无掩膜光刻机

DMD无掩膜光刻机产品负责人：姓名：郭工(Barry)电话：（微信同号）邮箱：DMD无掩膜光刻机SMART PRINT UV是一种基于DMD投影技术的无掩模光刻设备，可兼容多种电阻和基片。SMART PRINT UV可以生产任何微米分辨率的二维形状，而不需要硬掩模。基于改进后的标准投影技术，投影出具有微米分辨率的图像，无掩膜光刻机SmartPrint无需任何进一步步骤，就能直接从数字掩模光刻出您要的图。无掩膜光刻机SmartPrint主要应用是微流体，生物技术和微电子等领域光刻表面微纳图案。DMD无掩膜光刻机主要特性：兼容i、h、g线光刻胶SmartPrint-UV配备了385 nm LED源，以兼容标准i, h和g线光刻胶，如SU8或AZ1500系列适用于各种各样的基材我们的物镜范围经过精心选择，具有较长的工作距离(高达3厘米)，使SP-UV成为一种非接触式技术，因此兼容非标准基材(非平的，灵活的，厚的)。可调直写范围和分辨率——用户可获得四种不同的直写分辨率 直写分辨率1.5um 兼容任何尺寸的样品，最大5平方英寸 对齐方式直观——反馈相机与第二束590nm准直光源叠加使用DMD无掩膜光刻机体积小，性价比高DMD无掩膜光刻机应用领域：DMD无掩膜光刻机指标参数：

TTT-07-UV Litho-ACA Pro无掩膜版紫外光刻机的特征尺寸为0.6 μm（光刻镜头C），高性能无铁芯直线驱动电机保证了套刻精度和高达6英寸画幅的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。【产品亮点】高精度、真紫外曝光光刻图案设计灵活所见即所得的精准套刻超大面积拼接灰度曝光高稳定性，操作便捷【应用示例】微流道芯片微纳结构曝光电输运测试/光电测试器件 二维材料的电极搭建太赫兹/毫米波器件制备光学掩膜版的制作【系统升级选项】激光光源主动隔振平台3D重构观测手套箱内集成【安装需求】温度：20-40℃湿度：RH60% 电源：220V，50Hz

在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜版紫外光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。

在电子通信行业蓬勃发展的大背景下，集成电路产业迎来了以光刻技术为核心技术的爆炸式需求。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。实现光刻工艺的设备一般称之为光刻机，或为曝光机。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。光刻机作为生产大规模集成电路的核心设备，有接触式光刻机、接近式光刻机、投影式光刻机等类型。而这些类型的常规光刻机需要定制价格高昂的光学掩膜版，同时，任何设计上的变动都需要掩膜版重新制造也使得它有着灵活性差的劣势。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但逐行扫描的模式使得曝光效率较低。出于同时追求高精度、高效率、强灵活性、低损耗，在投影式光刻机基础上，无掩膜版紫外光刻机应运而生。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。TTT-07-UV Litho-Y是一款桌面型无掩膜版紫外光刻机。特征尺寸为1.5 µ m（光刻镜头A），高性能无铁芯直线驱动电机保证了套刻精度和2英寸画幅的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩膜版设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。【产品亮点】桌面型光刻机无掩膜光刻2 英寸加工幅面特征尺寸1.2 μm【应用示例】微流道芯片微纳结构曝光电输运测试/光电测试器件二维材料的电极搭建太赫兹/毫米波器件制备光学掩膜版的制作【系统升级选项】主动隔振平台手套箱内集成【安装要求】温度：20-40℃湿度：RH60%电源：220V，50Hz

DALI是由Aresis、CENN Nano center 和 LPKF 联合研发的高精度无掩膜纳米光刻机，是一款性能稳定，操作简单，对环境要求低，界面友好，零维护的桌面型高精度激光直写设备。其采用的是AOD声光调制器来控制激光进行高精度光刻，可以实现优于80nm平滑的边缘结构，100-150nm最小结构间距，最高400nm套刻精度，是实验室级微纳加工与器件制作不二选择。DALI凭借优异的性能，目前已广泛应用到微电子、微器件、纳米光学、材料科学、自旋电子学等研究领域。先进的AOD技术，定位分辨率优于0.1nmA. 可以获得任意平滑、锐利的结构边缘B. 可高分辨调整特征结构间的距离C. 可以实现亚微米级精细结构的构建主要特点：# 最小特征结构小于1μm# 针对I-line光刻胶进行优化（SU-8，AZ，……）# 超快与超高精度定位，光斑定位分辨率＜1nm# 可构建高深宽比结构（可达10:1）# 12nm-1μm光斑间距调节以获得超高平滑度# 100-150nm最小结构间距# 最高400nm套刻精度# 适用于从CAD设计到各种结构的快捷构建# 具备非平表面直写能力产品优势1. 超稳定，长寿命375nm激光器相对于其它各种光源，在精密光学仪器应用中，激光光源在光束质量，稳定性，耐用性等方面具有无与伦比的优越性。DaLI无掩膜纳米光刻机采用最优的激光光源，以保证超一流的性能和用户体验。2. 广泛的适应性DaLI无掩膜纳米光刻机广泛适用于各种I-line光刻胶，AZ系列正胶，SU-8系列负胶等，在各种厚胶与薄胶应用中有着出色的表现。3. 非平表面直写功能4. 整机恒温系统，保证最佳的性能DaLI无掩膜纳米光刻机采用了超越光刻技术极限的亚纳米级AOD激光操控技术，光斑定位精度可达0.1nm。为充分发挥AOD技术的优势，我们建立了整机恒温系统，控温精度可达±0.1℃，将设备所有部件和温差形变和热漂移降到最低，从而实现真正的高精度光刻。5. 准确的图形结构6. 工作范围与曝光拼接大光斑直写工具单个工作区域 为 900μm X 900μm；小光斑直写工具单个工作区域为 300μm X 300μm工作区域100mm X 100mm 工作区域间的平滑过渡机制（软拼接与硬拼接）；DaLI的软拼接可以将曝光扫描线延伸到临近区域，并梯度降低激光强度（红线）。在临近区域，激光强度梯度增加（蓝线），从而获得干净均一的拼接图案7. 用户友好的操作软件DaLI控制软件通过USB接口与设备快速通讯，可以对设计图中的区块和每一个微结构的曝光参数进行设置，对图形设计的预览和快速栅格化，对样品的观察、准直、调平等。该软件具备图形设计和展示功能，可选用多种绘图工具，支持对 dxf, gerber, bm 等格式文件的导入与修改。8. 更好的深宽比

