铟镓砷探测器

仪器简介：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件。技术参数：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm 三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中： ◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1） ◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2） ◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）主要特点：■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs） ———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs） ——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：铟镓砷探测器使用建议： ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度； ● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器； ● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接

仪器简介：铟镓砷探测器 工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性技术参数：铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内，提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性，不同型号对应的截止波长分别为1.9um,2.2um,2.4um,2.6um。主要特点：铟镓砷探测器针对性能要求比较高的应用，我们提供热电制冷模块配合探测器使用，从一级制冷到四级制冷模块都可选择。产品主要应用： 1.气体分析 2.近红外FTIR 3. 近红外荧光光谱 4. 血液分析 5.光通讯 6.光功率测量

铟镓砷探测器(InGaAs) 新势力光电供应铟镓砷探测器(InGaAs)，有效探测直径可达3mm，具有低暗电流和高灵敏度的特点，封装形式包括：TO针脚形式和SMD贴片形式。其中，可见光增强模块可选。InGaAs detectors (high sensitivity up to 1700nm)Type No.Active areaDark currentSpectral responsivityWavebandChipPackageSizeArea5V650nm1550nm-mmmm2nAA/WA/WnmPC0.7-iLCC6.11.0 0.720.050.95900-1700PC0.7-iTO52S11.0 0.720.050.95900-1700PC0.7-ixLCC6.11.0 0.720.30.95600-1700PC0.7-ixTO52S11.0 0.720.30.95600-1700PC2.6-iTO5i2.0 2.6100.050.95900-1700PC7.1-iTO5i3.0 7.1250.050.95900-1700相关商品光电二极管(PIN) 雪崩二极管(APD) 光电管接收模块 光电管放大器

铟镓砷（InGaAs）放大型光电探测器PDA20A6B4G-NIRPDA20A6B4G-NIR光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。PDA20A6B4G-NIR光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。 工作原理PDA系类主要可以用来测试脉冲光信号或者连续光波信号。内部包括一个反向偏置的光电二极管与固定增益的跨组放大器相匹配。光信号由光电二极管与匹配的固定增益的跨组放大器转换为微弱的电压信号。后级放大将小信号电压放大输出。系统中包含了一个固定调偏的电路，保证在无光的情况下系统输出的偏置电压接近0V。PDA20A6B4G-NIR光电探测器经过调偏电路后，暗偏置电压（在无光的情况下输出的偏置电压）可以控制在±5mV以内。系统内部同样集成了功率驱动电路，用以驱动BNC转接线以及50Ω阻抗适配器，保证宽电压输出的线性度。当输出载荷为高阻态时，线性输出电压可以达到6V。当输出载荷为50欧姆阻抗匹配时，线性输出电压可以达到2.5V。 电气参数光谱灵敏度交流传输特性

仪器简介：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu m技术参数：主要技术指标型号/参数 DInAs3800 DInAs3800-TE光敏面直径(mm) 2 2波长范围(&mu m) 1-3.8 1-3.8峰值响应度(A/W) 0.8 1.5D*(@&lambda peak, 1KHz)cm Hz1/2W-1 2.5× 109 9.1× 1012NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/ 2 71 4.4温控器型号 - ZTC-2探测器温度(℃) 室温 -40温度稳定度(℃) - ± 0.5信号输出模式 电流 电流输出信号极性 正（P） 正（P）制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）推荐使用前置放大器型号：ZAMP主要特点：■ 砷化铟探测器（InAs）&mdash &mdash &mdash 近红外探测器 波长范围：1-3.8&mu mDInAs3800和DInAs3800-TE两种型号，其中：◆ DInAs3800内装进口常温型探测元件；◆ DInAs3800-TE内装进口TE制冷型探测元件。砷化铟探测器使用建议：● DInAs3800和DInAs3800-TE均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；● 制冷型DInAs3800-TE砷化铟探测器，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制。

仪器简介：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为1um-3.8um。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。技术参数：砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷，覆盖波长范围为 1um-3.8um。不同于常规的光导型探测器，砷化铟为光伏型，不需要偏置电流主要特点：砷化铟探测器适用于直流或低频应用。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应，适合监控探测快速脉冲激光。主要应用包括： 激光预警 在线控制监测 温度传感器 脉冲激光监测 红外光谱 功率计

大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs PhotodiodesDownload DatasheetFeatures:• Active Diameter (0.5mm to 5mm)• Cutoff Wavelength (1.7μm)• High Shunt Resistance for High Sensitivity• Multiple Lens Selection (Biconvex, Planoconvex, or Ball)• Optical Filters (Neutral Density and Bandpass)• Packages (TO-46, TO-18, TO-5 or TO-8)Applications:• NIR Sensing/Radiometry• LED/LD Characterization• Medical Diagnostics• Spectroscopy• Raman Spectroscopy• Spectroscopy• Astronomy/Photometry

铟镓砷InGaAs单光子盖革雪崩探测器

总览PDAM20A6B4G-InGaAS光电探测器是一种额定带宽，固定增益的光电探测器，用于检测光信号。光信号从光电sensor感应面输入，输出通过BNC以电压形式输出。本产品能测量800nm到1700nm波长范围的光信号。具体性能参数数据参考附录表格。LD-PD光电探测器外壳带有英制1/4"-20螺纹的安装孔，可以方便的安装固定。 外壳部分还附带两种不同尺寸的螺纹接圈，这两种螺纹接圈分别适合于工业应用和科研应用，可以方便适配外部光学部件，如滤光片，衰减片，镜头，FC光纤转接盘等。该产品包含一个塑料防尘盖。具体安装请参考阅读第三章节。 每个光电探测器都配有一个输出±9V的直流线性电源，该直流电源的输入额定电压为220VAC/50HZ。铟镓砷 InGaAs 高速放大型光电探测器 800-1700nm (DC - 5MHz) ,铟镓砷 InGaAs 高速放大型光电探测器 800-1700nm (DC - 5MHz)通用参数产品特点：低噪声，小于±lmV过冲小，过冲电压小于2.5%增益稳定：增益误差小于1%暗偏置电压输出噪声：小于ImV (rms)应用领域：&bull 显示面板检测&bull LED照明频闪分析&bull 玩具灯闪烁频率及功率测量&bull 气体分析参数PN#PDA M 005B- SiPDA M 36A5B6G- SIPDA M 20A6B4G- InGaAs电器特性输入电压±9VDC, 60mA±9VDG 100mA±9VDC. 100mA探头Silicon PINSilicon PINInGaAs PIN感光面2.65mm * 2.65mm3.6mm * 3.6mmDiameters@2 mm波长400 nm - 1100 nm320 nm - 1100 nm800 nm - 1700 nm(Optional Extended(可选扩展) 2600nm)峰值响应0.62A/W @850nm0.6 A/W @960nm0.9 A/W@1550nm43.6mV/uW @850nm1 mV/nW @960nm9mV/uW@1550nm饱和光功率113pW@ 850nm (Hi-Z)6uW @960nm (Hi-Z)660 uW@1550nm (Hi-Z)芾宽DC &bull -5MHzDC - 200kHzDC - 5MHzNEP7.2 pW/4HZ1/22.2 pW/HZ1/264.5 pW/HZ1/2输出噪声（RMS）700 uV1 mV ・ typ1.3 mV .typ暗电流偏置（MAX）±5 mV±1 mV±5 mV上升沿/下降沿（10%—90%）65 ns1.7 us68ns输出电压Hi-Z0- SV (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)0-6V (Hi-Z)5000 &bull 2.5V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)0 &bull 25V (50ohm)增益倍数Hi-Z67.5 kV/A1.68 MV/A10 kV/A50Q33.8 kV/A0.84 MV/A5kV/A增益精度（typ）±1%±1%±1%其他参数拨动开关拨动开关拨动开关输出接口BNCBNCBNC尺寸53*50*50mm53*50*50mm53*50*50mm重量150g150g150g操作温度10-50deg10-50deg10-50deg存储温度・ 25°C - 70°C-25°C - 70°C-25°C - 70°C 铟镓砷光电探测器，带放大，固定增益型号参考型号波长带宽上升时间增益RMS噪声NEP感应面工作温度电源Hi-Z 负载50Ω 负载PDA10A8B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 140MHz2.5 nS1*104 V/A5*103 V/A760µ V .typ4.8*10-12 W/√HZф1 mm10-50℃包含（±9V）PDA05A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 25MHz14 nS1.2*104 V/A6*103 V/A1mV .typ1.9*10-11 W/√HZф0.5 mm10-50℃包含（±9V）PDA10A7B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 12MHz29 nS1*104 V/A5*103 V/A800µ V .typ2.6*10-11 W/√HZф1 mm10-50℃包含（±9V）PDA20A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 5MHz70 nS1*104 V/A5*103 V/A1.3mV .typ6.5*10-11 W/√HZф2 mm10-50℃包含（±9V）PDA30A6B4G-NIR800 - 1700 nmDC - 2MHz175 nS1*104 V/A5*103 V/A800µ V .typ6.3*10-11 W/√HZф3 mm10-50℃包含（±9V）外观及安装使用测试案列：测试光源：PN：PL-DFB-9672.4-B-A81-PASN：DO3431e-q2-Bo2-A19测试条件：25℃、激光器电流扫描15-23mA，探测器输出如下图。此款探测器在972nm时，探测精度高，微弱光（几十微瓦）也可以探测到。尺寸图

