超高真空系统

超高真空光学显微镜/光谱仪测试系统Ultra-high Vacuum (UHV) Optical / SpectroscopicMicroscope System将光学显微镜或光谱仪模组对接于超高真空系统，可以作为超高真空互联系统的检测节点之一，用于材料和器件在不同制备环节之间对外延的薄膜或者转移沉积的二维材料等样品的质量进行快速无损检测。产品特性和核心技术模块化设计，光学部分相对独立。&bull 包含光学显微镜、激光离焦量传感器、自动调焦和共聚焦耦合光路等等在内的全部光学部分全部集成于一个光学模组之中，作为整体置于超高真空腔体之外，透过视窗玻璃聚焦于真空腔内的样品表面。&bull 不污染真空内环境。&bull 超高真空系统烘烤时可以整体取走，并在烘烤完毕之后方便地定位安装。&bull 可根据用户需求，灵活配置激光器、单色仪、探测器和物镜等光学组件。视窗玻璃厚度像差的补偿校正。&bull 拉曼光谱的高收集效率和分辨率。性能参数：注：上述表格中的激光波长、物镜和单色仪等部件可以根据客户需求调整。测试案例：超高真空长工作距离（120 mm）显微测试

安捷伦真空（原瓦里安）提供全套 VacIon 离子泵产品系列，具有多种抽速供选择 (0.4–1000 L/s)。安捷伦离子泵和控制器具有多种可定制配置，以满足您多样化的真空需求。非常适合必须保证稳定的超高或极高真空 (UHV 或 XHV) 条件的应用，例如实验室、大型研究机构、医疗设备、扫描电子显微镜和表面分析设备。配备三极离子泵、二极离子泵和惰性气体二极离子泵抽气单元，以为不同气体提供最佳抽速配备 ConFlat 非旋转型法兰、额外 ConFlat 孔、双端和侧孔，可选不同方向的真空穿导件（Fischer、King、DESY、Varian、Safeconn）无活动部件，确保在高灵敏度应用中无振动运行低漏电流可提供稳定的真空压力读数低磁场可最大程度减少系统干扰在 400 °C 的条件下进行真空处理，并在真空下夹止，确保安装前的清洁度和真空密封性可定制不同的高压真空穿导件、泵体几何形状、额外孔和抽气单元布局，还可配备光学挡板、外部加热器和屏蔽磁体，满足您的需求

超高真空多腔体镀膜系统——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈出厂检测事项：1、真空漏率检测：标准检测漏率：1.3*10-8PaL/S 2、水冷水压检测：标准检测压力：8公斤24小时无泄漏检测。内外表面处理：拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等。实验室真空系统,真空腔体,真空探针台超高真空多腔体镀膜系统

超高真空系统：1、极限真空：单台分子泵极限真空-6Pa2、可PLC自动控制——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；

技术参数：真空腔主要技术参数： 腔体漏率小于2× 10-10atm cc/sec 小于0.5%端口对准误差 玻璃球抛光 7步清洗过程 可选配置 MU金属内层作为磁屏蔽罩 不锈钢内层，用于沉积系统 电镀抛光 水冷 低温保持器隔热罩主要特点：Johnsen Ultravac公司的超高真空腔有很多种配置，可以提供适合用户各种特殊要求和性能的腔体。 Johnsen Ultravac公司生产的超高真空腔体性能优异。在腔体的制造过程中，JUV的工程师们特别重视消除任何可能的漏气现象，腔体的真空度都能好于10-11Torr。每一个端口都经过精心的校准，确保它们能够准确的装载各种配件。在进行切削加工时，特别注意避免腔体遭到各种材料的污染；在完成切削后，所有的部分会被仔细清洗，并在超净间中进行焊接；后，在完成端口位置的再一次确认后，超高真空腔体才会进行后的清理与包装

超高真空系统：1、极限真空：单台分子泵极限真空-6Pa2、可PLC自动控制——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈超高真空系统溅射离子泵与钛升华泵串联

双腔室超高真空双倾角蒸镀系统 QBT-E技术参数QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备)UHV超高真空腔体2腔室，Loadlock和蒸发，Loadlock极限真空 Ultimate Pressure1E-8Torr，可加热RT-900oC蒸发腔极限真空 Ultimate Pressure3E-9Torr高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate±0.015?，Ф100mm 镀膜均一性3%基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制，加热RT-600oC传输全自动样品传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

KP 超高真空开尔文探针系统开尔文探针(Kelvin Probe)是一种非接触无损震荡电容装置，用于测量导体材料的功函数(Work Function)或半导体、绝缘表面的表面势(Surface Potential)。材料表面的功函数通常由最上层的1-3层原子或分子决定，所以开尔文探针是一种最灵敏的表面分析技术。 我们的开尔文探针系统包括：□ 单点开尔文探针(大气环境及气氛控制环境)；□ 扫描开尔文探针(大气环境及气氛控制环境)；□ 超高真空(UHV)开尔文探针；□ 湿度控制的腐蚀开尔文探针； 扫描开尔文探针系统 (ASKP) ASKP系统是一款可以被大多数客户所接收的高端扫描开尔文探针系统，它是在SKP基础之上包括了彩色相机/TFT显示器、2毫米和50微米探针、外部数字示波镜等配置，其规格如下：□ 2毫米，50微米探针；□ 功函数分辨率 1-3 meV(2毫米针尖)，5-10 meV(50微米针尖)；□ 针尖到样品表面高度可以达到400纳米以内；□ 表面势和样品形貌3维地图；□ 探针扫描或样品扫描选配；□ 彩色相机、调焦镜头、TFT显示器和专业的光学固定装置；□ 参考样品(带相应的扫描开尔文探针系统的形貌)；□ 备用的针尖放大器；□ 24个月超长质保期； 仪器的特色□ 全球第一台商用的完全意义上的开尔文探针系统；□ 最高分辨率的功函数和表面势，最好的稳定性和数据重现性；□ 非零专利技术(Off-null,ON) ——ON信号探测系统在高信号水平下工作，与基于零信号原理(null-based,LIA)的系统相比，不会收到噪声的影响拥有高灵敏度；□ 高度调节专利技术 ——我们的仪器在测量和扫描时可以控制针尖的高度。因为功函数受　　　　　　　　　　　　　　　样品形貌的影响，针尖与样品表面距离的调节意味着数据的高重现性且不会漂移；□ 该领域内，拥有最好的信噪比；□ 快速响应时间 ——测量速度在0.1-10秒间，远快于其他公司产品；□ 功能强的驱动器 ——选用Voice-coil(VC)驱动器，与通常的压电驱动器相比，VC驱动器频率要稳定得多、控制的针尖振幅大得多、支持平行多探针操作、支持不同直径探针操作；□ 所有开尔文探针参数的全数字控制；ON 非零探测 Off Null detection HR 高度调节模式 Height Regulation mode SM 实际开尔文探针信号监控 Monitoring of the actual Kelvin probe signal UC 用户通道，同时测量外部参数 User Channels, simultaneous measurement of external parameters DC 电流探测系统去除漂移效应 Current Detection system rejects stray capacity effects PP 平行板震动模式 Ideal, Parallel Plate Oscillation Mode SA 信号平均 Signal Averaging (often termed Box-Car Detection) WA 功函数平均 Work Function Averaging, Difference and Absolute reporting DC 所有探针及探测参数的数字控制 Digital Control of all Probe and Detection Parameters QT 针尖快速改变 Quick-change Tip, variable spatial resolution DE 数据输出 Data Export to Excel, Origin, or 3rd party software OC 输出通道 Output Channel: TTL switching of external circuit FC 法拉第笼(电磁干扰防护罩) Faraday Cage (EMI Shield) RS 金-铝参考样品 Gold-Aluminium Reference Sample 额外选配项 SPV 表面光伏电压软硬件包 Surface Photovoltage Software and Hardware Package RH 相对湿度腔 Relative Humidity Chamber AC 控制气体进口的环境单元 Ambient Cell for controlled Gas Inlet EDS 外部数据示波镜 External Digital Oscilloscope OPT 彩色相机 Color Camera, TFT Screen and Optical Mounts ST 针尖置换 Replacement Tips GCT 镀金的针尖替换 Gold Coated Replacement Tips XYZ 25.4毫米手动3维控制台 3-axis 25.4 mm Manual Stage 应用领域 吸附，电池系统，生物学和生物技术，催化作用，电荷分析，涂层，腐蚀，沉积，偶极层形成，显示技术，教育，光/热散发，费米级扫描，燃料电池，离子化，MEMs，金属，微电子，纳米技术，Oleds，相转变，感光染色，光伏谱学，高分子半导体，焦热电，半导体，传感器，皮肤，太阳能电池，表面污染，表面化学，表面光伏，表面势，表面物理，薄膜，真空研究，功函数工程学；

