可以分为两大类：折射率导光型（IG-PCF)和带隙引导型（PCF）。折射率引导型光子晶体光纤（微结构光纤，PCF）具有无截止单模特性 、大模场尺寸 /小模场尺寸和 色散可调特性等特性。广泛应用于色散控制 (色散平坦，零色散位移可以到800nm)，非线性光学 （高非线性，超连续谱产生），多芯光纤 ，有源光纤器件（双包层PCF有效束缚泵浦光）和光纤传感等领域。空隙带隙型光子晶体光纤（微结构光纤，PCF） 具有易耦合，无菲涅尔反射，低弯曲损耗、低非线性和特殊波导色散等特点被广泛应用于高功率导光，光纤传感和气体光纤等方面。光子晶体光纤的发展为光纤传感 开拓了广阔的空间，尤其是在生物传感和气体传感方面为光纤传感技术带来新的发展。昊量光电提供各种光子晶体光纤及光子晶体光纤的定制化服务，昊量可以提供的产品及服务：材料：石英或硫化物提供各种定制服务可提供各种套管，接头及相应光线器件各种解决方案设计及模拟主要产品：1，基于石英的各种有源及无源光纤：保偏型光子晶体光纤，定制色散型光子晶体光纤，光子晶体光纤预制棒空气包层、双包层光子晶体光纤，LMA空心光纤，光子带隙光纤掺杂光子晶体光纤多心光子晶体光纤2，基于硫化物的光子晶体光纤超高非线性光纤（50,000/W*km）中红外光子晶体光纤定制化服务3,各种解决方案基础研究传感激光器光谱学主要应用：高功率低损耗近红外激光传输脉冲整形脉冲压缩非线性光学光纤传感超连续激光产生可调谐光纤耦合器多波长激光器光纤耦合 指标参数： 常规产品： 相关产品 覆盖紫外波段超连续激光器(320~1750nm) FROG 超短脉冲测量仪 啁啾布拉格光栅

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno= 2.8340 ne= 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno= 2.8136 ne= 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。铌酸钾晶体标准特性?- 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm- 毫秒级的响应时间应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fereduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rhreduced860nm1064nm0.5s50s铌酸钾晶体吸收光谱更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

磷化镓晶体GaP晶体太赫兹晶体产品简介 磷化镓是一种人工合成的化合物半导体材料。外观：橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型，晶格常数5.447±0.06埃，化学键是以共价键为主的混合键，其离子键成分约为20%，300K时能隙为2.26eV，属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同，可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部，如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。 （110）晶向的GaP晶体常常被用在太赫兹时域光谱仪中作为探测晶体，其横光学支声子线在11THz。通常可探测的频谱宽度在0.1-6.5THz。中文名：磷化镓外文名：Gallium phosphide分子式：GaP分子量：100.6968实验结果图为40fs钛蓝宝石激光泵浦宽谱光电导天线，400um厚GaP晶体探测的结果GaP磷化镓晶体产品GaP 磷化镓晶体基本规格(a)Description1 GaP (110), 10x10x4 mm,2 sides polished. 2GaP (110), 10x10x2 mm,2 sides polished.. 3GaP (110), 10x10x0.5 mm,2 sides polished.. 4GaP (110), 10x10x0.4 mm,2 sides polished.. 5GaP (110), 10x10x0.2 mm,2 sides polished.. 6GaP (110), 10x10x0.1 mm,2 sides polished..(a)其他规格要求可以定制