低噪声、高可靠性的红外探测器（适用于3 um波段） 砷化铟光伏探测器在3 um波段具有与硫化铅光导探测器一样的高灵敏度，还具有低噪声、高速和高可靠性等特性。 P10090-11型光伏探测器比我公司的传统产品（P8079系列）具有更低的噪声。特性- 低噪声- 高探测能力- 高可靠性- 可以选择多象元阵列型（客户定制）光谱响应外形图（单位：mm）

低噪声、高可靠性的红外探测器（适用于3 um波段） 砷化铟光伏探测器在3 um波段具有与硫化铅光导探测器一样的高灵敏度，还具有低噪声、高速和高可靠性等特性。 P10090-11型光伏探测器比我公司的传统产品（P8079系列）具有更低的噪声。特性- 低噪声- 高探测能力- 高可靠性- 可以选择多象元阵列型（客户定制）光谱响应外形图（单位：mm）

一 ,OASA光学音频传感器模组, 远程声波检测,激光麦克风Omnisensing公司新推出的先进光学音频传感器模组(OASA)，型号为OSP-OASA-G100，设计用于远程声波检测，采用一体式封装，将激光器、检测器、PIC(光子集成电路)和透镜集成在一个小封装中。利用我们专有的硬件和固件，OASA可以检测和捕捉距离高达50m的微小振动。其作为远程激光麦克风的基本功能提供了无与伦比的分辨力，在恶劣或嘈杂的环境下，允许用户快速识别所需的捕获信号。它可以作为一个独立的传感器模组，也可以作为现有模块或仪器的附加功能。这种高灵敏度音频信号检测引擎的使用将增强科学、工业和制造业应用的远程测量。定制设计也可用于航空航天、音频声学、汽车、医疗和结构分析。OASA光学音频传感器模组, 远程声波检测,激光麦克风 ,OASA光学音频传感器模组, 远程声波检测,激光麦克风产品特点高灵敏度:由于其光学相干检测的PIC引擎，OASA模组可以检测高达50m的非常小的音频信号。振动测量精度在整个频率范围内保持不变。高分辨率:在可检测音频范围内(150Hz-6KHz)，可检测振动速度约为10nm/s。小尺寸:50mmx30mmx30mm低发射功率: 10mW，低功耗。不受环境干扰。独立组块可以通过以太网联网，也可以通过USB控制低成本可扩展组件，适合大批量生产。提供参考设计和应用支持。产品应用适用于先进远程麦克风设计的音频传感器作为监控系统的一个组成部分，通过远程音频检测增强了安全性。独立传感器模组的关键组件视频监控系统的附加功能技术参数规格参数测量距离(m)5-50激光输出(mW)10激光波长(nm)1310眼睛安全等级一级透镜直径(mm)28最佳距离下的聚焦光束尺寸(mm) 1@5m， 5@50m防眩光干扰(Lux)60000s采样速率(MHz)5声波测量频率范围(kHz)500~5000声波测量范围(mm/s)5000声波测量灵敏度(nm)0.1参考设计硬件功耗(W)6包括透镜的尺寸(mm)50x30x30重量(g)50温度范围(℃)0-50相对湿度35%-85%独立传感器模组的关键组件视频监控系统的附加功能机械:当前参考设计下的机械尺寸二, InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-800×2型应用领域：工业检测、机器视觉、光谱分析、物料分选等 产品特点：2 档增益、高行频、高灵敏、室温工作InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-800×2型,InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-800×2型通用参数应用领域：工业检测机器视觉光谱分析物料分选等 产品特点：2 档增益高行频高灵敏室温工作技术参数特性参数典型值规模800×2光敏面尺寸25um×25um像元中心距25 um光谱响应波段0.9~1.7 um灵敏度1 A/W响应非均匀性≤5%盲元率≤1%动态范围≥60dB帧频2500Hz增益2档工作温度-20~ +60 ℃储存温度-40~+70 c外形尺寸55 mm (L)×33mm (W)×13 mm (H)封装形式内部集成热电制冷器、管壳气密封装典型光谱响应曲线产品结构及尺寸： （单位 mm） 注意事项：（1）产品使用过程中，需要防静电保护，操作人员应戴静电手环。 （2）产品在存贮、运输过程中，应放入防静电的泡沫中，并储存于防静电盒内。（3）针脚插拔不能用力过大，针脚弯折不能沿根部弯折超过 45°，防止弯折造成玻璃珠开裂。（4）产品需在断电后进行插拔操作。三,InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-1024×2 型应用领域：工业检测、机器视觉、光谱分析、物料分选等产品特点：2 档增益、高行频、高灵敏、室温工作InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-1024×2 型, InGaAs 铟镓砷线列探测器(用于相机) 0.9-1.7um NIR-1024×2 型通用参数应用领域：工业检测机器视觉光谱分析物料分选等产品特点：2档增益高行频高灵敏室温工作技术参数特性参数典型值规模1024×2光敏面尺寸20um×20um像元中心距20 um光谱响应波段0.9~1.7 um灵敏度1A/W响应非均匀性≤5%盲元率≤1%动态范围≥60dB帧频2000Hz增益2档工作温度-20~+60 ℃储存温度-40~ +70 ℃外形尺寸55 mm (L)×33 mm (W)×13 mm (H)封装形式内部集成热电制冷器、管壳气密封装四,NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7umNIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um产品特点：NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um,NIR-256×1 型 InGaAs 线列探测器 0.9-1.7um通用参数应用领域：近红外光谱仪产品特点：正照射结构高长宽比光敏面灵敏度高内部集成热电技术参数特性参数典型值规模256×1光敏面尺寸50um×50um像元中心距50 um光谱响应波段0.9~1.7 um峰值探测器率≥1x1012 cmHz1/2/W@5°C 1 .55 um响应非均匀性≤5%盲元率≤0.5%动态范围≥70dB量子效率≥80%工作温度-20~ +60 ℃储存温度-40~+70 c外形尺寸55 mm (L)×30mm (W)×10 mm (H)封装形式内部集成热电制冷器、管壳气密封装典型光谱响应曲线