自从1993年起SURFACE公司就从事脉冲激光沉积镀膜系统（以下简称PLD）的研发和制造工作，在这期间SURFACE公司不但向市场提供了标准的PLD系统，而且也提供专门为客户订制的PLD系统。经过了这么多年的发展，SURFACE公司开发出许多能够满足客户需求的产品和技术。以下就是由SURFACE公司独家提供的这些产品和技术的简要介绍： 一． 基本资料 1.、SURFACE基底运载系统 对机械手来说，热均匀和热隔离的有效性是十分重要的。这其中，精确的热电偶是关键的质量因素。 （图上的文字） SURFACE常规电阻1英寸基底运载器 嵌入式Omicron原子力基底夹 热电偶直接嵌入基底运载系统，30mm的基底中间区域 基底和银酱一起安装在激光切边运载器上。运载系统可转换并直接嵌入热电偶（请见另一页）这保证绝大多数的温度测量。 2、靶切换系统 超高真空技术需要反应釜通过一个负载锁的腔体进行相互作用。从一开始，SURFACE就意识到这一点，并设计了一个靶转盘来实现这一需求。 多层盖板避免了强热的基底转移到靶材。所有靶材是受保护，以防止交叉污染。盖板能够非常容易地被更换，无需工具。靶材将通过磁场操纵或位于中央转移腔的内部转移操纵手被转移。该耦合和靶材的精确检索是自动完成的。靶转盘和切换动力保证了均质烧蚀过程。 3、模块化的系统概念 SURFACE公司多年来一直从事于研发超高真空材料科学系统。在大多数情况下，一个系统的工作负载起始于一个单一的过程控制，往往过了一段时间以后，客户的需求会增多。为了通过附加的过程控制提升整套设备的功能，SURFACE公司认识到需要用完整的模块化概念来解决这个问题。 从向市场提供单一的腔体加上负载锁，一直到提供更多的扩展，而不需要冒任何将来转换而产生的风险。 可以方便客户的细节： 1、 转换过程有照相机支持 从开始我们的束工具生产，我们就决心让使用设备变得更加简便。最早我们使用了一个独立的监视器，连接一台独立的BW照相机。为了实现自动化，增加了第二个TTL监视器来观测实时的彩色照片和相关的其他过程数据。尤其是当我们的激光加热系统应用以后，另外一台显示器对显示实际得图表和数据非常有用。毫无疑问，所有的照片都能够被实时地存储在过程控制系统的硬盘驱动器上。 2、 整套系统的紧凑安装 实验室里的空间是昂贵的，所以任何空间都必须被非常有效地使用。SURFACE公司从一开始就设计将激光放置在控制箱的顶部，并可将其他的激光气舱加入这一过程。 将气舱整合到这个配置里面将使安装变得非常容易和迅速。 这种节约成本的设计克服了PLD安装之前昂贵的本地安装&mdash &mdash 所有项目都被包括在SURFACE的交货中。 气舱通过一个大的方便的管子与客户端的排气设备相连接。 3、 SURFACE公司的交货与交钥匙工程 这方面包括从SURFACE公司将系统直接运来（这些设备的生产基地都是在西欧及周边地区）。运输到客户的卸载地点是关键。但SURFACE公司帮助，甚至客户实验室的建设。客户只需要提供当地的交通和吊车来将货物运送到设备使用地。所有的运输路线在采购决定之前都会被考察到。 4、 SURFACE公司支持S3处理软件。 S3处理软件提供一个全新的立体支持：一键式操作，客户可以直接与SURFACE的技术支持团队进行沟通。软件使用中的问题和操作中的问题经常会发生，通过完全的远程操控，技术支持人员可以为客户提供设备使用各个阶段的帮助。这将防止一些不必要的困难的发生，并为客户提供快捷的响应。这个支持工具在SURFACE系统中是免费的，客户只需提供正确的网络链接。

双腔室超高真空双磁控测射系统 QBT-P 磁控溅射技术原理 在阴极靶的表面上方形成一个正交电磁场。当溅射产生的二次电子在阴极位降区内被加速为高能电子后，并不直接飞向阳极，而是在正交电磁场作用下作来回振荡的近似摆线的运动。高能电子不断与气体分子发生碰撞并向后者转移能量，使之电离而本身变成低能电子。这些低能电子最终沿磁力线漂移到阴极附近的辅助阳极而被吸收，避免高能电子对极板的强烈轰击，消除了二级溅射中极板被轰击加热和被电子辐照引起的损伤，体现出磁控溅射中极板“低温”的特点。由于外加磁场的存在，电子的复杂运动增加了电离率，实现了高速溅射。磁控溅射技术特点 成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好，可实现大面积镀膜技术参数 QBT-P 技术参数 Technical Specifications （超导Ta/TiN/NbN/Al/Nb等制备）超高真空腔体 UHV Chamber2个UHV Chamber,包括Loadlock及Sputtering, 极限真空Ultimate Pressure3E-9Torr排气速率Pumping Spead从ATM到1E-7Torr20min (loadlock)基板加热 Wafer HeatingRT-900oC离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%磁控溅射SputteringDC or RF Power Supply, 基板与靶材距离连续可调Wafer and Target Space can Change Continoulsly基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO工艺展示

