制冷红外探测器

液氮制冷型红外探测器(IR Detectors with Dewar) ---KOLMAR TECHNOLOGIES■ KV104 Series HgCdTe Photodiodes ◆ High D* at high frequencies◆ Sizes 2.0 mm to 0.05 mm◆ Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆ Linear◆ Custom configurations available Model*Wavelength (µ m)Peak/ CutoffSize(mm)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Amps/Watt)KV104-1-A-3/1110.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/1211 /12.31 x 120M3.00E+104KV104-1-A-3/109/ 101 x 120M5.00E+104KV104-0.5-A-3/1110.5/ 11.50.5 x 0.550M3.00E+104KV104-0.25-A-1/1110.5/ 11.50.25x0.25100M3.00E+104KV104-0.1-1-E/1110.5 /11.50.1 x 0.1500M3.00E+104KV104-0.5-A-2/87.2 /80.5 x 0.530M7.00E+103KV104-1-A-7/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104KV104-1-A-5/11/TS10.5 /11.51 x 120M3.00E+104■ KLD Series Linear Response MCT Detectors ◆Linear responsivity◆High D*◆Sizes 2.0 mm to 0.5 mm◆Integral amplifier for optimum linearization◆Spectral range 2 m m to 12 m m◆Amplifiers matched for power range◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m)Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth(Hz) D*(60FOV)(Jones,typ) Responsivity(Volts/mWatt)KLD-1-J1-3/1110.5 / 11.512M4.00E+1040KLD-1-J1-3/97.6 / 8.512M6.00E+1032KLD-0.5-J1-3/10/DC9 /100.5x0.5DC - 5M8.00E+1040KLD-0.5-J1-3/11/DC10 / 11.50.5x0.5DC - 5M4.00E+1040KLD-2-J1-3/11/DC10.5 / 11.52DC - 1M4.00E+1040■ MCT Photodiodes with Integral Amplifiers◆High D* at high frequencies◆Bandwidth to 100 MHz◆Fast risetime: 3.5 ns◆Sizes 2.0 mm to 0.1 mm◆Wavelength cutoff: 11.5, 8, 4.5 &mu m◆Linear◆Custom configurations available Model *Wavelength (&mu m )Peak / CutoffSize(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones,typ)Responsivity(Volts/mWatt)KMPV11-1-J1/AC10.5 / 11.51100-20M3.00E+1040KMPV11-1-J1/DC10.5/ 11.51DC - 20M3.00E+1040KMPV11-1-J210.5/ 11.51100-20M DC - 20M3.00E+1040DC + 80ACKMPV8-0.5-J2/50 7.2 / 80.5 x 0.5100-50M DC - 50M6.00E+1016DC + 32ACKMPV8-0.5-J1/DC50 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 50M6.00E+1016KMPV11-0.5-J1/DC10.5 / 11.50.5 x 0.5DC - 20M3.00E+1040KMPV8-0.5-J1/DC 7.2 / 80.5 x 0.5DC - 20M6.00E+1040KMPV11-0.1-J1/DC100 10.1 / 110.1 x 0.1DC - 100M2.00E+1016■ Series KISD InSb Photodiodes◆With or without integral low noise amplifiers◆Fast rise times: 25 ns, 7 ns◆Linear response with power◆High detectivity◆Custom configurations availableModel*Size(mm dia.)Bandwidth (Hz)AC DCD*(60FOV)(Jones, typ)Responsivitynominal KISD-1-A-61　1.50E+113 A/WKISD -2-A-62　1.50E+113 A/WKISD-0.5-A-60.5　1.50E+113 A/WKISDP-1-J1/AC1100-15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J1/DC1 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J21100-15M , 15M1.50E+113 x 104 V/WKISDP-1-J2/E51100-1.5M , 1.5M1.50E+113 x 105 V/WKISDP-1-J2/E61100-200k, 200k1.50E+113 x 106 V/WKISDP-1-J1/E61 200k1.50E+113 x 106 V/W

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

InfraRed Associates K508 制冷红外探测器InfraRed Associates公司成立于1976年，多年来公司致力于各种红外探测器的研制开发，可以提供制冷的InSb探测器，液氮制冷/斯特林制冷和热电制冷的HgCdTe探测器，以及非制冷的HgCdTe外探测器。InfraRed Associates可以根据客户的要求,定制满足客户要求的产品，有多种标准的碲镉汞和锑化铟红外探测器，以及覆盖的波长范围从1到25微米的定制器件。此外，也提供从2至128个元素的多元件阵列。InSb/碲镉汞双色红外检测器，用于商业和军事应用。这些检测器可以成为不同红外光谱但相邻区域相应。典型应用：辐射测量，热成像，背景区分，FTIR光谱和红外显微镜InfraRed Associates的独特结构允许两个元件在相同的焦点上。InSb/HgCdTe二色检测器居庸InSb原件特性，能对1um至5.5um范围相应。用于MCT(HgCdTe)探测器的前置放大器MCT-1000是专门设计，用于光导碲镉汞探测器上使用。再加上精确恒定电压偏置的低噪音和高增益方面，提供了HgCdTe探测器一种理想的补充。MCT-1000前置放大器提供了MCT探测器所有需要的操作接口电路。不需要外部偏置和负债电阻。