8 um波段高速响应高灵敏度的热电制冷红外探测器，不需要液氮P12691-201由于使用了我公司独特的晶体生长技术，在8 um波段具有高灵敏度。铟砷锑光伏探测器有PN结，保证了高速响应和高可靠性。典型应用包括CO2, SOx, CO和NOx等气体分析。 与P11120-901金属杜瓦型探测器不同，该探测器使用了紧凑封装（TO-8），不需要液氮，因此更易于使用。特性- 高速响应- 高灵敏度- 高可靠性- 紧凑型热电制冷TO-8封装- InAsSb材料，环境友好- 与QCL可以安装进模块中详细参数 感光面积 φ1 mm 象元数 1 封装 Metal 封装类型 TO-8 制冷 二级TE制冷 截止波长（典型值） 8.3 μm 峰值波长（典型值） 6.7 μm 光灵敏度（典型值） 1.2 A/W 测试条件 Td=-30℃光谱响应外形图（单位：mm）

一,InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列 800-1700nm超低噪声光电单元探测模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声隔离电源单电源供电，输出信号不受外部供电电源的影响。该模块在本底噪声控制方面尤为突出， 在相同参数下其本底噪声约为常规模块的三分之一，很好满足客户对更小信号探测以及更高信噪比的需求。InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列 ,InGaAs 超低噪单元探测器 UPD-A系列通用参数产品特点噪声超低高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源产品应用光纤传感光纤通信激光测距光谱测量ns 级光脉冲探测参数产品型号UPD-100M-AUPD-200M-AUPD-300M-AUPD-400M-AUPD-500M-AUPD-600M-AUPD-800M-AUPD-1G-AUPD-1.2G-AUPD-1.5G-AUPD-2G-AUPD-2.5G-AUPD-5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G2G2.5G5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K15K15K30K30K30K30K30K30K6KV/W饱和光功率140140140420280280140140140420140140700μWNEP2.22.22.22.73.13.13.33.33.33.33.33.33.3pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCDCACACACACACACAC供电电压555551212121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.3A光学输入FC/APC（自由空间光可选）FC/APC射频输出SMASMA外形尺寸65*50*2065*50*2580*90*25mm测试结果300MHz超低噪声单元探测器超低噪单元探测器与常规单元探测器底噪对比二,铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN单元探测器 PD系列 800~1700nm总览高速低噪声光电探测器模块集成了超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN探测器,单元探测器 800~1700nm,铟镓砷 InGaAs 超低噪声模拟PIN探测器,单元探测器 800~1700nm产品特点● 噪声低● 高增益● 高带宽● 结构紧凑● 内置低噪隔离电源产品应用分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测光纤通信其它科研应用通用参数产品型号PD-100M-APD-200M-APD-350M-APD-800M-APD-1.6G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益30k30k30k30k/70030k/700V/A饱和输入光功率140150150150/2000150/2000μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DCDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.25(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸65*50*2075*55*2575*55*2575*55*2575*55*25mm寿命1000小时相干长度2-3米使用说明1.该 模块供电电压为5V，供电电流最大值为0.25A.2. Input 为光输入接口 RF为射频输出接口.3.接入输入端前请确保端面清洁防止脏污对测量结果造成影响.三, 铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅱ型 0.9-1.7um产品特点正照射结构灵敏度高响应时间快内部集成二级热电制冷器产品应用光谱探测与分析气体分析水含量分析等通用参数特性参数典型值备注光敏面直径1mm可订制规模单元工作温度-20～+60 ℃储存温度-55~+70 ℃波段0.9~1.7 um峰值波长1.55 um峰值量子效率≥90%室温峰值响应率≥1.1A/W-室温器件阻抗1.5×109Ω室温暗电流≤8x10-12A@-0.1V，室温等效噪声功率≤3*10-14 W/Hz1/2@1.55um,室温峰值探测率≥3x1012 cm.Hz1/2/W室温封装形式内部集成热电制冷器、TO-9管壳可订制典型光谱响应曲线：四, 铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um应用领域：光谱探测与分析、气体分析、水含量分析等产品特点：正照射结构、灵敏度高、响应时间快、内部集成二级热电制冷器铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um,铟镓砷 InGaAs 单元探测器 SWIR-Ⅰ型 1.0-2.5um产品特点正照射结构灵敏度高响应时间快内部集成二级热电制冷器产品应用光谱探测与分析气体分析水含量分析等通用参数特性参数典型值备注光敏面直径1mm可订制规模单元工作温度-20～+60 ℃储存温度-55~+70 ℃波段1.0~2.5 um峰值波长2.2 um峰值量子效率≥70%-20℃峰值响应率≥1.1A/W-20°C器件阻抗2.5×105Ω-20℃暗电流≤4x10-7A@-0.01V，-20℃等效噪声功率≤4.5*10-13 W/Hz1/2@2.2um,-20℃峰值探测率≥2x1011 cm.Hz1/2/W-20℃封装形式内部集成热电制冷器、TO-9管壳可订制典型光谱响应曲线：五,单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um本系列其它产品型号 共4条 名称型号货号 描述单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ300umP97M03T2-A光谱响应范围：0.95-1.65um；峰值波长：峰值λP：1.55um； 感光面积：Φ300um；芯片尺寸：850×850um；二级制冷；峰值响应率S：1.0 A/W；单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ500umP97M05T2-A光谱响应范围：0.95-1.65um；峰值波长：峰值λP：1.55um； 感光面积：Φ500um；芯片尺寸：1000×1000um；二级制冷；峰值响应率S：1.0 A/W；单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ1000umP97M10T2-A光谱响应范围：0.95-1.65um；峰值波长：峰值λP：1.55um； 感光面积：Φ1000um；芯片尺寸：1410×1410um；二级制冷；峰值响应率S：1.0 A/W；单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ2000umP97M20T2-A光谱响应范围：0.95-1.65um；峰值波长：峰值λP：1.55um； 感光面积：Φ2000um；芯片尺寸：2560×2560um；二级制冷；峰值响应率S：1.0 A/W；产品总览P97MXXT2系列单元InGaAs探测器主要由P-I-N结构的InGaAs光敏芯片、过渡电极板、温度传感器以及二级热电致冷器（TEC）组成，采用TO封装 形式。本使用手册仅针对该系列产品进行说明。单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um,单元InGaAs探测器 1.7um SWIR 二级TEC TO封装 感光Φ3000um通用参数探测器主要参数结构参数产品型号封装制冷形式感光面积(μm)芯片尺寸(μm)电极尺寸(μm)P97M03T2-ATO封装二级制冷Φ300850×850140×180P97M05T2-AΦ5001000×1000140×180P97M10T2-AΦ10001410×1410140×180P97M20T2-AΦ20002560×2560280×360P97M30T2-AΦ30003560×3560320×480光电参数 产品型号测试温度 Tch (℃)光谱响应范围 λ (μm)暗电流 ID (nA)结电容 C (f=1MHz，VR=0V) (pF)VR=1VVR=5VP97M03T2-A250.95±0.05 至 1.65±0.05峰值λP=1.550.10.550P97M05T2-A0.251100P97M10T2-A14300P97M20T2-A410800P97M30T2-A10402000 产品型号峰值响应率S(A/W)结阻抗Rsh(VR=10mV) MΩ峰值探测率D*(cmHz 1/2/W)噪声等效功率NEP(W/Hz1/2)P97M03T2-A1.035003×10128.9×10-15P97M05T2-A10001.5×10-14P97M10T2-A3003.0×10-14P97M20T2-A805.9×10-14P97M30T2-A408.9×10-14外形结构及电学接口该款探测器尺寸为φ15.3mm×10mm（不含针脚）；外壳底面上分布8根φ0.45mm针脚，针长13.5mm，用于TEC供电、温度传感器信号读取、探测器信号读出。感光面距离窗口下表面的设计值为2.3mm，距离安装面（即外壳底面）的设计值为6.2mm，窗口材料为蓝宝石，厚度为0.5mm，透光区域直径设计为φ9mm。感光面中心位于探测器中心，相对位置偏移＜0.3mm，机械接口外观及尺寸、光学及电学接口如图所示。响应光谱（典型值）热学参数使用环境指标名称典型值工作温度(℃)-45~+55存储温度(℃)-50~+60 热电致冷器特性探测器内集成二级热电致冷器（TEC），散热面中心即为探测器下表面中心，散热面积应≥6mm×6mm，其性能参数如下表所示： 性能指标数值Max. 热负载功率（Qmax/W）0.93W允许Max. 加载电流（ITEC-max/A）1A允许Max. 加载电压（VTEC-max/V）2V 温度监测模块特性本款探测器采用热敏电阻作为温度监控模块，在工作温度内电阻阻值与温度对应关系如下表所示：温度（℃）阻值（kΩ）温度（℃）阻值（kΩ）-6594.270-156.909-6069.290-105.587-5551.500-54.549-5038.70003.729-4529.40053.075-4022.560102.55-3517.490152.126-3013.690201.782-2510.810251.5-208.608301.268