全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统 QBT-J 约瑟夫森结超高压系统 全自动四腔超高真空双倾角镀膜系统专专业制备约瑟夫森结制备，可精确生长所需的金属层和氧化绝缘层，确保高性能制备及高成品率；此镀膜仪有进样室、氩离子清洗室、电子束蒸 发室以及氧化室，共计四个高真空腔室，腔室间使用传样杆进行高真空传样，传递模组须采用抓取式设计；设备所有工艺均支持4英寸及以内的晶圆或不规则样品。设备整个工艺过程，可以完全按照用户设置的参数自动化运行，工艺流程包括并不限于：抽真空，监测气压，离子清洗，样品位置调节、传样，加热，电子束蒸发特 定厚度设置，自动调整气压等。技术参数QBT-J 技术参数 Technical Specifications (双倾角约瑟夫森结制备）超高真空腔体 UHV Chamber4个UHV Chamber,包括Loadlock/Aneal, Ion Milling, Ebeam-Evaporation, Oxidation, 极限真空Ultimate Pressure1E-9Torr基板加热 Wafer HeatingRT-900℃离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ion Energy 100-600eV, 100-1200eV, Ion Beam Current:20-200mA, Ф100基板刻蚀均一性3%电子束蒸发 Ebeam EvaporationUHV 5 Linear Pocket Ebeam Evaporation Source, 8KW Power Supply氧化 OxidationFlow and Static Mode Oxidation基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制基板传输 Wafer Transfer高度可靠和可重复的基板传输能力人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO

德国韦氏纳米系统专门为大学，研究机构提供了一系列高真空/超高真空桌面型热蒸发镀膜工艺平台。特征：All in One 桌面型紧凑设计模块化易于操作灵活性高满足不同的要求的薄膜工艺VapourStation 高真空型-高真空 可切换换源夹紧系统NanoSphere扩展型--超高真空PicoSphere加强型-近超高真空 我公司专业销售高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品，并提供产品的售前售后服务，如您对高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品感兴趣，欢迎前来咨询！

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

信安真空科技（江苏）有限公司2018年建设启东生产基地，成立信安真空科技（江苏）有限公司。旨在形成稳固的产品服务供应链，进一步推动中国真空领域及未来工业化应用的市场发展，并服务于全球的真空市场。为致力于中国快速增长的真空需求市场提供全套专业的解决方案，信安真空建立了产品解决方案中心，将发展重点由高能粒子加速器科研领域开始，逐步扩展到真空技术在半导体、新能源、超导、X射线、航天航空材料热处理、核能等工业化领域的高端应用，为其提供系统完整的真空技术解决方案，包括专业的技术支持、成套生产设备和产品供应服务。超高真空排气台是一种用于排放高度净化和减压处理的设备。它主要由真空泵组、热阱、冷阱、控制系统等部分组成，广泛应用于半导体、光学、电子、航空航天等领域。超高真空排气台具有以下几个主要特点：首先，超高真空排气台的主要作用是确保排出的气体处于非常高的净化和减压状态。它使用高性能的真空泵组，能够提供很高的抽气速度和稳定的真空度，有效去除氧、水和其他污染物。同时，该设备还配备了热阱和冷阱，可以进一步净化和降温，确保排放的气体达到非常高的净化标准。其次，超高真空排气台具有良好的稳定性和可靠性。它采用先进的自动控制系统，监测和控制真空度、温度等参数，确保设备的正常运行。此外，它还具有良好的密封性能和防漏能力，避免了外界空气的进入，保证了机器的稳定性和可靠性。第三，超高真空排气台具有较小的体积和高的工作效率。由于其采用紧凑的结构设计，能够在有限的空间内完成高效的排气过程。同时，它还具有较低的能耗和静音设计，既能够保证设备的高效运行，又能够提供舒适的工作环境。第四，超高真空排气台还具有一定的智能化和自动化程度。它采用触摸屏界面和计算机控制系统，操作简单方便，只需设置相关参数，设备即可自动运行。此外，它还能够实现远程监控和故障诊断，及时发现和排除问题，提高了设备的可操作性和可维护性。超高真空排气台在实际应用中有着广泛的用途。在半导体工业中，它主要用于半导体的加工过程中，可以配合其他设备一起使用，如离子注入机、薄膜沉积机等，确保半导体器件的质量和可靠性。在光学领域，它可以用于光学镀膜设备的排气过程，提供高度净化的排气环境，保证镀膜的质量。在电子工业中，它可以用于电子元器件的制造和封装过程，提供高纯度的环境，避免元器件受到污染。在航空航天领域，它可以用于空间模拟器的真空排气，模拟真空环境，测试航天器件的性能。总之，超高真空排气台是一种功能强大、性能稳定、操作简便的设备。它在工业生产中扮演着重要的角色，可以提供高度净化的排气环境，确保产品的质量和可靠性。随着科学技术的不断发展，超高真空排气台的应用领域将会进一步扩大，并且在未来的发展中将会不断完善和创新。如有疑问请在此联系我们。

TPD Workstation超高真空TPD工作站是专为超高真空热脱附研究而设计的。 带有观测窗和样品加热台的真空泵 工作站含有操作软件，可自动控制样品温度 TPD常规分析，包括质谱峰的积分和反褶积计算等 密闭、自动装样器 智能操作软件控制实验操作带脉冲离子技术检测器的三级过滤四极质谱仪（Hiden 3F/PIC） 质量数范围： 1~300、510、1000amu 快速质谱数据采集： ＞500数据点/秒 样品可加热到1000℃

ST-400系列是专为超高真空环境设计的连续流低温恒温器，旨在低至10-11 mbar的压力范围内提供可靠、精确的冷却。Lakeshore可根据用户指定的尺寸和配置进行设计定制，以满足实验室的使用要求。 ST-400系列带有垂直定向的抽真空接口和电学测试端口，允许在有限的半径内旋转，以及不同尺寸的ConFlat法兰，以便与实验室超高真空装置无缝集成。恒温器配套的传感器和加热器不暴露在超高真空环境中，无需对真空室进行抽真空即可使用。高效输送管线将液氦输送到样品室进行冷却，使用真空泵可将系统降温至4.2 K以下的温度。通过使用内置加热器和335控温仪，可将低温恒温器的温度控制精确在50 mK内。 ST-400系列低温恒温器可与RGC氦循环制冷机联用，在整个温度范围内完全无液氦运行，适合长时间的测量，同时也节省了购买液氦的经费。主要特征：√ 温度范围2 K ~ 500 K（800 K）√ 样品处于真空中√ 定制兼容用户超高真空系统√ 基础真空可至10-11 Torr√ 快速降温15分钟至5 K√ 可与RGC氦循环制冷机联用实现无液氦运行主要参数：ST-400ST-400-H冷却方式液氦温度范围2 K ~ 500 K2 K ~ 800 K温度稳定性±50 mK样品环境真空样品类型导热良好的，固体降温时间15 min (至 5 K)安装方向任意系统重量（不包括输液管）~4.6 kg制冷剂初始消耗 (使用液氦从室温至基础温度)0.4 L制冷剂消耗(液氦@ 5 K)0.6 L/h制冷剂消耗(液氮@ 80 K)0.1 L/h初始真空要求~10-3 Torr典型运行真空~10-11 Torr设备选件：样品座光学窗片电学测试接头提供光学样品座、标准电学样品座、四探针样品座、插拔样品座等多种类型……提供了从X射线到THz波段范围的窗片，可以根据您的实验需求灵活选择不同波长范围的光学窗片……提供多通道直流、BNC、SMA、三同轴等多种电学测试接头，可以根据您的需求灵活配置……