总览HOT T2SL VOCs冷却红外探测器是一种长寿命冷却探测器，包括T2SL和HOT技术。与普通冷却探测器相比，T2SL HOT冷却寿命可延长几乎两倍。但探测器的售价可以降低。长寿命制冷型VOCs气体探测器,长寿命制冷型VOCs气体探测器通用参数产品特点：优秀的HOT MWIR T2SL技术高灵敏度，高性能低功耗，小型260g（微型版）320x256分辨率，30µ m螺距（T3Mm-330H）640X512分辨率，1 Sµ m螺距（T6Mm-330H）制冷机使用寿命两年技术参数规格版本小型( SWaP )版本标准版本型号T3Mm-330HT6Mm-330HT3M-330HT6M-330H分辨率320X256640X512320X256640X512像素间距30µ m1 5µ m30µ m15µ m光谱响应范围3.2µ m -3.5µ m稳态功耗≤4w≤5w≤6w≤8w探测类型HOT MWIR T2SLNEDT(噪声等效温差)≤15mk≤20mk≤15mk≤20mk可操作性99%冷却方式斯特林冷却器电源12VDC/24VDC冷却时间5 min.重量 260g 550g帧频50HzF数F/1.2（配3.3μm 冷屏滤光片），其他F#也可用尺寸（mm）76x39x57.5mm137x70X60mm工作温度-40- +60 ° C存储温度-50- +70 ° C 电压冷却OGI探测器用电子板：电子板选择表代理板显示板电源板XB-AXB-BVBPWBTCQ-1 voes冷却OGI探测器镜头镜头的选择表 参数指标参数指标焦距35mm焦距55mm光圈1.2光圈2.0水平视场15.6°水平视场10°垂直视场12.5°垂直视场7.5°波长范围3.0-3.6 µ m波长范围3.0-5.0 µ m 对于其他气体类型：窄带滤光片典型的可检测气体类型3.3µ m甲烷丁烷，辛烷，二甲苯，苯，丙烯和其他voes气体4.3µ m二氧化碳（CO2）和其他气体4.6µ m一氧化碳（CO）和其他气体6.1µ m氮氧化物（NOx）和其他气体8.3µ m氟烷、制冷剂和其他气体10.55µ m六氟化硫（SF6）、氨（NH3）、溴甲烷和其他气体

PyLoN-IR系列线阵型液氮制冷近红外探测器PyLon-IR InGaAs 线阵型探测器是高性能，近红外光谱探测的理想选择。PyLon-IR有两种型号，光谱响应可覆盖800到2200纳米的范围。分别为800nm-1.7μm和1μm -2.2μm。InGaAs 线阵型探测器拥有16位模数转换器以提供杰出的灵敏度，zui快的采谱速度(可达6600条谱线/秒)，zui低的系统读出噪声，软件可选的高灵敏度和高信噪比前置放大器。典型的应用包括近红外拉曼光谱，红外发射/吸收光谱。-100°C深度制冷最小化暗噪声以满足长时间曝光的要求。应用• 近红外拉曼光谱• 光致发光• 量子点荧光测试优势• zui低的读出噪音和zui高的灵敏度以及zui大的动态响应范围。 • 光谱采集速率zui高可达6600条光谱/秒 (2MHz ADC rate & 8MHz pixel scan rate)。• du有的-100°C的低温制冷为您带来业界zui低的暗电流和满足您实验长时间曝光的要求，超低温可以极大的降低暗背景对信号产生的影响• GigE 高速介面，随插即用，并用于50m远程操作的光纤介面。• Indium金属封装可使杜瓦瓶真空度维持更久。• PyLoN-IR du有的低温屏蔽设计可使环境热辐射和反射光最小化，大大降低背景噪音。型号PyLoN-IR:1024-1.7PyLoN-IR:1024 - 2.2光谱范围0.8 - 1.7 um1.0 - 2.2 um分辨率1024 x 1 pixels1024 x 1 pixels阵列尺寸25 x 500 um25 x 250 um峰值(QE)88%70%读出噪声Low gain : 5000 e-High gain: 400 e-Low gain : 8000 e-High gain: 650 e-暗电流Low gain : 2.3 Ke-/p/sHigh gain: 3.2 Ke-/p/sLow gain : 1.2 Me-/p/sHigh gain: 1.5 Me-/p/s