一 , InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm总览UBD系系列超低噪平衡探测模块是原MBD系系列基础上升级产品，相比较原MBD系列在其他参数相同条件下其本底噪声显著降低，在相同带宽以及增益条件下，其本底噪声约为MBD系列模块三分之一，因此灵敏度更高，信噪比更高.InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm,InGaAs超低噪平衡探测器 UBD-A 800-1700nm通用参数产品特点超低噪声高增益高带宽结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量级光脉冲探测产品参数产品型号UBD-100M-AUBD-200M-AUBD-300M-AUBD-400M-AUBD-500M-AUBD-800M-AUBD-1G-AUBD-1.2G-AUBD-1.5G-AUBD-2G-AUBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.2G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K20K10K30K30K30K30K30K30KV/W最大输入光功率140140140210420140140140140140140μWNEP2.52.52.52.93.13.13.13.13.13.13.1pW/Sqrt(Hz)共模抑制比3030303030303030303030dB输出阻抗5050505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACACAC供电电压55555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC（自由空间可选）射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm测试结果300MHz带宽相应曲线超低噪平衡探测器与常规平衡探测器底噪对比八 , ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A)ULN-PDB 模块是一种即插即用型超低噪声平衡光电探测器，封装紧凑，使用方便。它采用 InGaAs、Si 或 GaAs 光电二极管，在直流耦合版本中，带宽为 100 MHz，增益高达 3.9 kV/A。ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A),ULN-PDB 超低噪声平衡光电探测器 (直流耦合 100 MHz 增益3.9kV/A)通用参数参数输出端数量2跨阻抗增益3.9 kV/A (x1) 和 39 kV/A (x10) 输出阻抗 50 Ω带宽100 MHz输出连接器SMA 母头输入连接器FC输出电压范围-3 V 至 +3 V输入插头P1J产品尺寸71 x 48 x 29 mm3产品重量约 300 克其它双色 LED 显示屏x1 通道和 500 µ W 光功率下输出的典型电压噪声功率谱密度：(受限于测量本底噪声）二,铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm总览高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm,铟镓砷 InGaAs光电平衡探测器 MBD-A系列 800-1700nm通用参数产品特点 噪声低 高增益 高带宽 结构紧凑 内置低噪隔离电源产品应用分布式光纤传感激光测风雷达光学相干层析光谱测量ns 级光脉冲探测产品参数产品型号MBD-100M-AMBD-200M-AMBD-300M-AMBD-400M-AMBD-500M-AMBD-800M-AMBD-1G-AMBD-1.5G-AMBD-2G-AMBD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M800M1G1.5G2G2.5GHz探测器响应度0.950.950.950.950.950.950.950.950.950.95A/W@1550nm跨阻增益30K30K30K10K5K30K30K30K15K15KV/A最大输入光功率140140140420840140140140280280μWNEP5557799999pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50505050505050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACDC/ACDCACACACACDC供电电压555551212121212V供电电流0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)0.3(max)A光学输入FC/APC（自由空间光可选）射频输出SMA外形尺寸62*47*2575*55*25mm测试结果相干探测分布式光纤传感三,铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm总览铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm,铟镓砷 InGaAs 蝶形封装低噪声光电平衡探测器 1100~1700nm通用参数产品特点：蝶形封装高带宽 DC~400MHz高增益 60KV/A；低噪声应用领域： 分布式光纤传感 ,包含ψ-OTDR,C-OTDR,DAS等激光测风雷达光学相干层析其他应用参数表型号XBD-200M-60K-A参数范围单位波长1100~1700nm带宽200MHz探测器响应度0.95@1550nmAw探测器类型lnGaAs跨阻增益*160Kv/A饱和输入光功率60uwNEP5pW/Sqrt(Hz)输出阻抗50共模抑制比25dB输出耦合方式*2AC/DC供电电压5v供电电流0.2(max)A外形尺寸蝶形封装光学输入FC/APC射频输出MCX*1：表中给出的是常规放大倍数，其它放大倍数可以根据客户需求进行定制；*2：耦合方式可以根据客户需求来确定；外形尺寸图（单位：mm)四,铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm总览筱晓光子针对光学相干检测应用研发了高速低噪声模拟相干接收模块。svdc power coherent receiver module模块内部集成了高速低噪声模拟光电平衡探测器以及高品质光纤耦合器。制作过程对耦合器分光比以及长度进行严格控制，从而进一步提高共模抑制比。在相干接收基础上，为进一步提高光学信噪比，高信噪比相干接收模块集成了一个低噪声小信号光纤放大器，用来放大微弱后向散射光信号。该模块适合于光纤传感、激光测风雷达等领域。包含 CRM-100M-A CRM-200M-A CRM-350M-A CRM-800M-A CRM-1.6G-A等型号铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm,铟镓砷 InGaAs 相干接收模块 集成光电平衡探测器光纤耦合器 800~1700nm产品特点● 高宽带● 高增益● 低噪声● 内置低噪隔离电源产品应用● 光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量技术参数产品型号CRM-100M-ACRM-200M-ACRM-350M-ACRM-800M-ACRM-1.6G-A单位波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益30k(60k)30k(60k)30k30k30kV/A光输入Local＜5＜5＜5＜5＜5mWSignal200300300300300uW供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光纤类型SMF-28(PM可选）光学输入FC/APC射频输出SMA外形尺寸80*80*30mm相关测试数据200MHz拍频信号（示波器数据）典型应用领域相干探测分布式光纤传感光纤上PZT振动点解调相位（1KHz）五,铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm总览筱晓光子自主研发了目前市场上优秀的程控增益光电平衡探测器，该探测器通过软件方便快捷调节增益，增益调节范围高达31dB，最大增益高达60KV/A。在增益调节过程中，调节速度快，噪声低，输出信噪比以及信号带宽不受影响，特别适用于科研、设备集成。