真空电镀设备

作为半导体制造与先进晶圆级封装领域中领先的设备供应商，盛美半导体设备8月31日发布了新产品——Ultra ECP GIII电镀设备，以支持化合物半导体(SiC, GaN)和砷化镓(GaAs) 晶圆级封装。该系列设备还能将金（Au）镀到背面深孔工艺中，具有更好的均匀性和台阶覆盖率。Ultra ECP GIII还配备了全自动平台，支持6英寸平边和V型槽晶圆的批量工艺，同时结合了盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术，可实现最佳性能。盛美半导体设备董事长王晖表示:“随着电动汽车、5G通信、RF和AI应用的强劲需求，化合物半导体市场正在蓬勃发展。一直以来，化合物半导体制造工艺的自动化水平有限，并且受到产量的限制。此外，大多数电镀工艺均采用均匀性较差的垂直式电镀设备进行。盛美新研发的Ultra ECP GIII水平式电镀设备克服了这两个困难，以满足化合物半导体不断提升的产量和先进性能需求。”盛美的Ultra ECP GIII设备通过两项技术来实现性能优势：盛美半导体的第二阳极和高速栅板技术。第二阳极技术可通过有效调整晶圆级电镀性能，克服电场分布差异造成的问题，以实现卓越的均匀性控制。它可以应用于优化晶圆边缘区域图形和V型槽区域，并实现3%以内的电镀均匀性。盛美的高速栅板技术可达到更强的搅拌效果，以强化传质，从而显著改善深孔工艺中的台阶覆盖率，同时提升的步骤覆盖率可降低金薄膜厚度，从而为客户节约成本。盛美半导体的Ultra ECP GIII已取得来自中国化合物半导体制造商的两个订单。第一台订单设备采用第二阳极技术的铜-镍-锡-镀银模块，且集成真空预湿腔体和后道清洗腔体，应用于晶圆级封装，已于上月交付。第二台订单设备适用于镀金系统，将于今年下一季度交付客户端。

8月8日，作为一家为半导体前道和先进晶圆级封装应用提供晶圆工艺解决方案的卓越供应商的盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）推出用于扇出型面板级封装（FOPLP）的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备。盛美上海的Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美上海自主研发的水平式电镀确保面板具有良好的均匀性和精度。该设备可加工尺寸高达515x510毫米的面板，同时具有600x600毫米版本可供选择。该设备兼容有机基板和玻璃基板，可用于硅通孔（TSV）填充、铜柱、镍和锡银（SnAg）电镀、焊料凸块以及采用铜、镍、锡银和金电镀层的高密度扇出型（HDFO）产品。Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用盛美上海自主研发的技术，可精确控制整个面板的电场。该技术适用于各种制造工艺，可确保整个面板的电镀效果一致，从而确保面板内和面板之间的良好均匀性。此外， Ultra ECP ap-p面板级电镀设备采用水平（平面）电镀方式，能够实现面板传输过程中引起的槽体间污染控制，有效减少了不同电镀液之间的交叉污染，可作为具有亚微米RDL和微柱的大型面板的理想选择。该设备还采用了卓越的自动化和机械臂技术，以确保整个电镀工艺过程中面板被高效和高质量的传输。自动化程序与传统晶圆处理过程类似，但为了处理更大更重的面板，额外添加面板翻转机构以正确定位以及转移面板便于进行面朝下电镀等步骤，确保处理的精确性和高效性。 盛美上海董事长王晖博士表示：“先进封装对于满足低延迟、高带宽和高性价比半导体芯片的需求越来越重要。扇出型面板级封装能够提供高带宽和高密度的芯片互连，因此具有更大的发展潜力。由于可在更大的矩形面板上重新分配芯片，扇出型面板级封装为封装大型图形处理器（GPU）和高密度高带宽内存（HBM）节约了大量成本。我们的Ultra ECP ap-p面板级的水平式电镀设备充分利用我们在传统先进封装的晶圆电镀和铜工艺方面的丰富技术专长，满足市场对扇出型面板级封装不断增长的需求。凭借这项技术，我们能够在面板中实现亚微米级先进封装。”

以往电镀液的更换或何时再添加接性剂（如促进剂），是以经验值或时间来决定，如此做法是无法量化数据化，不知所以然的做法。电镀液中除了含有欲镀上之金属离子,电解质,错合剂外尚有有机添加剂（光泽剂,结构改良剂,润湿剂），其中润湿剂是影响被镀物（导线架，铜箔基板，构装基板）与金属离子，光泽剂之类等物质之间附着力好坏。镀膜易剥离是因接口活性剂选用不对或是浓度不对所造成。表面张力仪在电镀行业中的应用介绍01如何选定附着力好的电镀液主要是电镀液供货商配方问题，使用者可依供货商所提供电镀液实际去镀看看结果如何而选定，选定后以这新电镀液去测量表面张力值，以这个值当进料检验标准值。电镀液效果好坏还有因选用电镀设备有关，如使用何种电源供应器，选用何种电源供应器技术原理，是整个电镀设备的技术关键点。02制程中电镀液表面张力监控理论上电镀液表面张力愈小，表示电镀液愈容易渗入小缝隙里面，愈容易在被镀物表面润湿，也就是愈容易使用金属离子镀上去。但在品质与经济效益需取得平衡点，故表面张力值需控制在哪一点，这必须有赖使用者去抓。因每一家所考虑的都不一样，故无一定标准。但有一CMC（CriticalMicelleConcentration）点需先抓出来，因为超过CMC点后，表面张力反而不会改变，不但没达到预期效果且浪费接口活性剂。在CMC点之前的任何表面张力值，选一点你们认为制程上的，作为监控的标准值。当CMC点与标准值定下来后，再定时作电镀液取样量测。03结论假设金属离子（欲镀物）浓度是在控制范围内，但因无法渗入较小缝隙内，会造成缝隙内厚度不均匀甚至没镀到，或因润湿性不好除了厚度不均匀外，更是造成易剥离主要原因。表面张力计与底材表面自由能分析仪界面科学领域中，有一物化性质很值得去了解与应用它，尤其在精密化学,半导体,光电等新兴科技产业，在研发,制程改善和品保方面常会碰到界面上瓶颈问题，但因人们没深入去了解此一物化现象，似懂非懂，没有很清晰建立起正确观念，这些观念就是液体表面张力，固体表面自由能与表面自由能分布，和润湿功在实务解释应用上所代表的意义如何，因而无法利用这些观念去发现问题之所在，以谋求解决之道。只要把这物化性质清晰了解后，配合表面张力计和底材表面自由能分析仪的数据，相信可以解决许多表面张力方面的问题。相关仪器A1200自动界面张力测定仪基于圆环法（白金环法），测量各种液体的表面张力(液-气相界面)及液体的界面张力(液-液相界面)。分子间的作用力形成液体的界面张力或表面张力，张力值的大小能够反映液体的物理化学性质及其物质构成，是相关行业考察产品质量的重要指标之一。广泛用于电力、石油、化工、制药、食品，教学等行业。执行标准适应标准：GB/T6541

10月20日，盛美半导体设备宣布，已收到一家主要集成电路制造商购买其Ultra ECP map镀铜设备的DEMO设备订单。订单确定的交付日期在 2022 年初。图片来源：盛美半导体设备据介绍，Ultra ECP map是在盛美半导体设备已经得到证明的电镀 (ECP) 技术基础之上制造的。该设备配备多阳极局部镀铜功能，可以在先进的技术节点上实现双大马士革铜互连结构铜金属层沉积。该设备可兼容超薄种子层，生产量高、运行时间长，同时能降低耗材成本和运营成本。

塑料电镀是电镀行业最*大的增长市场之一。制造商正在使用塑料电镀部件来降低成本，包括从汽车标识到洗衣机上的各种装饰性部件。在这些部件镀上镍或铬饰面，以确保具有良好外观。消费者对此似乎并不介意；至2024年，塑料电镀市场规模将达到7.5亿美元。日立分析仪器的镀层分析专家Matt Kreiner在此解释了为什么应准备就绪，以及XRF技术应如何成为质量控制工具包的一部分。面向消费者市场的巨大趋势对塑料电镀的需求由两大面向消费者市场驱动：汽车和家用电器。在汽车行业中，造成塑料电镀组件数量增加的主要原因如下：第一，减轻车辆重量以提高燃料效率，第二，降低生产成本。通过在塑料制作的复杂形状上镀上镍和铬以获得性能良好的饰面，将大幅降低成本。塑料组件也不易腐蚀和磨损。在汽车制造业中，塑料电镀用于车轮盖、门把手、饰件、仪表板、格栅和许多其他组件。即日起至2024年，预计汽车塑料电镀细分市场规模将增长6.5%以上（复合年增长率）。2023年，预计全球家用电器行业规模将从1,740亿美元增至2,030亿美元。在该行业中，塑料电镀旨在降低制造成本。镀镍和镀铬是不锈钢的廉价替代品。而且，制造商仅需改变饰面，即可提供外观截然不同的独特产品，而无需在设计上做出巨大改变。这适用于从烤面包机到大型双门冰箱等大量产品。铬和镍是两种主要饰面；镍用在铬层下方，或者作为完整的饰面。采用的电镀技术是化学镀镍和电镀铬。可使用许多塑料材料，常见的基底类型包括：ABS、聚碳酸酯、聚乙烯和液晶聚合物。塑料电镀的XRF最*佳实践使用装饰电镀的成败均在于质量。质量欠佳的饰面会让消费者失望，并损害供应商的声誉。作为塑料金属表面处理提供商，必须提供高质量的部件。XRF分析无损、准确且快速，是最适合测量饰面厚度的理想技术。然而，当塑料上同时镀有铬和镍层时，某些XRF设备难以识别并难于准确测量。这是因为装饰电镀中的元素拥有非常接近的荧光X射线光谱峰位。处理这类问题的好方法是确保XRF设备配备正确类型的探测器。首先应考虑的探测器类型是硅漂移探测器（即SDD探测器）。SDD探测器比传统正比计数器具有更优的分辨率，可轻松读取不同金属层的谱峰。因此可轻松确保获得正确的电镀厚度，这对确保在组件的整个使用寿命期间提供高质量饰面至关重要。就金属表面处理提供商而言，塑料电镀带来的是真正的增长机会，尤其是在其已为汽车和家用电器制造商供货的情况下。联系我们，了解适用于准确测量镍和铬厚度的XRF光谱仪系列。

国家《电镀污染物排放标准》将于2010年7月1日起正式实施，新环标大限将至，宁波企业抱团应对，探索集中废污处理，推动表面工业升级。 　　8日上午，宁波市电镀协会邀请了国内有关专家和企业家，在象山召开“贯彻电镀新环标清洁生产研讨会”。中国表面工程协会电镀分会顾问委员会副主任、中国表面工程协会电镀分会老专家委员会副主任、我国著名电镀专家王一夫说，因环保要求越来越高及综合性因素，全宁波电镀厂已从600多家减少到了200多家。新环标实施后，如无好“偏方”，电镀厂数量还会继续下降，从管理上要求企业从分散型管理到集中型管理。