主要特点：◆ InGaAs有效象元数256和512可选◆ 象元尺寸：50µ m× 500µ m◆ 象元间距：50µ m◆ 芯片采用TE制冷方式◆ 制冷温度：5℃（在24℃室温环境下）◆ 14bit USB传输接口或12bit PCI卡传输接口◆ 坏点校正功能◆ 可提供控制软件及二次开发控件包◆ 可提供LabView驱动 InGaAs线阵探测器主要技术规格表　IRA- 256IRA- 512光谱响应范围(nm)800-1700800-1700象元尺寸(&mu m)50× 50050× 500阵列长度(mm)12.825.6坏点无6 (无相邻坏点)　高灵敏度模式高动态范围模式高灵敏度模式高动态范围模式满阱容量(e, 典型值)5× 106130× 1065× 106130× 106读出噪声(e, rms, 典型值)80010k80010k动态范围6.25× 10313× 1036.25× 10313× 103暗信号(e/s, rms, 典型值）190k182.2k190k182.2k1s暗噪声(e, rms, 典型值）436426436426积分时间(s)0.01-100.01-10模拟输出信号范围(V)0-100-10芯片工作温度(℃，室温下)＋5＋5实时模式采谱速度(spectra/s) 20 20A/D转换USB 14 bit, PCI 12 bitUSB 14 bit, PCI 12 bit InGaAs线阵探测器选型表InGaAs线阵探测器　256象元数512象元数　光谱适用范围800-1700nm800-1700nmIRA-USBUSB 14bitD7282D7286IRA-PCIPCI 12bitD7283D7287【配置说明】：配置中已包含制冷型线阵探测器，数据线，温控器，电源以及 D7401 SpectraArray基本版软件软件选项D7404SpectraSolveAdvanced spectroscopic applications software for WindowsD7421OEM Developers kitWith C++ and VC++ examplesD7422LabView driversWith Vis (virtual instruments) for LabView Version 5 or laterInGaAs线阵探测器尺寸图

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！制冷型单光子PMT探测器PMA Hybrid系列 混合式光电倍增管模块制冷型单光子PMT探测器Hybrid系列是一种紧凑型单光子探测器，它内含来自滨松的R10467型快速混合型光电倍增管，以及珀尔帖制冷模块用于降低暗计数。该产品拥有两个信号输出端口，一个负电平的NIM信号输出端口，用于计时和计数。另一个模拟信号输出端口，电平值为正值，可以连接到诸如模数转换器等设备上。探测器由高压供电模块，带有过载保护的前置放大器，和一个过曝保护快门组成。 特点：计时分辨率最低50 ps(FWHM，根据阴极情况而定)探测效率最高45%(根据阴极情况而定)自动过载保护感应区域直径最大可达6 mm超低后脉冲效应模拟信号输出端口，输出正电平信号-07和-42型号，探测波长范围220 nm到870 nm，探测效率最高25%应用：单光子PMT探测器Hybrid系列拥有较大的感光面积，高探测效率，以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光相关光谱(FCS)荧光寿命相关光谱(FLCS)荧光共振能量转移(FRET)超分辨显微(STED)双聚焦荧光相关光谱(2fFCS)脉冲交错激发(PIE)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：电学参数阴极型号-06-07-40-40 mod-42-50探测波长范围220 nm -650 nm220 nm -850 nm300 nm -720 nm300 nm -720 nm300 nm -870 nm380 nm -890 nm暗计数 (制冷后的典型值) 7 cps 90 cps 80 cps 4000 cps 110 cps 250 cps渡越时间宽度 (FWHM典型值) 50 ps 50 ps 120 ps 120 ps 130 ps 160 ps过载保护阈值连续光模式下80 MHz, 其他情况下更低单电子响应时间 (典型值)600 ps输出信号上升/下降沿宽度(典型值)400 ps输出信号(数字)接口类型SMA母头阻抗50 Ohms极性负信号输出(模拟)接口类型SMA母头阻抗 1000 Ohms极性正最大输出电压+10 V (50 Mcps计数率)放大器时间常量20 µ s能耗输入12 V DC最大电流0.8 A其他感应区域直径6 mm6 mm3 mm5 mm3 mm3 mm外壳尺寸(w × d × h)60 × 175.3 × 114.5 mm光学接口C-mount单光子PMT探测器PMA Hybrid系列典型探测效率曲线图：

