溅射蒸镀膜仪

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

Q300T T Plus–三靶溅射镀膜仪，适用于200mm直径的试样 Q300T T Plus是一种大腔室涡轮泵溅射镀膜系统，非常适合溅射单个直径高达8〃/200mm的大直径试样或多个直径相似的较小试样。非常适合薄膜应用和SEM/FE-SEM应用。它配备了三个溅射头，以确保单个大样本或多个样本的均匀镀膜。

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪配备了热蒸发附件，具有溅射和蒸发两种功能。不但可以用等离子溅射的方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或其他金属单质的薄膜。GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪能够满足扫描电子显微镜样品表面喷金、蒸金或蒸碳过程使用以及非导体材料实验电极的制作，也可以用于材料研究中各种新材料性能的实验。本机体积小，节省实验室空间，操作简单，清理方便，适合初学人员的使用，尤其适用于各大高校的实验室、科研院所、及各企业的实验室的使用。配备了热蒸发附件，可以蒸发碳丝或者其他材料，如铝、不锈钢等材料，同时具有溅射和蒸发的功能。因此扩展了应用范围，特别适用于扫描电镜样品表面喷金或蒸金、蒸碳使用。产品名称GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪产品型号GSL-1100X-SPC-16C安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、靶：?50mm2、样品台：?50mm3、真空室：?160mm×110mm4、真空度：4×10-1mbar-2×10-2mbar5、极限电流：50mA6、可设定极限时间：9999s7、极限电压：1600V DC可调8、真空泵：4L两级机械旋转泵，极限真空2×10-2mbar（也可选配国产分子泵）产品规格尺寸：L400mm x W310mm x H390mm 重量：50 kg标准配件1金靶材1个2碳绳1根3热蒸发附件1套4进气针阀1个5保险丝2个可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

磁控溅射蒸发镀膜仪VTC-1RF-SPC是一套可实现射频磁控溅射和蒸发镀膜功能的系统，包含射频电源、温控型蒸发镀膜模块、真空系统，水冷设备，磁控溅射靶头，不锈钢腔室等。产品名称VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪产品型号VTC-1RF-SPC主要参数 电源：AC380V/50HZ 额定功率：4.2KW外形尺寸：长840*宽750*高1900mm重量：约310KG不锈钢腔室 内径φ250*高度360mm 腔体前部带有一个CF100的真空密封法兰，密封法兰上面安装了一个石英观察窗口； 腔体右侧带有一个从CF60法兰接口，用于和分子泵进行连接 腔室上部有一个LF250法兰接口，法兰端盖上部固定有溅射靶头和样品台； 腔体左侧带有一个KF63法兰接头，用于连接蒸发模块； 腔体右侧带有一个CF35法兰接口，用于连接薄膜测厚仪； 腔体后部带有两个精密调节针阀，用于控制进气量，通过调节进气量的大小，实现腔体内不同真空度的溅射； 腔体后部预留一个1/16英寸的卡套接口，用于客户后期连接质谱仪的检测管道。腔室真空度： 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa溅射靶头磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 （可选配2英寸磁控溅射靶头）样品台样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转样品台旋转速度：0.5-5r/min可调样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。样品台和法兰端盖可以电动升降蒸发模块 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。控制面板控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度 控制电动插板阀的启动和关闭射频电源 输入电源：220V 输出功率：0-300W 输出频率：13.56 MHZ 冷却方式：设备内部的冷却方式为风冷 尺寸：132（长）*442（宽）*405mm（高）（可根据溅射靶材不同选配直流电源）分子泵 分子泵型号：FF-160/700 抽气速率：700L/S 极限压强：6*10-7Pa（不带负载） 启动时间：＜4min 额定转速：36000 R/min 冷却方式：风冷加水冷 抽气口接口尺寸：CF160 带电动插板阀：可在触摸屏中控制电动阀的启动和关闭分子泵控制器 型号：TCP-II 电压：AC220V/50HZ 输出功率：750W 加速时间：5min 输出频率：0-1300HZ复合真空计 型号：ZDF-III 工作电压：AC220V 50/60HZ 电阻规阻值：约85欧 自动保护（电离）＞10Pa 电阻规测量范围：105-10-1Pa 电离规测量范围：100-10-5Pa前级机械泵（选配） 抽真空接口为KF40接口 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 电机功率：1500W 电机电源：AC380V/50HZ 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计水冷设备（选配） 型号：KJ-5000 工作电流：1.4-2.1A 制冷量：2361Btu/h 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）膜厚检测仪（选配） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 &angst LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据