安捷伦真空（原瓦里安）提供全套 VacIon 离子泵产品系列，具有多种抽速供选择 (0.4–1000 L/s)。安捷伦离子泵和控制器具有多种可定制配置，以满足您多样化的真空需求。非常适合必须保证稳定的超高或极高真空 (UHV 或 XHV) 条件的应用，例如实验室、大型研究机构、医疗设备、扫描电子显微镜和表面分析设备。配备三极离子泵、二极离子泵和惰性气体二极离子泵抽气单元，以为不同气体提供最佳抽速配备 ConFlat 非旋转型法兰、额外 ConFlat 孔、双端和侧孔，可选不同方向的真空穿导件（Fischer、King、DESY、Varian、Safeconn）无活动部件，确保在高灵敏度应用中无振动运行低漏电流可提供稳定的真空压力读数低磁场可最大程度减少系统干扰在 400 °C 的条件下进行真空处理，并在真空下夹止，确保安装前的清洁度和真空密封性可定制不同的高压真空穿导件、泵体几何形状、额外孔和抽气单元布局，还可配备光学挡板、外部加热器和屏蔽磁体，满足您的需求

超高温真空接触角测量仪原理介绍：接触角（Contact angle）是指在气、液、固三相交点处的气-液界面的切线，此切线在液体一方的与固-液交界线之间的夹角θ，是润湿程度的量度，是现今表面性能检测的主要方法。由主体支架、专用光源、远焦镜头、工业成像CCD、高温高真空炉体、水循环冷却系统、真空泵、专用分析软件等组成。超高温真空接触角测量仪应用范围：在高温真空条件下，通过视频光学原理，测试各种材料的润湿铺展性能；目前已经广泛应用于陶瓷材料研究、金属材料研究、钎焊研究、航空航天材料研究、钢铁冶炼研究、复合材料研究等众多高校院所及企业。研究材料在高温状态下熔体与其相应的基底材料间的接触角变化规律。对于高熔点材料能实现高真空或惰性气体保护气氛下的表界面性能测试，而对于低熔点材料能现实升降温过程中的收缩、变形、融化、润湿、铺展及凝固行为进行图像化、定量化表征。设备性价比高、加热稳定、真空度高、功能全面、可满足各种金属材料科研的需要。1、测量液态金属在高温真空状态下对基材的润湿性能,评估不同材质在高温真空状态下润湿过程及附着性能 2、研究金属与陶瓷复合材料间的润湿性能,测量金属材料在高温真空状态下熔融时，在陶瓷材料上的接触角 3、研究钎焊过程,钎料在基材上的润湿铺展过程,动态分析钎料在高温下的接触角、润湿过程 4、测量金属在不同的高温状态下,以及不同的气体保护环境下,对于不同基材的接触角变化及区别:5、分析涂层与基材的接触角,分析涂层与基材的润湿过程及铺展机理,并研究不同温度及不同气氛下,润湿性能的区别:6、研究液体与固体间的接触角,评估液体与固体的附着粘附性能，分析固体的表面自由能 7、分析焊料与焊接体的接触角值,从而有效地提升焊接强度 8、基于分析接触角及表面张力的基础,控制合理润湿范围，查找有效的去除冶炼过程中炉垢的办法。应用案例超高温真空接触角测量仪核心参数介绍：型号CA600 腔内环境大气环境/真空/惰性/有氧气氛高温系统温度范围室温～1200℃/室温～1700℃长期使用温度室温～1100℃/室温～1600℃真空下温度1000/1500测温电偶1200°：N型电偶 1700°：B型国际铂铑热电偶测温精度±1℃温度控制30段程序温度设定实现复杂热处理工艺的分析升温速率常温-1000℃≤10℃/min1000℃-1600℃≤5℃/min加热体1200°HRE合金电阻丝/1700度U型硅钼棒恒温区尺寸长200mm加热管尺寸内直径50mm*长度700mm测温系统温度监控，测温材质美国钨铼合金，测量精度±0.1℃，可实时测量加热管内温度。进样方式具有快速样品制备专用工具，以及样品装载专用工具，确保样品快速定位视窗法兰专用同轴双视窗法兰，备双通道惰性保护装置，可同时或单独使用某种工艺气体对内部金属进行保护，带真空系统及保护气体管路、双水冷装置。采用进口石英材质并可快拆更换。炉膛材质1200°C内采用石英，1700°C以上采用高纯刚玉保温材料湿法真空抽滤成型制备的多晶无极氧化铝陶瓷纤维材料样品尺寸5*5*5mm真空系统真空度范围1*10-1Pa采用机械真空泵+数字流量计+真空法兰1*10-3Pa采用分子泵+复合全量程高精度真空计+真空法兰材质两级组合，在高温下达到高真空要求；泵体采用高纯度不锈钢；配置复合真空计；真空系统也可以通保护气体水冷系统温控范围温度范围：5-35℃外形尺寸约460mm（长）*380mm（宽）*590mm（高）水泵流量15L/min冷却系统容量≥11L实测制冷量1520W成像系统镜头Subpixel0.7-4.5倍超高温高清远焦距工业级连续变倍式显微镜、工作距离500mm相机日本SONY原装进口高速工业级芯片(Onsemi行曝光)传感器类型1/2.9 英寸逐行扫描CMOS分辨率1280× 1024镜头控制仰视角度：±10度，精度：1度，前后180mm（微调50mm）*左右200mm（微调50mm）帧率全局曝光高速400帧/s（最快2.5ms采集/次）视频录像功能可录制整个高温润湿过程连续测量测量间隔时间可调、实时记录、连续测量光源系统组合方式采用石英扩散膜与均光板使得亮度更均匀，液滴轮廓更清晰光源进口CCS工业级冷光源（有效避免因光源散发热量蒸发液滴），寿命可达5万小时 亮度调节PWM数字调节功率10W测量软件CA V2.0静/动态接触角测量软件+表面能测量软件操作系统要求windows 10(64位)测量方式自动与手动计算方法自动拟合法（ms级别一键全自动拟合，不存在人工误差）、三点拟合、五点拟合、自动测量（包括圆拟合法/斜圆拟合法（Circle method/ Oblique Circle）、椭圆拟合法/斜椭圆拟合法(Ellipse method /Oblique Ellipse)）、凹凸面测量等基线拟合自动与手动角度范围0°＜θ＜180°精度0.1°分辨率0.001°分析自动计算多组数据中接触角的最大接触角、最小接触角、平均接触角，左右接触角分别计算与比较功能表面能测量方法Fowks法，OWRK法，Zisman法，EOS法，Acid-Base Theory法,Wu harmonic mean法,Extended Fowkes法，得到固体表面能。表面能单位mN/m输入电源220V 50-60Hz仪器尺寸约1500mm（长）*405mm(宽)* 725mm(高)润湿性分析粘附功一键自动分析铺展系数一键自动分析粘附张力一键自动分析精度0.001 mN/m单位mN/m选配件1.机械真空泵，真空度：1*10-1Pa 2. FJ-110分子泵组一套，最大抽气速率110L/s (对空气)，真空度：1*10-3Pa 3.惰性气体气氛保护（Ar，N2，He或混合气体）4.冷浴装置：5℃-35°超高温真空接触角测量仪测试方法：电脑配置：（选配）出厂附件明细：1.usb3.0数字高速CCD摄像头 1个2.连续变倍光学系统 1个 3.手动CCD倾斜系统 1套4.高温表界面分析测量系统应用软件 1套5.说明书纸质一份及说明书电子版 1份6.保修卡及合格证 1份7.石英管 1个8.法兰 2套9.坩埚 1个10.炉钩 1个11.高温防护手套 1套12.滤光片 1个13.密封圈 4个14.电源线、相机数据线 2条15.XY专用水平仪 1个

