置灵敏探测器

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置灵敏探测器相关的厂商

  • 深圳市汇成探测科技有限公司始建于2007年是一家专业从事金属探测器研发、生产、销售为一体的企业。公司严格依照ISO9001国际质量标准体系的要求,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和保证体系。目前公司主营品种齐全有地下可视成像仪、可视地下金属探测器、远程地下金属探测器、探盘式地下金属探测器、手持金属探测器。品质彰显价值,服务缔造信誉。为广大客户提供更优质的服务,公司以“专业、信誉、质量第一、用户至上”为经营宗旨,以高品质的产品与服务满足客户的梦想。追求卓越是我公司致力追求的目标。我们更坚信:有了您的支持和我们不断的努力,我们与社会各界同仁携手并进,开拓创新,共创美好未来。
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  • 东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司是一家专业金属探测器,金属探测仪,金属检测仪,金属检测器,食品金属探测器,金属分离器,x光机,x射线异物检测仪的集研发、生产、销售于一体的民营高科技企业.经过多年的经营发展和科技上的不断创新,已成为中国最大的金属探测器生产厂家之一,嘉乐仕凭借优质的产品,卓越的技术和完善的服务,产品遍及祖国各地,并远销美洲,欧洲,非洲,中东,东南亚等国际市场。   东莞市嘉乐仕金属探测设备有限公司以“诚信是我风格,质量是我生命“ 为宗旨,视用户为“上帝”,一贯秉承“质量第一、顾客满意,持续改进,争创一流”的方针,从产品的研发设计、生产制造到销售及售后服务全过程,已建立一套严谨的品质管理和质量保证体系,且采取有效的市场保护措施,确保为每个用户提供最优质的产品和最完善的服务。   展望未来,嘉乐仕将一如继往的秉承”敬业,诚信,融合,创新“的企业精神,研制出更好的产品,提供更好的服务,树立更好的形象,愿与各界新老朋友进行更广泛的合作,共创辉煌!   嘉乐仕热忱欢迎企事业单位前来参观考察,洽商合作,愿与您携手共创更辉煌的明天! 联系人:卢生15907693763(微信同号)QQ:2777469253 欢迎来电咨询!官网:www.jls668.net
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  • 400-860-5168转4708
    Idealphotonics是向科学、研究和工业界提供激光组件、检测器、激光二极管以及光源和系统的主要供应商。我们有能力设计和制造以Idealphotonics品牌销售的自己的产品系列,并且还可以提供源自北美,欧洲和远东公司的世界一流的激光产品。我们具有独特的优势来协助客户,能够:提供不同种类的光纤和激光组件光源,激光二极管(也提供OEM),激光探测器集成芯片和制造复杂的系统根据客户的定制或OEM要求进行设计和制造FOG,FBG和BODTR系统是Idealphotonics的自有品牌产品,包括我们屡获殊荣的FOG系统,FBG监控产品,激光组件。由于我们的激光二极管封装技术,我们可以将我们的激光二极管以最佳的性能用于TDLAS应用。探测器工厂可为光信号探测器提供高灵敏度探测器。我们的所有客户,从全球学术机构和政府机构到商业研究人员和行业,都能获得最高水平的服务,并由我们经验丰富的工程师团队提供可靠的技术支持。我们对我们为您提供的所有服务充满信心。
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置灵敏探测器相关的仪器

