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硅表硅分析仪

仪器信息网硅表硅分析仪专题为您提供2024年最新硅表硅分析仪价格报价、厂家品牌的相关信息， 包括硅表硅分析仪参数、型号等，不管是国产，还是进口品牌的硅表硅分析仪您都可以在这里找到。 除此之外，仪器信息网还免费为您整合硅表硅分析仪相关的耗材配件、试剂标物，还有硅表硅分析仪相关的最新资讯、资料，以及硅表硅分析仪相关的解决方案。

硅表硅分析仪相关的方案

  • 炉前碳硅分析仪快速检测球墨铸铁中碳硅
    炉前碳硅分析仪快速检测球墨铸铁中碳硅；QL-TS-3型炉前碳硅分析仪与QL-TS-6型智能铁水分析仪都可快速检测球墨铸铁中碳硅；可测灰铁、玛铁、球铁、球墨铸铁、蠕铁原铁水中：碳当量CEL、碳含量C%、硅含量Si%、浇样温度TM、液相线温度TL、固相线温度TS、铁水牌号、抗拉强度等。
  • 哈希9610硅表在除盐水泵出口的应用
    河南某电厂除盐水工艺采用“超滤 +反渗透 +混床 ”处理 ，为了保证锅炉补给水的质量，在除盐水泵出口安装了一套双通道9610二氧化硅二氧化硅分析仪。9610硅表具有Prognosys预诊断系统，能够帮助用户快速了解仪表的运行状态和故障信息，标配有水样预处理，有效地防止待测水样中的杂质堵塞管路。人性化的手工进样/取样口设计，便于实验室与仪器的同步对比；大瓶装试剂可以连续运行三个月，多通道设计可以支持多路水样的测量，水电分离 结构，有效地消除了由于管路泄露或结而导致的电部分损坏。9610硅表自安装运行一年多，监测的二氧化硅浓度低于20 ppb，运行稳定，满足用户的测量需求。如想了解更多详细内容，请您下载后查看！
  • 北京东西分析仪器：东西分析GC-MS3100检测农药氟硅唑
    建立了同时检测氟硅唑等22种农药的GC-MS分析方法。采用选择离子监测模式扫描，外标法定量。该方法回收率范围为80.3%～117.0%，在检测浓度范围内保持良好的线性，相对标准偏差小于12%，实验结果表明,国产GC-MS3100可以满足此方面的分析测试要求。
  • 哈希应用案例---哈希锅炉给水中控制硅的含量
    硅酸根分析仪是分析水中可溶性二氧化硅和硅酸盐含量的仪器，目前普遍采用钼蓝法测量水中微量硅的含量。由于钼蓝法是先将水中的硅化物转变成可溶性正硅酸(H4SiO4)，通过分析水中硅酸根含量进行测量的，所以将其称为硅酸根分析仪。水中微量硅的含量，通常换算成每立升水中所含二氧化硅(SiO2)的微克数来表示，所以也将其称为二氧化硅分析仪，简称硅表。哈希公司的在线硅表可用来监测锅炉给水中的微量硅含量及除硅过程的除硅质量。其准确性、灵敏度、及时性和连续性等方面都是手工分析所无法比拟的。更多实际应用案例等精彩内容，请下载后查看。
  • 拉曼光谱表征无定形硅和微晶硅
    沉积在玻璃或碳化硅上的硅广泛用于生产光伏电池，无定形和微晶硅的比例与分布对于电池性能很关键，因此这两种成分的检测非常重要。拉曼光谱是非常适合这种应用的技术，因为这两种形式的硅会产生极易分辨的不同拉曼光谱，并可采用比尔定律方法进行定量分析，同时可里采用拉曼成像技术给出晶体硅与无定形硅空间分布的详细信息。经证实，过高的激发激光功率会将无定形硅转化为晶体硅，因此必须严格限制激光照射到样品功率大小。特别是某个分析方法必须在多个生产工厂内与多个仪器上重复使用时，配备激光功率调节器的Thermo Scientific DXR 显微拉曼光谱仪是此类应用的最佳选择。