电镀作为制造业的四大基础工艺之一，广泛应用于各种行业，如高端的电子、航空、航天、能源、核工业，低端的日用五金、汽车配件、文具类产品等，是无法取代的服务性行业。 　　据不完全统计，2009年我国电镀企业数量(规模以上企业)总计1.5万家，5000多条生产线和2.5~3亿平方米电镀面积生产能力。近几年，随着各地政府对重污染企业的整治，电镀企业数量有减少的趋势。 　　2008年，环境保护部颁布了《电镀污染物排放标准》(GB21900-2008)，标准的颁布为重点行业及重点污染源的管理提供了依据。 　　排放新标遭遇哪些问题? 　　需要寻求达标与投资、运行成本之间的平衡 　　根据电镀水污染物的理化特性、危害性以及污染控制的需要等，新标准共选择了20项污染物作为水污染控制项目，其中金属污染物11项，非金属污染物9项。与欧盟部分国家表面处理废水排放浓度限值比较，标准中金属污染物排放标准严格程度均处于中上游水平。而化学需氧量、磷等非金属污染物几项指标由于列入地表水体污染物排放总量，控制也较严格。 　　调查发现，各地电镀企业/园区在执行标准中普遍存在一些问题： 　　首先，COD、氨氮、总氮、总磷等生化指标由于废水生化性比较差，常规AO或A2O工艺无法处理，是超标的主要因子。电镀废水中COD的来源主要为：前处理废水(除油、除蜡)中的酯类 镀液中的各种添加剂(表面活性剂、光亮剂、络合剂等) 还原剂的过量添加产生的&ldquo 假性COD&rdquo 。虽然电镀废水的COD浓度不高(200~300mg/L)，但由于其生化性较差而造成常规的生物法无法有效处理。 　　其次，Cu离子在化学法处理工艺中是重金属离子的主要超标因子。电镀工序产生的络合剂(EDTA、酒石酸钠等)与铜螯合形成络合铜，以及其他工序也会产生相应的含铜络合物，这造成在化学沉淀法中容易破络或沉淀不完全而造成铜超标。 　　再次，达到标准中水污染物特别排放限值的投资及运行成本压力大。园区或者企业为了达到标准，重金属废水及可回用的废水多数采用了膜技术工艺。调查发现电镀废水大型集中式污水处理厂膜处理的投入成本约占总成本的20%~30%，运行成本约增加25%~40%，中小型电镀废水处理厂膜处理投入成本及运行成本更高，这对于已经改造或新建的电镀废水污水处理厂而言，压力有点大。 　　园区成主要发展形式 　　由广泛式分布向集中式发展，但企业入园情况不理想 　　调查发现，标准颁布4年后，电镀行业及相应治理行业格局已经发生了变化。 　　首先，行业形态由广泛式分布向集中式分布发展。电镀园区集中化发展已成为电镀行业目前及未来的主要发展模式。电镀园区的建设，能够实现统一生产、统一管理和统一治污，有利于实现对一个地区电镀行业的监管。但同时，电镀企业入园发展也意味着电镀企业规模、自动化程度、管理水平及要求的提高以及近半的搬迁损失和客户流失，这对于政府部门形成了较大的挑战。调查发现，目前全国共有已建及在建的电镀园区或集聚区100多个。 　　调查发现，虽然广东、重庆等省市均在积极推动电镀企业入园发展，并采取了一定的强制手段，但入园情况仍不太理想。如广东中山、惠州等地的入园率约为50%，而重庆市园区外电镀企业仍占50%以上。 　　2010年以后，浙江省针对电镀企业制定了越来越严格的综合整治标准和验收标准，发布了一系列的政策。比如浙江省环保厅印发的67号文件中提出，&ldquo 2012年底前，电镀企业众多的县(市、区)建成电镀园区，除保留少数标杆式企业外，原则上所有电镀企业完成搬迁入园或在园区租赁厂房设备整合发展。&rdquo 同时制定了56条电镀企业污染综合整治验收标准，涉及9条废水处理、6条废气治理、3条固废处理验收标准。56条严格的验收标准在浙江省电镀企业中留下了深刻的印象，调研中发现，当地几乎所有电镀企业都会提到这个标准。 　　浙江省通过两年对电镀企业的综合整治取得了明显成效，如宁波市210家电镀企业(含配套电镀车间)中，位于电镀园区(集聚区)和工业功能区中的共196家，占比达到93.3%。建议其他地区可借鉴浙江省的经验结合本地方特色，采用引导和强制并用的手段，积极引导规模以上企业入园，取缔小、黑、散企业。 　　第三方运营找到商机 　　专业治理公司发展迅速，为园区电镀废水治理提供环境服务 　　新标准颁布后，有技术和有实力的治理企业认为这是一种机遇，迅速开拓市场，做大做强，逐渐垄断市场，而技术实力偏弱的企业只能分浅浅一杯羹。 　　值得注意的是，随着电镀园区的集中化发展以及排放标准的严格，园区集中式污水处理设施对专业化运营商的需求越来越大，针对电镀行业污染治理的第三方专业运营公司由此得到发展。 　　目前，各电镀园区的集中式污水处理厂运营模式主要为自运营(政府自运营或投资商自运营)和第三方运营两种模式。 　　如浙江省主要以第三方运营为主，其中温州已投运的4个电镀园区全部为第三方运营，而宁波、衢州等市也以第三方运营为主。统计发现，浙江省20多个电镀园区75%以上为第三方运营，广东省第三方运营的比例约为50%，重庆市第三方运营比例低于50%。 　　浙江海拓环境技术有限公司作为第三方运营公司的代表，近几年其运营规模以每年翻番的速度增长。公司成立于2007年，2008年公司营业额约400万元，2012年公司营业额就达1.6亿元。 　　据了解，海拓环境目前对浙江省12个电镀园区及企业进行第三方运营，总运营规模达到4万吨/天(设计规模)。而随着各地区对标准实施的严格要求及整治力度的加强，第三方运营企业的数量及规模也将呈现出快速发展的趋势。 　　在线监测开始成新热点 　　重金属污染企业强制安装，国内外厂家纷纷抢占市场 　　根据《电镀污染物排放标准》规定，新建设施应按照《污染源自动监控管理办法》的规定，安装污染物排放自动监控设备，并与环保部门的监控中心联网。这对在线监测的发展起到了积极促进作用。同时，随着国家对重金属污染控制的重视，部分省市逐渐开始关注重金属排放的在线监测，重金属监测成为水质在线监测市场一个新的热点领域。 　　目前国内市场上的重金属监测仪主要有铜、镍、锌、铅、铬、砷、锰等。调查发现，2008年重金属在线监测仪国内需求较少，生产厂家也很少。在《电镀行业污染物排放标准》颁布一年后市场开始预热，直至2010年才开始真正引爆市场，各地政府相继出台政策，强制要求重金属污染企业安装在线监测仪。 　　在各地需求激增的情况下，老牌的在线仪器厂家利用已有的技术积累和市场渠道策马圈地，占据了大半江山 一些本不是从事环保仪器的厂商也从中看到了商机，加入竞争行列中。同时，国外厂家(比利时的Applitek、澳大利亚的MTI、捷克的Istran、意大利SYSTEA等)也纷纷通过经销商向国内输入产品。 　　专家预测，未来2~3年，重金属在线监测仪的规模约为5000套。考虑电镀行业重金属在线监测40%的占比，未来2~3年电镀行业重金属在线监测的市场规模约为500~1500套，市场金额约为3~9亿元。 　　作者单位：李瑞玲 江苏省(宜兴)环保产业研究院 卢然 李小朋 环境保护部环境规划院

6月19日，&ldquo 华东电镀行业分析检测技术交流研讨会&rdquo 即将在天瑞仪器分析测试研究院召开。此次会议由江苏天瑞仪器股份有限公司和苏州市电镀协会联合主办，中国电镀网做媒体支持，并邀请江苏省机械工业联合会分会秘书长作为此会议特邀嘉宾。 此次研讨会的举办旨在为电镀业内人士介绍当前最新镀层检测方法和现阶段国内外最先进的检测设备。为广大镀层行业人士提供X荧光分析仪器和化学分析类仪器在实际应用中的检测方法，推动苏州地区镀层行业的发展。届时将有苏州市电镀协会领导、专家出席此次会议，与参会的行业客户共同交流讨论。 天瑞仪器积极组织此次会议的召开，为行业客户提供一个学习交流的机会，机会难得，期待广大镀层行业客户的参与。 大会流程： 详情咨询研讨会会务组：0512-57018653 了解天瑞仪器：www.skyray-instrument.com

6月19日，由苏州市电镀协会联合天瑞仪器主办的“华东电镀行业分析检测技术交流研讨会”召开，这是苏州电镀行业协会在天瑞仪器举行的第二次会议，来自华东地区的各类电镀企业代表以及江苏、苏州两级电镀协会专家和学者参加了此次会议。 　　董事长刘召贵博士亲自对来宾进行了公司介绍，苏州电镀协会王万秘书长做了《苏州电镀产业发展报告》，分析了近几年来苏州电镀行业的发展趋势，剖析了当前电镀行业发展中亟需解决的环保和质量控制问题，并对电镀行业的未来进行了展望。 　　会议现场重点讲解了《XRF在电镀行业的应用及行业解决方案》和《化学分析方法在电镀行业的应用及行业解决方案》，对XRF技术、化学分析方法在电镀行业的深层应用，各企业代表和专家对本次技术讲座及应用兴趣浓厚，反响强烈，提出了不少对实际操作中遇到的问题。 　　会后，客户和专家学者参观了天瑞仪器实验室和产业园，并对天瑞生产的THINK800A等镀层行业专用仪器表示极大兴趣。　　 　　董事长刘召贵博士作公司介绍　　 　　电镀协会王万秘书长作对苏州电镀产业做发展报告　　 　　现场技术讲座　　 客户和专家学者参观实验室 　　了解天瑞仪器：www.skyray-instrument.com

记者从安阳市环保局获悉，今年，安阳市将继续开展整治违法排污企业、保障群众健康环保专项行动，以解决危害群众健康和影响可持续发展的突出环境问题为重点，进一步加大对重金属污染物排放企业环境违法行为的整治力度，加快推进安阳河综合整治等重点工作。 　　在集中整治重金属排放企业方面，环保专项行动重点查清重有色金属矿采选及冶炼、含铅蓄电池、皮革及其制品、化学原料及化学制品、电镀、危险废物处置等重金属排放企业及历史遗留重金属废物堆场，彻底取缔国家明令淘汰的“小电镀”、“小制革”、“小冶炼”等落后工艺装备和生产能力，对饮用水源地一级保护区、二级保护区内的重金属排放企业一律取缔。 　　加快推进重点环保项目建设，继续推进安阳河综合治理工作，确保安阳河水质得到明显改善。全面开展“碧水工程”，提高我市主要河流省市控断面达标率。滑县、林州市所有堆存铬渣要在年底前完成无害化处置。宗村污水处理厂要在11月底之前开展污泥处理处置示范工程建设。唐沟垃圾综合处理场和各县(市)生活垃圾处理场要加快渗滤液处理设施建设进度，尽早投入运行。今年，我市还要完成洪河流域综合整治和金堤河综合整治。 　　为了保证今年的环保专项行动有效开展，安阳市还成立了由环保、发改、工信等9部门组建的专项行动小组，共同打击环境违法行为。5月至9月为专项行动全面排查和集中整治阶段，环保专项行动小组要对重金属排放企业、污染减排重点行业存在的环境违法问题进行集中整治，严肃查处一批典型违法案件。10月至11月为督察阶段，对督察中发现的问题，新闻媒体将对整改落实情况进行跟踪报道。12月为总结阶段。

法国M.P.C公司的Titraplate CP 电镀添加剂分析系统 独一专门为电镀工业和电镀剂（特别是用于酸性铜和酸性锡电镀液）中添加剂浓度测定的CVS（循环伏安溶出）分析仪。 分析方法 标准加入法测定铜、锡电镀液中荧光增亮剂 校准曲线法测定铜、锡电镀液中Carrier / Leveller 创新技术用于锡荧光增亮剂分析 旋转圆盘电极 转速100～5000rpm 视觉控制 参比电极 Ag/AgCl新型玻璃双接界电极（寿命长，维护简单） Pt辅助电极 增大Pt面积以将gaz发射降至最低 同时推出该公司最新的多样品自动处理系统T-100型，分离式的喷淋电极清洗设计，大幅减小了交叉污染。 详细信息请直接与雷迪美特广州办联系 020－87683635，radiometer@126.com

