几何实验装置

连续结晶装置该装置适用于连续管道反应或连续结晶实验应用。可以处理固体、液体和气体，适用于多种行业，包括化工、制药、生物化工、生物燃料和食品饮料。实验室装置有四种型号：Lite、Standard、Plus和Compact，均为连续振荡挡板结晶器和反应器。具有连接过程分析设备的安装接口，可以根据实验需要在不同反应位点进样，可以对不同反应位置设定控制不同的温度具有以下选项连接过程分析技术的额外接口额外的进料环允许多次添加化学品/化合物高温护套选项（zui大150℃）CC15Lite1.25L体积，7m长，标称流速为40ml/min时，典型停留时间为30分钟，直道有护套尺寸：W1110xD800xH1010mmDN15Lite型号上没有护套弯管。当温度控制对结晶或反应至关重要时，应在重要的战略点使用保温层。或者，可以用夹套弯管来升级装置。CC15Standard体积2.5L，长14m标称流速为40毫升/分钟时，典型停留时间为60分钟直管和弯管均带有护套尺寸：W1110xD800xH1010mmCC15Plus体积3.5L，长20m，标称流速为40ml/min时，典型停留时间为90分钟，直管和弯管均带有护套尺寸：W1110xD800xH1350mmCC15Compact1.5L至2.5L体积DN15紧凑型反应堆具有与DN15Lite和DN15标准型号相同的反应堆几何形状，但占地面积小得多尺寸：W930xD480xH1010mm连续结晶设备与传统间歇结晶器相比具有许多显著的优点：经济性好、操作费用低、过程易于控制。由于采用了结晶消除和清母液溢流技术，使得连续结晶器具备了能够控制产品粒度分布及晶浆密度的手段，使得结晶主粒度稳定、母液量少、生产强度高。根据不同的产品工艺要求，连续结晶装置可以由一台结晶器与加热器、冷凝器等组成，也可由多台串、并联与加热器漩涡混合，多个隔离挡板室相当于多级连续反应釜低流速层流条件下可实现较长停留时间混合条件可通过活塞震荡频率和幅度准确控制

主要特点：仪器特点：该仪器可以测几何光学方面各种镜头，镜片，（包括胶合、单片）光学组件的焦距、节点等。其结构简单，操作方便，适合大学教学实验及科研实验。成套性：导轨、二维调整架、干板架、白屏、像屏、读数显微镜架、白光源、透镜、平面反射镜、测微目镜、节点架、分划板

WD4000晶圆几何形貌量测系统是通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。可兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。WD4000晶圆几何形貌量测系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000晶圆几何形貌量测系统可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。 无图晶圆厚度、翘曲度的测量细磨片25次测量数据Sa曲线图部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

HYGJ-1便携式轨道检查仪　轨道静态几何参数测量仪HYGJ-1便携式轨道检查仪主要用于对轨道静态几何参数即轨距、水平（或超高）、左右轨向及正矢、左右高低及三角坑的检测；主要由检测机械装置、数据采集分析系统及智能型数据分析处理软件三部分组成。主要功能自带计算机（数据采集仪）用于记录并分析数据，同时将测量的真实结果实时显示出来；现场超限报警功能可立即让检测者标记处大病害的处所。可手动记录线路的特征点、道口、站台、固定螺栓脱落、断轨等标记或病害。主要指标采样间隔：0.125m数据存储：存储5000公里线路检测数据电池容量：能连续工作8小时推行速度：0-8km/h电源电压：DC12V控制系统：一键式多接口专用专用软件系统：自带hydcrack4.5GJS软件系统，多模块兼容接口，自定义生成不同类型EXCEL检测报告特点：完全一体式设计，无需拆装，减少机械误差；含IRS微调系统，双置3XLimW及自调节测量装置：一体式H-Le和Gys多功能集成探头，一键自动识别操作环境：-20℃-+50℃，湿度≤90％RH重量：＜20kg机架尺寸：≈1500x450x1260mm检测项目及指标检测项目测量范围 示值误差　　备注高低 ±100mm　　±1mm　 10m弦轨向 ±100mm　　±1mm　 10m弦正矢 ±400mm　　±1mm　 20m弦（对应曲线半径半径450m＜R＜800m)轨距 1410-1470mm　±0.5mm水平及超高±200mm　　±0.5mm（超高掉头误差0.5mm) 三角坑 ±30mm　　 ±1mm　　2.4m/6.25m基长（可选）里程0-9999km　±1‰ 轨距变化率　1‰、2‰（可选）

WD4000晶圆几何形貌测量系统采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。WD4000晶圆几何形貌测量系统自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。 3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格型号WD4200厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 、氮化镓 、磷化 镓、锗、磷化铟、铌 酸 锂 、蓝宝石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等测量范围150μm~2000μm测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化) 、LTV 、BOW、WARP 、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉测量视场0.96mm×0.96mm可测样品反射率0.05%~ 100%测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大 类300余种参数系统规格晶圆尺寸4" 、6" 、8" 、 12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm工作台负载≤5kg外形尺寸1500× 1500×2000mm总重量约 2000kg恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

中图仪器Mars几何尺寸检测精密三坐标测量机采用的测量技术和精密的传感器，结合精密的机械结构和温度补偿系统，精度高、重复性优。支持触发探测系统，能够对各种零部件的尺寸、形状及相互位置关系进行检测。主要特点1.三轴均采用低热膨胀系数的花岗岩导轨，机器具有良好的温度适应性，抗时效变形能力。2.环抱式气浮布局，使机器在高效稳定运行的同时保持高精度。3.关键部件一体铸造成型，重量轻，强度高，提升机器精度及运动平稳性。4.Z轴采用柔性平衡系统，降低摩擦阻力，提高Z轴运动精度。5.采用高精度、高分辨光栅尺，确保机器高精度和长时间稳定。6.高刚性传动方式，保证机器传动的平稳性和刚性。7.开放式的工作台面，具备良好的承载能力，以及开阔的测量视野。8.气压检测安全装置，时刻监测Z轴不因断气而下坠，确保测座测头使用安全。高精度：精密制造的核心1、精密的光栅系统：采用高分辨率金属光栅尺，确保机器在使用过程中具有高精度和长时间的稳定性。2、高精度测头：接触式或非接触式测头均经过精确校准，以捕捉细微的几何特征。3、测量分析软件：PowerDMIS三坐标测量软件是中图仪器自主研发，拥有自主可控的核心技术。该软件支持DMIS与I++标准协议，并通过了德国PTB最小二乘法和最小区域法的双认证。高重复性：持续稳定的质量保障1、稳定的机械结构：关键部件一体铸造成型，结构紧凑、重量轻、强度高，运行更为快速平稳。2、精确的控制系统：全闭环直流伺服电机驱动控制技术，具有优异的伺服跟随控制能力；微秒级速度前瞻轨迹规划算法，实现高效平滑运动和高空间运动重复性。3、校准和维护：定期的校准和专业维护确保设备长期保持最佳状态。Mars几何尺寸检测精密三坐标测量机以更经济的价格获得高性能的测量设备，同时减少长期的维护和运营开支。国产化品牌本地化生产和供应链管理降低了生产和运营成本，使产品价格更具竞争力，而且性能同样可靠，提供了高性价比的选择。由于不同行业和领域的测量需求各不相同，国产三坐标测量机功能的研发和应用也可以根据具体情况进行定制和改进，国产品牌也能够更快地响应客户需求，提供及时的售后服务。测控部分 Mars几何尺寸检测精密三坐标测量机测控部分的配置可以根据需求进行选择不同的型号和品牌。1、控制器中图Alpha系列控制器，是中图自主研发的三坐标控制器，可以匹配中图自己研发的测头测座系统和主机系统。性能特点：全闭环直流伺服电机驱动控制技术，具有优异的伺服跟随控制能力；固态电子开关设计，无大功率继电器，具有更小的体积和冲击电流，更高的可靠性；同步PWM控制技术和共模抑制设计，环路响应快，驱动效率高，发热低；微秒级速度前瞻轨迹规划算法，实现高效平滑运动和高空间运动重复性；控制器符合I++标准，能兼容市面上的主流测量软件。2、测座ACH100T全自动旋转测座为中图仪器自主研发的自动旋转测座，可实现测头在A 轴和B 轴以7.5 度为增量移动，该测座具有720个可重复定位空间位置，可配置长达300mm 加长杆。精度超进口测座。性能特点：测座能实现A角度0-105°，B角度-180°-﹢180°的运动；测座采用精密的6点定位，实现测座的高定位精度；关键零部件采用复合材料、高强度材料；测座通过动态防撞、静态防撞设计，确保测座的使用安全。3、测头CP100T触发测头为中图仪器自主研发的机械式触发测头，可以在空间5个方向进行触发受力，经过长时间的反复对比测试，性能优于同类型进口测头。精度高，稳定性好。4、测量软件Power DMIS测量软件是中图仪器自主研发的三坐标测量分析软件，拥有自主可控的核心技术。该软件支持DMIS与I++标准协议，并通过了德国PTB认证。