  • 案例 | 工业制造商用Sievers在线TOC分析仪改进废水处理工艺、提高排放合规性
    一家工业制造商用Sievers在线型总有机碳（TOC）分析仪改进了废水处理工艺，提高了废水排放合规性。该工厂监测多处废水水质，监测点从废水进水池，到均化池、分流池、处理池，最后到出水池。全面的监测加强了工厂对废水处理工艺的掌控，提高了排放合规性，同时使工厂对工艺的多变性有了深入了解。流进废水的TOC范围是1500-2500 ppm，流出废水的TOC通常是5-6 ppm，因此工厂亟需Sievers分析仪这样的强有力监测工具来同时测量高浓度和低浓度废水，并得到可靠的测量数据。此外，Sievers分析仪团队还提供无与伦比的技术支持，极大缩短了工厂停机时间，使工厂操作人员能够专注于工艺优化。快速、准确的监测结果使操作人员能够迅速做出基于数据的决策，避免排放处罚，改进工艺。
  • 哈克流变仪在有机硅产品粘度表征中的应用
    聚合度越高，分子量越大，零切粘度越高，并可以表征样品剪切变稀的过程及应用条件下的性质。粘度对于有机硅样品的流动性能有非常大的影响。
  • 硅钡合金、硅锶合金的分析
    追求并实现了高速度、高分辨率的ICP分析装置。装备两台高性能扫描型分光器，实现高速测定，3分钟72个元素定性分析，并计算出半定量值。金属、稀土元素、土壤分析要求高分辨率，而本装置达到超高分辨率0.0045nm。可进行从ppb到%级尝试样品的同时分析，从主要成分到微量元素都可简单地测定。请看全文中顺序型高分辨高频等离子体发射光谱仪的硅钡合金、硅锶合金的分析。
    厂商： 岛津
  • 赛默飞元素分析：硅中铁检测(能散型XRF)
    铁合金产品中工业硅的用途很广，既可用于特钢的脱氧剂，也可用于铝合金的添加剂。根据产品用途各异，可以采用不同的分析方法，而通过X荧光能谱法分析工业硅尚未见报导。本文在对分析过程中样品制备﹑采谱条件﹑谱处理方式﹑分析技术等各个环节做了大量试验的基础上，通过X荧光粉末压片方式分析工业硅中Fe﹑Al﹑Ca等元素。结果表明，Thermo Scientific的ARL Quant'XX荧光能谱法具有快速准确高效的特点，完全可以得到满意的分析结果。
  • 岛津：硅锶合金的分析Al
    追求并实现了高速度、高分辨率的ICP分析装置。装备两台高性能扫描型分光器，实现高速测定，3分钟72个元素定性分析，并计算出半定量值。金属、稀土元素、土壤分析要求高分辨率，而本装置达到超高分辨率0.0045nm。可进行从ppb到%级尝试样品的同时分析，从主要成分到微量元素都可简单地测定。请看全文中顺序型高分辨高频等离子体发射光谱仪的硅钡合金、硅锶合金的分析。
    厂商： 岛津
  • 对钠钙硅玻璃表面剪切诱导水解反应的认识
    采用立陶宛Ekspla公司的振动和频光谱测量系统（VS-SFG）对对钠钙硅玻璃表面剪切诱导水解反应进行了实验研究和理论分析。
  • 哈克流变仪在有机硅产品粘弹性表征中的应用
    PDMS 聚合物缠结，展现出粘弹性反应，在适度剪切速度下出现剪切变薄特性，粘弹性表征结果可以评估有机硅样品在不同应用条件下的状态。
  • 岛津EDX在有机硅分析中的应用
    建立了使用X射线荧光法对有机硅中的硅元素进行分析的新方法，通过与化学分析结果进行比对，可以满足测试需求。使用EDX分析有机硅溶液样品,无需任何前处理,灵活便捷.
