硅光电探测器

仪器简介：硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm技术参数：型号列表及主要技术指标：技术指标＼型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10～+60 -------储存温度范围(℃) -20～+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃；-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）主要特点：■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器（Si）&mdash &mdash &mdash 室温型探测器，波长范围：200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同，其中：◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用 硅光电探测器使用建议：◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器。

仪器简介：DSR100系列探测器光谱响应度测量系统，是适应不断增长的材料科学对检测设备的需求而诞生的。它结合了北京卓立汉光仪器有限公司给多家科研单位定制的探测器光谱响应测量系统的特点和经验，采用国家标准计量方法进行测试，是光电探测器、器件、光电转换材料科研和检验的必备工具。技术参数：型号 DSR100UV-A DSR100UV-B DSR100IR-A DSR100IR-B波长范围 200~2500nm 1~14&mu m测试光斑\光斑模式 均匀平行光斑 汇聚光斑 均匀平行光斑 汇聚光斑尺寸 Ф2~20mm Ф0.3~3mm Ф2~20mm Ф0.3~3mm 光源 光源 氘灯/溴钨灯复合光源 溴钨灯/碳化硅复合光源光强稳定性 &le 0.8% &le 2%光源切换方式 软件自动切换 软件自动切换三光栅单色仪 光 谱分辨率 ＜0.1nm（435.8nm@1200g/mm光栅） ＜2.5nm (2615nm@75g/mm光栅)扫描间隔 最小可至0.005nm输出波长带宽 ＜5nm ＜10nm多级光谱滤除装置 根据波长自动选择滤光片，消除多级光谱杂散光 　光调制频率 4~400Hz数据采集装置灵敏度 锁相放大器 2nV；直流数据采集可选标准探测器 标准硅探测器 （标定200~1100nm） 标准热释电探测器（标定1~14mm）光谱响应度测量重复性* &le ± 1.5% &le ± 5%光路中心高 305mm仪器尺寸 1500mm× 1200mm× 560mm控制机柜 标准4U控制柜，含计算机主要特点：◆ 宽光谱范围（200~2500nm或1~14&mu m可选），适用面广宽光谱范围意味着适用于各种不同样品，如响应在日盲区的深紫外探测器、响应在可见光的太阳能电池、响应在近红外的光纤传感器、响应在中远红外的红外光电传感器，都可以在DSR100上测量光谱响应度。◆ 开机即用的Turnkey系统设计，维护简单系统采用替代法的测量原理，设计成开机即用的turnkey模式，用户不需要在实验前对系统进行复杂的调试，日常维护也十分简单。◆ 调制法测量技术，提升测量结果信噪比DSR100系统采用调制法测量技术。调制法是目前国家计量单位采用的标准方法，通过选频放大的技术，可以大幅度抑制杂散光或环境噪声对测量精度带来的负面影响。DSR100系统针对弱信号采集专门设计了独特的前置放大电路，同时采用高性能的锁相放大器进行调制法测量。锁相放大器测量灵敏度达到2nV，动态范围达到100dB。通过提高测量灵敏度并且抑制噪声，DSR100系统可以从背景噪声中提取非常微弱的光电探测器响应信号。◆ 全反射光路设计，优化光斑质量由于各种光电探测器的光谱响应范围不同，因此好的探测器光谱响应度测量系统应该是宽光谱范围的，这样才能具备较强的通用性。在宽光谱范围的光学设计中，采用反射式的光路设计要比透射式得到更高品质的光束质量和均匀光斑。在透射式的光学系统中，影响光束质量和光斑品质的重要因素是色差，色差源自于不同波长的单色光在光学材料中的折射率不同，波长范围越宽，色差越明显。而在反射式的光学系统中，由于根本不涉及折射，所以不存在色差的问题。因此采用反射式光路，成像质量大大优于透射式光路，从而可以得到更高均匀度的平行光斑，或者更小尺寸的汇聚光斑。◆ 高稳定性光源，降低背景噪声影响尽管采用调制法可以降低系统杂散光和背景噪声对测量的影响，但光源本身的波动依然无法消除。因此，在采用调制法的系统中，光源稳定性反而成为系统噪声的主要来源。DSR100采用高稳定性的光源来保证系统的高重复性。右图是典型的光源相对强度的稳定度测量数据。◆ 全自动测量流程1)自动化测量流程得到高重复性样品的重复定位精度很大程度上决定了测量重复性，电动平移台重复定位精度10um，远远高于手动样品定位2)自动化测量流程降低了操作人员的要求按软件文字提示即可正确操作系统进行测量，不需要对操作人员进行复杂的培训，特别适合工业客户做检测用3)自动化测量流程提高时间利用率系统在预设方案后即自动运行测量流程，可提高操作人员时间利用率◆ 大空间样品仓，四壁可拆卸，方便系统调试特别设计的四壁方便拆卸的样品仓，给实验人员足够大的空间进行样品安装和调试。同时，也能容纳一些特殊体积的探测器，比如液氮制冷的探测器、条纹变相管等。实验人员的可操作性大大增强。◆ 激光监视光路选项，CCD图像监控，可对极小面积的光电探测器进行精确定位◆ 标准测量软件，数据导出格式支持第三方软件DSR100系统的软件保存所有测试第一手原始数据，可供实验人员导出成txt、xls等常见格式的文档，以便后期分析处理。

DPe系列为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，专门用于红外波段的光谱测量。热电元件由独特的薄膜热释电PZT材料组成，允许红外辐射被有源区域高效吸收。具有更高的灵敏度、更低的噪声、更好的频率响应以及更好的温度稳定性。热释电探测器使用建议：DPe系列热释电探测器必须配合锁相放大器，推荐使用DCS500PA。DPe系列热释电探测器的响应率与调制频率成反比，最优工作频率在低频（10HZ左右）区域。DPe系列热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长受窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口。 频率响应曲线： 窗口透过率曲线： 光谱响应曲线： 常温型热释电探测器型号列表及主要技术指标：型号/参数DPe16DPe22工作区域面积（㎜2）1.65×1.651.65×1.65光敏面直径尺寸（㎜2）3.73.7窗口材料类型A4A3波长范围（μm）2-162-22信号输出模式电压电压响应率（V/W）12.75×1052.75×105典型值D* [cmHz1/2W-1] 14.32×1084.32×108NEP（W/Hz1/2）13.82×10-103.82×10-10反馈电阻（GOhm）1010反馈电容（fF）200±50 200±50 工作电压（V）±2.2～±8±2.2～±8环境温度（℃）-10～+50-10～+50输出信号极性正（P）正（P）备注125℃，10Hz，带宽1Hz黑体T = 500K；E = 38 W / m2不含窗口材料

仪器简介：热释电探测器&mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um技术参数：技术指标型号/参数 DPe22光敏面尺寸(mm) 0.5× 2窗口材料 ZnSe（标配）波长范围(nm) 0.5-22响应率R(500,12.5)(V/W) 2× 105D*(500,12.5,1(cm Hz1/2 W-1) 1× 109NEP(500,12.5,1))W/Hz 9× 1011允许最大入射功率(&mu W) 1最大输出电压(V) 4信号输出模式 电压输出信号极性 正（P）主要特点：&mdash &mdash &mdash 常温型红外探测器，波长范围：0.5-22um◆ DPe22为常温型热释电探测器，适合经济型的测量，集成前置放大器，由LATGS晶体制成，仿热电偶结构，专门用于红外波段的光谱测量热释电探测器使用建议：● DPe22热释电探测器为全波段响应的探测器，实际工作波长范围受到窗口材料限制，可根据实际需要来选择合适的窗口● DPe22热释电探测器使用时必须配合锁相放大器,推荐使用SR830或Model 420（Page97-98）● 热释电探测器的响应率与调制频率成反比，所以需工作在低频（70Hz左右）条件下