MX 2012 晶圆几何测量仪应用：适用于 300mm 晶圆的高精度几何测量仪。MX2012 作为手动装载的独立站运行，每小时至少可处理 50 片晶圆。共具有 69 个测量点，以高分辨率控制厚度、弓形和翘曲。可选择进行晶圆应力评估。直立位置测量可避免重力引起的下垂。系统可转换为 200mm 晶圆测量。配备MX-NT 操作软件。测量类型：厚度、平整度(TTV)参数：晶圆尺寸：300mm测量准确度：±0.5 µ m分辨率：50nm厚度范围：500-1000 µ m自动晶圆测量：自动软件：MXNT测量原理：MX2012系列的晶圆几何台由上下两个探头组成。每个探头都基于一块1英寸厚的扁平铝板，69个电容式距离传感器嵌入其中，且两个传感器板互相垂直相对安装，避免了重力引起的晶圆额外下垂。由压缩空气活塞驱动的偏心系统可以操纵上探头的提升和降低上探头。在升高的位置，测量对象被装载和卸载。在降低的位置，上探头由三个硬金属螺栓承载，球形端安装在下板中。这确保了在0.1 µ m定位后的可重复性。下板由塑料片覆盖，塑料片包含空气通道并提供真空吸盘的吸入口。真空吸盘系统具有三个独立的电路，可以依次启动。塑料片的电介质通常会影响电容测量。然而，它的影响作为系统校准的结果之一可以忽略不计。

WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的厚度、粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000半导体无图晶圆几何形貌检测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格 品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000无图晶圆几何量测系统采用高精度光谱共焦传感技术、光干涉双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立3D Mapping图，实现晶圆厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反应表面形貌的参数。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000无图晶圆几何量测系统采用白光光谱共焦多传感器和白光干涉显微测量双向扫描技术，完成非接触式扫描并建立表面3D层析图像，实现Wafer厚度、翘曲度、平面度、线粗糙度、总体厚度变化(TTV)及分析反映表面质量的2D、3D参数。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000无图晶圆几何量测系统集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。 5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。 部分技术规格型号WD4200厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 、氮化镓 、磷化 镓、锗、磷化铟、铌 酸 锂 、蓝宝石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等测量范围150μm~2000μm测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化) 、LTV 、BOW、WARP 、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉测量视场0.96mm×0.96mm可测样品反射率0.05%~ 100%测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大 类300余种参数系统规格晶圆尺寸4" 、6" 、8" 、 12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm工作台负载≤5kg外形尺寸1500× 1500×2000mm总重量约 2000kg如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

WD4000晶圆几何量测机通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。性能特点自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000晶圆几何量测机集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm； （2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）WD4000晶圆几何量测机集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

WD4000国产晶圆几何形貌量测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV、BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。WD4000国产晶圆几何形貌量测设备自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能 1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量WD4000国产晶圆几何形貌量测设备集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。（2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

VX8000中图仪器一键几何长度测量仪采用双远心高分辨率光学镜头，结合高精度图像分析算法，并融入一键闪测原理。编程简单，工件可以任意摆放，批量测量更快捷高效。VX8000中图仪器一键几何长度测量仪一键测量二维平面尺寸测量，或是搭载光学非接触式测头实现高度尺寸、平面度等参数的精密快速测量。更适用于要求批量测量或自动测量的应用场景。如电子PCB测量、五金零部件检测、橡胶圈尺寸测量、手机尺寸检测等领域，在满足产品测量精度的同时，对于操作人员要求也更低，并且软件使用更加简单便捷。产品优势一键闪测，批量更快 1.任意摆放产品，无需夹具定位，仪器自动识别，自动匹配模板，一键测量。2.多可同时测量1024个部位。3.支持CAD图纸导入，一键自动匹配测量。4、CNC模式下，可快速精确地进行批量测量。计算精准，稳定可靠1.高分辨率镜头和2000万高像素工业相机，1%亚像素图像处理，高精度算法分析。2.自动对焦，排除人为测量操作干扰，且重复聚焦一致性高。3.自动识别测量部位，每次都能获得统一稳定的测量结果。操作简单，轻松无忧1.任何人都能很快上手，无需复杂培训。2.简洁的操作界面，任何人都能轻松设定和测量。3.测量现场立即评价测量尺寸偏差，一键生成统计分析、检测结果报告等。功能丰富，自动报表1.提供多达80种提取分析工具和多种专用测量工具。2.自动输出SPC分析报告。3.具有强远程数据输出功能。 测量功能1.量测工具：扫描提取边缘点、多段提取边缘点、圆形提取边缘点、椭圆提取、框选提取轮廓线、聚焦点、最近点等。2.可测几何量： 点、线、圆（圆心坐标、半径、直径）、圆弧、中心、角度、距、线宽、孔位、孔径、孔数、孔到孔的距离、孔到边的距离、弧线中心到孔的距离、弧线中心到边的距离、弧线高点到弧线高点的距离、交叉点到交叉点的距离等。3.构建特征：交点、中心点、极值点、端点、两点连线、平行线、垂线、切线、平分线、中心线、线段融合、半径画圆、三线内切圆、两线半径内切圆等。4.形位公差：直线度、圆度、轮廓度、位置度、平面度、对称度、垂直度、同心度、平行度等形位公差评定。5.坐标系：仪器坐标系、点线、两点 X、两线等工件坐标系；图像配准坐标系；可平移、旋转、手工调整坐标系。6.快速工具：R角、水平节距、圆周节距、筛网、槽孔、轮廓比对、弹簧、O型圈等特殊工具快速测量。7.支持公差批量设置、比例等级划分、颜色自定义管理。中图仪器一键几何长度测量仪大幅有效的提升了产品的检测效率，更切合追求“快"、“准"、“稳"的现代化工业尺寸测量！目前被广泛应用于3C电子零件、精密五金配件及塑胶产品等常规尺寸的快速、批量测量，像一些精密螺丝、精密弹簧、齿轮、手机外壳、手机玻璃、精密五金配件等尺寸较小的产品及零部件需要批量测量时。 应用领域可用于机械、电子、模具、注塑、五金、橡胶、低压电器、磁性材料、精密冲压、接插件、连接器、端子、手机、家电、印刷电路板、医疗器械、钟表、刀具等领域。部分技术规格型号VX8300图像传感器2000万像素CMOS受光镜头高分辨率双远心镜头测量视野广视野300×200（4角R50）高精度230×130高度测量（选配）可测量范围（XY）120mm×110mmZ轴不移动高度±3.5mmZ轴移动75mm分辨率0.25μm卧式转台规格（选配）测量直径Φ60mmXY电动载物台X轴移动范围210mmY轴移动范围110mmZ轴移动范围75mm外形尺寸(L×W×H) mm531*503*731重量75kg恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

仪器简介： 美国MTI公司为半导体行业硅片几何参数测量技术-电容探头领域的佼佼者，与昔日的ADE齐名：为世界半导体业硅片几何参数测量的标准测试设备；为纳斯达克上市企业。 主要参数： 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterned Bare wafer/Quartz Base,Tape 4.Thickness: (ASTM F533),Range-+/-500um Accracy-+/-0.25um Repeatability-0.050um 5.TTV: (ASTM F533) Range-+/-500um Accuracy-+/-0.050um Repeatablity-0.050um 6.Bow:(ASTM F1390) Range-+/-250um Accuracy-+/-2.0um Repeatabiligy-0.75um 7.Flatness(Global)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy-+/-0.05um Repeatbility-0.030um 8.Flatness(Site)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy: +/-0.05um Repeatbiligy:0.030um设备：Proforma 300SA：半自动大12寸晶圆几何参数测量仪；Proforma 200SA：半自动型大8寸晶圆几何参数测试仪； 测试数据/结果例子：23-Sep-2013 Wafer Summary Report Page:1.00 Operator: Administrator Lot Number:DK Wafer 200mm Passed:4 Measurement Date:09/23/2013 Recipe: 200mm,33,m,1notch,1-29-13 1 run Failed:0 Measurement Time:17:51:58 Yield:100.0% WaferWafer CenterAvgMinMax 3PTLSQ3PTLSQ MaxMaxMaxMaxMaxMaxMaxMax% SitesNumberIDThicknessThicknessThicknessThicknessTTVBowBowWarpWarpSoriGBIRGF3RGFLRGBIDGF3DGFLDSBIRSF3RSFLRSFQRSBIDSF3DSFLDSFQDPassed (uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM) Low Limit High Limit 1.00shiny side729.56729.15728.83729.650.82-0.20-2.2118.3217.7417.720.820.760.750.820.630.480.290.300.300.130.210.200.200.07100.002.00dull side729.60729.14728.77729.730.963.855.5917.3417.3217.560.960.770.770.960.640.540.320.340.340.190.260.250.250.13100.003.00shiny side729.52729.10728.77729.610.840.33-1.5516.7517.3017.270.840.750.740.840.610.480.340.330.330.130.190.190.190.09100.004.00dull side729.54729.10728.76729.680.923.295.3417.2117.2917.530.920.790.760.920.610.530.290.270.280.180.270.260.260.10100.00 Minimum729.52729.10728.76729.610.82-0.20-2.2116.7517.2917.270.820.750.740.820.610.480.290.270.280.130.190.190.190.07100.00 Maximum729.60729.15728.83729.730.963.855.5918.3217.7417.720.960.790.770.960.640.540.340.340.340.190.270.260.260.13100.00 Average729.56729.12728.78729.670.891.821.7917.4117.4117.520.890.770.760.890.620.510.310.310.310.160.230.230.230.10100.00 Std Dev0.0300.0220.0280.0440.0561.7723.6810.5730.1900.1620.0560.0150.0120.0560.0140.0250.0220.0290.0250.0250.0320.0290.0300.0210.000 200SA/300SA操作界面，3D图形貌显示技术参数： 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterned Bare wafer/Quartz Base,Tape 4.Thickness: (ASTM F533),Range-+/-500um Accracy-+/-0.25um Repeatability-0.050um 5.TTV: (ASTM F533) Range-+/-500um Accuracy-+/-0.050um Repeatablity-0.050um 6.Bow:(ASTM F1390) Range-+/-250um Accuracy-+/-2.0um Repeatabiligy-0.75um 7.Flatness(Global)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy-+/-0.05um Repeatbility-0.030um 8.Flatness(Site)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy: +/-0.05um Repeatbiligy:0.030um主要特点： 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterned Bare wafer/Quartz Base,Tape 4.Thickness: (ASTM F533),Range-+/-500um Accracy-+/-0.25um Repeatability-0.050um 5.TTV: (ASTM F533) Range-+/-500um Accuracy-+/-0.050um Repeatablity-0.050um 6.Bow:(ASTM F1390) Range-+/-250um Accuracy-+/-2.0um Repeatabiligy-0.75um 7.Flatness(Global)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy-+/-0.05um Repeatbility-0.030um 8.Flatness(Site)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy: +/-0.05um Repeatbiligy:0.030um

