碳化硅油桶加热器

仪器简介：LSH-SiC200碳化硅红外光源室碳化硅红外光源包括光源室、直流稳压稳流电源和一个冷却用水箱三个组成。碳化硅红外光源室又分为成像室和碳化硅棒及其冷却室。成像室采用反射成像光路，反射镜镀金，以增加红外反射率。冷却室采用循环水冷却方式，有效避免了风冷造成的空气扰动，建议用户采用外循环水系统。系统标配有潜水泵和不锈钢水箱，并且配有水流保护，方便不具备外循环水系统的用户选择使用。技术参数：规格参数型号/参数 LSH-SiC200功率(W) 200光谱范围(&mu m) 1～16孔径比 f/4碳化硅发光面(mm) 5× 14碳化硅的额定电流(A) 18光源寿命(h) 400光路中心高(mm) 128～168(可调)光源工作温度(K) 900-1200主要特点：主要特点◆ 功率：200W◆ 光谱范围：1-16&mu m◆ 辐射系数大，效率光◆ 光源室反射镜全部镀金膜，单片镜片反射率98%◆ 输出相对孔径设计与&ldquo 谱王&rdquo 光谱仪匹配，提高光谱测量时的光收集效率

AGF系列 电阻式碳化硅长晶炉1、适用于 6、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长 Applicable for 6, 8 inch conductive/HPSI SiC crystal growth 2、4 组加热器独立控制，灵活的温场调节机能力 4 units of heater independent control, temperature field can adjust ment flexible 3、坩埚系统具备升降、旋转功能，温场更均匀 Crucible system with lifting and rotating functions, better uniformity of temperature field 4、下装载，上维护，操作便捷 Individual loading area and maintenance area, bottom loading, top maintenance, operation more convenient技术参数 Technical Parameters1、晶体尺寸 6、8 英寸2、加热方式 电阻加热3、适用材料 碳化硅4、适用工艺 物理气相输运法（PVT 法）5、适用领域 科研、化合物半导体

SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统 我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备，主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合，才能在市场上推出使用方便，测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求，欢迎与我们联系各种电子测试的需求。 全面的测试方案：双脉冲测试 用于碳化硅二极管 和FETs检测 高压器件 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV 及更高 功率器件（包括模块） 电压可调至：50 A ( 500 A )清晰的开关波形 非常低且非常容易判断寄生现象精确 包含分析和补偿程序为模具，紧凑型包装，模块组件而设计 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块模块化和前瞻性 新包装和模块化的可调谐开关插头高温测试 DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C快速 快速部署，测试周期 短标准和具体应用 集成化或定制栅极驱动器；寄生现象可调谐高性能系统 工业等级设计及制造安全 IEC61010安全标准设计 技术规格动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性，也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如：负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件的使用方案。功能：描述SiC离散变量的动力学行为配置：在相位腿配置的二极管mosfet(或IGBTs)设备等级：优化的额定电压600V到4500V 优化额定电流10A到50A包装：可与TO220,TO247,TO254包接口的装置系统接受其他包的fixture输入电压：230Vac, 50Hz，单相接地保护输入电流：8A保险丝额定值：10A，T，250V直流电压范围：100V to 4500V开关电流范围：10A to 50ADUT温度:热板温度可调至200℃

MARS iCE115 碳化硅外延系统1、薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高 Thin film and thick film epitaxy compatible, high process stability 2、具备多层外延能力 Multi-layer epitaxy capability 3、独特的气流场和加热场设计，工艺性能优异 Unique flow field and thermal field design provide excellent process performance 4、可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好 Reliable pressure control system, good uniformity of film formation quality技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 4、6 英寸2、适用材料 碳化硅 SiC3、适用工艺 N&P 碳化硅外延4、适用领域 科研、化合物半导体