特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的最大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的最大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。关于安装孔位置及如何安装的详细信息，请看外壳特性和安装选项标签。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供最高信噪比，最高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。更多有关外壳的信息，请看外壳特性标签。如需带FC/PC输入端的探测器，请看光纤耦合型带放大的硅探测器。电源每个带放大的光电探测器都附带一个±12 V的线性电源，支持100、120和230 VAC输入电压。更换用的电源在下方出售。将电源连接到线路之前，请确保电源模块上的线性电压开关已经设定在正确的电压范围。请始终使用电源上的电源开关来给电源通电。建议装置不要热插拔。

Thorlabs硅光电探测器，光纤耦合型，带放大探测波长在400 nm - 1000 nm的光易于使用的OEM封装，带有FC/PC光纤耦合输入集成低噪声放大器附带电源应用FPD310-FC-VISFPD510-FC-VIS & FPD610-FC-VIS探测快速激光脉冲探测弱光信号激光光源的射频和脉冲形状提取外差激光拍频信号探测光学拍频信号的高效零差和外差提取探测弱光信号脉冲调制光源表征探测斩波光源Menlo Systems的高灵敏度PIN硅(Si)光电探测器使用方便，集成了高增益、低噪声的RF放大器(FPD310-FC-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS)。FPD310-FC-VIS光电探测器经过优化，具有高增益、高带宽、超短上升时间和高信噪比。它还有两种增益设置以供切换，在许多应用中可实现最佳性能。此AC耦合装置的3 dB带宽为5 - 1000 MHz。FPD510-FC-VIS和FPD610-FC-VIS光电探测器针对信噪比最大值进行了优化，分别适用于探测频率最高不超过250 MHz和600 MHz的低电平光学拍频信号和脉冲形状。两种光电探测器都具有固定增益。FPD510-FC-VIS的上升时间为2 ns，而FPD610-FC-VIS的上升时间为1 ns。FPD510-FC-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FC-VIS的为500 MHz。这些探测器设计紧凑，易于OEM集成。它们还有一个FC/PC输入端，用于光纤耦合应用，且附带一个电源，具有通用AC输入。规格图：

特性波长范围：200到1100 nm 固定或可调增益的低噪声放大器负载阻抗：50 Ω或以上(带宽≥3 kHz的版本)自由空间光学输入我们提供多种硅(Si)自由空间型带放大的光电探测器，光灵敏范围从紫外到近红外。Thorlabs带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。Menlo Systems的FPD系列带放大光电探测器内置射频(RF)放大器或跨阻放大器。我们提供固定增益和可调增益的版本，前者具有固定的zui 大带宽和总跨阻增益，后者提供两个或八个增益设置。Thorlabs光电探测器能够满足多种要求，380 MHz的PDA015A固定增益探测器具有1 ns脉冲响应，高灵敏PDF10A2具有最小3.0 fW/Hz1/2噪声等效功率(NEP)，可调增益的PDA100A2具有八种可调的zui 大增益(带宽)组合，范围从1.51 kV/A (11 MHz)到4.75 MV/A(3 kHz)。具有飞瓦灵敏度的PDF10A2为低频器件，只能端接高阻抗(Hi-Z)负载，而其它所有带放大的硅光电探测器都能够驱动从50 Ω到Hi-Z的负载。Click to EnlargePDA10A2与附带的±12 V电源。更换用的电源在下方出售。每个探测器都有SM05 (0.535"-40)内螺纹与SM1 (1.035"-40)外螺纹。除了有些特定的探测器，所有装置外壳上都有8-32螺孔 (-EC和/M型号为M4螺孔)。PDA10A2、PDA8A2、PDA36A2、PDA100A2和PDF10A2使用新外壳，具有兼容8-32和M4的通用螺孔。Menlo Systems的FPD系列探测器具有易用的光电二极管封装，集成高增益、低噪声RF放大器(FPD310-FS-VIS)或跨阻放大器(FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS) 。FPD310-FS-VIS非常适合需要高带宽和超短上升时间( 1 ns)的应用，它能以0和20 dB两种步长调节增益。FPD510-FS-VIS和FPD610-FS-VIS具有固定增益，能够在探测低水平光学拍频信号时提供zui 高信噪比，zui 高探测频率分别为250 MHz和600 MHz。FPD510-FS-VIS上升时间为2 ns，而FPD610-FS-VIS上升时间为1 ns。这些是直流耦合器件，FPD510-FS-VIS的3 dB带宽为200 MHz，而FPD610-FS-VIS为500 MHz。FPD探测器设计紧凑，便于OEM集成。每个Menlo探测器外壳上有一个用于安装接杆的M4螺孔。

硅雪崩光电探测器，可变增益，温度补偿连续可变增益温度补偿，在18 - 28 °C的温度范围上M因子的稳定性≤±3%SM05内螺纹和SM1外螺纹，可安装光纤转接件、透镜套管和其它组件包含电源这些雪崩光电探测器具有可变增益，通过外壳右侧的旋钮进行控制。与上方的APD130A探测器一样，这些探测器具有集成热敏电阻，它通过调节雪崩光电探测器两端的偏置电压，在23 ± 5 °C的温度范围内可将M因子的稳定性维持在±3%或更好。相比于上面的标准APD和温度可控的APD，APD430A2和APD430A还提供从DC至400 MHz的更大可用带宽。APD410A2和APD410A的可用带宽略小(DC至10 MHz)，但是灵敏度更高。APD440A2和APD440A探测器提供高跨阻抗增益，最大带宽为100 kHz。机械连接和电连接的方向，以及薄型外壳设计，确保了这些探测器可装在狭小空间中。外壳上有三个8-32(M4)安装孔，每侧面上一个，进一步确保它可以轻松集成到复杂的机械装置中。外壳还兼容SM05和SM1透镜套管。包含一个SM1内螺纹的盖子。光纤耦合注意事项：对于光纤耦合应用，我们不推荐使用Thorlabs带APD410A2(/M)、APD430A2(/M)和APD430A的S120-FC等光纤接头转接件，因为探测器的尺寸较小。可能会出现较高的耦合损耗以及频率响应降低。为了实现高耦合效率，可使用光纤准直器、聚焦透镜和X-Y平移调整架。

