掺杂锡的磷酸镁锶

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掺杂锡的磷酸镁锶相关的论坛

  • 稀土元素掺杂

    稀土元素掺杂问题,被掺杂的元素有四个站位,有两种元素掺杂,我想知道这两种元素掺杂在四个站位中的那些,举个例子就是类似CrBr3是基体,掺杂S和Ca,掺杂完是Cr0.4S0.2Ca0.4Br3这种,),怎么确定S和Ca占据Cr的那个站位???我看文献可以通过实验或者密度泛函理论确定,这是可行的吗?是实验就可以指定掺杂在哪个位置吗????(xrd精修可以分析,但我不知道怎么操)

  • 美利用电子成像技术分析石墨烯 通过掺杂改变性能满足特定需求

    中国科技网华盛顿11月15日电 美国能源部橡树岭国家实验室的科学家15日表示,利用实验室的电子显微镜获得的前所未有的石墨烯内单独原子的图像,人们有望全面解开该材料的应用潜能,满足从发动机燃烧室到电子消费品的需求。 人们首次获得石墨烯晶体是在2004年。石墨烯为二维(单层原子)结构,硬度超过钻石,强度赛过钢材,且具有电性能和热性能。通过了解石墨烯材料原子结构和键配位,科学家有望提出优化石墨烯的途径,让其更好地适用于特殊的应用。 在新出版的《物理评论快报》上,橡树岭国家实验室和范德比尔大学两机构科学家组成的研究小组发表文章说,他们利用消色差扫描透射电子显微镜对石墨烯中硅杂质的原子和电子结构进行了研究。 橡树岭国家实验室研究人员胡安-卡洛斯·艾德罗布表示,他们利用新的实验和计算方法来揭示石墨烯中单个杂质的键合特征。比如,他们能区分石墨烯中非碳原子是二维还是三维键合。事实上,自20世纪30年代人们推断出键配位后,这是科学家首次将其视觉化表现出来。 通过研究石墨烯的原子和电子结构以及了解其掺杂物质,科学家能够更好地预测何种掺杂能够提高材料的性能,细微地改变石墨烯的化学组成能够为不同的应用量身定做合适的石墨烯材料。例如,通过增加不同的元素,可以让石墨烯取代汽车中的铂催化转化器,也可让其改善电子器件的功能等。 由于石墨烯具有导热、导电和光学透明能力,因此它有潜力替代人们日常用的电子产品中内部元件材料。铟是储存量十分有限的元素,它因透明传导性而广泛地用于电子产品(电视、计算机、手机等)的显示器上,人们期望能用更廉价和更丰富的石墨烯来替代铟。(记者毛黎) 《科技日报》(2012-11-17 二版)

掺杂锡的磷酸镁锶相关的方案

  • 使用近红外和掺杂物筛查功能快速检测酸奶糖中的掺杂物
    三聚氰胺是牛奶中一种常见的掺杂物,它能提高氮含量,因此给人一种蛋白质含量提高的假象从而获得高的市场价格。三聚氰胺掺杂可以说是致命的,2008年中国有6名婴儿死于三聚氰胺掺杂奶粉并且导致数千人生病。因此,在全球发布了更严格的法规和改进的检测方法,其中包含了运用PerkinElmer DairyGuardTM食品分析仪的方法对奶粉进行检测。然而,三聚氰胺掺杂的案例仍然发生在其它的奶制品中。2014年中国的广东省查获25吨酸奶片糖含有三聚氰胺。下面的内容就是关于用近红外NIR的检测方法检测酸奶糖中的三聚氰胺掺杂。近红外光谱(NIR)与掺杂物筛查方法(Adulterant Screen)结合是一种检测酸奶糖中三聚氰胺掺杂物的快速简单的方法。掺杂物筛查的软件能够准确的预测三聚氰胺的浓度水平以及识别出其它潜在的掺杂物。快速实现对酸奶糖和类似产品的方法开发
  • 使用近红外和掺杂物筛查功能快速检测酸奶糖中的掺杂物
    三聚氰胺是牛奶中一种常见的掺杂物,它能提高氮含量,因此给人一种蛋白质含量提高的假象从而获得高的市场价格。三聚氰胺掺杂可以说是致命的,2008年中国有6名婴儿死于三聚氰胺掺杂奶粉并且导致数千人生病。因此,在全球发布了更严格的法规和改进的检测方法,其中包含了运用PerkinElmer DairyGuardTM食品分析仪的方法对奶粉进行检测。然而,三聚氰胺掺杂的案例仍然发生在其它的奶制品中。2014年中国的广东省查获25吨酸奶片糖含有三聚氰胺。下面的内容就是关于用近红外NIR的检测方法检测酸奶糖中的三聚氰胺掺杂。
  • 使用傅里叶近红外 光谱仪检测牛油果 油的掺杂情况
    目前市面上已经开发了几种检测牛油果油掺杂的分析方法。许多分析方法都依赖于色谱技术,但这类方法可能需要耗费很长时间制备样品,并可能产生有害的化学废物。3 与之相比,近红外光谱技术与掺杂物筛查™ ( Adulterant Screen™ )技术可在不需要溶剂的情况下快速检测牛油果油的掺杂情况。当前采用近红外光谱技术的靶向掺杂物筛查方法,需要依据各类潜在的掺杂物建立相关的定量校准模型。此外,诸如SIMCA(软独立建模分类法)算法等非靶向筛查方法可以确定样本是否被掺杂,但既不能确定掺杂物,也不能量化掺杂物。另一方面,珀金埃尔默的掺杂物筛查算法提供了一种可以快速识别和估算掺杂情况的半靶向筛查方法。