MiniQS 作为一款高性价比离子溅射镀膜仪，能够提供可重复且操作简单的镀膜效果，其采用一个磁控溅射头及圆形靶材设计。

溅射镀膜设备SMD系列（立式）SMD 系列是镀金属膜、ITO、IGZO、诱电体膜等的枚叶式溅射镀膜设备。仅SMD系列就有超过1000台的丰富的采用实绩，在各种各样的生产环境下运转。及时反映从生产现场听取的意见，进一步提高设备的可靠性。产品特性 / Product characteristics&bull 仅基板搬送和侧面镀膜的方式，低particle&bull 节约空间的设计&bull 可以轻松的完成单独基板管理，如成膜条件&bull 根据镀膜物不同选择不同的阴排列&bull 丰富的经验和数据支持，广泛的镀膜工艺对应产品应用 / Product application&bull Display（TFT、智能手机、平板电视（2K、4K）、OLED）产品参数 / Product parameters1、公司介绍深圳市矢量科学仪器有限公司成立于 2020年，由武汉大学团队孵化，致力泛半导体实验线、中试线、生产线装备及工艺和厂务技术服务于一体的国家高新技术企业、创新型中小企业、科技型中小企业。公司主要业务如下:装备销售:半导体道制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试装备、半导体光电测试仪表。设备服务:驻场或者 oncall，装备维护、保养、售后技术支持。厂务服务:驻场或者 oncall，人力服务及厂务二次配工程。经历五年高速发展，2023 年营业额达 3.2 亿，连年复合增长率达 300%，现处于稳定扩张期。2、成长历程&bull 2020年（公司成立年）&bull 2300万订单额2021年 7000万订单额2022年 2.5亿订单额2023年3.2亿订单额

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

请联系张先生shincron溅射镀膜机

Q300T T Plus–三靶溅射镀膜仪，适用于200mm直径的试样 Q300T T Plus是一种大腔室涡轮泵溅射镀膜系统，非常适合溅射单个直径高达8〃/200mm的大直径试样或多个直径相似的较小试样。非常适合薄膜应用和SEM/FE-SEM应用。它配备了三个溅射头，以确保单个大样本或多个样本的均匀镀膜。