  • 仪器简介:硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm技术参数:型号列表及主要技术指标:技术指标\型号名称 DSi200 紫敏硅探测器 DSi300 硅探测器 进口紫外增强型 国产低暗电流型有效接收面积(mm2) 100(&Phi 11.28) 100(10× 10)波长范围(nm) 200-1100 300-1100峰值波长(nm) ------- 800± 20峰值波长响应度(A/W) 0.52 0.4254nm的响应度(A/W) 0.14(0.09) -------响应时间(&mu s) 5.9 -------工作温度范围(℃) -10~+60 -------储存温度范围(℃) -20~+70 -------分流电阻RSH(M&Omega ) 10(5) -------等效噪声功率NEP (W/&radic Hz) 4.5× 10-13 -------暗电流(25℃;-1V) ------- 1X10-8&mdash 5× 10-11 A结电容(pf) 4500 3000(-10V)信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)主要特点:■ DSi200/DSi300硅光电探测器硅光电探测器(Si)&mdash &mdash &mdash 室温型探测器,波长范围:200-1100nm两种型号的探测器室的外观相同,其中:◆ DSi200型内装进口紫敏硅光电探测器◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器◆ 推荐配合I-V放大器(型号:ZAMP)使用 硅光电探测器使用建议:◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器。
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  • 仪器简介:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu m技术参数:主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正(P) 正(P)制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)推荐使用前置放大器型号:ZAMP主要特点:■ 砷化铟探测器(InAs)&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围:1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号,其中:◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件;◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议:● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85做为前级放大并转换为电压信号,标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制。
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  • 仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计,其中: ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图1) ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图2) ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件(光谱响应度曲线参考图3)主要特点:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ———常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:铟镓砷探测器使用建议: ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZAMP(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度; ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器; ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;
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置灵敏探测器相关的资讯