产品介绍：绿碳化硅呈绿色，纯度高、性脆，显微硬度3280-3400 kg/mm2。用绿碳化硅制成的磨具，适于加工硬度高、脆性大的材料，如硬质合金，光学玻璃、玛瑞和陶瓷等硬脆非金属材料，绿碳化硅也可用于制造高级耐火材料、电热元件和电器元件产品；绿碳化硅磨料绿碳化硅微粉适宜磨削硬质合金和硬脆金属及非金属材料，如铜，黄铜，铝和镁等有色金属和宝石，光学玻璃，陶瓷等非金属材料。技术指标化学成分SiC99.05%SiO20.20%F,Si0.03%Fe2O30.10%F.C0.04%物理特性莫氏硬度9.4比重3.2g/cm3堆积密度1.2-1.6 g/cm3颜色绿色晶型六角晶型熔点约2600 °C游离使用温度1900℃易碎性脆的生产规格W标W63 W50 W40 W28 W20 W14 W10 W7 W5 W3.5 W2.5 W1.5 W0.5FEPA标F230 F240 F280 F320 F360 F400 F500 F600 F800 F1000 F1200 F1500 F2000JIS标240# 280# 320# 360# 400# 500# 600# 700# 800# 1000# 1200# 1500# 2000# 2500# 3000# 4000# 6000# 8000# 10000# 用途1. 用于生产蜂窝陶瓷，作为汽车内三元催化剂的过滤材料；2. 绿碳化硅，适用于加工硬质合金，玻璃，陶瓷和非金属材料外，还用于半导体材料，高温硅碳棒发热体，远红外源基材等；3. 太阳能硅片、半导体硅片、石英芯片的切割研磨；4. 水晶、纯粒铁的抛光；5. 陶瓷、特殊钢的精密抛光；6. 固结及涂附磨具，切割、自由研磨抛光；7. 研磨玻璃、石材、玛瑙及高级珠宝玉器等非金属材料；8. 特氟龙涂料添加材料；9. 制造高级耐火材料、工程陶瓷、加热元件和热能元件等。

VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉1、适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备 SiC high temperature activation & annealing equipment 2、最高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min Max.temp 2000℃, Max.ramp rate100℃/min 3、石墨电阻加热，工艺腔室洁净 Graphite resistance heating, high cleanliness chamber 4、自动装片，Cassette to Cassette Automatic loading, cassette to cassette 5、SEMI S2/S6 认证 SEMI S2/S6 certification技术参数1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容2、适用材料 碳化硅、氮化铝3、适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑4、适用领域 科研、化合物半导体

VERIC O6151A 碳化硅高温氧化炉1、适用于碳化硅栅氧制备的氧化设备 Oxidation equipment suitable for SiC gate oxygen preparation 2、最高温度 1500℃，优异的温区均匀性 Max.temp 1500℃, excellent flat uniformity 3、石墨电阻加热，工艺腔室洁净 Graphite resistance heating, high cleanliness chamber 4、自动装片，Cassette to Cassette Automatic loading, cassette to cassette 5、SEMI S2/S6 认证 SEMI S2/S6 certification技术参数1、晶圆尺寸 4/6 英寸兼容2、适用材料 碳化硅3、适用工艺 干氧氧化 、湿氧、Ar/N2 退火、NO/N2O 退火、H2 退火、DCE 清洗4、适用领域 科研、化合物半导体

MARS iCE120 多片碳化硅外延系统1、产能大，6 英寸运营成本低 Higher throughput, lower CoO/CoC for 6 inch 2、薄膜和厚膜外延兼容，工艺稳定性高 Thin film and thick film epitaxy compatible, high process stability 3、具备多层外延能力 Multi-layer epitaxy capability 4、独特的气流场和加热场设计，工艺性能优异 Unique flow field and thermal field design provide excellent process performance 5、可靠的压力控制系统，成膜质量均一性好 Reliable pressure control system, good uniformity of film formation quality 6、兼容 8 英寸 Compatible with 8 inch技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 6、8 英寸2、适用材料 碳化硅 SiC3、适用工艺 N&P 碳化硅外延4、适用领域 科研、化合物半导体

碳化硅衬底片工厂 6英寸SiC碳化硅衬底晶片厂商价格苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅衬底片和4H半绝缘碳化硅衬底片，所生产的碳化硅衬底片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、军工相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。碳化硅功率二极管有3种类型：肖特基二极管（SBD），PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管（JBS）。由于存在肖特基势垒，SBD具有较低的结势垒高度，因此SBD具有低正向电压的优势。碳化硅SBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，碳化硅PiN和碳化硅JBS二极管由于比硅整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。 碳化硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域是首选的器件。有报道称已成功研制出阻断电压10kV的碳化硅MOSFET。研究人员认为，碳化硅MOSFET在3kV～5kV领域将占据优势地位。