HHV BT150和BT300适用于电镜样晶制备以及其他常规科研用途的新型台式镀膜设备 技术信息：BT150腔室：真空玻璃制，圆柱体165mm直径×150mm高，配内爆防护罩；可选配200mm高度的腔室初级真空泵： 12时／h抽速的双级旋片真空泵；可选配无油干泵分子泵（选项）：621/s抽速的涡轮分子泵 极限真空（无分子泵）：5×10E-2mba「（3分钟内）极限真空（有分子泵） ：5×10E-5mba「（8分钟内） 输入电源： 110/230V, 50/60Hz，单相 工艺附件金属溅射：单个溅射靶枪（54mm直径靶材） 适用溅射靶材：Au, Au/Pd, Cu, Fe, C「等 贱射选项：用于溅射易氧化的金属（如Al），需配置分子泵选项 碳纤维蒸发： 脉冲沉积，可选择电流及除气模式 碳棒蒸发：脉冲沉积，可选择电流及除气模式 水冷SEM样品台： 6个SEM样品位，水冷和偏压功能旋转SEM样品台：6个SEM样品位，单轴旋转或行星运动式 常规科研用旋转样品台：适合最大4” 或100mm直径基片 BT300腔室： 真空玻璃制，圆柱体30mm直径×150mm高，配内爆防护罩；可选配200mm高度的腔室初级真空泵：12时／h抽速的双级旋片真空泵；可选配无油干泵分子泵（选项）：621/s抽速的涡轮分子泵 极限真空（无分子泵）：5×10E-2mba「（12分钟内） 极限真空（有分子泵）： 5×10E-5mba「（20分钟内） 输入电源： 110/230V, 50/60Hz，单相 工艺附件金属溅射： 单个、 双个或者三个溅射靶枪（54mm直径靶材）适用贱射靶材：Au, Au/Pd, Cu, Fe, Cr等溅射选项：用于溅射易氧化的金属（如Al），需配置分子泵选项旋转样品台：常规科研用，适合最大4” 或100mm直径基片（双靶），或150mm直径基片（三靶） 行星运动式样品台： 常规科研用，优化沉积均匀性，适合最大200mm直径基片（三靶） 认证标识：BT150和BT300具有CE标识 主要特点 简单的操作会全彩、 高分辨率、 触摸屏控制系统为可存储和编辑工艺配方多达30个会工艺数据可输出到大容量存储器或计算机会可选的集成式薄膜厚度监测仪为自动识别工艺附件 工功能的薄膜沉积技术会惰性金属溅射（SEM应用）为碳纤维及碳棒蒸发（TEM应用）会用于碳膜表面的亲水改性的辉光放电装置（TEM应用）会普通金属的溅射镀膜（常规科学研究应用， 需要配分子泵选项）会金属的热阻蒸发镀膜为自动快门挡板的选项 多种样晶台为水冷及偏压的SEM样品台女旋转的SEM样品台为行星式运动的SEM样品台会适合最大4” 或100mm直径基片的旋转样品台（BT150)为适合最大8” 或200mm直径基片的旋转／行星运动式样品台（BT300) 新型设计的HHV BT150和BT300是面向电镜工作者及科学研究者需求的经济型台式镀膜系统。BT150己具有电镜工作者所需的全面镀膜能力， 而BT300配置了更大的真空腔室， 可满足更广泛的其他常规科研镀膜应用。通常情况下， 这些系统采用金属溅射来制备SEM样品， 而采用碳纤维（或碳棒）蒸发来制备TEM样品。碳蒸发镀膜也可以用于×射线微区分析的样品。BT系列系统还可配置成适合于常规科学研究需求的金属溅射及金属蒸发能力。 具有自动样晶镀膜能力的触摸屏操控系统为了使用方便， 这两款BT设备都配置了彩色的、 高分辨率的触摸屏操控系统。控制系统可存储多达30个工艺配方程序， 可随时调用执行。控制系统能向外输出工艺数据 便于存储及分析。它还能自动识别所安装的工艺附件。 种类繁多的可选样晶台BT系列设备具有多种样品台可供选择。用于承载SEM样品座的静态样品台具有水冷功能， 可防止样品过热， 而且还含有溅射刻蚀及清洗的装置。使用刻蚀装置可以提高某些样品的图像对比度， 而不太脆弱的样品还能通过刻蚀来去除吸附的水汽， 从而改善薄膜附着力。 BT150可选择旋转甚至行星运动式设计的样品台， 最大基片尺寸可达4英寸或者100mm。而BT300也可选择类似的旋转样品台，其最大基片尺寸可达8英寸或者200mm， 满足更广泛的研究需要。 集成的薄膜厚度测量仪BT系列设备的选项中包括全集成式的薄膜厚度监测系统。该系统集成在触摸屏控制器内， 可提供溅射膜厚的控制。 简单的靶材更换BT150和BT300采用简单快速的靶材更换设计， 在必要时可对样品进行不同材料的镀膜。配置旋片泵的系统可以溅射惰性金属，如金、 金／tE、 铀和铜。增加可选的分子泵之后， 这两款系统还能溅射容易氧化的金属， 比如铝。 真空泵选项BT系列设备可以配置双级旋片真空泵， 用于碳蒸发及惰性金属溅射等普通应用。而可选的分子泵可以提供设备更优秀的性能：真正的高真空环境， 以及溅射非惰性金属（比如铝）的能力。 BT系列设备也可以配置干式真空泵， 满足无油真空的要求。 安全设计及认证BT150和BT300具有完善的安全使用及互锁设计， 确保操作人员安全。这些设备可以提供CE标识以及UL认证。