小型台式无掩膜光刻机- MA1200小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MA1200 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。光学轮廓仪MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm，方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件● 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定

μMLA桌面式无掩膜激光直写机 / 光刻机The Table-Top Maskless Aligner适合科研领域的实验室与学术研究所μMLA是新一代桌面式激光直写仪的技术，在科研微结构的应用领域中是一台入门级的工具。μMLA具有灵活性和可定制性，可支持毫米大小范围的样品。主要产业应用有：半导体芯片、微机电、微流体、微光学、传感器、掩膜版以及其它有微纳米结构需求的科研领域。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司，共同为客户带来综合应用效能，同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域，Stella International于2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心，以海德堡原厂伙伴技术支援，提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究，这些年来已服务许多的国内知名大学，研究院所与企业前期研发单位。总代理 品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备 / 光刻机HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments)，创始于1984年，在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括：微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过700个以上销售据点，用于研发、快速原型制作和工业生产系统，是企业研究和发展的伙伴。

光刻技术中的聚焦控制一、引言光刻技术在集成电路量产制造中有着重要作用。随着集成电路产业的快速发展，对光刻机性能的要求也越来越高。由瑞利判据可知，通过减小曝光波长或增大数值孔径能获得更高的光刻分辨率。为了得到更高的分辨率，光刻机逐渐从接触式曝光、接近式曝光、步进重复投影曝光发展到当前采用的主流步进扫描投影曝光。为了保证曝光质量，在光刻机曝光过程中必须使硅片表面位于焦深范围内，否则会严重影响集成电路的生产良率。因此，需采用调焦测量系统测量硅片表面高度，在曝光时通过轴向调节承载硅片的工件台的高度，使其处于投影物镜的最佳焦面处。曝光波长越小，数值孔径越大，光刻分辨率就越高，但同时会导致焦深变小，对焦控制精度要求也越来越高。随着对焦控制精度的提升，采用的调焦调平测量技术从早期的机械轮廓仪接触式测量以及声学、电容原理、激光干涉的非接触式测量，逐渐发展为目前主流基于光学三角法的测量。机械接触式测量易造成硅片缺陷和污染，声波波长太长会限制分辨率，电容传感器过于依赖基板的电气特性，误差较大，激光干涉易受环境影响且后端解调电路复杂、实时性差，基于光学三角法的调焦调平测量技术具有工艺适应性较强，不涉及复杂的图像处理算法，测量速度快和测量精度高等优势，成为国内外光刻机厂商采用的主流技术。二、测量原理和系统组成基于光学三角法的调焦调平测量原理如图1所示。测量光束以较大的角度θ入射到硅片表面，经硅片表面反射后被探测器接收。王向朝,戴凤钊.集成电路与光刻机[M].北京:科学出版社,2020图1光学三角法的测量原理探测器上的图像位置随硅片表面高度偏移而变化，根据几何关系可知，当硅片表面高度变化h时，探测器上的图像位移∆ x可表示为通过测量光束在探测器上的图像位移变化量可计算硅片表面的高度信息。光刻机曝光时，根据获得的硅片形貌实时调整工件台的高度，保证硅片曝光位置始终处在投影物镜的最佳焦面处。三、数字无掩模光刻机的聚焦控制数字无掩模光刻机的典型特征是采用空间光调制器替代传统投影式光刻机中的掩模板进行曝光，其他结构与传统光刻机基本相同。空间光调制器是一种由大量独立控制单元构成的用于调整光强分布的光电器件，可以根据需要进行编程，得到待复制图形，该调制器在此可看作为数字化掩模板。数字光刻常见的空间光调制器有两种，一种是液晶显示器件（LCD），另一种是数字微反射镜装置（DMD），其中DMD相较于LCD而言，它的分辨率、对比度、亮度更高，因此获得广泛应用，基于DMD的光刻系统如图2所示。目前这种光刻机主要应用在印刷电路板（PCB）、泛半导体和掩模板制造等领域。图2 DMD光刻系统数字光刻系统中镜头与工件台的相对关系仅依靠调焦调平传感器的测量结果，因此镜头上下调节过程中，调焦传感器零位必须与镜头的最佳曝光面同时运动且严格保持一致。四、托托科技数字无掩膜光刻机托托科技（苏州）有限公司是一家专注于显微光学加工和显微光学检测领域的公司，在基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术领域中进行了数年的深入研究和技术积累。图3 托托科技数字无掩膜光刻机托托科技数字无掩模光刻机配备自主研发的高速主动对焦模块，搭配高精度运动电机，最小能够识别几十纳米级的高度变化，同时配合PID控制算法，可以实现光刻过程中的实时跟踪聚焦，保证光刻的精度和良率。另外由于垂轴运动电机本身的大行程，该主动对焦系统能够适配几十纳米到几毫米以内任意厚度的光刻衬底，具有广泛适应性。图4展示了托托科技数字无掩模光刻机制备4英寸高精度图形的能力。图4 托托科技展示8英寸光刻