碳化硅衬底晶片生产商 4H-N碳化硅衬底片厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应碳化硅衬底晶片，产品主要有2英寸到6英寸，类型分为导电型4H-N 掺杂氮和半绝缘型4H-SI型掺杂钒以及非掺杂4H-SI型。产品等级分为超低微管密度级碳化硅衬底晶片，产品级碳化硅衬底片，研究级碳化硅衬底晶片，测试级碳化硅晶片，欢迎有需求的客户咨询。碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

APS系列 感应式碳化硅长晶炉1、适用于 6 英寸、8 英寸，导电 / 高纯半绝缘型 SiC 晶体生长 Applicable for 6, 8 inch conductive/HPSI SiC crystal growth 2、创新的结构设计，提供高纯材料生长能力 Innovative design provide high purity crystal growth environment 3、智能的运行 / 监控系统，适于长时间 / 高温 / 低压工艺，拓宽高质量 /大规模晶体生长窗口 Smart operation/monitoring system suit for long-time/high-temp/low-pressure process, expanding process window for high quality & mass production crystal growth 4、包含多款辅助设备：大产能原料合成炉、晶锭退火炉、氮化铝长晶炉及其他定制化设备 Including accessory equipment, powder synthesis furnace, ingot annealing furnace, AlN crystal growing furnace & customized equipment技术参数 Technical Parameters1、晶体尺寸 6、8 英寸2、加热方式 感应加热3、适用材料 碳化硅、氮化铝4、适用工艺 物理气相输运法（PVT 法）5、适用领域 科研、化合物半导体

Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶体生长系统是实现高质量SiC晶体生长、高纯度原料合成、高温晶体热处理的专业设备。广泛应用于SiC晶体生长、原料合成、晶体热处理领域。可以生长6/8英寸的晶锭。特点．真空炉腔系统较为限本底真空值达到≤5.0E-5Pa，升压率≤3Pa/12h，保证晶体生长的稳定性．智能化生长及监测系统，实现多种制程精确定制，工艺优化，长晶全过程实时监控，数据可视化存档．新型感应加热线圈设计，有效提高热场加热的均匀性和稳定性．业内首创的PIM自检系统，有效减免制程时间浪费．稳定可靠的水冷系统，实现了水道管路温度、流量的实时监控，保证了生长室温场的稳定性．可生产6英寸P级碳化硅衬底，微管缺陷密度＜0.5个／cm2，电阻率达0.015-0.0280

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。Ø 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；Ø 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；Ø 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；Ø 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；Ø 产品至少是“不差于”；Ø 一对一服务，无论何种规格，客户至上。

Pallas A220 碳化硅快速热退火系统1、独特的加热分区设计，具备良好的温度均匀性 Unique multi-zone heating design, achieving better temperature uniformity 2、高精度的控温模式 PID temperature control for high accuracy 3、更优的升温速率 Appropriate ramp rate技术参数 Technical Parameters1、晶圆尺寸 6/8 英寸兼容2、适用工艺 快速热退火4、适用领域 科研、化合物半导体

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

碳化硅晶片生产厂家碳化硅（SiC）是Ⅳ-Ⅳ族二元化合物, 也是元素周期表Ⅳ组元素中稳定固态化合物, 是一种重要的半导体材料。 它具有优良的热学、力学、化学和电学性质, 不仅是制作高温、高频、大功率电子器件的优质材料之一，也可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料。苏州恒迈瑞公司目前用于衬底的碳化硅晶片以4H为主，导电类型分为半绝缘型（非掺、掺杂）与N型。 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：钒厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5° 产品类型：4H-SI碳化硅晶片掺杂：非掺杂厚度：500um±25um尺寸：2英寸，3英寸，4英寸，6英寸晶向：on axis 0°0001±0.5°

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。产品优势：我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