高速光电探测器 Related Products 特性9种型号涵盖150纳米到2.6微米的波长范围上升时间快达1纳秒超薄机身能在狭窄空间进行测量容易使用、结构紧凑和多功能SM05（0.535英寸-40）和SM1（1.035英寸-40）螺纹是光纤耦合或安装中性密度滤光片的理想选择内部A23偏压电池（附带）Thorlabs提供9种型号的偏压光电探测器，涵盖了紫外到中红外（150纳米到2.6微米）的波长范围，与之前的光电探测器型号相比，它们具有更宽的带宽和更好的NEP（噪声等效功率）性能。其纤薄的外壳能让光学探测器嵌入到狭窄的装置中。每个型号都配备有快速的PIN光电二极管和以坚固铝制外壳包装好的外部偏压电池。通过宽带宽的直流耦合输出，这些探测器是用于监测快速脉冲激光和直流光源的理想选择。每个DET都有T型偏置电路，将高频交流信号和直流信号结合起来，作为单一的输出。侧面板的BNC上提供了直接的光电二极管阳极电流。通过一个终端电阻可以很容易地将该输出转换为正电压。至于高速信号，Thorlabs推荐使用一个50欧姆负载电阻。对于低带宽的应用，使用本公司的可变端接器可节省很多时间。 所有的连接和控制都已经移到远离光路的位置，这样就简化了我们的探测器在封闭空间内的集成。DET探测器外壳上的SM1、SM05和8-32（M4）螺纹使其可以安装在笼式共轴系统、透镜套管系统，或TR系列接杆上。关于如何将DET系列光电探测器嵌入到光学装置的更多细节请参看安装选项 标签。每个DET都配有安装好的12伏的直流偏压电池。由于电池是一种噪音极低的电源，所以将它作为电压源。当允许信号噪声由于线电压中的噪声产生小幅度增长或不能接受电池的有限寿命时，可以用DET1B电源适配器替换该电池。A23电池是目前DET系列光电探测器的更换电池，而本公司的旧型号中（即 DET1-SI和DET2-SI）则使用T505更换电池。请注意，由于不同制造商生产的电池的正极端子之间可能会存在细微差别，针对DET系列光电探测器，Thorlabs公司只推荐使用Energizer电池。磷化镓探测器&mdash 紫外波长Zoom型号#有效面积波长范围上升（下降）时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET25K4.8 mm2 (2.2 x 2.2 mm)150 - 550 nm1 ns (140 ns)1.6 x 10-1440 nA40 pF*典型值，RL = 50欧姆硅探测器－可见光波长Zoom型号#有效面积波长范围上升时间NEP（W/vHz）暗电流结电容*DET10A0.8 mm2 (Ø 1.0 mm)200 - 1100 nm1 ns1.9 x 10-140.3 nA (2 nA Max)6 pFDET36A13 mm2 (3.6 x 3.6 mm)350 - 1100 nm14 ns1.6 x 10-140.35 nA (6 nA Max)40 pFDET100A75.4 mm2(Ø 9.8 mm)400 - 1100 nm43 ns5.5 x 10-14600 nA Max300 pF *典型值，RL = 50欧姆锗探测器&mdash 近红外光波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRiseTimeNEP(W/Hz1/2)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET50B19.6 mm2 (Ø 5.0 mm)800 - 1800 nm440 ns4 x 10-1280 µ A4000 pF (Max)DET30B7.1 mm2(Ø 3.0 mm)800 - 1800 nm600 ns1.0 x 10-120.8 µ A (1.0 µ A Max)4000 pF (Max)*典型值，RL = 50欧姆铟镓砷探测器－近红外到红外波长ZoomItem #Active AreaWavelengthRangeRise TimeNEP(W/vHz)Dark CurrentJunctionCapacitance*DET10C0.8 mm2(Ø 1.0 mm)700 - 1800 nm10 ns1.6 x 10-141 nA (25 nA Max)40 pFDET20C3.1 mm2(Ø 2.0 mm)800 - 1800 nm25 ns0.03 x 10-1255 nA (70 nA Max)100 pFDET10D0.8 mm2(Ø 1.0 mm)1200 - 2600 nm25 ns2 x 10-1215 µ A (75 µ A Max)175 pF*典型值，RL = 50欧姆DET交流电源适配器ZoomDET1B交流电源适配器可替代本公司的DET系列探测器所使用的电池。该适配器套件使DET探测器能与附带的外部交流LDS2电源配合使用。使用时，只需要简单地将电池盖卸下，取出电池，然后装上附带的DET1A，并插上电源即可。我们同时还可以单独出售适配器或电源，可供需要的用户选择购买。用于DET系列的电池ZoomA23电池是现有DET系列光电探测器的更换电池。T505更换电池则用于我们老式、已停产的探测器系列。SBP20更换电池用于SV2-FC、SIR5-FC和SUV7-FC光纤探测器包。 BNC接头Zoom当光电二极管加上反向偏压，例如工作在光导模式下，将会由于光子吸收产生光电流。通常，使用一个50欧姆的电阻来增加带宽。但是，常常需要更简单高效的方法测量信号，当对准光电二极管时可是使用较大的势差。可调接头使得用户可以在光束对准时增大电阻，然后降低电阻以获取最大的带宽。相对于固定接头来说，可调接头有绝对的优势。Thorlabs供应两款接头：VT1可调电阻接头和T4119型50欧姆固定电阻接头。 VT1可调接头提供7个离散电阻供用户设置，用户可以很容易的通过外部的旋转筒进行选择。VT1提供以下7个电阻值：50欧姆，100欧姆，500欧姆，1千欧姆，5千欧姆，10千欧姆和50千欧姆。 T4119是一个50欧姆的转接型接头，应用在DET系列探测器中，可以获得最大的带宽。

仪器简介：雪崩光电探测器（APD） 产品特性： 高速响应达GHz 封装尺寸小：50 x 50 x 45 mm 400-1000 nm /850-1650 nm波长可选 增益连续可调：1x to 100x (ADP210) 1x to 10x (ADP310) SM05适配器 光电倍增管Photomultiplier Modules 产品特性： 两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm 可提供倍增管接口组件 具有防静电和消磁作用 变换增益：阳极电流1 V/&mu A 链构型环形电极 封装与SM1螺纹匹配 封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配 支杆可安装于3种不同组件 120V电源供应（230V可选） SMA输出技术参数：高速探测器Biased Detectors 产品特性： 宽光谱150 nm to 2.6 &mu m 高速响应1 ns~220ns 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，还可外接电源 带放大电路探测器Amplified Detectors 产品特性: 宽光谱150 nm to 4.8 &mu m 带宽高达150MHz 放大增益可固定，亦可调 0-10V电信号输出 大面积光敏面Ø 1.0 mm~Ø 9.8 mm 可选的光纤适配器，方便光纤耦合输出 标准的BNC输出接口 提供230 VAC外接电源主要特点：光纤耦合探测器Fiber Optic Detectors 产品特性： 宽光谱320 nm to 1700nm ps级高速响应，带宽1-8GHz 可提供带放大电路 FC/PC光纤接口，方便光纤耦合输入 标准的BNC输出接口 内装A23 12V电池，使用方便，可外接电源 平衡探测器Balanced Detectors 产品特性： 宽光谱320nm-1700nm 高带宽DC-350MHz 超低噪音 探测器类型：Si & InGaAs 可提供带放大电路 自由空间或尾纤输入 直接的探测器监视输出 含外接电源 增益可调和增益固定可选 应用： 光谱与波谱学: 外差检测 OCT系统 光学延迟测量 THz检测

杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。 热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱： 杭州谱镭SPL-PM-IR 低功率数字型光电探测器 杭州谱镭SPL-PM-IR系列光电探测器与同类产品相比，其优点在于探测器内部完成了数据的采集与处理，并且与SPL-PM系列光功率计仪表之间采用数字通讯，使外部干扰降到最小，保证了数据的准确性。该系列探测器集成了校准数据存储功能，提供了紫外增强型硅、硅、砷化铟镓（InGaAs）等光电探测器，覆盖200nm到1700nm波段，可选配10/100/1000倍衰减片，扩大测量范围。SPL-PM-IR02 特 点 1.数字型光电探测器 2.多波长测量 3.集成的校准数据存储功能 4.可选配10/100/1000 倍的衰减片，扩大测量范围 技术参数 杭州谱镭光电技术有限公司(HangzhouSPL Photonics Co.,Ltd)是一家专业的光电类科研仪器代理商，致力于服务于国内科研院所、高等院校实验室、企业研发部门。我们代理的产品涉及光电子、激光、光通讯、物理、化学、材料、环保、食品、农业和生物等领域，可广泛应用于教学、科研及产品开发。 我们主要代理的产品有：微型光纤光谱仪、中红外光谱仪、积分球及系统、光谱仪附件、飞秒/皮秒光纤激光器、KHz皮秒固体激光器、超窄线宽光纤激光器、超连续宽带激光器、He-Ne激光器、激光器附件及激光测量仪器、光学元器件、精密机械位移调整架、光纤、光学仪器、光源和太赫兹元器件、高性能大口径瞬态（脉冲）激光波前畸变检测干涉仪（用于流场、波前等分析）、高性能光滑表面缺陷分析仪、大口径近红外平行光管、Semrock公司的高品质生物用滤波片以及Meos公司的光学教学仪器等。热线电话： / 传真：+86571 8807 7926网址： /邮箱：

描述BIM-71系列光电探测器采用DB15接口，需要连接BIM-7001光功率计仪表，可在仪表上进行数据读取、数据存储和功率监控等。此外，BIM-7001光功率计仪表上预留了一个USB通讯接口，可拓展将BIM-71系列光电探测器上采集到的数据上传至电脑端的BPM光功率计软件中进行数据采集与分析。数字通讯探测器完成了数据的采集与处理，采用数字方式与光功率表头之间通讯，降低外部干扰。可用于自由空间及光纤接头(FC,SMA)的测量探测器允许用户对自由空间光进行测量，同时也可使用我们的光纤接头适配器对通过光纤传送的激光进行测量。根据您的激光器波长及功率，可选择合适光电探测器配合您的应用。我们将持续开发新的探测器，以满足不断涌现的新激光产品对测量的要求。可配衰减片通过选择10/100/1000 倍的衰减片，可拓展您的功率测量范围。校准数据校准数据以电子方式存储在对应的探测器中。 对应的校准报告将连同探测器在发货时一起提供给客户。该报告列出了在对应的波长范围内，以10nm为间隔，探测器的波长与光谱的响应关系。如果你额外选配了衰减器，电子存储及校准报告中也会包含另外一组对应校准数据。定制服务我们可根据用户要求提供客户定制服务。技术参数型号（DB15接口）BIM-7101BIM-7102BIM-7103探测器材料SiSi-UVInGaAs波长范围380nm-1100nm200nm-1100nm800nm-1650nm功率测量范围（不带衰减器）100pW-10mW-70dBm±10dBm100pW-1mW-70dBm-0dBm100pW-10mW-70dBm±10dBm最大平均功率密度（不带衰减器）10mW/cm21mW/cm210mW/cm2NEP2.0E-13W/√HZ2.0E-14W/√HZ2.0E-13W/√HZ响应时间2us5.9us0.2us有效探测直径1.128cm1.128cm0.3cm有效探测面积1cm21cm20.071cm2不确定度±5%±5%±5%线性度±0.5%±0.5%±0.5%均匀性±2%±2%±2%连接线1.5m1.5m1.5m固定孔通用8-32/M4通用8-32/M4通用8-32/M4外形（直径D/高度H）φ38 mm x28mmφ38 mm x28mmφ38 mm x28mm重量105 g105 g105 g工作温度, 相对湿度5℃ — 50℃ ，70% RH5℃ — 50℃ ，70% RH5℃ — 50℃ ，70% RH紫外增强型硅探测器响应曲线（BIM-7102）在波长254nm处测量得到

量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司，一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产，为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge，p-n，APD和InGaAs p-i-n高速和大面积光电探测器。 GPD维护符合MIL-I-45208的检查系统。 光电二极管要符合Telcordia的测试要求（TA-NWT-00093），MIL-STD-883测试方法和/或客户要求。 主要产品包括：温馨提示：点击产品名称，自动跳转到详情页。更多信息可联系我们。低偏振相关损耗铟镓砷探测器Low Polarization Dependent Loss (PDL) InGaAs Photodiodes线性阵列式探测器 Linear Arrays铟镓砷象限探测器 InGaAs Quadrant Photodiodes含制冷铟镓砷光电探测器铟镓砷光电探测器 InGaAs Avalanche Photodiodes1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs Photodiodes高速铟镓砷探测器High Speed InGaAs Photodiodes锗雪崩探测器Ge Avalanche Photodiodes锗探测器Ge Photodiodes

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

产品简介 非制冷型光电探测器是一种高灵敏度光电探测器，兼容Si（硅）、InGaAs（铟镓砷）、HgCdTe（碲镉汞，MCT）、铟砷锑等半导体光电二极管，对0.4~12um的光谱波段光波敏感。该探测器是直流耦合输出，含低噪声、宽带宽的前置运放，探测器外壳采用全铝合金材料，即可起到屏蔽环境电磁干扰，也具备良好的散热性能。产品详情注解1：具体参数根据选用不同型号的探测器芯片而不同硅探测器：0.4-1.7um铟镓砷探测器：0.8-1.7um/0.8-2.1um/0.8-2.6um碲镉汞探测器：4-12um铟砷锑探测器：4-12um型号规格例如：HPPD-A-D-S-02-10-10K该探测器规格为：硅探测器，一个感光面为1.0 mm2,前置放大器为直流耦合，波长2um，增益为10K的探测器注意事项：l 以上产品规格如有变更，恕不另行通知。l 建议在储存，运输和使用时采用合适的ESD保护措施。产品尺寸（单位：mm）

仪器简介：硅光电二极管探测器分为双波长发射二极管与接收管，硅光电二极管探测器，雪崩二极管 三种不同系列产品，其中硅光电二极管探测器包含光导/光伏型光电探测器，紫外增强探测器，单点软X射线探测器，位置探测器这四种探测器。技术参数：双波长发射二极管与接收管1.陶瓷或塑料封装；发射管有背对背（二引脚）和共阳极（三引脚）连接方式。 2.660nm LED峰值波长偏差小于+/-3nm, 半波宽小于25nm，保证了测量数据的精准度。 3.相应提供最佳匹配度的探测器，可使仪器的设计更简单可靠。 4.发射管主要型号：DLED-660/905-CSL-2 ；DLED-660/940-CSL-3 DLED-660/880-CSL-2 DLED-660/895-CSL-2 DLED-660/905-LLS-2(陶瓷封装)；DLED-660/940-LLS-3(陶瓷封装) 5.接收管型号：PIN-8.0-CSL；PIN-4.0-CSL；PIN-8.0-LLS(陶瓷封装)；PIN-4.0-CSL(陶瓷封装)硅光电二极管探测器1.波长范围：350-1100nm 2.高速响应：光导型加偏压10ns 3.低暗电流：0.01nA 4.高灵敏度：0.65A/W紫外增强探测器1.高灵敏度：0.14A/W@254nm2.反转通道型:*100%内量子效率 3.平面扩散型：红外截止，高稳定度单点软X射线探测器1.探测范围：6eV-17600eV 2.直接探测，不需要闪烁体 3.不需要偏压 4.高量子效率，低噪声 5.真空低温可适应位置探测器1.四象限和线性位置探测； 高精度，高分辨率，高速响应； 2.在长时间和温度变化下仍何以保持高稳定性；雪崩二极管1.响应峰值波长: 820nm 2.响应速度快： 0.4ns @850nm,G=100 (APD-300) 3.高灵敏度： 42A/W @850nm, G=100 4.低偏置电压高增益：G=100@200V5.标准TO封装方式： TO-18；TO-5 6.有平面窗和适合光纤应用的球透镜可选；主要特点：双波长发射二极管与接收管应用：血氧探头（SpO2）；血液分析；比例测量相关仪器硅光电二极管探测器 光导/光伏型光电探测器应用：光脉冲探测；光通信；条码读取；医疗设备；高速光度测量紫外增强探测器应用：污染监测；紫外荧光；紫外线测试；水质净化；紫外线验钞单点软X射线探测器应用：X光医疗设备；放射量测定；X光光谱仪；带电粒子探测位置探测器应用：光路准直；位置测量；测绘；导航系统；表面分析雪崩二极管应用：激光测距；高速光通讯；条码读取仪；光遥控；医疗仪器