v 手动、半自动、全自动有掩膜光刻机v 高分辨率掩模对准光刻，特征尺寸优于0.5微米v 基片尺寸可满足4、6、8、12英寸v 经过特殊设计，方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料，包括砷化镓和磷化铟v 设备可通过选配升级套件，实现紫外纳米压印光刻

产品名称: UV Litho-ACA Pro无掩膜光刻机产品型号:TTT-07-UV Litho-ACA Pro

小型台式无掩膜光刻机- MA1200小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MA1200 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。光学轮廓仪MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm，方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件● 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定

DS-2000/14K 无掩膜单面光刻机 1．技术特征。采用 DMD 作为数字掩模，像素数 1024×768。采用 14 倍缩小投影光刻物镜成像。。采用专利技术——积木错位蝇眼透镜实现均明。。具备对准功能。采用进口精密光栅、进口电机、进口导轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光拼接，可适应 100mm?100mm 基片。。采用 CCD 检焦系统实现整场调平、自动逐场调焦或自动选场调焦曝光。 2．技术参数。光源：350W 球形汞灯（曝光谱线： i 线）或紫外LED；。照明不均匀性：2%；。物镜倍率：14 倍。曝光场面积：1mm×0.75mm。光刻分辨力：1 μm。工件台运动范围：X：100mm、 Y：100mm；。工件台运动定位精度：±0.65μm；。调焦台运动灵敏度：1μm；。对准精度：±2μm；。调焦台运动行程：6mm。检焦：CCD 检测，检测精度 2 微米。转动台行程：±6°以上。基片尺寸。外径: 。1mm—100mm，厚度：0.1mm--5mm 3．外形尺寸：840mm（长）x450mm(宽) x830mm（高） 4．配置（1）照明系统。350W 直流汞灯（或 LED）、椭球镜、准直镜、蝇眼透镜组、场镜组、365nm 滤光片、气动快门、DMD（美国德州仪器）、冷却风扇。。投影物镜：缩小倍率 14 倍。分辨力 1μm （2）工件台系统。X 台：电机驱动器（日本乐孜）、丝杠（日本 NSK）、导轨 2（日本 THK）、光栅（美国）。Y 台：电机及驱动器（日本乐孜）、丝杠（日本 NSK）、导轨 2（日本 THK）、光栅 2（美国）。转动台：电机及驱动器（日本乐孜），转动轴系。Z 台：电机及驱动器（日本乐孜）、丝杠、上升导向机构。承片台：4 英寸（可增加 3 英寸、2 英寸、1 英寸等） （3）检焦系统。焦面光学检测系统、CCD、焦面检测软件 （4）对准系统。对准光学检测系统、CCD、对准软件 （5）电控系统。汞灯电源及触发器、主机控制系统、软件、计算机、监视器（19 英寸液晶）、接口 （6）气动系统。电磁阀、旋转气缸、减压阀、压力表、真空表 （7）其他附件。真空泵一台(无油泵)。空压机一台（静音泵）。管道

MLA150先进无掩膜激光直写机 / 光刻机The Advanced Maskless Aligner适合研发团队与中小批量生产的客户MLA150专属为研发型以及中小批量生产的客户而设计的激光直写解决方案。区别于过去传统的工艺技术而开发的无掩膜激光直写技术，将设计图形直接曝光到涂覆有光刻胶的衬底材料上；曝光后，如果需要修改图形结构，可以直接通过CAD软件修改原始图形，然后重新曝光即可，无需花费重新制版的时间。主要产业应用有：生命科学、微流体、MEMS、微光学、传感器、材料研究等有微纳米结构需求的科研领域。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司，共同为客户带来综合应用效能，同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域，Stella International于2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心，以海德堡原厂伙伴技术支援，提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究，这些年来已服务许多的国内知名大学，研究院所与企业前期研发单位。总代理 品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备 / 光刻机HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments)，创始于1984年，在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括：微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过50几个国家、700个以上销售据点，用于研发、快速原型制作和工业生产系统，是企业研究和发展的伙伴。