仪器简介：加拿大Johnsen Ultravac Inc.（JUV）公司成立于1961，以其优异的性能与表现在全球范围内赢得了良好的声誉，被誉为超高真空领域设备制造商中的&ldquo 奥德赛&rdquo ！多年来，JUV一直保持着高标准，成功地将用户的要求转化为高的科研设备，同时也为科研、商业及工业等领域输出了大量的精密超高真空仪器。技术参数：该系统包括一个外径为10&rsquo &rsquo 的圆柱形真空腔体，配有：分子泵、真空阀门、两个样品操作台、带开闭器的高纯蓝宝石观察窗、靶架（Target Holder）和衬底架。用户可以任意选择六个靶中的其中一个，将其沉积到直径为2-3&rsquo &rsquo 的圆形衬底上。在激光沉积过程中，衬底可以进行加热。衬底通过快速进样室引入到主真空腔中。系统的真空度好于2× 10-10Torr。主要特点：从概念的提出，到设计、加工和安装，Johnsen Ultravac公司的专业技术人员能根据用户的具体要求，设计制造出满足任何应用的系统。多年来积累的经验使Johnsen Ultravac为用户制造出配置复杂的腔体、快速进样室、样品传送装置、旋转台、升起/摆动机械装置、自动电子控制的水/气分配系统等。

仪器简介：加拿大Johnsen Ultravac Inc.（JUV）公司成立于1961，以其优异的性能与表现在全球范围内赢得了良好的声誉，被誉为超高真空领域设备制造商中的&ldquo 奥德赛&rdquo ！多年来，JUV一直保持着高标准，成功地将用户的要求转化为高的科研设备，同时也为科研、商业及工业等领域输出了大量的精密超高真空仪器。主要特点：从概念的提出，到设计、加工和安装，Johnsen Ultravac公司的专业技术人员能根据用户的具体要求，设计制造出满足任何应用的系统。多年来积累的经验使Johnsen Ultravac为用户制造出配置复杂的腔体、快速进样室、样品传送装置、旋转台、升起/摆动机械装置、自动电子控制的水/气分配系统等。 在制造过程中，Johnsen Ultravac始终采用高纯度的材料，严格质量控制，使得系统的真空度好于10-11 torr。这些系统包括有： 1. 混合等离子体喷射系统（Hybrid Plasma Spray System） 2. 电子束蒸发系统（E-Beam Evaporation System） 3. 电子回旋共振/电感耦合等离子体系统（ECR/ICP System） 4. 激光沉积系统（Laser Deposition） 5. 溅射系统（Sputtering System） 6. 分子束外延真空系统（MBE Vacuum System）

产品简介INSTEC HS1500V 真空超高热台专为显微镜/光谱仪上的超高温应用设计，可用于陶瓷、冶金、地质、高温材料等领域。可加装样品接电引线，可定制样品区，此款冷热台可在 30℃ ~ 1500℃ 范围内控温，同时允许光学观察和样品气体环境控制，热台窗盖与台体构成一个真空腔，可以充入氮气等保护气体也可抽真空，来防止样品高温下反应。功能特点INSTEC HS1500V真空超高热台适用于显微镜/光谱仪 的超高温应用，30℃~1500℃ 可编程控温，Φ7.5 mm加热区，可充入保护气体的真空腔，可从温控器或电脑软件控制，可提供软件SDK。温控参数&bull 温度范围：30℃ ~ 1500℃&bull 加热块材质：耐高温陶瓷&bull 传感器/温控方式：S型热电偶 / PID控制&bull 最大加热/制冷速度：+200℃/min （850℃时） +20℃/min （850℃时）&bull 最小加热/制冷速度：±0.5℃/min&bull 温度分辨率：0.1℃&bull 温度稳定性：±1℃&bull 软件功能：可设温控速率，可设温控程序，可记录温控曲线光学参数&bull 适用光路：透射光路和反射光路&bull 窗片：可拆卸与更替的窗片&bull 最小物镜工作距离：6.8 mm&bull 最小聚光镜工作距离：13.3mm&bull 透光孔：Φ2 mm&bull 上盖窗片观察：窗片范围Φ15mm，最大视角±48°&bull 底部窗片观察：窗片范围Φ15mm，最大视角±19°&bull 高温下显微镜降温：吹气降温结构参数&bull 加热区/样品区：Φ7.5 mm&bull 样品腔高：3.5 mm&bull 上盖：可调压力的窗盖，兼顾气密型与窗片旋转&bull 气氛控制：真空腔腔，可充入保护气体，也可抽真空&bull 外壳冷却：通循环水，以维持外壳温度在常温附近&bull 安装方式：水平安装

UHV-KP020超高真空扫描开尔文探针开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势，表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术，KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统 UHV-KP020 是超高真空室的一个完美补充工具，可靠的和可重复的可轻松获得，包括高质量的线性解码器，使得探针和样品的定位变得简单， 无与伦比的跟踪系统在测试过程中始终将探针和样品恒定的分开。对于薄膜研究，亚单层范围检测是很平常的；也可选购SPV020或SPS030表面光电压模块用于光敏材料研究。 技术参数： ● 功函分辨率1-3meV（2-10mm探针） ● 用户自定针尺寸（2-10mm） ● 用户自定探针长度（法兰到样品） ● DN40（2.75' ' 安装端口）-其他可选 ● 50mm手动平移器（100mm可选） ● 真空度2X10-11mbar ● 跟踪系统自动控制样品和探针距离 ● 过零信号检测系统抑制寄生电容 选件： ● 电动平移器 ● UHVSKP ● 表面光电压模块SPV020和SPS030

Janis低振动超高真空低温恒温器CCS-XG-UHV，采用无液氦制冷技术，将样品在真空中冷却至低温，根据实验的最低温度需要可以选择不同的制冷机。CCS-XG-UHV是一款低振动（40 nm）的低温恒温器，主要用于兼容超高真空系统，特别适用于对振动特别敏感的超高真空低温实验，用户可选择多种电学测试接头、定制样品座等。 主要特征： ♢ 无液氦制冷 ♢ 温度范围4 K ~ 325 K ♢ 样品处于超高真空中 ♢ 振动＜40 nm ♢ 适配超高真空系统 设备选件：样品座电学测试接头提供光学样品座、标准电学样品座、四探针样品座、插拔样品座等多种类型……提供多通道直流、BNC、SMA、三同轴等多种电学测试接头，可以根据您的需求灵活配置…… 主要参数：CCS-XG制冷类型闭循环制冷温度范围4 K ~ 325 K典型温度稳定性±50 mK样品环境超高真空烘烤温度（去处冷头）200℃降温时间2 h ~ 3 h振动40 nm冷头位置顶部光学窗口✖ 高度(近似值)559 ~ 660 mm重量 (近似值)取决于配置制冷机建议维护时间10,000 h