红外探测器 探测灵敏度在高于1μm波长的探测器。认真选择材料组合，可以实现多种类型，涵盖宽光谱范围。欢迎您登陆滨松中国全新中文网站 查看该产品更多详细信息！热电堆探测器 为了满足多种应用的需求，我们的产品涵盖了单象元型、多象元型以及线阵、面阵型等多种类型。硫化铅光导探测器 硫化铅光导探测器是一种光谱响应范围在1到3.2 um波段的红外探测器。这种探测器可以在室温下应用于多种领域，比如辐射热度计和火焰监控器硒化铅光导探测器 硒化铅光导探测器光导探测器是一种光谱范围在1.5到5.2 um的红外探测器。这种探测器在室温下具有高灵敏度和高速响应特性。我公司还提供制冷类型，具有更高的信噪比，广泛应用于分析仪器、辐射热计和其他精密光度测定产品中。砷化铟光伏探测器 砷化铟光伏探测器是一种高速、低噪声的红外探测器，可以探测波长达约3.5 um的红外光。铟砷锑光伏探测器 铟砷锑光伏探测器使用了我公司独特的晶体生长技术，在 5 um波段具有高灵敏度。锑化铟光导探测器 热电制冷锑化铟光导探测器能够高灵敏、高速探测6 um左右的红外光。锑化铟光伏探测器 锑化铟光伏探测器是一种高度、低噪声红外探测器，在 3 um和5 um大气窗口波段具有高灵敏度。它可以在以峰值灵敏度和高速响应探测 5 um波段红外光。有两种制冷类型：液氮金属杜瓦型制冷和无需液氮的斯特林制冷型。碲镉汞光导探测器 碲镉汞光导探测器是一种在红外光照射下电阻变小的传感器，光谱范围分散在2到22 um之间。碲镉汞光伏探测器 碲镉汞光伏探测器在红外光找射线会产生光电流。宽光谱（双色）探测器 这种探测器将两种不同光传感器结合使用，沿着统一光轴，一个传感器安装在另一个传感器上方。该种探测器光谱范围宽，为两个光传感器所涵盖的光谱范围。光子牵引探测器 由于其在10.6um波段的灵敏性，光子牵引探测器是探测CO2激光的理想选择。铟镓砷探测器 铟镓砷光电二极管在宽光谱范围上都具有灵敏度，可制成图像传感器、线阵面阵以及光电二极管—放大器组合器件等。

仪器简介：锗红外探测器，覆盖光谱范围800nm-1800nm，不同探测面积及制冷温度可选，包括非制冷、半导体制冷及液氮制冷技术参数：Model Number Active Size Shunt Resist. Dark Current Max. Reverse Volt. Typical Capacitance Cutoff Freq. (dia.) RD@ VR = 10mV ID@ Max. VR 　 NEP@ lpeak CD @ Max. VR 　 　 　 　 　 　 and 300Hz @ VR = 0V and RL = 50W 　 (KW) (µ A) VR 　 　 　 　 (mm) Min. Typ. Typ. Max. (V) (pW/Hz1/2) (nF) (MHz) LOW CAPACITANCE OPTION ("HS") J16-18A-R250U-HS 0.25 400 600 0.1 3 10 0.15 0.02 400 J16-18A-R500U-HS 0.5 200 300 0.3 5 10 0.2 0.03 250 J16-18A-R01M-HS 1 100 200 1 5 10 0.3 0.15 50 J16-5SP-R02M-HS 2 25 50 4 10 5 0.6 0.6 12 J16-5SP-R03M-HS 3 15 30 7 20 5 0.8 1 8 J16-8SP-R05M-HS 5 10 15 10 40 5 1 3 2.5 J16-P1-R10M-HS 10 1 2 100 400 2 4 12 0.6 HIGH SHUNT RESISTANCE OPTION ("SC") J16-18A-R250U-SC 0.25 1400 2400 0.03 0.05 0.25 0.1 0.14 40 J16-18A-R500U-SC 0.5 700 1200 0.05 0.1 0.25 0.1 0.5 10 J16-18A-R01M-SC 1 250 350 0.1 0.2 0.25 0.2 2 2 J16-5SP-R02M-SC 2 80 120 0.2 1 0.25 0.4 8 0.5 J16-5SP-R03M-SC 3 35 60 0.5 5 0.25 0.6 14 0.2 J16-8SP-R05M-SC 5 14 20 1.5 10 0.25 1 36 0.1 J16-P1-R10M-SC 10 3 5 25 50 0.25 2 120 0.03 J16-P1-R13M-SC 13 1.5 2.5 50 100 0.25 3 200 0.02 STANDARD J16-18A-R01M 1 100 200 1 5 5 0.3 1 15 J16-5SP-R02M 2 25 50 4 10 5 0.6 4 4 J16-5SP-R03M 3 15 30 7 30 5 0.8 7 2 J16-8SP-R05M 5 10 15 15 50 5 1.4 18 0.8 J16-P1-R10M 10 1 2 100 400 2 3 60 0.1 J16-P1-R13M 13 0.5 1 250 800 2 4.5 100 0.07主要特点：在选择探测器时，主要考虑制冷温度以及探测面积两个主要因素： 1.制冷功能会降低暗噪声，但同时会造成阻抗的增加 2.较大探测面积会减小阻抗，但会增加暗噪声 对于低噪声要求比较苛刻的应用，可以选择小面积的探测器，同时为了增加感光的灵敏度，最好能够增加光学聚焦系统，用于光信号的收集。 除了以下常规温度的锗红外探测器，还可以提供标准半导体TE或液氮制冷的标准产品。