硅酸铋(Bi)12SiO20，bso)晶体是一种高效率的光导材料，暗导率低，允许大量的光诱导空间电荷的积累。巨大的光电导性和电光特性提高了BSO晶体的应用范围：空间光调制器、光开关、相位共轭混合器。Optogama用改进的Czochralski法生长了BSO晶体，其孔径可达3英寸。铌酸锂(LiNbO)3掺杂铁(Fe：LiNbO)的LN晶体3)具有高的光折变灵敏度、高的电光系数和衍射效率、化学力学性能，是一种很有吸引力的光折变材料。Fe：LiNbO3晶体采用Czochralsky法生长，尺寸大。广泛的可用掺杂剂和水平可以调整特定应用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶体操作方便，成本低，适合批量生产。SBN晶体具有优良的光学和光折变性能。它们表面上是纯的，被Ce，Cr，Co或Fe掺杂。不同成分的SBN晶体在电光、声光、光折变、非线性光学等领域有着广泛的应用。包裹体和其它非均匀性SBN晶体，采用改进的Stepanov法生长，线性尺寸可达40 mm。锗酸铋（Bi12GeO20，BGO）晶体是具有低暗电导率的高效光电导体，可以积累大量光致空间电荷。硅酸铋晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制 BSO晶体主要应用： -空间光调制器-光开关-相位共轭混合器。铌酸锂晶体主要特点：-高电光系数(r41=5pm/v)-高相位共轭效率-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。-可根据要求定制LiNbO3晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-全息记录-光波导SBN晶体的主要特点：-Ce，Cr，Co，Fe纯掺杂-有效相位共轭-定制尺寸，掺杂水平，无极化，减反射涂层和没有电极晶体可根据要求 SBN晶体的主要应用：-光学信息记录-热释电探测器-自泵浦自共轭镜-光学相关器BGO晶体的主要特点：-高电光系数(r41=3，5 pm/v)-低暗电导-大尺寸元件或晶片最多可达3“-可根据要求定制 BGO晶体的主要应用：-空间光调制器-光开关-光学相关器

KDP晶体DKDP晶体ADP晶体磷酸二氢钾二氢磷酸钾 KDP晶体（KH2PO4）、DKDP晶体或D * KDP（KD2PO4）和ADP晶体（NH4H2PO4）广泛用作Nd:YAG和Nd:YLF激光器的二次、三次和四次谐波发生器。该晶体也被广泛用于电光应用，如Nd:YAG、Nd:YLF、钛:蓝宝石Ti:Sapphire和翠绿宝石Alexandrite激光器Q开关，以及用于普克尔盒和声-光应用。常用的电光晶体是DKDP，氘化 率超过98％。这些晶体通过水溶液法生长，并且可以长到非常大的尺寸，可用作低成本和大尺寸的非线性元件。对于1064nm 的Nd:YAG激光器的倍频（SHG）和 三倍频（THG），I型和II型相位匹配都可用于KDP和DKDP。对于Nd:YAG 激光器的四倍频（4HG，266 nm），通常建议使用KDP晶体。KDP磷酸二氢钾晶体（KH2PO4）是一种水溶性晶体，因其非线性光学特性而闻名。KDP晶体用于生产各种脉冲激光器中的电光元件（普克尔盒）、波片、变频器（用于自相关仪和互相关仪的二次、三次和四次谐波发生，参量发生器和放大器等）DKDP晶体可以提供 94％， 96％和 98％的氘化水平。我们可根据客户的要求提供未抛光或者抛光的高品质KDP、ADP和DKDP晶体。形状可谓棒状、方形或其他形状。参数规格：KDPDKDPADP透明度范围，μm0.174 - 1.570.2 - 2.10.18 - 1.53对称类42m42m42m晶格参数，?A = B = 7.453 C = 6.975A = B = 7.469 C = 6.976A = B = 7.499 C = 7.549密度，g / cm32.3382.3551.803莫氏硬度2.52.52.0折射率 407.8 nm：no= 1.52301 ne= 1.47898no= 1.5185 ne= 1.4772no= 1.53925 ne= 1.49123在632.8nmno= 1.50737 ne= 1.46685no= 1.5044 ne= 1.4656（在623.4 nm处）no= 1.52195 ne= 1.47727在1064nmno= 1.4938 ne= 1.4599no= 1.4948 ne= 1.4554no= 1.5071 ne= 1.4685非线性系数为1.064μm，pm / V.d36= 0.39d36= 0.37d36= 0.47光损伤阈值，MW / cm2300 - 600（1064 nm，20 ns） 100（1064 nm，20 ns）500（1064 nm，60 ns）常温下KDP波长折射率曲线选型：材料KDP/DKDP/ADP应用For example:SHG@1064 SFG@800+267-200 DFG@780-842-10600 OPO@355-460÷560+960÷1150 etc.Type &angles:Type =I/ II？Angles：Theta=？° , phi=？°镀膜For example:p-coating, ARC s1/s2 1064 RARC s1/s2 1064 RBBAR s1/s2 1064 R尺寸抛光面更多晶体相关产品:碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