Alphalas超快光电探测器UPD系列超快光电探测器系列适用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。是可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和highest的响应速度。Alphalas超快光电探测器UPD阻抗匹配和微波技术结合，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行highest响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供max的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。特点：1.Alphalas超快光电探测器UPD可超高速运行2.上升时间：15 ps - 500ps3.带宽：highest达25 GHz4.光谱范围：170 - 2600纳米5.紧凑封装6.电池或外部电源7.自由空间光入射或FC/PC型8.接头或光纤尾纤应用：1.脉冲形式测量2.脉冲宽度测量3.精确的同步4.模式变化监控5.外差测量新的UPD型号：快速的上升时间及更宽的光谱范围1.UPD-15-IR2-FC: 超快InGaAs光电探测器，上升时间15ps，带宽25 GHz，光谱范围800 - 1700 nm, 光纤耦合输入， FC/APC口。2.UPD-35-IR2-P, UPD-35-IR2-D: 超快 InGaAs 光电探测器,上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 800 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。3.UPD-35-UVIR-P, UPD-35-UVIR-D: 超快 InGaAs PIN 光电探测器, 上升时间 35 ps, 带宽 10 GHz, 光谱范围 350 - 1700 nm, 光面或漫反射的入射窗。4.UPD-50-SP, UPD-50-SD, UPD-50-UD, UPD-50-UP: 超快 Si 光电探测器, 上升时间 50 ps, 下降时间 50 ps, 带宽 7 GHz, 光谱范围 170 - 1100 nm or 320 - 1100 nm, 光面或漫反射的入射窗。5.UPD-100-IR1-P: 超快 Ge 光电探测器, 上升时间 100 ps, 脉宽 (FWHM) 300 ps, 光谱范围 400 - 2000 nm。6.UPD-3N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到 2.1 μm, 上升时间 150 ps。7.UPD-5N-IR2-P: 超快 InGaAs 光电探测器, 延伸到2.6 μm,上升时间 200 ps。其他UPD型号及详细参数，请联系德国Alphalas代理商武汉能带科技有限公司咨询。

放大式光电探测器&模拟数字转换器SPIDER是一种放大式硅基铟镓砷光电探测器，它具有可编程式增益控制功能，以及嵌入式24位数据采集系统。其包含的双色探测器不仅探测波长范围较大（320nm到1700nm），且可以实现光斑准直功能。其中，硅和铟镓砷光子二极管分别同时由两个互相独立的低噪放大器放大，具备8个可编程增益控制器和56kHz的带宽。特点：放大式探测器&模数转换器一体化设计使用单像素元件实现较宽的光谱覆盖高灵敏度（pW范围）高动态范围（109：1）提供即插即用软件和DLLs可选光纤耦合8种可编程增益选择双通道，24位ADC，高达120kSPS/通道两个BNC接口用于模拟信号输出三个GPIOs（用于与外部设备轻松同步）USB通信连接参数：光学参数感光面积光谱响应范围(µ m)响应峰值位置(µ m)峰值响应系数R (A/W)暗电流ID峰值探测率(cm*Hz1/2/W)Si(2.4x2.4mm)0.32到1.080.940.45130pA1.4 x 1013InGaAs(Ø 1mm)1.01到1.71.550.551nA3.5 x 1012跨阻放大器参数#可编程增益控制器选择8增益选择#1#2#3#4#5#6#7#8增益(dBΩ)64738393103113123133带宽(-3dB)(kHz)5655545352493929输出噪音*(nV/√Hz)2022263661121265680*测试于20kHz模拟数字信号转换器参数#预设采样率11(120,100,80,64,32,16,10,5,2.5,1,0.5 kSPS)采样率(kSPS)BW(kHz)SNR(dB)均方根噪音等级*(V)位宽有效位宽120(最大值)521131.4 E-52419.20.5(最小值)0.217136.81.8 E-62422.2*增益#=1，有关所有采样率的详细信息，请与我们联系。其他参数最小值典型值最大值功耗(W)3.5电源规格(V)101214输出串联阻抗(kΩ)1.5(BNC接口)输出模拟电压(V)0-10(BNC接口)重量(g)218外形尺寸(mm)101.5 x 81 x 28.5工作温度(摄氏度)10——40存储温度(摄氏度)-20——70*规格如有更改，恕不另行通知。

德国Alphalas公司创建于1997年，主要是激光器及激光设备供应商。主要产品有：分秒、皮秒和亚纳秒脉冲激光器，超快光电探测器等。 UPD系列超快光电探测器适合从DC到25GHz的光学波形测量。多种型号的上升时间低至15皮秒，光谱范围从170到2600纳米。所有光电探测器都是封装在坚固紧凑的铝制外壳中，使用电池或者外部电源偏置。硅光电探测器的紫外扩展版本是一个可覆盖170到1100纳米光谱范围的商用产品。紫外灵敏的InGaAs光电探测器的另一种类型可以探测350到1700纳米的激光脉冲，因此是商用上可选的很宽的波长范围和很高的探测速度。理想的阻抗匹配和先进的微波技术确保了无需振铃或人为操作就能测量脉冲波形。客户可以使用50Ω终端电阻完成超快速工作，或者使用高阻抗负载获得大信号。这个特点保证超大的灵活性，能用于多种应用。UPD系列高速光电探测器是激光和光子学研究必不可少的工具。 光电探测器特点 应用超快工作速度上升沿时间: 15 ps带宽: 上限 25 GHz光谱范围: 170 - 2600 nm (UV to IR)紧凑式设计外部电源和电池自由光束/ FC-PC接口/尾纤式脉冲测量脉冲间隔测量精确的同步模拍频监控外差振荡测量超快光电探测器 (UPD Series) - Available ModelsUPD系列：可选型号 型号上升时间 (ps)带宽(GHz)光谱范围 (nm)峰值量子效率 感光面积直径μm / mm2)噪声等效功率 (W/√Hz)暗电流 (nA)材料光输入窗口类型RF输出接头类型UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.1InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?0.1GaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-P 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsPolished, glassSMAUPD-35-IR2-D 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-35-IR2-FR 35 10800 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-35-IR2-FC 35 10800 -170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-1?0.3InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-35-UVIR-P 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-35-UVIR-D 35 10350 -170080%55 / 0.00241.0 × 10-1?0.3InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200×200 / 0.043.0 × 10-1?5000InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsPolished, glassSMAUPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-1?0.5InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60 / 0.00281.1 × 10-1?0.5InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiPolished, glassSMAUPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001SiDiffuse, quartzSMAUPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Polished, MgF?SMAUPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100 / 0.00791.2 × 10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsPolished, glassSMAUPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsDiffuse, quartzSMAUPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAsFC/PC receptacle ??SMAUPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-1?0.8InGaAsFiber w. FC/APC ??SMAUPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Polished, MgF?SMAUPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80 / 0.0052.0 × 10-1?0.8InGaAs ??Diffuse, quartzSMAUPD-100-IR1-P 2? 100 3.0400 - 200080%80 / 0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMAUPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiPolished, glassBNCUPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001SiDiffuse, quartzBNCUPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Polished, MgF?BNCUPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400 / 0.1261.5 ×10-1?0.001Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600 / 0.2833.0 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiPolished, glassBNCUPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01SiDiffuse, quartzBNCUPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Polished, MgF?BNCUPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800 / 0.53.5 ×10-1?0.01Si ??Diffuse, quartzBNCUPD-3N-IR2-P 150 ?? 0.4 ??800 - 210075%300 / 0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNCUPD-5N-IR2-P 200 ?? 0.3 ??800 - 260070%300 / 0.077.0 ×10-132000InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000 / 3.144.0 ×10-1?5InGaAsPolished, glassBNCUPD-2M-IR2-P-1TEC 3? 75000 0.004900 - 170075%2000 / 3.141.0 ×10-1?0.3InGaAsPolished, glassBNC备注 1. 漫反射窗口降低定位精度并以降低灵敏度3到5倍来增大损伤阈值。仅推荐用于高峰值功率激光器。2. 该型号输出为负。所有其它型号默认都是正输出，可根据要求定制负输出。3. TEC冷却模式，非标准外壳。4. 改性材料增加蓝光/紫外灵敏度。5. 不兼容可选配的滤波片架。6. 可显著改善性能。