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如： HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

前置放大制冷一体型碲镉汞（MCT）光电探测器HPPD-M-B海尔欣产品优势&bull 半导体冷却型碲镉汞红外光电探测器；&bull 对2~12 um的中红外光谱波段光波敏感；&bull 内部一体化集成低噪声前置运放+TEC控制单元；&bull TEC热电冷却稳定 -80℃-40℃，极大地降低了热噪声；&bull 高性价比，提供高速频率带宽定制服务。前置放大制冷一体型碲镉汞（MCT）光电探测器HPPD-M-B海尔欣产品参数前置放大制冷一体型碲镉汞（MCT）光电探测器HPPD-M-B海尔欣产品结构尺寸图(单位: mm)

高速碲镉汞（MCT）制冷型光电探测器HFPD-M-B海尔欣产品简介 MCT 红外探测器是一种HgCdTe（碲镉汞，MCT）材料制备的高灵敏度光电探测器，这种材料对2~12um的中红外光谱波段光波敏感。该探测器可以是直流或交流耦合输出。探测器与前置放大电路，半导体热电冷却器（TEC）控制器高度集成，通过反馈电路将探测器元件的温度控制在负四十摄氏度以下，从而将热噪声对输出信号的影响减小。探测器外壳采用全铝合金材料，既可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。高速碲镉汞（MCT）制冷型光电探测器HFPD-M-B海尔欣参数指标注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同高速碲镉汞（MCT）制冷型光电探测器HFPD-M-B海尔欣技术参数例如：HFPD-B-08-10-10K 该探测器规格为：一个感光面为1.0 mm2,截止波长为8um，前置放大器为交流耦合，增益为10K的集成TEC制冷驱动的MCT探测器 注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。

InSb中红外探测器基于锑化铟单晶制成的中红外光伏探测器（液氮制冷型）波长范围：1-5.5um典型光谱响应曲线InSb中红外探测器型号及主要参数型号有效区域面积 (mm)D*(cmHz1/2W-1)响应度(λp)电阻(Rd)(Ω)电容 (Cd)(pF)短路电流 Isc (µ A开路电压 Vcc (mV)工作温度.(K)标准封装.（制冷设备）标准窗口IS-0.25OD0.25/.25x.25 1.0E11 3 A/W1000K700.980to12577MSL-8MSL-12orMDL-8MDL-12蓝宝石IS-0.5OD.5/.5x.5500K1002IS-1.0OD1/1x1300K3508IS-2.0OD2/2x2100K150030备注：MSL-8侧视金属杜瓦瓶——8小时保温时间 MSL-12侧视金属杜瓦瓶——12小时保温时间MDL-8俯视金属杜瓦瓶——8小时保温时间 MDL-12俯视金属杜瓦瓶——12小时保温时间匹配前置放大器INSB-1000是专门为使用光伏铟锑探测器而设计的。低噪声和高增益方面，加上零伏偏置，为InSb探测器的使用提供了理想的补充。INSB-1000前置放大器为InSb探测器提供了所需的所有接口电路。不需要外部偏置或负载电阻器。前置放大器受检测器噪声限制。InSb探测器通过通常随探测器提供的SMA-BNC电缆连接到输入BNC连接器。需要具有至少100mA输出的正极和负极15伏直流电源。电气带宽在内部设置为1.5HZ至150KHz。还提供其他带宽（Max 5MHz）。 可调增益提供可变的信号幅度，通常为5到100倍。InSb中红外探测器主要应用医用热成像 热成像 红外光谱学 放射测量学 IR显微镜等更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

QE60%超导纳米线单光子 探测器量子效率60%,低暗计数10cps,高计数率70MHz，只要有制冷腔，就能轻松安装 俄罗斯Scontel 蕞新推出的超导纳米线单光子探测器，只要有制冷腔，就能轻松安装,并且价格低廉，但是功能毫不差劲。其在600nm-2300nm内达到量子效率60%，暗计数10cps，同时计数率高达70MHz，是目前市场上性能优良的超导纳米线单光子探测器的。此型号超导纳米线单光子探测器可提供蕞多16通道同时运行，针对不同应用提供匹配的产品，可多通道同时探测及低成本升级，且可以根据您的不同需求我们不仅有如下图中探测性能的设备，还有多模大面积探测器、超低噪声探测器、光子数分辨探测器供您选择。超导纳米线单光子探测器主要特点：&bull 超高性价比，有制冷腔的选择&bull 针对不同应用提供匹配的产品 &bull 可多通道同时探测及低成本升级 &bull 产品安装/培训/升级全程服务超导纳米线单光子探测器技术指标： 根据需求不同我们可提供以下探测性能的搭配也可根据您的参数要求进行定制：高效检测(HED) -高系统效率和时间分辨率、低噪声、中等带宽的蕞佳组合。 超高效检测(U-HED) -改进的HED版本，运行温度更低，因此在所有参数方面具有更好的综合性能。 宽带宽检测（Broadband）-虽系统效率略有下降。但优化的光学腔增加了带宽低噪声检测（Low noise）-应用可变滤波技术将设备的暗计数率降低到每秒10次,探测器的光谱响应窄得多。超导纳米线单光子探测器应用领域：&bull 量子计算 &bull 光子相关性测量&bull 量子密码和QKD&bull cmos 缺陷分析&bull α，β粒子探测&bull tcspc &bull 单分子荧光光谱&bull 弹道成像&bull 单等离子体检测&bull 自由空间通信&bull LIDAR&bull 时间分辨荧光测量&bull 单量子点荧光光谱&bull 量子光学 &bull 单线态/三线态氧荧光探测&bull 皮秒集成电路分析关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