产品简介 ZnGeP2（ZGP）单晶是用于频率转换产生中红外以及太赫兹波的高效的非线性光学材料。ZnGeP2晶体具有正的双折射，可以在0.75um-12.0um的波长范围进行相位匹配光学参量频率转换。其有用的传输范围位于从2.1至10.6微米，此范围内具有低至 0.04cm-1的吸收。ZnGeP2具有很大的非线性光学系数和相对高的激光损伤阈值。ZnGeP2晶体具有以下应用：经由与1.06毫米混频上转换CO2激光光到近红外范围 ：合频CO和CO2产生的激光辐射 高效的倍频CO，CO2脉冲激光（49％的倍频效率 1GW/cm2光强，2ns脉冲宽度，9.52毫米波长），在铒激光和钬激光激发下用于中红外波段OPO激光产生。ZnGeP2晶体的应用—— CO2激光器二次、三次和四次谐波产生—— 2um及光泵浦是的光参量产生—— 相干激发辐射太赫兹频段的光波 70um-1000um （0.3-4THz）详细参数透明度范围，微米0.75 - 12.0点群42m密度，g/cm34.12莫氏硬度5.5折射率：在2.00微米??= 3.1490 ??= 3.1889在4.00微米??= 3.1223 ??= 3.1608在6.00微米??= 3.1101 ??= 3.1480在8.00微米??= 3.0961 ??= 3.1350在10.00微米??= 3.0788 ??= 3.1183在12.00微米??= 3.0552 ??= 3.0949非线性系数，pm/ VD36= 68.9（10.6微米），D36= 75.0（9.6微米）光损伤阈值，MW /cm260（10.6微米，150纳秒）更多晶体相关产品碲化锌晶体ZnTe晶体铌酸锂晶体LiNbO3晶体硒化锌晶体ZnSe晶体硒化镓晶体GaSe晶体硫化锌晶体ZnS晶体磷化镓晶体GaP晶体有机晶体DAST晶体有机晶体DSTMS晶体有机晶体OH1晶体

