真空气相沉积炉

简介 本设备主要用于碳素制品的化学气相沉积增密处理，或以碳氢气体为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理及碳毡制品真空碳化其热处理。质量优越，性能稳定，价格远远低于进口同类产品。同时上海煜志良好的售后服务体系，使得该产品的整体评价远超同行业标准。主要技术参数 型号工作区尺寸D×Hmm最高温度℃温度均匀性℃冷态极限真空度Pa压升率Pa/h加热功率kWYVCVD-2030GΦ200×3001500±550325YVCVD-2540GΦ250×4001500±550340YVCVD-3050GΦ300×5001500±550355注：以上技术参数可根据工艺进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。 可根据客户要求定制！ 特色与优势 1、质量优越，双层SUS304炉体结构，中间通以冷却水，有效降低炉体表面温度，减少高温伤害，降低对环境的影响；2、采用先进的保温材料及隔热结构，导热系数低，保温效果好，即使在很高的温度下也能有效隔绝热量，节约能耗；3、能够准确控制气体流量和压力，通过特殊的导气结构和装置，大大提高产品的合格率，降低沉积时间；4、通过特殊的过滤装置，使其热解过程的碳粉几乎完全过滤，不进入真空机组，大大延长了真空机组的使用寿命；5、人性化配置，既可以手动操作，也可以实现一键智能操作；6、型式多样化，立式上开门、立式底升式、卧式侧开门，任意选择；

产品概述：系统主要由3个真空沉积室（分别沉积P、I、N结）、1个进样室、1个中央传输室、平板式电极、基片加热台、工作气路、传送机械手、抽气系统、安装机台、射频电源、甚高频电源、尾气处理装置、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途：团簇型等离子体化学气相沉积设备（PECVD），采用等离子体增强化学气相沉积技术，在光学玻璃、硅片、石英、不锈钢片等不同衬底材料上，沉积氮化硅、非晶硅、微晶硅、二氧化硅等薄膜，可以制备非晶硅、微晶硅薄膜太阳能电池器件。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm极限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数 :共有8路工作气体

概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动： 1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能； 8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；； 9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

产品概述：系统主要由真空反应室、上盖组件、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途：PECVD就是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、

产品概述：系统主要由真空反应室、上盖组件、喷淋头装置、热丝架、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。本系统具有PECVD功能和热丝CVD功能。设备用途：PECVD即是化学气相沉积法，是一种化工技术，该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物，而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程精确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域，PCEVD是等离子体增强化学气相沉积英文的各个词字母的字母。真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ400x300mm极限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定 特色参数 :设计待定

产品概述：系统由真空腔室（外延室、进样室）、样品传递机构、样品架、立式旋转靶台、基片加热台、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统、计算机控制等各部分组成。设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。真空室结构:球形前开门双室 真空室尺寸:镀膜室尺寸：Ф450mm ；进样室尺寸：Ф150x300mm极限真空度:镀膜室≤6.0E-8Pa；进样室：≤6.0E-5Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个；或φ1英寸靶材，6个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，最高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.8米x1.3米x1.9米电控描述: 部分电动控制工艺:特色参数 :配备高能电子衍射仪、氧等离子体发生器

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：100mm Dia (4 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~400°C 精度：土1°C（可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）高真空系统：高性能分子泵，支持对高真空的真空度需求控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作传片系统：手动磁力杆传片，配置专用传片腔体、门阀以及真空系统（可定制） 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

真空室结构: 球形前开门 真空室尺寸: φ450mm 极限真空度: ≤6.67E-6Pa 沉积源: φ2英寸靶材，4个 样品尺寸，温度: φ2英寸，1片，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）: 约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述: 全自动 工艺: 特色参数 : 产品概述： 系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。 设备用途： 脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当前脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用前景。