TRAL红外探测器通用测试系统用于测量在700nm到16000nm宽光谱范围内敏感的离散（或小型线性阵列）红外探测器（NIR/SWIR/MWIR/LWIR探测器或宽带探测器）的参数。可测试的红外探测器包括：光子探测器：光伏/光电导、冷却/非制冷、热辐射探测器、热电探测器等。在辐射配置中，TRAL系统使用调制光束照射被测红外探测器。探测器产生与入射红外辐射功率成正比的输出电信号。通过分析被测探测器的输出电信号和辐射功率，得到所需参数。 在光谱配置中，TRAL系统使用可变波长、可变强度辐照被测探测器。过对被测探测器输出电信号的分析，可以确定其相对光谱灵敏度。测试功能：1.辐射参数：黑体响应度，响应度，黑体探测率，归一化探测率，NEP，暗电流，量子效率。2.光谱参数：相对光谱响应3.空间参数：调制传递函数MTF和非均匀性。

仪器简介：薄膜热释电探测器主要用锆钛酸铅铁电薄膜（PZT film）作为光电转换元件，其厚度仅为1um，构成一个微型的光电系统，其产生的电流通过两个电极搜集起来。 这种探测器具有以下特点： 薄膜热释电探测器带给用户的好处灵敏度高，辐射灵敏度可到106 V/W，D*可以达到1× 109，远远高于其他热释电传感器可用来检测更为微弱的信号，提升产品的档次，增强竞争力，降低生产成本噪声低且随着温度升高，噪声依然可以维持在较低水平 提高用户系统的信噪比，大幅降低温度对系统的影响频率特性好，响应速度快，可达5ms (200Hz)提高用户系统的响应速度熔点高，约600℃，耐高温 无需额外的恒温系统及探测器保护装置，大大提高产品在复杂环境下工作的稳定性探测器的面积可选的范围很宽，从150um× 150um到3mm× 2mm，封装形式多样化用户有更多选择，系统设计更加灵活光谱响应范围从1.2um-20um根据不同应用，客户可选择装配有滤光片的探测器，用于气体检测或光谱分析应用中技术参数：薄膜热释电探测器主要用锆钛酸铅铁电薄膜（PZT film）作为光电转换元件，其厚度仅为1um，构成一个微型的光电系统，其产生的电流通过两个电极搜集起来。 红外光谱1.线阵列型探测器+线性变化红外滤光片(Linear Variable Filter) 目前可提供的标准的线阵探测器包括：128× 1，128× 2，512× 1。红外滤光片的波长范围有近红外1.3-3.2um和中远红外2-20um两种，根据不同应用，选择相应波长范围的LVF滤光片，可直接得到光谱信息。 2. 单点探测器 此种探测器主要是针对FT-IR光谱仪。提供不同感光面积的单点探测器，根据客户需求，可选配适当的红外滤光片，滤光片的波长范围：2-20um。气体检测 感光面D*NoiseFrequencyResponsivity1mm× 1mm~3.5 x 108 cm&radic Hz/ W @10Hz~ 0.4mV&radic Hz/W1-30Hz ~150,000 V/ W @500K, 10Hz 火灾预警，行为监控及客流量计数 与传统的红外发射、接受的方式相比，如果选择合适焦距的红外镜头，配合不同阵列的红外探测器，不仅能够直接捕捉到由被测物体发射的红外信号（去掉了发射这一步骤），还能够获得包括空间位置等更详细的信息，有助于后续的分析系统作出正确的判断，降低误判率。 主要特点：红外光谱 与FT-IR光谱领域常用的DTGS探测器相比，产品具有以下特点： 薄膜热释电探测器带给用户的好处价格低, 各波段的辐射灵敏度相对DTGS探测器更平坦降低用户的成本的同时不降低性能，有效提高了性价比固态的探测器，不需要额外加光窗 降低用户系统复杂性高居里点（500℃），低颤噪声（microphonics），性能稳定，受温度上升的影响小，不需要额外加制冷 提高用户系统的稳定性，降低系统复杂性灵敏度D*为1× 108@500k,1000Hz；响应度可达到10,000V/W；频率响应范围到3.3kHz很好的灵敏度可在探测器前面加Lens，以收集更多的光提高信噪比 可更加客户应用的要求，调整探测器的参数，以达到最佳的性能系统性能进一步提升气体检测目前，针对气体检测领域可以提供薄膜热释电传感器，包括单通道、双通道和四通道的气体传感器。由于这种探测器具有低功耗，探头小巧，灵敏度高，性能稳定，频率响应快等优势，可广泛应用于红外气体检测领域，可用来也制作气体分析仪（含便携式），如检测CO2、CO、CH4、H2S、碳氢化合物、氮氧化合物等。火灾预警，行为监控及客流量计数与传统的红外发射、接受的方式相比，如果选择合适焦距的红外镜头，配合不同阵列的红外探测器，不仅能够直接捕捉到由被测物体发射的红外信号（去掉了发射这一步骤），还能够获得包括空间位置等更详细的信息，有助于后续的分析系统作出正确的判断，降低误判率。