光折变晶体SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶体光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体 光折变效应是局部折射率通过光强度的空间变化而改变的现象。当形成空间变化的照明图案的光折射材料中，相干光彼此干涉时，可强烈观察到。这是由于漂移或扩散和空间电荷分离效应，在迁移材料中产生电荷载流子。产生的所产生的电场通过电光效应引起折射率变化。其中一些应用是空间光调制器，4波混频，相位共轭，光存储器和计算。 Sillenite单晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）显示了不同物理性质的独特组合。BSO和BGO晶体是非常有效的光电导体，具有低暗电导率，允许建立大的光诱导空间电荷。光电导性和光电特性的强烈光谱依赖性允许开发和生产各种各样的光学器件和系统。BSO和BGO晶体用于空间光调制器，动态实时全息记录设备，相位共轭波混合，光学相关器和光学激光系统，用于超短光脉冲的自适应校正。光诱导吸收使其有可能开发和生产“光 - 光”型光学器件，如光学调制器，开关等。 通过不同技术制造氧化亚锡薄膜晶体结构允许开发包括光学波导，集成光学器件的多种装置。基于Sillenites的波导光学结构的使用允许在宽光谱范围内实现均匀照射（通常到波导平面）。 BGO SBN Sillenite Oxides的相对较大的电光和法拉第效应使其可用于光纤电/磁场传感器。我们能够少量提供未掺杂的BSO和BGO晶体用于科学研究，并大量用于工业目的。随着2x2x2 - 25x25x25 mm3晶体，我们还提供带有ITO（氧化铟锡）涂层的孔径高达30x30 mm2，厚度为0.5 - 5 mm的晶体板。 锶钡铌酸盐（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一种优异的光学和光折变材料。名义上纯，由Ce，Cr，Co，Fe掺杂。不同组成的SBN晶体用于电光学，声光学和光折变非线性光学器件。一种新的生长技术提供了优异的光学质量单晶，没有生长条纹，夹杂物和其他不均匀性，以及高达80mm的确定横截面和线性尺寸。SBN晶体元件满足不同应用的要求。基于这种独特的晶体生长技术，可以使用大量高质量的SBN光学元件和光折变单元，Fe：LiNbO3（其他掺杂剂可用）。 铁掺杂铌酸锂晶体（Fe：LiNbO3）是一种常用的具有高电光（EO）系数，高光折变灵敏度和衍射效率的光折变材料。与BaTiO3系列光折变晶体相比，它具有易于操作和存储，成本低，尺寸利用率大等突出优点，使其更适用于批量制造和实用设备。因此，Fe：LiNbO3晶体将预测广泛的应用。MolTech提供具有不同Fe掺杂浓度，尺寸和光学处理要求的晶体。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体晶体Bi12SiO20（BSO）Bi12GeO20（BGO）Fe：LiNbO3SBN x = 0.60SBN x = 0.75晶体结构立方，点组：23立方，点组：23三角形，3m4mm4mm晶格（胞）参数，?10.1010.15-a = 12.46，c = 3.946a = 12.43024，c = 3.91341透射范围，μm0.4-60.4-70.35 - 5.50.3 5 - 6.00.35 - 6.0折射率在0.63μm2.542.552.20（ne），2.29（no）ne= 2.33，no= 2.36@0.51μmne= 2.35，no= 2.37@0.51μm电光系数r41，pm / V53.5r22 = 6.8，r31 = 10，r33 = 32r13= 47，r33= 235r13= 67，r33= 1340光学活性，500纳米处的deg / mm4241.5---在600nm处为 - deg / mm2524---密度，g / cm39.159.24.645.45.4莫氏硬度5555.55.5熔点，C8909201255（Tc = 1140）1500±10°C1500±10°C介电常数564085（e11）30（e33）8803400暗电阻，欧姆厘米10141014-- -吸收系数@0.44μm--- 0.3cm-1- 在25°C时的热导率---0.006 W / cm * K@ 1370至1470℃下----0.008 W / cm * K热光系数dne/ dT---3×10-4K-1-居里温度---75℃56℃半波电压---240伏48 V我们可提供棒或薄片，由具有不同横截面和尺寸的薄膜光折射晶体制成。不同浓度的不同掺杂剂可满足特定客户的要求。光折变晶体：SBN锶钡铌酸盐晶体/BSO硅酸铋晶体/BGO锗酸铋晶体/Fe:LNB掺铁铌酸锂晶体

Ti:Sapphire晶体和掺钛蓝宝石晶体由孚光精仪进口,孚光精仪中国进口激光器件的第一品牌, 最大的进口精密光学器件和仪器供应商！精通光学，服务科学.提供的Ti:Sapphire晶体和钛宝石晶体系高质量原装进口晶体, 在国外生长, 切割,抛光,高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常优异，在中科院上海光机所，安徽光机所，中国工程物理研究院等单位成功使用。 掺钛蓝宝石晶体规格钛宝石晶体切割方向：a-cut钛宝石晶体Ti2O3 浓度：0.03-0.25wt %钛宝石晶体FOM值：150 ( 300 available on requests)钛宝石晶体端面：平/平切割或布儒斯特角切割钛宝石晶体平整度：λ/10@633nm掺钛蓝宝石晶体平行度：10 arcsec钛宝石晶体光洁度：10/5 scratch/dig钛宝石晶体波前畸变：λ/4 inch掺钛蓝宝石晶体，又被简称为钛宝石晶体或Ti:Sapphire晶体，是最广泛地用于产生超短飞秒脉冲激光，高增益和高功率激光的晶体。同时，掺钛蓝宝石晶体也是调谐激光的最常用晶体。Ti:Sapphire晶体可以有效地被短脉冲闪光灯泵浦, Ti:Sapphire晶体或钛宝石晶体广泛用于产生超短飞秒激光脉冲，高增益，高功率激光产生等。掺钛蓝宝石晶体也广泛用于波长调谐激光，是飞秒激光的理想工作物质。Ti:Sapphire晶体还能够被短脉冲闪光灯泵浦产生高能激光。我们提供的掺钛蓝宝石晶体和钛宝石晶体具有良好的物理和光学性能，具有宽广的激光激发范围。在660-1050nm具有非凡的长稳定性寿命. 在医疗激光，激光雷达，激光光谱学，Kerr型和锁模型飞秒激光等领域具有良好的应用前景。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