超高真空低温四探针扫描探针显微镜美国RHK Technology 成立于1981 年。作为SPM 工业中的领军仪器制造商，RHK-Technology 始终保持着鲜明的特色：创新性、可靠性、产品设计的开放性与的客户支持。凭借着其优异的系统设计、精良的制造工艺、再加上与著名科学家的紧密合作，二十多年来RHK Technology 源源不断地向全科学家们输送着先进的、高精度的科学分析仪器。变温QuadraProbe UHV 4-探针SPM系统是RHK公司生产的多探针UHV SPM系统中的一种，该系统提供了多种分析功能、配备了多个超高真空室和相应的电子控制单元与软件，可以大地满足客户全面的研究应用需要。基本系统中提供了低温4探针扫描隧道显微镜（SPM），扫描电子显微镜（SEM），样品准备室和用于传输样品和针的快速进样室。其他的设备如扫描俄歇显微镜（SAM）也可选配以满足客户特别的研究需要。技术参数：- 样品温度：10K（LHe）； 80K（LN2）- 扫描范围：1.5μm（300K）；500nm （10K）- X，Y，Z粗进针：±1.5mm/step motion- 样品定位精度：±1.5mm- STM分辨率：四个探针均可实现HOPG的原子分辨- SEM分辨率：小于20nm- 针材料：钨或者铂、金等金属修饰的钨针。 主要特点：- 四个探针都能实现原子分辨；- 真正的样品和针低温操作（10K），得到佳的高分辨谱图；- 探针与样品立地传输与准备；- 所有探针具有先进的控制操作；- 用户可编程控制的开放性控制环境；- 制冷采用Bath Cryostat构造，大地减少了液氦的消耗；- 可升到非接触式AFM；- 样品台处配有可选择的超导磁体；- 通过光纤实现样品的光学激发。

产品详情法国Plassys超高真空多腔体电子束镀膜机MEB550SL3详细介绍超高真空多腔体电子束蒸镀系统磁控溅射、电子束蒸镀、超高真空、镀膜、约瑟夫森结、超导、量子器件、量子比特、多腔体、Qubit、UHV、铌基超导、氮化铌、钛氮化铌、NbTiN、NbN、sputtering systemEvaporation system、Nb-based superconductor、超导铝结、Josephson junction品牌：PLASSYS 型号：MEB 550SL3 产地：欧洲 法国 应用：约瑟夫森结（Al, Nb, NbN, NbTiN） 超高真空多腔体电子束蒸发镀膜仪电子束蒸镀仪是纳米器件制备中必不可少的仪器，用于蒸镀各种高纯金属薄膜，如Ti, Au, Ni, Cr, Al, Al2O3等。电子束蒸发沉积法可在同一蒸发沉积装置中安装多个坩埚，使得可以蒸发和沉积多种不同的高质量金属薄膜。开展量子计算机实验研究，如基于金刚石NV色心，离子阱，超导量子结，量子点电子自旋的研究，均需要蒸镀各种高质量金属薄膜来制备量子器件，特别是在利用超导量子结来实现量子计算的实验研究中，Josephson结的制备最为关键：需要在非常干净的蒸镀腔里进行，而且需要在不同的角度上蒸镀两次，两次之间需要注入氧气进行金属氧化。所以样品台必须具有三维的旋转功能，同时，蒸镀腔内还需要有可以注射氧气及其他气体来实现清洁和氧化过程。 推荐配置：可以用于沉积Ti, Ni, Au, Cr, Al, Al2O3等金属及氧化物薄膜，目前全球主要超导量子实验室均使用该设备制备超导Al结（量子比特和约瑟夫森结）和量子器件，可以制备大面积、高度稳定性和可重复性超导结。更详细信息或资料，请咨询我们！ 预处理腔：衬底旋转、倾斜（3D）；干泵+ 分子泵 真空度10-8 T 蒸发镀膜腔：电子枪6-15KW； 样品台： 。可加载4英寸衬底； 。衬底可加热到800℃ 。衬底旋转、倾斜， 。倾斜精度和重复性优于0.1°（可升级） 真空泵系统： 。干泵 + 低温泵； 。真空度10-10T或10-11T 膜厚控制仪： 。频率分辨率10-4Hz或更高； 。速率分辨率10-3nm/s； 。厚度分辨率10-2nm 残余气体分析仪 反应蒸镀：氧气气路+MFC 氧化腔体： 。静态/动态氧化 。臭氧发生器/原子氧发生源/辉光放电； 。卤素灯加热至最高200℃ 。残余气体分析仪分子泵 + 干泵；真空度10-8 T 全自动软件包，支持半自动和手动模式，支持远程网络操作和维护。典型用户：耶鲁大学、日本NTT、中科院物理所、中科大、南大、南方科技大学

UHV-KP020超高真空扫描开尔文探针开尔文探针是一种非接触、非破坏性振动电容装置用于导电材料的功函或半导体或绝缘体材料表面的表面电势，表面功函由材料表面最顶部的1-3层原子或分子决定，因而开尔文探针是一种非常灵敏的表面分析技术，KP Technology公司目前可提供具有1-3 meV业界最高分辨率的测试系统UHV-KP020 是超高真空室的一个完美补充工具，可靠的和可重复的可轻松获得，包括高质量的线性解码器，使得探针和样品的定位变得简单， 无与伦比的跟踪系统在测试过程中始终将探针和样品恒定的分开。对于薄膜研究，亚单层范围检测是很平常的；也可选购SPV020或SPS030表面光电压模块用于光敏材料研究。 技术参数：● 功函分辨率1-3meV（2-10mm探针）● 用户自定针尺寸（2-10mm）● 用户自定探针长度（法兰到样品）● DN40（2.75''安装端口）-其他可选● 50mm手动平移器（100mm可选）● 真空度2X10-11mbar● 跟踪系统自动控制样品和探针距离● 过零信号检测系统抑制寄生电容选件：● 电动平移器● UHVSKP● 表面光电压模块SPV020和SPS030

LT3B 超高真空连续流低温恒温器LT3B超高真空连续流低温恒温器应用十分广泛，拥有很多独特特点，如热交换型液氦传输管线可以提高制冷效率而且极大的消除振动。LT3恒温器拥有不锈钢仪表群，独特的双O圈设计使它易于安装，校准，移除真空外罩。 根据使用条件不同有很多不同设计，如：LT3K可与Newport Kappa测角器集成 LT3G可与Huber 5012.12集成，而且LT3G的小径向间隙使得其应用非常广泛 LT3B是真正的UHV冷头(10-11 Torr) ，该款恒温器都用焊接接头和金属密封取代了橡胶O圈密封 LT3M可定制冷指长度到1200mm,非常适合需要长冷指的表面物理实验。 单分子化学Courtesy of Prof.Wilson Ho,加州大学欧文分校典型应用 • 光学显微镜• 显微拉曼• 光致发光• 显微光致发光• 光电• 光磁 典型特点• 液氦连续流• 基质热交换• 同轴屏蔽流• 4 K 液氦操作 (泵抽可达1.7 K)• 4.2K下液氦消耗率为0.7 LL/hr • 兼容液氮(77 K操作)• 埃米级振动• 精密流量控制• 废气加热 标准结构• LT3冷头• 同轴流动液氦传输管线• 杜瓦置适配器• 流量板面用于液氦流速控制及优化 可选配置及升级选项• 450 K高温台• 800 K 高温台 典型案例LT3B 振动图片STM 图片这张照片是由直接安装在LT3冷端上的STM扫描仪拍摄所的。这张图的扫描区域是 62 埃米*60埃米，从图上可以看出，振动噪音小于3埃米。本测试数据由加州大学洛杉矶分校电子工程师李孝贤提供。Michael F.Crommie教授供图加州大学伯克利分校物理系HelitranLT3BT=15K时Au（111）上偶氮苯分子的120 x 120埃图像