在电镀工艺中，表面活性剂在镀液中起到润湿零部件的作用，获得光滑的表面。然而，过量的表面活性剂也会导致电镀液产生不必要的气泡。因此在电镀工艺中，表面活性剂含量是一个非常重要的工艺参数，监测表面活性剂浓度对于提高工艺可靠性和质量控制至关重要，一般通过测量电镀液动态表面张力来获得。德国析塔SITA全自动动态及静态表面张力仪测出电镀液表面张力仪，为后续添加表面活性剂浓度提供保证。2021年12月15号，德国析塔SITA将举办在线研讨会，介绍电镀工艺中优化控制的润湿剂的方法，以及德国析塔SITA表面张力仪在电解质测量的实际应用。在研讨会上，来自德国析塔SITA公司的应用专家André Lohse and Tilo Zachmann将介绍以下几个方面内容：1.什么是动态表面张力，如何测量2.介绍德国析塔SITA全自动动态表面张力仪3.德国析塔SITA表面张力仪在电镀工艺和半导体工艺的应用4.实验示范：如何处理样品，如何在最初测试中确定参数，测量结果解释说明发邮件到【marketing@hjunkel.com】，邮件主题写【12月15号网络研讨会】进行登记，我们将在研讨会结束后给您发送资料和视频。马上点击了解更多关于德国析塔SITA全自动动态及静态表面张力仪的产品信息和技术应用。翁开尔是德国析塔SITA中国独家代理，负责析塔SITA系列产品如表面清洁度仪，动态表面张力仪，泡沫仪等在中国的销售、技术支持，马上致电联系佛山翁开尔公司。

光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (Plasma System)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw） 光学薄膜的真空镀膜设备 型号：BMC1100DS，带Windows软件自动控制系统（SDC）/日本 制造时间：2003年 状态：运行极好 生产厂家：Shincron （http://www.shincron.co.jp/phase1/en/top/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1100mmｘH 1600mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２ EB Guns (JEOL)　 JEBG-102UHO（&phi 35ccx20） JST-16F (16kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： OPM-V1 (monitor glass &phi 30x30) 石英晶体微天平监控器： 无 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 最大350℃± 10℃（36kw） 型号：RMC1100，带Windows软件自动控制系统/日本 制造时间：2003年8月 状态：运行极好 生产厂家：Rock Giken Inc　（http://www.rock-giken.co.jp/vacuum/index.html） 技术规格： 真空腔体尺寸： &phi 1150mmｘH 1500mm 衬底圆顶尺寸： &phi 950　（3～30rpm） 耐加热系统： &phi 20mm　4kw 蒸发源： ２EB Guns (PlasmaSystem)　 G-12100（&phi 35ccx20） D-10001 (10kw)　 IAD 系统： 无 光学厚度监控器： 380～1500nm（波长） (monitor glass &phi 10x60pcs) 石英晶体微天平监控器： XTC-2(Inficon) 真空泵单元： MTR-630(Shincron) DP(HD-550 x 2sets) with Polycold (PFC-670HLL) 加热系统： 300℃± 10℃（21kw）

p 　　ClassOne Technology是面向200毫米及更小半导体制造行业的新型电镀和湿法加工工具的主要供应商，近日宣布将其旗舰Solstice& reg CopperMax& #8482 电镀系统多工具销售给中国一家复合半导体制造商。作为中国较大的半导体供应商，也是世界上极具优势的砷化镓(GaAs)晶圆厂之一，ClassOne的新客户将使用CopperMax& #8482 来锚定高度先进电芯的生产，其突破性设计适用于各种前沿半导体市场。 /p p style=" text-align:center" img src=" https://img1.17img.cn/17img/images/201808/insimg/67dd3b26-ddc9-4ffb-9eef-7298de333c80.jpg" title=" Solstice& reg CopperMax& #8482 .jpg" width=" 400" height=" 296" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 296px " / /p p 　　 span style=" color: rgb(79, 129, 189) " i “ClassOne已成为复合半导体行业严格需求的优选供应商，” /i /span ClassOne首席执行官Byron Exarcos表示。 span style=" color: rgb(79, 129, 189) " i “ClassOne在世界各地领先的复合半导体晶圆厂都有业务，目前在基于GaAs衬底的半导体的开发和制造方面处于全球优势地位。此次销售进一步证实了ClassOne在全球电镀技术领域的优势地位。” /i /span /p p 　　ClassOne预计未来几个月将有多个类似的销售行为，因为遍布亚洲的半导体制造设施扩展了其对于先进应用的处理能力，包括3D传感，自动驾驶汽车和4G/5G通信等需要高度先进的复合半导体芯片技术的应用。 /p

p 　　近日，生态环境部发布了《排污单位自行监测技术指南 电镀工业》《排污单位自行监测技术指南 农副食品加工业》《排污单位自行监测技术指南 平板玻璃工业》《排污单位自行监测技术指南 农药制造工业》《排污单位自行监测技术指南 有色金属工业》等五项环境保护标准。生态环境监测司有关负责人就《排污单位自行监测技术指南 电镀工业》等五项标准的意义、制定思路以及主要内容等问题回答了记者的提问。 /p p 　　问：标准的定位与意义是什么? /p p 　　答：我国相关法律法规中明确要求排污单位对自身排污状况开展监测，排污单位开展排污状况自行监测是法定的责任和义务。自行监测作为一项技术性很强的工作任务，根据《排污许可管理办法(试行)》(环境保护部令 第48号)第十一条，排污单位自行监测技术指南是排污许可管理的重要技术支撑文件之一。 /p p 　　电镀工业、农副食品加工业、平板玻璃工业、农药制造工业、有色金属工业等行业的排污许可证申请与核发技术规范已发布实施，而作为自行监测的全面要求，应以自行监测技术指南的规定为准。 /p p 　　问：标准制定有什么主要思路? /p p 　　答：五项标准在制定过程中，系统梳理行业排放标准、相关管理制度及排污许可证申请与核发技术规范等对行业排放监管的要求，规定了相应行业企业自行监测的一般要求、监测方案制定、信息记录和报告的基本内容和要求，适用于排污单位在生产运行阶段对其排放的水、气污染物，噪声以及对其周边环境质量影响开展监测，同时对监测点位、监测指标、监测频次、信息记录提出要求。 /p p 　　问：电镀工业技术指南的主要内容是什么? /p p 　　答：污染物监测点位和指标，主要依据《电镀污染物排放标准》(GB 21900)进行确定。 /p p 　　电镀工业排污单位的废水排放监测，流量应采取自动监测，pH值、化学需氧量、总氰化物、总铜、总锌、7种第一类废水污染物，其余指标按月监测。 /p p 　　专门处理电镀废水的集中式污水处理厂废水流量、pH值、化学需氧量应采取自动监测，氨氮、总氮、总磷、总氰化物、总铜、总锌及7种第一类废水污染物按日监测，其余指标按月监测。 /p p 　　废气排放监测，有组织废气排放监测均按半年监测，无组织废气排放监测均按年监测。 /p p 　　问：农副食品加工业技术指南的主要内容是什么? /p p 　　答：污染物监测点位和指标，主要依据《制糖工业水污染物排放标准》(GB 21909)、《肉类加工工业水污染物排放标准》(GB 13457)、《淀粉工业水污染物排放标准》(GB 25461)以及《污水综合排放标准》(GB 8978)进行确定。 /p p 　　废水排放是该行业的主要污染排放类型，综合考虑排污单位的控制级别、废水排放去向、自行监测经济成本以及对环境的影响风险，在监测指标、监测频次上做差别性要求。对于重点排污单位，废水总排放口的流量、pH值、化学需氧量、氨氮实施自动监测，直接排放企业废水总排放口的其他污染物按月监测，间接排放企业废水总排放口的其他污染物按季度监测。非重点排污单位则按季度或半年的频次开展监测。本标准还对雨水排放口和直接排放的生活污水排放口监测频次进行了规定。 /p p 　　有组织废气监测点位主要包括锅炉排放口及其他15种废气排放口，各类排放口的污染物指标有所差异。本标准中多数排放口的监测频次为1次/半年，颗粒粕系统1次/两周，浸出与精炼车间、腥臭废气排放口监测频次为1次/季度。无组织废气监测频次为1次/半年。 /p p 　　问：平板玻璃工业技术指南的主要内容是什么? /p p 　　答：污染物监测点位和指标，主要依据《平板玻璃工业大气污染物排放标准》(GB 26453)、《污水综合排放标准》(GB 8978)进行确定。 /p p 　　废气有组织监测中，玻璃熔窑对应排放口是主要排放口，二氧化硫、氮氧化物、颗粒物，需采用自动监测 氯化氢、氟化物、氨每半年监测1次，其中氨为使用含氨物质作为还原剂的排污单位的选测指标 另外，使用重油、煤焦油、石油焦作为燃料的排污单位还要根据燃料成分检测结果，针对性监测重金属指标，监测频次为半年 在线镀膜工序对应排放口为非连续生产排放，设置监测指标颗粒物、氯化氢、氟化物、锡及其化合物等4项指标，监测频次为半年 此外，原料破碎、储存、配料、煤制气系统等6类工艺对应的排放筒，主要污染物均为颗粒物，监测频次要求为每半年到一年1次。 /p p 　　废气无组织监测中，根据排污单位所包含的不同工艺及设施，规定颗粒物、氨、硫化氢、非甲烷总烃等4项监测指标，监测频次为每半年到一年1次。 /p p 　　废水监测中，针对废水总排放口、循环冷却水排放口、脱硫废水处理设施排放口、发生炉灰盘水封水和洗涤煤气的洗涤水排放口、雨水排放口分别提出了监测要求。 /p p 　　问：农药制造工业技术指南的主要内容是什么? /p p 　　答：本标准立足当前实施的污染物排放标准，且与正在修订的《杂环类农药工业水污染物排放标准》进行有效衔接，兼顾《排污许可证申请与核发技术规范 农药制造工业》(HJ 862)对农药原药活性成分或农药中间体等特征污染物的管控要求，确定监测指标和监测点位。 /p p 　　对于农药制造工业直接排放的废水排放监测指标，在废水总排口规定对流量、pH值、化学需氧量、氨氮进行自动监测，规定对悬浮物、石油类、色度最低监测频次仍为日。总磷的最低监测频次定为月。其中，含磷化学农药制造排污单位总磷须采取自动监测。五日生化需氧量、车间或生产设施废水排放口监测项目以及11项有毒有害或优先控制污染物指标和12项农药行业特征污染物最低监测频次定为月。间接排放企业废水总排放口的污染物指标监测频次适当降低。 /p p 　　对于有组织废气主要排放口的二氧化硫、氮氧化物、颗粒物要求实施自动监测 臭气浓度、特征污染物最低监测频次定为半年 二噁英监测频次定为年 危险废物焚烧炉中一氧化碳、氯化氢等及其他项目最低监测频次定为月。 /p p 　　无组织废气排放监测指标包括颗粒物、臭气浓度、挥发性有机物、特征污染物最低监测频次定为半年。 /p p 　　问：有色金属工业技术指南的主要内容是什么? /p p 　　答：本标准依据《铝工业污染物排放排准》(GB 25465)及修改单、《铅、锌工业污染物排放排准》(GB 25466)及修改单、《铜、镍、钴工业污染物排放排准》(GB 25467)及修改单、《镁、钛工业污染物排放排准》(GB 25468)修改单、《锡、锑、汞工业污染物排放排准》(GB 30770)等行业污染物排放标准，并紧密对接《排污许可证申请与核发技术规范有色金属工业—铝冶炼》等11个行业的排污许可申请与核发技术规范，结合环境管理要求对各冶炼行业监测指标进行了明确。指标选取时充分体现不同生产工序污染特征，突出重点。 /p p 　　废水总排放口监测，流量、化学需氧量、氨氮、pH值实施自动监测。其他污染物均采取手工监测，总铅、总砷、总镉、总汞按日监测，总锌、总铜、总锡、总锑、总钴、总镍按月监测，悬浮物、硫化物、氟化物、石油类等常规污染物按季度监测。车间或生产设施废水排放口重金属一类污染物监测频次同总排口保持一致。 /p p 　　对于有组织废气排放监测指标，金属冶炼行业烟气制酸系统、环境集烟系统、炼前处理系统及冶炼过程中主要冶炼炉窑为主要排放源，规定二氧化硫、氮氧化物、颗粒物实行自动监测，行业特征重金属污染物按月监测，硫酸雾、氟化物等制酸废气污染物按季度监测。电解铝、铜、镍、钛冶炼均涉及到电解工艺，根据电解系统污染程度，规定电解铝电解系统排放口二氧化硫、氮氧化物均实行自动监测，氟化物按月监测，铜、镍、钛冶炼行业电解系统排放口可每季度监测一次或者半年监测一次。冶炼与电解工序之外的其他工序排放口均为一般排放口，监测频次可按季度或半年监测一次开展。 /p p 　　对于无组织废气排放监测指标，每季度至少开展一次监测。 /p