UPD超快光电探测器(Ultrafast_Photodetectors)品牌：ALPHLAS UPD产品简介： ALPHLAS UPD系列自由空间入射超快光电探测器系列最适合用于从直流到25GHz的空间光波形的测量。可提供检测最短为15ps上升时间的光脉冲信号，覆盖从170至2600nm的光谱范围。 所有探测器都由紧凑坚实的过氧极化铝外壳封装，供电方式可以采用电池或外接电源。 是唯一可提供从170到1100 nm扩展到紫外光谱范围高速硅探测器商业产品。 另一种类型独特的紫外线敏感的InGaAs 探测器，可用于检测从350到1700纳米范围内的激光脉冲，因此具有最宽的光谱范围和最高的响应速度。完美的阻抗匹配和最先进的微波技术，确保测量的脉冲波形的保真度。用户可以自由使用50Ω的匹配电阻，进行最高响应速度的检测。或为获得大的信号响应曲线，加入高阻抗负载。保证了UPD产品为不同的应用提供最大的灵活性。 结合BBA系列宽带高增益放大器，高速光探测器对于取代昂贵和繁琐的雪崩光电二极管是一个极好的选择。UPD的系列高速光电探测器是激光和光子学研究的不可缺少的工具。产品图片：特点： 超高速运行 上升时间：15 ps - 500ps 带宽：最高达25 GHz 光谱范围：170 - 2600纳米 紧凑封装 电池或外部电源 自由空间光入射或FC/PC型接头或光纤尾纤应用： 脉冲形式测量 脉冲宽度测量 精确的同步 模式变化监控 外差测量 UPD系列：Photodetector ModelRise Time(ps)Band-width(GHz)Spectral Range(nm)Quantum Efficiency@ PeakSensitiveArea (Dia. μm/mm2)Noise Equiv. Power (W/√Hz)DarkCurrent (nA)MaterialOptical Input / Window Type 1)RF Output Connec-tor UPD-15-IR2-FC 15 25800 - 170075%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.1InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-30-VSG-P 30 10320 - 90040%200x200/0.043.0 × 10-150.1GaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-P 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsPolished, glassSMA UPD-35-IR2-D 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-35-IR2-FR 35 10800 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-35-IR2-FC 35 10800 - 170080%Fiber, 9 μm1.0 × 10-150.3InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-35-UVIR-P 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-35-UVIR-D 35 10350 - 170080%55/0.00241.0 × 10-150.3InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-40-VSI-P 40 8.5500 - 169040%200x200/0.043.0 × 10-105000InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-P 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsPolished, glassSMA UPD-40-IR2-D 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-40-IR2-FR 40 8.5800 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-40-IR2-FC 40 8.5800 - 170080%Fiber, 9 μm1.1 × 10-150.5InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-40-UVIR-P 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-40-UVIR-D 40 8.5350 - 170080%60/0.00281.1 × 10-150.5InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-50-SP 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiPolished, glassSMA UPD-50-SD 50 7.0320 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001SiDiffuse, quartzSMA UPD-50-UP 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2SMA UPD-50-UD 50 7.0170 - 110045%100/0.00791.2 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-P 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsPolished, glassSMA UPD-70-IR2-D 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsDiffuse, quartzSMA UPD-70-IR2-FR 70 5.0800 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAsFC/PC receptacle5)SMA UPD-70-IR2-FC 70 5.0800 - 170080%Fiber, 9 μm2.0 × 10-150.8InGaAsFiber w. FC/APC 5)SMA UPD-70-UVIR-P 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Polished, MgF2SMA UPD-70-UVIR-D 70 5.0350 - 170080%80/0.0052.0 × 10-150.8InGaAs4)Diffuse, quartzSMA UPD-100-IR1-P 100 3.0400 - 200080%80/0.0053.0 × 10-13700GePolished, glassSMA UPD-200-SP 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiPolished, glassBNC UPD-200-SD 175 2.0320 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001SiDiffuse, quartzBNC UPD-200-UP 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-200-UD 175 2.0170 - 110085%400/0.1261.5 × 10-150.001Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-300-SP 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-300-SD 300 1.0320 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-300-UP 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-300-UD 300 1.0170 - 110090%600/0.2833.0 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-500-SP 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiPolished, glassBNC UPD-500-SD 500 0.6320 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01SiDiffuse, quartzBNC UPD-500-UP 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Polished, MgF2BNC UPD-500-UD 500 0.6170 - 110090%800/0.53.5 × 10-150.01Si 4)Diffuse, quartzBNC UPD-3N-IR2-P 1506) 0.46)800 - 210075%300/0.071.5 × 10-1390InGaAsPolished, glassBNC UPD-5N-IR2-P 2006) 0.36)800 - 260070%300/0.077.0 × 10-132000InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P 75000 0.004900 - 170080%2000/3.144.0 × 10-145InGaAsPolished, glassBNC UPD-2M-IR2-P-1TEC 3) 75000 0.004900 - 170075%2000/3.141.0 × 10-140.3InGaAsPolished, glassBNC MSM超快光电探测器UltraFast产品简介：UltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz)技术参数： UltraFast-20-xx UltraFast-35-xx 探测器类型MSM (Metal – Semiconductor – Metal)感应材料InGaAs带宽 (-3 dB)DC – 20 GHzDC – 35 GHz上升时间 (10% - 90%) 12 ps 11 ps脉宽 (FWHM) 20 ps 18 ps波长范围400 nm – 1.6 μm最大响应度*0.24 A/W @ 810 nm 0.19 A/W @ 1.3 μm 0.12 A/W @ 1.5 μm0.12 A/W @ 810 nm 0.1 A/W @ 1.3 μm 0.06 A/W @ 1.5 μm偏置电压2 V – 9 V偏置输入接口SMC male标准射频信号输出口K-Type female* 跟耦合结构有关，响应度值可能会降低。 上海尖丰光电技术有限公司AOE TECH CO.,LTD 地址：上海市闵行区元江路3599号328室 邮编： 201109电话：传真：E-mail： 网址:

InGaAs APD光电探测器800~1700nm光电探测器主要特性DC-250MHz带宽低噪声高增益22KV/A全金属外壳，屏蔽性能优良支持更大带宽定制800~1700nm光电探测器应用探测连续光或脉冲激光器之间的拍频信号探测超弱光信号探测快速激光脉冲水下光通信无损检测800~1700nm光电探测器性能指标要求（25℃）参数符号典型值单位波长范围λ800~1700nm带宽BWDC/AC-250MHz探测器直径φ75um响应率Re(Vr=0V,λ=1310nm)0.85mA/mWRe(Vr=0V,λ=1550nm)0.9mA/mW跨阻增益22KV/A输出阻抗50 Ω光输入接口FC/APC电输出接口SMA工作电压(单电源输入)9~12V工作电流＜100mA工作温度-40~+85℃存储温度-50~+100℃800~1700nm光电探测器响应曲线 800~1700nm光电探测器结构尺寸更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

MSM超快光电探测器UltraFastUltraFast系列MSM超快光电探测器，探测带宽可达35GHz，探测波长范围400~1600nm。经过优化设计，探测器脉冲拖尾降至最低，并可无震荡脉冲响应工作。所采用的MSM结构（金属－半导体－金属）具有电容低、串联阻抗低和感应面积大等内在优点，这些优点使得探测器具有优良的性能。特殊的结构和掺杂，也提高了探测器的响应度，降低了电噪声。MSM探测器是测定高速光源和光波系统的时频特性的理想选择。 两种型号：UltraFast-20 (Bandwidth DC – 20 GHz)UltraFast-35 (Bandwidth DC – 35 GHz) 技术参数：可选：附件：UltraFast探测器测试图例 UltraFast 20: 20 GHz时域测量曲线所用光源：单光子激光器，5 ps脉冲序列，重复频率20 GHzUltraFast 20: 响应度-波长曲线UltraFast 20: 眼图比特率：20 Gb/s使用德国SHF Design GmbH公司的函数发生器 “SHF BPG 20 GIG”测量UltraFast 35：脉冲响应光源：A.L.S PiLas PlL081Q，波长810nm，脉宽12ps探测器偏置电压6 V，50 GHz示波器UltraFast探测器UltraFast 20/35 SM探测器标准结构UltraFast 20/35 FS自由空间探测器，带聚焦镜以避免过充

光电探测作为您光电实验和电子仪器的常用应用，是提取和保存你的实验结果是至关重要的设备。我们努力使光电探测变得更简单（即插即用），同时尽可能提供最低的噪声和最快速的响应。 New Focus™ 被Newport公司收购之后，如今拥有一系列高速光子接收器和探测器模块，以满足大多数测量需求。这些高速探测器在测试和测量各种快速光信号上有着广泛的应用。New Focus 产品线包括高达45 GHz的低噪声光子探测器，高增益，低噪声光子接收器，自由空间和光纤耦合，交流或直流耦合的探测器等等。818 - BB系列探测器是偏置的探测器和交流耦合的光子接收器，可应用于一般科研应用。特点:具创新意义，性能卓越选择广泛，产品线全面即插即用设计产品覆盖红外到紫外光波段非放大型光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501004940 GHz400-9001024 (Time Domain)1226 GHz950-16501481-S(-50)1522 GHz400-8701434, 14371425 GHz550-13301414, 14171425 GHz800-16301454 (Time Domain)1920 GHz550-13301444 (Time Domain)1920 GHz800-16301480-S2513 GHz400-870818-BB-35(F)2512.5 GHz818-BB-45(F)3012.5 GHz818-BB-50(F)3510 GHz818-BB-301752 GHz818-BB-203001.2 GHz818-BB-312251.5 GHz818-BB-213001.2 GHz放大型探测器/光电接收器型号上升沿时间(psec)带宽 (-3 dB) (GHz)波长范围 (nm)1014945 GHz950-16501554-A3410 kHz to 12 GHz550-13301544-A3410 kHz to 12 GHz800-16501580-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)400-8701554-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)500-16501544-B34DC-12 GHz (DC), 10 KHz-12 GHz (AC)800-16501577-A3410 kHz to 12 GHz500-16501567-A3410 kHz to 12 GHz800-1650818-BB-35A(F)4010.7 GHz818-BB-45A(F)4010.7 GHz1591NF95DC to 4.5 GHz450-8701592NF115DC to 3.5 GHz950-1630818-BB-30A4001.5 GHz818-BB-21A5001.2 GHz1647 (APD)25015 kHz to 1.1 GHz800-16501611FC-AC,1611FS-AC40030 kHz to 1 GHz900-17001601FC-AC,1601FS-AC40030 kHz to 1 GHz320-1000

高速自由空间光电探测器11HSP-FSx是高速光信号探测器系列，适用于测量脉宽在几个纳秒或更长光脉冲或脉冲形状监控。11HSP-FS1也可以用在CW激光器10Hz-300MHz之间的强度噪声测量，11HSP-FS2有更大的灵敏区域。光电探测器可以集成到系统中产生触发脉冲。建议外部偏置电压30-50V。典型应用：●脉冲形状测量●脉宽测量●精密同步●模式拍频监测●外差测量型号11HSP-FS111HSP-FS2波长范围，nm400-1100400-1100上升时间110光谱灵敏度（@850nm）0.62 A/W0.62 A/W脉宽FWHM，ns110NEP，（W/√Hz）2.9 10-144 10-14电容VR=5OV，pF2.220材质SiSi暗电流，nA110灵敏区域，mm217.5

适用于 OPD（有机光电传感器）,钙钛矿光电探测器，2D 材料光电探测器...等传感器件的寿命测试.可选配测试不同波段（UV~VIS~NIR~IR）的光电探测器件.该系统可提供单通道测试，也可提供多通道测试.

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

Standa高速光纤输入光电探测器产品特点：●只使用GHz带宽部件●使用阻抗匹配的微带线连接二极管输出到输出连接器●使用微波级SMA电磁波发射器将信号耦合到示波器●每个探测器使用20GHz取样示波器测试，只有由于振荡造成峰峰失真4%才合格型号11HSP-V211HSP-IR6波长范围320-1100nm900-1650nm探测器材料SiInGaAs探测器直径0.4mm0.08mm带宽2GHz~6GHz上升下降时间150ps70ps脉冲后振荡（最大值百分比）20%光纤输入接口FC输出阻抗50Ohms最大安全输出2V电池电压20V电池寿命~5年探测器尺寸25x25x38mm