ARMS SYSTEM无掩模光刻机/直写光刻机UTA-IA UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩模光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。特点：显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。图案可以在PC上自由创建。因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。应用：薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成。从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性。研发应用的图案形成。技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（可选）分辨率1um

利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。托托科技的无掩模版光刻设备基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术，实现了高速、高精度、高灵活性的紫外光刻。

小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国Durham Magneto Optics公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MicroWriter ML3 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能 Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。光学轮廓仪 MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm，方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件 ● 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定产品参数 MicroWriter ML3基本型增强型旗舰型大样品尺寸155×155×7mm155×155×7mm230×230×15mm大直写面积149mm x 149mm149mm x 149mm195mm x 195mm曝光光源405 nm LED 1.5W405 nm LED 1.5W385 nm LED 适用于SU-8 （365+405nm双光源可选）直写分辨率1μm1μm and 5 μm0.6μm, 1μm, 2μm, 5μm直写速度20mm2/min @ 1μm20mm2/min @ 1μm120mm2/min @ 5μm25mm2/min @ 0.6μm50mm2/min @ 1μm100mm2/min @ 2μm 180mm2/min @ 5μm对准显微镜镜头x10x3 and x10 自动切换x3, x5, x10, x20 自动切换多层套刻精度±1μm±1μm±0.5μm小栅格精度200nm200nm100nm样品台小步长100nm100nm50nm光学轮廓Z分辨率无(可升)300nm100nm样品表面自动对焦是是是灰度直写(255)是是是自动晶片检查工具无(可升)有有温控样品腔室无(可升)无(可升)有气动减震光学平台无(可升)无(可升)有应用案例0.4 μm特征线宽曝光结果直写分辨率0.1μm直写分辨率0.6μm灰度直写微结构/微器件/微电制备

是一个高价值的直写激光光刻机系统，面向大学和研究机构寻求扩大他们的能力。它用亚微米像素分辨率的405nm激光在光敏抗蚀剂涂层表面大面积书写。你可以写任何东西，从光掩模到基础科学或应用科学的研究原型，集成相机可以用来调整现有的功能写。我们对其进行了优化，以便于使用和简单维护，最大限度地利用现成的部件，而不牺牲书写质量或功能。直接激光书写光刻直接激光光刻技术通过消除光掩模生产对外部供应商的依赖，大大降低了微流体、微电子、微机械和材料科学研究等领域的成本和执行时间。其控制软件在PC上提供。它允许您从GDSII文件的单元格或直接从PNG图像导入要写入的设计。一切都是通过一个用户友好的图形界面来完成的，它允许您在执行之前预览要编写的设计。除了对每个设计应用旋转、反射、反转或比例调整等变换外，还可以在单个过程中组合多个设计。在确定了设计方案后，采用了所包含的工作台控制模块和共焦显微镜。使用它们，您可以设置基片上工艺的原点位置和感光表面上的焦平面。接下来执行该过程并将设计写在表面上。技术指标：XY工作台典型写入速度：100-120 mm/s最大面积：100x92 mm^2最小面积：没有最小面积单向定位台阶：X=0.16µ m，Y=1.00µ m慢速X轴上的机械噪声：1µ m快速Y轴上的机械噪声：1µ m多层对准精度：5-10µ m（可选旋转台，便于对准）实际最小特征尺寸：6-15µ m，取决于特征（示例见下图） 软件支持的格式：PNG、GDSII在软件转换：，旋转、反射、反转、重缩放、添加边框-可以在一个进程中编写来自不同文件的多个设计-通过3点线性或4点双线性聚焦测量进行倾斜/翘曲基板补偿-全床曲率补偿的网格型标定 光学-激光波长：405nm（可选375nm）-激光聚焦、对准和检测用共焦显微镜-二次独立黄色照明-激光光斑尺寸可以使用工业标准显微镜物镜改变 精度：-精细：0.8µ m-介质：2µ m-粗粒：5µ m 大面积包含目标的有效书写速度（单向书写）：-精细：1.7 mm^2/min-中等：4.25 mm^2/min-粗糙度：10.6 mm^2/min在双向写入模式下速度加倍。

EVG610掩膜光刻机EVG610是一款非常灵活的适用于研发和小批量试产的对准系统，可处理最大200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺，例如：真空、软、硬接触和接近曝光；也支持其他特殊的应用，如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。系统中的工具更换非常简便快捷，每次更换都可在一分钟之内完成，而不需要专门的工程人员和培训，非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。二、设备原理通过一系列生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分去除。在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜，最终在晶圆上保留特征的图形部分。三、功能及用途通过光化学反应实现从掩膜板到基片的图形转移，使在光刻胶样品上形成微米级精细图形，用于芯片微纳米尺度结构电子线路设计。四、应用范围EVG光刻机主要应用于MEMS、硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体、功率器件和光伏市场。三、主要特点1. 最大化的降低使用者的总体拥有成本；2. 支持背面对准光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 免维护单独气浮工作台7. 最小化的占地面积8. Windows图形化用户界面9. 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制）四、技术参数