Side profile of a UHV Cryogenic Probe StationHigh Conductance 8” Vacuum Pump Out Port 美国ARS公司的 PS-L-UHV探针台是专为样品的非破坏检测和最~大的真空洁净而设计，测试灵活，广泛应用于直流（DC），射频（RF）,MEMS, 纳米电子，超导性，纳米电路的光电特性，量子点和量子线，非破坏性测试等。 液氦/液氮型和闭循环低温探针台核心部件是相同的，可共用相同的桌面、真空腔和探针臂。如果您先购买了液氦/液氮型的探针台，那么可以在之后的任何时间内升级成一个闭循环（无任何制冷剂）的系统。 该类探针台使用了ARS液氦/液氮型低温恒温器，样品温度因制冷剂不同可达~4K（液氦）或 ~77K（液氮）。 Sample space of the UHV probe station.Close-up view of the Load-lock sample holder and 4 DC probes 该系统旨在提供一个大型的，可烘烤的超高真空样品环境。真空腔由不锈钢焊接而成，防热辐射屏由裸无氧铜制成。铜的高导热性使得样品空间处有更冷的防热辐射和更大的净制冷量。高质量的焊接刀口法兰和巨大的泵出端口是至关重要的，因为这样可以实现真正的10-11 Torr的超高真空环境，并最~大程度保证了样品的洁净度。 ARS既生产冷头又生产探针台的一站式生产确保了系统的稳定性能，也利于系统的诊断和售后服务。 应用案例：l 电磁特性l 微波特性 l 低频，高频特性l MEMSl 纳米电子学l 超导特性l 纳米器件光电性能l 量子点及纳米线l 单电子l 低电流物理特性 典型结构l 液氦/液氮型低温恒温器l 传输管线-标准6英尺（8英尺或者10英尺）l 流量计l 10英寸的不锈钢真空腔带5个微操作探头端口和2个备用的NW80附件端口，安装在经阳极化处理的铝台面上，由铝制支撑架支撑l 8 英寸的镀镍无氧铜防热辐射屏l 2.25英寸的无氧铜接地样品座l DC, 微波或光纤探针l 4个温度计和2个加热器用于温度控制和监视l 涡轮分子真空泵l 四通道温度控制器及与恒温器连接电缆l 7:1变焦显微镜，分辨率小于2 微米，同轴或者环形光。包括一个高分辨的24寸的宽屏液晶显示器和显微镜光源 特点备注8英寸镀镍无氧铜防热辐射屏2.25英寸镀金无氧铜样品台可升级4英寸样品台高纯石英观察窗蓝宝石防热辐射屏冷窗标配4个三维微操作探针臂,可选6-8个可选直流DC/高频RF/微波/光纤探针探针臂控温系统：高精度4通道控温仪、用于测量样品温度的校准行硅二极管温度计（±12mK）、加热器温度计安装位置：1、冷头温度计，用于诊断2、样品台温度计及加热器，用于控制样品台温度，实现精确控温3、样品温度计，用于精确测量样品温度4、冷屏温度计及加热器，用于控制加热冷屏温度，实现快速换样样品台综合振动 1微米样品台振动 100nm7:1显微观测系统，3微米分辨率，环形光源可升级16:1显微观察系统规格及技术参数制冷方式开环恒温器，液氦/液氮温度范围液氦~3.5K - 400K（最大流量）(可选500K,800K)液氮~77K - 400K(可选500K,800K)温度稳定性优于50mK泵抽真空时间机械泵约45分钟分子泵约10分钟降温时间约30到45分钟降温到4.5K真空腔焊接法兰，不锈钢真空腔直径11.97英寸（304mm）上盖安装高纯石英窗口防热辐射屏镀镍无氧铜防热辐射屏直径8英寸上盖蓝宝石冷窗样品台镀金无氧铜样品台2.25英寸直径样品台连接接地（标准）绝缘（可选）偏压，通过同轴电缆至外部BNC接头（可选）偏压到Guard，通过同轴或三同轴电缆连接到外部三同轴接头（可选）探针臂位移台手动驱动焊接刀口法兰的不锈钢焊接波纹管连接X方向（轴向）2英寸行程Y方向（横向）1英寸行程（标准） 2英寸行程（可选）Z方向（垂直方向）0.5英寸行程刻度10微米灵敏度5微米振动样品台综合振动优于1微米温度计安装4个温度计，2套加热器 4个温度计位置：1个DT-670B-SD温度计安装于防热辐射屏用于防热辐射屏的快速升温1个DT-670B-SD安装于样品台底部用于控温1个DT-670B-SD安装于冷头位置用于诊断1个校准型DT-670-CU-4M温度计安装在样品台顶部样品附近，用于精确测温 2套加热器位置：1套50W筒状加热器安装在样品台底部用于控温1套100W加热器安装在防热辐射屏上用于系统快速升温显微观测系统标准7:1显微镜4.2毫米-0.61毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.024-0.08光源：环形光源分辨率：3微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器可选16:1显微镜12.8毫米-0.8毫米视野工作距离：89毫米数值孔径：0.0090-0.15光源：环形光源分辨率：2微米安装手动三维位移台高分辨率24英寸显示器探针臂直流/低频探针臂微型同轴电缆接头：SMA或BNC频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆包含接地屏蔽接头 三同轴电缆接头：三同轴接头频率：0-100兆赫兹阻抗：50欧姆 卡尔文探针电缆：同轴或三同轴接头：SMA/BNC/三同轴频率：0-100兆赫兹针尖材料：钨针（标准）镀金钨针（可选）铍铜镀金（可选） 针尖半径：0.5微米（其他半径可选）GSG高频探针臂0-40GHz接头：K型接头电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖 0-50GHz接头：2.4电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖 0-67GHz接头：1.85电缆：半刚性同轴电缆针尖：钨针或铍铜针尖光纤探针臂紫外/可见 或 可见/红外接头：SMA905公头光纤样品端：抛光裸头尺寸：100微米-400微米