  • 长春光机所等研制出高灵敏度垂直结构光电探测器
    p style="text-align: justify text-indent: 2em "近日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光子实验室的于伟利与罗切斯特大学郭春雷研究团队合作,针对基于钙钛矿多晶薄膜的光电探测器性能易受晶界和晶粒缺陷的影响问题,采用空间限域反温度结晶方法,合成了具有极低表面缺陷密度的MAPbBr3薄单晶,并将该高质量的薄单晶与高载流子迁移率的单层石墨烯结合,制备出了高效的垂直结构光电探测器。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "近几十年来,光电探测器受到学术界和工业界的广泛关注,并被广泛应用到光通信、环境监测、生物检测、图像传感、空间探测等领域。甲基铵卤化铅钙钛矿(CH3NH3PbX3, X=Cl,Br,I)是近年来兴起的一种钙钛矿材料,因其具有直接带隙、宽光谱响应、高吸收系数、高载流子迁移率、长载流子扩散系数等优点,逐渐成为制备光电探测器的前沿热点材料。目前,基于钙钛矿多晶薄膜的光电探测器性能距预期仍有一定距离,一个主要原因在于载流子在界面的传输易受晶界和晶粒缺陷的影响。许多研究组尝试将钙钛矿多晶薄膜与高迁移率二维材料相结合来提高器件的性能,并取得了一定的效果,但钙钛矿多晶晶界带来的负面影响尚未解决。/pp style="text-align: justify text-indent: 2em "该研究团队利用空间限域反温度结晶方法生长出的MAPbBr3薄单晶具有亚纳米表面粗糙度且没有明显的晶粒界畴,可以结合高质量钙钛矿单晶合成技术和单层石墨烯转移技术制备高性能的垂直结构光探测器。所制备的垂直结构光电探测器在室温下具有较高的光电探测率(~ 2.02× 1013 Jones);在532 nm激光照射下,与纯钙钛矿MAPbBr3单晶薄膜的光电探测器相比,钙钛矿-石墨烯复合垂直结构光电探测器的光电性能(光响应度、光探测率和光电导增益)提高了近一个数量级。载流子超快动力学研究证明,该器件性能的提高主要归因于高质量钙钛矿单晶的钙钛矿载流子寿命增长和石墨烯对自由电荷的有效提取及传输。相关结果已发表在Small(DOI: 10.1002/smll.202000733)上。    /pp style="text-align: justify text-indent: 2em "该研究将钙钛矿单晶材料和二维材料石墨烯有效结合在一起,利用二者在载流子产生、输运方面的协同优势,实现了器件性能的提升,展现了器件结构及能带设计对器件性能的调控能力,为制备高性能钙钛矿光电探测器提供了新思路。/pp style="text-align: center text-indent: 0em "img style="max-width:100% max-height:100% " src="https://img1.17img.cn/17img/images/202007/uepic/48f51961-fad3-4042-8faa-7cbd8255f9d8.jpg" title="高灵敏度钙钛矿单晶-石墨烯复合垂直结构光电探测器.jpg" alt="高灵敏度钙钛矿单晶-石墨烯复合垂直结构光电探测器.jpg"//pp style="text-indent: 0em text-align: center "strong高灵敏度钙钛矿单晶-石墨烯复合垂直结构光电探测器/strong/ppbr//p
  • 苏州纳米所等研制出超高灵敏度新型微波探测器
    射频微波探测器是微波系统中的重要电子器件,在通讯、雷达、导航、遥感、电子工业、医疗、科学研究等方面具有广泛应用。近年来,随着通信技术的迅速发展,对未来微波探测器提出了更高的需求,如对微弱信号(μ W以下)的高灵敏度检测,以及功耗低和易于小型化、集成化。利用电子自旋特性而不是电子电荷属性来构建微波探测器,有望解决上述挑战。  近期,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所曾中明团队与国内外科学家合作在基于电子自旋特性的微波探测器件研究方面取得了新的进展。他们利用薄膜制备技术精确控制纳米磁性薄膜的界面特性,巧妙地在“磁性自由层/隔离层/磁性固定层”三明治纳米结构中使自由层的磁矩垂直于薄膜平面,而固定层的磁矩平行于薄膜平面(图a)。由于两磁性层的磁矩成近90度排列,极大地提高了自旋注入效率。该结构具有优异的微波探测性能:在1 nW的微弱信号作用下,其探测灵敏度高达75,400 mVmW-1,是半导体Schottky 二极管探测器探测极限的20倍。同时,该器件体积是半导体微波探测器的1/50,易于集成。此外,该器件可在零磁场下工作,消除了对外加磁场的依赖,简化了器件结构,降低了功耗。该研究结果为设计新型高灵敏的纳米微波器件提供了重要指导。相关研究成果发表在近期Nature Communications上(Nature Communications,2016, 7: 11259)。  该研究工作得到了科技部重大仪器专项和国家自然科学基金资助。
  • 大连化物所研制出可用于非接触人机交互系统的高灵敏长波红外探测器
    近日,大连化物所二维热电材料研究组(DNL2104组)陆晓伟副研究员、姜鹏研究员、包信和院士团队在高灵敏、低功耗人体红外热辐射探测器研制及其在非接触人机交互系统中的应用方面取得新进展。人体自发热辐射主要位于长波红外(8至14 μm)波段,呈现出光子能量低(~0.1 eV)、光强弱(~5 mw/cm2)等特点。实现人体红外热辐射的高灵敏探测,对构建低功耗、非接触人机交互系统具有重要意义。作为一种热敏型探测器,光热电探测器是基于光热转换、热电转换两个能量转换过程,具有光谱响应范围宽、无需制冷、功耗低等优点。目前,商业的光热电探测器通常采用分立式的热电堆结构,需要复杂的MEMS微机械加工制备工艺,且在探测人体热辐射时,其输出电压相对较小(数十至数百微伏),需要额外的高信噪比信号采集电路。本工作中,该研究团队突破传统热电堆材料和构架的限制,构建了基于SrTiO3-x/CuNi异质界面结构的一体式热电堆。该异质界面结构一方面将SrTiO3-x高的Seebeck系数(-737 μV/K)与CuNi高的电导率(5×105 S/m)协同耦合,在降低器件内阻的同时,可保持高的电压输出;另一方面,通过结合声子共振吸收和自由载流子吸收,该异质结展现出优异的吸光能力,其在长波红外波段的吸光率最高可达98%。结合这些优势,基于SrTiO3-x/CuNi的热电堆在探测人体辐射时展现出高灵敏度、低噪音、高稳定性等特征,其输出电压最高可达13 mV,相比商业热电堆有数量级的提升。通过进一步构建热电堆阵列,团队还实现了实时手势识别、非接触式数字/字母输入等功能。该研究为开发低功耗非接触人机交互系统提供了新思路,在人工智能技术、公共卫生安全领域具有广阔的实际应用价值。相关研究成果以“SrTiO3/CuNi Heterostructure-based Thermopile for Sensitive Human Radiation Detection and Noncontact Human-machine Interaction”为题,发表在《先进材料》(Advanced Materials)上。上述工作得到国家自然科学基金、中国科学院创新交叉团队、大连化物所创新基金等项目的资助。