应用范围：* 农业遗传研究、退火处理、半导体和其它电子部件无菌储藏、干燥、一般烘干、固体和液体的脱气、电镀、水份精密测定硅片干燥、真空嵌置、挥发性树脂和聚合物的测试基本参数：* 腔体容积：28升* 真空范围：0 ~ 0.1MPa* 接口尺寸：真空口尺寸 ?10mm, 通气口尺寸 ?10mm* 温度范围：室温+5℃ ~ 250℃* 温度波动：0.1℃* 温度变化：3.7℃* 内尺寸：302×305×302mm* 外尺寸：680×453×495mm* 净重：63Kgs操作特点：* 微处理PID控制器；* 自动校准功能和自动调节功能；* 数显定时功能：1分钟到99小时59分钟；* 背光式LED显示器和直观易懂的控制面板（分别率为0.1℃）；* 高温限定设置和开门警报功能；* 可存储3组常用温度，以便随时取用 * RS-232通讯接口结构特点：* 独立真空口和通气口；* 钢化玻璃门可以清晰观察内部情况* 由于有弹簧顶住玻璃门，加上硅胶垫圈和自动门闩式的把手就可以提供完美的密封；* 块式加热器附着于内腔外壁的架子上，就可以提供均匀的温度；* 氟橡胶的门垫圈也使用酸性物质的处理（选配）。备注：* 由于参数不断跟新，如若未通知请谅解。* 技术参数符合DIN 12880标准创新点：1）密封圈改为氟橡胶，具有防腐蚀功能； 2）透明钢化玻璃观察窗加装保护套，防止破裂伤害操作人员。 Lab Companion 真空干燥箱 OV-11

WELCHLAB APPLICATION某客户致力于材料表面处理和真空薄膜仪器的研发，在竞争方面，直接对标国外知名产品。有别于其他同类产品的国产厂家，该客户产品定位高端，在国内市场有较好的口碑，其对配套的旋片真空泵（油泵）要求，无论是在真空度、噪音、外观、售后服务等，还是在品牌知名度方面，都有非常高的要求，为保证离子镀膜仪真空度的稳定性和工作效率，已标配选用了某原装进口品牌的旋片泵，且销售了数年时间，但此品牌的旋片泵价格高昂，货期不稳定，售后服务有着很大的提升空间。此时，我们针对性的向该客户介绍了Welch品牌CRVpro2旋片真空泵。CRVpro2外观设计美观，真空度高，泵体小巧，运行非常安静，泵体内部做PTFE防腐处理，能够明显提高其使用寿命，完全适合配套客户的离子镀膜仪设备。且因CRVpro2旋片真空泵性价比高，售后服务完善，能瞬间提升客户产品的受关注度和整体竞争力。当然，对于临阵换将，任何人都会有所犹豫，为打消客户疑虑，我们及时提供了一台全新的 CRVpro2旋片真空泵，进行现场测试。CRVpro2的安装非常简单，加注真空油、安装转接头、连接不锈钢波纹管，一气呵成。开机运行！在寂静的实验室里，CRVpro2安静的运行着。时间一秒一秒得飞逝，镀膜仪操作面板上的真空度数值飞速变化，结果仅仅用了不到3分钟，就达到了镀膜仪恒定工作压力以下，即1-2Pa。同时，由于Welch研发工程师对CRVpro2的排气端进行了优化设计，其排气口几乎无油雾排出，非常有利于实验室环境，该公司的测试人员对此结果非常满意。随即，设备配套顺理成章，双方打开双赢的合作局面̷̷CRVpro实验室旋片真空泵的优点：　　1、泵体运行温度低，能有效减低泵被化学腐蚀风险。　　2、油箱和泵体都有抗化学腐蚀涂层，能够保护泵不被化学物质侵蚀。　　3、油箱容量大，能够稀释吸入真空油里的化学物质，降低了化学腐蚀的风险和油被污染的程度。　　4、低噪音：运行特别安静，不干扰工作。　　5、自润滑功能：确保所有运动部件浸润在新鲜的油里，平衡温度，减少油染，延长机械寿命。　　6、防倒吸阀：防止在停机时油被倒吸进真空容器　　7、气压载阀：减少化学蒸汽被夹带进入泵油；保护泵不被可凝性流体如水，乙酰腈等的影响。　　8、cUL和CE认证：具有各国的安全认证，满足官方的3安全标准。　　9、满足各种应用的外形尺寸：现代和紧凑的外形设计，满足各种应用场合的要求。　　10、双电压电机：IP44 电机，可在115V 和240V之间切换，并可配置各种相应的电源插头，使CRVpro可使用。CRVpro实验室旋片真空泵的应用： 1、双排管 2、冷冻干燥 3、真空浓缩 4、采暖通风、空调 5、真空干燥箱 6、手套箱 7、质谱仪 8、工业应用关于威伊（Welch）威伊真空设备（上海）有限公司WELCH是提供优质耐用真空泵产品的专家。我们的丰富产品线涵盖了实验室和工业用真空泵，包括真空活塞泵，真空隔膜泵，真空旋片泵，螺旋泵，涡轮分子泵，液体输送泵等，还有各种真空测量仪，真空控制器，真空蒸馏装置，真空浓缩设备，真空抽吸设备等。关于英格索兰英格索兰（纽交所代码：IR），以企业家精神和主人翁意识为动力，致力于创造美好生活。我们通过旗下备受赞誉的40余个品牌，在工业、能源、医疗和特种多功能车领域提供关键和创新的产品与服务，涵盖空气压缩机、泵、鼓风机，以及流体管理、装载、动力工具和物料吊装系统以及知名的Club Car品牌多功能车。在极其复杂和严苛的工况下，亦能确保优越的性能。我们在世界各地的16,000多名员工将持之以恒地为客户提供可靠的专业知识，帮助客户提高生产力并提升效率，与客户建立终身连接。

人类的进步和生活方式的改变，与科学的发展和变革息息相关。从古代人对天文地理编制的美丽神话“盘古开天”，到21世纪好莱坞科幻大片中的“星际穿越”，人类对于广袤宇宙的向往和探索从未停止过。纵观近现代 “群星闪耀”的基础物理发展史，从牛顿，麦克斯韦到爱因斯坦，从万有引力，相对论到量子力学，超弦理论，这些重大发现和著名物理学家不断涌现，推动了现代科学的快速发展。然而，近50年的时间里，基础物理学稍显停滞，并没有出现能够与相对论、量子力学等重大理论突破相提并论的新发展。正因为此，很多拥有伟大物理梦想的科学家和研究人员在着力推动基本粒子和暗物质粒子探测研究，期待可以直达真理，不断探索宇宙的终极秘密。在“标准宇宙学模型”中，宇宙由68%的暗能量（Dark energy）、27%的暗物质（Dark matter）和5%的普通物质（matter）组成，但迄今还没有暗物质观测的直接数据。当前探测暗物质粒子主要包括三类实验方案：一是对撞机探测，通过对撞机实验来产生暗物质粒子，进而探测出来；二是间接探测，包括卫星试验和空间站实验，例如2008年美国发射的名为Fermi的γ射线探测卫星，2015年我国发射的“悟空”暗物质粒子探测卫星；三是直接探测，通过暗物质粒子与原子核作用对暗物质粒子进行探测，但由于作用信号非常微弱，很容易湮没在大量本底环境中，因此需要把探测器放在地底深处的实验室以屏蔽宇宙射线干扰。中国PandaX暗物质探测项目持续推进‍在暗物质粒子的直接探测实验领域，全球有三大最先进的研究项目实验组；中国的PandaX，美国的LUX-ZEPLIN，意大利的XENON。PandaX（熊猫计划）是“粒子和天体物理氙探测器”（Particle and Astrophysical Xenon Experiments）的英文简写，是我国开展的首个百公斤级大型暗物质实验。这些实验都是利用液氙（Xe）作为探测媒介来寻找暗物质。PandaX项目组依托于上海交通大学粒子与核物理研究所和李政道研究所，并与中国科学技术大学，北京大学，山东大学和南开大学等相关实验室直接合作。在2016年PandaX二期实验（500公斤级液氙）已经取得了世界领先的暗物质探测灵敏度。据上海交通大学低温制冷与液化研究室负责人巨永林教授表示，目前正在进行四吨级液氙探测实验PandaX-4T，将暗物质探测灵敏度向前推进了1-2个数量级。暗物质直接探测需要稳定的低温真空环境 尽管直接探测实验在全世界已经开展了约30年的时间，实验灵敏度有了巨大的提高，但是到目前为止，还没有发现令人信服的暗物质散射的信号。因此，PandaX-4T探测项目通过使用4吨液氙全面增大了灵敏度，但同时在整体实验设计上也会有很多新挑战并需要各种性能优化。考虑到探测机制原理，要探测未知的暗物质跟已知的氙原子可能产生的微弱的闪动光信号，并将其转换成电信号放大来测量，关键就是把其他已知粒子带来的信号全部排斥在外。在PandaX-4T实验项目中，包括了八个子系统：时间投影室探测系统、光电探测系统、前端电子学系统、触发和数据获取系统、气体存储和处理（又称气体纯化）系统、低温系统、精馏系统、低本底控制系统等。其中，低温制冷系统和气体纯化系统都使用了真空泵组作为必要的设备部件，来实现两个基本保障：首先是稳定的低温真空工作环境（零下95度左右），减少外界环境的漏热，将探测介质氙的温度波动控制在大概±0.1k；同时，需要先将材料表面、阀门管道和管线等烘烤加快杂质气体释放，然后抽真空处理，这样氙和极少量的残余气体流经纯化系统，此过程中会吸附气体杂质（避免杂质对后期微弱信号捕捉的干扰），保障氙的纯度。普发真空泵为客户提供高性能真空解决方案PandaX从最开始的250公斤氙的用量，到现在的PandaX-4T，即4吨有效探测量的氙，计划未来将进行30吨级暗物质探测实验，全面覆盖暗物质的参数空间。所以，系统越大就越复杂，探测设备的尺寸越大，绝缘结构和隔热结构的层数就越多，管线数量大大增加。因而对真空泵的数量或者抽速就带来很高的要求，比如理想的夹层真空度一般需要达到10-4帕。因此，实验项目组选择真空泵的主要性能参数（技术指标）就包含了极限真空度，真空泵抽速，密封性，尺寸规格等。据上海交通大学制冷与液化研究室负责人巨永林教授表示，目前PandaX实验组已经购买了10台普发真空泵（其中6台用于低温系统和液氙存储系统，4台用于精馏系统），主要有以下几个方面的原因：首先，普发真空产品的主要技术指标能够满足严苛的实验条件；其次，产品性能足够优异的基础上，价格合理；再次，普发真空的辅助测量系统使用便捷而稳定，能对持续大半年的不间断探测运行提供可靠的支持；最后，普发真空的售后服务也很完善，能够提供各种技术支持和泄露检测解决方案等等，从而有力地支持了整个PandaX项目运行。从现在到未来，普发真空不断助推暗物质探测目前，普发的真空泵Hicube300Pro和Hipace300已经在PandaX-4T实验项目中得到了成功实践。一方面，真空泵作为必要备件被部署于上海研发实验室的暗物质探测器的子系统中，配合优化和升级的需要；另一方面，普发真空泵被部署于位于世界岩石覆盖最深的四川锦屏地下实验室暗物质探测系统中，实现稳定运行。从实际探测过程看，普发真空泵基本保障了整个探测系统的低温真空环境，为确保探测的灵敏度和精度保驾护航。值得一提的，由于系统运行的特殊地理环境等因素，可靠实时地保障系统各层级的极限真空度，系统部件必须确保极低的漏率，因此PandaX-4T项目还使用了ASM 340D系列检漏仪。通过采用该设备，可以有效地监测出来细微到10-13 Pa• m3/s 的泄漏。 “在目前PandaX-4T项目的基础上，实验室还在研发30吨液氙的探测项目，希望把精度推向下一个数量级。在我们的计划中，从2025年到2035年，这一项目预计总投资将达到数十亿人民币，需要购买47吨液氙来进行暗物质探测。”对于未来的研究计划，巨永林教授满怀信心，也满怀期待，“毫无疑问，液氙的量级越高，对于低温真空环境的稳定性要求也会越高，未来对高性能真空泵的需求也是非常大的。我们希望，以普发真空为代表的企业，能为我们的基础物理研究不断提供更好的工具支持。” 关于普发真空普发真空- (Stock Exchange Symbol PFV, ISIN DE0006916604)-作为全球领先的真空技术解决方案的供应商之一。我们不仅拥有全系列的复合轴承及全磁悬浮涡轮分子泵, 同时还拥有各种旋片泵，干泵，罗茨泵，多级罗茨泵，检漏仪，真空计， 质谱仪等产品以及真空管件和系统解决方案。 从普发真空发明涡轮分子泵至今, 我们在全球分析仪器、工业、科研、半导体和前端技术领域，始终代表着创新的解决方案和高品质的产品。公司自1890年创立至今百余年始终走在世界前沿， 在全球拥有 3,400 多名员工，20 多个办事处和 10 个制造工厂。