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

SD-650MHG是一款高真空磁控溅射镀膜仪，是我们公司一款定制化的产品。首位用户为美国某位大学一位老师提出来的需求。老师的需求为：因为手套箱里要放很多东西，实在没有多余的空间放置镀膜仪，但传统的镀膜仪多多少少都会占用手套箱内的面积。经过工程师认真思考，研制了首款镀膜仪。该镀膜仪前面的观察窗口几乎和手套箱外壁在同一个平面内，而且还保证了密封问题，。该镀膜仪问世后，深受老师们的喜爱，先后为很多科研机构所选择。

SD-3000型离子溅射仪外观亮丽做工精致，旋钮式定时器档位清晰，手感舒适； 特殊定制的真空指示和电流指示表头沉稳大； 前面板上的微泄漏气阀门可以连接多种气体； 调节溅射电流大小，成膜速度快，质量好； 高压输出可使成膜更加牢固快速。 功能控制和定时皆由CPU调度，使用范围广。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 配有高位定性的飞跃真空泵。 SD-3000型是一款针对做电极研究和半导体研究的仪器，相对于基础型溅射仪，SD-3000型的镀层和样品之间更贴合，更有附着力，以便后续的研究。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料参数：?主机规格：340mm×390mm×300mm（W×D×H）?靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）?靶材：Au（标配）?样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）?靶材尺寸：Ф50mm ?真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar?离子电流表： 最大电流：50mA?定时器： 最长时间：1-360s?微型真空气阀：可连接φ3mm软管?可通入气体： 多种?最高电压： -2800 DCV?机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。7、涂层牢固，特别适用于非导体材料实验电极制作和半导体材料的研究。

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

瑞士Safematic CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射、蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用溅射和蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。SP-010 & SP-011溅射模块两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM等导电薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV版本。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可以进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需破真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。HS-010真空储存箱HS-010真空储存箱可在真空条件下存放备用镀膜头、备用行星台或旋转台、所有溅射靶材和碳附件，使它们处于清洁状态。通过集成的真空管路与镀膜主体单元连接，利用CCU-010抽真空系统对储物箱抽真空。可选地，用户也可用外接真空泵替代。舒适的手动锁定装置和放气阀允许对储物箱进行独立的抽真空和放气控制。额外的标准真空腔室可有效地避免蒸碳和溅射金属之间的交叉污染。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件使用基于PC的Coating-LAB软件，可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚，镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV普通真空镀膜仪版本作为真空镀膜系统的基础单元，专为 SEM 和 EDX 的常规高质量溅射和/或碳镀膜而设计。客户可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

Q300T D Plus–双靶顺序溅射镀膜仪，适用150mm直径的试样 Q300T D Plus适用于两种材料的多层顺序溅射，具有两个独立的溅射头，无需破坏真空即可连续溅射两种金属。该系统是全自动的，用户定义的配方可以控制泵、镀膜顺序、镀膜时间、溅射循环次数和工艺过程中使用的电流等。通过在两个靶之间循环，可以依次溅射来自两种靶材料的厚度不同的膜层。不使用时，镀膜腔室可保持在真空环境下，以防止污染。