置灵敏探测器相关的方案

  • 氦质谱检漏仪红外探测器杜瓦封装检漏
    随着空间遥感技术的不断发展, 对空间探测器的性能和光谱提出越来越高的要求. 红外探测器是红外探测系统的核心元件, 在航天和天文领域有广泛的应用, 随着波长向长波扩展和探测灵敏度的提高, 红外探测器必须在超低温下工作. 因此需要将红外探测器封装在杜瓦瓶中, 组装成杜瓦封装器件, 目前红外探测器在空间应用中多采用机械制冷方式, 将外部制冷机与杜瓦封装器件连接. 从而实现低温工作. 真空度的保持是杜瓦封装器件的重要指标. 真空度差或者真空度保持时间短将直接影响红外探测器组件的性能. 因此需要进行泄漏检测, 上海伯东德国 Pfeiffer 氦质谱检漏仪提供无损的检漏方法, 成功应用于红外探测器杜瓦封装器件检漏!
  • 无铅紫外窄带光电探测器的制备
    近日郑州大学史志锋团队,成功利用无铅钙钛矿,制备出一种紫外窄带光电探测器。它具有高的光谱选择性,不仅填补了无铅钙钛矿在紫外窄带探测器的研究空白,也为实现无铅紫外光电探测器在全波段的商业化应用,提供了新的思路和可能。
  • 新型UVD探测器在锆石研究中的应用
    Hitachi公司自主研发的超级可变压力探测器UVD,设计原理和阴极荧光探测器类似,同时可实现接收阴极荧光的功能,可应用在日立钨灯丝扫描电镜SU3500以及场发射扫描电镜SU5000等可以配置UVD探测器的设备上进行相应的形貌、成分、阴极发光等观察。

置灵敏探测器相关的资料

置灵敏探测器相关的论坛

  • 石墨烯结合量子点制成高灵敏光电探测器

    中国科技网讯 据物理学家组织网5月16日(北京时间)报道,西班牙塞西斯光学技术研究所用石墨烯结合量子点成功研发出一种混合型光电探测器,灵敏度是其同类探测器的10亿倍。研究人员指出,该研究预示了石墨烯在光学传感器和太阳能电池领域的新应用。相关论文发表在最新一期《自然·纳米技术》上。 石墨烯在光电子学和光电探测应用领域极有潜力,具有光谱带宽广、响应迅速的优点,但缺点是光吸收能力弱,缺乏产生多倍载荷子的增益机制。目前的石墨烯光电探测器响应度(一定波长的光在入射功率作用下的输出电流)在0.01A/W以下。 研究人员解释说,所需要的是一种迫使更多光被吸收的方法,石墨烯吸收光的效率仅为3%。为了提高光吸收率,他们转向了量子点。量子点是一种纳米晶体,能根据自身大小吸收不同波长的光。从本质上讲,光电探测器是一种把少量光转化为微小电流的设备,通过检测电流来确定有多少光进入了设备,或者直接用该电流产生其他反应,比如辅助产生摄影图像。 为了制造光电探测器,研究小组首先用标准的胶带法剥离出一层石墨烯作底片,用纳米印刷术在上面印上微小的黄金电极,然后用喷雾瓶将硫化铅晶体喷在上面。这些胶状晶体包含了各种大小的颗粒,几乎能吸收所有波长的光。他们用不同波长的光来照射探测器,检测其电阻和电量。 在制造量子点时,要保证在量子点和石墨烯之间实现配位体交换最大化,最大困难是找到合适的材料组合。研究人员说,他们经多次试验,终于使内量子效率达到了25%。在探测器中,量子点层中的光强烈而且可调,生成的电荷传导到石墨烯,在此电流多次巡回,响应度达到了107A/W。 研究人员还指出,在这种光电探测器基础上,还能造出更多新设备,如数字摄像机、夜视镜以及其他多种传感器设备。(记者 常丽君) 总编辑圈点 石墨烯极高的导电性着实令科学家着迷,也因此激发了科学家利用石墨烯来设计超高速光电探测器。传统的硅基光电探测器不能折叠,也不便宜,而且不够灵敏。多年来,一种便宜、可折叠的光电探测器一直是科学家们的梦想。单层石墨烯似乎可以胜任。然而单层石墨烯吸收光子的能力比硅还差,仅有3%的光子被吸收。而当量子点附着在其表面时,其吸收光子的能力可神奇地提高到50%。这样一来,可以穿在身上的电子产品或许真的不再是梦了。 《科技日报》(2012-05-17 一版)