掺杂锡的磷酸镁锶相关的资讯

  • Hf 掺杂BiSbTe3 结构与热电性能研究
    Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之间,而且GOF 因子也在2 左右,这说明Rietveld 精修的结果是可靠的.Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之间,而且GOF 因子也在2 左右,这说明Rietveld 精修的结果是可靠的.2.2 电学性能样品的Seebeck 系数(&alpha ) 测量结果如图2 ,从图中可以看出,所有样品的Seebeck 系数均为负值,具有电子导电的特征,这说明样品为n 型半导体.Hf 掺杂后,其绝对值有明显增加,特别是在300 -Hf 掺杂BiSbTe3 结构与热电性能研究刘福生,敖伟琴,罗锐敏,冯学文,张文华,李均钦(深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060)摘要:以高纯町、Bi 、Sb 和Te 为原料,在1000ce 下,经10 h 氧气保护熔融状态下反应,冷却球磨制粉,再在氮气保护下进行热压(450ce , 20 MPa) ,成功制备出一系列不同Hf 掺杂量的Hf2x ( Bi ,Sb) 2 -2xTe3化合物.X 射线粉末衍射Rietveld 分析说明, Hf 在结构中占据6c 品位,以替代(Bi , Sb) 的形式进入品格.Hf 掺杂引起BiSbTe3 的Seebeck 系数增大,电导率降低.功率因子在375 K 时达最大值526&mu W/mK2 &bull 关键词:热电性能 给 Bi2Te3 Seebeck 系数 功率因子中图分类号: TB 39 文献标识码:ABi2Te 3 及其固溶体合金是研究最早,也是目前发展最为成熟的热电材料之一. 目前使用的大多数热电制冷元件均采用这类材料.研究表明Bi 2 Te 3 能分别与Bi2 Se 3 和Sb2 Te3 在整个组分范围内形成连续固溶体,通过这种方式能使材料的热电优值得到明显提高[1J 另一种提高Bi2 Te 3 基热电性能的方式是对Bi 位原子进行掺杂,以提高声子散射,降低热导率.已有学者分别对Sn[2 J 、Pb[3 J 、Ga[4 J 和CU[5 J 等掺杂的Bi2 Te3 基化合物的性能与微结构进行研究,其热电性能有不同程度的提高. Hf 是稀土元素后的第一个元素,也是一种非常重要的热电元素,其原子量大,且其原子、离子及共价半径比稀土元素小,有利于掺杂提高声子散射,对Hf 掺杂的Bil凶b3 结构与性能进行研究有重要意义.1 实验方法采用纯度为99.99 £ 3毛给( Hf) 、锦(Sb) 、铭( Bi) 及纯度为99.999 £ 3毛的暗(Te) 为原料,按Hi&mu Bi ,Sb ) 2 -2xTe3 (x =0 -- o. 05 )化学计算比进行称量,每个试样重6 g. 将配备好的试样装入石英管并抽真空(真空度低于6 X 10 -3 Pa) 后,充入高纯氧气(约0.2 MPa) 封管,然后置入装有Si02 粉末的增塌中,得石英管竖立,置于箱式高温炉中,在1000ce下,经10 h 氧气保护熔融状态下反应,再经96 h 缓慢冷却至室温.理后的样品再经过球磨,热压烧结(450ce , 20 MPa). 样品结构分析采用Br此er - Axs D8 Advance 18kW 转靶X 线粉末衍射仪(CuK&alpha ) 进行.样品的Seebeck 系数与电导率的测量在ZEM -2 型热电性能测试仪上进行.2 结果与讨论2.1 X 射线粉未衍射分析热压后样品的X 射线粉末衍射(XRD) 图谱如图1 所示.从图中可以看出,不同掺杂量的样品具有相同的衍射峰分布,为Bi2 Te3 型(空间群:R-3m) 结构的单相样品,未发现与Hf 有关的杂相衍射峰,说明Hf 成功地掺入了BiSbTe 3 的结构中.