LIS晶体,硫铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LilnS2晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。 LIS晶体透光光谱范围：0.35-12μmLilnS2晶体非线性系数：d31=8.35, d32=8.3 pm/V硫铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群LIS晶体晶胞参数： a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ? LilnS2晶体SHG基频光范围：x-y, Type II, eoe：2.35 - 6.11μm x-z, Type I, ooe：1.78 - 8.22μm y-z, Type II, oeo：2.35 - 2.67μm y-z Type II, oeo， 5.59 - 6.11μm 总波长覆盖：1.617 - 8.71μm 硫铟锂晶体激光损伤阈值：~1GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LIS晶体,热导率：Thermal conductivity k, WM/M°C LilnS2, kx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.3LilnS2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：2.58 THz at 118 μmLIS晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnS2晶体光洁度：S/D:20/10LIS晶体应用：LilnS2晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 12 μm， with pump Ti: Sapphire laser硫铟锂晶体中红外激光2-12 μm的差频LilnS2晶体和LIS晶体是1-12微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LilnS2晶体,LIS晶体,硫铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

我们提供世界上先进的键合晶体技术和优质的键合晶体。 我们采用独特的非粘合剂（光胶）的晶体粘结技术，基于晶体段边界的精密光学接触和扩散键合技术制造键合晶体，We use our own adhesive free bond technology based on precise optical contact of bonded surfaces and diffusion bonding across of solid state boundary of crystal segments.基于上述先进的技术，我们提供先进的键合晶体，这些键合晶体或复合晶体作为晶体微片,可用于微片激光（microchip laser)的制造和实验。我们设计制造YAG+ Nd:YAG键合晶体，YAG+Tm:YAG键合晶体，YAP+Tm:YAP键合晶体,YAG/Er:YAG键合晶体, YAG/Yb:YAG复合晶体，YAG/Yb:LuAG键合晶体等非掺杂段和掺杂段梯度键合的晶体微片.我们还提供被动Q开关V:YAG或Cr:YAG与上述增益激光材料键合的晶体微片。 We design predominantly diffusion bonded Nd:YAG, Tm:YAG, Er:YAG, Yb:YAG and Yb:LuAG rods consisting of undoped and doped segments with gradient doping. We also produce diffusion bonded gain material to passive Q-switch of V:YAG or Cr4+:YAG.Nd:YAG键合晶体棒我 们提供键合Nd:YAG晶体和Nd:YAG晶体棒，由掺杂Nd:YAG晶体和不掺杂Nd:YAG晶体组成。这种 Nd:YAG键合晶体棒有助于减小热透镜效应和其他热应力效应，特别适用于二极管轴向泵浦的谐振腔。例如：Nd:YAG复合晶体，5x(4+8)mm规 格，二极管轴向泵浦的效率超过29.5％。 微片激光器和晶体微片微片激光非常适用于无Q开关的准直的谐振腔。这种紧凑的晶体微片融合了制冷的非掺杂部件，Nd:YAG晶体工作物质和主动的可饱和的吸收器部分。镜片可以直接放在晶体正面，这种晶体微片结构可以有效地从Nd:YAG晶体和可饱和吸收部分消除热量。 这种键合晶体采用先进键合晶体技术,基于晶体段边界光学接触和扩散键合技术,是全球最佳的晶体微片和复合晶体.

BSO晶体和硅酸铋晶体是一种优异的光折变晶体，具有广阔的应用。BSO晶体和硅酸铋晶体是一种淡黄色的光电电光晶体，又是光折变晶体,可用于：电光读出光存储器（PROM),薄膜光波导,光折变和相位共轭等研究。BSO晶体和硅酸铋晶体参数晶体对称性：立方体，23密度：9.2 g/cm^3硬度：5熔点：900deg透光范围：0.45-6um折射率：5.0(r41) &lambda =0.63 um介电常数：56 （低频）BSO晶体,硅酸铋晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的BSO晶体,硅酸铋晶体系优质光折变晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。