真空冷冻离心浓缩仪是一款常用于化学分离和纯化技术应用的实验室设备；该技术可通过将化学物质置于离心管中，利用离心力可将混合物中的各种化学物质分离开来，提高纯度。冷冻型的设备则是利用低温环境和真空状态可使化学物质在离心管中迅速冷冻、快速蒸发，从而提高实验的操作应用效率。本篇文章将深入探讨这款低温冷冻型离心浓缩设备的原理应用。　　　　　　冷冻真空离心浓缩仪利用离心和真空技术可将化学混合物中的化合物迅速分离，从而达到对样品的纯化和浓缩目的；该设备被广泛应用于分析化学、医药、生物学等行业领域。冷冻型的实验设备相比较于其他款，它是利用低温环境和真空状态分离化学物质，并将它们冷冻起来以提高实验效率。　　在使用冷冻真空浓缩设备时，需要先将样品置于离心管中，塞进盖子中央的叶轮上，接着运转机器，对离心管内的化合物进行旋转，在加入真空度后，通过减压和外部加热的方式来提高该系统内的温度以及气体流通性；随后可将化合物冷冻蒸发出来，达到样品的浓缩效果。　　　　真空冷冻离心浓缩仪是一款常用于制备RNA和DNA等高浓度浓缩样品的实验设备，该设备使用温度较低功率较少的真空泵和离心机器，可有效提高了实验对样品的纯度和浓缩效率；实验设备基于不同的原理应用，旨在提高化学物质的纯度；而冷冻型真空离心浓缩仪则比其他设备的应用更为高效。

2021年5月26日，第十六届国际真空展在北京国家会议中心盛大开幕，本次大会由中国真空学会与中国通用机械真空设备行业协会共同举办，展会吸引了一些仪器厂商参加。安徽皖仪展位作为一家以国际化视野、按国际化标准运营的全球分析仪器专业供应商，安徽皖仪科技股份有限公司主导产品涵盖色谱、光谱、质谱类分析仪器。本次展会，安徽皖仪携其第五代SFJ-261型氦质谱检漏仪亮相。第五代SFJ-261型氦质谱检漏仪氦质谱检漏仪是用氦气作示漏气体，以气体分析仪检测氦气而进行检漏的质谱仪。氦气的本底噪声低，分子量及粘滞系数小，因而易通过漏孔并易扩散；另外，氦系惰性气体，不腐蚀设备，故常用氦作示漏气体。将这种气体喷到接有气体分析仪（调整到仅对氦气反应的工作状态）的被检容器上，若容器有漏孔，则分析仪即有所反应，从而可知漏孔所在及漏气量大小。而安徽皖仪这款产品采用德国原装分子泵，双铱带离子源；独特的气路设计，较低的颗粒物干扰；拥有自保护功能，防止本底污染；自动抽空压力和时间设定，捡漏效率高；带有故障提示和报警功能和可选无线遥控功能。

近日，广东监管局披露了关于广东汇成真空科技股份有限公司（以下简称：汇成真空）辅导备案登记受理信息，其辅导机构为东莞证券，已于6月21日办理了辅导备案登记。资料显示，汇成真空是一家面向全球的真空应用解决方案提供商，研发、生产和销售各类真空设备、半导体设备、电子生产设备、光电设备、光伏设备、动力电池设备及产品相关配件的国家高新技术企业，专注设备与产品的相关制造工艺和应用技术、控制软件、工艺流程控制软件及相关生产自动化软件的研发、应用，并提供技术转让、技术咨询和技术服务。今年4月，汇成真空与中科院兰州化学物理研究所、中国科学宁波材料技术与工程研究所合作的“面向5G高频高速覆铜板用大面积柔性纳米薄膜镀膜设备研发及产业化”项目完成签约，此项目针对5G高频高速小型、轻量及薄型化柔性覆铜板工艺需求，开发出大面积柔性纳米薄膜等离子体磁控溅射镀膜设备与工艺，实现装备产业化。在5G技术带动下，电子资讯工业近几年来在中国的迅速发展，结合各种相关产业，已经成为中国最为蓬勃发展、举足轻重的新兴产业，汇成真空多年来坚持自主研发，在光学薄膜设备、功能涂层设备、柔性薄膜设备、大面积镀膜设备等领域拥有多项PVD专利技术，此次与中科院兰州化学物理研究所、中国科学宁波材料技术与工程研究所共同研发合作，建设“面向5G高频高速覆铜板用大面积柔性纳米薄膜镀膜设备研发及产业化”的项目，推动传统覆铜板产品结构面向5G时代需求的转型升级发展。