  • 岛津：硅钡合金的分析Al
    追求并实现了高速度、高分辨率的ICP分析装置。装备两台高性能扫描型分光器，实现高速测定，3分钟72个元素定性分析，并计算出半定量值。金属、稀土元素、土壤分析要求高分辨率，而本装置达到超高分辨率0.0045nm。可进行从ppb到%级尝试样品的同时分析，从主要成分到微量元素都可简单地测定。请看全文中顺序型高分辨高频等离子体发射光谱仪的硅钡合金、硅锶合金的分析。
    厂商： 岛津
  • 岛津：硅锶合金的分析Sr
    追求并实现了高速度、高分辨率的ICP分析装置。装备两台高性能扫描型分光器，实现高速测定，3分钟72个元素定性分析，并计算出半定量值。金属、稀土元素、土壤分析要求高分辨率，而本装置达到超高分辨率0.0045nm。可进行从ppb到%级尝试样品的同时分析，从主要成分到微量元素都可简单地测定。请看全文中顺序型高分辨高频等离子体发射光谱仪的硅钡合金、硅锶合金的分析。
    厂商： 岛津
  • 岛津：硅钡合金的分析Ba
    追求并实现了高速度、高分辨率的ICP分析装置。装备两台高性能扫描型分光器，实现高速测定，3分钟72个元素定性分析，并计算出半定量值。金属、稀土元素、土壤分析要求高分辨率，而本装置达到超高分辨率0.0045nm。可进行从ppb到%级尝试样品的同时分析，从主要成分到微量元素都可简单地测定。请看全文中顺序型高分辨高频等离子体发射光谱仪的硅钡合金、硅锶合金的分析。
    厂商： 岛津
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Ti
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ti等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中元素P
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中P等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中B元素
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中B等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • 全自动电位滴定仪分析气相二氧化硅中硅羟基的含量
    介绍气相二氧化硅（气相白炭黑）是极其重要的高科技超微细无机新材料之一，具有多孔性，耐高温，无毒无味无污染，广泛应用于医药、化工、食品等领域，硅羟基含量是其产品性能的一个重要指标。本实验采用氢氧化钠滴定法，通过JH-T5全自动滴定并在分析结束后自动计算出样品的表面羟基含量。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素 Al
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Al等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Ca
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ca等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Ni
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Ni等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中多种金属元素
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Al、B、Ca、Fe、Ni、Mn、P、Ti 8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Fe
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Fe等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • X射线荧光光谱分析钠钙硅玻璃中的多元素含量
    将钠钙硅玻璃粉碎后熔融制成玻璃熔片，使用岛津波长色散X射线荧光光谱仪建立工作条件分析玻璃中的SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO含量。实验结果表明，测定结果完全能够满足国标《X射线荧光光谱法测定钠钙硅玻璃中SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO含量》（征求意见稿）要求。该方法操作简单，能够很好地消除矿物效应、组织效应和颗粒度效应，提高了钠钙硅玻璃成分分析方法的准确度。
  • ICP-5000测定硅材料中金属元素Mn
    硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度，尤其要求B、P等难电离元素具有高灵敏度。因此，选择合适的消解方法和高灵敏的检测仪器对此类样品的分析至关重要；本文采用氢氟酸等混合酸低温湿法消解硅材料样品，随后使用ICP-5000对该样品中Mn等8种有害杂质元素进行测定， 并考察了仪器检出限和方法的精密度。
  • 华谱科仪S6000液相色谱分析肉桂中桂皮醛
    本文参照2020版《中国药典》，采用全多孔色谱柱Alphasil VC-C18，对肉桂供试品进行分析，结果显示，肉桂中目标峰峰形良好，桂皮醛目标峰理论塔板数大于3000，符合《中国药典》要求。本方案可为肉桂中桂皮醛的测定提供参考。
  • EDX-7200分析钠钙硅玻璃中的主次成分
    参考国家标准《GB/T 40915-2021 X射线荧光光谱法测定钠钙硅玻璃中SiO2、Al2O3、Fe2O3、K2O、Na2O、CaO、MgO含量》，将钠钙硅玻璃粉碎后熔融制成玻璃熔片，使用岛津能量色散型X射线荧光光谱仪EDX-7200建立工作条件，分析钠钙硅玻璃中的主次成分含量。该方法快速无损分析，操作简单，无需化学前处理，对环境友好，熔片法能够很好地消除基体效应、矿物效应及粒度效应对分析结果的影响，提高了钠钙硅玻璃成分分析的准确度。
  • BTB-1040硅酸根分析仪在水质检测中的应用
    BTB-1040硅酸根分析仪(结构如图1),它主要是采用硅钼蓝光度法的原理",在国内外一些标准的硅的分析方面,均采用该种分析方法[2-4]。具体来讲就是在酸性介质中,在一定的温度条件下,使样品中的硅与钼酸盐试剂反应生成黄色的硅钼杂多酸化合物,为提高灵敏度,用还原剂把形成的化合物还原成为蓝色的硅钼蓝杂多酸化合物,这种蓝色的化合物对特征光的吸收与原始水样中的硅酸根离子的浓度成比例。BTB-1040硅酸根分析仪就是根据这个原理开发出来的专门测量硅酸根离子含量的专用仪器。
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