产品型号 ABD-100M-A ABD-200M-A ABD-350M-A ABD-800M-A ABD-1.6G-A铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm,铟镓砷 InGaAs 程控增益可调平衡探测器 800-1700nm产品特点● 增益可调(软件调节)● 增益调节范围大(0~31dB)● 无信噪比劣化● 高增益(60KV/A)● 低噪声、高带宽● 操作方便产品应用● 分布式光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量● ns 级光脉冲探测技术参数产品型号ABD-100M-AABD-200M-AABD-350M-AABD-800M-AABD-1.6G-A单位波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W增益调节范围0~310~310~310~310~31dB增益调节步进11111dB跨阻增益30k30k30k30k30kV/A饱和输入光功率100150150150150μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式ACACACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸80*80*3080*80*3080*80*3080*80*3080*80*30mm相关测试数据与国外Thorlabs公司产品底噪对标测试底噪10mVpp200MHz拍频信号（示波器数据）典型应用领域相干探测分布式光纤传感光纤上PZT振动点解调相位（1KHz）六,铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器 BPD系列 800-1700nm总览C3A-I1700LA1高速低噪声光电平衡探测模块集成了两个匹配的超低噪声模拟PIN探测器、低噪声宽带跨阻放大器以及超低噪声电源。具有高增益、高灵敏度、高带宽、低噪声、高共模抑制比等特点，可以有效的减少信号的共模噪声，提高系统的信噪比。产品型号 BPD-100M-A BPD-200M-A BPD-350M-A BPD-800M-A BPD-1.6G-A铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器800-1700nm,铟镓砷 InGaAs 光电平衡探测器800-1700nm通用参数产品特点● 噪声低● 高增益● 高带宽● 结构紧凑● 内置低噪隔离电源产品应用● 分布式光纤传感● 激光测风雷达● 光学相干层析● 光谱测量● ns 级光脉冲探测技术参数产品型号BPD-100M-ABPD-200M-ABPD-350M-ABPD-800M-ABPD-1.6G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700800~1700800~1700800~1700800~1700nm带宽DC-100MDC-200MDC-350MAC-800MAC-1.6GMHZ探测器响应度0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nm0.95@1550nmA/W跨阻增益60k(30可选)30k(60k可选)30k(60k可选)30k(700k可选)30k(700k可选)V/A饱和输入光功率100150150150/2000150/2000μWNEP55599pW/Sqrt(Hz)输出阻抗5050505050Ω输出耦合方式DC/ACDC/ACDC/ACACAC供电电压5551212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APCFC/APCFC/APCFC/APCFC/APC射频输出SMASMASMASMASMA外形尺寸62x47x2562x47x2562x47x2562x47x2562x47x25mm相关测试数据与国外Thorlabs公司产品底噪对标测试底噪10mVpp200MHz拍频信号（示波器数据）七,铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm)总览雪崩光电平衡探测模块集成了低噪声APD探测器、低噪声宽带 跨阻放大器、超低噪声隔离电源、高压电源、APD温度补偿；隔离 电源供电确保输出信号不受外部供电电源的影响；APD温度补偿提 高探测模块的稳定性。雪崩光电探测器具有高增益、高灵敏度、高 带宽、低噪声等特点。铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm) ,铟镓砷 InGaAs 雪崩平衡探测器 (800~1700nm)通用参数产品特点噪声低高增益内置高压电源APD温度补偿结构紧凑内置低噪隔离电源应用领域： 光纤传感光纤通信激光测距光谱测量产品参数产品型号BAPD-100M-ABAPD-200M-ABAPD-300M-ABAPD-400M-ABAPD-500M-ABAPD-600M-ABAPD-800M-ABAPD-1G-ABAPD-1.2G-ABAPD-1.5G-ABAPD-2G-ABAPD-2.5G-A单位探测器类型InGaAs波长800~1700nm带宽100M200M300M400M500M600M800M1G1.2G1.5G1.5G2.5GHz探测器响应度999999999999A/W@1550nm跨阻增益300K300K300K100K50K50K300K300K300K200K150K150KV/W饱和光功率131313397878131313202020uW输出阻抗505050505050505050505050ΩNEP0.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.460.46pW/√(Hz)输出耦合方式 DC/AC DC/AC DC/AC DC/AC DC AC AC AC AC AC AC AC供电电压555555121212121212V供电电流0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)0.5(max)A光学输入FC/APC(自由空间光可选)射频输出SMA外形尺寸80*90*25mm八,铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nmKoheron PD100B是一款增益为39kV/A、带宽为100MHz、共模抑制比为35dB的放大平衡探测器。PD100B有交流和直流耦合版本，可安装InGaAs光电二极管或不安装光电二极管，是光学相干层析成像和激光探测等应用的理想选择。铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nm, 铟镓砷 InGaAs Koheron 100MHz 平衡探测器 900-1700nm通用参数参数表PD100B-ACPD100B-DC探测器探测器类型InGaAs光电二极管InGaAs光电二极管波长范围900-1700nm900-1700nm输入光功率0 -1.5 mW0 -1.5 mW连接器类型FCFC光敏面直径300um300um峰值响应度0.9 A/W0.9 A/W跨阻放大器耦合方式ACDCDC截止频率160Hz小信号带宽（3dB,Cin=8pF)160 Hz to 100 MHz跨阻增益39 kV/A39 kV/A输出电压范围-3 V to 3 V-3 V to 3 V共模抑制比（CMRR at 1MHz）35 dB35 dB输入电流噪声强度（10MHz,Cin=8pF)8 pA/√Hz8 pA/√Hz输出阻抗50 Ω50 Ω输出连接器SMA female connectorSMA female connector电源正极电源电压5.5 V to 12 V, nom. 6 V5.5 V to 12 V, nom. 6 V负极电源电压-12 V to -5.5 V, nom. -6 V-12 V to -5.5 V, nom. -6 V每路静态电流25 mA25 mA每路Max. 电流120 mA120 mA其他外部尺寸63 mm x 38 mm x 14 mm63 mm x 38 mm x 14 mm工作温度0 °C to 50 °C0 °C to 50 °C重量21 g21 g机械细节与M6公制兼容面包板（25 mm间距）与M6公制兼容面包板（25 mm间距）功能图表征输出功率谱密度针对不同的入射光功率测量了 PD100B 输出的功率谱密度。指示功率是每个光电二极管的入射功率。光源为Koheron LD100 激光器，波长为 1550 nm。