近日，德州仪器半导体制造（成都）有限公司凸点加工及封装测试生产扩能项目（二期）竣工验收。该二期工程建设内容包括：在集成电路制造厂（FABB）新增凸点加工产能18.7975万片/年（全为常规凸点产品），在封装测试厂（AT）新增封装测试产能 10 亿只/年（均为常规QFN产品）。二期工程建设完成后，扩能项目新增凸点加工产能33.3975万片/年（全部为常规凸点33.3975万片/年），新增封装测试产能 21.48 亿只/年（其中常规QFN 15.48 亿只/年，WCSP 6 亿只/年）。仪器信息网通过公开文件查阅到该项目的相关仪器设备配置清单和工艺流程。FABB 集成电路制造厂主要生产设备清单.封装测试厂（AT）主要生产设备清单生产工艺:1、凸点加工晶圆凸点是在封装之前完成的制造工艺，属于先进的封装技术。该工艺通过在晶圆级器件上制造凸点状或球状结合物以实现接合，从而取代传统的打线接合技术。凸点加工制程即从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统 Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积，此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。 扩能项目凸点包括普通凸点和 HotRod 凸点两种，其主要区别在于凸点制作所采用的焊锡淀积技术不同，普通凸点采用植锡球工艺，工艺流程如下图所示，Hot Rod 凸点采用电镀锡银工艺，工艺流程如下图所示。扩能项目凸点包括 RDL(Redistribution Layer)、BOP-on-COA(Bump on Pad – Copper on Anything)、BOP(Bump on Pad)、BOAC (Bond Over Active Circuit)、 BOAC PI (Bond Over Active Circuit with Polyimide)、Pb-free HotRod，上述各类凸点结构如下图所示，主要区别为层次结构和凸点类型不同。扩能项目各类凸点结构示意普通凸点加工主要工艺流程及产污环节注：普通凸点产品中的 BOAC 不含灰化、回流焊与助焊剂去除工艺Hot Rod 凸点加工主要工艺流程及产污环节凸点加工的主要工艺流程简述如下：（1）晶圆检测分类(wafer sorting)：对来料晶圆进行检测，主要是检测晶圆有无宏观缺陷并分类。（2）晶圆清洗(incoming clean)：由于半导体生产要求非常严格。扩能项目清洗工艺分为两种工艺，第一种仅使用高纯水，另一种使用 IPA 清洗，清洗后再用纯水进行清洗。IPA 会进入废溶剂作为危废收集，清洗废水进入中和废水系统进行处理。（3）烘干(Dehydration bake)：将清洗后的晶圆烘干。该工序产生的烘干废气通过一般废气排气系统排放。 （4）光刻（Photo）扩能项目采用光刻机来实现电镀掩膜和PI（聚酰亚胺）层制作，包括涂胶、曝光，EBR和显影。涂胶是在晶圆表面通过晶圆的高速旋转均匀涂上光刻胶（扩能项目为光阻液和聚酰亚胺（PI））的过程；曝光是使用曝光设备，并透过光掩膜版对涂胶的晶圆进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影之前，需要使用EBR对边缘光阻进行去除。显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。通过曝光显影后再进行烘干，晶圆表面可形成绝缘掩膜层。扩能项目该制程使用了各类光阻液、聚酰亚胺、EBR、显影液及纯水，完成制程的废液统一收集，作为危废外运处置。显影液中由于含有四甲基氢氧化铵，将产生少量的碱性废气，由于其浓度很低，扩能项目将其通入酸性废气处理系统进行处理；显影液及显影液清洗水排入中和废水处理系统。光刻工艺示意图（5）溅射（SPUTTER）溅射属于物理气相沉积（PVD）的一种常见方法，即金属沉积，就是在晶圆上沉积金属。UBM（凸点底层金属）是连接焊接凸点与芯片最终金属层的界面。UBM 应在芯片焊盘与焊锡之间提供一个低的连接电阻。为了形成良好的 UBM，一般采用溅射的方法按顺序淀积上需要的金属层。扩能项目采用 Ti:W 合金-Cu 的顺序进行溅射。溅射示意图（6）电镀（Plate）凸点电镀根据需求，可单纯镀铜，也可镀铜、镍、钯或镀铜、锡银，镀层厚度也有差异，可为铜膜或铜柱。扩能项目普通凸点电镀工艺包括镀铜膜、镀镍和镀钯。扩能项目 HotRod 凸点电镀工艺包括电镀底层铜（plateCOA，Copper on Anything）、电镀铜柱（plate Cu POST）、电镀锡银。基本的电镀槽包括阳极、阴极、电源和电镀液。晶圆作为阴极，UBM的一部分作为电镀衬底。在电镀的过程中，铜、锡银溶解在电镀液中并分离成阳离子。加上电压后，带正电的 Cu2+、Sn2+、Ag+迁移到阴极（晶圆），并在其表面发生电化学反应而淀积出来。电镀工艺原理示意图如下：电镀工艺示意图扩能项目采用的铜、镍阳极为颗粒状，会全部消耗，不产生废阳极；扩能项目使用的镀钯、锡银阳极是镀铂钛篮，呈网状支架作为电镀阳极，不消耗也不更换，镀银采用烷基磺酸盐无氰镀银工艺。 阳极金属如下图所示：电镀阳极实物图b.电镀操作过程进机台→将每片晶圆上到杯状夹具上→用超纯水预湿→镀铜→清洗→镀锡银（或镀镍→清洗→镀钯）→清洗→甩干→出机台。c.电镀清洗扩能项目电镀清洗采用单槽快速喷洗，清洗水直接排入废水处理系统，不重复利用，清洗废水排入 FABB 一楼电镀废水处理系统进行处理，保证处理设施出口一类重金属排放达标。清洗过程中产生有机废气排入有机废气处理系统统一处理。d.电镀槽液更换项目对电镀槽中电镀液离子浓度定期检测，适时添加化学药剂，保证电镀液可用。使用一段时间后，因电镀液中悬浮物浓度升高，需对电镀液进行更换。扩能项目依托 FABB 一层现有的2个2m³的电镀废液收集槽将电镀废液全部收集暂存，委托有资质的危废处理公司外运处置。电镀废液约半年排放一次，年排放量约为 3.5m³，因此收集槽的容积可满足废液收集需求。（7）去光阻（Resist stripping）电镀完成后，利用光阻去除剂去除电镀掩膜光阻，依次使用 NMP 与 IPA 进行湿式清洗，最后用纯水进行清洗，清洗后进行干燥。干燥通过自燃烘干或者 IPA吹干。（8）蚀刻(ETCH) 将凸点间的 UBM 刻蚀掉。扩能项目采用湿法腐蚀。湿法腐蚀是通过化学反应的方法对基材腐蚀的过程，对不同的去除物质使用不同的材料。扩能项目采用过氧化氢作为 Ti-W 合金的腐蚀材料，普通凸点采用硫酸腐蚀铜，含锡银凸点采用磷酸腐蚀铜，产生的含磷的酸性废水排入 CUB5c 氢氟废水处理系统进行处理，不含磷的酸性废水排入中和系统进行处理。蚀刻完成后，使用气体吹扫晶圆表面进行去杂质。（9）灰化(Ash)剥离光掩膜的过程可以使用干燥的、环保的等离子工艺（‘灰化’），即用氧 等离子体轰击光掩膜并与之反应生产二氧化碳、水等物质使其得以剥离。该过程 产生一般热排气，排入一般排气。（10）凸点制作晶圆凸点工艺最主要的 3 种焊锡淀积技术是电镀、焊锡膏印刷以及采用预成 型的焊锡球进行粘球。RDL、BOP、BOAC 等凸点采用粘球工艺(Ball place)，粘 球的一般操作过程为，首先在晶圆表面涂抹一层助焊剂，然后将预先成型的焊锡 球沾在助焊剂上，接着进行检查，确保每个晶粒都沾有焊锡球。Hot Rod 等凸点 焊锡淀积技术采用电镀锡银工艺。回流(reflow)，该过程将焊料熔化回流，使凸点符合后续封装焊接要求。最 后，再使用纯水对助焊剂进行清洗去除（Flux wash）。助焊剂清洗废水排入中 和废水系统进行处理。（11）自动检测(AVI) 对凸点加工完的晶圆进行自动检测，确认是否有缺陷。至此，晶圆上的凸点 制作完成。 （12）晶圆针测(Probe)在凸点完成后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒。针测（Probe）是对每个晶粒检测其导电性，只进行通电检测操作，没有任何化学过程。不合格晶粒信息将被电子系统记录，在接下来的封装和测试流程中将不被封装。扩能项目晶圆针测工序全部在 OS5 进行。（13）包装(Packing)：利用塑料盒、塑料袋等对完成凸点的晶圆进行简单包装，然后进入AT厂房进行封装（后工序）。2、封装测试QFN 封装测试QFN 封装即倒装式四周扁平无引脚封装(QFN，Quad Flat No lead Package)，扩能项目 QFN 封装包括传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装（Flip Chip on Lead frame QFN Package，框架上倒装芯片封装）。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装的结构如图所示。传统 QFN 封装和 FCOL QFN 封装结构对比覆晶框架QFN在工艺流程上相较传统QFN主要区别在芯片与载板框架的连接方式，传统 QFN 通过金属导线键合，覆晶框架 QFN 通过芯片倒装凸点键合，相比传统工艺新增助焊剂丝网印刷、覆晶结合、助焊剂清洗、等离子清洗等工艺，以下对 QFN 封装的工艺及产污进行表述。贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过程中保 护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（1）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（2）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。 （3）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（4）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（5）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（6）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（7）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）或激光将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒（die）。刀片的金刚石颗粒 大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。激光划片属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性 参数优于机械切割方式，用超纯水进行硅屑冲洗。（8）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射使粘结剂失去黏性达到去膜的目的。（9）点银浆：将银浆点到框架上以备粘合用；（10）粘片：将芯片置入框架点银浆处；（11）银浆固化：在氮气保护环境下烘干固化，将芯片牢固的粘结在框架上；（12）引线键合：使用金线或铜线将芯片电路 Pad 与框架引脚 Lead 通过焊接的方法连接起来，实现电路导通，焊接采用超声波焊接，无焊接烟尘产生，主要产污为废引线。（13）助焊剂丝网印刷：在密闭机台内用丝网将助焊剂印刷到引线金属框架上，无排气。丝网采用 IPA 清洗，清洗有有两种情况，一种是用设备自动清洗，IPA 会喷到丝网上，然后用棉布擦拭，擦拭布吸收 IPA 及丝网上的脏物后就当作 危废处理，没有废液，设备是密闭的，不连接排气；另外一种是人工擦拭，会在 化学品通风橱内操作，也是用棉布擦拭，没有废液产生，通风橱连的一般排气。（14）覆晶结合：将晶圆 IC 反扣在引线金属框架上，让锡银铜柱对准丝网印刷的助焊剂。（15）回流焊：将覆晶结合后的芯片放在氮气保护的回焊炉内按一定的温度曲线通过该炉，使用回流焊的方式实现晶圆 IC 与引线金属框架的焊接，该过程使用的助焊剂无挥发性物质，后续使用专用清洗剂进行清洗。（16）助焊剂清洗：使用助焊剂清洗剂洗掉回流焊残留的助焊剂并用水冲洗干净。设备自带清洗废气冷凝装置，冷凝液进入废水处理系统，不凝气接入现有一般排气系统。（17）等离子清洗：使用等离子清洗剂激发氧氩等离子体实现更高级别的彻 底清洗，将残留的微量氧化层清洗干净，清洗废气接入现有一般排气。 （18）塑封固化：使用环氧树脂对 IC 进行外壳封装。（19）去毛刺：去除塑封外壳毛刺并进一步烘烤固化成型将塑封固化好的芯片置入有机盐溶液中去除塑封外壳毛刺及溢出料，产生去毛刺废水。（20）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商 的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将 产生打印粉尘和硅粉。（21）切带：切开胶带使单个晶粒分离。（22）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（23）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（24）终检：使用最终检测设备进行终检。（25）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。传统 QFN 工艺流程及产污环节FCOL QFN 工艺流程及产污环节2、WCSP 封装WCSP 封装（Wafer Chip Scale Packaging，晶圆级封装），即在晶圆片未进 行切割划片前对芯片进行封装，之后再进行切片分割，完成后的封装大小和芯片尺寸相同。此外，WCSP 封装无需载板框架，可直接焊接在 PCB 印制线路板上使用。凸点和针测完成后，晶圆即进入封装测试厂 AT 厂房进行 WCSP 封装及测试，主要工艺流程如下：（1）贴片：在自动贴膜机上在晶圆的正面贴一层保护膜（胶带），研磨过 程中保护晶圆的电路表面。该工序可能产生废胶带。（2）背面减薄：研磨机台上，通过高速旋转的研磨轮（转速约为 2500 转每 秒）对晶圆背面进行机械研磨，将晶圆减薄到规定厚度。研磨过程中需要用超纯 水冲洗研磨硅屑和冷却研磨轮。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水 处理站进行絮凝沉淀+中和处理。（3）去膜：研磨完成后，去除晶圆正面的胶带。该工序可能产生废胶带。（4）晶圆清洗：利用超纯水对晶圆表面进行冲洗，去除晶圆表面的尘埃颗 粒等杂质。清洗废水经回收系统回收利用后，浓水排入废水处理站进行絮凝沉淀 +中和处理。（5）背面贴膜：使用背面贴膜设备在晶圆背面贴一层 BSC 膜，使晶圆背面 被胶带保护、支撑。该工序可能产生废胶带。（6）烘干：使用背面涂层烘烤设备将膜层烘干。（7）贴膜：使用晶圆贴片机在晶圆的背面再贴一层膜。该工序可能产生废胶带。（8）激光打标：用激光将产品的 Lot No 刻录在产品表面(为了追踪产品的 履历）。就是在产品的表面印上去不掉的、字迹清楚的字母和标识，包括制造商的信息、国家、器件代码，生产日期等，主要是为了产品识别并跟踪，该工序将产生打印粉尘和硅粉。（9）划片：在专门的划片机上，通过高速旋转的金刚石刀片（转速约在 50000 转每秒）将晶圆切割成符合规定尺寸的晶粒。刀片的金刚石颗粒大小只有几个微米。切割过程中利用超纯水进行刀片冷却和硅屑冲洗。（10）激光切片：首先进行晶圆黏片，即在晶圆背面贴上水溶性保护膜然后进行切割。激光切割属非接触加工，无应力，因此切边平直整齐，无损坏；不会损伤晶圆结构，电性参数优于机械切割方式；激光可以切割任意形状，如六角形晶粒，突破了钻石刀只能以直线式加工的限制，使晶圆设计更为灵活方便。切割过程中使用超纯水进行硅屑冲洗。 （11）UV 照射：使用 UV 照射机进行 UV 照射去膜。（12）自动检测：使用 2/3D 自动检测设备进行检测。均为物理测试。检查 产品的电气及速度特性，包括基本测试，如电气特性可靠性测试、直流电、交流 电运行测试、目视检查，以及运行速度测试等。（13）IC 分类：使用晶粒分类设备对封装好的晶圆进行分类。（14）终检：使用最终检测设备进行终检。（15）包装：使用真空包装设备对封装好的芯片进行包装并入库。该工序可能产生废包材。WCSP 工艺流程及产污环节