中图仪器WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备系统自动测量 Wafer 厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图；2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等； 2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。WD4000半导体晶圆多维度几何形貌特征检测设备兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。可实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。无图晶圆厚度、翘曲度的测量 通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。

应用于地球科学的大尺寸几何结构离子探针IMS 1300-HR3是一款大尺寸几何结构离子探针，可为广泛的地球科学应用提供无与伦比的分析性能：使用稳定同位素追踪地质过程，矿物定年，以及确定痕量元素的存在和分布。其高灵敏度和高横向分辨率也使其成为搜索和测量铀颗粒以用于核防护目的的必要工具。高空间分辨率和高质量分辨率下的高再现性的独特组合借助新型IMS 1300-HR3，CAMECA极大地提高了已占据市场领导地位的大尺寸几何结构SIMS的性能，现可在高空间分辨率和高质量分辨率下为地球科学界提供高重现性的独特组合。该工具可充分满足高精度和高生产率的小尺度原位同位素测量的需求，并拓展了广泛的研究方向——从稳定同位素、地质年代学和痕量元素到小颗粒等等。秉承了IMS 1280-HR和之前型号的主要优点：大尺寸几何结构设计可在高质量分辨率下提供高灵敏度应用于高精度同位素测量的多功能多接收器系统用于分析正负二次离子的双一次离子源卓越的离子成像能力（探针和显微镜模式）增强型磁场控制系统实现了高质量分辨率下的高再现性远程操作、全自动化、功能强大的应用专用软件IMS 1300-HR3的改进及优点：新型射频等离子体氧源显著增加了电子束密度和电流稳定性，极大地提高了空间分辨率、数据再现性和通量。具有自动化样品高度（Z）调节功能的新型电动储存室可显著提高分析精度、易用性和生产率。用于改善光学图像分辨率的紫外光显微镜，搭配专用软件实现简单的样品导览1012 Ω电阻法拉第杯：用于测量低计数率的低噪声电测系统

中图仪器VT6000共聚焦工业几何量测显微镜基于光学共轭共焦原理，结合精密纵向扫描，以在样品表面进行快速点扫描并逐层获取不同高度处清晰焦点并重建出3D真彩图像，从而进行分析的精密光学仪器，一般用于略粗糙度的工件表面的微观形貌检测，可分析粗糙度、凹坑瑕疵、沟槽等参数。半导体制造及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、微纳材料制造、汽车零部件、MEMS器件等超精密加工行业及航空航天、科研院所等领域中，VT6000共聚焦工业几何量测显微镜可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等。产品功能(1)设备具备表征微观形貌的轮廓尺寸及粗糙度测量功能；(2)设备具备自动拼接功能，能够快速实现大区域的拼接缝合测量；(3)设备具备一体化操作的测量与分析软件，预先设置好配置参数再进行测量，软件自动统计测量数据并提供数据报表导出功能，即可快速实现批量测量功能；(4)设备具备调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能；(5)设备具备粗糙度分析、几何轮廓分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能；(6)设备具备一键分析和多文件分析等辅助分析功能，可实现批量数据文件的快速分析功能；功能特点1、测量模式多样单区域、多区域、拼接、自动测量等多种测量模式可选择，适应多种现场应用环境；2、双重防撞保护功能Z轴上装有防撞机械电子传感器、软件ZSTOP防撞保护功能，双重保护；3、分析功能丰富3D：表面粗糙度、平整度、孔洞体积、几何曲面、纹理方向、PSD等分析；2D：剖面粗糙度、几何轮廓测量、频率、孔洞体积、Abbott参数等分析。应用场景VT6000共聚焦工业几何量测显微镜对各种产品、部件和材料表面的面形轮廓、表面缺陷、磨损情况、腐蚀情况、平面度、粗糙度、波纹度、孔隙间隙、台阶高度、弯曲变形情况、加工情况等表面形貌特征进行测量和分析。应用范例：VT6000共聚焦工业几何量测显微镜可广泛应用于半导体制造及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、微纳材料制造、汽车零部件、MEMS器件等超精密加工行业及航空航天、科研院所等领域中。可测各类包括从光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等，提供依据ISO/ASME/EUR/GBT四大国内外标准共计300余种2D、3D参数作为评价标准。应用场景1、镭射槽测量晶圆上激光镭射槽的深度：半导体后道制造中，在将晶圆分割成一片片的小芯片前，需要对晶圆进行横纵方向的切割，为确保减少切割引发的崩边损失，会先采用激光切割机在晶圆表面烧蚀出U型或W型的引导槽，在工艺上需要对引导槽的槽型深宽尺寸进行检测。2、光伏在太阳能电池制作工程中，栅线的高宽比决定了电池板的遮光损耗及导电能力，直接影响着太阳能电池的性能。共聚焦显微镜可以对栅线进行快速检测。此外，太阳能电池制作过程中，制绒作为关键核心工艺，金字塔结构的质量影像减反射焰光效果，是光电转换效率的重要决定因素。共聚焦显微镜具有纳米级别的纵向分辨能力，能够对电池板绒面这种表面反射率低且形貌复杂的样品进行三维形貌重建。3、其他 部分技术指标型号VT6100行程范围X100mmY100mmZ100mm外形尺寸520*380*600mm仪器重量50kg测量原理共聚焦光学系统显微物镜10× 20× 50× 100×视场范围120×120 μm~1.2×1.2 mm高度测量重复性(1σ)12nm显示分辨率0.5nm宽度测量重复性(1σ)40nm显示分辨率1nmXY位移平台负载10kg控制方式电动Z0轴扫描范围10mm物镜塔台5孔电动光源白光LED恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

FRT光学表面量测仪器 The MicroProf- Series适用于三维表面计量、研究系统和生产；涉及非接触式无损测量、粗糙度、轮廓、形貌和薄膜厚度等测试方式。 适用于硅片Si、化合物(GaAs, InP, SiC, GaN)样片的整体厚度检测及TTV/BOW/Warp翘曲等几何参数检测，该设备可以兼容透明片和不透明片。FRT Microprof系列设备是针对半导体行业的样片厚度及TTV/BOW/Warp翘曲检测的设备方案。该设备利用白光的光源，上下双探头的设计，测试时样片放置在上下两个探头的中间位置，一次测试可以快速的提供样片厚度及几何参数相关的所有信息：厚度，TTV,Bow,Warp,TIR,LTV等。同时该设备可以搭载红外IR的探头，该探头可以穿透Si/GaAs等材料，监控背面减薄制程前后Si片或者GaAs片的厚度。FRT Microprof系列设备以其精准的测量能力，非接触的测量方式，快速的测试速度，上下双探头符合SEMI标准的测试方式，使得该设备在半导体，MEMS，在化合物外延领域拥有很高的市场占有率。 传感器技术创造了最大的灵活性： 在现代3D表面计量中，FRT的MicroProf被确立为标准测量工具。它可用于快速、高效和直观地执行各种测量任务。MicroProf已在半导体、微电子、医疗和汽车行业使用多年。地形、台阶高度、粗糙度、层厚和其他参数可以非接触式、非破坏性地测量。随着FRT开发的多传感器技术，不同的光学测量方法可以组合在一个工具中。根据要求，MicroProf能够快速测量整个样品的概览以及高分辨率的细节测量——这是通过点、线、表面和层厚传感器以及扫描力显微镜的组合实现的。测量范围可以从米到亚纳米不等。使用FRT软件，测量任务可以手动或全自动单独配置和实施。MicroProf是一种高精度测量工具，可以灵活改装，也节省了空间。 从上下两面扫描样品，使用TTV选项，可以进行双面样品测试。在相同的测量过程中可以测量样品的上侧和下侧，也可以确定样品厚度。可以输出总厚度变化（TTV）和其他表面参数，如粗糙度、弯曲、翘曲，两个表面的平整度或两侧的平行度。TTV选项可以轻松改装。 MicroProf100FRT MicroProf100是通用表面计量工具，可快速轻松地确定形貌、薄膜厚度和样品厚度。作为紧凑型台式设备，MicroProf 100是MicroProf多传感器家族中最小的成员，它提供了其较大兄弟的全部灵活性。它基于我们经过验证的SurfaceSens技术，将不同的光学测量方法（否则只能在单独的解决方案中找到）合并到一个通用且节省空间的设备中。此外，FRT MicroProf 100可以配备TTV选项，用于双面样品检查。这允许您同时测量样品的顶部和底部，并在相同的测量过程中确定样品厚度。由于其模块化设计，该计量工具可以根据您的特定应用进行定制。除了可以添加的各种传感器外，软件还可以单独配置，测量任务可以手动或自动执行。