置灵敏探测器相关的耗材

  • BSE探测器
    这款BSE探测器,BSE detector 是欧洲进口的全球领先的背散射电子探测器,它采用全球最佳的闪烁体晶体探测器和光电倍增管,精密真空机械以及高精度电路,以卓越的性能满足背散射电子探测应用。BSE探测器特点采用YAG:Ce单晶闪烁体采用闪烁体和光电倍增管,提供极佳的图像质量全球最佳的超低能量镀膜技术,灵敏度可到0.5Kev 优异的信噪比无限的探测器寿命电动可回缩高精密导臂波纹管密封高真空系统完全用户订制化的SEM连接系统BSE探测器,背散射电子探测器性能YAG:Ce闪烁体探测器提供最佳效率和最小余光afterglow, decay time 衰减时间为75ns @30光子/Kev YAG:Ce闪烁探测器外径15mm , 内孔6mm, 4mm, 2mm 或1.2mm任选,它限制视场大小。灵敏度高达1pA电子束
  • X射线探测器 X射线探测器
    X射线探测器是一种位置灵敏性的探测器 (Position sensitive detector, PSD), 非常适合各种X射线衍射仪探测器的使用。X射线探测器具有专利技术的X射线衍射仪探测器使用坚固的blade anode技术,而不是基于传统微光子技术,它不需要维护,不受X射线束的影响。X射线探测器特点先前的PSD探测器基于fragile wire anode technology,这种技术的探测器噪音较大,而且很容易被较强的X射线损坏。为了克服这个问题,法国Inel公司投入大量人力研发了这种PSD新型X射线探测器,使用钢合金替代原有材料,使得X射线探测器非常坚固而且不易被损伤。PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末,固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计,具有110度,120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造,代替了传统的机械扫描装置。这款PSDX射线衍射仪探测器可用于粉末,固体和液体的实时X射线实验。X射线探测器,X射线衍射仪探测器弧形设计,具有110度,120度和90度的弧度共用户选择。该X射线探测器,X射线衍射仪探测器全固化设计制造,代替了传统的机械扫描装置。
  • 热电堆红外探测器
    热电堆红外探测器每个热电堆探测器的基座由所谓的热电偶形成。 由于两种不同金属(塞贝克效应)的热扩散电流,它会产生一个电压。应用:远距离温度测试“应用是由客户设备的设计来定义的。我们的产品组合提供准时和整体测量的产品。”(Micro-Hybrid有限公司研发部主管Steffen Biermann先生)工艺和产品温度是制造工艺的重要物理指标。 监测温度确保生产线的高质量水平。 远程温度测量非常适用于大距离,移动部件或适用于各种工业领域的高温应用。优点:响应时间短无反应测量,对测量对象无影响没有破坏连续实时监控温度临界时间我们在-20°C至190°C的外壳温度范围内提供不同测量要求的传感器类型。 我们的探测器适用于高温测量的大多数应用领域。应用产品准时的温度测量TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1积分温度测量TS1 × 200B-A-D3.55-1-Kr-A1高温环境下的温度测量TS1 × 80B-A-D0.48-1-Kr-B1-190NDIR红外气体分析Micro-Hybrid提供NDIR气体分析的完整产品系列。 即使是恶劣的环境也不会阻碍我们的客户升级自己的应用。优点:快速,可重复,长期稳定地测定各种红外活性气体的浓度高精度和高分辨率的限制在低漂移下的使用寿命长,无化学反应高温能力(190°C)测量稳定性高,即使在恶劣的环境下NDIR气体分析方案确保和监测过程稳定性的气体浓度的测量,在涉及气体的所有工业过程中是至关重要的。 气体浓度的准确和可再现的检测是应用的重要组成部分,特别是在医疗和环境技术中。 此外,NDIR(非分散红外)气体分析可以在私人或工业领域进行宽带或高度选择性的有害物质检测,例如监测和检测爆炸性气体和污染物。它是测量这种气体浓度的光学分析工具。 关于与红外活性气体的光学相互作用,NDIR分析是一个快速而有效的过程。NDIR气体测量的应用领域:根据不同的功能原理和我们的元件组合,我们会结合适合您的测量任务对应气体传感器解决方案。 您可以从我们的产品查找器中订购单个产品样品或直接联系我们的NDIR气体分析专家。