CAMTEK 自动光学检验AOI设备 在 碳化硅(SiC) 领域的应用碳化硅碳化硅晶片是未来一代半导体材料,具有独特的电学性能和优异的热性能。 与硅片和砷化镓晶片相比,碳化硅晶片更适合高温和高功率设备应用程序。Camtek开发专用的检验和计量解决方案,以及分析工具来解决这一新兴市场。功能• 处理透明材料区域使用黑暗查克在晶片上• 背光查克的早期阶段的过程• 朋友处理透明的晶片• eef——边缘控制能力• 自动缺陷分类(ADC)基于收益管理的深度学习• 弓测量• 预测收益率-晶圆缺陷位置精度 2um技术• sts -表面形貌传感器• 背光 产品 EagleT-AP为先进的包装设计市场,EagleT-AP提供了2 d和3 d检验和计量在同一平台上,同时保持极高的性能和吞吐量水平。 EagleT-i设计的速度和准确性,Camtek EagleT-i是一个最快的和最精确的2 d检查工具在市场上。

登封市明辉高温元件有限公司主要生产订做等直径硅碳棒，U型硅碳棒，直角硅碳棒，大头棒，h/H型硅碳棒，门型、螺纹硅碳棒；U型硅钼棒，直角硅钼棒，直型硅钼棒，1700型，1800型等其他异型硅钼棒。产品质量稳定，满足不同客户的需求，销往国内大部分区域并出口国外，欢迎来电。槽型硅碳棒由一个热端和一个冷端组成，在挑选完合适电阻之后，在硅碳棒两边各开一条等宽的槽，这样的硅碳棒就叫做槽型硅碳棒，槽型硅碳棒一般5毫米左右，硅碳棒电热元件是高纯度以碳化硅为主要原料，加入工业硅，碳粉等材料。经过成型，烘干，高温烧结等多道工序而制成的一种非金属棒状高温电热元件。槽型硅碳棒的接线方式和双螺纹硅碳棒一样都是一端接线，在使用中比较方便，由于是两条切缝，使用起来硅碳棒负载能力更强，要比双螺旋硅碳棒使用寿命长些。电阻也更好控制，就是不容易切割，容易切断，所以价钱要比普通硅碳棒价钱要高。

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

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我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我们的优势：1. 反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；2. 碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；3. 各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；4. 超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块生产厂家，源头工厂；5. 产品至少是“不差于”；6. 一对一服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。

我们来自国外技术陶瓷有限公司先进技术和引进进口设备相结合的手段,精选高品质原料专业设计、生产和销售陶瓷、耐火陶瓷、及新型无机非金属等先进材料，以氧化铝、氧化锆、氧化镁、氮化硅及碳化硅等主要原料，经过一系列人工合成及提炼处理制成超细末，通过1700℃以上超高温高压工艺烧结而成，主要提供:氧化铝陶瓷管棒、99刚玉管、电炉管。95/99瓷件、耐火制品。并可根据用户特殊要求进行加工。公司产品的优点：1.耐化学腐蚀2.耐高温，正常使用在1800℃3.耐骤冷骤热，不易炸裂4.可重复使用。5.结构性能稳定。6.高温稳定性。7.热传导性高

我们的优势：反应器模块芯片采用整体键合，一体成型方式，耐高压，防漏液；碳化硅材质，耐酸耐碱耐盐，耐腐蚀；各种持液量规格的模块均可根据客户要求定制；超纯碳化硅材料及碳化硅反应器模块专业生产厂家，源头工厂；产品可能不是“最优于”，至少是“不差于”；一对一专业服务，无论何种规格，客户至上。 产品参数：工作温度（℃）：-60-200工作压力（bar) ： ≦50芯片尺寸(mm）：300*300持液量（ml）：3、8、50、250、300通道尺寸（mm）：3.2-6.0 流量范围：通用款有8、50、250、300ml，可根据实际工况灵活调配，多组串联；机型：单组模块为5层碳化硅板式芯片结构，整体键合；多组模块之间采用全氟醚O型密封圈密封；模块外部由碳纤维保温隔热外壳包覆；外接配管：进出管为6-8mmPTFE管、1/4合金管等； 产品应用：硝化、氧化、还原、重氮化、缩合、酰胺化、溴化等反应。适用于医药，农药，染料，香料，表面活性剂等精细化工中间体和其它特种助剂，以及基本化学品的合成工艺研发和商业化生产。应用案例：纳米材料制备 1. 白芦黎醇纳米分散体（来源：DOI: 10. 13543 /j. bhxbzr. 2017. 05. 005）： A相：白芦黎醇溶于乙醇或丙酮 B相：辅料PVP和SDS溶于水 进料流量比：A:B=1：20（3ml/min、60ml/min) 利用平流泵调节AB两相溶液的进料条作，在微通道反应器出口收集纳米分散体浆料，制得平均粒径130nm左右分散体。继续采用套管式微通道反应器优化放大，可得到平均粒径80nm左右。 2. 纳米布洛芬晶体制备（来源：单羽，微通道反应器沉淀法制备纳米晶体【D】，南京理工大学，2021，21-38. ） 选择心型微通道反应器，持液量3ml，进出料管为1/8 inch PTFE管，两进一出结构。 A相：不饱和的乙醇布洛芬溶剂 B相： 0.1mol/L的ZrCl4水溶液，pH3左右，抽滤后的滤液。进料流量比：A:B=1：15（1ml/min、15ml/min) 外加超声场，实验温度40°，通入A相，保留时间7s，出料后稳定30s，收取物料，布洛芬平均粒径100nm左右。