对样品的衍射图谱Rietveld 精修结果如表1 所示.Bi2Te 3 基化合物晶体结构沿C 轴方向看,可视为六方层状结构,同一层上具有相同的原子,按六方排列,各层按:&hellip Tel - Bi - Te2- Bi - Tel · · · Tel- Bi - Te2- Bi - Tel ...顺序排列,二个邻近的Tel原子层间以范德华力结合,层间距约为0.25 nm ,上下二层各3 个Tel 原子形成空的八面体空隙,可为填充掺杂提供条件.其他层之间以共价键结合[6 J &bull Bi 原子填充在由Tel 和Te2 二层原子组成的八面体空隙中.根据该结构特征,掺杂原子在结构中的占位有两种方式:一是占据Tel 原子组成的八面体空隙(3b 晶位) ,二是替代Bi 原子的位置(6c 晶位) .一般倾向于认为两种位置均可占有.根据精修的晶体结构结果,若Hf 填充在3b 晶位,其与Tel 原子的间距约为0.284 nm , Hf 与Te 的原子半径分别为0.216 nm 与0.146 nm ,且该位置的结合力为范德华力, Hf 在该位置的填充必将使晶体结构发生明显畸变,随着Hf 掺杂量的增加, Hf2x( Bi ,Sb) 2 -2x Te3 的晶胞参数将会产生明显且急剧的增加.但Rietveld 精修结果表明,晶胞参数随Hf 掺杂量的增加仅产生微小变化.由于Hf 与Bi、饨的共价半径差别较小,本文认为Hf 在结构中主要替代(Bi , Sb) ,对晶胞参数的影响较小.2.2 电学性能样品的Seebeck 系数(&alpha ) 测量结果如图2 ,从图中可以看出,所有样品的Seebeck 系数均为负值,具有电子导电的特征,这说明样品为n 型半导体.Hf 掺杂后,其绝对值有明显增加,特别是在300 -Rietveld 分析的可靠性因子Rwp 在3% -5% 之间,而且GOF 因子也在2 左右,这说明Rietveld 精修的结果是可靠的.500 K 间, Seebeck 系数随温度的升高先升后降,这种变化关系与Bi2 Te3 基合金的常规变化规律一致:在o -lOOce 范围内,随温度升高,载流子的浓度增加,但是载流子间的散射作用显著增强,并起主导作用, &alpha 出现增大趋势 在温度大于100ce 后,进入本征激发范围,载流子浓度迅速增加,引起Seebeck系数急剧降低.对于(Bi , Sb ) 2 Te 3 单晶,由于Te 的少量挥发,引起结构中Bi 或者Sb 占据Te 的空位[6] ,产生空穴,因此( Bi ,Sb ) 2 Te3 单晶表现为P型半导体.对于热压合成的( Bi , Sb ) 2 Te3 多晶体,由于在熔融制备及球磨及热压过程中的表面氧化,氧的溶入会在结构中产生施主能级[叫 而且在球磨的形变作用下,将会产生更多的Te 空穴, Te 空穴也起施主的作用[8] ,因此热压制备的(Bi ,Sb) 2Te 3 多晶体比( Bi ,Sb ) 2Te3 单晶有高浓度的施主,从而呈现n 型半导体的特征. Hf 是一种变价元素,可以为+2 、+3 及+4 价,在( Bi , Sb ) 2Te 3 中Hf 可能以低价形式存在,产生空穴,降低了电子浓度.可能由于氧及Te 空位浓度差异的共同影响,不同的掺杂量间不呈现规律性.电导率(&sigma ) 的测量结果如图3 所示,电导率的变化规律与Seebeck 系数正好相反, Hf 掺杂降低了样品的电导率,电导率随着温度的升高而增加.这也体现了电导率与Seebeck 系数之间的本质联系.2.3功率因子功率因子用&alpha 2&sigma ( 功率因子)衡量热电性能,其计算结果如图4. 结果表明, Hf2x ( Bi , Sb ) 2 -2xTe3 的功率因子在375 K 时有一个最大值,当x = 0.02 时,为526&mu W/mK2 ,是未掺杂BiSbTe3 功率因子(为316&mu W/mK 2 ) 的1.66 倍.该数值略低于赵新兵等[9J采用溶剂热方法制备的纳米Bi 2 Te 3 的功率因子(为620&mu W/mK 2 , 393 K).采用气氛熔炼加热压的方法,成功制备出纯相Hf认Bi , Sb) 2 -2x Te3 热电材料. Hf 在结构中占据6c晶位,即以替代(Bi , Sb) 的形式进入晶格.由于表面氧化及球磨效应的共同作用,Hf 掺杂的BiSbTe3为n 型半导体, Hf 掺杂引起BiSbTe3 的Seebeck系数增大,电导率略有降低.功率因子在375K 时有一个最大值为526&mu W/mK2 &bull