设备规格衬底尺寸：标准尺寸：100mm Dia (4 inch）（可定制)工艺温度：温度范围：RT~400°C 精度：土1°C（可定制）前驱体路数：最大支持6路前驱体气路（可定制)，包含固、液态前驱体源瓶加热系统：可加热温度范围：RT~150℃反应物路数：支持2路反应物气路（可定制）载气：标准：N2, MFC 流量控制（可定制）高真空系统：高性能分子泵，支持对高真空的真空度需求控制系统：19寸显示器，支持触控工业级嵌入式工控机，高可靠性，支持扩展操作系统：Win7 操作系统，工业级可编程逻辑控制器，支持现场总线与实时多任务处理操作传片系统：手动磁力杆传片，配置专用传片腔体、门阀以及真空系统（可定制） 工艺可沉积薄膜种类和应用场景包括：&bull High-K介电材料 (Al2O3, H2O, ZrO2, PrA1Q, Ta2O5, La2O3) &bull 金属互联结构 (Cu, WN, TaN, Ru, In) &bull 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2):&bull 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAIN, AlTIN) &bull 金属(Ru, Pd, Ir Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni &bull 压电层 (ZnO, AIN, ZnS) &bull 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) &bull 光子晶体(ZnO, TiO2, Ta3N5) 等 机架&bull 框架采用进口铝材搭建，重量轻、承载能力强，散热性好&bull 外壳采用碳钢烤漆及圆角处理，轻便美观，拆卸方便，符合人体工学&bull 显示屏360度自由旋转，可调视距、视角、自由悬停控制系统&bull 控制系统采用 PLC+工控机+19 寸触摸屏方式实现，系统通过高速以太网进行通讯。&bull 采用 PLC 对设备进行实时控制，同时实现基于Windows7 操作系统的人机界面互动，支持历史数据、工艺配方、报警及日志的储存和导入导出的功能&bull 设备支持“一键沉积”功能，点击运行按键即可自动完成真空抽取、升温、材料沉积、降温等一系列步骤。实现单一或多层材料的沉积；提供独立的手动操作页面，支持手动开关阀门的操作，人机交互同时支持鼠标、键盘和触摸的输入方式&bull 设备运行软件提供用户权限管理功能，可根据用户级别设定使用权限，防止误操作，保证设备和人身安全&bull 设备运行软件提供逻辑互锁功能，防止用户误操作，并弹出信息对话框进行提示&bull 设备运行软件集成安全及参数配置、IO互锁列表信息功能应用领域1.纳米材料：ALD 技术沉积参数高度可控，可在各种尺寸的复杂三维微纳结构基底上，实现原子级精度的薄膜形成和生长，可制备出高均匀性、高精度、高保形的纳米级薄膜。ALD具有高致密性以及高纵宽比结构均匀性，为MEMS机械耐磨损层、抗腐蚀层、介电层、憎水涂层、生物相容性涂层、刻蚀掩膜层等提供优质解决方案。ALD技术沉积参数高度可控，可通过精准控制循环数来控制MTJ所需达到的各项参数，是适用于MTJ制造的最佳工艺方案之一。ALD技术可通过表面修饰，改善纳米孔的生物相容性，同时提升抗菌抑菌和促进细胞合成。2.太阳能电池：ALD基材料在c-Si太阳能电池中的应用始于Al2O3，Al2O3是一种非常有效的表面钝化层，被发现可以显着提高c-Si太阳能电池的效率并应用于大规模产业化中。此后的研究中，ALD的应用研究从表面钝化层扩展到载流子传输材料[8]。3.催化：ALD技术很容易地控制纳米颗粒的大小、孔隙结构、含量和分散，有效设计出核壳结构、氧化物/金属倒载结构、氧化物限域结构、具有多金属管套结构和多层结构，且独特的自限制特性可实现催化材料在高比表面材料上的均匀和可控沉积，实现一步步和“自底向上”的方式在原子层面上构建复杂结构的异质催化剂材料而得到广泛研究。利用ALD技术具有饱和自限制的表面反应特性，有效抑制金属有机化合物、配体的空间位置效应，天然的将金属中心原子互相隔离开，抑制金属原子聚集，合成单原子催化剂。利用ALD技术有效调控金属与载体间的相互作用的特性，可获得单金属催化剂，如Ru、Pt、Pd等贵金属。利用ALD技术能调控两种金属元素生长顺序、循环周期数的特性来精准得到双金属纳米催化剂，合成原子级精准的超细金属团簇，如PtPd、PtRu、PdRu等双金属纳米颗粒。利用ALD技术制备金属氧化物，不仅可以制备性能更加优良的多相催化剂，而且可以对负载型催化剂进行改性，达到修饰、保护催化剂的目的。4.锂电池：ALD在锂离子电池中的应用特点：（1）电极材料的制备和改性；（2）阴极材料上的保护镀膜；（3）阳极材料上的人造固体电解质相间（SEI）；（4）锂金属阳极钝化和防止枝晶生长；（5）ALD作用的固态电解质（SSE）；（6）隔离膜上的保护涂层原速科技ALD技术在锂电池领域的应用主要有以下几个方面：a、锂电池PP/PE隔膜包覆，改善隔膜的浸润性，耐压性，热收缩性能b、锂电池正极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能等c、锂电池负极包覆，改善电池的倍率性能，循环性能以及安全性能5.光学镀膜：ALD薄膜以饱和吸附的layer-by-layer生长模式，可在结构复杂的几何表面，如大曲面及高纵深比深孔结构，大面积形成高均匀性薄膜，且膜层相较于PVD膜更为致密，在界面处的结合力更强，更适用于未来工业界先进精密光学器件的制造。6.生物医疗：ALD可以通过低温沉积形成非常致密的保护膜，由于是纳米级别的膜厚其本身对医疗设备也不会造成影响，沉积ALD涂层后可以大幅度增加植入设备的寿命以及安全性，也有可能有效的减少更换手术的频率；同时ALD有多种材料都具有生物相容性，这种涂层对人体组织是没有任何细胞毒性的，这使得在再生医学领域中，用于对细胞构建生物相容性底物的制备时，ALD沉积表面涂层能满足对新型生物相容性材料的需求；在药物方面，ALD涂层可以有效的保护颗粒不受周围空气和水分的影响，从而大幅度的延长药物的保质期。7.OLED：几十纳米厚度的ALD封装膜甚至可媲美传统OLED封装技术的阻隔效果，同时具有良好的透光率、热导率、机械强度、耐腐蚀性及与基底的粘结性等性质；ALD封装薄膜因其纳米级的膜厚，可以实现很大程度上的弯曲并保持封装效果不变，这一特性可完美兼容柔性OLED器件封装，真正做到显示屏的可折叠、卷曲；ALD薄膜优异的保型性使其在一些复杂形貌和三维纳米结构的LED表面实现出色的钝化保护层，有效地起到阻隔水氧的作用，提高性能；用ALD在LED表面沉积钝化膜还可以很好地修补被等离子刻蚀造成的破坏性表面，可有效降低漏电流，显著提高LED效率。

美国SVT公司超高真空解理机SVT公司的样品解理部件可以将15mm（其他尺寸可选）的方形样品解理成15个1mm×15mm的Bar条。所有解理出的bar条被收集到样品托，堆叠在一起进行下一步批量加工。独特设计的解理工具避免了器件被破坏以及样品互相黏在一起的可能性。此解理工具可完全适用于UHV环境。解理机可以增加钝化层沉积模块。解理后堆叠在一起的Bar条直接进入钝化室，不用暴露大气。 规格在线bar条解理加工15mm×15mm 样品（10mm-32mm可选）加工成15mm×1mm 样品（1mm-5mm宽度可选）8' ' 法兰接口可烘烤至180oC，（200oC可选）样品可以两种方向加工UHV环境兼容Cassette装取