DWL66+多功能无掩膜激光直写机 / 光刻机The Maskless Aligner for Volume Production多种直写模块及灰度光刻 实现各种精度需求DWL66+ 激光光刻系统是具经济效益、具有高分辨率的图形发生器。适用于小批量掩膜版制作和直写需求。DWL66+拥有多种选配模块,例如:正面和背面对准系统；405nm和375nm波长的激光发生器；进阶选配：精度校准和自动上下板加载系统。DWL66+的高度灵活和可定制的解决方案，专门为您的应用量身定做，已成为生命科学、先进封装、MEMS、微光学、半导体和所有其他需要微结构的应用中必不可缺少的光刻研究工具。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司，共同为客户带来综合应用效能，同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域，Stella International于2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心，以海德堡原厂伙伴技术支援，提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究，这些年来已服务许多的国内知名大学，研究院所与企业前期研发单位。总代理 品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments)，创始于1984年，在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括：微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过700个以上销售据点，用于研发、快速原型制作和工业生产系统，是企业研究和发展的伙伴。

传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩模板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩模板的设计通常需要经常改变。激光直写光刻技术通过以软件设计电子掩模板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩模板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑软件控制，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案，无需掩膜工序。绝大多数利用电子束刻蚀制造的器件只有很小的一部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率，而大部分曝光时间都浪费在了如电极连接等大面积结构的生成上。Microtech可以被用在混合模式刻蚀工艺上：只用费用昂贵、速度缓慢的电子束刻蚀加工细小的结构，用成本低廉的Microtech加工大面积部分。Microtech先进的对准机制可以使两部工序完美结合。因此Microtech也适用于已经拥有电子束刻蚀的实验环境。Microtech是直写刻蚀领域畅销品牌，其创新技术和稳定系统源自美国麻省理工林肯国家实验室，LW405D系列转为科研实验室和小型超净室设计开发的多功能光刻系统，适用于快速微纳米加工和小规模生产，除了可达高分辨的线宽外，其稳定性和多功能性也得到业界的一致认可和好评。Microtech做为世界上很早研发激光光刻技术的供应商，打破了以往的激光直写设备高昂价格壁垒，使得研究人员可以理工与传统光刻机相当的成本完成更具灵活性的激光直写光刻工艺。

硅科智能BMA系列半自动光刻机，是现阶段国内市面有上较高性价比的，一款先进的掩膜光刻系统；采用集成化设计,半自动控制,可靠性高,操作简便,不仅具有掩膜曝光系统灵活性,而且还具有高刻写效率,写场范围大,操作成本低,多种光学校准补偿等特点,从成本、性能上均可以取代传统微纳加工工艺中传统光刻机的功能。BMA光刻机简介：1、光刻机组成：高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐3.半开放系统可配合用户进行定制需求设计开发4.支持2-6寸及碎片5.CCD及显微镜对准系统6.支持文件格式：PNG,GDSII等7.采用现代光刻工艺中应用最为广泛的接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。8.工件台为光刻机的一个关键，由掩模样片整体运动台（XY）、掩模样片相对运动台（XY）、转动台、样片调平机构、样片调焦机构、承片台、掩模夹、抽拉掩模台组成。9.应用领域：微电子,微光电,微流控,传感器,新材料,器件制备等。

μMLA桌面无掩模光刻机 桌面型光刻机μMLA 技术参数直写模式 I*直写模式 II*写入性能（光栅扫描和矢量曝光模式）最小结构尺寸 [μm]0.61最小线宽/线隙 [半宽, μm]0.81.5第二层对准大于 5 x 5 mm2 [3σ, nm]500500第二层对准大于 50 x 50 mm2 [3σ, nm]10001000直写性能 光栅扫描曝光模式线宽变代 [3σ, nm]200300直写速率 MAX [mm2/min]1030可选“可变分辨率光栅扫描曝光模块”的写入速度(UMVAR)，适用于不同最小结构尺寸。 10 mm2/min at 0.6 μm 30 mm2/min at 1 μm20 mm2/min at 1 μm60 mm2/min at 2 μm25 mm2/minat 2 μm 100 mm2/min at 4 μm矢量曝光模式的直写写性能矢量模式下的地址网格 [nm]2020边缘粗糙度 [3σ, nm]3050线宽变化 [3σ, nm]7080线性直写速率MAX200 mm/s200 mm/s系统参数衬底尺寸MAX5″ x 5″5″ x 5″最小衬底尺寸 5 mm x 5 mm 5 mm x 5 mm基板厚度0.1 to 12 mm0.1 to 12 mm光栅扫描模块矢量曝光模块光源LED 390 nm or 365 nmLaser 405 nm and/or 375 nm 系统尺寸(光刻单元) μMLAWidthDepthHeightWeight主机630 mm (25″)800 mm (31.5″)530mm (21″)100 kg (220 lbs)可选配防振表1400mm (55″)700 mm (28″)750 mm (30″)350 kg (770 lbs) 无掩模光刻机于2015年首次推出。从那时起，先进的无掩膜技术已经确立。μMLA提供了新一代的桌面激光光刻工具: 配置设置精确到您的需要与光栅扫描和矢量扫描模式(或两者)和可变分辨率的记录磁头。 在许多应用中，传统的光掩膜已经成为过去，因为你的设计文件是通过二维空间光直接暴露在电阻涂层晶圆上的调制器(SLM)。μMLA是MLA100的直接继承者，是“小”MLA150，是我们先进的无掩模对准器的兄弟，它是许多多用户设备、纳米制造实验室和国家研究所中值得信赖、不可或缺的主力。 在我们全新的入门级系统μMLA的开发过程中，我们引入了诸如可变解决方案等新特性，并创建了一个灵活且高度可定制的桌面系统。当然，小样本处理很简单。μMLA功能保留以前桌面系统的优点，同时提供更多的选择和更高的性能。应用包括研究和发展的领域，如MEMS，微流体，微光学和所有其他领域，负担得起，紧凑，和强大的模式基因rator微结构是必需的。 APPLICATIONS 应用程序微光学:二元衍射光学元件。设计由1个μm2正方形组成。μMLA提供了一个标准的灰度模式，这可以制造低创造的微镜头。防蚀胶：15 μm厚AZ4562。节距30 μm，曲率半径16 μm。CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA 两种曝光模式μMLA可以让你选择光栅扫描曝光模式和矢量模式，或者甚至在同一个系统上运行曝光模式! 光栅扫描曝光模式快速，并提供良好的图像质量和保真度，而写入时间独立于结构尺寸或图案密度。矢量扫描模式可以帮助暴露由曲线组成的设计，当需要平滑的轮廓。虽然矢量模式产生的图像质量与光栅扫描曝光模式相似，但它不能达到同样的写入速度，特别是对于高填充系数的模式。 A Choice of Wavelengths 波长的选择因此，你可以在一个系统上使用多达三个不同波长(LED和/或激光二极管)。 Variable Resolution 可变分辨率我们新开发的可变分辨率函数允许您为一个部分的编写模式选择三种不同的分辨率。只需在软件菜单中选择解决方案，并为您的应用程序优化参数。 The Surface at One Glance可选的概述相机提供了一种简单的方法来定位对准标记或其他特征感兴趣的基板上。 Small Sample Handling 小样本处理小样品处理是直接与μMLA: 光学自动对焦选项允许准确曝光，直到样品的边缘。