中图仪器SuperViewW三维微观形貌几何尺寸光学轮廓测量仪以白光干涉技术为原理、结合精密Z向扫描模块、3D 建模算法等，以3D非接触方式，测量分析样品表面形貌的关键参数和尺寸。可测各类从超光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物体表面，从纳米到微米级别工件的粗糙度、平整度、微观几何轮廓、曲率等参数。产品功能1)样件测量能力：单一扫描模式即可满足从超光滑到粗糙、镜面到全透明或黑色材质等所有类型样件表面的测量；2)单区域自动测量：单片平面样品或批量样品切换测量点位时，可一键实现自动条纹搜索、扫描等功能；3)多区域自动测量：可设置方形或圆形的阵列形式的多区域测量点位，一键实现自动条纹搜索、扫描等功能；4)自动拼接测量；支持方形、圆形、环形和螺旋形式的自动拼接测量功能，配合影像导航功能，可自定义测量区域，支持数千张图像的无缝拼接测量；5)编程测量功能：支持测量和分析同界面操作的软件模块，可预先配置数据处理和分析步骤，结合自动单测量功能，实现一键测量；6)数据处理功能：提供位置调整、去噪、滤波、提取四大模块的数据处理功能；7)数据分析功能：提供粗糙度分析、几何轮廓分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。8)批量分析功能：可根据需求参数定制数据处理和分析模板，针对同类型参数实现一键批量分析；9)数据报表导出：支持word、excel、pdf格式的数据报表导出功能，支持图像、数值结果的导出；10)故障排查功能：配置诊断模块，可保存扫描过程中的干涉条纹图像；11)便捷操作功能：设备配备操纵杆，支持操纵杆进行所有位置轴的操作及速度调节、光源亮度调节、急停等；12)环境噪声评价：具备0.1nm分辨率的环境噪声评价功能，定量检测出仪器受到外界环境干扰的噪声振幅和频率，为设备调试和故障排查提供定量依据；13)气浮隔振功能：采用气浮式隔振底座，可有效隔离地面传导的振动噪声，确保测量数据的高精度；14)光源安全功能：光源设置无人值守下的自动熄灯功能，当检测到鼠标轨迹长时间未变动后会自主降低熄灭光源，防止光源高亮过热损坏，并有效延长光源使用寿命；15)镜头安全功能：双重防撞保护，软件ZSTOP防撞保护，设置后即以当前位置为位移下限位，不再下移且伴有报警声；设备配备压力传感器，并在镜头处进行了弹簧结构设计，确保当镜头碰撞后弹性回缩，进入急停状态，大幅减小碰撞冲击力，有效保护镜头和扫描轴，消除人为操作的安全风险。应用领域SuperViewW三维微观形貌几何尺寸光学轮廓测量仪对各种产品、部件和材料表面的粗糙度、波纹度、面形轮廓、表面缺陷、磨损情况、腐蚀情况、孔隙间隙、台阶高度、弯曲变形情况、加工情况等表面形貌特征进行测量和分析。SuperViewW三维微观形貌几何尺寸光学轮廓测量仪应用领域广泛，操作简便，可自动聚焦测量工件获取2D，3D表面粗糙度、轮廓等一百余项参数。广泛应用于如纳米材料、航空航天、半导体等各类精密工件表面质量高要求的领域中，特殊光源模式可以广泛适用于从光滑到粗糙等各种精细器件表面的测量。部分技术指标型号W1光源白光LED影像系统1024×1024干涉物镜标配：10×选配：2.5× 5× 20× 50× 100×光学ZOOM标配：0.5×选配：0.375× 0.75× 1×物镜塔台标配：3孔手动选配：5孔电动XY位移平台尺寸320×200㎜移动范围140×100㎜负载10kg控制方式电动Z轴聚焦行程100㎜控制方式电动Z向扫描范围10 ㎜主机尺寸（长×宽×高）700×606×920㎜恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

中图仪器Mars高性能坐标测量机几何尺寸精密检测仪采用的测量技术和精密的传感器，结合精密的机械结构和温度补偿系统，精度高、重复性优。不管是复杂的三维形状还是细微的尺寸差异，每一次测量都能达到微米级精度，实现对产品质量的严格把控。高精度：精密制造的核心1、精密的光栅系统：采用高分辨率金属光栅尺，确保机器在使用过程中具有高精度和长时间的稳定性。2、高精度测头：接触式或非接触式测头均经过精确校准，以捕捉细微的几何特征。3、测量分析软件：PowerDMIS三坐标测量软件是中图仪器自主研发，拥有自主可控的核心技术。该软件支持DMIS与I++标准协议，并通过了德国PTB最小二乘法和最小区域法的双认证。高重复性：持续稳定的质量保障1、稳定的机械结构：关键部件一体铸造成型，结构紧凑、重量轻、强度高，运行更为快速平稳。2、精确的控制系统：全闭环直流伺服电机驱动控制技术，具有优异的伺服跟随控制能力；微秒级速度前瞻轨迹规划算法，实现高效平滑运动和高空间运动重复性。3、校准和维护：定期的校准和专业维护确保设备长期保持最佳状态。 Mars高性能坐标测量机几何尺寸精密检测仪是具有高性价比的一款移动桥式测量机，支持触发探测系统，能够对各种零部件的尺寸、形状及相互位置关系进行检测。支持中图Power DMIS、Rational DMIS、ARCOCAD等测量软件，支持中图Alpha系列控制器、Pantec控制器、雷尼绍UCC控制器等。用于机械制造、汽车工业、电子工业、航空航天工业以及计量检测等领域，是现代工业检测和质量控制的检测设备。主要特点1.三轴均采用低热膨胀系数的花岗岩导轨，机器具有良好的温度适应性，抗时效变形能力。2.环抱式气浮布局，使机器在高效稳定运行的同时保持高精度。3.关键部件一体铸造成型，重量轻，强度高，提升机器精度及运动平稳性。4.Z轴采用柔性平衡系统，降低摩擦阻力，提高Z轴运动精度。5.采用高精度、高分辨光栅尺，确保机器高精度和长时间稳定。6.高刚性传动方式，保证机器传动的平稳性和刚性。7.开放式的工作台面，具备良好的承载能力，以及开阔的测量视野。8.气压检测安全装置，时刻监测Z轴不因断气而下坠，确保测座测头使用安全。国产化品牌：创新与成本效益的平衡Mars高性能坐标测量机几何尺寸精密检测仪以更经济的价格获得高性能的测量设备，同时减少长期的维护和运营开支。国产化品牌本地化生产和供应链管理降低了生产和运营成本，使产品价格更具竞争力，而且性能同样可靠，提供了高性价比的选择。由于不同行业和领域的测量需求各不相同，国产三坐标测量机功能的研发和应用也可以根据具体情况进行定制和改进，国产品牌也能够更快地响应客户需求，提供及时的售后服务。测控部分测控部分的配置可以根据需求进行选择不同的型号和品牌。1、控制器中图Alpha系列控制器，是中图自主研发的三坐标控制器，可以匹配中图自己研发的测头测座系统和主机系统。性能特点：全闭环直流伺服电机驱动控制技术，具有优异的伺服跟随控制能力；固态电子开关设计，无大功率继电器，具有更小的体积和冲击电流，更高的可靠性；同步PWM控制技术和共模抑制设计，环路响应快，驱动效率高，发热低； 微秒级速度前瞻轨迹规划算法，实现高效平滑运动和高空间运动重复性；控制器符合I++标准，能兼容市面上的主流测量软件。2、测座ACH100T全自动旋转测座为中图仪器自主研发的自动旋转测座，可实现测头在A 轴和B 轴以7.5 度为增量移动，该测座具有720个可重复定位空间位置，可配置长达300mm 加长杆。精度超进口测座。性能特点：测座能实现A角度0-105°，B角度-180°-﹢180°的运动；测座采用精密的6点定位，实现测座的高定位精度；关键零部件采用复合材料、高强度材料；测座通过动态防撞、静态防撞设计，确保测座的使用安全。3、测头CP100T触发测头为中图仪器自主研发的机械式触发测头，可以在空间5个方向进行触发受力，经过长时间的反复对比测试，性能优于同类型进口测头。精度高，稳定性好。4、测量软件Power DMIS测量软件是中图仪器自主研发的三坐标测量分析软件，拥有自主可控的核心技术。该软件支持DMIS与I++标准协议，并通过了德国PTB认证。