伴随全球信息化、网络化和知识经济的迅速发展，特别是在以物联网、人工智能、汽车电子、智能手机、智能穿戴、云计算、大数据和安防电子等为主的新兴应用领域强劲需求的带动下，全球半导体产业收入规模巨大。2018年全球半导体行业收入为4761.51亿美元，2019年受全球宏观经济低迷影响，半导体行业景气度有所下降，收入同比下降11.97%，为4191.48亿美元，预计2021年半导体行业开始复苏，2024 年预计全球半导体行业收入将达到 5727.88 亿美元。纵观全球半导体产业的发展历程，经历了由美国向日本、向韩国和中国台湾地区及中国大陆的几轮产业转移。目前中国大陆已成为全球最重要的半导体应用和消费市场之一。根据国际半导体协会（SEMI）的统计数据，2017年到2020年期间，全球将有62座新晶圆厂投产，其中将有26座新晶圆厂座落中国大陆，占比达42%。新晶圆厂从建立到生产的周期大概为2年，未来几年将是中国大陆半导体产业半导体设备在半导体行业产业链中占据重要的地位。半导体设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。按照摩尔定律，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。相应的，集成电路行业的设备供应商也必须每隔 18-24 个月推出更先进的制造工艺；集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展的快速发展期。集成电路产业面临着新型芯片或先进工艺的产能扩张需求，为半导体设备行业带来广阔的市场空间。值此半导体产业爆发之际，国产半导体设备商开启IPO之路，以期募集资金提升技术实力并扩张产能。上半年已有多家半导体设备商筹备会完成乐IPO之路。屹唐半导体设备IPO获受理屹唐股份科创板IPO申请近日获得上交所受理。屹唐股份是一家总部位于中国，以中国、美国、德国三地作为研发、制造基地，面向全球经营的半导体设备公司，主要从事晶圆加工设备的研发、生产和销售。2020年，屹唐股份干法去胶设备、快速热处理设备市占率分别为全球第一、第二。据招股书介绍，屹唐半导体主要设备相关技术达到国际领先水平，产品已应用在多家国际知名集成电路制造商生产线上并实现大规模装机。该公司干法去胶设备、快速热处理设备主要可用于90纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产；干法刻蚀设备主要可用于65纳米到5纳米逻辑芯片、10纳米系列DRAM芯片以及32层到128层3D闪存芯片制造中若干关键步骤的大规模量产。屹唐股份此次拟募资30亿元，投向屹唐半导体集成电路装备研发制造服务中心项目、高端集成电路装备研发项目以及发展和科技储备资金。本次股票发行后拟在上交所科创板上市。芯碁微装成功登录科创板4月1日，芯碁微装成功登陆科创板，成为“国产光刻设备第一股”。据了解，芯碁微装是专业的光刻设备供应商，专注服务于电子信息产业中PCB领域及泛半导体领域的客户，为客户提供直接成像设备、直写光刻设备以及相应的维保服务。经过多年的深耕与积累，芯碁微装累计服务近70家客户，包括深南电路、健鼎科技、胜宏科技、景旺电子、维信诺、中电科、佛智芯、沃格光电、矽迈微电子、中国科学院半导体研究所、中国工程物理研究院激光聚变研究中心、中国电子科技集团公司第十一研究所等知名企业和研究机构。芯碁微装拟将IPO募集资金用于高端PCB激光直接成像（LDI）设备升级迭代项目、晶圆级封装（WLP）直写光刻设备产业化项目、平板显示（FPD）光刻设备研发项目和微纳制造技术研发中心建设项目。通过上述项目的实施，芯碁微装将进一步满足下游不断发展的光刻设备应用需求，为未来业绩的增长和业务发展打下坚实的基础。盛美半导体科创板IPO已提交注册作为国内半导体清洗设备龙头企业，盛美半导体设备（上海）股份有限公司上市之路一直备受关注。近日，盛美半导体科创板上市已正式提交注册。盛美半导体主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，主要产品包括半导体清洗设备、半导体电镀设备和先进封装湿法设备等。其坚持差异化竞争和创新的发展战略，通过自主研发的单片兆声波清洗技术、单片槽式组合清洗技术、电镀技术、无应力抛光技术和立式炉管技术等，向全球晶圆制造、先进封装及其他客户提供定制化的设备及工艺解决方案，有效提升客户的生产效率、提升产品良率并降低生产成本。盛美半导体拟募资18亿元用于盛美半导体设备研发与制造中心、盛美半导体高端半导体设备研发项目和补充流动资金。中科仪主动终止科创板IPO2021年5月12日，中科仪保荐人招商证券股份有限公司向上交所提交了《招商证券股份有限公司关于撤回中国科学院股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市申请文件的申请》，中科仪向上交所提交了《中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司关于撤回首次公开发行股票并在科创板上市申请文件的申请》（沈科仪发〔2021〕11号），申请撤回申请文件。根据《上海证券交易所科创板股票发行上市审核规则》第六十七条的有关规定，上交所决定终止对中科仪首次公开发行股票并在科创板上市的审核。中科仪主要从事干式真空泵、真空仪器设备的研发、生产和销售，并提供相关技术服务。干式真空泵是半导体制造工艺设备的核心附属设备，为集成电路、光伏、LED、平板显示、锂电池等行业的生产设备提供所必需的高度洁净真空环境。公司真空仪器设备产品主要包括大科学装置、真空薄膜仪器设备、新材料制备设备三大类。中科仪原拟募集资金77100.02万元，其中57100.02万元用于干式真空泵产业化建设项目，20000.00万元用于补充营运资金。华海清科科创板IPO成功过会6月17日，据上交所科创板上市委2021年第39次审议会议结果显示，华海清科科创板IPO成功过会，将于上交所科创板上市。据招股书显示，华海清科是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备制造商，主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，主要产品为化学机械抛光（CMP）设备。CMP是先进集成电路制造前道工序、先进封装等环节必需的关键制程工艺，公司所生产CMP设备可广泛应用于12英寸和8英寸的集成电路大生产线，产品总体技术性能已达到国际先进水平。公司推出了国内首台拥有核心自主知识产权的12英寸CMP设备并实现量产销售，是目前国内唯一一家为集成电路制造商提供12英寸CMP商业机型的高端半导体设备制造商；公司所产主流机型已成功填补国内空白，打破了国际巨头在此领域数十年的垄断，有效降低了国内下游客户采购成本及对国外设备的依赖，支撑国内集成电路产业的快速发展。华海清科首次公开发行的股票不超过2666.67万股，占发行后总股本的25.00%。据招股书显示，华海清科拟募集资金10亿元，此次募集的资金将用于高端半导体装备(化学机械抛光机)产业化、高端半导体装备研发、晶圆再生扩产升级、补充流动资金等项目。汇成真空拟A股IPO 已进行上市辅导备案近日，广东监管局披露了关于广东汇成真空科技股份有限公司（以下简称：汇成真空）辅导备案登记受理信息，其辅导机构为东莞证券，已于6月21日办理了辅导备案登记。据了解，汇成真空是一家面向全球的真空应用解决方案提供商，研发、生产和销售各类真空设备、半导体设备、电子生产设备、光电设备、光伏设备、动力电池设备及产品相关配件的国家高新技术企业，专注设备与产品的相关制造工艺和应用技术、控制软件、工艺流程控制软件及相关生产自动化软件的研发、应用，并提供技术转让、技术咨询和技术服务。目前众多半导体设备商正踊跃寻求IPO，以期抓住中国半导体行业的快速发展机遇，充分发挥公司已有市场地位、技术优势、工艺积累和行业经验，密切关注全球半导体专用设备行业的前沿技术，确保公司产品品质、核心技术始终处于中国行业领先地位，并奋力赶超全球先进水平。同时，这些半导体设备企业也将在现有产品的基础上实现产品性能和技术升级，持续跟踪新兴终端市场的变化，确保公司产品与市场需求有效结合。

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产品简介：溶媒回收仪是一款用于有机溶剂蒸汽冷凝收集的创新性产品。主要与实验室平行蒸发/浓缩仪、旋转蒸发仪、真空干燥箱、真空离心浓缩仪、真空抽滤、固相萃取等样品前处理设备联用，将溶媒蒸汽进行冷凝回收，也可以与真空泵联用，净化真空泵排出的废气，减少有机废气对环境的污染，呵护实验人员的健康。产品特点：n 绿色环保内置三级冷凝器，溶媒蒸汽几乎全部被冷凝回收，乙醇回收率优于99%，二氯甲烷回收率优于98%，相比较传统冷却循环水机、冷阱，具有更高的溶媒回收效率，更绿色环保。n 干净整洁溶媒回收仪不需要添加冷却循环液、不需要外接玻璃冷凝器，使用者不再担心玻璃器件易碎问题，也避免了复杂管路的连接，更有利于实验室的干净整洁。n 防腐耐用溶媒回收仪与气体、液体接触的材质由PEEK、PTFE、高硼硅玻璃组成，能够耐受盐酸及强腐蚀性溶剂，防腐耐用。n 简单方便溶媒回收仪设有进气口及排气口，与设备简单连接，开机即可使用。外置3L螺口溶剂回收瓶，方便大体积溶剂蒸发工作。5英寸彩色液晶触摸屏实时显示工作状态，使用者可随时观察设备的冷凝能力。产品典型应用：u 与旋转蒸发仪联用溶媒回收仪与旋转蒸发仪联用，不需要添加冷却循环液，也不需要外接玻璃冷凝器，使用者不再担心玻璃器件易碎问题，也避免了复杂管路的连接，更有利于实验室的干净整洁。溶媒回收仪具有强大的冷凝能力，每次工作可以回收3000ml有机溶剂，使用者可以根据需要进行多台联用，节约实验室空间，提高工作效率。u 与平行浓缩蒸发仪联用溶媒回收仪与平行浓缩蒸发仪联用，不需要添加冷却循环液，也不需要外接玻璃冷凝器，可以满足3000mL大体积溶剂蒸发冷凝回收需求，溶剂回收仪进气接口高度为25cm，低于平行浓缩蒸发仪输出接口，保证连接管路中的冷凝液全部被收集，防止释放真空时液体回流污染样品。u 真空泵尾气净化应用溶媒回收仪与真空泵的排气口连接，可高效冷凝回收真空泵排除的有机溶剂蒸汽，极微量有机溶剂蒸汽被活性碳柱完全吸收，在实验室通风条件较差的情况下，充分保护使用者的安全与健康。创新点：1.采用直接冷凝技术，不需要添加冷却循环液，不需要外接玻璃冷凝器，方便使用； 2.内部三级冷凝器，有机溶剂蒸汽冷凝回收效率高，乙醇蒸汽冷凝回收效率优于99%，二氯甲烷蒸汽冷凝回收效率优于98%； 3.所有与有机溶剂液体、气体接触的材质，全部采用聚四氟、peek、高硼硅玻璃以及特殊材质，能够耐受氯离子侵蚀； 4.一次性可以收集3L的有机溶剂，适合大通量样品真空浓缩；