5 um波段高速响应高灵敏度的热电制冷红外探测器，不需要液氮P11120-201由于使用了我公司独特的晶体生长技术，在5 um波段具有高灵敏度。铟砷锑光伏探测器有PN结，保证了高速响应和高可靠性。典型应用包括CO2, SOx, CO和NOx等气体分析。 与P11120-901金属杜瓦型探测器不同，该探测器使用了紧凑封装（TO-8），不需要液氮，因此更易于使用。特性-高速响应- 高灵敏度- 高可靠性- 紧凑型热电制冷TO-8封装- InAsSb材料，环境友好- 与QCL可以安装进模块中详细参数光敏面积φ1 mm象元数1封装类型TO-8封装Metal制冷Two-stage TE-cooled截止波长（典型值）5.9 μm峰值灵敏度波长（典型值）4.9 μm光敏度（典型值）1.6 A/W检测率D *（典型值）5.0 x 109 cm?Hz1/2/W上升时间（典型值）0.4 μs测量条件Td=-30℃, Detectivity D*: λ=λp, fc=1200 Hz, Δf=1 Hz光谱响应外形尺寸（单位：mm）

一,铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MADPD200MA是InGaAs的一款直流耦合高速差分 (“双平衡”)光接收器。它具有高跨阻增益、低噪声和大于200MHz的-3dB带宽。可以通过两个专用显示输出独立测量两个光接收器的功率。DPD200MA采用坚固的铝制外壳，配有两个光纤接收器和一个5050 Ω SMA输出。它采用11–15 V DC单电源供电。铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MA,铟镓砷 InGaAs 直流耦合低噪声光电探测器 200MHz WL-DPD200MA技术参数特征高跨阻增益:7500 V/W (1550nm)带宽:200 MHz 直流耦合2个显示器输出(未校准)波长范围:1000nm至1700nm光纤耦合:光纤通道接收器输出: 50 Ω SMA插头 宽范围单电源:11至15 V典型应用干涉测量法光学相干断层成像激光雷达可单端使用机械性能光纤耦合: 适用于FC/PC和FC/APC连接器的FC插座射频和显示器输出:SMA电源电压输入:推挽式LEMO插头(包括二极管)小尺寸:80×60×20mm安装:底部4 x M2.5螺纹孔(螺钉长度4mm)电连接器 positive supply supply ground 电源连接器(前视图)。外壳接地。供电电缆有两种，一种是2线，一种是5线。这些电缆对应的配色方案是:参数条件最小值典型值最大值单位直流电输入电源电压(VS)电源电流111210015160VmA主射频输出-3dB带宽240265290MHz输出阻抗50Ω 输出电压范围 噪声频谱密度50 Ω 100MHz -131±4±2VVdBm/Hz100–1000MHz-128dBm/Hz 1GHz -150dBm/HzpW/√Hz噪声等效功率0 MHz–100MHz，1550nm7光学特性输入波长范围10001700nm跨阻增益波长1550nm15 000v/Wopic跨阻增益7 500v/Wopic共模抑制比2030dB最大输入功率(损坏阈值)15mW监控输出3dB带宽150kHz输出阻抗2kΩ 最大值输出电压8VSV责任1(请具体说明)1550nm0.40.520V/mWopt二,12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器PD-12D 是一款高速高增益InGaAs PIN 光电探测器，适合用于光传输系统和其他光电转换。模拟带宽12GHz，支持数据接收速率达10.7Gb/s，光电增益1.0A/W，上升沿时间响应18ps，采用背照式PIN，响应带宽覆盖1200~1650nm波长。采用SMA口的RF输出，便于与射频测试设备连接。12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器,12GHz模拟带宽光接收器 高速高增益 InGaAs PIN 光电探测器产品特点高带宽SMA 连接器输出DC 耦合输出通用参数参数单位zui小值典型值zui大值中心波长nm12001650光平均功率输入范围dBm-103上升沿时间ps1820光电响应A/W1.0回损dB-37输出阻抗Ω-3dB高频截止频率GHz12低频截止kHz0灵敏度dBm-34供电V DC内置电池尺寸mm90×60×15工作温度℃-40+85存储温度℃-40+85光纤接口FC/PC频谱响应和脉冲上升沿时间

总览C3A-2700LAE系列光电检测模块将光电二极管，放大电路和电源调理电路集成在一个小型化的模块内。不仅适用于各种实验室光学系统的搭建，也适用于在用户产品中进行集成。模块安装方便，并可实现光路的密封。模块可使用宽范围正负电源进行工作，模块内部含有线性整流电路以降低输入噪声并提高信噪比。系列内可选不同的类型、尺寸和速度的光电二极管，诸如Si或InGaAs。 采用3mm直径光电二极管的模块典型输出特性为 ±3V, 0~25MHz (正负5V电源时)。2mm扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块,2mm扩展型大光敏面InGaAS光电探测器模块产品特点● 尺寸小巧●4个φ6mm通孔实现同轴安装●可实现光密和气密●多种传感器选择●可切换的20dB增益●宽电源输入: ±5至±20V产品应用●Q调制激光器监控●锁模激光器输出监控●微弱可见光探测器技术参数光电探测器 C3A-2700LAE参数项目数值光电探测器InGaAS扩展型铟镓砷探测器光敏面大小Φ2mm光学窗口Plane borosilicate glass响应波长范围1000-2600nm峰值波长2000nm相对响应强度75% @1550nm,100@@2000nm方向性±40º NEP6*10-15 W/Hz1/2工作带宽50MHZ跨阻增益50k V/A @ 0dB Gain500k V/A @20dB Gain输出电压范围0~+3V (into Hi-Z)0~+1.5V (into 50Ω)输出阻抗50Ω输入工作电压V+: +5 ~ +20VV- : -5 ~ -20V工作温度10~50 º C最大压力差±50kPa响应光谱光电探测器C3A-2700LAE尺寸图安装举例 建议安装孔径使用两个导向轨精确定位传感器。请使用四个 M6 螺钉固定住位置。(All dimensions in mm)

一、常温型特点：标准安装尺寸，探测器室设计标准安装尺寸，可与我公司的相关产品配套使用，之中7ID317和7ID3175采用进口芯片 技术参数： 产品型号7ID31617ID31627ID3177ID3175响应度Test ConditionMinTypMinTypMinTyp -------VR=0V l=850nm0.10.20.10.20.10.2 -------VR=0V l=1300nm0.80.850.80.850.80.90.85VR=0V l=1550nm -----0.85 -----0.85 -----0.950.9感光面积Φ2mmΦ3mmΦ5mmΦ5mm光谱响应范围850-1650nm850-1650nm800-1700nm900-1700nm重量0.18kg 光谱响应参考图： 二、制冷型 特点：标准安装尺寸，可与我公司相关产品配套使用，进口芯片，二级制冷（-40℃，温度稳定度±0.5℃），使用环境温度10-40℃） 技术参数： 型号Model7ID317T27ID319T27ID322T27ID324T2 7ID326T2感光直径Active Diameter(mm)3波长范围Response range(nm)800-1700800-1900800-2200800-2400800-2600峰值响应度Peak Response(A/W)0.951.01.11.151.2峰值比探测率Peak D*8.4E+13(typ)4.2E+13(min)9.1E+12(typ)6.4 E+12(min)1.9E+12(typ)1.3E+12(min)9.6E+11(typ)6.8E+11(min)4.9E+11(typ)3.4E+11(min)等效噪声功率NEP3.2E-15(typ)6.3E-15(max)2.9E-14(typ)4.1 E-14(max)1.4E-13(typ)2.0E-13(max)2.8E-13(typ)3.9E-13(max) 5.5E-13(typ)7.7E-13(max)电容(pF)@0V12009000900090009000 制冷型InGaAs探测器光谱响应图：