货号：208HR供应商：广州科适特科学仪器有限公司现货状态：一个月保修期：1年数量：不限规格：208HR208HR高分辨离子溅射仪为场发射扫描电镜应用中遇到的各种样品喷镀难题提供真正的解决方案。场发射扫描电镜观察时，样品需镀上极其薄、无细晶且均匀的膜层以消除电荷积累，并提高低密度材料的对比度。为了将细晶的尺寸减小到最小程度，208HR提供了一系列的镀膜材料，并对膜厚和溅射条件提供无可媲美的控制。208HR分子涡轮泵高真空系统提供宽范围的操作压力，可以对膜层的均匀性和一致性进行精确控制，并最大程度减小充电效应。高/低样品室的结构设计使靶材和样品之间的距离调节变得极为方便。MTM-20高分辨膜厚控制仪分辨率小于0.1nm，其作用是对所镀薄膜的厚度进行精确控制，它尤其适合场发射电镜对膜厚（0.5－3nm）的要求。 场发射扫描电镜镀膜推荐的靶材是：Pt/Pd：非导电样品镀膜的通用镀膜材料Cr：优良的半导体样品的镀膜材料Ir：优良的真正无细晶的镀膜材料208HR系统为得到最佳高分辨镀膜效果提供了多种配置选择，可配备标准的旋片泵或提供干净真空的无油涡旋式真空泵，标配的208HR包含Cr 和 Pt/Pd靶。一、主要特性 可选择多种镀膜材料 精确的膜厚控制 样品台控制灵活：可对样品台进行独立的旋转、行星式转动、倾斜控制，保证形貌差异大的样品也能得到最佳的镀膜效果。 多个样品座：提供4个样品座，每个样品座直径32mm，可装载多达6个小样品座。 样品室几何可变： 样品室几何用于调节镀膜的速率（1.0nm/s ～ 0.002nm/s） 宽范围的操作压力：独立的功率和压力调节，氩气的压力大小范围为0.2 - 0.005 mbar。 紧凑、现代的桌上型设计 操作容易二、技术参数溅射系统镀膜头低电压平面磁控管靶材更换快速环绕暗区护罩靶材调节遮挡靶材Cr, Pt/Pd (标配) Ta, Au, Au/Pd, Pt, W, Ir , Ti（选配）镀膜控制微处理器控制安全互锁电流控制与真空度无关数字化可选电流（20，40，60 和 80mA）样品室大小直径150mm 高度165 - 250mm样品台非重复的旋转、行星式转动，并可手动倾斜0-90° 转动速度可调 晶体头 4个样品台模拟计量真空 Atm - .001mb 电流 0-100mA 控制方法自动气体净化和泄气功能自动处理排序带有“暂停”功能的数字计时器自动放气膜厚控制MTM-20高分辨膜厚控制仪真空系统结构分子涡轮牵引泵和旋叶泵组合，代替旋叶泵的无油涡旋式真空泵（选配）抽真空速度0.1mb 下300 l/min抽真空时间1 mbar 至 1 x 10-3mbar极限真空1 x 10-5mbar桌上型系统旋叶泵置于抗震台上，全金属真空耦合系统膜厚测控仪MTM-20基于微处理器，4位数字显示，复位按钮， 6MHz晶体（具有寿命检查功能），5次/s的更新速率膜厚范围0.0 - 999.9nm分辨率优于 0.1nm密度范围0.50 - 30.00gm/cm3修正系数范围0.25 - 8.00镀膜终止范围膜厚0 - 999.9nm系统要求电气100-120 或 200-240VAC, 50/60Hz功率550VA（最大）氩气最小纯度99.995% 调节压力 5 - 6 psi (0.4 bar)6.0mm ID连接软管

电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。 特点和优点 ✬ 高性能离子溅射✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计，CCU-010 LV_SP-010为磁控离子溅射镀膜仪。模块化的设计可将低真空单元很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。溅射模块 SP-010 & SP-011两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长-非常适合需要较厚膜的应用；可选多种溅射靶材。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV镀膜主体单元。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。等离子刻蚀单元 ET-010在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀膜后进行等离子刻蚀处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪之外，还可以选择：CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV版本均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，防止系统被前级泵油污染。