中图仪器半导体晶圆制程检测设备几何量测系统WD4000通过非接触测量，将晶圆的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度，TTV，BOW、WARP、在高效测量测同时有效防止晶圆产生划痕缺陷。WD4000兼容不同材质不同粗糙度、可测量大翘曲wafer、测量晶圆双面数据更准确。测量功能1、厚度测量模块：厚度、TTV(总体厚度变化)、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI、平面度、等；2、显微形貌测量模块：粗糙度、平整度、微观几何轮廓、面积、体积等。3、提供调整位置、纠正、滤波、提取四大模块的数据处理功能。其中调整位置包括图像校平、镜像等功能；纠正包括空间滤波、修描、尖峰去噪等功能；滤波包括去除外形、标准滤波、过滤频谱等功能；提取包括提取区域和提取剖面等功能。4、提供几何轮廓分析、粗糙度分析、结构分析、频率分析、功能分析等五大分析功能。几何轮廓分析包括台阶高、距离、角度、曲率等特征测量和直线度、圆度形位公差评定等；粗糙度分析包括国际标准ISO4287的线粗糙度、ISO25178面粗糙度、ISO12781平整度等全参数；结构分析包括孔洞体积和波谷。性能特点中图仪器半导体晶圆制程检测设备几何量测系统WD4000自动测量Wafer厚度、表面粗糙度、三维形貌、单层膜厚、多层膜厚。1、使用光谱共焦对射技术测量晶圆Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等参数，同时生成Mapping图； 2、采用白光干涉测量技术对Wafer表面进行非接触式扫描同时建立表面3D层析图像，显示2D剖面图和3D立体彩色视图，高效分析表面形貌、粗糙度及相关3D参数；3、基于白光干涉图的光谱分析仪，通过数值七点相移算法计算，达到亚纳米分辨率测量表面的局部高度，实现膜厚测量功能；4、红外传感器发出的探测光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此计算出两表面间的距离（即厚度），可适用于测量BondingWafer的多层厚度。该传感器可用于测量不同材料的厚度，包括碳化硅、蓝宝石、氮化镓、硅等。中图仪器半导体晶圆制程检测设备几何量测系统WD4000广泛应用于衬底制造、晶圆制造、及封装工艺检测、3C电子玻璃屏及其精密配件、光学加工、显示面板、MEMS器件等超精密加工行业，实现砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、玻璃不同材质晶圆的量测。产品优势1、非接触厚度、三维维纳形貌一体测量集成厚度测量模组和三维形貌、粗糙度测量模组，使用一台机器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三维形貌的测量。2、高精度厚度测量技术（1）采用高分辨率光谱共焦对射技术对Wafer进行高效扫描。 （2）搭配多自由度的静电放电涂层真空吸盘，晶圆规格最大可支持至12寸。（3）采用Mapping跟随技术，可编程包含多点、线、面的自动测量。3、高精度三维形貌测量技术（1）采用光学白光干涉技术、精密Z向扫描模块和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；（2）隔振设计降低地面振动和空气声波振动噪声，获得高测量重复性。（3）机器视觉技术检测图像Mark点，虚拟夹具摆正样品，可对多点形貌进行自动化连续测量。4、大行程高速龙门结构平台（1）大行程龙门结构(400x400x75mm)，移动速度500mm/s。（2）高精度花岗岩基座和横梁，整体结构稳定、可靠。（3）关键运动机构采用高精度直线导轨导引、AC伺服直驱电机驱动，搭配分辨率0.1μm的光栅系统，保证设备的高精度、高效率。5、操作简单、轻松无忧（1）集成XYZ三个方向位移调整功能的操纵手柄，可快速完成载物台平移、Z向聚焦等测量前准工作。（2）具备双重防撞设计，避免误操作导致的物镜与待测物因碰撞而发生的损坏情况。（3）具备电动物镜切换功能，让观察变得快速和简单。应用场景 1、无图晶圆厚度、翘曲度的测量通过非接触测量，将晶圆上下面的三维形貌进行重建，强大的测量分析软件稳定计算晶圆厚度、粗糙度、总体厚度变化(TTV)，有效保护膜或图案的晶片的完整性。2、无图晶圆粗糙度测量Wafer减薄工序中粗磨和细磨后的硅片表面3D图像，用表面粗糙度Sa数值大小及多次测量数值的稳定性来反馈加工质量。在生产车间强噪声环境中测量的减薄硅片，细磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次测量数据计算重复性为0.046987nm，测量稳定性良好。部分技术规格品牌CHOTEST中图仪器型号WD4000系列测量参数厚度、TTV(总体厚度变化)、BOW、WARP、LTV、粗糙度等可测材料砷化镓、氮化镓、磷化镓、锗、磷化铟、 铌酸锂、蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓、玻璃、外延材料等厚度和翘曲度测量系统可测材料砷化镓 氮化镓 磷化 镓 锗 磷化铟 铌酸锂 蓝宝石 硅 碳化硅 玻璃等测量范围150μm~2000μm扫描方式Fullmap面扫、米字、自由多点测量参数厚度、TTV(总体厚度变 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、线粗糙度三维显微形貌测量系统测量原理白光干涉干涉物镜10X(2.5X、5X、20X、50X,可选多个)可测样品反射率0.05%~100粗糙度RMS重复性0.005nm测量参数显微形貌 、线/面粗糙度、空间频率等三大类300余种参数膜厚测量系统测量范围90um(n= 1.5)景深1200um最小可测厚度0.4um红外干涉测量系统光源SLED测量范围37-1850um晶圆尺寸4"、6"、8"、12"晶圆载台防静电镂空真空吸盘载台X/Y/Z工作台行程400mm/400mm/75mm恳请注意：因市场发展和产品开发的需要，本产品资料中有关内容可能会根据实际情况随时更新或修改，恕不另行通知，不便之处敬请谅解。如有疑问或需要更多详细信息，请随时联系中图仪器咨询。

HYJC-S激光接触网智能检测仪 推行式接触网智能检测小车 手推式接触网几何参数智能检查仪 手推式接触网静态参数检测小车 接触网步巡检测装置 接触网步巡作业设备HYJC-S激光接触网动态智能巡检仪是用于对接触网几何参数进行非接触式、连续动态检测。采用区别于激光雷达的无缝光电技术，实现在轨道上单人连续推行检测、自动测量计算、实时显示及对比、自动记录数据、波形图及超限情况（报警）的高效测量模式，同时实现数据图表化输出和历史数据对比的高效数据分析，有效的降低了人员劳动强度、提升了测量稳定性及工作效率，科学有效地指导接触网的维护。特点连续推行动态检测方式，无需人工对点，改变传统定点检测效率低、劳动强度大、易遗漏的缺陷，实现了对接触网连续快速检测，大大提高了工作效率，真正做到了对接触网全方位的精准检测全截面式自动连续测量功能，不漏测，不少测，无缝测量的数据更全面。在检测小车快速行进过程中连续不间断的采样，不需要通过点击显示屏幕寻找接触线，只需沿轨道推行，在不停车的状态下实现全自动测量导高、拉出值、水平间距、垂直高差、侧面限界、轨距等。操作极为简单方便，检测效率极高。采用CCD机器视觉激光图像技术，采样间隔20mm，达到接触线参数连续性检测效果，能高度还原被测接触线的真实坡度情况。 实时显示当前接触网参数数据和波形图，图文并茂的显示方式更加直观的反应当前接触网状态采用杆号触发和编码器里程等综合定位技术，可精确快速找到接触网故障点。内置各类传感器实时采集相对运动的轨距、水平超高数据，同步补偿修正接触网参数。强大的数据采集、分析软件，实时采集各种数据及图像并进行在线显示、报警、存储及事后数据回放分析，建立一杆一档数据库，满足接触网日常运营和维护需求。结构特点：车体推行采用 3 个行走轮及 6 个辅助轮组成；走形轮为尼龙轮，强度高，耐腐蚀，绝缘性好；检测小车采用航空铝材，强度高，重量轻，携带方便；一体式模块化设计，减少机械误差，上下道操作方便。技术参数检测速度：0-10km/h采样最小间隔：≤20mm测量原理：CCD机器视觉技术，非激光雷达，非激光点方式导高：3800-7000mm 动态误差：≤5mm拉出值：±625mm 动态误差：≤5mm磨耗动态误差：≤0.2mm（选配)水平间距：0-1250mm 动态误差：≤10mm垂直高差：0-200mm 动态误差：≤10mm支柱侧面限界：1000-4000mm 动态误差：≤10mm轨距范围：1410-1470mm，动态误差±1mm里程：0～9999km（带反向功能），动态误差优于1‰线岔中心：精度±5mm500mm处高差：精度±5mm红线标高：精度±5mm结构高度：精度±5mm承力索接触线高差：±5mm跨距：±5mm稳定性：≤2%RMS，≤0.05mrad，光纤耦合系统特别增配：IRS微调系统，双置3XLimW及自调节适配装置，AIO、L-sen、DiPro-Eh测量方式：全自动连续扫描式动态测量；手推式检测小车，实时自动或定点测量，实时动态测量及显示数据、波形图、图像和二维坐标，超限情况及报警；“高速细化+激光图像测量+脉冲触发数据采集”二级触发系统控制系统：笔记本电脑（三防平板电脑可选）工作时间：≥4h工作温度：-20℃～50℃储存温度：-30℃～70℃尺寸：1620x380x200mm（LxWxH）重量：≤15kg