PhaseTech 中红外探测器 2DMCTPhaseTech 中红外探测器 2DMCT是用于中红外的下一代碲化汞镉（MCT）探测器。具有128×128像素、高灵敏度和极低噪声的电子器件。PhaseTech 中红外探测器 2DMCT功能和特点：&bull 16384个高品质MCT像素&bull 非常低的暗噪声&bull 杜瓦温度读数&bull QuickShape快速扫描电子设备&bull 控制软件和LabVIEWTM驱动程序PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要应用：&bull 瞬态红外光谱&bull 二维红外光谱&bull 中红外成像&bull 二维红外成像PhaseTech 中红外探测器 2DMCT主要参数：像素128×128或64×64光谱范围2-12.3µ m像素尺寸40 x 40µ m最大全帧速率1.5 kHz最大窗口帧速率4 kHz（请联系PhaseTech了解更高的帧速率）比检测率（D*）4 x 1011 cm Hz1/2 W-1垂直分辨率14位动态范围~1300:1典型的暗噪声（1σ）*10次计数，超过1000次近似尺寸8.5 x 4 x 10.2英寸（21.6 x 10.2 x 25.9厘米） 低噪声中红外探测器 2DMCT是一种非常低噪声的探测器更好的激光器意味着探测器的噪声很重要典型的暗噪声小于10个计数（1000次拍摄时为1σ）垂直装仓进一步降低噪音 漂亮的测试数据高分辨率、高质量的光谱与传统探测器相比，信噪比相似或更好 覆盖面广2至12.3微米的良好灵敏度 尺寸小采集电子设备的尺寸只有几英寸，直接连接到探测器上直接连接意味着更少的电子噪音 特殊优势可编程偏移使其易于根据不同的信号强度进行调整内置杜瓦瓶温度读数消除了对液氮水平的担忧 软件友好用于设置、控制和采集的用户友好型软件包括偏移、设置感兴趣的区域、显示各种切片LabViewTM驱动程序，可轻松整合到现有代码中 PT_2DMCT_Datasheet.pdf

PhaseTech JackHammer 中频红外探测器PhaseTech JackHammer 中频红外探测器是一种用于高重复率中红外激光系统的强大检测系统，能够以非常低的噪声在高达100kHz的频率下进行炮对炮采集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器非常适合中红外瞬态吸收、泵浦探针和二维红外实验中的高信噪比数据收集。PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要参数：波长范围~3-10μm（1000-3333 1/cm）源激光重复率≤100 kHz像素数32-128外部通道每32个像素1个数字分辨率16位（65536计数）有效动态范围典型值。10000比1暗噪声（标准偏差）。6个计数PhaseTech JackHammer 中频红外探测器功能和特点：&bull shot to shot采集模式&bull 平均片上采集模式&bull LabViewTM控制和采集VI&bull 噪音极低&bull 外部通道采集&bull USB连接PhaseTech JackHammer 中频红外探测器主要应用：&bull 时间分辨红外光谱&bull 2D红外光谱&bull 2D电子红外光谱 超低噪音暗噪声比激光噪声低一个数量级。典型的暗噪声约为6次计数（标准偏差超过500次） 可与现有MCT探测器一起使用JackHammer 可与旧的MCT阵列配合使用-升级您的旧探测器，使其与新的100kHz激光器配合使用。 专为超快而设计JackHammer的电路设计由苏黎世大学的Peter Hamm教授博士开发。哈姆教授拥有数十年设计超快实验采集系统的经验。PT_JackHammer_100kHz_Datasheet.pdf