一,砷化铟 InAs 红外光伏探测器 3-3.35um (P10090系列/P7163)InAs砷化铟光伏电探测器与PbS 硫化铅光电导探测器一样，在3μm左右的红外区域具有高灵敏度，而且噪声低、速度高、可靠性高。该系列是一个新的InAs光伏探测器系列，它比我们的传统产品提供更低的噪音。筱晓光子提供有各种类型可选择，包括非冷却型、热电冷却型和提供高性能的液氮冷却型。砷化铟 InAs 红外光伏探测器 3-3.35um (P10090系列/P7163),砷化铟 InAs 红外光伏探测器 3-3.35um (P10090系列/P7163)通用参数产品特点：低噪声高探测灵敏度高可靠性可采用多元素阵列（客户定制产品）产品应用： 气体分析 激光探测红外分光光度测量辐射温度计 可选配件（单独出售） 温度控制器C1103-04带有前置放大器的红外线探测器模块C12492-210用于InAs光伏探测器的滤波放大器（P10090系列：C4159-06，P7163：C4159-05）技术参数光电特性 P10090-01参数数值峰值波长λp3.35μm截止波长λc3.65μm光灵敏度S λ=λp1.0A/W并联电阻典型值：70Ω；最小值：40Ω峰值探测率D*(λp, 600, 1)典型值：4.5 × 109（cmHz1/2/W）最小值：3.0 × 109（cmHz1/2/W）NEP λ=λp1.5 × 10-11（W/Hz1/2）上升时间Tr (μs)VR=0VRL=50Ω0 to63%0.7 其它型号电气和光学特性（除非另有说明，否则为典型值） Type no.MeasurementconditionPeak sensitivity wavelength λp (μm) Cutoff wavelength λc (μm)Photo sensitivity Sλ=λp (A/W) Shunt resistance Rsh D*(λp, 600, 1) NEPλ=λp (W/Hz1/2)Rise time trVR=0 V RL=50 Ω0 to 63% (μs)Element temperature Td (°C)Min.(Ω)Typ.(Ω)Min.(cm Hz1/2/W)Typ.(cm Hz1/2/W)P10090-01253.353.651.040703.0 × 1094.5 × 1091.5 × 10-110.70P10090-11-103.303.551.22504001.0 × 10101.6 × 10105.3 × 10-120.45P10090-21-303.253.45100013002.0 × 10103.2 × 10102.8 × 10-120.30P7163-1963.003.11.31 × 1051 × 1063.5 × 1011 *36.0 × 1011 *31.5 × 10-130.10*3: D* (λp, 1200, 1)结构/绝对最大值 P10090-01参数数值结构窗体材料蓝宝石玻璃封装TO-5制冷无绝对最大值反向电压VR(V)0.5工作温度-40至+60℃存储温度-40至+80℃输入最大光功率0.6W 结构/绝对最大值更多系列 Type No.Dimensional outline/ Window material *1 Package Cooling Nitrogen hold time (h) Photosensitive area (mm)Absolute maximum ratingsThermoelectric cooler allowable current(A)Thermistor power dissipation(mW)Reverse voltage VR(V)Operating temperature Topr(°C)Storage temperature Tstg(°C)Maximum incident light level(W)P10090-01①/STO-5Non-cooled - &varphi 1-- 0.5 -40 to +60 -40 to +80 0.6P10090-11 ②/S TO-8One-stageTE-cooled1.5 0.2P10090-21Two-stageTE-cooled1.0P7163③/SMetal dewerLN212 *2&varphi 1---55 to +60注：即使是暂时超过绝对最大额定值，也可能导致产品质量下降。始终确保在绝对最大额定值范围内使用产品。*1： S=蓝宝石玻璃*2： 装运时(At the time of shipment)二, 砷化铟InAs/铟砷锑InAsSb MWIR LWIR II型超晶格T2SL光电导(PC)/光伏(PV)探测器1.6-15umPVAS-2TE-5-0.1X0.1-TO8-wAl2O3-70是II型超晶格两级热电冷却红外光伏探测器，具有优良的参数。3°楔形蓝宝石窗口(wAl2O3)防止不必要的干扰效应。该探测器不含汞和镉，符合RoHS指标。InAs/InAsSb T2SL 光伏探测器 两级TE冷却,InAs/InAsSb T2SL 光伏探测器 两级TE冷却技术参数产品特点● 光谱范围为1.7 ~ 5.8 μm● 高响应度● 极好的线性度● 不需要偏差● 无1/f噪声产品应用● 中红外激光探测● 中红外气体分析参数探测器型号PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70有源元件材料外延超晶格异质结构起始波长λcut-on (10%), μm1.7±0.2峰值波长λpeak, μm4.0±0.3截止波长λcut-off (10%), μm5.8±0.2探测效率D* (λpeak),cmHz1/2/W~9.0×109电流响应度Ri(λpeak),A/W~1.4时间常数T，ns~4电阻R,Ω~5k工作温度Tdet,K～230感光面尺寸A,mm×mm0.1×0.1包装TO8接收角～70°窗口wAl2O3电流响应度特性曲线（230K）三, 砷化铟 InAs / 铟砷锑 InAsSb 红外光伏探测器 2.15-3.5μmPVA-2TE系列是基于InAs 1-x Sb x合金的两级TE冷却红外光伏探测器。该设备具有高达300℃的温度稳定性以及高机械耐用，且不含汞和镉，符合RoHS指标要求。带有3°楔形蓝宝石(wAl2O3)窗口防止不必要的干扰影响。2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列,2-5.5μm红外两级TE冷却InAs光伏探测器 PVA-2TE系列技术参数产品特点● 可探测红外波长范围2-5.5μm● 采用两级TE冷却有效提高探测效率● 可配专用前置放大器● 高温度稳定性与机械耐久性产品应用● 医学热成像● 红外光谱分析● 中红外激光探测参数探测器型号PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70有源元件材料外延InAs异质结构外延InAsSb异质结构起始波长λcut-on (10%), μm2.1±0.22.4±0.2峰值波长λpeak（μm）2.9±0.34.7±0.3截止波长λcut-off (10%), μm3.4±0.25.5±0.2相对响应强度D* (λpeak),cmHz1/2/W≥5×1010≥4×109电流响应度Ri(λpeak),A/W≥1.3≥1.5时间常数T，ns≤15≤20电阻R,Ω≥200K≥1K元件工作温度Tdet,K~230感光面尺寸A,mm×mm0.1×0.1封装TO8接收角Φ～70°窗口wAl2O3TO8型封装外形尺寸图