  • 阿胶被曝原料掺杂 检测仪器需创新
    寒意猛烈,也正是冬令进补的时节。阿胶是由驴的皮,经煎煮、浓缩制成的固体胶,原产自山东省东阿县,至今已有近三千年历史。阿胶是传统的滋补上品、补血圣药,因此,虽然“名贵”,却深受欢迎。可是,近日阿胶原料被爆混入骡皮马皮。    新闻报道称,这是一组耐人寻味却不耐推敲的数字:山东阿胶行业协会根据100多家阿胶生产企业的年生产量报表推算,阿胶年总产量至少在5000吨以上。来自阿胶行业龙头企业东阿阿胶股份有限公司的市场监测数据显示,目前按中国市场阿胶销售量估算,需要驴皮400万张左右,而国内供应总量不足180万张。据国家畜牧统计年鉴显示,我国驴存栏量已由上世纪90年代的1100万头,下滑到目前600万头,并且还在以每年约30万头的数量下降。阿胶行业专业人士董书光介绍,按照每年正常出栏120万头计算,再加上驴皮进口因素,全年可生产的阿胶总数量也就在3000多吨。全年可供制胶的驴皮,只够实现当前产量的六成左右。  这些数据意味着,可能有近四成假冒原料混入了生产环节,化身为形形色色的“阿胶”产品,堂而皇之地在市场售卖。  有人会说,食品检验检疫部门应该积极地选用相关检测仪器,对每一批上市阿胶进行抽检。  但是,业内人士指出,当前阿胶行业面临两个“鉴定难”,一是原料鉴定难,皮张混入骡子、马、牛、工业皮、屠宰场的下脚料皮等,传统鉴定方法受到挑战;二是产品鉴定难,掺假阿胶产品繁多,药典方法滞后,跟不上造假技术。  对此,也就要求强化食品检测仪器的研发创新能力,摆脱传统鉴定方法的束缚,争取可以更加详细具体地分辨食品的真伪。  技术创新一直是产业进步的核心。食品安全的重要性不断提高,满足社会要求,对于食品安全的检测仪器也在更新换代。不同食品、不同要求,都会有不同的分析仪。现在针对阿胶掺杂问题,希望可以尽快研发出对于检测仪器。
  • 兰州化物所开发出氮掺杂多孔石墨烯制备新方法并用于稀土分离
    近日,中国科学院兰州化学物理研究所手性分离与微纳分析课题组开发出一种多重限域的一步可控合成掺杂方法,制备出对稀土离子具有高分离选择性的氮掺杂纳孔石墨烯膜(专利申请号:CN 202010861481.0)。该研究在吸附了苯丙氨酸的氧化石墨烯膜的二维层间空间限域生长层状锌类水滑石,从而构建类水滑石/苯丙氨酸/氧化石墨烯三明治型复合材料。由于锌类水滑石层间夹层可作为密闭反应器,通过限域燃烧,可将苯丙氨酸中的氮原子掺杂到石墨烯晶格中。同时,形成的多孔锌类水滑石可作为模板,通过孔区域内限域燃烧在氧化石墨烯上蚀刻出孔径可控的纳米孔(图1)。  科研人员将获得的氮掺杂纳孔石墨烯(图2)制备成膜用于稀土元素的分离,获得了良好的分离选择性,最高膜分离因子达到3.7。理论模拟表明,氮掺杂纳孔石墨烯中的吡咯氮原子,在稀土离子的选择性分离过程中起到主要作用。该制备方法简单高效、膜分离稳定性优异。该研究不仅为杂原子掺杂纳孔石墨烯材料的制备开辟了新途径,而且为实现稀土离子的高选择性膜分离提供了新思路,具有潜在的工业应用前景。相关研究成果发表在Cell Press旗下综合类子刊iScience上,博士生谭洪鑫为论文第一作者,研究员李湛和邱洪灯为论文共同通讯作者。  此外,研究人员在自主研发的纳孔石墨烯/氧化锌纳米复合材料的基础上,利用固相合成策略,使均苯三甲酸与纳孔石墨烯表面的氧化锌纳米颗粒直接反应,原位绿色合成出纳孔石墨烯/MOF复合纳米材料,并发现该材料适合于水溶液中稀土离子的选择性固相吸附分离,该研究成果发表在Analytical Chemistry上。  研究工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、中科院和甘肃省人才计划项目的支持。 图1.多重限域策略可控合成氮掺杂纳孔石墨烯示意图 图2.氮掺杂纳孔石墨烯表征图