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

中红外(MIR)超导单光子探测器所属类别： ? 探测器/光子计数器 ? 单光子计数器 所属品牌：俄罗斯Scontel公司 产品简介中红外超导纳米线单光子探测器 中红外超导单光子探测器 ----覆盖光谱响应范围超过2.5um，探测效率5%,是中红外微弱光探测的理想工具！ 俄罗斯SCONTEL公司作为世界先进的超导单光子探测器制造商，其开发出的中红外超导纳米线单光子探测器彻底颠覆了常规超导单光子探测器的技术指标，zui大光谱范围可覆盖2.5um，探测效率5%,是中红外微弱光单光子探测及单光子计数的理想选择。 中红外单光子探测器，超导单光子探测器， SSPD， 超导单光子计数器， 俄罗斯Scontel公司, Superconducting Nanotechnology，红外单光子计数器，高灵敏度单光子计数器；超导纳米线单光子探测器，SNSPD，超导纳米线，低温超导单光子探测器 超导纳米线单光子探测器应用： 超导纳米线单光子探测器技术优势：光量子计算 超宽探测范围：600nm~2500nm光子相关性测量 高探测效率： 5%@2um量子密码 超低暗计数：700/s自由空间通信 高探测频率：50MHz激光雷达 超高时间分辨率：50ps时间分辨荧光寿命测量 死时间：20ns单量子点/单分子荧光特性 无后脉冲皮秒级集成电路检测分析 1~4通道可选光学断层摄影 全程服务支持 中红外超导纳米线单光子探测器的冷却系统有两种类型: a.外接低温液氦杜瓦瓶 b.闭合循环冷藏室 相关产品 超高量子效率超导单光子探测器（65%@500~1700nm） 纠缠光子对发生器(纠缠光子源) 超导单光子探测器（SSPD） 400~1700nm 时间相关单光子计数器（TCSPC）

仪器简介：铟镓砷探测器 工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性技术参数：铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性，不同型号对应的截止波长分别为1.9um,2.2um,2.4um,2.6um。主要特点：铟镓砷探测器针对性能要求比较高的应用，我们提供热电制冷模块配合探测器使用，从一级制冷到四级制冷模块都可选择。产品主要应用： 1.气体分析 2.近红外FTIR 3. 近红外荧光光谱 4. 血液分析 5.光通讯 6.光功率测量

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器介绍 HORIBA科学仪器部InGaAs阵列探测器，是近红外NIR弱信号探测的理想选择，拥有可以测量到0.8-1.7&mu m和1-2.2&mu m的两种类型，制冷可以采用TE制冷或者液氮制冷的方式。可以与HORIBA Jobin Yvon光谱仪完美结合，为近红外光谱提供高灵敏度探测。 主要特点：1、 液氮制冷：可制冷到-103℃以降低暗噪声；2、 高信号线性度：在整个动态范围内均可以获得高准确性的数据；3、 采集模式可选：通过软件可选择高灵敏度模式和高动态范围模式，以优化探测器获得好的信噪比；4、 灵活的软件选择：与功能强大的SynerJY 软件连接，可进行探测器和光谱仪的控制和数据采集。对更多的定制实验，可与软件开发工具包（SDK）或者LabVIEW VIs结合，对探测器和测量过程各个方面的完全控制。 规格芯片规格像素尺寸光谱范围制冷方式512x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃TE制冷512x150&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃TE制冷1024x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃TE制冷512x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃液氮制冷512x150&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃液氮制冷1024x125&mu m x 500&mu m800-1700nm@25℃液氮制冷512x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃TE制冷512x150&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃TE制冷1024x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃TE制冷512x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃液氮制冷512x150&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃液氮制冷1024x125&mu m x 250&mu m1000-2200nm@25℃液氮制冷

仪器简介：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。技术参数：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）型号/参数 DMCT12-De01 DMCT14-De01 DMCT16-De01 DMCT22-De01 DMCT12-HS光敏面尺寸(mm) 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1 1× 1波长范围(&mu m) 2-12 2-14 2-16 2-22 2-12峰值响应度(V/W) 3x103 1x103 900 150 4x104响应时间(ns) 　 　 　 　 25D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1,最小值 3 x 1010 3 x 1010 2.5 x 1010 5 x 109 3 x 1010前置放大器 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 ZPA-101 集成信号输出模式 电压 电压 电压 电压 电压输出信号极性 正（P） 正（P） 正（P） 正（P） 正（P）主要特点：■ 碲镉汞探测器（HgCdTe）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：2~22&mu m。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS两种类型，其中：◆ DMCT(x)-De为液氮制冷型，x-12/ 14/ 16/ 22，四种截止波长可选，适合一般测量，须选配前置放大器；◆ DMCT12-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于50ns；◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接。

仪器简介：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为1um-3.8um。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。技术参数：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为 1um-3.8um。不同于常规的光导型探测器，砷化铟为光伏型，不需要偏置电流主要特点：砷化铟探测器适用于直流或低频应用。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。主要应用包括： 激光预警 在线控制监测 温度传感器 脉冲激光监测 红外光谱 功率计