KTA晶体全名KTiOAsO4晶体,中文名砷酸钛氧钾是非常优异的非线性晶体材料, 用于光学参量振荡(OPO)应用。基于KTA晶体和KTiOAsO4晶体的OPO装置具有高度可靠性，调谐激光的能量转换效率高达50%. KTA晶体和砷酸钛氧钾在 2,0-5,0 微米范围内具有超低的吸收，并且具有超高的损伤阈值。 KTA晶体,KTiOAsO4晶体,砷酸钛氧钾晶体参数透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：表面质量：S/D10-5平整度：L/6@633nm平行度：垂直度：激光损伤阈值：1,5GW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmKTA晶体和KTiOAsO4晶体是非常优异的非线性晶体材料,用于光学参量振荡,基于KTA晶体和砷酸钛氧钾晶体的OPO调谐激光的能量转换效率高达50%。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！

KTP晶体是高抗灰迹KTP晶体又称为磷酸钛氧钾，抗灰迹KTP晶体是非常良好的非线性晶体材料,抗 灰迹KTP晶体和磷酸钛氧钾具有很高的光学质量，宽广的透光范围，相对较高的SHG系数（是KDP的3倍左右)，此外抗灰迹KTP晶体,磷酸钛氧钾还具有 超高的损伤阈值，宽范围的接收角，微弱的走离（walk-off), 此外K抗灰迹KTP晶体,磷酸钛氧钾能够在较宽的波长范围内实现I型和II型的非典型相位匹配(NCPM) 抗灰迹KTP晶体在中低密度激光领域，是Nd:YAG激光或其他掺钕激光的理想倍频材料。抗灰迹KTP晶体参数透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：表面质量：S/D10-5平整度：L/8@633nm平行度：垂直度：激光损伤阈值：0,5GW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nm领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！高抗灰迹KTP晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的KTP晶体,高抗灰迹KTP晶体,抗灰迹KTP晶体,磷酸钛氧钾晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体，并为广大科研用户提供订制晶体服务, 欢迎垂询购买。Aperture Dimensions:mmLength:mmOrientation &theta :Orientation &phi :Phase Matching:II Type (e-oe)Coatings on S1:Coatings on S2:Comments

产品说明高非线性光子晶体光纤这在一个被大空气孔包围的小实心石英纤芯内传导光。此类结构的光学性质与悬浮在空气中的玻璃棒极为相似，都对光有很强的限制作用，也就是说，非线性系数大。通过选择合适的芯径，零色散波长可以在可见和近红外光谱的宽范围内选择，使此类光纤特别适合用二极管泵浦Nd(3+)激光器产生超连续谱辐射，或者光学交换和信号处理应用。产品特性单模纯石英纤芯泵浦源在1um范围内具有零色散特性应用范围光谱学频率计量学光相干层析成像（OCT）NKT Photonics SC-3.7-975 非线性光子晶体光纤 SC-3.7-975高非线性光子晶体光纤具有高非线性系数，在用975nm附近具有零色散特性，可用在1060nm激光器中。该光纤是专为使用高功率泵浦源产生超连续光谱优化设计的，由于优化了色散的特性，当使用高功率泵浦源时，只需要10-15m的此光纤就可以有效的产生倍频生成的光谱。该系列光纤同时和标准的单模光纤或永久单模光纤能很好的耦合，同时也可以对端面处理，加FC/PC连接器。 产品性能曲线图NKT Photonics SC-5.0-1040-PM 非线性保偏光子晶体光纤SC-5.0-1040-PM 保偏非线性光子晶体光纤具有高非线性系数，在用1040nm附近具有零色散特性，可用在1060nm激光器中。该光纤是专为使用高功率泵浦源产生超连续光谱优化设计的，由于优化了色散的特性，当使用高功率泵浦源时，只需要10-15m的此光纤就可以有效的产生倍频生成的光谱。该系列光纤同时和标准的单模光纤或永久单模光纤能很好的耦合，同时也可以对端面处理，加FC/PC连接器。产品性能曲线图NKT Photonics SC-5.0-1040 非线性光子晶体光纤 由于优化了色散的特性，在使用脉宽为1ns，重复频率为5-10kHz,平均功率为几十毫瓦的中心波长为1064nm脉冲激光器时，只需要20m的该光纤就可以使转换效率接近100%，同时和标准的单模光纤或永久单模光纤能很好的耦合，同时也可以对端面处理，加FC/PC连接器。 产品性能曲线图技术参数参数SC-3.7-975SC-5.0-1040-PMSC-5.0-1040零色散波长975±15nm1040±15nm1040±10nm截止波长＜1000nm＜1000nm＜1000nm非线性系数18(W-1km)-1@1060nm11W(-1km)-1@1060nm11(W-1km)-1@1060nm衰减＜5dB/km(@1060nm)＜3dB/km(@1550nm)＜15dB/km(600nm)＜3dB/km(@1040nm)＜2.5dB/km(@1550nm)＜25dB/km(@600nm)＜3dB/km(@1040nm)＜2.5dB/km(@1550nm)＜15dB/km(@600nm)模场直径3.3±0.3um@1060μm4.3±0.2um@1060μm4.0±0.2um数值孔径0.25±0.05@1060μm0.20±0.05@1060μm0.20±0.05材料纯石英纤芯纯石英纤芯纯石英纤芯包层直径125±10um125±3um125±3um纤芯直径3.7±0.3um4.8±0.2um4.8±0.2um涂覆层直径245±10.0um244±10.0um244±10.0um涂覆层材料单层丙烯酸酯丙烯酸酯丙烯酸酯