扩散泵的一个主要特点是皮实耐用，如果使用保养得当，可以正常工作很多年。在安捷伦举办的“寻找最长寿安捷伦扩散泵”活动中，我们发现了好多装机20年以上还在正常工作的的安捷伦（原Varian）扩散泵。结合安捷伦技术支持团队众多工程师的多年经验， 本文总结了安捷伦扩散泵使用时的一些比较容易忽略的注意事项，使用其它品牌扩散泵的用户也可以参考。一定要使用原厂泵油安捷伦扩散泵的喷塔、加热功率等是针对特种油品设计的，其抽速、极限真空等性能参数也都是在使用安捷伦官方油品时测试的，使用非安捷伦官方油品会影响我们对扩散泵的质量保证，也不利于安捷伦工程师进行故障排查，因为不同品牌或批次的第三方泵油组分可能会有较大的差异，可能会带来抽速/极限真空不够、结晶、焦化、返油等问题，严重时甚至会在不当操作时引发爆炸等危险。注意观察油位和油的颜色冷态/热态的时候分别应该接近但不要超过Cold Full/Hot Full的标线；油的颜色应该是无色或透明度很高的红棕色，当油的颜色变深、发黑时，要及时更换。如果工艺中会产生大量的粉尘，特别是放出的泵油中能观察到大量颗粒物时，扩散泵的油池内很可能会有大量的沉积物，这些沉积物将会对泵的正常工作产生严重影响，请在每次换油时清除这些沉积物并对扩散泵进行彻底的清洗。温度保护开关一定要接入控制系统安捷伦大部分型号的扩散泵都在泵体上设置了温度保护开关，当由于冷却不足、油位不够等原因造成扩散泵温度异常时，可以及时的给出信号。在设计控制系统时，一定要把温度保护开关（常闭的干接点）接入系统，并与扩散泵加热器的供电进行互锁，以保护扩散泵。加热器不要频繁通断电扩散泵是靠泵油持续大量的汽化所产生的油蒸气来工作的，泵油的汽化量和喷射动能，跟加热器功率成正比。扩散泵正常工作时的油温是油自身的物理特性（沸点）决定的， 泵应该持续工作在沸点温度下，若停止泵油的加热意味着扩散泵将很快失去气载能力，造成抽速下降和返油量增大；因此，切勿通过加热器频繁通断电来控制油温。另外，频繁通断电将使加热器忽冷忽热，会严重影响其寿命。注意监控加热器的状态当有某根加热器烧坏时，可能会出现抽速、真空度下降，返油等问题，需要注意监控扩散泵加热器的工作状态（电流/功率），以便及时发现异常。更换加热器时，务必使用安捷伦原厂相同功率和额定电压的加热器。安装加热器时，加热器与泵底板必须紧密贴合，如果两者之间产生间隙，会造成加热器导热不良，局部温度过高，严重影响加热器的寿命。有些型号的扩散泵加热器设计了一次性的弹性压板（Crush plate），它在压紧时会产生永久变形并与加热器紧密贴合，使加热器的温度更均匀寿命更久，这些型号的扩散泵在更换加热器时，压板也要同时更换。冷却水，流量比压力更重要大型扩散泵的泵壁一般采用冷却水来进行冷却，许多客户会监控冷却水的进水压力，然而，当冷却盘管发生堵塞或部分堵塞时，即使进水压力不发生变化，冷却效果也会受到影响，而只要保证冷却水的流量，冷却水压力的变化对冷却效果的影响不大；因此，监测冷却水的流量比监测其压力更重要。另外，冷却水的连接方式，与某些设备的下进上出不同，扩散泵的冷却水是进气口处进，排气口处出，一定要按照说明书上的图示来接。减少返油，以下几点也很关键使用安捷伦扩散泵 扩散泵工作的压力越高，返油越严重。安捷伦扩散泵在刚刚开启高阀时（几帕到零点零几帕）的抽速较大，会大幅减少该压力段的抽气时间，从而减少总返油量。（请参考文章:90%的订单来自用户指定，安捷伦扩散泵口碑为什么这么好）切勿让扩散泵处理超过其最大排气量的气载 每个扩散泵都有一个最大气载的参数，扩散泵工作时处理的总气载不可以超过该数值，否则将出现严重的返油。高阀开启压力有讲究 在高阀开启的瞬间，原来由粗抽泵处理的气载将会切换至扩散泵处理，假设高阀在系统气载等于扩散泵最大气载时开启，通过公式Q=P*S就可以计算出开启压力；可以看出，使用的粗抽泵抽速越大，越需要在更低的压力开启扩散泵。排气阀门间歇关闭要不得 当前级泵切换至腔体粗抽，或者系统处于待机状态时，不要直接关闭扩散泵排气口的阀门，最好使用维持泵持续对扩散泵排气口进行抽气，保持其压力低于扩散泵可承受的最大排气压力（一般为几十帕）。增配加强型的冷帽 当需要更低的返油率时，可以增配加强型的冷帽。安捷伦提供可内置于扩散泵的加强型冷帽，可以使返油率减少90%以上，并且不增加泵的高度。原厂上门保养服务安捷伦真空提供各型号安捷伦扩散泵的上门保养服务，可以在客户现场进行扩散泵的故障排查、拆解、清洗、重新安装、换油等操作，并可以根据不同客户的具体要求订制年度保养协议，最大化的减少客户因为扩散泵故障造成的停机损失。想要了解更多，欢迎关注”安捷伦真空“公众号在线留言或者拨打下面电话联系我们。安捷伦科技中国 真空产品热线：800 820 6778 （固定电话拨打）/ 400 820 6778 （手机拨打）

根据成都唯实公司整体战略规划，为了加快在真空领域的发展，积极拓展真空产品市场，成都唯实公司与成都南光机器有限公司签订战略合作协议。 　　合作双方在充分发挥各自特长的基础上，本着互惠互利、长期合作、共同推进真空业务领域发展的原则，在生产制造、新产品研发方面开展合作，联手开拓真空产品市场。双方的合作不仅有利于南光公司真空产品多元化，也为唯实公司提供了真空业务新的经济增长点。 　　此次与成都唯实公司合作的成都南光机器有限公司是一家总资产过亿元的高科技民营企业，致力于开发和制造真空获得设备和真空应用设备。是国内真空行业的骨干企业。双方的合作必将为共同开发国内真空市场奠定扎实的基础。

汽车的历史新闻：　　近几年，汽车的质量问题屡见不鲜。时下的汽车安全问题，一直是汽车行业消费最关注的话题之一。那么，如今的汽车质量是否能跟上其日新月异的发展节奏呢？本次我们讨论的话题是，汽车电器中电器接插件方面的质量问题与其对应方法。在金属镀厚的过程中，主要有以下几种因素会影响其镀层质量： 镀前处理：生产实践证明造成镀层质量事故多数是由于金属制品的镀前处理不当或欠缺所致。镀前处理的每道工序都会直接问影响到镀层质量。电镀溶液：镀液的性质、各组成成分的含量以及附加盐、添加剂的含量等都会影响镀层质量。基体金属：镀层金属与基体金属的结合是否良好，与基体金属的化学性质有密切关系。如基体金属的电位负于镀层金属的电位，或对易于钝化的基体或中间层，若不采取适当的措施，难以获得结合牢固的镀层。电镀过程：电流密度、镀液温度、送电方式、移动和搅拌的速度等，也会直接影响镀层质量。析氢反应：在宁波电镀过程中大多数镀液的阴极反应都伴随着氢气的析出。当析出的氢气黏附在阴极表面上时会产生针孔或麻点；当一部分被还原的氢原子渗入基体金属或镀层中，会使基体金属及镀层的韧性下降而变脆，叫氢脆。氢脆对高强度钢及弹性零件产生的危害尤其严重。镀后处理：镀后对镀件的清洗、钝化、除氢、抛光、保管方法等都会继续影响镀层质量。电源问题：近年来除采用一般的直流电外，根据实际需要广泛采用换向电镀的方法，使用周期换向电流，还有脉冲电源提供的脉冲电流等都会对镀层质量产生影响。 　　那么，成品镀件的质量究竟该如何管控呢？　　镀层厚度测量已成为加工工业、表面工程质量检测的重要环节，是产品达到优等质量标准的必要手段。为使产品国际化，我国出口商品和涉外项目中，对镀层厚度有了明确要求。目前镀层厚度的测量方法主要有：楔切法，光截法，电解法，厚度差测量法，称重法，X射线荧光法，β 射线反向散射法，电容法、磁性测量法及涡流测量法等等。这些方法中前五种是有损检测，测量手段繁琐，速度慢，多适用于抽样检验。　　X射线和β 射线法是无接触无损测量，测量范围较小，X射线法可测极薄镀层、双镀层、合金镀层。β 射线法适合镀层和底材原子序号大于3的镀层测量。电容法仅在薄导电体的绝缘覆层测厚时采用。　　随着技术的日益进步，特别是近年来引入微机技术后，采用X射线镀层测厚仪 向微型、智能、多功能、高精度、实用化的方向进了一步。测量的分辨率已达0.1微米，精度可达到1%，有了大幅度的提高。它适用范围广，量程宽、操作简便且价廉，是工业和科研使用最广泛的测厚仪器。　　金属表面处理技术广泛应用于电子行业，而电镀处理更是其主要的表现形式，电镀效果也将直接影响电子设备的性能发挥，汽车电子行业也不例外，其中汽车电子连接器端子的电镀将会影响汽车电子设备的导电和信号传输等方面的性能发挥。 目前在汽车电子连接器端子中较为常见的是Sn/Ni/CuZn、Au/Ni/CuZn、Sn/Ni/CuSn、Au/Ni/CuSn等镀层结构，日立FT110系列产品能够有效地对应Sn/Ni/CuZn、Au/Ni/CuZn、Sn/Ni/CuSn、Au/Ni/CuSn结构的膜厚测量，使用日立FT110对Sn/Ni/CuZn、Au/Ni/CuZn结构的测量来讨论电镀工艺在质量管理上的重要性。解决方案请见： http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100718/s544330.htm

推动农村发展北京松源华兴中标道真仡佬族苗族自治县万药山中药材专业合作社玻态真空干燥设备采购项目 按照《世行贷款贵州农村发展项目采购管理手册》和《招标工作流程及工作规范》及相关要求，现将2016年11月24日道真自治县万药山中药材专业合作社玻态（真空干燥）设备询价采购（项目编号：ZYDZWYS-HW-13）开标公示如下：1、北京松源华兴科技发展有限公司，报价118.98万元。2、北京亚星仪科科技发展有限公司，报价129.50万元。3、上海亿倍实业有限公司，报价141.65万元。 经询价采购小组、监督组成员现场评议和监督，确定中标公司为：北京松源华兴科技发展有限公司，该公示时间为7天，如有异议，公示期内请提供书面正式材料向相关监督部门反映。 （来源：道真自治县人民政府门户网站；原标题：关于世界银行贷款贵州农村发展项目道真仡佬族苗族自治县万药山中药材专业合作社玻态真空干燥设备中标公示）

医用真空超声波清洗机是一种利用超声波高频振动产生的微小气泡在清洗液中爆破产生冲击波来清洗和消毒医疗器械的设备。医用真空超声波清洗机主要由超声波发生器、清洗槽、加热系统、水循环系统等组成。 其中，超声波发生器通过振动产生超声波，使清洗槽内的清洗液产生高强度的微小气泡，从而将医疗器械表面的污垢和细菌震落，达到清洗和消毒的效果。 医用真空超声波清洗机在医疗器械清洗和消毒方面具有以下优势：清洗效果好：医用真空超声波清洗机利用超声波高频振动和微小气泡的冲击力，能够有效清除医疗器械表面的污垢和细菌，达到彻底清洗和消毒的效果。操作简单：医用真空超声波清洗机操作简单，只需要将医疗器械放入清洗槽中，启动设备即可完成清洗和消毒的过程，省时省力。无需化学药剂：医用真空超声波清洗机不需要使用化学药剂进行清洗和消毒，避免了化学药剂残留对人体的危害。节能环保：医用真空超声波清洗机采用超声波振动和加热系统来清洗和消毒医疗器械，不需要大量的水和化学药剂，节能环保。 医用真空超声波清洗机广泛应用于医院、诊所、药房、实验室等医疗机构，可用于清洗和消毒各种医疗器械，如手术器械、注射器、针头、口腔器械等。在医疗器械清洗和消毒方面，医用真空超声波清洗机已成为不可或缺的重要设备。