摆球加落球冲击试验装置，测试项目：摆球冲击试验；执行标准：GB/T 20234.1-2023标准条款 6.2.10.2 和条款 7.11.2；GB/T 11918.1-2014 标准条款 24.2 和附录 A。主要技术参数：1、测试项目：摆球冲击试验；2、执行标准：GB/T 20234.1-2023标准条款 6.2.10.2 和条款 7.11.2；GB/T 11918.1-2014 标准条款 24.2 和附录 A；3、设备结构：参考图 19 示意图；图 19 摆球冲击试验装置4、控制方式：配置西门子、三菱、欧姆龙等知名品牌 PLC 模块，并配置 7 英寸及以上彩色液晶触摸控制屏；5、钢球：质量为 0.535kg，直径为 50.8mm 钢球两个；6、跌落高度：（500~1000）mm 连续可调，高度测量误差范围[-0.02mm,+0.02mm]；7、冲击能量：钢球摆动或落下冲击试样能实现 1J、2J、3J 和 4J 冲击能量，并给出相应高度指示；8、落球释放：PLC 控制电磁铁通断，触摸屏操作；9、对准方式：红外线对准；10、升降系统：电动升降机构；11、冲击高度控制：采用电动方式；12、落球高度显示：数字显示，手动调整；13、配置固定被测样品的万能夹具，落球或摆球能冲击试样侧面和正面的几何中心，并能实现试样垂直于安装面的轴线旋转 90º ~360 º 。

一、幕墙耐撞击性能测试装置产品介绍： 建筑幕墙耐撞击测试装置性能检测仪器又名幕墙耐撞击性能测试装置,主要是检测幕墙对抗冰雹、大风时飞来物、飞鸟等室外撞击及室内人员、物品冲击的抗冲撞能力。耐撞击性能也是对幕墙材料在冲击荷载作用下的承载能力的一种要求。幕墙的撞击力取决于物体的重量、形式、刚度以及撞击的速度。建筑幕墙自动检测装置又称幕墙耐撞击性能测试装置,它主要用于测试各种类型的幕墙或其它类似建筑维护结构的耐抗撞击性能的测试,是幕墙综合检测系统中检测项目之一。二、幕墙耐撞击性能测试装置技术参数：1.在地面大降落高度处，悬挂钢丝绳与挂点水平面的水平夹角14°；2.撞击物体和悬挂钢丝绳在自由状态时，轮胎外缘与试件表面的距离5mm，且15mm；3.撞击物体的几何中心位于被撞击点50mm为半径的圆形范围内。4.撞击物体释放装置能够准确定位撞击物体的提升高度，保持撞击物体中心线和悬挂钢丝绳中心线在同一条直接线，撞击物体被释放后将自由下落。三、幕墙耐撞击性能测试装置的产品构件：幕墙耐撞击性能测试装置是由两个橡胶轮圈、两个重块、一根连接杆和用于悬挂撞击物的钢丝绳构成。1、幕墙耐撞击性能试验框架试验框架应足够坚固，能承受试验载荷，且不影响试验结果，并应具有满足试验安装的夹紧装置。2、撞击物体撞击物体是总重量为（50±0.1）kg的软体重物，由两个轮胎、两个重块和其它连接件组成，轮胎内压力宜为0.35±0.02MPa。3、测量设备a)悬挂装置的挂点应足够坚固，并能调整以满足不同撞击位置的需要。悬挂撞击物体的钢丝绳宜为直径为5mm的不锈钢钢丝绳。在最大降落高度处，悬挂钢丝绳与挂点水平面的水平夹角不宜小于14°。b)撞击物体和悬挂钢丝绳在自由状态时，轮胎外缘与试件表面的距离宜大于5mm，且小于15mm。撞击物体的几何中心应位于被测撞击点以50mm为半径的圆形范围内。c)撞击物体释放装置应能准确定位撞击物体的提升高度，保持撞击物体中心线和悬挂钢丝绳中心线在同一条直线上，并确保撞击物体被释放后能够自由下落。4、建筑幕墙耐撞击试验环境试验样品应在15℃-30℃温度范围、25%-75%相对湿度的非破坏性环境中存放和试验。5、建筑幕墙耐撞击检测程序试验过程中，试验样品应在正常的使用状态，开启部分应在闭合状态。撞击能量撞击能量按下列公式计算：E = 9.8m .h式中：E——撞击能量（N.m）；m——撞击物体的质量（kg）；h——撞击物体有效下落高度（m），为图B1中。确定撞击点可选择建筑师指定的任何部位进行撞击试验，一般可选择如下部位进行试验：立柱相邻连接点的中点；横梁的中点；立柱和横梁连接点上方100mm；楼面上部800mm以下部位幕墙面板的中心。6、试验过程试验宜从较低降落高度进行，然后逐级增加高度，观察并记录试件的状况，测量试件的残余变形。降落高度的误差为±20mm。应避免因弹性多次反复撞击。对室内侧耐撞击有要求的试件，应进行室内侧耐撞击试验。7、结果判定违反下列情况之一应判定为不合格：a幕墙应能吸收撞击能量，保持原有性能；b撞击力消失后，幕墙应能恢复，不应发生变形；c撞击力不应导致幕墙零部件脱落；d幕墙面板应能达到其产品标准规定的耐撞击性能。

一、产品介绍：公司根据JJF 1812-2020 混凝土抗渗仪校准规范研发了一套新型混凝土抗渗仪校准装置，它由高精度数字压力传感器、试模法兰盖和测量显示仪以及智能数字压力校验仪组成。它不光可以校准混凝土抗渗仪还可以校准砂浆抗渗仪，他的优势用于各级计量测试所对混凝土抗渗仪压力进行校准及多种压力现场测试。二、技术参数：1 准确度等级：0.05级 。2、测量范围：0～6 MPa。3、显示压力测量数据和压力曲线，可测量压力泄露值，进行密封性测量。4、试模法兰盖安装方便，不需要拆装混凝土抗渗仪压力传感器或电接点压力表。5、多通道，可配置不同量程的压力传感器，应用多种压力现场测试。6、自带锂电池供电续航能力。7、仪表自带存储功能可存储1000条检定结果8、校准的环境温度为(20±10)℃。9、环境相对湿度不大于85%。10、 抗渗仪应在清洁无腐蚀性气体的环境下校准。三、混凝土抗渗仪校准装置校准项目：校准前抗渗仪应开机预热15min或根据厂家要求预热，预热后在其通大气压状态下进行压力清零，并进入测量状态，在用新标准混凝土抗渗仪校准装置进行校准。1、控制稳定性检查 在抗渗仪规定的压力范围内，由低到高选择3个压力点进行测量，抗渗仪的公称压力为必须测量点。为了缩短测量时间，可缩短设置自动升压时间，观察每次测量至规定设置时间应能自动升压0.1MPa。在关闭全部加水阀门后，设定初始压力为0.8 MPa，开启仪器，保持水压5 min～10 min，然后反复三次进行增加水压0.1 MPa、并保持水压5 min～10 min的操作，在此过程中，人为启动/停止三次，检查抗渗仪的启动和停止功能。2、系统密封性检查抗渗仪空载时，启动电源开启控制阀，至六个模座内水溢出为止，并观察六个模座底中间孔出水是否正常，以便排出系统内的空气，直至无气泡为止；然后逐个关闭控制阀，观察压力是否上升，最后关闭通往六个试模的供水阀门，使压力达到zui大标称压力，稳压10min，检查造压部分以及连接六个试模之间的管路应无泄漏，后5min的压力下降值不大于±0.04MPa。3、示值误差抗渗仪校准是采用标准器示值与被校准抗渗仪示值直接比较的方法。抗渗仪空载时，关闭抗渗仪上五个试模的控制阀，在其中一个打开控制阀的试模上口连接标准器，设定压力分别为抗渗仪标称压力的20%、40%、60%、80%和100%各压力点进行加压，在达到设定压力时，停止加压，待压力稳定后，分别读取标准器和抗渗仪上的压力值，测量设定压力与显示压力的误差。4、绝缘电阻 断开抗渗仪的电源，用绝缘电阻表测量抗渗仪各接线端子与机壳之间的绝缘电阻应不小于20MΩ。5、试模的几何尺寸用游标卡尺和钢直尺分别对试模的上口内径、下口内径、试模高度进行测量。用游标卡尺在试模沿直径方向上选择两个相互垂直位置各测量直径尺寸一次，取算术平均值，测量误差应不大于试模标称尺寸的±0.2%，且不超过±1mm。试模的几何尺寸详见表1。　　　　　　　　　　　　 表1 试模几何尺寸序号参数名称单位混凝土抗渗仪砂浆抗渗仪1zui大标称压力MPa 41.52 试模几何尺寸上口直径mmФ175Ф703下口直径mmФ185Ф804高度mm15030