快速响应及高灵敏度的红外探测器，光谱范围延伸至11μmP13894系列光伏型红外探测器具备快速响应及高灵敏度的特性，光谱范围延伸至11μm。凭借滨松独有的晶体生长技术，造就了该产品紧凑小巧，易于使用的特性。 特征 -高灵敏度 -快速响应 -并联电阻 -非制冷 (P13894-011NA/-011MA)，封装紧凑详细参数感光面积 1 × 1 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-5 制冷 非制冷 截止波长（典型值） 11 μm 峰值波长（典型值） 5.6 μm 光灵敏度（典型值） 0.0019 A/W 测试条件 Ta=25℃光谱范围尺寸大小

快速响应及高灵敏度的红外探测器，光谱范围延伸至11μmP13894系列光伏型红外探测器具备快速响应及高灵敏度的特性，光谱范围延伸至11μm。凭借滨松独有的晶体生长技术，造就了该产品紧凑小巧，易于使用的特性。 特征 -高灵敏度 -快速响应 -并联电阻 -非制冷 (P13894-011NA/-011MA)，封装紧凑详细参数感光面积 1 × 1 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-8 制冷 二级TE制冷 截止波长（典型值） 10.2 μm 峰值波长（典型值） 5.6 μm 光灵敏度（典型值） 0.0038 A/W 测试条件 Ta=25℃光谱范围尺寸大小（单位：mm）

快速响应及高灵敏度的红外探测器，光谱范围延伸至11μm，非制冷型P13894系列光伏型红外探测器具备快速响应及高灵敏度的特性，光谱范围延伸至11μm。凭借滨松独有的晶体生长技术，造就了该产品紧凑小巧，易于使用的特性。 特征 -高灵敏度 -快速响应 -并联电阻 -非制冷 (P13894-011NA/-011MA)，封装紧凑详细参数感光面积 1 × 1 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-5 制冷 非制冷 截止波长（典型值） 11 μm 峰值波长（典型值） 5.6 μm 光灵敏度（典型值） 0.002 A/W 测试条件 Ta=25℃光谱范围尺寸大小（单位：mm）

总览PL3000系列是一个全色PIN光电二极管，截止波长高达2700nm。它使用的是InGaAs材料，三元化合物半导体InGaAs材料用于制作各种光电器件，材料本身性能稳定。本系列的设计可以用于环境气体检测应用，测量CO或者CO2，它提供优良的并联电阻与响应在宽谱范围内，此外，我们可以读引脚改为TO-46,to-18，TO-5可选。铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面),铟镓砷 InGaAs PIN光电二极管（2.7um扩展型,大光敏面)产品特点● 有效面积（0.3-3mm）● 更长的截止波长2.7um● 高分流电阻● 多镜头选择（双凸，平凸，球透镜）● 多种封装结构可供选择（TO46；TO8；TO5）产品应用● 气体传感检测● 火焰/火花检测● FTIR● 短波红外光电探测技术参数2.7um扩展型响应电特性@25℃±2℃性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6响应直径mm0.30.5123峰值波长（典型）um2.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.12.2±0.1截止波长（50%）um2.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.12.6±0.1响应度@λP（min/typ）A/W0.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.00.9/1.0分流电阻（min/typ）Ω16K/25K5K/8K2K/4K0.5K/1.5K0.2K/0.5K暗电流（max）uA13@1V20@0.5V80@0.5V320@0.5V500@0.5V电容@0VpF1002701000440010000带宽 W/50Ω@0VMHz32163.20.80.35上升时间 W/50Ω@0Vns11221104401000NEP@λPEAKW/Hz1/281×10-14143×10-14203×10-14331×10-14574×10-14线性度（±0.2dB@0v）dBm66666封装规格-TO-8TO-8TO-8TO-5TO-5最大额定值性能规格单位PLC300/2.6PLC500/2.6PLC1000/2.6PLC2000/2.6PLC3000/2.6存储温度℃-40-125-40-125-40-125-40-125-40-125工作温度℃-40-85-40-85-40-85-40-85-40-85反向击穿电压V20.50.50.50.5反向击穿电流mA1010101010正向电流mA1010101010最大承受功率mW5050505050光谱响应响应温度系数Ⅰ响应温度系数Ⅱ电容和备用电压暗电流与暗电流备用电压分流阻力的比较温度型号及订购PLC-□-□□-W□□□□-XX□---探测器的材料A：Si PDB：InGaAs PDC：Si APDD：InGaAs APDE：Si Quadrant APDF：InGaAs Quadrant APD□□---光感应光敏面直径300：0.3mm500：0.5mm1000：1mm2000：2mm3000：3mmW□□□□---截止波长W2.6：2.6umXX: 探测器封装类型T46W=TO46 WindowT18W=TO18 WindowT5W=TO5 WindowT46L=TO46 LensT18L=TO18 LensT5L=TO5 LensT46W=TO46 WindowT46W=TO46 WindowSA=SMF-28E+ FC/APCSP=SMF-28E+ FC/PCPA=PM Fiber+ FC/APCPP=PM Fiber+ FC/PC

总览筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-OpticsTechnology)公司全线产品EOT的放大光电探测器()包含利用光伏效应将光功率转换为电流的PIN光电二极管和允许测量技术参数特征内置跨阻放大器占地面积小外墙插电电源带宽高达10GHz选项探测器材质活动区提供光纤耦合或自由空间选项应用监测高重复率、外部调制的连续激光器查看ET-3000A-2GHzInGaAs放大光电探测器

InSb锑化铟探测器 光伏锑化铟探测器采用单晶材料台面技术的p-n结结构，在1-5.5mm之间有着很好的光谱响应。这些探测器是背景限制（BLIP）探测器，可以通过空间增强（制冷 FOV stops）或频谱手段（制冷干扰滤波器）减少背景光的影响。光谱响应曲线：基本参数：Standard Photovoltaic Indium Antimonide Detectors典型应用：医用热成像热成像光谱学辐射测量科学研究红外显微镜

仪器简介：化铅(PbSe)探测器为光导型主要应用为： 热成像 热追踪制导 辐射计 光谱仪 FTIR技术参数：锑化铟(InSb)探测器为光伏型，光谱范围 1um-5.5um，主要特点：锑化铟(InSb)探测器为光伏型，标准产品均采用液氮杜瓦制冷

仪器简介：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m技术参数：型号列表及主要技术指标：型号/参数 DInSb5-De01光敏面尺寸(mm) &Phi 1波长范围(&mu m) 1-5.5峰值响应度(A/W) 3峰值响应度(V/W) -响应时间(ns) -D*(@&lambda peak,1KHz)cm Hz1/2W-1 1 x 1011NEP(@&lambda peak,1KHz)pW/Hz1/2 0.8暗电流(&mu A) 7前置放大器 选配信号输出模式 电流输出信号极性 正（P）主要特点：■ 锑化铟探测器（InSb）&mdash &mdash &mdash 液氮制冷型红外探测器，波长范围：1～5.5&mu m有DInSb5-De(x)和DInSb5-HS两种类型，其中：◆ DInSb5-De(x)为液氮制冷型，x-01/ 02/ 04/ 07，四种光敏面尺寸可选，适合一般测量，须选配前置放大器◆ DInSb5-HS为液氮制冷高速响应型，集成前置放大器，响应时间小于25ns◆ 探测器元件均封装于DEC-(x)系列探测器室内，用于与光谱仪狭缝连接