Q150R PLUS 系列全自动真空镀膜仪Q150R Plus适用于钨灯丝/LaB6/部分场发射和台式SEM。通过Q150R E＆ES Plus碳绳镀膜可用于元素分析，Q150R S＆ES Plus可用贵金属靶材溅射镀膜。推荐放大倍数：? Au、Au/Pd可达5万倍? Pt（可选）可达10万倍推荐应用：? 中低倍放大倍数观察? 增强二次电子信号（1nm或更小）? 台式SEM镀膜? 元素分析（EDS）? 敷铜层研究Q150R Plus 功能特点：1）全新升级的用户界面：? 电容式触摸屏，灵敏度高，更易触控使用? 用户界面软件全面更新，使用现代智能技术界面? 全面的文字帮助页面? USB接口可轻松进行软件更新和数据备份? log文件格式为.csv，内含日期、时间和工作参数，导出后可在Excel或类似软件中分析? 16GB的闪存可储存超过1000条镀膜方案? 双核ARM处理器，可实现快速响应的显示2）允许多用户输入和储存镀膜方案，并根据近期的使用来排列每个用户的方案。3）智能逻辑系统自动识别插入头，并显示相应的操作设置和控制。4）系统提示用户确认靶材，然后自动为该材料选择合适参数。5）直观方便的软件，即使新手也能快速输入和存储其处理参数，创建自己的镀膜程序，且系统已存储典型的溅射和镀碳程序可供直接调用。6）如果软件检测到在一段时间内无法达到设定真空度，系统会终止程序，以防真空泵过热。7）可互换的插入头：允许用户将系统配置为溅射镀膜仪、蒸镀仪或辉光放电系统 - 所有这些系统都可集成在一个设备中，节省空间。可选碳绳蒸发。可自动检测识别插入头类型。8）可拆卸腔室，设有防爆罩：可拆卸玻璃腔室，易清洁底座和顶板。如需要，用户可快速更换腔室以避免敏感样品交叉污染。高腔室选项可用于碳蒸发，避免样品过热；提高溅射的均匀性和承载较高尺寸的样品。9）多种样品台可选：Q150R Plus具有可满足大多数要求的样品台。所有样品台都是插入式（无螺丝），易于更换。10）安全性：Q150R Plus符合行业CE标准Q150R Plus系列镀膜仪具有三种型号：1）Q150R S Plus全自动溅射镀膜仪，可溅射不氧化金属。可溅射的靶材包括金、金/钯合金和铂。2）Q150R E Plus全自动碳绳蒸镀仪，适合SEM领域的EDS和WDS应用。3）Q150R ES Plus集成了离子溅射和碳蒸镀两种方式的全自动镀膜系统。镀膜头可在数秒内更换。Q150R Plus是Quorum Technologies出品的国际认可的Q系列镀膜仪的一部分，全球数千家客户使用此类镀膜仪。Q系列旨在为SEM、TEM和薄膜应用提供高质量的镀膜解决方案，Q系列功能多样、价格合理且易于使用。Q150R Plus主要操作参数：离子溅射：溅射电流范围宽，至预设厚度（需选用FTM）终止或定时终止。超长的可设溅射时间，无需破真空，自动内置冷却占空比。蒸镀：稳定的无杂波直流电源控制的脉冲蒸发，确保碳绳蒸镀的重复性。脉冲蒸发电流范围宽。可视化状态指示：大而多色的LED指示灯，使用户在一定距离就可轻松识别过程状态。指示灯可显示以下状态：◆ 初始化中 ◆ 程序运行◆ 空闲状态 ◆ 正在镀膜◆ 程序完成 ◆ 故障停机状态程序完成后音频声音提示覃思科技是英国QUORUM仪器中国区代理商和服务商，更多仪器信息请访问 精研覃思，无微不至，欢迎新老客户来电来函咨询选购！