1. 反应器芯片原材料为亚微米级高纯碳化硅,纯度99.5%以上,采用无压烧结工艺烧制；①　单组反应器芯片为多片式结构,采用专有技术高温键合成一个整体,消除了泄露风险。芯片自带温度探头,实时监控反应温度变化；②　反应器芯片采用“反应/换热一体式”设计,一面是反应通道,一面是换热通道,两种功能集成在一块碳化硅板上,极大的提高了换热效率；③　换热系统的冷热媒介可直接注入反应器芯片的换热通道内,通道采用流线型设计并安装扰流散器,既满足了媒介的快速流动,不会产生明显压降,又可使媒介与芯片本体充分接触,有利于控制反应温度；④　反应器模块单元带有保温隔热层,使用特殊保温材料将碳化硅反应器芯片充分包裹，碳化硅芯片与外部金属大部分无接触,保温隔热性能大大提高,节约能耗,同时增加了设备使用中的安全性；⑤　本反应器体积紧凑、结构清晰,可方便进行串联或并联操作,满足各种不同需求；⑥　反应路径无仼何金属接触,进岀液口使用锥形连接器,便于快速连接PTFE管线,另外也可根据具体需求定制进出口接头；⑦　反应器芯片可灵活定制。公司具备碳化硅制品生产加工线,可根据用户具体需求定制加工。

碳化硅具有优异的耐高温、耐腐蚀性能，而微通道结构可以提供高比表面积和良好的传质特性，具有体积小、传热快、传质效果好，反应控制佳等优点，因此碳化硅微通道反应器在化工领域具有广泛的应用前景。可根据实际工况进行定制，加工成型各种碳化硅微反应器模块！

本测试系统具有高测试精度、高灵敏度、高可靠性、高安全性的特点，实现碳化硅二极管、MOSFET器件开通时间、关断时间、快恢复二极管反向恢复时间、反向电流及反向恢复电荷等测试，通过计算机控制，示波器采集波形，由计算机处理数据并显示测试结果。主要技术参数测试产品：SiC FRD,MOSFET（兼容Si基产品）测试能力：a，开关时间测试测试条件：ID：1A~1000A, VDS:5V~3500V, VGS:-10V~20V, Rg:手动可调，阻性，感性负载可切换。测试参数：td(on)\tr\td(off)\tf:0.1nS-200nS, Eon\Eoff:10uJ-100mJb，反向恢复特性测试测试条件：IF:1A~1000A, VR:5V~3500V,di\dt:50A\us~10000A\us测试参数：trr:0.1nS-200nS,Qc:1nC~1uC,lrm:1A~200A,Erec:0.1uJ~1mJc，短路电流测试测试条件：Pulse width:1us~100us,VDS:5V~3500V测试参数：Peak ID:10A~1000A, Delta Vds:10V~200V

【技术参数】通 量：50~300 mL/min反应体积：50、250、300 mL，可根据实际工况定制压力范围：0-20 bar温度范围：-60 – 200℃触液材料：PTFE（聚四氟乙烯管道）、FFKM（全氟醚橡胶O型圈）、碳化硅陶瓷通道尺 寸：可定制