热ALD设备 AL-1无针孔薄膜沉积概要AL-1通过交替向反应室提供有机金属原料和氧化剂，仅利用表面反应沉积薄膜，实现了高膜厚控制和良好的步骤覆盖率。薄膜的厚度可以控制在原子层的数量级。此外，可以在高宽比的孔内壁上沉积覆盖性好、厚度均匀的薄膜。可同时沉积3片ø 4英寸的晶片。主要特点和优点成膜效率高　通过提供几十毫秒量级的脉冲，减少了原材料的损耗，提高了沉积效率。真空清洁，温度不均匀性小　通过紧贴反应室内壁的内壁加热器，抑制反应室的温度不均匀，可获得清洁的真空。无针孔成膜　由于多种前驱体在反应室中没有混合，因此可以防止颗粒，形成无针孔的薄膜。应用用于下一代功率器件的栅极氧化膜和钝化膜。在3D结构上形成均匀的薄膜，如MEMS。激光表面的沉积碳纳米管的钝化膜

产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。该系统可与手套箱对接。设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。真空室结构:方形前开门真空室尺寸:400×400×450mm极限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:3个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:4寸，1片，最高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

产品概述：系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。设备用途：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形前开门真空室尺寸:700x700x900mm极限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，最高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。设备用途：可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气极速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师真空室结构:圆筒形前开门真空室尺寸:φ450x400mm 极限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：200mm Dia (8 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃手套箱系统：设备集成手套箱，标准可支持双手套，单工位（可定制） 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (A,O, H1O, ZrO PrA1Q, Ta, 0s. 1a,0) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO, V,0g):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZIN, TiAIN, AITIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni) &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO,ZnSIMn, Ti0, Ta,N.) 等。 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停 控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能 真空系统 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

真空室结构:U形前开门真空室尺寸:900×900×1100mm极限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，最高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.5米x3.9米x2.1米 电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架产品概述：系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。设备用途：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。

产品概述：MOCVD金属有机源气相沉积系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。设备用途：MOCVD金属有机源气相沉积系统作为化合物半导体、超导等薄膜材料研究和生产的手段，特别是作为工业化生产的设备，有着其它半导体设备无法替代的优点。它的高质量、稳定性、重复性及多功能性越来越为人们所重视。它是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段，如激光器、发光二极管、高效太阳能电池、光电阴极等，是光电子等产业的设备真空室结构:卧室真空室尺寸:Ф400mm×300mm（L）极限真空度:10 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约4.5米x3.5米x3米（设计待定）电控描述:屏幕操作工艺:不含工艺特色参数 :

产品概述：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。设备用途：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研。真空室结构:球形结构 真空室尺寸:Ф300mm 极限真空度:≤6.67E-5Pa 沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分； 样品尺寸，温度:1英寸，最高800℃ 占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米 电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±5% 特色参数 :

真空室结构:U形前开门真空室尺寸:φ350×400mm极限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:2个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:50mmx50mm，1片，最高300℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:手动工艺:不含工艺产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。

SAL-3000Plus ALD原子层沉积系统SAL3000Plus是一款可拓展型的ALD原子层沉积系统，可通过连接STR2000转移单元，与退火设备SAN2000Plus，镀膜设备，SVE2000Plus蒸镀设备，SSP2000Plus/SSP3000Plus磁控溅射设备搭配； SAL-3000Plus SAL3000Plus+ STR2000+SAN2000Plus性能及特点：1.镀膜质量高 膜厚均匀性≤3% @ 100mm 对于内孔、凹槽与高深宽比结构具有良好的沉积均匀性； 膜厚可准确控制达一个原子层； 大面积制程可达到无孔洞薄膜（Pin Hole free） 极高的重复性及稳定性 材料缺陷密度低 可成长非晶型或结晶薄膜（选择温度）2.两种成膜方向可选 可选择将薄膜沉积在基底上表面和基底下表面，薄膜沉积在基底下表面可降低颗粒附着基底的风险。3. 可通过STR2000与其它Plus系列设备串联4.最多可搭载6路前驱体5.优异的真空性能：真空度≤5Pa6.图形用户界面，触控操作，简单易用，可存储30多种镀膜方案7.与SAL3000相比，宽度减少了40％6. 可搭配多种配件：干式真空泵，臭氧发生器，尾气处理装置，800℃基底加热器，200℃前驱体加热器等，退火设备等；