μMLA桌面无掩模光刻机 桌面型光刻机μMLA 技术参数直写模式 I*直写模式 II*写入性能（光栅扫描和矢量曝光模式）最小结构尺寸 [μm]0.61最小线宽/线隙 [半宽, μm]0.81.5第二层对准大于 5 x 5 mm2 [3σ, nm]500500第二层对准大于 50 x 50 mm2 [3σ, nm]10001000直写性能 光栅扫描曝光模式线宽变代 [3σ, nm]200300最大直写速率 [mm2/min]1030可选“可变分辨率光栅扫描曝光模块”的写入速度(UMVAR)，适用于不同最小结构尺寸。 10 mm2/min at 0.6 μm 30 mm2/min at 1 μm20 mm2/min at 1 μm60 mm2/min at 2 μm25 mm2/minat 2 μm 100 mm2/min at 4 μm矢量曝光模式的直写写性能矢量模式下的地址网格 [nm]2020边缘粗糙度 [3σ, nm]3050线宽变化 [3σ, nm]7080最大线性直写速率200 mm/s200 mm/s系统参数最大衬底尺寸5″ x 5″5″ x 5″最小衬底尺寸 5 mm x 5 mm 5 mm x 5 mm基板厚度0.1 to 12 mm0.1 to 12 mm光栅扫描模块矢量曝光模块光源LED 390 nm or 365 nmLaser 405 nm and/or 375 nm 系统尺寸(光刻单元) μMLAWidthDepthHeightWeight主机630 mm (25″)800 mm (31.5″)530mm (21″)100 kg (220 lbs)可选配防振表1400mm (55″)700 mm (28″)750 mm (30″)350 kg (770 lbs) 无掩模光刻机于2015年首次推出。从那时起，最先进的无掩膜技术已经确立。μMLA提供了新一代的桌面激光光刻工具: 配置设置精确到您的需要与光栅扫描和矢量扫描模式(或两者)和可变分辨率的记录磁头。 在许多应用中，传统的光掩膜已经成为过去，因为你的设计文件是通过二维空间光直接暴露在电阻涂层晶圆上的调制器(SLM)。μMLA是MLA100的直接继承者，是“小”MLA150，是我们先进的无掩模对准器的兄弟，它是许多多用户设备、纳米制造实验室和国家研究所中值得信赖、不可或缺的主力。 在我们全新的入门级系统μMLA的开发过程中，我们引入了诸如可变解决方案等新特性，并创建了一个灵活且高度可定制的桌面系统。当然，小样本处理很简单。μMLA功能所有最好的在我们以前的桌面系统，同时提供更多的选择和更高的性能比以往任何时候。应用包括研究和发展的领域，如MEMS，微流体，微光学和所有其他领域，负担得起，紧凑，和强大的模式基因rator微结构是必需的。 APPLICATIONS 应用程序微光学:二元衍射光学元件。设计由1个μm2正方形组成。μMLA提供了一个标准的灰度模式，这可以制造低创造的微镜头。防蚀胶：15 μm厚AZ4562。节距30 μm，曲率半径16 μm。CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA 两种曝光模式μMLA可以让你选择光栅扫描曝光模式和矢量模式，或者甚至在同一个系统上运行曝光模式! 光栅扫描曝光模式快速，并提供优秀的图像质量和保真度，而写入时间独立于结构尺寸或图案密度。矢量扫描模式可以帮助暴露由曲线组成的设计，当需要平滑的轮廓。虽然矢量模式产生的图像质量与光栅扫描曝光模式相似，但它不能达到同样的写入速度，特别是对于高填充系数的模式。 A Choice of Wavelengths 波长的选择因此，你可以在一个系统上使用多达三个不同波长(LED和/或激光二极管)。 Variable Resolution 可变分辨率我们新开发的可变分辨率函数允许您为一个部分的编写模式选择三种不同的分辨率。只需在软件菜单中选择解决方案，并为您的应用程序优化参数。 The Surface at One Glance可选的概述相机提供了一种简单的方法来定位对准标记或其他特征感兴趣的基板上。 Small Sample Handling 小样本处理小样品处理是直接与μMLA: 光学自动对焦选项允许准确曝光，直到样品的边缘。 5 mm x 5 mm