掺杂锡的磷酸镁锶相关的仪器

  • PhosphaxSigma 总磷/正磷酸盐分析仪 仪器简介:典型应用:地表水、生活污水、工业废水总磷含量自动分析监测;工业循环水总磷/正磷/有机磷连续自动监测,控制缓蚀阻垢剂自动添加测量原理:水中聚磷酸盐和其他含磷化合物,在高温、高压的酸性条件下水解,生成磷酸根;对于其他难氧化的磷化合物,则被强氧化剂过硫酸钠氧化为磷酸根。磷酸根离子在含钼酸盐的强酸溶液中,生成一种锑化合物,这种化合物被抗坏血酸还原为蓝色的磷钼酸盐。测量磷钼酸盐的吸光度,和标准比较,就得到样品的总磷含量。PhosphaxSigma 总磷/正磷酸盐分析仪 技术参数:测量范围:总磷:0.01-5.0mg/L(以磷计)正磷酸盐:0.01-5.0mg/L测量准确度:± 2%测量周期:约10分钟仪器校准:自动样品流速:100ml/h试剂更换周期:3个月信号输出:2路4-20mA模拟输出;最大负载500欧姆;RS232可选通讯协议:Modbus 和Profibus 可选工作温度:5-40℃电源要求:220Vac/50HzPhosphaxSigma 总磷/正磷酸盐分析仪 主要特点:● 可自动分析总磷及正磷,并直接显示出含磷缓蚀阻垢剂浓度● 采用符合标准方法(DIN38 405 D11)的钼蓝法测量● 响应速度快,总磷测试仅需10分钟● 仪器有自动校准功能,准确度高● 有自动清洗功能,维护量小● 配置有安全防护面板,安全性高● 测试结果可以图形或数据显示
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  • - 测量方法:使用荧光素和荧光素酶通过化学发光反应来测定三磷酸腺苷(ATP), 符合ASTM D4012-81 标准方法- 应用行业:工业过程用水,电力,饮用水。- 仪器特点:1)符合ASTM 4012-81标准方法2)同时检测水中不同的ATP组分,并分析得出ATP含量总和3)与平板计数法不同,不会受到培养基成分的影响,测量更准确4)仪表可实现自动化,智能化分析,测试成本低5)易于更换试剂,维护成本低6)可实现多流路分析(8通道)
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  • 总览ZBLAN光纤是由ZrF4、BaF2、LaF3、AlF3和NaF等重金属氟化物组成的复合玻璃光纤。与广泛应用的石英光纤相比,ZBLAN光纤具有传输波长范围宽(0.35μm~4μm)和掺杂稀土离子发射效率高等特点。对于光纤激光器和放大器的应用,为了优化其效率,通过一种独te的光纤制造技术,筱晓光子推出低成本生产出高质量(特别是低损耗)的氟化物纤维双包层光纤,具有特定的d型芯可以设计和制造定制光纤的激光和放大器Mid-IR supercontinuumLVF非线性单模光纤由于其优良的性能,可以实现非常平坦和宽带的输出光谱。(中红外超连续介质激光器)中红外光谱和光学测量VF提出了用于光学安装的标准单模和多模光纤连接电缆。荧光LVE制造用于荧光研究的定制稀土掺杂氟化物玻璃块。晓光子提供全系列ZBLAN光纤产品,可定制波长0.04μm~0.35μm,纤芯与包层从50μm~1000μm可定制,也可定制红外线解决方案。稀土 Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤,稀土 Ho钬/Pr镨掺杂 ZBLAN双包层氟化物裸光纤 通用参数产品应用光纤激光器光纤放大器类型掺稀土双包层光纤光纤类型双包层氟化物光纤掺杂元素Pr,Nd,Ho,Er,Dy,Tm,Yb,其它掺杂浓度(ppm mol)500-50000包层形状圆,八角形,长方形纤芯数值孔径0.16,0.21,0.26涂覆层数值孔径0.5截止波长(um)2.5芯径(um)2涂覆层直径(um)圆形:123/200/500(直径)八角形:123/200/500(对角线长度)矩形:123/200/500(对角线长度)包层直径(um)460,480,600第二层涂覆层厚度(um)30第二层涂覆层材料氟树脂包层材料UV固化丙烯酸脂实验测试半径1.25cm,2cm,6cm标准型号参考型号稀土掺杂稀土浓度(摩尔ppm)芯径(μm)Core