产品名称：掺铁铌酸锂晶体（Fe:LiNbO3）产品规格：浓度：0.07mol%Fe:LiNbO3尺寸：dia2"x0.5mm ，10x10x0.5mm；抛光情况：单抛及双抛注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋性能参数 Fe:LiNbO3晶体是一种很好的光折变材料，具有很高的光折变性，理想的电光性能和化学机械性能，广泛用于全息存储，光学存储和信息加工等研发和器件应用领域。科晶公司采用提拉法生长晶体，可获得低成本，大尺寸，全极化，高光学质量的晶体和基片，选择不同的掺杂浓度可适应不同客户的需求。分子式LiNbO3掺杂离子Fe2+,Fe3+掺杂浓度（mol.%Fe2O3）0.005 0.02 0.05 0.1或其他浓度晶体结构三方，3m密度，g/cm34.64莫氏硬度5熔点，℃1255(Tc=1140)透过波段，nm0.35–5.5折射率@lambda=0.63nm2.29(no)2.20(ne)电光系数,pm/V(atlambda=0.63nm)32(r33)6.8(r22)10(r31)介电常数85(e11)

光折变晶体和Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国最大的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的光折变晶体,BGO晶体,BTO晶体, Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体,LiTaO晶体,LiIO3晶体,LiNbO3晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供光折变晶体包括BGO晶体，BSO晶体, BTO晶体, Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体,LiTaO晶体,LiIO3晶体,LiNbO3晶体等进口光折变晶体。 光折变晶体由孚光精仪进口，包括Fe:Ti:Ce:LiNbO3晶体和LiTaO晶体等光折变晶体.

LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体由孚光精仪进口,孚光精仪是中国领先的进口精密光学器件和仪器供应商！所销售的LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们提供优质进口LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体，价格低，发货快，欢迎垂询。LISe晶体透光光谱范围：0.43-13μmLilnSe2晶体非线性系数：d31=10.6, d32=6.3 pm/V硒铟锂晶体对称性：斜方晶系，mm2的点群 LISe晶体晶胞参数：a=7.192, b=8.412, c=6.793 LilnSe2晶体SHG基频光范围： x-y, Type II, eoe：2.73 – 8.24μm x-z, Type I, ooe： 2.08 – 12.4μm y-z, Type II, oeo：2.73 – 3.07μm 　　　　　　　　y-z Type II, oeo， 7.66 – 8.24μm 总波长覆盖：2.08 – 12.4μm 硒铟锂晶体激光损伤阈值：~0.5GW/cm2 @1053 nm (t=10 ns)LilnSe2晶体在0.2的远红外吸收边透明度级别：1.24 THz at 240 μm硒铟锂晶体平行度：LISe晶体平整度：L/6 (L=546nm)LilnSe2晶体光洁度：S/D:20/10硒铟锂晶体应用：LISe晶体光学参量振荡器Optical parametric oscilator (OPO) 1 - 13 μm， with pump Ti: Sapphire laserLilnSe2晶体中红外激光2-13 μm的差频LISe晶体和硒铟锂晶体是1-13微米OPO的有效材料。我们提供欧洲生产的优质LISe晶体,LilnSe2晶体,硒铟锂晶体。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！