VPG+200 / VPG+400多功能超快速圖形發生器The Multi-Purpose Volume Pattern Generators光学系统上的创新与突破-平行化曝光制程技术制版系统VPG+系列分为中小尺寸和大尺寸曝光系统，专业服务中小型和大型版面的光刻制程。VPG+200和VPG+400为先进的中小型快速光刻机，采用VPG+800以上的大型平台的运作原理，拥有光刻领域的先进技术。应用包括如MEMS、先进封装、3D集成、LED生产及化合物半导体等的领域。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司，共同为客户带来综合应用效能，同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域，Stella International于2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心，以海德堡原厂伙伴技术支援，提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究，这些年来已服务许多的国内知名大学，研究院所与企业前期研发单位。总代理 品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments)，创始于1984年，在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括：微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过50几个国家、700个以上销售据点，用于研发、快速原型制作和工业生产系统，是企业研究和发展的伙伴。

小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国Durham Magneto Optics公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MicroWriter ML3 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。光学轮廓仪MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm，方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件● 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定产品参数 MicroWriter ML3基本型增强型旗舰型大样品尺寸155×155×7mm155×155×7mm230×230×15mm大直写面积149mm x 149mm149mm x 149mm195mm x 195mm曝光光源405 nm LED 1.5W405 nm LED 1.5W385 nm LED 适用于SU-8（365+405nm双光源可选）直写分辨率1μm1μm and 5 μm0.6μm, 1μm, 2μm, 5μm直写速度20mm2/min @ 1μm20mm2/min @ 1μm120mm2/min @ 5μm25mm2/min @ 0.6μm50mm2/min @ 1μm100mm2/min @ 2μm180mm2/min @ 5μm对准显微镜镜头x10x3 and x10 自动切换x3, x5, x10, x20 自动切换多层套刻精度±1μm±1μm±0.5μm小栅格精度200nm200nm100nm样品台小步长100nm100nm50nm光学轮廓Z分辨率无(可升)300nm100nm样品表面自动对焦是是是灰度直写(255)是是是自动晶片检查工具无(可升)有有温控样品腔室无(可升)无(可升)有气动减震光学平台无(可升)无(可升)有应用案例0.4 μm特征线宽曝光结果直写分辨率0.1μm直写分辨率0.6μm灰度直写微结构/微器件/微电制备

小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国Durham Magneto Optics公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MicroWriter ML3 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。光学轮廓仪MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm，方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件● 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定产品参数 MicroWriter ML3基本型增强型旗舰型大样品尺寸155×155×7mm155×155×7mm230×230×15mm大直写面积149mm x 149mm149mm x 149mm195mm x 195mm曝光光源405 nm LED 1.5W405 nm LED 1.5W385 nm LED 适用于SU-8（365+405nm双光源可选）直写分辨率1μm1μm and 5 μm0.6μm, 1μm, 2μm, 5μm直写速度20mm2/min @ 1μm20mm2/min @ 1μm120mm2/min @ 5μm25mm2/min @ 0.6μm50mm2/min @ 1μm100mm2/min @ 2μm180mm2/min @ 5μm对准显微镜镜头x10x3 and x10 自动切换x3, x5, x10, x20 自动切换多层套刻精度±1μm±1μm±0.5μm小栅格精度200nm200nm100nm样品台小步长100nm100nm50nm光学轮廓Z分辨率无(可升)300nm100nm样品表面自动对焦是是是灰度直写(255)是是是自动晶片检查工具无(可升)有有温控样品腔室无(可升)无(可升)有气动减震光学平台无(可升)无(可升)有应用案例0.4 μm特征线宽曝光结果直写分辨率0.1μm直写分辨率0.6μm灰度直写微结构/微器件/微电制备