NACutoff(nm)第一层包层直径(μm)包层形状第二层包层直径(μm)CladdingNA包层吸收(dB/m)ZDF-16/250-10E-CEr10,00016±20.12±0.02@ 3500 nm 2850250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm0.3-0.8@ 980 nmZDF-18/250-60E-CEr60,00018±20.12±0.02@ 2700 nm 3400250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm2-3@ 980 nmZDF-30/300-60E-CEr60,00030±20.12±0.02@ 2700 nm 5350300±15圆形460±300.50±0.02@1000nm4-5@ 980 nmZDF-7.5/125-40T-CTm(铥)40,0007.5±1.50.14±0.02@ 2000 nm 1700120±3圆形210±200.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-8.5/125-2H40T-CHo(钬)Tm2,00040,0008.5±2.00.14±0.02@ 2000 nm 2000123±4圆形195±150.50±0.02@1000nm1-2@ 800 nmZDF-10/125-30H2.5P-CHoPr(镨)30,0002,50010±10.17±0.02@ 3000 nm 2400123±3圆形210±100.50±0.02@1000nm1-2@ 1150 nmZDF-20/250-40E2.5D-CEyDy 镝40,0002,50020±30.13±0.02@ 3000 nm 4100250±13圆形460±300.50±0.02@1000nm1-2@ 980 nmZBLAN玻璃的折射率(芯,典型)HBLAN玻璃的折射率(用于包层,典型)ZBLAN玻璃的材料分散性(芯,典型)HBLAN玻璃的材料分散性(用于包层,典型)背景损耗和发射波长通过选择稀土元素和激发波长,得到不同波长的光发射。虽然芯在长波长区域具有较低的损耗,但在第一包层中的传播光在1.7um处造成更大的损耗,而由于吸收用于第二包层的氟基UV树脂而导致更多波长损耗。DCFF配置订购信息例如:DCFF-2/125-P-30-0.21-0.52/125------2=芯径 125=涂覆层直径P ----------P=掺杂稀土元素30 ---------30=第二层涂覆层厚度0.21--------0.21=纤芯数值孔径0.5 --------0.5=涂覆层数值孔径
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掺杂锡的磷酸镁锶相关的耗材

  • 未掺杂的硒化铋
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。未掺杂的硒化铋Undoped Bismuth Selenide (Bi?Se?)
  • 氮掺杂石墨烯
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。氮掺杂石墨烯Nitrogen Doped Graphene
  • 氮掺杂石墨烯
    简介:二维晶体材料指的是以石墨烯为代表的单原子层及少数原子层厚度的晶体材料,巨纳集团除了提供石墨烯材料、设备、检测等一体化服务外,还联合美国2D Semiconductors为全球客户提供高质量的二维晶体材料、粉体、溶液、薄膜等材料,并提供定制服务,以满足客户的不同需求。氮掺杂石墨烯Nitrogen Doped Graphene

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