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

设备规格工艺温度：温度范围：RT~500°C （可定制）前驱体路数：支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）等离子体系统：支持4路等离子体气体（可定制）射频功率：0~1000W压力监测：双薄膜规组合（耐腐蚀)，0.005Torr - 1000Torr本底真空度：5x10-3 Torr真空系统：标准油泵控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作高温加热模块：独立的源瓶加热模块，可支持RT~200℃手套箱系统：设备集成手套箱，标准可支持双手套，单工位（可定制） 机架Cabinet &bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能真空系统&bull 真空测量采用双真空压力计组合方式，工艺数据更真实，更迅速，更精确，为工艺人员提供井真的数据采集来源，为工艺的可重复性提供了可靠的保障

侧向溅射1. 技术规格衬底温度：100℃；在4英寸衬底上沉积厚度300nm时片内厚度不均匀性(不包括5mm边) ±5%。2. 产品配置：2.1 主真空室：主真空室的内壁材料为电子级抛光，与溅射材料无任何反应；前开或者侧开式真空室；有必要的连接法兰包括泵、溅射源、气体入口、挡板、阀门、预真空室， 10cm直径的观察窗，并带有挡板。2.2预真空室：将基片从预真空室传送到主真空室的装置；安装基片的门有O型垫圈密封。2.3泵与阀门：主真空室配备20cm（8英寸）的冷泵， CTI带自动再生功能的；预真空室用分子泵，与主真空室通过阀门连接；主真空室的本底真空应该好于5×10-8τ；预真空室的本底真空好于1×10-6τ。主真空室和预真空室共用一个干泵。主真空室应配有电离压力真空计，用于低压显示， 100mτ电容压力计显示压力，热偶或其它量表用于高压显示；预真空室配有电离压力真空计，热偶或其它量表用于高压显示；所有的量表能输出和显示。2.4溅射源：具有2个射频溅射源，1个射频清洗电源，2个直流溅射电源，可自动切换至任意靶位；具有4个溅射靶位以共聚焦的方式安装，3英寸磁控靶、进气口和挡板构成；挡板用电动控制；溅射源之间有屏蔽保护，以防止靶材之间互相污染。在4英寸晶圆上溅射厚度的均匀性好于±5%（除了5mm的边缘）。2.5基片控制：系统适用于直径100mm（4英寸）及以下基片，含碎片和4英寸衬底托盘；系统可以通过简单有效的方法将基片从预真空室传送到主真空室；基片架可以用电机控制旋转，转速在0～40rpm内可精确调节；基片水冷，在连续溅射沉积金属 300nm后，基片的温度不能超过100℃；基片可以在-80°到80°范围内倾斜，控制精度优于0.5°。2.6工艺气体控制：系统能够提供3路工艺气体到溅射腔室；每路气体管线有阀门和流量计控制；系统提供电子方式控制气体的混合和系统的工艺压力；在溅射过程中系统的工艺压力可以控制在2mτ到20mτ。2.7计算机控制系统：能够控制所有的功能，具有良好的用户操作界面具有程序自动控制工艺的功能。

该系统为球形脉冲激光沉积系统（PLD）工艺研发设备。脉冲激光沉积 （Pulsed laser deposition, PLD），就是将激光聚焦于靶材上一个较小的面积，利用激光的高能量密度将部分靶材料蒸发甚至电离，使其能够脱离靶材而向基底运动，进而在基底上沉积，从而形成薄膜的一种方式。 在众多的薄膜制备方法中，脉冲激光沉积技术的应用较为广泛，可用来制备金属、半导体、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各种物质薄膜，甚至还用来制备一些难以合成的材料膜，如金刚石、立方氮化物膜等。1、环境温度：10℃～35℃2、相对湿度：不大于75%3、供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃4、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。产品名称球形脉冲激光沉积系统（PLD）安装条件1、环境温度：10℃～35℃2、相对湿度：不大于75%3、供电电源：220V、单相、50±0.5 Hz4、设备功率：小于4KW 5、供水：水压0.2MPa～0.4MPa,水温15℃～25℃，6、设备周围环境整洁，空气清洁，不应有可引起电器及其他金属件表面腐蚀或引起金属间导电的尘埃或气体存在。主要参数1、系统采用真空室为球形结构，手动前开门2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造（304），氩弧焊接，表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理3、真空腔室有效尺寸为Φ300mm,配有可视观察窗口4、极限真空度：≤6.67x10-5Pa (经烘烤除气后，采用600L/S分子泵抽气，前级采用8L/S)；系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到8.0x10-4 Pa，40分钟可达到； 停泵关机12小时后真空度：≤20Pa5、样品台：样品尺寸φ40mm，转速1-20RPM，基片台与转靶距离40～90mm6、样品加热最高加热温度：800℃，温控精度：±1°C，采用控温表进行控温7、四工位转靶：每个靶位φ40mm,挡板只露出一个靶位，激光束要求打在最上面靶位，转靶具有公转、自转功能8、真空室内设置烘烤、照明、水压报警装置9、MFC一路质量流量计控制进气 ：0-100sccm