小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3是英国Durham Magneto Optics公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。MicroWriter ML3 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm x 70cm x 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 产品特点 Focus Lock自动对焦功能Focus Lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。光学轮廓仪MicroWriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向高精度100 nm，方便快捷。标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与已有结构重合，保证直写准确。简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。Clewin 掩膜图形设计软件● 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）● 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式● 书写范围只由基片尺寸决定产品参数 MicroWriter ML3基本型增强型旗舰型大样品尺寸155×155×7mm155×155×7mm230×230×15mm大直写面积149mm x 149mm149mm x 149mm195mm x 195mm曝光光源405 nm LED 1.5W405 nm LED 1.5W385 nm LED 适用于SU-8（365+405nm双光源可选）直写分辨率1μm1μm and 5 μm0.6μm, 1μm, 2μm, 5μm直写速度20mm2/min @ 1μm20mm2/min @ 1μm120mm2/min @ 5μm25mm2/min @ 0.6μm50mm2/min @ 1μm100mm2/min @ 2μm180mm2/min @ 5μm对准显微镜镜头x10x3 and x10 自动切换x3, x5, x10, x20 自动切换多层套刻精度±1μm±1μm±0.5μm小栅格精度200nm200nm100nm样品台小步长100nm100nm50nm光学轮廓Z分辨率无(可升)300nm100nm样品表面自动对焦是是是灰度直写(255)是是是自动晶片检查工具无(可升)有有温控样品腔室无(可升)无(可升)有气动减震光学平台无(可升)无(可升)有应用案例0.4 μm特征线宽曝光结果直写分辨率0.1μm直写分辨率0.6μm灰度直写微结构/微器件/微电制备

详细咨询来电：双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台，可选五花篮台

产品详情英国Durham小型台式无掩膜光刻机Microwriter ML3 小型台式无掩膜光刻系统是英国Durham Magneto Optics公司专为实验室设计开发，为微流控、SAW、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便高效的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板 的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制一系列激光脉冲的开关，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。 Microwriter ML 3 是一款多功能激光直写光刻系统，具有结构小巧紧凑(70cm X 70cm X 70cm)，无掩膜直写系统的灵活性，还拥有高直写速度，高分辨率的特点。采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便。适用于各种实验室桌面。 为了更好满足客户需求，同时节省客户采购成本，第三代Microwriter分为三个型号，基本型，增强型，旗舰型： 产品特点 Focus Lock自动对焦功能 Focus lock技术是利用自动对焦功能对样品表面高度进行探测，并通过Z向调整和补偿，以保证曝光分辨率。 光学轮廓仪 Microwriter ML3 配备光学轮廓探测工具，用于匀胶后沉积层，蚀刻层，MEMS等前道结构的形貌探测与套刻。Z向最高精度100 nm，方便快捷。 标记物自动识别点击“Bulls-Eye”按钮，系统自动在显微镜图像中识别光刻标记。标记物被识别后，将自动将其移动到显微镜中心位置。 别直写前预检查软件可以实时显微观测基体表面，并显示预直写图形位置。通过实时调整位置、角度，直到设计图形按要求与有结构重合，保证直写准确。 简单的直写软件MicroWriter 由一个简单直观的Windows界面软件控制。工具栏会引导使用者进行简单的布局设计、基片对准和曝光的基本操作。该软件在Windows10系统下运行。 Clewin 掩模图形设计软件 • 可以读取多种图形设计文件（DXF, CIF, GDSII, 等）• 可以直接读取TIFF, BMP 等图片格式• 书写范围只由基片尺寸决定 直写分辨率1μm 直写分辨率0.6μm 微电极制备 微结构制备 微流通道制备

海德堡Heidelberg 掩膜版光刻机VPG+ 800,VPG+1100,VPG+1400大尺寸掩膜版生产工具平行化曝光制程技术 热销的VPG（Volume Pattern Generator）系列-全球安装已超过50台。自成立以来，随着技术的进步，VPG产能不断得到进一步提升。整体的高速光学调制器有了飞跃性表现-升级后的系列命名为：VPG+。 大光刻面积VPG+：技术的领航大光刻面积的VPG +维持原VPG系列为根基再进化，使其更加出色。VPG于2007年推出 是拥有专利的量产型曝光技术光刻系统，可靠和经济的解决方案，适用于要求严谨的掩膜板制造。 速度更快：超高速曝光VPG+系列具有海德堡所研发的高速光学调制器，在速度大化下，曝光时间可以达到原始VPG的三倍！强化了曝光动能与数据传输路径。 功能和选项：配备性能VPG +可配置各种平台尺寸，可达1400mmx1400mm。 该系统具有355nm波长的紫外激光源，空气轴承平台，半自动或全自动入料器，用于基板装载和最先进的温控环境室。 应用：光罩制造和直接写入大光刻面积的VPG +系统适用于advanced packaging, semiconductors, displays, color filters, light emitting diodes, touch panel以及life science应用。出色的图像质量和对位功能，也非常适合在大面积执行多层套刻直写。 VPG+ 大型的设备VPG+ 1400专门针对显示器相关行业应用：是所有VPG+系列中功能强大，具有极其完善的温控环境室，差分干涉仪和先进的mura校正以及面板间距优化功能。 ApplicationMicro-optics, MEMS, Display, Micro sensor功能: FunctionSubstrates up to size of 800 x 800, 1100 x 1100 and 1400 x 1400 mm2 respectively Minimum structure size: 0.75μm Address grid down to 12.5nm Ultra-high-speed exposure engine High power DPSS laser with 355nm Multiple write modes Automatic write mode exchanger Metrology and alignment system Climate chamber Online data transfer Automatic loading system Multiple data input formats(DXF, CIF, GDSII, Gerber) Stage map correction Edge detector unit Mura correctio