三三甲代甲硅烷基

三甲基氯硅烷工艺装置主要由溶解釜、加料釜、反应釜、接收罐、碱液釜和渣浆釜等组成。 其主要仪表及管阀件均采用高性能产品，装置非标采用耐腐蚀材质。PLC 系统采集确保操作人员安全。 装置的整体水平要求自动化程度高，数据精确度及重复性好，安全可靠 并能长周期稳定运行

产品概述应用• 涂上化学增粘剂的超薄保形单层涂层• 精确控制MEMS器件和micro LED防粘解决方案的表面疏水性• 为光学和AR / VR应用提供高度均匀的丙烯酸酯或环氧型粘合剂涂层和界面层• 对于纳米压印光刻（NIL）应用，应涂防粘涂层以延长冲压工具的使用寿命• 在生命科学中，应用硅烷表面单层在固体底物和生物分子（包括DNA和蛋白质）之间实现稳定的共价键连接• 薄的自组装单层（SAM）涂层，用于半导体应用中的选择性沉积特点• 单个过程模块的两个负载端口EFEM或两个过程模块的四个负载端口EFEM的选项• 大容量腔室最多可容纳五十个200/300 mm晶圆• 涂层温度高达250°C，温度均匀度≤1.5％，并进行多区域控制• 多达5条汽化线，具有精确的质量流量和热控制• 远程下游等离子发生器产生反应性原子氧，以去除反应室中的有机残留物优点• 低压工艺减少了对导致晶片翘曲和损坏的高工作温度的需求• 优异的化学沉积均匀性； 接触角控制在+/- 3度内• 兼容多种有机硅烷，包括氨基，环氧，烷基和氯硅烷• 集成的等离子腔室清洁过程有助于保持运行过程的一致性• 环保，与湿法化学工艺相比，化学/溶剂用量明显减少技术参数硬件集成EFEM：具有2个（两个）负载端口的1类（ISO 3）EFEM模块可互换的处理200mm和300mm晶圆的能力晶圆图FOUP和PM机架的能力，可进行交叉开槽和双槽保护晶圆尺寸：可配置200或300 mm晶圆，或用作具有双重处理功能的桥接工具容量：仅200mm配置：50个晶圆200mm / 300mm选项配置：25个晶圆仅300mm配置：50个晶圆蒸汽输送：多达5条汽化线，具有精确的质量流量和热控制箱体材质：316L不锈钢工艺气体输入：2个标准（3个可选），预热整合等离子体：13.56 MHz软件操作系统：基于Windows的配方管理，符合SECS / GEM。符合SEMI标准：E30，E39，E40，E87，E90，E94性能环境清洁度：1级（ISO 3）工作温度范围：50-250°C温度均匀度：稳定后±1.5％腔室压力控制：200 mT至100 T化学用法：典型工艺1 – 10 mL正常运行时间： 95％

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。产品型号：HMDS-6210 产品名称：真空烘箱（带基片预处理系统）电源电压：AC 380V± 10%/50Hz± 2%输入功率：4000W控温范围：室温+10℃-250℃温度分辨率：0.1℃温度波动度：± 0.5℃达到真空度：133Pa容积：210L工作室尺寸（mm）：560*640*600外形尺寸（mm）：720*820*1750载物托架：3块时间单位：分钟真空泵：国内好品牌，上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。产品特点：1、机外壳采用医用级不锈钢316L材质制造，内胆为不锈钢316L材料制成；加热器均匀分布在内胆外壁四周，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置。钢化、防弹双层玻璃门观察工作室内物体一目了然。2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内高真空度。3、微电脑智能控温仪，具有设定，测定温度双数字显示和PID自整定功能，控温精确，可靠。4、智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序，温度，真空度及每一程序时间。5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，真空箱密封性能佳，确保HMDS气体无外漏顾虑。6、整个系统采用优质材料制造，无发尘材料，适用100 级光刻间净化环境。 HMDS预处理系统的必要性：在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。HMDS-6000系列预处理系统的原理： HMDS-6000 预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。HMDS-6000系列预处理系统的一般工作流程：首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真牢度达到某一高真空度后，开始充人氮气，充到达到某低真空度后，冉次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表而生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。尾气排放：多余的HMDS蒸汽（尾气）将由真空泵抽出，排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。