安研工业实验室氮气机AYAN-30LB产氮装置 PSA制氮机是指以空气为原料，利用物理方法将其中的氧和氮分离而获得氮气的设备。根据分类方法的不同，即深冷空分法、分子筛空分法(PSA)和膜空分法，工业上应用的PSA制氮机，可以分为三种。　 PSA制氮机是按变压吸附技术设计、制造的氮气制取设备。PSA制氮机以进口碳分子筛（CMS）为吸附剂，采用常温下变压吸附原理PSA分离空气制取高纯度的氮气。通常使用两吸附塔并联，由进口PLC控制进口气动阀自动运行，交替进行加压吸附和解压再生，完成氮氧分离，获得所需高纯度的氮气。PSA制氮机运行状态的检查：1、开启空压机向制氮机和仪表风系统供气。调节仪表风阀门气源二联件使仪表风压力（0.45-0.6mpa）。2、检查氮气分析仪氮气纯度，氮气纯度下限为99.9﹪。3、制氮机分离工作系统工作2-3个循环周期后，打开节流阀到设定开度，输出氮气到氮气缓冲罐里，保证氮气纯度、压力、流量输出平稳。4、调节调压阀，使氮气缓冲罐出口压力达到设定压力。5、缓慢开启流量调节阀，防止气体流速过快损坏流量计元件，是氮气流量达到使用要求流量。6、运转时检查碳分子筛指示标记是否下沉，下沉到规定刻度值时需要添加分子筛。防止分子筛串动造成分子筛损坏加剧。7、运转时检查消声器是否有黑色粉末排出，如有黑色粉末排出，查找原因，排除故障避免碳分子筛粉化加剧。8、运转时空气储罐排污阀如排出油时，检查更换活性炭，活性炭正常使用周期为1年。9、运转中检查空气过滤器自动排污是否正常，如长时间不排污检查确认是否排污故障或是空气过滤器失效，过滤器失效时更换空气过滤器滤芯，空气过滤器滤芯使用周期为6个月。10、运转中检查空压机出气温度和压力、油气桶油面高度，防止空压机故障造成制氮机不能使用。11、运转中检查制氮机各个阀门和管路泄漏情况，发现泄漏及时处理。12、检修制氮机设备和仪表风设备时，必须仪表风和制氮机设备管路中的压力降为零后才可以拆卸各个元件。13、空气压缩机进气口空气过滤器和散热器表面每隔1个月清理一次灰尘，特殊情况下根据现场设备温度实际情况增加清理次数。空气过滤器每隔一年更换一次过滤器滤芯。氮气发生器的轴承损坏原因有很多，如灰尘侵入、安装不当或湿气侵入等，这是轴承早期损坏的常见原因。以下是对一些大型轴承常见损坏原因的分析及相应的解决方法，以延长轴承的使用寿命。 　　 　　1、偏心率：偏心率、倾斜度或过大载荷可能导致几何应力集中或表面剥落。解决方法：轴承座和挡肩的精密加工。 　　 　　2、润滑不足：润滑不足或不当可能导致部件磨损或轴承严重变形。解决方法：改善润滑系统，定期适当补充或更换润滑剂。 　　 　　3、电流：当轴承旋转时，带电可能导致沟槽或刻痕。当轴承静止时，电气操作的不正确接地将导致轻微的防烧伤措施：在焊接除轴承以外的零件之前，减少或防止电流通过合适的聚酯连接件流过轴承。 　　 　　4、操作不当：安装、操作或拆卸不当可能导致保持架变形或缺陷。解决方法：使用适当的操作、安装和拆卸工具。 　　 　　5、生锈和腐蚀：与水接触可能导致轴承部件的腐蚀和生锈。轴承的腐蚀损坏可能导致运行中的防剥落措施：定期检查密封，确保良好的密封效果，正确存放轴承。 　　 　　6、外部材料：磨粒污染和碎屑侵入可能导致轴承工作表面磨损、擦伤和凹陷。解决方法：清除侵入的颗粒和碎屑，更换润滑剂，并检查密封系统。

一、抑菌圈测定仪校准标准板（二剂量及三剂量 2 片）1、GDJ 型抑菌圈测定仪标准装置由标准样板组成，标准样板尺寸为直径 90mm 的圆。标准样板复现抑菌圈的量值范围，覆盖了国家药典中抗生素微生物检定法管碟法的尺寸要求（12.5～25）mm，其扩展不确定度优于0.02mm。2、二剂量校准标准板含S1、S2、T1、T2 共 4 个圆孔，孔直径：S1＜S2，T1＜T2，圆孔直径名义值大小分别为：S2=T2=21mm、S1=T1=17mm。3、三剂量校准标准板含S1、S2、S3、T1、T2、T3 共 6 个圆孔，孔直径：S1＜S2＜S3，T1＜T2＜T3,圆孔直径名义值大小分别为：S1=T1=13.5mm、S2=T2=16.5mm、S3=T3=19.5mm。二、抑菌圈测定仪校准标准板（线性及边缘效应 2 片）1 、GDJ型抑菌圈测定仪标准装置由标准样板组成，标准样板尺寸为直径90mm 的圆。标准样板复现抑菌圈的量值范围，覆盖了国家药典中抗生素微生物检定法管碟法的尺寸要求（12.5～25）mm，其扩展不确定度优于0.02mm 。2、线性校准标准板含 T1、T2、T3、T4、T5、T6 共 6 个圆孔。孔直径名义值：T1=12.5mm，T2=15.0mm，T3=17.5mm，T4=20.0mm，T5=22.5mm， T6=25.0mm，六个样品孔在标准板上均匀分布。3、边缘效应校准标准板含 T1、T2、T3、T4 共4个圆孔。孔直径名义值大小为：T1=T2=T3=T4=17.0mm 。四个圆孔在标准板上四个方位分布 ,四个圆孔几何中心距离整个校准板几何中心距离分别为18.5mm、23.5mm、28.5mm 、32.5mm 。可以作为计量技术机构对管碟法微生物测定仪（抑菌圈测定仪）校准用的。

瑞士SITEC-Sieber Engineering AG成立于1984年，由Rolf Sieber创建，具有多年的高压领域的经验，专注于提供高压技术产品，生产高压的模型系统和组件，主要产品多用途超临界萃取系统、相平衡系统、超临界微粉化和喷雾干燥系统、连续超临界反应系统、高压灭菌系统、高压产生系统及SITEC高压阀门、配件等。在过去30多年时间，SITEC阀门及设备已销往世界20多个国家和地区。SITEC 超临界流体多用途实验装置，用于药物微粉化和喷雾干燥。高压微粉化（RESS/GAS）是通过高压流体的膨胀来产生非常细小和均匀的粉末或具有明确几何形态的固体颗粒SITEC 超临界流体萃取的标准型号参数：max 操作压力：300barmax 操作温度：80℃CO2 流量：18l/h柱内径：直径38mm柱长：1m可选项：max 操作压力：500barmax 操作温度：120,150, 200℃CO2 流量：10,30,50,100 l/h柱内径：直径60，110， 160mm柱长：0.4， 2mSITEC 多用途超临界流体微粉化装置的优势：1、好的纳米/微米粉末的生产2、均匀一致粉末生产3、通过改变工艺参数，晶体的形状和大小可以在很大范围上改变4、粒径分布的调节SITEC 多用途超临界流体微粉化装置的功能：1、用于超临界溶液的快速膨胀（RESS）和气体反溶剂重结晶(GAS)2、闭合的CO2的循环3、超临界溶剂的无污染再循环4、 高效的分离SITEC 多用途超临界流体微粉化和喷雾干燥装置的应用：1、药物配方2、活性物质的包埋3、彩色染料的生产钻石喷嘴产生的喷雾（图片由德国弗劳恩霍夫研究所提供） 此装置是利用RESS或GAS 技术和超临界流体萃取技术进行微粉化的多用途装置（安装于法国），该装置配有金刚石喷嘴和无脉动喷射电动泵