气体传感器CO2 气体传感器甲烷气体传感器耐190°C高温耐190°C高温红外光源JSIR 350-4JSIR 350-5JSIR 450高频率高辐射强度超高频率的手持设备"超高的辐射强度热电堆探测器TS 80TS 200高温应用高灵敏度手持设备热释电探测器电流模式电压模式极高的灵敏度极高的频率电压模式低频率特征:使用BiSb / Sb等优良材料获得良好的热电堆效应:高探测灵敏度*灵敏度高达295 V / W配合Micro-Hybrid相关产品使用,一致性好*高达7.2 x 108 cm Hz1 / 2 / W结构概况用于高温应用的热电堆探测器在高温环境下对机器和过程进行温度监测是一个挑战。 我们的高温热电堆探测器完全符合各种工业应用中的高温等特殊要求。特征:应用环境温度可高达190°C焊接滤波片(可选)高灵敏度耐高湿适合化学分析过程抵御侵蚀性气体如甲烷,二氧化硫等用于不同的温度范围和测量任务的热释电传感器可以在这里找到:信号作为测量对象温度的函数测量物体温度变化时的信号II通过改变环境温度来修改信号修改我们的热电堆传感器可以在我们广泛的可应用范围内进行调节:传感器芯片,红外滤波片等。 通过这种方式,可以在各种应用条件下始终获得优良的测量结果。产品选择TS1x200B-A-D3.55单通道热电堆探测器基于MEMS技术的用于NDIR气体分析的高敏感热电堆探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:3.55 dia工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数1TS1x200B-B-D2.4单通道热电堆探测器基于MEMS技术的用于NDIR气体分析的高度敏感的热电堆探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:2.4 dia工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO46应用NDIR气体分析通道数1TS1x80B-A-D0.48单通道热电堆探测器基于MEMS技术的拥有较小有效区域的热电堆探测器 推荐用于使用带通滤波器的温度测量。灵敏度[V / W]295D* [cmHz½/W]7.2x10^8光圈[mm²]:0.48 dia工作温度[°C]-20 … +85封装模式TO39应用温度测量通道数1TS1x80B-A-D0.75单通道热电堆探测器基于MEMS技术的具有较小有效区域的热电堆探测器 推荐用于带有带通滤波器(8-14µm)的温度测量。灵敏度[V / W]295D* [cmHz½/W]7.2x10^8光圈[mm²]:0.75 dia工作温度[°C]-20 … +85封装模式TO39应用温度测量通道数1TS1x80B-A-D0.75-… -180单通道热电堆探测器基于MEMS技术的具有较小有效区域的热电堆探测器 推荐用于在高温环境下使用带通滤波器(8-14 Lm)进行温度测量。灵敏度[V / W]295热电堆探测器D* [cmHz½/W]D* [cmHz½/W]7.2x10^8热电堆探测器光圈[mm²]:光圈[mm²]:0.75 dia热电堆探测器工作温度[°C]工作温度[°C]-20 … +180封装模式TO39热电堆探测器应用应用温度测量热电堆探测器通道数通道数1TS2x200B-A-S1.5双通道热电堆探测器用于NDIR气体分析的基于MEMS技术的带有窄带滤光片的高灵敏度热电堆双探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:1.5 x 1.5工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数2TS4x200B-A-S1.5四通道热电堆探测器用于NDIR气体分析的基于MEMS技术的带有窄带滤波器的四通道热电堆探测器。灵敏度[V / W]100D* [cmHz½/W]3.6x10^8光圈[mm²]:1.5 x 1.5工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数4TS4xQ200B-A-S1.5四通道热电堆探测器基于薄膜技术的高灵敏度四通道热电堆检测器,带窄带过滤器,用于气体分析。通过“单芯片”解决方案对接电气和物理通道参数。灵敏度[V / W]80D* [cmHz½/W]2.95x10^8光圈[mm²]:1.5 x 1.5工作温度[°C]-20 … +70封装模式TO39应用NDIR气体分析通道数4
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