,名称型号货号 描述参数 铟镓砷 InGaAs ET-3010 光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3010E800406014 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 铟镓砷 InGaAs ET-3000 InGaAs 铟镓砷光电探测器 2 GHz 美国EOT [PDF] ET-3000E800406020 材料：铟镓砷 上升／下降时间：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞２ＧＨｚ； 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 2 GHz 硅 Silicon ET-2070 - 硅光电探测器 118 MHz 美国EOT [PDF] ET-2070E800406150 材料：Silicon； 上升／下降时间：＜3ns／＜3ns； 响应度：0.56A／Ｗ＠830ｎｍ； 带宽：＞118MHz； 有效面积直径：2.55ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 118 MHz 硅 Silicon ET-2060 - 硅光电探测器 1.1 GHz 美国EOT [PDF] ET-2060E800406160 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３２０ｐｓ／＜３２０ｐｓ； 响应度：０．４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１．１ＧＨｚ； 有效面积直径：０．４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.1 GHz 硅 Silicon ET-2040 硅光电探测器 ＞25MＨz 美国EOT [PDF] ET-2040E800406170 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３０nｓ／＜３０nｓ； 响应度：０.６Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞２５ＭＨｚ； 有效面积直径：４.５７ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 25 MHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000FE800406030 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：0.9Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；FC/UPC带宽(Hz): ＞10 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000, 10 GHz 美 国EOT [PDF] ET-5000E800406040 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２８pｓ／＜２８ｐｓ； 响应度：１．３Ａ／Ｗ＠２０００ｎｍ； 带宽：＞１０ＧＨｚ； 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接；不适用带宽(Hz): ＞10 GHz 砷化鎵 GaAs 高速光电探测器 ET-4000F, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000FE800406050 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.３８Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): ＞12.5 GHz 砷化镓 GaAs 高速光电探测器 ET-4000, 12.5 GHz 美国EOT [PDF] ET-4000E800406200 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３０pｓ／＜３０ｐｓ； 响应度：０.５３Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１２．５ＧＨｚ； 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接c 不适用带宽(Hz): ＞12.5 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600F, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600FE800406060 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC、SMF28e带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3600, 22 GHz 美国EOT [PDF] ET-3600E800406070 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜16pｓ／＜16ｐｓ； 响应度：０.7Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞22ＧＨｚ； 有效面积直径：20ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): 22 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500F, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500FE800406082 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.６５Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 FC/UPC；SMF28e带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500AF 美国EOT(已停产下架) [PDF] [有备注]ET-3500AFE800406090 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1620 V/W ＠1310 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000AF美国EOT [PDF] ET-4000AFE800406210 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：９７０V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000AF 砷化镓 (已停产下架) [PDF] ET-5000AFE800406100 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：２３５０ V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 砷化镓 GaAs 带放大光电探测器 ET-4000A 美国EOT [PDF] ET-4000AE800406220 材料：GaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：1340 V/W ＠ 850 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：６０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-5000A 10 GHz 美国EOT [PDF] ET-5000AE800406110 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜３５pｓ／＜３５ｐｓ； 转换增益：3250 V/W ＠2000 nm 带宽：20 kHz to 10 GHz 有效面积直径：４０ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): 20 kHz-10 GHz 铟镓砷 InGaAs 带放大光电探测器 ET-3500A 美国EOT [PDF] ET-3500AE800406120 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜35ps／＜35ps； 带宽：20 kHz 至 10 GHz； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ带宽(Hz): ＞15 GHz 铟镓砷 InGaAs 放大光电探测器 ET-3000A 美国EOT [PDF] ET-3000AE800406130 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜４００pｓ／＜４００ｐｓ； 转换增益：900 V/W ＠1300 nm 带宽：30 kHz to １.５GHz 有效面积直径：１００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.５GHz 硅 Silicon 带放大高速光电探测器 ET-2030A 美国EOT [PDF] ET-2030AE800406182 材料：Silicon硅 上升／下降时间：＜５００pｓ／＜５００ｐｓ； 转换增益：450 V/W ＠830 nm 带宽：30 kHz to 1.2 GHz 有效面积直径：４００ｕｍ； 输出连接：ＢＮＣ带宽(Hz): 30 kHz-１.2 GHz 铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-3500, 15 GHz 美国EOT [PDF] ET-3500E800406141 材料：InGaAs 上升／下降时间：＜２５pｓ／＜２５ｐｓ； 响应度：０.９Ａ／Ｗ＠１３００ｎｍ； 带宽：＞１５ＧＨｚ； 有效面积直径：３２ｕｍ； 输出连接：ＳＭＡ 光纤连接 不适用带宽(Hz): ＞15 GHz 硅 Silicon ET-2030 高速 硅光电探测器 ＞１.２ＧＨｚ 美国EOT [PDF] ET-2030E800406190 材料：Silicon 上升／下降时间：＜３００ｐｓ／＜３００ｐｓ； 响应度：０.４７Ａ／Ｗ＠８３０ｎｍ； 带宽：＞１.２ＧＨｚ； 有效面积直径：０.４ｍｍ； 输出连接：BNC带宽(Hz): 1.2 GHz

特点：探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用其中7ID219采用日本进口滨松器件，7ID230采用国产高性能器件技术参数：型号名称7ID219紫外增强型硅探测器7ID230普及型硅探测器感光面积100(10×10) mm2100(10×10) mm2波长使用范围190-1100 nm300-1100 nm峰值波长960 nm800±20 nm峰值波长响应度0.5 A/W0.4 A/W200nm的响应度0.1-0.12 A/W-------响应时间3μs-------工作温度范围-20～+60℃-------储存温度范围-20～+80℃-------分流电阻200(50) MΩ-------等效噪声功率1.8×10-14W/√Hz-------暗电流（25℃；-1V）2×10-10 A1×10-8-5×10-11 A结电容1100 pf（VR =0V,f=10KHz）3000 pf (-10V)重量0.18kg0.18kg 光谱响应参考图：

高速光电探测器 The UPD series of ultrafast photo-detectors are best suited for mea-surement of optical waveforms from DC to 25 GHz. Various models feature rise times as short as 15 ps and cover the spectral range from 170 to 2600 nm. All photodetectors are enclosed in compact and solid aluminum hous-ings and can be biased with a battery or an external power supply. The UV-extended versions of the silicon type photodetectors are the only commercial products that cover the spectral range from 170 to 1100 nm. Another type of unique UV-sensitive InGaAs photodetectors can be used for detecting laser pulses in the range from 350 to 1700 nm, thus having the widest spectral range and the highest speed commercially available. Perfect impedance matching and state-of-the-art microwave technology assure pulse form measurements without any ringing or artefacts. The customer is free to use a 50 &Omega terminating resistor for highest speed operation, or a high impedance load for obtaining large signals. This guarantees maximum flexibility for diverse applications. In combination with our BBA series of wideband high-gain amplifiers, the high-speed photodetectors are an advantageous alternative to the expensive and cumbersome avalanche photodiodes. The UPD series high-speed photodetectors are indispensable tools for laser and photonics research. Features of the Photodiodes Applications of the PhotodiodesUltra High-Speed OperationRise Times: starting from 15 psBandwidths: up to 25 GHzSpectral Ranges: 170 - 2600 nm (UV to IR)Compact DesignBattery or External Power SupplyModels for Free-Space Beam,or with FC/PC Receptacleor Pigtailed with FiberPulse Form MeasurementsPulse Duration MeasurementsPrecise SynchronizationMode Beating MonitoringHeterodyne Measurements Notes: ¹ ⁾ The diffuse window reduces the positioning accuracy requirements and increases the damage threshold at the costof a reduced sensitivity by a factor of approx. three to five. Recommended for high peak power lasers only.² ⁾ This model has negative output. All other models have positive output by default but may be orderedwith negative output if required.³ ⁾ With TEC cooling module, non-standard housing.⁴ ⁾ Modified material with increased blue / UV sensitivity. DET10A 纳秒级光电探测器