?应用领域：精细化工，如芳香油提纯.高聚物中间体的纯化.羊毛脂的提取等等医药领域：如提取天然维生素AE等.制取氨基酸及葡萄糖的衍生物等等食品行业：如精制鱼油.油脂脱酸.精制高碳醇.混合油脂的分离等等其他领域：石油行业，日用化学，环保领域等等 ?产品特征：1.远低于物料沸点的温度下操作,而且物料停留时间短 利于高沸点、热敏及易氧化物料的分离2.有效地脱除液体中的物质如有机溶剂、臭味等,对于采用溶剂萃取后液体的脱溶是非常有效的方法3.可有选择蒸挥发出产物,去除其它杂质,通过多级分离可同时分离2种以上的物质4.蒸馏真空度高，真空度可达0.1pa以下，其内部可以获得很高的真空度，通常分子蒸馏在很低的压强下进行操作，因此物料不易氧化受损5.蒸馏液膜薄,传热效率高，膜厚度小于0.5mm6.分离程度更高，分子蒸馏能分离常规不易分开的物质7.没有沸腾鼓泡现象，分子蒸馏是液层表面上的自由蒸发，在低压力下进行，液体中无溶解的空气，因此在蒸馏过程中不能使整个液体沸腾，没有鼓泡现象。8.提供多种规格客户选择，适用于客户小试实验,中试实验，如果需要更大蒸发面积规格的可以根据客户要求定制。9.物理分离法，无毒、无害、无污染、无残留，可得到纯净安全的产物10.刮板系统由PTFE材料和SS316L不锈钢材料制成，具有极高抗腐蚀的功效；11.进料罐可选实现预加热功能，预热温度可以调节。12.各个接口采用的是氟胶垫片进行密封，气密性好，如客户需要耐腐蚀可以更换成四氟材质 旋转薄膜蒸发器传热系数大、蒸发强度高、过流时间短，操作弹性大，尤其适用于热敏性物料、高粘度物料及易结晶颗粒物料的蒸发浓缩、脱溶、蒸馏等。所以在化工、医药、农药等行业得到广泛应用。 　　下面简单介绍一下旋转薄膜蒸发器的构成，如下所示： 　　1.蒸发筒身 它是被旋转刮板强制成膜的物料与夹套内加热介质进行热交换的蒸发面。蒸发筒身的内径由蒸发面积及适宜长径比确定。 　　2.转子安装在蒸发器内的转子由转轴与转架组成。转子由电机减速机驱动，并带动刮板作圆周运动。转架采用不锈钢精密铸件，其强度、几何尺寸、稳定性等均可保证。 　　3.布料器 从切向进入蒸发器的物料，由旋转的布料器连续均匀地涂布成膜状。 　　4.电机、减速机是转子旋转的驱动装置，转子的转速大小取决于刮板的形式、物料粘度和蒸发筒身内径，合适的线速度是保证蒸发器稳定可靠运行的重要参数之一。 　　5.捕沫器将上升的二次蒸汽可能挟带的液滴或泡沫捕集，并使之回落到蒸发面上。 　　6.分离筒 物料由分离筒下端加入口切向进入蒸发器，由布料器均匀连续地分布于蒸发筒身内壁，从蒸发筒身蒸发的二次蒸发上升至分离筒，由捕沫器除去液滴或泡沫，二次蒸汽从上端的出口引出蒸发器。 　　7.刮板随着刮板的运动.将物料在蒸发面上刮成薄膜，以利于蒸发。根据物料特性，可选择不同刮板形式。 　　(1)滑动刮板 滑动刮板是一种Z 基本、Z 常见的刮板形式，刮板被安装在转子的四条刮导槽内，由于受转子旋转的离心力作用沿径向甩向蒸发筒内壁，同时随转子一起作圆周运动。使物料在蒸发壁面上呈膜状湍 流状态.极大提高了传热系数，防止物料的过热、干壁和结垢等现象。 　　通常刮板采用聚四氟乙烯材质，它适用于150°C以下，当蒸发温度高于150°C时，需用碳纤维材质。 　　(2)固定刮板 固定刮板多采用金属材料，与蒸发筒内壁间隙仅为1-2mm，加工与安装精度较高，它适用于高粘度及易起泡物料的蒸发浓缩、脱溶。 　　(3)铰链刮板 这种刮板适用于易在加热面上结垢的物料，刮板常采用金属材料，当转子转动时，由于离心力的作用，刮板被紧压在蒸发筒内壁.将物料刮成薄膜，且防止壁面结垢。?技术参数：产品型号AYAN-B80AYAN-B100AYAN-B150AYAN-B200AYAN-B220内径(mm)80100150200220蒸发面积(㎡)0.10.150.250.350.5冷凝面积(㎡)0.150.250.450.550.65进料容积(L）22255处理流量L/H0.5∽4.00.5∽5.01.0∽8.01.5∽10.02.0∽15.0电机功率(W)120120120120200转速(r/min)≤450≤450≤450≤450≤450轻组分收集瓶(L）12355重组成收集瓶(L）12355冷井有有有有有外置冷凝装置有有有有有冷却装置有有有有有真空度(pa)100bar以下100bar以下100bar以下100bar以下100bar以下受热温度(°C)室温-200室温-200室温-200室温-200室温-200

仪器简介：XGS-1型信息光学实验（可开设实验）全息照相实验 制作全息光栅 阿贝成像原理和空间滤波 &theta 调制和彩色合成XGS-2型信息光学实验及基础实验全息照相实验 &theta 调制和彩色合成 制作全息光栅 几何光学实验阿贝成像原理和空间滤波 物理光学实验XGS-3型全息照相实验菲涅耳全息照相 像面全息 彩虹全息 特征识别 全息高密度信息存储XGS-4型全息照相实验及基础实验菲涅耳全息照相实验 特征识别 几何光学实验 像面全息 物理光学实验彩虹全息 近代光学实验 全息高密度信息存储XGS-5型光学全息照相实验平台光学全息照相实验平台是我公司专门为全息照相所设计的平台，配有齐全的光学组件和调整架、可以直接方便的进行全息照相实验的教学。仪器特点：仪器采用双层减震装置的大面积平板工作台，配有全息照相所需的多种调整架，仪器实验光轴中心高度180-240mm可调配有高质量的全息干版，平板工作台采用含磁不锈钢材料。成套性：光学平台：（1200*800*120mm）1台 平台工作台：（1200*800mm）1台所需附件一套技术参数：XGS-1型信息光学实验（可开设实验）全息照相实验 制作全息光栅 阿贝成像原理和空间滤波 &theta 调制和彩色合成XGS-2型信息光学实验及基础实验全息照相实验 &theta 调制和彩色合成 制作全息光栅 几何光学实验阿贝成像原理和空间滤波 物理光学实验XGS-3型全息照相实验菲涅耳全息照相 像面全息 彩虹全息 特征识别 全息高密度信息存储XGS-4型全息照相实验及基础实验菲涅耳全息照相实验 特征识别 几何光学实验 像面全息 物理光学实验彩虹全息 近代光学实验 全息高密度信息存储XGS-5型光学全息照相实验平台光学全息照相实验平台是我公司专门为全息照相所设计的平台，配有齐全的光学组件和调整架、可以直接方便的进行全息照相实验的教学。仪器特点：仪器采用双层减震装置的大面积平板工作台，配有全息照相所需的多种调整架，仪器实验光轴中心高度180-240mm可调配有高质量的全息干版，平板工作台采用含磁不锈钢材料。成套性：光学平台：（1200*800*120mm）1台 平台工作台：（1200*800mm）1台所需附件一套主要特点：XGS-1型信息光学实验（可开设实验）全息照相实验 制作全息光栅 阿贝成像原理和空间滤波 &theta 调制和彩色合成XGS-2型信息光学实验及基础实验全息照相实验 &theta 调制和彩色合成 制作全息光栅 几何光学实验阿贝成像原理和空间滤波 物理光学实验XGS-3型全息照相实验菲涅耳全息照相 像面全息 彩虹全息 特征识别 全息高密度信息存储XGS-4型全息照相实验及基础实验菲涅耳全息照相实验 特征识别 几何光学实验 像面全息 物理光学实验彩虹全息 近代光学实验 全息高密度信息存储XGS-5型光学全息照相实验平台光学全息照相实验平台是我公司专门为全息照相所设计的平台，配有齐全的光学组件和调整架、可以直接方便的进行全息照相实验的教学。仪器特点：仪器采用双层减震装置的大面积平板工作台，配有全息照相所需的多种调整架，仪器实验光轴中心高度180-240mm可调配有高质量的全息干版，平板工作台采用含磁不锈钢材料。成套性：光学平台：（1200*800*120mm）1台 平台工作台：（1200*800mm）1台所需附件一套

航天器材料污染排气脱气除气特性的标准试验设备测试装置在样品喷射室外部的压力小于7 × 10&minus 3 Pa (5 × 10&minus 5 托)。沉积速率是在材料除气测试期间测量的。OTS-E1559包括用于收集数据的测试程序以及用于处理和呈现所收集的数据的测试方法。OTS-E1559用于预测分子污染物产生、迁移和沉积的数学模型所需的数据。OTS-E1559可以测试所有类型的有机、聚合物和无机材料。其中包括聚合物灌封化合物、泡沫、弹性体、薄膜、胶带、绝缘材料、收缩管、粘合剂、涂料、织物、系绳和润滑剂。ASTM E1559航天器材料污染排气特性的标准试验方法，航天器材料污染脱气特性的标准试验方法。Standard Test Method for Contamination Outgassing Characteristics of Spacecraft Materials该测试表征材料中脱气产物释放的动力学，确定材料暴露于真空环境时产生的总质量通量以及该通量在保持在各种指定温度的表面上的沉积。ASTM E1559用于评估材料在 298 至 398 K 温度下产生的总质量通量的测试,ASTM E1559包含测试方法 A 使用标准化样本和收集器温度。测试方法 B 允许灵活地使用用户指定的样品和收集器温度、材料和测试几何形状以及用户指定的 QCM各种有机材料，聚合物和无机材料都可被测试。包括：聚合混合物，发泡材料，弹性体，薄膜，胶带，绝缘体，收缩管，胶水，涂料，纺织面料，润滑油，润滑脂等。ASTM E1559测试方法是对原ASTM E595测试方法的改进，不仅可以对材料出气特性进行原位测量，同时也可以获得不同温度敏感表面的沉积特性，温度变化范围广，低温可达90 K。并且基于该方法，利用四极质谱仪可以对污染物进行实时的分析，并且可以获得与时间和温度相关的沉积动力学模型，分析出气速率OGR，也可以进行挥发物质聚合效应或VUV真空紫外辐射对样品表面影响的研究