产品简介：该设备为小型三靶磁控溅射镀膜设备，通过模块式化设计后，系统安装方便灵活易于维护，适合科研与教学实验使用。产品型号三靶高真空磁控镀膜溅射系统主要特点1、组成由单室超高真空双靶磁控溅射室，由溅射真空室与管路组成。2、配有旁抽系统，启动快不停机即可更换样品，重复性好。3、用于镀制各种单层膜、多层膜系，可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等溅射模式。4、同时可以实现反应磁控溅射，制备氮化物，氧化物等，可镀金属及导磁金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。5、作为试验设备来说达到了最佳的性能价格比。技术参数系统由真空腔室、旋转样品架、磁控溅射靶、铠装加热器、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统等各部分组成。极限真空优于：5.0x10-5Pa（经烘烤除气后）真空漏率小于2.0x10-8Pa.l/S系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.0x10-4Pa；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa1、 真空室腔体尺寸Ф300x350mm，手动上开盖辅助液压结构，前有一个观察窗，样品台可旋转内部连接铠装加热器、真空规、放气阀等各种规格的法兰接口，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面采用电解抛光处理。采用金属或氟橡胶圈密封。配备一体机柜标准电箱。2、磁控溅射靶靶材尺寸：Φ50mm（其中一个可以溅射磁性材料）；永磁靶一支、强磁靶一支：射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；配手动挡板。2个靶可共同向下面的样品中心溅射，靶与样品距离90～110mm可调。3、铠装加热样品:加热区域为Φ100mmX100mm(H),基片加热最高温度 室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。配有磁力转轴，电机驱动每分钟低于30转。标准配件1、真空部件进气角阀：2套；RF100观察窗：1套；观察窗法兰：RF100 2个；电阻规： KF16 1个；电极引线： CF25 1个；2、工作真空获得及测量：直联6L/s机械泵： 1台；F600分子泵：1台；电磁KF20阀：1台；5227真空计：1台角阀RF16、管路、接头、充气阀D6等： 1路；KF25电磁压差阀： 1台；CF100闸板阀：1台；3、相关规格的金属密封铜圈，氟橡胶密封圈4、不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等5、安装机台架组件:安装台架：整个设备安放在一个用承载式标准电箱上，箱体均进行喷塑处理。拆卸方便占地小780mmX580mmx1100mm。6、电源控制系统电源布置在标准电箱上，安装于系统机架上。7、自制电源控制电源：1台（为机械泵、电磁阀等提供电源及过程控制带逻辑监测）； 样品加热电源：1台（日本产控温表可实现程序控温）室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。8、配套电源真空计电源：1套直流DC500W电源：2套流量显示、流量控制器：1套9、备品备件：1套

瑞士Safematic电镜制样设备CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV_SP-010高真空离子溅射镀膜仪为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，变换镀膜头非常简单。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。标配FTM膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射仪，可选等离子处理附件✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 标配隔膜泵和涡轮泵；全量程真空测量（皮拉尼，冷阴极真空计）✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜系统，除了用于SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜之外，还涵盖了最高级的SEM，TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。LC-006金属大腔室LC-006是当前玻璃腔室的扩大版，为铝制结构。这个可选的金属腔室可容纳6"晶圆或其它大尺寸样品，而且消除了对内爆防护的需求。在CCU-010上选配LC-006, 无需任何修改就可实现更大样品和晶圆的镀膜。SP-010 & SP-011溅射模块 两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV和CCU-010 HV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM、FIB和各种薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV系列镀膜仪。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。SP-011与CCU-010 HV相结合，可满足诸如DLC，ITO或铁磁溅射材料镀膜等具有挑战性的应用。ET-010等离子刻蚀单元 在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。选用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力；也可在样品镀膜后进行等离子处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空溅射和镀碳仪采用优质组件和智能设计，可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作，所有CCU-010 HV系列高真空版本的镀膜仪，均采用TFT 触摸屏，配方可编程，保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油，含高性能涡轮泵和前级隔膜泵，均位于内部，外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时，该设备可以保持在真空下，这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响，并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本有：CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪；CCU-010 HV高真空离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪。CCU-010 HV系列高真空镀膜的主要亮点在于实现了两大技术性突破：一是独家采用自动碳纤维供给系统，在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行，比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作，既适用于大多数常规镀碳应用，也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁（增加附着力）+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性（比如：亲水化）或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成，大大提高了镀膜质量，拓宽了应用范围。另外，瑞士制造，是“精密”和“高品质”的代名词；瑞士原厂货源，覃思本地服务，客户买得放心、用得省心！

磁控溅射镀膜机 - 紧凑，适合科研，极高性价比！型号：AP-MMS1产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属、氧化物等；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：直流磁控溅射，射频磁控溅射；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；5/ 靶枪：2英寸直径 (选配：3英寸)；6/ 直流电源：2KW(800V - 2.5A)；7/ 气体传输模块：MFC控制，氩气，100sccm；

SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备优点：体积小，抽真空时间快，可做靶材种类多。特点：1、高真空磁控溅射仪要求稳定，安全可靠，操作简单便捷。适用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。2、 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、旋转样品台、工作气路、抽气系统、真空测量及电控系统等部分组成。3、★高真空磁控溅射仪长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 可放于桌面，小巧不占空间。抽真空速度快，10分钟可进入工作状态。真空腔体采用直径260mm×高270mm的金属真空腔体，真空腔体上有多个备用标准接口，方便老师想进行其他实验研究接入设备，后期可直接配备射频溅射系统，方便老师后续想镀半导体等材料。4、前级机械泵抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 ，后级抗冲击涡轮分子泵采用抽速为300L/s。真空测量采用复合真空计监测真空，极限真空度: 5×10-5Pa。 5、★直流恒流电源输入电压为220V，输出电压为0-600v，输出电流为0-1.6A ，沉积速率为0-200nm/min。电控带锁系统，防止无关人士误操作。溅射定时保护装置，防止溅射时间过长引起的样品损坏。溅射磁控头直径为50mm。配备一块厚度不小于0.2mm厚的金靶，方便产品到货直接使用。基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。6、 样品台采用旋转式样品台。直径尺寸可选，最大不能超过φ150mm。7、采用自循环冷却水机冷却靶头，保证靶头寿命。8、 真空腔室采用金属腔体，具备良好气密性，防止漏气，确保高真空度。尺寸直径260mm×高270mm（外尺寸 ），容积≥9300ml。适用更多样品。9、 样品台直径200mm，支持水平旋转、20度倾斜球形旋转。可放置≥12个标准SEM样品座。适用更多形状的样品，保证镀膜的均匀性。10、 溅射管头为双靶，配水冷。可支持磁控溅射、离子溅射，可溅射强磁性材料。11、 标配铜靶、铬靶各一块。直径50mm×3mm。其它可溅射靶材包括铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等12、 靶材均匀度直径50mm内，金属类膜厚均匀度可达±1%13、 可配直流恒流电源、射频电源（含匹配一体机）输入电压：220V输出电压：0-600v可调输出电流：0-1.6A可调14、 配置VPI液晶控制面板，可智能控制系统操作。操作简单，人机界面良好。15、 极限真空度5×10-5Pa，真空抽速300L/s。16、 标配自循环冷却水机一台。17、 气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。18、可放置于桌面，减少占地空间。19、膜厚仪监控范围0～6000纳米。可监控速率0.001纳米/秒。与触摸屏程序操作相结合，可联动控制，监测膜厚。 原理： 溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动，增加了电子行程，提高了气体的离化率，同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量，基体温度较低，在不耐温材料上可以完成镀膜。SD-650MH高真空磁控溅射镀膜机博远微纳VPI镀膜设备指标品牌：北京博远微纳科技有限公司 型号：SD-650MH 仪器主机尺寸:长610mm×宽420mm×高220mm（注：含腔体总高490mm） 工作腔室尺寸：金属腔体：直径260mm×高270mm（外尺寸 ） 直径210mm×高270mm（内尺寸） 靶材尺寸： 直径50mm×厚3mm（因靶材材质不同厚度有所不同） 靶材料：标配一块直径50mm×0.3mm的铜靶（可溅射弱磁性金属膜） 靶枪冷却方式：水冷 真空系统： 抗冲击涡轮分子泵，抽速为 300L/s 前级机械泵： 抽速为 4L/s，带防返油电磁阀及油污过滤器 真空测量：采用复合真空计监测真空 极限真空度: 5×10-5Pa（10分钟可到5×10-4Pa） 电源：直流恒流电源： 输入电压：220V 输出电压：0-600v可调 输出电流（沉积电流）：0-1.6A可调 载样台： 旋转台等 工作气体： Ar等惰性气体） 气路：气路可以通过电磁流量阀与手动阀联动控制。实现自动补气。 沉积速率： 0-200nm 水冷： 自循环冷却水机 电源电压： 220V 50Hz 启动功率 ： 3KW 保修 ： 贰年 用途特点： 高真空磁控溅射镀膜仪主要由溅射真空室、磁控溅射靶、样品台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。高真空溅射可用于金属等新型薄膜材料的制备，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。