产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。设备特点：本设备是一个镀膜平台，可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。设备用途：用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。真空室结构:方形前开门真空室尺寸:φ500x500x500mm极限真空度:≤3.0E-5Pa 沉积源:永磁靶4套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.7米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

真空室结构:方形前开门真空室尺寸:φ400x400x400mm极限真空度:≤6.6E-5Pa 沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，最高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米×1.7米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。设备用途：用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。

真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm极限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶5套，φ2英寸 样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 最高800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动工艺: 片内膜厚均匀性：≤±3%产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。设备用途：用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目

产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。设备用途：用于纳米级单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ450×350mm 极限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 最高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.5米×2米 电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

台式三维原子层沉积系统ALD原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的纳米技术，以控制方式实现纳米的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。 美国ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列台式 ALD系统，在小巧的机身（78 x56 x28 cm）中集成了原子层沉积所需的所有功能，可多容纳9片8英寸基片同时沉积。GEMStar XT全系配备热壁，结合前驱体瓶加热，管路加热，横向喷头等设计， 使温度均匀性高达99.9%，气流对温度影响减少到0.03%以下。高温度稳定度的设计不仅实现在 8英寸基体上膜厚的不均匀性小于1%，而且更适合对超高长径比的孔径结构等3D结构实现均匀薄膜覆盖，可实现对高达1500：1长径比微纳深孔内部的均匀沉积。GEMStar XT 产品特点：■ 300℃ 铝合金热壁，对流式温度控制■ 175℃ 温控150ml前驱体瓶，200℃ 控输运支管■ 可容纳多片4，6，8英寸样品同时沉积■ 可容纳1.25英寸/32mm厚度的基体■ 标准CF-40接口■ 可安装原位测量或粉末沉积模块等选件■ 等离子体辅助ALD插件■ 多种配件可供选择GEMStar XT 产品型号：GEMStar -4 XT：■ 大4英寸/100 mm基片沉积■ 单路前驱体输运支管， 4路前驱体瓶接口■ 不可升为等离子体增强ALDGEMStar -6/8 XT：■ 大6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 可升为等离子体增强ALDGEMStar -8 XT-P：■ 大8英寸/200mm基片沉积■ 双路前驱体输运支管， 8路前驱体瓶和CF-40接口■ 装备高性能ICP等离子发生器13.56 MHz 的等离子源非常紧凑，只需风冷，高运行功率达300W。■ 标配３组气流质量控制计（MFC）控制的等离子气源线，和一条MFC控制的运载气体线，使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。GEMStar NanoCUBE：* 大100 mm 立方体样品 沉积* 单路前驱体输运支管， 2路前驱体瓶接口* 主要用于3D多孔材料，以及厚样品的沉积丰富配件：多样品托盘：* 多样品夹具，样品尺寸（8", 6", 4"）向下兼容。* 多基片夹具，多同时容纳9片基片。 温控热托盘：* 可加热样品托盘，高温度500℃，可实现热盘-热壁复合加热方式。粉末沉积盘： 臭氧发生器： 真空进样器（Load Lock） 晶振测厚仪 前驱体瓶： 前驱体加热套：

快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商：韩国Ecopia RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。 性能和特点：- 温度范围：室温 ~ 1500°C - 升温速度：200°C/s - 气体混合能力(带有质量流量计) - 真空度：~10-6Torr

设备规格工艺温度：温度范围：RT~400°C 精度：土1°C（可定制）前驱体路数：支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）高真空系统：高性能分子泵，支持对高真空的真空度需求控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作传片系统：手动磁力杆传片，配置专用传片腔体、门阀以及真空系统（可定制）机架Cabinet&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能